JP2004341157A - 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム - Google Patents
露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム Download PDFInfo
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Abstract
【課題】処理対象パーツごとに適正化された光近接効果補正を行う。
【解決手段】処理対象パターンＰ１を分解して得られた処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを構築し、各処理対象パーツに対応したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを用いることにより、処理対象パーツのシミュレーション補正を行う。
【選択図】 図１
【解決手段】処理対象パターンＰ１を分解して得られた処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを構築し、各処理対象パーツに対応したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを用いることにより、処理対象パーツのシミュレーション補正を行う。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスク、光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムに関し、特に、シミュレーションベースによる光近接効果の補正方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光近接効果補正方法では、例えば、特許文献１に開示されているように、ルールベース補正の領域とシミュレーションベース補正の領域に補正対象パターンを分割する。そして、ルールベース補正の領域に対してルールベース補正を行うとともに、シミュレーションベース補正の領域に対してシミュレーションベース補正を行ってから、分割された領域を統合することにより、ルールベース手法のように誤差を生じることなく、シミュレーションベース手法のように多大な時間を要することなく、光近接効果補正を良好に行なう方法がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−３１９０６７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光近接効果補正方法では、補正対象パターンの透過部と遮光部の境界に直交エッジを立てた時のスレッショルドの検出方法が、補正対象パターンを分割して得られた全ての処理対象パーツで一致する。このため、処理対象パーツごとに最適な対象ラインエッジの値（あるいはスレッショルドレベル）が異なる場合においても、これらの対象ラインエッジの値を識別することができず、ある特定の処理対象パーツの補正精度を追求すると、別の特定の処理対象パーツの補正精度が劣化するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、処理対象パーツごとに適正化された光近接効果補正を行うことが可能な露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、第１光近接効果補正パターンが付加された第１パーツと、前記第１パーツに統合され、前記第１光近接効果補正パターンと異なるスレッショルドレベルを有する第２光近接効果補正パターンが付加された第２パーツとを備えることを特徴とする。
【０００７】
これにより、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを設定することを可能としつつ、光近接効果補正パターンを処理対象パーツに付加することが可能となる。このため、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となり、リソグラフィー工程で形成されるパターンが微細化された場合においても、パターン転写の忠実性を向上させることが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、第１スレッショルドレベルを有するハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、第２スレッショルドレベルを有するセリフが付加されたコーナー領域と、第３スレッショルドレベルを有するバイアスが付加されたライン＆スペース領域とを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに最適なスレッショルドレベルを設定することを可能としつつ、ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスを、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にそれぞれ付加することが可能となる。このため、リソグラフィー工程で形成されるパターンが微細化された場合においても、ライン端が短くなったり、コーナー部が丸まったり、ライン幅が太ったり、細ったりすることを抑制することが可能となり、パターン転写の忠実性を向上させることを可能として、半導体ウェハのイオン注入処理やエッチング処理を精度よく行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解する分解手段と、前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うシミュレーションベース補正手段と、前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合する統合手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、処理対象パーツごとにスレッショルドの検出方法を変更することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを設定することが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記統合された処理対象パーツのルールベース補正を行うルールベース補正手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、統合された処理対象パーツの境界に段差が生じた場合においても、不要な段差を除去することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルが設定された場合においても、露光マスクを効率よく製造することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解する分解手段と、前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを記憶する第１モデル記憶手段と、前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを記憶する第２モデル記憶手段と、前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを記憶する第３モデル記憶手段と、前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域の補正を行う第１シミュレーションベース補正手段と、前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域の補正を行う第２シミュレーションベース補正手段と、前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域の補正を行う第３シミュレーションベース補正手段と、前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合する統合手段と、前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うルールベース補正手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに異なるシミュレーション実行用モデルを適用することが可能となり、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとにスレッショルドの検出方法を変更することが可能となる。