JP2002141258A - 荷電粒子露光用パターンの作成方法、荷電粒子露光用パターン作成装置及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 線幅厳密領域における高い寸法精度を維持し
つつ、荷電粒子露光用転写マスクの設計や製造にかか
る、労力や費用の低減を図る。 【解決手段】 部分一括パターンマスク選択手段１ｄに
よって、部分一括パターンマスク情報格納手段１ｅに格
納された複数種類の部分一括パターンマスク情報から適
切な部分一括パターンマスク情報を選択し、荷電粒子露
光用パターン生成手段１ｆによって、選択された部分一
括パターンマスクを用い、荷電粒子露光用パターンの生
成を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子露光用パ
ターンの生成を行う荷電粒子露光用パターンの作成方
法、荷電粒子露光用パターン作成装置及びその機能をコ
ンピュータに行わせるプログラムを格納したコンピュー
タ読みとり可能な記録媒体に関し、特に、高い寸法精度
が要求される線幅厳密領域におけるパターン生成を良好
に行うことが可能な荷電粒子露光用パターンの作成方
法、荷電粒子露光用パターン作成装置及びその機能をコ
ンピュータに行わせるプログラムを格納したコンピュー
タ読みとり可能な記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高集積化、高密度化に伴い、そ
れらに形成されるパターンの微細化が進んでいる。それ
に伴い、光の解像限界以下の微細パターンの露光には、
フォトリソグラフィに代わり、電子線やＸ線等の荷電粒
子線を用いる荷電粒子線リソグラフィが多く用いられる
こととなった。

【０００３】例えば、電子線を用いる電子線リソグラフ
ィは、電子線を用い、光の解像度以下の微細なパターン
を被転写体上に転写する技術であり、これらの電子線リ
ソグラフィには、電子線による一筆書きの要領によって
パターンの転写を行う可変形成法、及び所望のパターン
を備えた荷電粒子露光用パターンマスクを用いてパター
ンの転写を行う部分一括露光法に大別される。

【０００４】可変形成法は、上述のように電子線による
一筆書きの要領によってパターンの転写を行う技術であ
り、例えば、ＬＳＩ回路のパターン描画を行う場合、Ｌ
ＳＩ回路を構成するパターンを露光可能な領域に分割
し、その領域ごとに多数回数の露光ショットを行い、パ
ターンの描画を行う。

【０００５】しかし、可変形成法では、描画するパター
ンが微細になればなるほど、露光ショット数が飛躍的に
増大し、スループット（単位時間当たりの処理能力）が
著しく低下してしまう。また、可変形成法では、パター
ン転写を行うたびにショット形状を作成することとなる
ため、転写されるパターン形状に誤差変動が生じやすい
という問題点もある。

【０００６】一方、部分一括露光法は、所望のパターン
を備えた荷電粒子露光用パターンマスクを用いてパター
ンの転写を行う方法であるため、電子線のショット数
は、荷電粒子露光用パターンマスク当たり１ショットで
よく、可変形成法に比べ大幅にスループットを向上させ
ることが可能となる。また、部分一括露光法におけるパ
ターン生成は、荷電粒子露光用パターンマスクが有する
パターンに従って行われるため、可変形成法に比べ、パ
ターン形状の誤差変動が生じにくく、精度の高いパター
ン生成を行うことが可能であるという利点もある。

【０００７】このような理由により、近年では、部分一
括露光法が多用されるようになってきており、これによ
り、高集積化、高密度化されたＬＳＩのパターン転写を
高速かつ高精度に行うことが可能となっている。

【０００８】しかし、部分一括露光法において１ショッ
トでパターン転写が行える領域は、電子線の最大露光可
能領域以下に限られるため、この部分一括露光法におい
ても、回路構成を行うパターンを所定の領域ごとに分割
する必要があり、その分割された領域ごとに、その領域
に対応したパターン形状を有する荷電粒子露光用パター
ンマスクを配置し、露光ショットを行う。

【０００９】そのため、この分割領域相互の関係におい
ては、荷電粒子露光用パターンマスクが有するパターン
自体の形状誤差、荷電粒子露光用パターンマスクが配置
される際の位置誤差等により、位置ずれが生じてしまう
場合があり、例えば、拡散層上に形成されるゲート層の
パターンのように、特に厳しい寸法精度が要求される領
域（以下、線幅厳密領域）を、異なる分割領域によって
分割することとなった場合、この分割領域相互間の誤差
による影響は、特に深刻なものとなる。

【００１０】このような問題を解決する方法として、荷
電粒子線描画用部分一括パターンの作成方法（特開２０
００−１２４１０１）が開示されている。この方法で
は、線幅厳密領域を、そのパターン領域と、その下地層
との相関（例えば、ゲート層パターンと拡散層との相
関）から抽出し、抽出したその線幅厳密領域を一括して
露光する分割領域を設定し、設定されたその分割領域に
部分一括露光を適用することとしている。これにより、
この線幅厳密領域における分割領域相互間の誤差の発生
を排除することが可能となり、この線幅厳密領域におけ
る高い寸法精度のパターン形成が可能となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開２０００
−１２４１０１によって開示された方法では、線幅厳密
領域ごとに個別の荷電粒子露光用パターンマスクを生成
しなければならないため、荷電粒子露光用パターンマス
クの設計や製造にかかる、労力や費用の低減を図ること
ができないという問題点がある。

【００１２】また、線幅厳密領域が、電子線によって一
度に露光できる領域を超えている場合には、特開２００
０−１２４１０１によって開示された方法では対応でき
ないという問題点もある。

【００１３】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、線幅厳密領域における高い寸法精度を維持し
つつ、荷電粒子露光用転写マスクの設計や製造にかか
る、労力や費用の低減を図ることが可能な荷電粒子露光
用パターンの作成方法、荷電粒子露光用パターン作成装
置及びその機能をコンピュータに行わせるプログラムを
格納したコンピュータ読みとり可能な記録媒体を提供す
ることを目的とする。

【００１４】また、本発明の他の目的は、線幅厳密領域
が、電子線によって一度に露光できる領域を超えている
場合であっても、線幅厳密領域における高い寸法精度を
確保することが可能な荷電粒子露光用パターンの作成方
法、荷電粒子露光用パターン作成装置及びその機能をコ
ンピュータに行わせるプログラムを格納したコンピュー
タ読みとり可能な記録媒体を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、荷電粒子露光用パターンを生成する荷電
粒子露光用パターンの作成方法において、複数種類の部
分一括パターンマスクから適切な前記部分一括パターン
マスクを選択する部分一括パターンマスク選択ステップ
と、前記部分一括パターンマスク選択ステップによって
選択された前記部分一括パターンマスクを用い、前記荷
電粒子露光用パターンの生成を行う荷電粒子露光用パタ
ーン生成ステップと、を有することを特徴とする荷電粒
子露光用パターンの作成方法が提供される。

【００１６】ここで、部分一括パターンマスク選択ステ
ップは、複数種類の部分一括パターンマスクから適切な
部分一括パターンマスクを選択し、荷電粒子露光用パタ
ーン生成ステップは、部分一括パターンマスク選択ステ
ップによって選択された部分一括パターンマスクを用
い、荷電粒子露光用パターンの生成を行う。

