JP5134944B2 - 描画装置及び描画方法 - Google Patents

描画装置及び描画方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5134944B2
JP5134944B2 JP2007336619A JP2007336619A JP5134944B2 JP 5134944 B2 JP5134944 B2 JP 5134944B2 JP 2007336619 A JP2007336619 A JP 2007336619A JP 2007336619 A JP2007336619 A JP 2007336619A JP 5134944 B2 JP5134944 B2 JP 5134944B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
information
identification
drawing data
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007336619A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009158776A (ja
Inventor
仁 砂押
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2007336619A priority Critical patent/JP5134944B2/ja
Priority to US12/343,997 priority patent/US8653487B2/en
Priority to KR1020080134016A priority patent/KR100996993B1/ko
Publication of JP2009158776A publication Critical patent/JP2009158776A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5134944B2 publication Critical patent/JP5134944B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、描画装置及び描画方法に係り、例えば、電子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画装置及び方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図7は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。まず、第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口421の一部を通過して、ステージ上に搭載されたレジスト材が塗布された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動している。このように、開口411と可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
ここで、試料となるマスクの本来の半導体製造用のチップ領域の外側には、マスク自体を識別するための識別(ID)図形が描画される。例えば、バーコードパターンで描画される(例えば、特許文献1参照)。そして、マスクを描画する際には、本来の半導体製造のためのパターンと共に、上述したマスク自体を識別するためのID図形を同時に描画する。そして、従来、このID図形を描画するために、予めCADなどを利用してID図形を示す図形データを作成していた。そして、描画装置で描画可能にするために、このID用の図形データも本来の半導体製造用のパターンデータと同じフォーマットで作成されていた。しかし、ID図形は、マスク固有のものであり、マスク毎に異なっている。そのため、ID用の図形データは、マスク毎にその都度作成しなければならず手間がかかるといった問題があった。また、ID図形は、予めCADなどを利用して作成されるため描画直前の情報や実際の描画日時などの情報等を記述することができない。しかしながら、ユーザ側としては、マスクにできるだけ描画直前の情報をID図形として描画しておきたいという要望が強かった。
特開2001−92110号公報
上述したように、マスクにできるだけ描画直前の情報をID図形として描画しておきたいという要望が強かった。しかしながら、ID図形を示す図形データを半導体製造用のパターンデータと同様に、別途外部装置等で事前に作成しておかなければならず、描画直前情報等を盛り込むことが困難であった。
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、予め図形データを作成しておかなくてもID図形を描画可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の描画装置は、
試料の識別情報を示す識別図形の形状を特定させる文字情報を入力し、文字情報に基づいて識別図形の描画データを生成する生成部と、
試料に描画されるパターンの描画データを入力し、パターンの描画データと識別図形の描画データとを合成する合成部と、
合成された描画データを基に、試料にパターンと識別図形とを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
かかる構成により、図形データではなく、文字情報で描画装置に入力することができる。そのため、外部装置等で予め図形データを作成しておく必要を無くすことができる。さらに、文字情報で良いので装置のオペレータが描画直前の情報を打ち込むこともできる。