このため、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに最適なスレッショルドレベルを設定することが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解するステップと、前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うステップと、前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合するステップとを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、ある特定の処理対象パーツの補正精度を劣化させることなく、別の特定の処理対象パーツの補正精度を向上させることが可能となる。このため、全ての処理対象パーツについての補正精度を向上させることが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解するステップと、前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合するステップと、前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに異なるシミュレーション実行用モデルを適用することが可能となり、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに光近接効果補正を最適化することが可能となる。このため、ラインエンド領域、コーナー領域またはライン＆スペース領域のいずれかの補正精度を劣化させることなく、処理対象パターンの補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、異なるスレッショルドレベルを有する光近接効果補正パターンが付加された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正が行われた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となる。このため、半導体ウェハに形成されるパターンが微細化された場合においても、露光マスクで規定されたパターンに忠実にイオン注入処理またはエッチング処理を行うことが可能となる。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解するステップと、前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うステップと、前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２１】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、ハードウェア構成を変更することなく、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解するステップと、前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合するステップと、前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２２】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに異なるシミュレーション実行用モデルを適用することが可能となり、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに光近接効果補正を最適化することを可能として、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図である。
図１において、処理対象パターンＰ１を分解して得られた処理対象パーツごとに光近接効果補正を行うシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを構築する。ここで、シミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃは、処理対象パターンＰ１を分解して得られた処理対象パーツごとに適正化されている。例えば、シミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃは、補正対象パターンの透過部と遮光部の境界に直交エッジを立てた時のスレッショルドの検出方法が処理対象パーツごとに最適化され、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを求めることができる。なお、スレッショルドレベルは、透過部と遮光部の境界における露光時の解像するしきい値を表し、マスクパターンのエッジをどこに移動させれば、所望のレジストパターンが得られるかを示す。
【００２４】
ここで、処理対象パーツとしては、例えば、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を挙げることができる。なお、ラインエンド領域は処理対象パターンＰ１の端部に相当し、コーナー領域は処理対象パターンＰ１のコーナー部（インコーナおよびアウトコーナーを含む。）に相当し、ライン＆スペース領域はラインエンド領域およびコーナー領域を除いた残りの領域に相当する。また、ライン＆スペース領域には、アイソレーションライン（単独の線状パターン）を含ませることができる。
【００２５】
そして、シミュレーション実行用モデルＡは、ラインエンド領域に対して適正化されたスレッショルドの検出方法を採用し、シミュレーション実行用モデルＢは、コーナー領域に対して適正化されたスレッショルドの検出方法を採用し、シミュレーション実行用モデルＣは、ライン＆スペース領域に対して適正化されたスレッショルドの検出方法を採用することができる。
【００２６】
そして、光近接効果補正の対象となる処理対象パターンＰ１が与えられると、処理対象パターンＰ１を処理対象パーツに分解する（または、処理対象パターンＰ１から処理対象パーツを抽出する）。なお、処理対象パターンＰ１を処理対象パーツに分解する場合、ＤＲＣ（デザインルールチェック）機能を用いることができる。そして、各処理対象パーツに対応したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを選択し、選択したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを用いることにより、処理対象パーツのシミュレーションベース（モデルベース）補正を行う。
【００２７】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、処理対象パーツごとにスレッショルドの検出方法を変更することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを設定することが可能となり、ある特定の処理対象パーツの補正精度を劣化させることなく、別の特定の処理対象パーツの補正精度を向上させることが可能となることから、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００２８】
そして、処理対象パーツの補正が行われると、補正が行われた処理対象パーツを統合する。そして、統合された処理対象パーツに対して、ルールベース補正を行う。