【００１７】また、本発明の荷電粒子露光用パターンの
作成方法において、好ましくは、部分一括パターンマス
ク選択ステップは、高い寸法精度が要求される線幅厳密
領域以上の大きさの部分一括パターンマスクを選択す
る。

【００１８】また、本発明の荷電粒子露光用パターンの
作成方法において、好ましくは、部分一括パターンマス
ク選択ステップは、高い寸法精度が要求される線幅厳密
領域内で、矩形分割が起こらない組み合わせの部分一括
パターンマスクを選択する。

【００１９】また、本発明の荷電粒子露光用パターンの
作成方法において、好ましくは、部分一括パターンマス
ク選択ステップは、できるだけ少ない露光回数で、荷電
粒子露光用パターンの生成を行うことが可能な組み合わ
せの部分一括パターンマスクを選択する。

【００２０】また、本発明の荷電粒子露光用パターンの
作成方法において、好ましくは、荷電粒子露光用パター
ン生成ステップは、重複露光によって荷電粒子露光用パ
ターンの生成を行う。

【００２１】また、本発明の荷電粒子露光用パターンの
作成方法において、好ましくは、部分一括パターンマス
ク選択ステップは、重複露光の際、矩形分割部分が重な
り合わないような組み合わせの部分一括パターンマスク
を選択し、荷電粒子露光用パターン生成ステップは、矩
形分割部分が重なり合わないように、重複露光を行う。

【００２２】また、荷電粒子露光用パターンを生成する
荷電粒子露光用パターン作成装置において、複数種類の
部分一括パターンマスクから適切な部分一括パターンマ
スクを選択する部分一括パターンマスク選択手段と、部
分一括パターンマスク選択手段によって選択された部分
一括パターンマスクを用い、荷電粒子露光用パターンの
生成を行う荷電粒子露光用パターン生成手段と、を有す
ることを特徴とする荷電粒子露光用パターン作成装置が
提供される。

【００２３】ここで、部分一括パターンマスク選択手段
は、複数種類の部分一括パターンマスクから適切な部分
一括パターンマスクを選択し、荷電粒子露光用パターン
生成手段は、部分一括パターンマスク選択手段によって
選択された部分一括パターンマスクを用い、荷電粒子露
光用パターンの生成を行う。

【００２４】また、本発明の荷電粒子露光用パターン作
成装置において、好ましくは、部分一括パターンマスク
選択手段は、高い寸法精度が要求される線幅厳密領域以
上の大きさの部分一括パターンマスクを選択する。

【００２５】また、本発明の荷電粒子露光用パターン作
成装置において、好ましくは、部分一括パターンマスク
選択手段は、高い寸法精度が要求される線幅厳密領域内
で、矩形分割が起こらない組み合わせの部分一括パター
ンマスクを選択する。

【００２６】また、本発明の荷電粒子露光用パターン作
成装置において、好ましくは、部分一括パターンマスク
選択手段は、できるだけ少ない露光回数で、荷電粒子露
光用パターンの生成を行うことが可能な組み合わせの部
分一括パターンマスクを選択する。

【００２７】また、本発明の荷電粒子露光用パターン作
成装置において、好ましくは、荷電粒子露光用パターン
生成手段は、重複露光によって荷電粒子露光用パターン
の生成を行う。

【００２８】また、本発明の荷電粒子露光用パターン作
成装置において、好ましくは、部分一括パターンマスク
選択手段は、重複露光の際、矩形分割部分が重なり合わ
ないような組み合わせの部分一括パターンマスクを選択
し、荷電粒子露光用パターン生成手段は、矩形分割部分
が重なり合わないように、重複露光を行う。

【００２９】また、複数種類の部分一括パターンマスク
から適切な部分一括パターンマスクを選択し、選択され
た部分一括パターンマスクを用い、荷電粒子露光用パタ
ーンの生成を行う機能をコンピュータに行わせるプログ
ラムを格納したコンピュータ読みとり可能な記録媒体が
提供される。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本形態における荷電粒子
露光用パターン作成装置１の構成を示した図である。荷
電粒子露光用パターン作成装置１は、設計パターンデー
タを格納する設計情報格納手段１ａ、設計情報格納手段
１ａから設計パターンデータを読み出す設計情報読み出
し手段１ｂ、荷電粒子露光用パターン作成装置１全体を
制御する制御手段１ｃ、複数種類の部分一括パターンマ
スクから適切な部分一括パターンマスクを選択する部分
一括パターンマスク選択手段１ｄ、部分一括パターンマ
スクの形状等を示す部分一括パターンマスク情報を格納
する部分一括パターンマスク情報格納手段１ｅ、及び部
分一括パターンマスク選択手段１ｄによって選択された
部分一括パターンマスクを用い、荷電粒子露光用パター
ンの生成を行う荷電粒子露光用パターン生成手段１ｆに
よって構成されている。

【００３１】設計情報格納手段１ａ及び部分一括パター
ンマスク情報格納手段１ｅは、例えば、ハードディス
ク、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の不揮発性記憶
装置等であり、設計パターンデータや、部分一括パター
ンマスクの情報である部分一括パターンマスク情報が格
納される。なお、部分一括パターンマスク情報格納手段
１ｅが格納する部分一括パターンマスク情報に示される
部分一括パターンマスクは、予め定められた数種類の汎
用形状からなるパターンマスクであり、荷電粒子露光用
パターン作成装置１は、これらの部分一括パターンマス
クを組み合わせることによって、荷電粒子露光用パター
ンの生成を行う。

【００３２】制御手段１ｃは、プロセッサを中心とした
構成となっており、図示されていないＲＯＭ（Read-Onl
y Memory）に格納されたプログラムに従って動作し、荷
電粒子露光用パターン作成装置１全体の制御を行う。

【００３３】次に、荷電粒子露光用パターン作成装置１
の荷電粒子露光用パターン作成方法について説明する。
図２及び図３は、荷電粒子露光用パターン作成装置１の
荷電粒子露光用パターン作成方法を説明するためのフロ
ーチャートである。

【００３４】ステップＳ１：設計情報読み出し手段１ｂ
により、設計情報格納手段１ａから、作成を行う荷電粒
子露光用パターンの設計パターンデータを読み出し、制
御手段１ｃに送る。制御手段１ｃは、送られた設計パタ
ーンデータを部分一括パターンマスク選択手段１ｄに送
り、部分一括パターンマスク選択手段１ｄは、送られた
設計パターンデータから、特に厳しい寸法精度が要求さ
れる領域である線幅厳密領域の抽出を行う。ここで線幅
厳密領域は、例えば、拡散層パターン上に形成されたゲ
ート層パターン等であり、その抽出は、パターン相互の
相関関係によって抽出される。例えば、線幅厳密領域が
拡散層パターン上に形成されたゲート層パターンであっ
た場合、その線幅厳密領域の抽出は、拡散層パターンと
ゲート層パターンとのアンド演算を行うこと等により、
拡散層パターンとゲート層パターンとの重なり部分を算
出することによって行われる。