特に、文字情報として、パターンの描画データを描画装置に入力した日時情報と描画処理を開始した日時とのうち少なくとも1つを含むと好適である。
そして、さらに、文字情報として、試料自体を識別する情報と描画データ名称と描画装置の識別情報とパターンを描画する日時と描画装置のオペレータ名とのうち少なくとも1つを含むと好適である。
また、描画装置は、さらに、試料に描画されるパターンの枠情報を入力し、文字情報とパターンの枠情報とに基づいて識別図形がパターンと重なるかどうかを検証する検証部を備えると好適である。
本発明の一態様の描画方法は、
試料の識別情報を示す識別図形の形状を特定させる文字情報を入力し、文字情報に基づいて識別図形の描画データを生成する工程と、
試料に描画されるパターンの描画データを入力し、パターンの描画データと識別図形の描画データとを合成する工程と、
合成された描画データを基に、試料にパターンと識別図形とを描画する工程と、
を備え
前記文字情報として、前記パターンの描画データを前記描画装置に入力した日時情報と描画処理を開始した日時とのうち少なくとも1つを含み、
前記文字情報として、前記試料自体を識別する情報と前記描画データ名称と前記描画装置の識別情報と前記パターンを描画する日時と前記描画装置のオペレータ名とのうち少なくとも1つを含み、
前記描画装置は、さらに、前記試料に描画されるパターンの枠情報を入力し、前記文字情報と前記パターンの枠情報とに基づいて前記識別図形が前記パターンと重なるかどうかを検証する工程を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、予め図形データを作成しておかなくても試料自体を識別する識別図形(ID図形)を描画することができる。さらに、描画直前の情報をも描画することが可能となる。
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム描画装置の一例として、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。以下、電子ビーム描画装置を一例として説明するが、これに限るものではなく、レーザマスク描画装置についても同様に当てはめることができる。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置100は、試料101に所定のパターンを描画する。描画部150は、描画室103と描画室103の上部に配置された電子鏡筒102を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208を有している。そして、描画室103内には、XYステージ105が配置され、XYステージ105上に描画対象となる試料101が配置される。試料101として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。制御部160は、描画データ処理部110、偏向制御回路112、デジタルアナログ変換器(DAC)114,116、制御計算機120、キーボード(K/B)122、モニタ124、メモリ126、インターフェース(I/F)回路128、及び磁気ディスク装置140,142を有している。描画データ処理部110、偏向制御回路112、制御計算機120、K/B122、モニタ124、メモリ126、I/F回路128、及び磁気ディスク装置140,142は、互いに図示しないバスにより接続されている。また、偏向制御回路112には、DAC114,116が接続されている。制御計算機120内には、ジョブ(JOB)ファイル解釈部10、識別(ID)描画データ生成部12、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18が配置されている。ここで、図1では、制御計算機120内のJOBファイル解釈部10、ID描画データ生成部12、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18といった各機能の処理をソフトウェアにより実施させても構わない。或いは、JOBファイル解釈部10、ID描画データ生成部12、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18といった各機能は、電気的な回路によるハードウェアにより構成されても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、制御計算機120に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ126に記憶される。図1では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、パターンレイアウトが定義されたレイアウトデータ(設計データ)が生成される。そして、外部の変換装置でかかるレイアウトデータが変換され、描画装置100に入力可能な描画データ(チップ描画データ)が生成される。そして、試料に所定のパターンを描画するためのチップ描画データは、記憶部の一例となる磁気ディスク装置140に格納される。また、描画処理を行なうにあたって、その処理命令内容がJOBファイルとして、作成される。そして、JOBファイルは、I/F回路128を介して、記憶部の一例となる磁気ディスク装置142に格納される。或いは、オペレータが入力手段となるK/B122からファイル内容を入力して、そして作成されたファイルを磁気ディスク装置142に格納してもよい。そして、JOBファイルには、今回描画する試料(マスク)を識別するための識別情報が文字情報(ID文字情報)として、定義される。また、JOBファイルの内容は、モニタ124に表示することができ、オペレータが入力手段となるK/B122から情報の入力、削除或いは修正等を行なうことができる。また、JOBファイルには、チップ描画データを描画するチップ枠の情報(サイズ、位置)も定義されると好適である。