これにより、統合された処理対象パーツの境界に段差が生じた場合においても、不要な段差を除去することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルが設定された場合においても、露光マスクを効率よく製造することが可能となる。
【００２９】
なお、シミュレーションベース補正は、露光プロセスに伴う現象をモデル化したシミュレータを用いるもので、シミュレーションベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＶＩＩＩ，Ｖｏｌ ２４４０，ＳＰＩＥ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ １９９５，ｐ２６１−２６９におけるＳａｔｏｍｉ ＳｈｉｏｉｒｉらによるＦａｓｔ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ａｎａｌｙｔｉｃａｌ ｍｅｔｈｏｄと題する論文に開示されている。
【００３０】
また、ルールベース補正は、予め求めた補正ルールに基づいて光近接効果補正を行う方法もので、ルールベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＶＩＩ，Ｖｏｌ ２１９７，ＳＰＩＥ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ １９９４，ｐ２７８−２９３におけるＯｂｅｒｄａｎ Ｗ．ＯｔｔｏらによるＡｕｔｏｍａｔｅｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ−ａ ｒｕｌｅ−ｂａｓｅｄ ａｐｐｒｏａｃｈと題する論文および第３６１ページから第３７０ページにおけるＲｉｃｈａｒｄ Ｃ．Ｈｅｎｄｅｒｓｏｎらによるｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ ｆｏｒ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｗｉｄｅｎｓ ｐｒｏｃｅｓｓ ｌａｔｉｔｕｄｅと題する論文に開示されている。
【００３１】
図２は、本発明の第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャートである。
図２において、光近接効果補正の対象となる処理対象パターンＰ１が入力されると（ステップ１）、処理対象パターンＰ１を処理対象パーツに分解する（ステップ２）。そして、処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを選択し、選択したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを用いることにより、処理対象パーツのシミュレーションベース（モデルベース）補正を行う（ステップ３）。
【００３２】
そして、処理対象パーツの補正が行われると、補正が行われた処理対象パーツを統合する（ステップ４）。そして、統合された処理対象パーツに対して、ルールベース補正を行う（ステップ５）。
図３〜図５は、本発明の第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図である。
【００３３】
図３（ａ）において、処理対象パターンＰ１１として、例えばコ字状のパターンが与えられたものとする。
そして、処理対象パターンＰ１１が与えられると、図３（ｂ）に示すように、処理対象パターンＰ１１を処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１に分解する。ここで、処理対象パーツＡ１、Ａ２はラインエンド領域、処理対象パーツＢ１〜Ｂ４はコーナー領域、処理対象パーツＣはライン＆スペース領域にぞれぞれ対応させることができる。
【００３４】
そして、処理対象パターンＰ１１が処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１に分解されると、図４（ａ）に示すように、処理対象パーツＡ１、Ａ２にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２をそれぞれ付加することにより、シミュレーション補正されたパターンＰＡを生成する。ここで、処理対象パーツＡ１、Ａ２にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２をそれぞれ付加する場合、ラインエンド領域に対して適正化されたシミュレーション実行用モデルＡを選択し、ラインエンド領域に最適なスレッショルドＴＡを設定して、光近接効果補正を行うことができる。
【００３５】
また、図４（ｂ）に示すように、処理対象パーツＢ１、Ｂ２にネガセリフＮＳ１、ＮＳ２をそれぞれ付加するとともに、処理対象パーツＢ３、Ｂ４にポジセリフＰＳ１、ＰＳ２をそれぞれ付加することにより、シミュレーション補正されたパターンＰＢを生成する。ここで、処理対象パーツＢ１〜Ｂ４にネガセリフＮＳ１、ＮＳ２またはポジセリフＰＳ１、ＰＳ２をそれぞれ付加する場合、コーナー領域に対して適正化されたシミュレーション実行用モデルＢを選択し、コーナー領域に最適なスレッショルドＴＢを設定して、光近接効果補正を行うことができる。
【００３６】
また、図４（ｃ）に示すように、処理対象パーツＣ１にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加することにより、シミュレーション補正されたパターンＰＣを生成する。ここで、処理対象パーツＣ１にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加する場合、ライン＆スペース領域に対して適正化されたシミュレーション実行用モデルＣを選択し、ライン＆スペース領域に最適なスレッショルドＴＣを設定して、光近接効果補正を行うことができる。
【００３７】
これにより、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ごとに最適なスレッショルドレベルをそれぞれ設定することを可能としつつ、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびバイアスＢＳ１、ＢＳ２を、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１にそれぞれ付加することが可能となり、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１のいずれかの補正精度を犠牲にすることなく、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１の補正精度を向上させることが可能となる。このため、リソグラフィー工程で形成されるパターンが微細化された場合においても、ライン端が短くなったり、コーナー部が丸まったり、ライン幅が太ったり、細ったりすることを抑制することが可能となり、半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理などを精度よく行うことが可能となる。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、シミュレーション補正された各パターンＰＡ、ＰＢ、ＰＣの処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１を統合することにより、シミュレーション補正された統合パターンＰ１２を生成する。ここで、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ごとに最適なスレッショルドレベルをそれぞれ設定することができるので、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ごとにスレッショルドレベルが異なることがある。このため、シミュレーション補正後の処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１が統合された統合パターンＰ１２には、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１の接続部分で段差Ｄ１〜Ｄ６が発生する。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に示すように、シミュレーション補正後の処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１が統合された統合パターンＰ１２に対し、ルールベース補正を行うことにより、段差Ｄ１〜Ｄ６が除去された統合パターンＰ１３を生成する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図２】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャート。
