JP4843654B2 - 描画パターンの生成方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
描画パターンの生成方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
21〜27、30〜34、41〜47…図形
51、52…パターン 61〜63、71、72…図形
81〜83…パターン
Claims (5)
- 半導体基板上に回路パターンを形成するために用いられるマスクパターンをフォトマスク上に描画するための描画パターンの生成方法であって、
前記回路パターンの設計データに基づいて第1のパターン及び第2のパターンのパターンデータを生成する工程と、
前記パターンデータに基づいて前記第1のパターン及び前記第2のパターンの重なり部分の重なり幅を求める工程と、
前記重なり幅が予め決められた幅よりも大きいか否かを判断する工程と、
前記重なり幅が予め決められた幅よりも大きいと判断された場合には、第1の方法によって描画パターンを生成する工程と、
前記重なり幅が予め決められた幅よりも小さいと判断された場合には、第2の方法によって描画パターンを生成する工程と、
前記重なり幅が予め決められた幅と等しいと判断された場合には、前記第1の方法及び第2の方法のいずれかによって描画パターンを生成する工程と、
を備え、
前記第1の方法では、前記第1のパターンと前記第2のパターンとを合成したパターンを前記予め決められた幅以上の幅を有し且つ互いに重ならない複数の図形に分割することで描画パターンを生成し、
前記第2の方法では、前記重なり部分が重複して描画される部分となるようにして前記第1のパターン及び第2のパターンから描画パターンを生成する
ことを特徴とする描画パターンの生成方法。 - 前記予め決められた幅は、前記生成された描画パターンをフォトマスク上に描画する際に用いる描画装置の解像能力に基づいて決められる
ことを特徴とする請求項1に記載の描画パターンの生成方法。 - 前記第1のパターン及び第2のパターンの一方はアシストパターンである
ことを特徴とする請求項1に記載の描画パターンの生成方法。 - 請求項1に記載の方法で生成された描画パターンに基づいてフォトマスクを作製する工程を備えたことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- 請求項4に記載の方法で製造されたフォトマスク上のパターンを半導体基板上のフォトレジストに転写する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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