図2は、実施の形態1における描画方法の要部工程について示すフローチャート図である。
図2において、実施の形態1における描画方法は、JOBファイル解釈工程(S102)、ID描画データ生成工程(S104)、描画データ合成工程(S106)、検証工程(S108)、座標/サイズ修正工程(S110)、描画データ処理工程(S112)及び描画工程(S114)という一連の工程を実施する。
S(ステップ)102において、JOBファイル解釈工程として、JOBファイル解釈部10は、磁気ディスク装置142からJOBファイルを読み出す。そして、JOBファイル解釈部10は、JOBファイルの内容を解釈すると共に、ID文字情報の有無を確認する。
図3は、実施の形態1におけるJOBファイルの一例を示す図である。
図3において、JOBファイル20には、「LAYOUTNAME」で表示されるレイアウト名が定義される。図3において、レイアウト名は、例えば「AAAA」と入力される。さらに、「ID0」で表示されるID文字情報0として、試料101自体を識別する情報が定義される。図3において、試料101自体を識別する情報は、例えば、シリアル番号が用いられ、例えば、「123456」で表示される。これは描画装置100が自動で発生させても良いし、オペレータがK/B122から打ち込んでも構わない。さらに、「ID1」で表示されるID文字情報1として、描画データを描画装置100に入力した日時が定義される。図3において、入力日時は、例えば「INPUTDATE」で表示される。入力日時は、描画装置100内の制御部160が搭載している時計機能から自動入力されると好適である。もちろん、オペレータがK/B122から入力日時を打ち込んでも構わない。さらに、「ID2」で表示されるID文字情報2として、入力した描画装置100のシリアル番号とマスク基板の種類と描画後のプロセスとして使用するPEB装置のシリアル番号と現像装置のシリアル番号が定義される。図3において、描画装置100のシリアル番号(識別情報)は、例えば「WRITER_123」で表示される。マスク基板の種類は、例えば「EUVPLATE」で表示される。PEB装置のシリアル番号は、例えば「PEB_33」で表示される。現像装置のシリアル番号は、例えば「DZV_11」で表示される。さらに、「ID3」で表示されるID文字情報3として、上述した「AAAA」で定義されたレイアウト名(描画データの名称)が自動入力される。さらに、「ID4」で表示されるID文字情報4として、実際に描画処理を開始した描画日時が定義される。図3において、描画日時は、例えば「WRITEDATE」で表示される。描画日時は、描画装置100内の制御部160が搭載している時計機能から自動入力されると好適である。もちろん、オペレータがK/B122から入力日時を打ち込んでも構わない。さらに、「ID5」で表示されるID文字情報5として、対象マスクを描画する描画装置100のオペレータ名が定義される。図3において、オペレータ名は、例えば「OPERATER」で表示される。オペレータ名は、例えば、オペレータがK/B122から打ち込めばよい。もちろん事前にわかっていれば予め定義しておいても構わない。さらに、「MASKSIZE」で表示されるマスクサイズが定義される。図3において、マスクサイズは、例えば「6」と入力される。さらに、「DOSE」で表示される描画する際に照射するドーズ量が定義される。ドーズ量は、例えば「10」と入力される。さらに、「ID_DIMENSION」で表示されるID文字情報として、ID文字情報を図形化して描画する際のID図形の規格が定義される。図3において、ID図形の規格は、例えば「QR」で表示される。さらに、「ID_SIZE」で表示されるID文字情報として、ID図形のサイズが定義される。図3において、ID図形のサイズは、例えば「25」で表示される。さらに、「ID_X」で表示されるID文字情報として、ID図形の基準位置のX座標が定義される。図3において、ID図形の基準位置のX座標は、例えば「−70000」で表示される。さらに、「ID_Y」で表示されるID文字情報として、ID図形の基準位置のY座標が定義される。図3において、ID図形の基準位置のY座標は、例えば「−70000」で表示される。さらに、「CHIP1_SIZE」で表示されるチップ枠情報として、本来の描画されるチップパターンのサイズ(チップ枠サイズ)が定義される。図3において、チップ枠サイズは、例えば「10000」で表示される。さらに、「CHIP1_X」で表示されるチップ枠情報として、本来の描画されるチップパターンの基準位置(チップ枠の基準位置)のX座標が定義される。図3において、チップパターンの基準位置のX座標は、例えば「−50000」で表示される。さらに、「CHIP1_Y」で表示されるチップ枠情報として、描画されるチップパターンの基準位置のY座標が定義される。図3において、チップパターンの基準位置のY座標は、例えば「−50000」で表示される。その他、JOBファイル20には、「CD_CORRECTION」で表示されるCD寸法の補正を行なうかどうかの有無等が定義される。
S104において、ID描画データ生成工程として、ID描画データ生成部12は、マスクの識別情報を示すID図形の形状を特定させるJOBファイル20内のID文字情報を入力し、ID文字情報に基づいてID図形の描画データ(ID描画データ)を生成する。ID描画データ生成部12は、ID文字情報に基づいて、チップ描画データと同じフォーマットでID図形のID描画データを生成する。
図4は、実施の形態1におけるID図形の一例を示す図である。