【図３】第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図４】第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図５】第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【符号の説明】
Ｐ１、Ｐ１１ 処理対象パターン、Ａ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ 処理対象パーツ、ＰＡ、ＰＢ、ＰＣ、Ｐ１３ 補正パターン、Ｈ１、Ｈ２ ハンマーヘッド、ＮＳ１、ＮＳ２ ネガセリフ、ＰＳ１、ＰＳ２ ポジセリフ、ＢＳ１、ＢＳ２ バイアス、Ｐ１２ 統合パターン、Ｄ１〜Ｄ６ 段差
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスク、光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムに関し、特に、シミュレーションベースによる光近接効果の補正方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光近接効果補正方法では、例えば、特許文献１に開示されているように、ルールベース補正の領域とシミュレーションベース補正の領域に補正対象パターンを分割する。そして、ルールベース補正の領域に対してルールベース補正を行うとともに、シミュレーションベース補正の領域に対してシミュレーションベース補正を行ってから、分割された領域を統合することにより、ルールベース手法のように誤差を生じることなく、シミュレーションベース手法のように多大な時間を要することなく、光近接効果補正を良好に行なう方法がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−３１９０６７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光近接効果補正方法では、補正対象パターンの透過部と遮光部の境界に直交エッジを立てた時のスレッショルドの検出方法が、補正対象パターンを分割して得られた全ての処理対象パーツで一致する。このため、処理対象パーツごとに最適な対象ラインエッジの値（あるいはスレッショルドレベル）が異なる場合においても、これらの対象ラインエッジの値を識別することができず、ある特定の処理対象パーツの補正精度を追求すると、別の特定の処理対象パーツの補正精度が劣化するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、処理対象パーツごとに適正化された光近接効果補正を行うことが可能な露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、第１光近接効果補正パターンが付加された第１パーツと、前記第１パーツに統合され、前記第１光近接効果補正パターンと異なるスレッショルドレベルを有する第２光近接効果補正パターンが付加された第２パーツとを備えることを特徴とする。
【０００７】
これにより、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを設定することを可能としつつ、光近接効果補正パターンを処理対象パーツに付加することが可能となる。このため、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となり、リソグラフィー工程で形成されるパターンが微細化された場合においても、パターン転写の忠実性を向上させることが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、第１スレッショルドレベルを有するハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、第２スレッショルドレベルを有するセリフが付加されたコーナー領域と、第３スレッショルドレベルを有するバイアスが付加されたライン＆スペース領域とを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに最適なスレッショルドレベルを設定することを可能としつつ、ハンマーヘッド、セリフおよびバイアスを、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域にそれぞれ付加することが可能となる。このため、リソグラフィー工程で形成されるパターンが微細化された場合においても、ライン端が短くなったり、コーナー部が丸まったり、ライン幅が太ったり、細ったりすることを抑制することが可能となり、パターン転写の忠実性を向上させることを可能として、半導体ウェハのイオン注入処理やエッチング処理を精度よく行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解する分解手段と、前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うシミュレーションベース補正手段と、前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合する統合手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、処理対象パーツごとにスレッショルドの検出方法を変更することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを設定することが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記統合された処理対象パーツのルールベース補正を行うルールベース補正手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、統合された処理対象パーツの境界に段差が生じた場合においても、不要な段差を除去することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルが設定された場合においても、露光マスクを効率よく製造することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解する分解手段と、前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを記憶する第１モデル記憶手段と、前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを記憶する第２モデル記憶手段と、前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを記憶する第３モデル記憶手段と、前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域の補正を行う第１シミュレーションベース補正手段と、前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域の補正を行う第２シミュレーションベース補正手段と、前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域の補正を行う第３シミュレーションベース補正手段と、前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合する統合手段と、前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うルールベース補正手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに異なるシミュレーション実行用モデルを適用することが可能となり、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとにスレッショルドの検出方法を変更することが可能となる。