【００３５】ステップＳ２：次に、ステップＳ１におい
て抽出した線幅厳密領域が属する矩形長さの決定を行
う。ここで、線幅厳密領域が属する矩形長さとは、部分
一括パターンマスクを用いた露光によって作成されるパ
ターン領域長のことであり、その決定は、作成するパタ
ーン形状等を考慮して行われる。

【００３６】ステップＳ３：部分一括パターンマスク選
択手段１ｄによって、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅに格納された部分一括パターンマスク情報を参
照し、ステップＳ１で抽出された線幅厳密領域が、部分
一括パターンマスク情報に示される最大サイズの部分一
括パターンマスクより小さいか否か判断する。ここで、
線幅厳密領域が、最大サイズの部分一括パターンマスク
よりも小さいと判断された場合、ステップＳ４に進む。
一方、線幅厳密領域が、最大サイズの部分一括パターン
マスクよりも大きいと判断された場合、ステップＳ９に
進む。

【００３７】ステップＳ４：部分一括パターンマスク選
択手段１ｄによって、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅに格納された部分一括パターンマスク情報を参
照し、ステップＳ２で抽出された線幅厳密領域が属する
矩形長さが、最大サイズの部分一括パターンマスクの長
さ以下か否か判断する。ここで、線幅厳密領域が属する
矩形長さが、最大サイズの部分一括パターンマスクの長
さ以下であると判断された場合、ステップＳ５に進む。
一方、線幅厳密領域が属する矩形長さが、最大サイズの
部分一括パターンマスクよりも大きいと判断された場
合、ステップＳ６に進む。

【００３８】ステップＳ５：部分一括パターンマスク選
択手段１ｄによって、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅから、ステップＳ１で抽出された線幅厳密領域
の長さ以上で、ステップＳ２で抽出された線幅厳密領域
が属する矩形長さ以下である、すべての部分一括パター
ンマスクの部分一括パターンマスク情報を選択する。

【００３９】ステップＳ６：部分一括パターンマスク選
択手段１ｄによって、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅから、部分一括パターンマスクを長さの長い順
番に適用し、線幅厳密領域内で矩形分割が発生しない部
分一括パターンマスクの組み合わせを全て選択する。

【００４０】ステップＳ７：部分一括パターンマスク選
択手段１ｄによって、ステップＳ５或いはステップＳ６
で選択された部分一括パターンマスクを用いた矩形分割
方法から、微少図形が発生する矩形分割方法を除去し、
その矩形分割方法に用いられる部分一括パターンマスク
を選択から除外する。

【００４１】ステップＳ８：部分一括パターンマスク選
択手段１ｄによって、ステップＳ７で除去されなかった
部分一括パターンマスクから、最も適した矩形分割方法
に決定する。ここでの決定は、例えば、できるだけ使用
する部分一括パターンマスク数が少なく、少ない露光シ
ョット数（露光回数）でパターン形成が可能な矩形分離
方法、各部分一括パターンマスク間の長さの違いが少な
い矩形分離方法を選択することによって行われ、このよ
うに決定された部分一括パターンマスクの組み合わせ情
報は、制御手段１ｃを介し、荷電粒子露光用パターン生
成手段１ｆに送られる。荷電粒子露光用パターン生成手
段１ｆは、送られた部分一括パターンマスクの組み合わ
せ情報をもとに、荷電粒子露光用パターンの生成を行
い、生成した荷電粒子露光用パターンの情報を荷電粒子
露光用パターンデータとして出力する。

【００４２】ステップＳ９：部分一括パターンマスク選
択手段１ｄによって、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅに格納された部分一括パターンマスク情報を参
照し、複数の部分一括パターンマスクの組み合わせによ
り、その組み合わせた長さが、ステップＳ１で抽出され
た線幅厳密領域の長さ以上で、ステップＳ２で抽出され
た線幅厳密領域が属する矩形長さ以下となる、すべての
部分一括パターンマスクの組み合わせを、長さの長い部
分一括パターンマスクから順番に選択する。

【００４３】ステップＳ１０：ｎ重露光を行う場合に
は、ｎ種類のマスクサイズが必要となるため、ステップ
Ｓ９において選択された部分一括パターンマスクの組み
合わせから、その組み合わせを構成する部分一括パター
ンマスクのマスクサイズがｎ種類未満となる組み合わせ
を除去する。

【００４４】ステップＳ１１：さらに、微少図形が発生
する部分一括パターンマスクの組み合わせを除去し、そ
の組み合わせに用いられる部分一括パターンマスクを選
択から除外する。

【００４５】ステップＳ１２：部分一括パターンマスク
選択手段１ｄによって、ステップＳ１１で除去されなか
った部分一括パターンマスクの組み合わせから、最も適
した組み合わせを決定する。ここでの決定は、例えば、
できるだけ使用する部分一括パターンマスク数が少な
く、少ない露光ショット数（露光回数）でパターン形成
が可能な組み合わせ、各部分一括パターンマスク間の長
さの違いが少ない組み合わせを選択することによって行
われ、このように決定された部分一括パターンマスクの
組み合わせ情報は、制御手段１ｃを介し、荷電粒子露光
用パターン生成手段１ｆに送られる。荷電粒子露光用パ
ターン生成手段１ｆは、送られた部分一括パターンマス
クの組み合わせ情報をもとに、荷電粒子露光用パターン
の生成を行い、生成した荷電粒子露光用パターンの情報
を荷電粒子露光用パターンデータとして出力する。

【００４６】次に、上述した荷電粒子露光用パターン作
成方法をパターン図を用いて説明する。図４〜図１５
は、荷電粒子露光用パターン作成装置１を用いて作成さ
れる荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【００４７】ここで、図４〜図１５は、いずれも、拡散
層パターン上に形成されるゲート層パターンの領域を線
幅厳密領域とした場合の例であり、さらに、図４〜図８
は、線幅厳密領域が最大サイズの部分一括パターンマス
クよりも小さな場合における例を、図９〜図１５は、線
幅厳密領域が最大サイズの部分一括パターンマスクより
も大きな場合における例を、ぞれぞれ示している。

【００４８】まず、図４〜図８に示す線幅厳密領域が最
大サイズの部分一括パターンマスクよりも小さな場合に
ついて説明する。図４〜図８の例では、部分一括パター
ンマスク情報格納手段１ｅには、長さが４．０μｍ、
３．５μｍ、３．０μｍ、２．５μｍ、２．０μｍであ
る５種類の部分一括パターンマスクに関する情報が格納
されているものとし、荷電粒子露光用パターン作成装置
１は、これらの５種類の部分一括パターンマスクを用
い、線幅厳密領域が属する矩形領域のパターン作成を行
う。

【００４９】図４の例では、拡散層パターン１０上に、
３つのゲート層パターン１１〜１３が構成され、これら
のゲート層パターン１１〜１３と拡散層パターン１０と
の重なり部分である線幅厳密領域１１ａａ〜１３ａａが
属する矩形領域１１ａ〜１３ａのパターン形成を、上述
の５種類の部分一括パターンマスクを用いて行う。