図4では、“QRコード”(登録商標)でID図形30を生成した例を示している。しかしながら、ID図形の規格は、“QRコード”(登録商標)に限定されるものではない。
図5は、実施の形態1におけるID図形の他の一例を示す図である。
図5では、“バーコード”でID図形32を生成した例を示している。その他の規格として、例えば、“PDF417”、“DataMatrix”、“Maxi”、或いは“Code”といった既存の規格でも構わない。ID図形は、1次元の図形でも、2次元の図形でも構わない。生成されたID描画データで描画されるID図形で上述したマスクの識別情報が格納されていればよい。
S106において、描画データ合成工程として、描画データ合成部14は、磁気ディスク装置140からチップ描画データを読み出す。また、生成されたID描画データを入力し、両データを合成する。
S108において、検証工程として、検証部16は、チップ描画データが示すチップパターンとID描画データが示すID図形とが重なるかどうかを検証する。
図6は、実施の形態1における検証内容を説明するための概念図である。
図6(a)では、試料101のチップ枠40にID図形42が重なっている状態を示している。この場合には、検証部16は、検証結果としてNGと判定する。そして、S110へと進む。他方、図6(b)では、試料101のチップ枠40にID図形44が重なっていない状態を示している。この場合には、検証部16は、検証結果としてOKと判定する。そして、S112へと進む。この重なり検証は、合成した描画データに基づいて行なえばよい。その他の手法として、検証部16は、JOBファイル20に定義されたチップ枠サイズとチップ枠の基準位置とID図形の基準位置とID図形のサイズからチップパターンとID図形とが重なるかどうかを検証しても構わない。
S110において、座標/サイズ修正工程として、座標/サイズ修正部18は、チップ枠40にID図形42が重なっている場合に、JOBファイル20に定義されたID図形の基準位置或いはID図形のサイズを修正する。そして、JOBファイル20のデータの修正後は、S104に戻る。そして、上述したS104〜S108の各工程を繰り返し、図6(b)に示すようにチップ枠40にID図形44が重ならないように自動修正する。
S112において、描画データ処理工程として、描画データ処理部110は、合成された描画データを基に、さらに、複数段の変換処理の末に描画装置100内のフォーマットのデータに変換する。
S114において、描画工程として、合成された描画データを基に処理が完了したデータを用いて、描画部150が試料101にチップパターンとID図形とを描画する。具体的には、以下のように動作する。
また、照射部の一例となる電子銃201から出た電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。ここで、偏向器205は、DAC114を介して偏向制御回路112によって制御される。その結果、電子ビーム200は成形される。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向される。ここで、偏向器208は、DAC116を介して偏向制御回路112によって制御される。また、偏向制御回路112は、描画データ処理部110で処理されたデータに従って出力された制御信号により制御される。その結果、電子ビーム200は、連続移動するXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。
以上のように、実施の形態1によれば、描画装置100内で文字情報から試料101を識別するためのID描画データに変換する。そして、変換後は、そのまま、ID図形を描画することができる。よって、描画データを予め作成しておかなくても文字情報を描画装置100に入力すればよい。そのため、描画直前の情報をID文字情報として盛り込むことができる。
以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、FD、CD、DVD、MO或いはROM等の読み取り可能な記録媒体に記録される。例えば、プログラムは、メモリ126に記憶される。或いは、別途、これらの記録媒体の少なくとも1つが制御計算機120或いは描画データ処理部110等に接続されればよい。或いは、制御計算機120或いは描画データ処理部110内部に搭載されていればよい。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。
実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態1における描画方法の要部工程について示すフローチャート図である。 実施の形態1におけるJOBファイルの一例を示す図である。 実施の形態1におけるID図形の一例を示す図である。 実施の形態1におけるID図形の他の一例を示す図である。 実施の形態1における検証内容を説明するための概念図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
符号の説明
10 JOBファイル解釈部
12 ID描画データ生成部
14 描画データ合成部
16 検証部
18 座標/サイズ修正部
20 JOBファイル
30,32,42,44 ID図形
40 チップ枠
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 描画データ処理部
112 偏向制御回路
114,116 DAC
120 制御計算機
122 K/B
124 モニタ
126 メモリ
128 I/F回路
140,142 磁気ディスク装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース

Claims (2)

  1. 試料の識別情報を示す識別図形の形状を特定させる文字情報を入力し、前記文字情報に基づいて前記識別図形の描画データを生成する生成部と、
    前記試料に描画されるパターンの描画データを入力し、前記パターンの描画データと前記識別図形の描画データとを合成する合成部と、
    合成された描画データを基に、前記試料に前記パターンと前記識別図形とを描画する描画部と、
    を備え
    前記文字情報として、前記パターンの描画データを前記描画装置に入力した日時情報と描画処理を開始した日時とのうち少なくとも1つを含み、
    前記文字情報として、前記試料自体を識別する情報と前記描画データ名称と前記描画装置の識別情報と前記パターンを描画する日時と前記描画装置のオペレータ名とのうち少なくとも1つを含み、
    前記描画装置は、さらに、前記試料に描画されるパターンの枠情報を入力し、前記文字情報と前記パターンの枠情報とに基づいて前記識別図形が前記パターンと重なるかどうかを検証する検証部を備えたことを特徴とする描画装置。
  2. 試料の識別情報を示す識別図形の形状を特定させる文字情報を入力し、前記文字情報に基づいて前記識別図形の描画データを生成する工程と、
    前記試料に描画されるパターンの描画データを入力し、前記パターンの描画データと前記識別図形の描画データとを合成する工程と、
    合成された描画データを基に、前記試料に前記パターンと前記識別図形とを描画する工程と、
    を備え
    前記文字情報として、前記パターンの描画データを前記描画装置に入力した日時情報と描画処理を開始した日時とのうち少なくとも1つを含み、
    前記文字情報として、前記試料自体を識別する情報と前記描画データ名称と前記描画装置の識別情報と前記パターンを描画する日時と前記描画装置のオペレータ名とのうち少なくとも1つを含み、
    前記描画装置は、さらに、前記試料に描画されるパターンの枠情報を入力し、前記文字情報と前記パターンの枠情報とに基づいて前記識別図形が前記パターンと重なるかどうかを検証する工程を備えたことを特徴とする描画方法。
JP2007336619A 2007-12-27 2007-12-27 描画装置及び描画方法 Active JP5134944B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007336619A JP5134944B2 (ja) 2007-12-27 2007-12-27 描画装置及び描画方法
US12/343,997 US8653487B2 (en) 2007-12-27 2008-12-24 Lithography apparatus and lithography method
KR1020080134016A KR100996993B1 (ko) 2007-12-27 2008-12-26 묘화 장치 및 묘화 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007336619A JP5134944B2 (ja) 2007-12-27 2007-12-27 描画装置及び描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009158776A JP2009158776A (ja) 2009-07-16
JP5134944B2 true JP5134944B2 (ja) 2013-01-30