このため、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに最適なスレッショルドレベルを設定することが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解するステップと、前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うステップと、前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合するステップとを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、ある特定の処理対象パーツの補正精度を劣化させることなく、別の特定の処理対象パーツの補正精度を向上させることが可能となる。このため、全ての処理対象パーツについての補正精度を向上させることが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解するステップと、前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合するステップと、前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに異なるシミュレーション実行用モデルを適用することが可能となり、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに光近接効果補正を最適化することが可能となる。このため、ラインエンド領域、コーナー領域またはライン＆スペース領域のいずれかの補正精度を劣化させることなく、処理対象パターンの補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、異なるスレッショルドレベルを有する光近接効果補正パターンが付加された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正が行われた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となる。このため、半導体ウェハに形成されるパターンが微細化された場合においても、露光マスクで規定されたパターンに忠実にイオン注入処理またはエッチング処理を行うことが可能となる。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解するステップと、前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うステップと、前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２１】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、ハードウェア構成を変更することなく、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解するステップと、前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域のシミュレーション補正を行うステップと、前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合するステップと、前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２２】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに異なるシミュレーション実行用モデルを適用することが可能となり、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域ごとに光近接効果補正を最適化することを可能として、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図である。
図１において、処理対象パターンＰ１を分解して得られた処理対象パーツごとに光近接効果補正を行うシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを構築する。ここで、シミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃは、処理対象パターンＰ１を分解して得られた処理対象パーツごとに適正化されている。例えば、シミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃは、補正対象パターンの透過部と遮光部の境界に直交エッジを立てた時のスレッショルドの検出方法が処理対象パーツごとに最適化され、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを求めることができる。なお、スレッショルドレベルは、透過部と遮光部の境界における露光時の解像するしきい値を表し、マスクパターンのエッジをどこに移動させれば、所望のレジストパターンが得られるかを示す。
【００２４】
ここで、処理対象パーツとしては、例えば、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を挙げることができる。なお、ラインエンド領域は処理対象パターンＰ１の端部に相当し、コーナー領域は処理対象パターンＰ１のコーナー部（インコーナおよびアウトコーナーを含む。）に相当し、ライン＆スペース領域はラインエンド領域およびコーナー領域を除いた残りの領域に相当する。また、ライン＆スペース領域には、アイソレーションライン（単独の線状パターン）を含ませることができる。
【００２５】
そして、シミュレーション実行用モデルＡは、ラインエンド領域に対して適正化されたスレッショルドの検出方法を採用し、シミュレーション実行用モデルＢは、コーナー領域に対して適正化されたスレッショルドの検出方法を採用し、シミュレーション実行用モデルＣは、ライン＆スペース領域に対して適正化されたスレッショルドの検出方法を採用することができる。
【００２６】
そして、光近接効果補正の対象となる処理対象パターンＰ１が与えられると、処理対象パターンＰ１を処理対象パーツに分解する（または、処理対象パターンＰ１から処理対象パーツを抽出する）。なお、処理対象パターンＰ１を処理対象パーツに分解する場合、ＤＲＣ（デザインルールチェック）機能を用いることができる。そして、各処理対象パーツに対応したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを選択し、選択したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを用いることにより、処理対象パーツのシミュレーションベース（モデルベース）補正を行う。
【００２７】
これにより、処理対象パーツごとに最適な光近接効果補正を行うことが可能となり、処理対象パーツごとにスレッショルドの検出方法を変更することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルを設定することが可能となり、ある特定の処理対象パーツの補正精度を劣化させることなく、別の特定の処理対象パーツの補正精度を向上させることが可能となることから、光近接効果補正の精度を向上させることが可能となる。
【００２８】
