JP5442958B2 - 描画装置及び描画方法 - Google Patents

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Description

本発明は、描画装置及び描画方法に係り、例えば、電子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画装置及び方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図12は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。まず、第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口421の一部を通過して、ステージ上に搭載されたレジスト材が塗布された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動している。このように、開口411と可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
ここで、試料となるマスクの本来の半導体製造用のチップ領域の外側には、マスク自体を識別するための識別(ID)図形が描画される。例えば、バーコードパターンで描画される(例えば、特許文献1参照)。また、フォトマスクの検査のための情報をコード化したパターンをフォトマスク上に形成する点が文献に開示されている(例えば、特許文献2参照)。従来、かかるID図形やコード化したパターンは、予めCADなどを利用して作成されるため描画直前の情報や実際の描画日時などの情報等を記述することができない。さらに、描画開始後の情報も当然ながら記述することができない。しかしながら、マスク描画後のプロセス処理や欠陥検査を行なう際に、マスク基板情報やマスク描画時の情報が必要となる場合がある。従来、これらの情報は、マスク基板とは別に独立して管理されており、データベース等に保管されていた。しかしながら、ユーザ側としては、マスクにできるだけこれらの情報を一緒に描画しておきたいという要望が強かった。
特開2001−92110号公報 特開2007−233164号公報
上述したように、マスクにできるだけマスク基板情報やマスク描画時の情報を一緒に描画しておきたいという要望が強かった。しかしながら、従来、ID図形を示す図形データを半導体製造用のパターンデータと同様に、別途外部装置等で事前に作成しておかなければならず、それより後の情報となる描画直前情報や描画時の情報等を盛り込むことが困難であった。
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、描画直前情報や描画時の情報をパターンと一緒に描画可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の描画装置は、
試料に描画されるパターンの描画データを入力し、描画データを基に、試料にパターンを描画する描画部と、
試料が描画開始後以降に生じた結果から得られる描画情報を、パターンが描画された後に入力し、描画情報に基づいて描画情報を示す図形コードの描画データを生成する生成部と、
を備え、
描画部は、さらに、図形コードの描画データを基に、試料に図形コードを描画することを特徴とする。
かかる構成により、試料が描画された際の描画情報をパターンと一緒に描画することができる。
そして、描画情報として、描画中の電流密度とビーム位置と描画時間とエラー情報とのうち少なくとも1つを含むと好適である。
また、描画装置は、さらに、試料に描画されるパターンの枠情報を入力し、パターンの枠情報に基づいて図形コードがパターンと重なるかどうかを検証する検証部を備えると好適である。
また、生成部は、さらに、試料の識別情報を示す識別図形の形状を特定させる文字情報を入力し、文字情報に基づいて識別図形の描画データを生成すると好適である。
本発明の一態様の描画方法は、
試料に描画されるパターンの描画データを入力し、描画データを基に、試料にパターンを描画する工程と、
試料が描画開始後以降に生じた結果から得られる描画情報を、パターンが描画された後に入力し、描画情報に基づいて描画情報を示す図形コードの描画データを生成する工程と、
図形コードの描画データを基に、試料に図形コードを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、描画が開始した後でなければわからない描画時の情報を図形コードとして、試料に描画することができる。
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム描画装置の一例として、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。以下、電子ビーム描画装置を一例として説明するが、これに限るものではなく、レーザマスク描画装置についても同様に当てはめることができる。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置100は、試料101に所定のパターンを描画する。描画部150は、描画室103と描画室103の上部に配置された電子鏡筒102を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208を有している。