Family

ID=40797843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007336619A Active JP5134944B2 (ja) 2007-12-27 2007-12-27 描画装置及び描画方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8653487B2 (ja)
JP (1) JP5134944B2 (ja)
KR (1) KR100996993B1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
JP5833401B2 (ja) * 2011-09-30 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法
DE102014014572B4 (de) * 2014-09-30 2023-08-17 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Strukturieren eines Objekts mit Hilfe eines Partikelstrahlgeräts
NL2019502B1 (en) * 2016-09-08 2018-08-31 Mapper Lithography Ip Bv Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
US20180068047A1 (en) 2016-09-08 2018-03-08 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
JP7133379B2 (ja) * 2018-07-20 2022-09-08 株式会社Screenホールディングス 描画装置および描画方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0169238U (ja) * 1987-10-28 1989-05-08
CA2148121A1 (en) * 1992-11-02 1994-05-11 Robin L. Teitzel Rasterizer for a pattern generation apparatus
JP4951811B2 (ja) * 1999-03-24 2012-06-13 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001092110A (ja) 1999-09-22 2001-04-06 Nikon Corp 露光用マスク基板及びそれを用いる露光装置
US6647309B1 (en) * 2000-05-22 2003-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for automated generation of test semiconductor wafers
JP2002116533A (ja) * 2000-10-11 2002-04-19 Dainippon Printing Co Ltd エリアコード付きフォトマスク用ブランクスとエリアコード付きフォトマスク、およびフォトマスクの製造方法
US6999164B2 (en) * 2001-04-26 2006-02-14 Tokyo Electron Limited Measurement system cluster
JP4876357B2 (ja) * 2001-09-06 2012-02-15 大日本印刷株式会社 文字記号部を有する基板とその文字記号部の加工方法
JP2003121982A (ja) * 2001-10-11 2003-04-23 Nikon Corp マスク、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7363099B2 (en) * 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
WO2004040372A1 (en) 2002-11-01 2004-05-13 Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. Multi-image reticles
JP4476684B2 (ja) * 2004-04-28 2010-06-09 株式会社東芝 パターン補正方法、パターン補正システム、パターン補正プログラム、マスクの作成方法、および半導体装置の製造方法
JP2006084849A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Sharp Corp プリント配線板製造用フォトツールの作成方法、プリント配線板の加工方法、フォトツール作成用プログラム、cadシステム用プログラム、コンピュータプログラム、及び生産管理システム
JP4870372B2 (ja) * 2005-03-25 2012-02-08 東芝テック株式会社 物品貸出し管理システム
US7665661B2 (en) * 2005-03-28 2010-02-23 R828 Llc Secure system for tracking elements using tags
US7554107B2 (en) * 2005-11-04 2009-06-30 Nuflare Technology, Inc. Writing method and writing apparatus of charged particle beam, positional deviation measuring method, and position measuring apparatus
JP4773224B2 (ja) 2006-02-14 2011-09-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP2007233164A (ja) 2006-03-02 2007-09-13 Toshiba Corp フォトマスクの作成方法
JP4746460B2 (ja) 2006-03-29 2011-08-10 富士フイルム株式会社 デジタルデータ処理方法およびこれを用いるデジタル露光装置
JP2007328042A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7978906B2 (en) * 2007-06-14 2011-07-12 Microsoft Corporation Capturing long-range correlations in patch models

Also Published As

Publication number Publication date
US20090168044A1 (en) 2009-07-02
US8653487B2 (en) 2014-02-18
KR20090071462A (ko) 2009-07-01
JP2009158776A (ja) 2009-07-16
KR100996993B1 (ko) 2010-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4773224B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP5134944B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP5442958B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP7392805B2 (ja) 描画データ生成プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4863825B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム
JP4987554B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2009038055A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2007324228A (ja) 荷電ビーム描画装置の描画エラー診断方法および荷電ビーム描画装置
US7368737B2 (en) Electron beam writing method, electron beam writing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2011171510A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置
KR101916707B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
JP5469531B2 (ja) 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
CN110737179B (zh) 描画装置及描画方法
JP5314937B2 (ja) 描画装置及び描画用データの処理方法
JP5357530B2 (ja) 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置
JP5123561B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6350204B2 (ja) 描画データ検証方法、プログラム、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2019068000A (ja) シミュレーション装置、荷電粒子ビーム描画システム、及び荷電粒子ビーム描画方法
KR20170069168A (ko) 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치
JP2006269545A (ja) 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法
JP4746928B2 (ja) 描画方法、描画装置及び電子ビーム描画における電子ビームの加速電圧値取得方法
JP2008300569A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2009016408A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JPH11121354A (ja) 歪み補正方法および荷電ビーム露光装置
JP2010015480A (ja) 描画装置及び描画装置入力用データの作成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120612

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121106

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121112

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5134944

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250