そして、処理対象パーツの補正が行われると、補正が行われた処理対象パーツを統合する。そして、統合された処理対象パーツに対して、ルールベース補正を行う。
これにより、統合された処理対象パーツの境界に段差が生じた場合においても、不要な段差を除去することが可能となる。このため、処理対象パーツごとに最適なスレッショルドレベルが設定された場合においても、露光マスクを効率よく製造することが可能となる。
【００２９】
なお、シミュレーションベース補正は、露光プロセスに伴う現象をモデル化したシミュレータを用いるもので、シミュレーションベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＶＩＩＩ，Ｖｏｌ ２４４０，ＳＰＩＥ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ １９９５，ｐ２６１−２６９におけるＳａｔｏｍｉ ＳｈｉｏｉｒｉらによるＦａｓｔ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ａｎａｌｙｔｉｃａｌ ｍｅｔｈｏｄと題する論文に開示されている。
【００３０】
また、ルールベース補正は、予め求めた補正ルールに基づいて光近接効果補正を行う方法もので、ルールベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＶＩＩ，Ｖｏｌ ２１９７，ＳＰＩＥ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ １９９４，ｐ２７８−２９３におけるＯｂｅｒｄａｎ Ｗ．ＯｔｔｏらによるＡｕｔｏｍａｔｅｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ−ａ ｒｕｌｅ−ｂａｓｅｄ ａｐｐｒｏａｃｈと題する論文および第３６１ページから第３７０ページにおけるＲｉｃｈａｒｄ Ｃ．Ｈｅｎｄｅｒｓｏｎらによるｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ ｆｏｒ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｅｆｆｅｃｔ ｗｉｄｅｎｓ ｐｒｏｃｅｓｓ ｌａｔｉｔｕｄｅと題する論文に開示されている。
【００３１】
図２は、本発明の第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャートである。
図２において、光近接効果補正の対象となる処理対象パターンＰ１が入力されると（ステップ１）、処理対象パターンＰ１を処理対象パーツに分解する（ステップ２）。そして、処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを選択し、選択したシミュレーション実行用モデルＡ〜Ｃを用いることにより、処理対象パーツのシミュレーションベース（モデルベース）補正を行う（ステップ３）。
【００３２】
そして、処理対象パーツの補正が行われると、補正が行われた処理対象パーツを統合する（ステップ４）。そして、統合された処理対象パーツに対して、ルールベース補正を行う（ステップ５）。
図３〜図５は、本発明の第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図である。
【００３３】
図３（ａ）において、処理対象パターンＰ１１として、例えばコ字状のパターンが与えられたものとする。
そして、処理対象パターンＰ１１が与えられると、図３（ｂ）に示すように、処理対象パターンＰ１１を処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１に分解する。ここで、処理対象パーツＡ１、Ａ２はラインエンド領域、処理対象パーツＢ１〜Ｂ４はコーナー領域、処理対象パーツＣはライン＆スペース領域にぞれぞれ対応させることができる。
【００３４】
そして、処理対象パターンＰ１１が処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１に分解されると、図４（ａ）に示すように、処理対象パーツＡ１、Ａ２にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２をそれぞれ付加することにより、シミュレーション補正されたパターンＰＡを生成する。ここで、処理対象パーツＡ１、Ａ２にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２をそれぞれ付加する場合、ラインエンド領域に対して適正化されたシミュレーション実行用モデルＡを選択し、ラインエンド領域に最適なスレッショルドＴＡを設定して、光近接効果補正を行うことができる。
【００３５】
また、図４（ｂ）に示すように、処理対象パーツＢ１、Ｂ２にネガセリフＮＳ１、ＮＳ２をそれぞれ付加するとともに、処理対象パーツＢ３、Ｂ４にポジセリフＰＳ１、ＰＳ２をそれぞれ付加することにより、シミュレーション補正されたパターンＰＢを生成する。ここで、処理対象パーツＢ１〜Ｂ４にネガセリフＮＳ１、ＮＳ２またはポジセリフＰＳ１、ＰＳ２をそれぞれ付加する場合、コーナー領域に対して適正化されたシミュレーション実行用モデルＢを選択し、コーナー領域に最適なスレッショルドＴＢを設定して、光近接効果補正を行うことができる。
【００３６】
また、図４（ｃ）に示すように、処理対象パーツＣ１にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加することにより、シミュレーション補正されたパターンＰＣを生成する。ここで、処理対象パーツＣ１にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加する場合、ライン＆スペース領域に対して適正化されたシミュレーション実行用モデルＣを選択し、ライン＆スペース領域に最適なスレッショルドＴＣを設定して、光近接効果補正を行うことができる。
【００３７】
これにより、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ごとに最適なスレッショルドレベルをそれぞれ設定することを可能としつつ、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびバイアスＢＳ１、ＢＳ２を、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１にそれぞれ付加することが可能となり、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１のいずれかの補正精度を犠牲にすることなく、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１の補正精度を向上させることが可能となる。このため、リソグラフィー工程で形成されるパターンが微細化された場合においても、ライン端が短くなったり、コーナー部が丸まったり、ライン幅が太ったり、細ったりすることを抑制することが可能となり、半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理などを精度よく行うことが可能となる。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、シミュレーション補正された各パターンＰＡ、ＰＢ、ＰＣの処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１を統合することにより、シミュレーション補正された統合パターンＰ１２を生成する。ここで、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ごとに最適なスレッショルドレベルをそれぞれ設定することができるので、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ごとにスレッショルドレベルが異なることがある。このため、シミュレーション補正後の処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１が統合された統合パターンＰ１２には、処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１の接続部分で段差Ｄ１〜Ｄ６が発生する。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に示すように、シミュレーション補正後の処理対象パーツＡ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１が統合された統合パターンＰ１２に対し、ルールベース補正を行うことにより、段差Ｄ１〜Ｄ６が除去された統合パターンＰ１３を生成する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図２】第１実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャート。