【００５０】図２のフローチャートに示したように、荷
電粒子露光用パターンの生成を行う場合、まず、部分一
括パターンマスク選択手段１ｄによって、拡散層パター
ン１０と、ゲート層パターン１１〜１３とのアンド演算
を行い、線幅厳密領域１１ａａ〜１３ａａの算出を行う
（ステップＳ１）。

【００５１】線幅厳密領域１１ａａ〜１３ａａが算出さ
れると、次に、それらの線幅厳密領域１１ａａ〜１３ａ
ａが属する矩形領域１１ａ〜１３ａの矩形長さの決定が
行われる（ステップＳ２）。ここでの決定は、各ゲート
層パターン１１〜１３の形状や、線幅厳密領域１１ａａ
〜１３ａａの位置、部分一括パターンマスクの形状、パ
ターン形成のしやすさ等を考慮して行われる。

【００５２】例えば、ゲート層パターン１１の場合、パ
ッド部１１ｄを除いた部分の長さは４．０μｍであり、
さらに、長さが４．０μｍの部分一括パターンマスクが
存在するため、矩形長さを４．０μｍとし、この長さ
４．０μｍの部分を矩形領域１１ａとする。

【００５３】また、ゲート層パターン１２の場合、パッ
ド部１２ｄを除いた部分のパターンは、長さの異なる３
つの矩形領域１２ａ〜１２ｃが相互に直角に組み合わさ
れたように形成され、それらのうち、線幅厳密領域１２
ａａを有する矩形領域１２ａの長さは、３．０μｍであ
り、さらに、長さが３．０μｍの部分一括パターンマス
クが存在するため、この３．０μｍを矩形長さとする。

【００５４】また、ゲート層パターン１３の場合、パッ
ド部１３ｄを除いた部分のパターンは、長さの異なる３
つの矩形領域１３ａ〜１３ｃが相互に直角に組み合わさ
れたように形成され、また、矩形領域の区切り方によ
り、線幅厳密領域１３ａａを有する矩形領域１３ａの長
さを２．５μｍとすることができ、さらに、長さが２．
５μｍの部分一括パターンマスクが存在するため、この
２．５μｍを矩形長さとする。

【００５５】ここで、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅに格納されている部分一括パターンマスク情報
に示される部分一括パターンマスクの最大マスクサイズ
は、４．０μｍであり、各線幅厳密領域１１ａａ〜１３
ａａの長さは、２．０μｍであるため、各線幅厳密領域
１１ａａ〜１３ａａは最大マスクサイズよりも小さい
（ステップＳ３）。また、線幅厳密領域１１ａａが属す
る矩形領域１１ａの矩形長さは４．０μｍ、線幅厳密領
域１２ａａが属する矩形領域１２ａの矩形長さは３．０
μｍ、線幅厳密領域１３ａａが属する矩形領域１３ａの
矩形長さは２．５μｍであるため、これらはすべて最大
マスクサイズ以下である（ステップＳ４）。

【００５６】これより、線幅厳密領域１１ａａの長さ
２．０μｍ以上で、線幅厳密領域１１ａａが属する矩形
領域１１ａの矩形長さ４．０μｍ以下である、長さが
４．０μｍ、３．５μｍ、３．０μｍ、２．５μｍ、
２．０μｍの部分一括パターンマスクが、矩形領域１１
ａ用として、線幅厳密領域１２ａａの長さ２．０μｍ以
上で、線幅厳密領域１２ａａが属する矩形領域１２ａの
矩形長さ３．０μｍ以下である、長さが３．０μｍ、
２．５μｍ、２．０μｍの部分一括パターンマスクが、
矩形領域１２ａ用として、線幅厳密領域１３ａａの長さ
２．０μｍ以上で、線幅厳密領域１３ａａが属する矩形
領域１３ａの矩形長さ２．５μｍ以下である、長さが
２．５μｍ、２．０μｍの部分一括パターンマスクが、
矩形領域１３ａ用として、それぞれ選択される（ステッ
プＳ５）。

【００５７】そして、選択されたこれらの部分一括パタ
ーンマスクから、微少図形が発生する矩形分割方法に用
いられる部分一括パターンマスクを除去し（ステップＳ
７）、図５に示すような、矩形領域１１ａ〜１３ａのパ
ターン形成を行う際に使用する部分一括パターンマスク
数が最も少なくて済む、長さ４．０μｍの部分一括パタ
ーンマスク１５ａが矩形領域１１ａ用として、長さ３．
０μｍの部分一括パターンマスク１５ｂが矩形領域１２
ａ用として、長さ２．５μｍの部分一括パターンマスク
１５ｃが矩形領域１３ａ用として、それぞれ選択される
（ステップＳ８）。

【００５８】このように、予め設定された５種類の部分
一括パターンマスクから選択された部分一括パターンマ
スク１５ａ〜１５ｃを用いて、矩形領域１１ａ〜１３ａ
の荷電粒子露光用パターンを生成することにより、荷電
粒子露光用パターンごとに個別の荷電粒子露光用パター
ンマスクを生成することなく、線幅厳密領域１１ａａ〜
１３ａａにおける高い寸法精度を実現することができ
る。

【００５９】なお、部分一括パターンマスク１５ａ〜１
５ｃを用いて生成される矩形領域１１ａ〜１３ａ以外の
部分（パッド部１１ｄ〜１３ｄ、矩形領域１２ｂ、１２
ｃ、１３ｂ、１３ｃ）については、例えば、別途個別に
設けられた部分一括パターンマスクを用いた部分一括露
光法、或いは可変形成法等によって形成する。

【００６０】次に、図６の例について説明する。図６の
例では、拡散層パターン２０上に、３つのゲート層パタ
ーン２１〜２３が構成され、これらのゲート層パターン
２１〜２３と拡散層パターン２０との重なり部分である
線幅厳密領域２１ａａ〜２３ａａが属する矩形領域２１
ａ〜２３ａのパターン形成を、前述の５種類の部分一括
パターンマスクを用いて行う。

【００６１】上述の場合と同様に、まず、部分一括パタ
ーンマスク選択手段１ｄによって、拡散層パターン２０
と、ゲート層パターン２１〜２３とのアンド演算を行
い、線幅厳密領域２１ａａ〜２３ａａの算出を行う（ス
テップＳ１）。

【００６２】線幅厳密領域２１ａａ〜２３ａａが算出さ
れると、次に、それらの線幅厳密領域２１ａａ〜２３ａ
ａが属する矩形領域２１ａ〜２３ａの矩形長さの決定が
行われる（ステップＳ２）。

【００６３】例えば、ゲート層パターン２１の場合、パ
ッド部２１ｂを除いた部分の長さは２．４５μｍである
が、この２．３５μｍに一致する部分一括パターンマス
クは存在しない。そこで、パッド部２１ｂを含めた矩形
長さ２．９μｍの部分を線幅厳密領域２１ａａが属する
矩形領域２１ａとする。

【００６４】同様に、ゲート層パターン２２における線
幅厳密領域２２ａａが属する矩形領域２２ａを、パッド
部２２ｂを含めた領域とし、その矩形長さを２．７μｍ
と、ゲート層パターン２３における線幅厳密領域２３ａ
ａが属する矩形領域２３ａを、パッド部２３ｂを含めた
領域とし、その矩形長さを２．６μｍとする。