そして、描画室103内には、XYステージ105が配置され、XYステージ105上に描画対象となる試料101が配置される。試料101として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。制御部160は、描画データ処理部110、偏向制御回路112、デジタルアナログ変換器(DAC)114,116、制御計算機120、キーボード(K/B)122、モニタ124、メモリ126、インターフェース(I/F)回路128、描画結果情報処理部130、及び磁気ディスク装置140,142を有している。描画データ処理部110、偏向制御回路112、制御計算機120、K/B122、モニタ124、メモリ126、I/F回路128、及び磁気ディスク装置140,142は、互いに図示しないバスにより接続されている。また、偏向制御回路112には、DAC114,116が接続されている。制御計算機120内には、ジョブ(JOB)ファイル解釈部10、コード用描画データ生成部12、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18が配置されている。ここで、図1では、制御計算機120内のJOBファイル解釈部10、コード用描画データ生成部12、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18といった各機能の処理をソフトウェアにより実施させても構わない。或いは、JOBファイル解釈部10、コード用描画データ生成部12、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18といった各機能は、電気的な回路によるハードウェアにより構成されても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、制御計算機120に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ126に記憶される。図1では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、パターンレイアウトが定義されたレイアウトデータ(設計データ)が生成される。そして、外部の変換装置でかかるレイアウトデータが変換され、描画装置100に入力可能な描画データ(チップ描画データ)が生成される。そして、試料に所定のパターンを描画するためのチップ描画データは、記憶部の一例となる磁気ディスク装置140に格納される。また、描画処理を行なうにあたって、その処理命令内容がJOBファイルとして、作成される。そして、JOBファイルは、I/F回路128を介して、記憶部の一例となる磁気ディスク装置142に格納される。或いは、オペレータが入力手段となるK/B122からファイル内容を入力して、そして作成されたファイルを磁気ディスク装置142に格納してもよい。そして、JOBファイルには、今回描画する試料(マスク)を識別するための識別情報が文字情報(ID文字情報)として、定義される。また、JOBファイルの内容は、モニタ124に表示することができ、オペレータが入力手段となるK/B122から情報の入力、削除或いは修正等を行なうことができる。また、JOBファイルには、チップ描画データを描画するチップ枠の情報(サイズ、位置)も定義されると好適である。
図2は、実施の形態1における描画方法の要部工程について示すフローチャート図である。
図2において、実施の形態1における描画方法は、JOBファイル解釈工程(S102)、ID描画データ生成工程(S104)、描画データ合成工程(S106)、検証工程(S108)、座標/サイズ修正工程(S110)、描画データ処理工程(S112)、描画工程(S114)、描画結果情報の処理工程(S116)、描画結果情報コードの描画データ生成工程(S118)、検証工程(S120)、座標/サイズ修正工程(S122)、描画データ処理工程(S124)、及び描画工程(S126)という一連の工程を実施する。
S(ステップ)102において、JOBファイル解釈工程として、JOBファイル解釈部10は、磁気ディスク装置142からJOBファイルを読み出す。そして、JOBファイル解釈部10は、JOBファイルの内容を解釈すると共に、ID文字情報の有無を確認する。
図3は、実施の形態1におけるJOBファイルの一例を示す図である。
図3において、JOBファイル20には、「LAYOUTNAME」で表示されるレイアウト名が定義される。図3において、レイアウト名は、例えば「AAAA」と入力される。さらに、「ID0」で表示されるID文字情報0として、試料101自体を識別する情報が定義される。図3において、試料101自体を識別する情報は、例えば、シリアル番号が用いられ、例えば、「123456」で表示される。これは描画装置100が自動で発生させても良いし、オペレータがK/B122から打ち込んでも構わない。さらに、「ID1」で表示されるID文字情報1として、描画データを描画装置100に入力した日時が定義される。図3において、入力日時は、例えば「INPUTDATE」で表示される。入力日時は、描画装置100内の制御部160が搭載している時計機能から自動入力されると好適である。もちろん、オペレータがK/B122から入力日時を打ち込んでも構わない。