【図３】第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図４】第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図５】第２実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【符号の説明】
Ｐ１、Ｐ１１ 処理対象パターン、Ａ１、Ａ２、Ｂ１〜Ｂ４、Ｃ１ 処理対象パーツ、ＰＡ、ＰＢ、ＰＣ、Ｐ１３ 補正パターン、Ｈ１、Ｈ２ ハンマーヘッド、ＮＳ１、ＮＳ２ ネガセリフ、ＰＳ１、ＰＳ２ ポジセリフ、ＢＳ１、ＢＳ２ バイアス、Ｐ１２ 統合パターン、Ｄ１〜Ｄ６ 段差
Claims (10)
- 第１光近接効果補正パターンが付加された第１パーツと、
前記第１パーツに統合され、前記第１光近接効果補正パターンと異なるスレッショルドレベルを有する第２光近接効果補正パターンが付加された第２パーツとを備えることを特徴とする露光用マスク。 - 第１スレッショルドレベルを有するハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、
第２スレッショルドレベルを有するセリフが付加されたコーナー領域と、
第３スレッショルドレベルを有するバイアスが付加されたライン＆スペース領域とを備えることを特徴とする露光用マスク。 - 処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、
前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解する分解手段と、
前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うシミュレーションベース補正手段と、
前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合する統合手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。 - 前記統合された処理対象パーツのルールベース補正を行うルールベース補正手段をさらに備えることを特徴とする請求項３記載の光近接効果補正装置。
- 処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、
前記入力データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解する分解手段と、
前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを記憶する第１モデル記憶手段と、
前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを記憶する第２モデル記憶手段と、
前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを記憶する第３モデル記憶手段と、
前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域の補正を行う第１シミュレーションベース補正手段と、
前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域の補正を行う第２シミュレーションベース補正手段と、
前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域の補正を行う第３シミュレーションベース補正手段と、
前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合する統合手段と、
前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うルールベース補正手段とを備えることを特徴とする光近接効果補正装置。 - 処理対象パターンデータを入力するステップと、
前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解するステップと、
前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うステップと、
前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合するステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。 - 処理対象パターンデータを入力するステップと、
前記入力データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解するステップと、
前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、
前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、
前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、
前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域のシミュレーション補正を行うステップと、
前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域のシミュレーション補正を行うステップと、
前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域のシミュレーション補正を行うステップと、
前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合するステップと、
前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。 - 半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、
異なるスレッショルドレベルを有する光近接効果補正パターンが付加された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、
前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、
前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 処理対象パターンデータを取得するステップと、
前記取得データに基づいて、前記処理対象パターンを処理対象パーツに分解するステップと、
前記処理対象パーツごとに適正化されたシミュレーションベース補正を行うステップと、
前記シミュレーションベース補正された処理対象パーツを統合するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正プログラム。 - 処理対象パターンデータを取得するステップと、
前記取得データに基づいて、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域に前記処理対象パターンを分解するステップと、