【００６５】ここで、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅに格納されている部分一括パターンマスク情報
に示される部分一括パターンマスクの最大マスクサイズ
は、４．０μｍであり、各線幅厳密領域２１ａａ〜２３
ａａの長さは、１．８μｍであるため、各線幅厳密領域
２１ａａ〜２３ａａは最大マスクサイズよりも小さい
（ステップＳ３）。また、線幅厳密領域２１ａａが属す
る矩形領域２１ａの矩形長さは２．９μｍ、線幅厳密領
域２２ａａが属する矩形領域２２ａの矩形長さは２．７
μｍ、線幅厳密領域２３ａａが属する矩形領域２３ａの
矩形長さは２．６μｍであるため、これらはすべて最大
マスクサイズ以下である（ステップＳ４）。

【００６６】これより、線幅厳密領域２１ａａの長さ
１．８μｍ以上で、線幅厳密領域２１ａａが属する矩形
領域２１ａの矩形長さ２．９μｍ以下である、長さが
２．５μｍ、２．０μｍの部分一括パターンマスクが、
矩形領域２１ａ用として、線幅厳密領域２２ａａの長さ
１．８μｍ以上で、線幅厳密領域２２ａａが属する矩形
領域２２ａの矩形長さ２．７μｍ以下である、長さが
２．５μｍ、２．０μｍの部分一括パターンマスクが、
矩形領域２２ａ用として、線幅厳密領域２３ａａの長さ
１．８μｍ以上で、線幅厳密領域２３ａａが属する矩形
領域２３ａの矩形長さ２．６μｍ以下である、長さが
２．５μｍ、２．０μｍの部分一括パターンマスクが、
矩形領域２３ａ用として、それぞれ選択される（ステッ
プＳ５）。

【００６７】ここで、選択した部分一括パターンマスク
から、微少図形が発生する矩形分割方法をとることとな
る部分一括パターンマスクを除去する（ステップＳ
７）。例えば、図７の（ａ）に示すように、矩形長さ
２．０μｍの部分一括パターンマスク２５ｃを用い、ゲ
ート層パターン２２のパターン形成を行う場合、パッド
部２２ｂを除く、ゲート層パターン２２の矩形長さは
２．２μｍであるため、パッド部用パターンマスク２６
によって形成されるパッド部２２ｂと、部分一括パター
ンマスク２５ｃによって形成されるパターン部分との間
に、矩形長さ０．２μｍの隙間である微少図形２２ｃが
生じてしまう。この場合、ステップＳ５において矩形領
域２２ａ用として選択された長さ２．０μｍ、２．５μ
の部分一括パターンマスクのうち、図７の（ａ）に示し
た微少図形２２ｃが発生する矩形分割方法をとることと
なる長さ２．０μｍの部分一括パターンマスク２５ｃが
除去される。

【００６８】次に、選択されたこれらの部分一括パター
ンマスクから、パターン形成を行う際に使用する部分一
括パターンマスク数が最も少なくて済む等、パターン形
成に最も適した部分一括パターンマスクの選択を行う
（ステップＳ８）。

【００６９】この際、パッド部２１ｂ〜２３ｂを形成す
るパッド部用パターンマスクを共通化し、使用するパタ
ーンマスクの総数を減らすために、部分一括パターンマ
スクによって形成される矩形領域パターンと、共通化パ
ッド部用パターンマスクによって形成されるパッド部パ
ターンとの、パターン重なりによる特性への影響、及び
パターン重なり部分と線幅厳密領域との距離に依存する
特性への影響を考慮する。

【００７０】つまり、パッド部用パターンマスクをパッ
ド部２１ｂ〜２３ｂに対して共通化する場合、パッド部
以外の矩形部分を形成する部分一括パターンマスクの選
択の仕方によっては、図７の（ｂ）に示すように、パッ
ド部用パターンマスクによって形成されるパッド部のパ
ターンと、部分一括パターンマスクによって形成される
矩形領域パターンとの間に重複部分が生じる。この場
合、この重複部分の長さ（Ｌ１）、重複部分から線幅厳
密領域２２ａａまでの長さ（Ｌ２）に応じ、パターン特
性に影響が生じる場合がある。この特性に影響を与える
Ｌ１、Ｌ２の範囲を予め設定しておき、その範囲を超え
ることとなる矩形分割方法に用いる部分一括パターンマ
スクを除去する。

【００７１】以上より、図８に示すように、長さ２．５
μｍの部分一括パターンマスク２５ａが矩形領域２１ａ
用として、長さ２．５μｍの部分一括パターンマスク２
５ｂが矩形領域２２ａ、２３ａ用として、それぞれ選択
される。

【００７２】このように、矩形領域のパターン形成に用
いられる部分一括パターンマスクの選択時に、部分一括
パターンマスクによって形成される矩形領域パターンと
パッド部パターンとの重なりによる特性の影響、パター
ン重なり部分と線幅厳密領域との距離に依存する特性へ
の影響を考慮し、使用する部分一括パターンマスクを決
定することにより、パッド部を構成するパッド部用パタ
ーンマスクを共通化することが可能となり、パターンマ
スクの総数をさらに減らすことが可能となる。

【００７３】次に、図９の例について説明する。図９の
例では、４つの拡散層パターン４０ａ〜４０ｄ上に、連
結されたゲート層パターン４１が形成され、このゲート
層パターン４１と拡散層パターン４０ａ〜４０ｄとの重
なり部分である線幅厳密領域４１ａａ〜４１ａｃが属す
る矩形領域４１ａ、線幅厳密領域４１ｂａ、４１ｂｂが
属する矩形領域４１ｂのパターン形成を、前述の５種類
の部分一括パターンマスクを用いて行う。なお、図９の
例では、説明の簡略化のため、パッド部に関するパター
ン構成の説明を省略する。

【００７４】まず、部分一括パターンマスク選択手段１
ｄによって、拡散層パターン４０ａ〜４０ｄと、ゲート
層パターン４１とのアンド演算を行い、線幅厳密領域４
１ａａ〜４１ａｄ、４１ｂａ、４１ｂｂの算出を行う
（ステップＳ１）。

【００７５】線幅厳密領域４１ａａ〜４１ａｄ、４１ｂ
ａ、４１ｂｂが算出されると、次に、それらの線幅厳密
領域４１ａａ〜４１ａｄ、４１ｂａ、４１ｂｂが属する
矩形領域４１ａ、４１ｂの矩形長さの決定が行われる
（ステップＳ２）。

【００７６】図９の例では、線幅厳密領域４１ａａ〜４
１ａｄが属する矩形長さ６．５μｍの部分を矩形領域４
１ａとし、線幅厳密領域４１ｂａ、４１ｂｂが属する矩
形長さ３．５μｍの部分を矩形領域４１ｂとする。

