JP5833401B2 - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
12 主領域
14 識別符号領域
100 電子ビーム描画装置
102 描画部
104 制御部
106 試料搬送部
110 試料
112 試料室
150 描画データ入力部
152 疑似識別符号描画データ生成部
154 前処理部
156 識別符号描画データ生成部
158 ショットデータ生成部
160 制御回路
Claims (5)
- 試料の主領域に描画するパターンが定義される主描画データを荷電粒子ビーム描画装置に入力する主描画データ入力工程と、
前記試料の識別符号領域に描画するあらかじめ確定しておくことができない情報に関するパターンの疑似パターンが定義される疑似識別符号描画データを生成する疑似識別符号描画データ生成工程と、
前記主描画データと前記疑似識別符号描画データを用いて、試料に描画するパターンのショット密度またはパターン面積密度を算出する描画前処理工程と、
前記描画前処理工程の後に、前記識別符号領域に描画するパターンが定義される識別符号描画データを生成する識別符号描画データ生成工程と、
前記主描画データを荷電粒子ビームのショットを単位として構成される第1のショットデータに変換する第1のショットデータ生成工程と、
前記第1のショットデータを用いて前記試料上に荷電粒子ビームを照射することで主領域の描画を行う第1の描画工程と、
前記識別符号描画データを荷電粒子ビームのショットを単位として構成される第2のショットデータに変換する第2のショットデータ生成工程と、
前記第2のショットデータを用いて前記試料上に荷電粒子ビームを照射することで識別符号領域の描画を行う第2の描画工程と、
を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記第1の描画工程の開始後に前記識別符号描画データ生成工程を実行することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記第1の描画工程の終了後に前記識別符号描画データ生成工程を実行することを特徴とする請求項1または請求項2記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記疑似識別符号描画データと前記識別符号描画データのパターン面積が略同一となるよう、前記疑似識別符号描画データと前記識別符号描画データを生成することを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記疑似識別符号描画データ生成工程において、前記識別符号描画データとなる蓋然性が高い複数のパターンを推定し、前記複数のパターンに基づき前記疑似識別符号描画データが生成されることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011216825A JP5833401B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
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JP2013077703A JP2013077703A (ja) | 2013-04-25 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5833401B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01111327A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Hitachi Ltd | 電子線露光方法およびそれを用いた半導体装置 |
JPH03104208A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Matsushita Electron Corp | 荷電ビーム描画装置 |
JP2894746B2 (ja) * | 1989-11-08 | 1999-05-24 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法 |
JP3914817B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2007-05-16 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2007043078A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Nuflare Technology Inc | 描画装置及び描画方法 |
JP4945380B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5134944B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-01-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
-
2011
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013077703A (ja) | 2013-04-25 |
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