前記ラインエンド領域についての第１シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、
前記コーナー領域についての第２シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、
前記ライン＆スペース領域についての第３シミュレーション実行用モデルを取得するステップと、
前記第１シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ラインエンド領域のシミュレーション補正を行うステップと、
前記第２シミュレーション実行用モデルに基づいて前記コーナー領域のシミュレーション補正を行うステップと、
前記第３シミュレーション実行用モデルに基づいて前記ライン＆スペース領域のシミュレーション補正を行うステップと、
前記補正されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を統合するステップと、
前記統合されたラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域のルールベース補正を行うステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正プログラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003136911A JP2004341157A (ja) | 2003-05-15 | 2003-05-15 | 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003136911A JP2004341157A (ja) | 2003-05-15 | 2003-05-15 | 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004341157A true JP2004341157A (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=33526697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003136911A Pending JP2004341157A (ja) | 2003-05-15 | 2003-05-15 | 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004341157A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007057948A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法 |
| JP2009099044A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | パターンデータ作成方法、設計レイアウト作成方法及びパターンデータ検証方法 |
| WO2014040291A1 (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-20 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种提高靶室晶片传输效率的方法 |
| JP2015121809A (ja) * | 2015-02-06 | 2015-07-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | マスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置及び回路設計装置 |
| CN105824188A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-08-03 | 上海华力微电子有限公司 | 离子注入层版图的光学修正方法 |
| US10962874B2 (en) | 2018-08-23 | 2021-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing semiconductor devices, method sof performing extreme ultraviolet ray exposure, and methods of performing optical proximity correction |
-
2003
- 2003-05-15 JP JP2003136911A patent/JP2004341157A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007057948A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | パターン検証方法、そのプログラム、半導体装置の製造方法 |
| US7987435B2 (en) | 2005-08-25 | 2011-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern verification method, program thereof, and manufacturing method of semiconductor device |
| US8127265B2 (en) | 2005-08-25 | 2012-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern verification method, program thereof, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2009099044A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | パターンデータ作成方法、設計レイアウト作成方法及びパターンデータ検証方法 |
| US8127256B2 (en) | 2007-10-18 | 2012-02-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern data generation method, design layout generating method, and pattern data verifying program |
| WO2014040291A1 (zh) * | 2012-09-17 | 2014-03-20 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种提高靶室晶片传输效率的方法 |
| JP2015121809A (ja) * | 2015-02-06 | 2015-07-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | マスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置及び回路設計装置 |
| CN105824188A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-08-03 | 上海华力微电子有限公司 | 离子注入层版图的光学修正方法 |
| US10962874B2 (en) | 2018-08-23 | 2021-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing semiconductor devices, method sof performing extreme ultraviolet ray exposure, and methods of performing optical proximity correction |
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