【００７７】ここで、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅに格納されている部分一括パターンマスク情報
に示される部分一括パターンマスクの最大マスクサイズ
は、４．０μｍであり、各線幅厳密領域４１ａａ〜４１
ａｄ、４１ｂａ、４１ｂｂの長さは、１．０μｍである
ため、各線幅厳密領域４１ａａ〜４１ａｄ、４１ｂａ、
４１ｂｂは最大マスクサイズよりも小さい（ステップＳ
３）。また、線幅厳密領域４１ａａ〜４１ａｄが属する
矩形領域４１ａの矩形長さは、６．５μｍであり、最大
マスクサイズ４．０μｍよりも大きい。一方、線幅厳密
領域４１ｂａ、４１ｂｂが属する矩形領域４１ｂの矩形
長さは、３．５μｍであり、最大マスクサイズ以下であ
る。（ステップ４）。

【００７８】これより、まず、矩形領域４１ａに対して
は、前述した５種類の部分一括パターンマスクから、長
さの長い順番に、矩形領域４１ａに部分一括パターンマ
スクを適用していき、線幅厳密領域４１ａａ〜４１ａｄ
内で矩形分割が発生しない組み合わせの部分一括パター
ンマスクの選択を行う（ステップＳ６）。矩形領域４１
ａの場合、例えば、３．０μｍの部分一括パターンマス
クと、３．５μｍの部分一括パターンマスクとの組み合
わせ等が選択される。

【００７９】一方、矩形領域４１ｂに対しては、線幅厳
密領域４１ｂａ、４１ｂｂの長さ１．０μｍ以上で、線
幅厳密領域４１ｂａ、４１ｂｂが属する矩形領域４１ｂ
の長さ３．５μｍ以下である、長さが３．５μｍ、３．
０μｍ、２．５μｍ、２．０μｍの部分一括パターンマ
スクが選択される（ステップＳ５）。

【００８０】次に、ステップＳ５やステップＳ６におい
て選択された部分一括パターンマスクから、微少図形が
発生する矩形分割方法に用いられる部分一括パターンマ
スクを除去し（ステップＳ７）、図１０に示すような、
矩形領域４１ａ、４１ｂのパターン形成を行う際に使用
する部分一括パターンマスク数が最も少なくて済む、長
さ３．５μｍの部分一括パターンマスク４５ａと、長さ
３．０μｍの部分一括パターンマスク４５ｂとの組み合
わせが矩形領域４１ａ用として、長さ３．５μｍの部分
一括パターンマスク４５ａが矩形領域４１ｂ用として、
それぞれ選択される（ステップＳ８）。

【００８１】なお、図９及び図１０に例においても、部
分一括パターンマスク以外に、例えば、別途個別に設け
られた部分一括パターンマスクを用いた部分一括露光
法、或いは可変形成法等との組み合わせによって、パタ
ーン形成を行うこととしてもよく、また、部分一括パタ
ーンマスク選択時に、部分一括パターンマスクによって
それぞれ形成される矩形領域パターンのパターン重なり
が特性に与える影響、パターン重なり部分と線幅厳密領
域４１ａａ〜４１ａｄ、４１ｂａ、４１ｂｂとの距離に
依存する特性への影響を考慮して部分一括パターンマス
クの選択を行うこととしてもよい。

【００８２】次に、図１１〜図１５に示す線幅厳密領域
が最大サイズの部分一括パターンマスクよりも大きな場
合について説明する。図１１〜図１５の例では、部分一
括パターンマスク情報格納手段１ｅには、長さが５．０
μｍ、４．５μｍ、４．０μｍ、３．５μｍ、３．０μ
ｍ、２．５μｍ、２．０μｍ、１．５μｍ、１．０μｍ
である９種類の部分一括パターンマスクに関する情報が
格納されているものとし、荷電粒子露光用パターン作成
装置１は、これらの９種類の部分一括パターンマスクを
用い、多重露光によって、線幅厳密領域が属する矩形領
域のパターン作成を行う。

【００８３】図１１の例では、拡散層パターン５０上に
ゲート層パターン５１が構成され、これらのゲート層パ
ターン５１と拡散層パターン５０との重なり部分である
線幅厳密領域５１ａａが属する矩形領域５１ａのパター
ン形成を、重複露光によって行う。

【００８４】この例の場合においても、まず、部分一括
パターンマスク選択手段１ｄによって、拡散層パターン
５０と、ゲート層パターン５１とのアンド演算を行い、
線幅厳密領域５１ａａの算出を行う（ステップＳ１）。

【００８５】線幅厳密領域５１ａａが算出されると、次
に、それらの線幅厳密領域５１ａａが属する矩形領域５
１ａの矩形長さの決定が行われる（ステップＳ２）。こ
こでの決定も、ゲート層パターンの形状や、線幅厳密領
域５１ａａの位置、部分一括パターンマスクの形状等を
考慮し、パターン形成のしやすさ等を考慮して行われ
る。ゲート層パターン５１の場合、パッド部５１ｂを除
いた部分の矩形長さは１０．６μｍであり、この部分を
矩形領域５１ａとする。

【００８６】ここで、部分一括パターンマスク情報格納
手段１ｅに格納されている部分一括パターンマスク情報
に示される部分一括パターンマスクの最大マスクサイズ
は、５．０μｍであり、線幅厳密領域５１ａａの長さ
は、１０．６μｍであるため、線幅厳密領域５１ａａは
最大マスクサイズよりも大きい（ステップＳ３）。

【００８７】これより、まず、複数の部分一括パターン
マスクを組み合わせた長さが、線幅厳密領域５１ａａの
長さ９．８μｍ以上で、線幅厳密領域５１ａａが属する
矩形領域５１ａの矩形長さ１０．６μｍ以下になるよう
な部分一括パターンマスクの組み合わせを、上述の９種
類の部分一括パターンマスクから選択する。なお、ここ
での選択は、長さの長い部分一括パターンマスクから順
番に選択していくものとする（ステップＳ９）。

【００８８】例えば、まず、多重露光数４回までの組み
合わせにおいて、最大長さである長さが５．０μｍの部
分一括パターンマスクを用いた組み合わせを考えたとす
ると、（５．０、５．０）、（５．０、４．５、１．
０）、（５．０、４．０、１．５）、（５．０、４．
０、１．０）、（５．０、３．５、２．０）、（５．
０、３．５、１．５）、（５．０、３．５、１．０、
１．０）、（５．０、３．０、２．５）、（５．０、
３．０、２．０）、（５．０、３．０、１．５、１．
０）、（５．０、３．０、１．０、１．０）、（５．
０、２．５、２．５）、（５．０、２．５、２．０、
１．０）、（５．０、２．５、１．５、１．５）、
（５．０、２．５、１．５、１．０）、（５．０、２．
０、２．０、１．５）、（５．０、２．０、２．０、
１．０）、（５．０、２．０、１．５、１．５）とな
る。以下同様にして、長さが４．５μｍの部分一括パタ
ーンマスクを用いた組み合わせである（４．５、４．
５、１．５）、（４．５、４．５、１．０）以下略、次
に、長さが４．０μｍの部分一括パターンマスクを用い
た組み合わせ等を順次選択していく。

【００８９】部分一括パターンマスクの組み合わせが選
択されると、次に、選択された部分一括パターンマスク
の種類が多重回数未満となる組み合わせを除去する（ス
テップＳ１０）。これは、選択された部分一括パターン
マスクによって形成された多重パターンの矩形分割部
が、多重パターンの上下層において、相互に重なり合わ
ないようにするためである。つまり、ここでの多重露光
は、選択された部分一括パターンマスクの組み合わせを
用い、その組み合わせを構成する部分一括パターンマス
クの配置を組み替えていくことによって各層のパターン
形成を行っていくため、部分一括パターンマスクの種類
が多重回数未満である場合、必ず、いずれかの層におい
て矩形分割部の重なりが発生してしまうからである。

【００９０】例えば、多重露光回数を３回としたした場
合、上述した長さが５．０μｍの部分一括パターンマス
クを用いた組み合わせのうち、その組み合わせを構成す
る部分一括パターンマスクの種類が、３種類以下である
（５．０、５．０）、（５．０、２．５、２．５）が除
去される。

【００９１】次に、微少図形が発生する部分一括パター
ンマスクの組み合わせを除去し（ステップＳ１１）、そ
の後、矩形領域５１ａのパターン形成を行う際に使用す
る部分一括パターンマスク数が最も少なくて済む等の判
断のもと、最も適した矩形分割方法に決定される（ステ
ップＳ１２）。

【００９２】次に、この多重露光パターンの構成例を図
示する。図１２及び図１３は、長さが異なる２種類の部
分一括パターンマスクを用い、矩形領域５１ａを２重露
光によってパターン形成した場合の例を示している。

【００９３】この例では、矩形領域５１ａのうち、１
０．０μｍを多重露光領域５２とし、この多重露光領域
５２を、長さ３．０μｍの部分一括パターンマスク５３
ａ、及び長さ３．５μｍの部分一括パターンマスク５３
ｂの組み合わせによって行う。

【００９４】図１３に示すように、１層目パターン５２
ａは、部分一括パターンマスク５３ａによって、最初の
３．０μｍのパターン部を、部分一括パターンマスク５
３ａによって、その後の３．５μｍのパターン部を、さ
らにその次の３．５μｍのパターン部を構成する。

【００９５】また、２層目パターン５２ｂは、部分一括
パターンマスク５３ｂによって、最初の３．５μｍのパ
ターン部を、及び、その次の３．５μｍのパターン部
を、部分一括パターンマスク５３ａによって、その後の
３．０μｍのパターン部を、部分一括パターンマスク５
３ａによって構成する。

【００９６】図１４及び図１５は、長さが異なる３種類
の部分一括パターンマスクを用い、矩形領域５１ａを３
重露光によってパターン形成した場合の例を示してい
る。この例では、矩形領域５１ａのうち、１０．５μｍ
を多重露光領域５４とし、この多重露光領域５４を、長
さ４．０μｍの部分一括パターンマスク５５ａ、長さ
３．５μｍの部分一括パターンマスク５５ｂ、及び長さ
３．０μｍの部分一括パターンマスク５５ｃの組み合わ
せによって行う。

【００９７】図１５に示すように、１層目パターン５４
ａは、部分一括パターンマスク５５ａによって、最初の
４．０μｍのパターン部を、部分一括パターンマスク５
５ｂによって、その後の３．５μｍのパターン部を、部
分一括パターンマスク５５ｃによって、さらにその次の
３．０μｍのパターン部を構成する。

【００９８】２層目パターン５４ｂは、部分一括パター
ンマスク５５ｃによって、最初の３．０μｍのパターン
部を、部分一括パターンマスク５５ａによって、その後
の４．０μｍのパターン部を、部分一括パターンマスク
５５ｂによって、さらにその次の３．５μｍのパターン
部を構成する。

【００９９】３層目パターン５４ｃは、部分一括パター
ンマスク５５ｂによって、最初の３．５μｍのパターン
部を、部分一括パターンマスク５５ｃによって、その後
の３．０μｍのパターン部を、部分一括パターンマスク
５５ａによって、さらにその次の４．０μｍのパターン
部を構成する。

【０１００】図１２〜図１５に示したように、多重露光
に使用される部分一括パターンマスクの種類を、多重露
光の層数以上にとることによって、各層のパターン間に
おける矩形分割部の一致を防止している。

【０１０１】このように、本形態では、複数種類の部分
一括パターンマスクから適切な部分一括パターンマスク
を選択し、選択された部分一括パターンマスクを用い、
荷電粒子露光用パターンの生成を行うこととしたため、
パターン形成ごとに、線幅厳密領域が属する矩形領域の
パターンマスクを作成する必要がなくなり、線幅厳密領
域における高い寸法精度を維持しつつ、荷電粒子露光用
パターンマスクの設計や製造にかかる、労力や費用の低
減を図ることが可能となる。

【０１０２】また、高い寸法精度が要求される線幅厳密
領域以上の大きさの部分一括パターンマスクを選択する
ことにより、線幅厳密領域内における矩形分割を避ける
ことが可能となり、線幅厳密領域内において、高い寸法
精度のパターン形成を行うことが可能となる。

【０１０３】また、高い寸法精度が要求される線幅厳密
領域内で、矩形分割が起こらない組み合わせの部分一括
パターンマスクを選択することにより、線幅厳密領域内
において、高い寸法精度のパターン形成を行うことが可
能となる。

【０１０４】また、できるだけ少ない露光回数で、荷電
粒子露光用パターンの生成を行うことが可能な組み合わ
せの部分一括パターンマスクを選択することとしたた
め、パターン形成に必要な工数を低減させ、コスト削減
を行うことが可能となるとともに、矩形分割数の低減に
よりパターン寸法精度を向上させることが可能となる。

【０１０５】また、重複露光によって荷電粒子露光用パ
ターンの生成を行うことにより、各パターン層におい
て、線幅厳密領域内で矩形分割が生じた場合であって
も、その矩形分割部分を他のパターン層によって補足し
合うことができるため、線幅厳密領域が、電子線によっ
て一度に露光できる領域を超えている場合であっても、
線幅厳密領域における高い寸法精度を確保することが可
能となる。

【０１０６】また、重複露光の際、矩形分割部分が重な
り合わないような組み合わせの部分一括パターンマスク
を選択し、矩形分割部分が重なり合わないように、重複
露光を行うことにより、各パターン層において、線幅厳
密領域内で矩形分割が生じた場合であっても、その矩形
分割部分を他のパターン層によって補足し合うことがで
きるため、線幅厳密領域が、電子線によって一度に露光
できる領域を超えている場合であっても、線幅厳密領域
における高い寸法精度を確保することが可能となる。

【０１０７】なお、本発明は、上述の実施形態には拘束
されない。例えば、上記の処理機能は、コンピュータに
よって実現することができる。その場合、荷電粒子露光
用パターン作成装置１が有すべき機能の処理内容は、コ
ンピュータで読みとり可能な記録媒体に記録されたプロ
グラムに記述しておく。そして、このプログラムをコン
ピュータで実行することにより、上記処理がコンピュー
タで実現される。コンピュータで読み取り可能な記録媒
体としては、磁気記録装置や半導体メモリ等がある。市
場に流通させる場合には、ＣＤ−ＲＯＭ(Compact Disk
Read Only Memory)やフロッピー（登録商標）ディスク
等の可搬型記録媒体にプログラムを格納して流通させた
り、ネットワークを介して接続されたコンピュータの記
憶装置に格納しておき、ネットワークを通じて他のコン
ピュータに転送することもできる。コンピュータで実行
する際には、コンピュータ内のハードディスク装置等に
プログラムを格納しておき、メインメモリにロードして
実行する。

【０１０８】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、複数種
類の部分一括パターンマスクから適切な部分一括パター
ンマスクを選択し、選択された部分一括パターンマスク
を用い、荷電粒子露光用パターンの生成を行うこととし
たため、パターン形成ごとに、線幅厳密領域が属する矩
形領域のパターンマスクを作成する必要がなくなり、線
幅厳密領域における高い寸法精度を維持しつつ、荷電粒
子露光用転写マスクの設計や製造にかかる、労力や費用
の低減を図ることが可能となる。

【０１０９】また、複数種類の部分一括パターンマスク
から適切な部分一括パターンマスクを選択し、選択され
た部分一括パターンマスクを用い、多重露光によって、
荷電粒子露光用パターンの生成を行うこととしたため、
線幅厳密領域が、電子線によって一度に露光できる領域
を超えている場合であっても、線幅厳密領域における高
い寸法精度を確保することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】荷電粒子露光用パターン作成装置の構成を示し
た図である。

【図２】荷電粒子露光用パターン作成装置の荷電粒子露
光用パターン作成方法を説明するためのフローチャート
である。

【図３】荷電粒子露光用パターン作成装置の荷電粒子露
光用パターン作成方法を説明するためのフローチャート
である。

【図４】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作成
される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図５】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作成
される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図６】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作成
される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図７】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作成
される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図８】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作成
される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図９】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作成
される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図１０】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作
成される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図１１】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作
成される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図１２】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作
成される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図１３】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作
成される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図１４】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作
成される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【図１５】荷電粒子露光用パターン作成装置を用いて作
成される荷電粒子露光用パターンを例示した図である。

【符号の説明】

１…荷電粒子露光用パターン作成装置、１ａ…設計情報
格納手段、１ｂ…設計情報読み出し手段、１ｃ…制御手
段、１ｄ…部分一括パターンマスク選択手段、１ｅ…部
分一括パターンマスク情報格納手段、１ｆ…荷電粒子露
光用パターン生成手段、１１〜１３、２１〜２３、４
１、５１…ゲート層パターン、１１ａ〜１３ａ、２１ａ
〜２３ａ、４１ａ、４１ｂ、５１ａ…矩形領域、１１ａ
ａ〜１３ａａ、２１ａａ〜２３ａａ、４１ａａ〜４１ａ
ｄ、４１ｂａ、４１ｂｂ、５１ａａ…線幅厳密領域

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 荷電粒子露光用パターンを生成する荷電
   粒子露光用パターンの作成方法において、 複数種類の部分一括パターンマスクから適切な前記部分
   一括パターンマスクを選択する部分一括パターンマスク
   選択ステップと、 前記部分一括パターンマスク選択ステップによって選択
   された前記部分一括パターンマスクを用い、前記荷電粒
   子露光用パターンの生成を行う荷電粒子露光用パターン
   生成ステップと、 を有することを特徴とする荷電粒子露光用パターンの作
   成方法。
2. 【請求項２】 前記部分一括パターンマスク選択ステッ
   プは、 高い寸法精度が要求される線幅厳密領域以上の大きさの
   前記部分一括パターンマスクを選択することを特徴とす
   る請求項１記載の荷電粒子露光用パターンの作成方法。
3. 【請求項３】 前記部分一括パターンマスク選択ステッ
   プは、 高い寸法精度が要求される線幅厳密領域内で、矩形分割
   が起こらない組み合わせの前記部分一括パターンマスク
   を選択することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子露
   光用パターンの作成方法。
4. 【請求項４】 前記部分一括パターンマスク選択ステッ
   プは、 できるだけ少ない露光回数で、前記荷電粒子露光用パタ
   ーンの生成を行うことが可能な組み合わせの前記部分一
   括パターンマスクを選択することを特徴とする請求項１
   記載の荷電粒子露光用パターンの作成方法。
5. 【請求項５】 前記荷電粒子露光用パターン生成ステッ
   プは、 重複露光によって前記荷電粒子露光用パターンの生成を
   行うことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子露光用パ
   ターンの作成方法。
6. 【請求項６】 前記部分一括パターンマスク選択ステッ
   プは、 前記重複露光の際、矩形分割部分が重なり合わないよう
   な組み合わせの前記部分一括パターンマスクを選択し、 前記荷電粒子露光用パターン生成ステップは、前記矩形
   分割部分が重なり合わないように、前記重複露光を行う
   ことを特徴とする請求項５記載の荷電粒子露光用パター
   ンの作成方法。
7. 【請求項７】 荷電粒子露光用パターンを生成する荷電
   粒子露光用パターン作成装置において、 複数種類の部分一括パターンマスクから適切な前記部分
   一括パターンマスクを選択する部分一括パターンマスク
   選択手段と、 前記部分一括パターンマスク選択手段によって選択され
   た前記部分一括パターンマスクを用い、前記荷電粒子露
   光用パターンの生成を行う荷電粒子露光用パターン生成
   手段と、 を有することを特徴とする荷電粒子露光用パターン作成
   装置。
8. 【請求項８】 前記部分一括パターンマスク選択手段
   は、 高い寸法精度が要求される線幅厳密領域以上の大きさの
   前記部分一括パターンマスクを選択することを特徴とす
   る請求項７記載の荷電粒子露光用パターン作成装置。
9. 【請求項９】 前記部分一括パターンマスク選択手段
   は、 高い寸法精度が要求される線幅厳密領域内で、矩形分割
   が起こらない組み合わせの前記部分一括パターンマスク
   を選択することを特徴とする請求項７記載の荷電粒子露
   光用パターン作成装置。
10. 【請求項１０】 前記部分一括パターンマスク選択手段
    は、 できるだけ少ない露光回数で、前記荷電粒子露光用パタ
    ーンの生成を行うことが可能な組み合わせの前記部分一
    括パターンマスクを選択することを特徴とする請求項７
    記載の荷電粒子露光用パターン作成装置。
11. 【請求項１１】 前記荷電粒子露光用パターン生成手段
    は、 重複露光によって前記荷電粒子露光用パターンの生成を
    行うことを特徴とする請求項７記載の荷電粒子露光用パ
    ターン作成装置。
12. 【請求項１２】 前記部分一括パターンマスク選択手段
    は、 前記重複露光の際、矩形分割部分が重なり合わないよう
    な組み合わせの前記部分一括パターンマスクを選択し、 前記荷電粒子露光用パターン生成手段は、前記矩形分割
    部分が重なり合わないように、前記重複露光を行うこと
    を特徴とする請求項１１記載の荷電粒子露光用パターン
    作成装置。
13. 【請求項１３】 複数種類の部分一括パターンマスクか
    ら適切な部分一括パターンマスクを選択し、 選択された前記部分一括パターンマスクを用い、荷電粒
    子露光用パターンの生成を行う機能をコンピュータに行
    わせるプログラムを格納したコンピュータ読みとり可能
    な記録媒体。