さらに、「ID2」で表示されるID文字情報2として、入力した描画装置100のシリアル番号とマスク基板の種類と描画後のプロセスとして使用するPEB装置のシリアル番号と現像装置のシリアル番号が定義される。図3において、描画装置100のシリアル番号(識別情報)は、例えば「WRITER_123」で表示される。マスク基板の種類は、例えば「EUVPLATE」で表示される。PEB装置のシリアル番号は、例えば「PEB_33」で表示される。現像装置のシリアル番号は、例えば「DZV_11」で表示される。さらに、「ID3」で表示されるID文字情報3として、上述した「AAAA」で定義されたレイアウト名(描画データの名称)が自動入力される。さらに、「ID4」で表示されるID文字情報4として、実際に描画処理を開始した描画日時が定義される。図3において、描画日時は、例えば「WRITEDATE」で表示される。描画日時は、描画装置100内の制御部160が搭載している時計機能から自動入力されると好適である。もちろん、オペレータがK/B122から描画日時を打ち込んでも構わない。さらに、「ID5」で表示されるID文字情報5として、対象マスクを描画する描画装置100のオペレータ名が定義される。図3において、オペレータ名は、例えば「OPERATER」で表示される。オペレータ名は、例えば、オペレータがK/B122から打ち込めばよい。もちろん事前にわかっていれば予め定義しておいても構わない。さらに、「MASKSIZE」で表示されるマスクサイズが定義される。図3において、マスクサイズは、例えば「6」と入力される。さらに、「DOSE」で表示される描画する際に照射するドーズ量が定義される。ドーズ量は、例えば「10」と入力される。さらに、「ID_DIMENSION」で表示されるID文字情報として、ID文字情報を図形化して描画する際のID図形の規格が定義される。図3において、ID図形の規格は、例えば「QR」で表示される。さらに、「ID_SIZE」で表示されるID文字情報として、ID図形のサイズが定義される。図3において、ID図形のサイズは、例えば「25」で表示される。さらに、「ID_X」で表示されるID文字情報として、ID図形の基準位置のX座標が定義される。図3において、ID図形の基準位置のX座標は、例えば「−70000」で表示される。さらに、「ID_Y」で表示されるID文字情報として、ID図形の基準位置のY座標が定義される。図3において、ID図形の基準位置のY座標は、例えば「−70000」で表示される。さらに、「CHIP1_SIZE」で表示されるチップ枠情報として、本来の描画されるチップパターンのサイズ(チップ枠サイズ)が定義される。図3において、チップ枠サイズは、例えば「10000」で表示される。さらに、「CHIP1_X」で表示されるチップ枠情報として、本来の描画されるチップパターンの基準位置(チップ枠の基準位置)のX座標が定義される。図3において、チップパターンの基準位置のX座標は、例えば「−50000」で表示される。さらに、「CHIP1_Y」で表示されるチップ枠情報として、描画されるチップパターンの基準位置のY座標が定義される。図3において、チップパターンの基準位置のY座標は、例えば「−50000」で表示される。その他、JOBファイル20には、「CD_CORRECTION」で表示されるCD寸法の補正を行なうかどうかの有無等が定義される。
S104において、ID描画データ生成工程として、コード用描画データ生成部12は、マスクの識別情報を示すID図形の形状を特定させるJOBファイル20内のID文字情報を入力し、ID文字情報に基づいてID図形の描画データ(ID描画データ)を生成する。コード用描画データ生成部12は、ID文字情報に基づいて、チップ描画データと同じフォーマットでID図形のID描画データを生成する。
図4は、実施の形態1におけるID図形の一例を示す図である。
図4では、“QRコード”(登録商標)でID図形30を生成した例を示している。しかしながら、ID図形の規格は、“QRコード”(登録商標)に限定されるものではない。
図5は、実施の形態1におけるID図形の他の一例を示す図である。
図5では、“バーコード”でID図形32を生成した例を示している。その他の規格として、例えば、“PDF417”、“DataMatrix”、“Maxi”、或いは“Code”といった既存の規格でも構わない。ID図形は、1次元の図形でも、2次元の図形でも構わない。生成されたID描画データで描画されるID図形で上述したマスクの識別情報が格納されていればよい。
S106において、描画データ合成工程として、描画データ合成部14は、磁気ディスク装置140からチップ描画データを読み出す。また、生成されたID描画データを入力し、両データを合成する。
S108において、検証工程として、検証部16は、チップ描画データが示すチップパターンとID描画データが示すID図形とが重なるかどうかを検証する。
図6は、実施の形態1における検証内容を説明するための概念図である。
図6(a)では、試料101のチップ枠40にID図形42が重なっている状態を示している。この場合には、検証部16は、検証結果としてNGと判定する。そして、S110へと進む。他方、図6(b)では、試料101のチップ枠40にID図形44が重なっていない状態を示している。この場合には、検証部16は、検証結果としてOKと判定する。そして、S112へと進む。この重なり検証は、合成した描画データに基づいて行なえばよい。その他の手法として、検証部16は、JOBファイル20に定義されたチップ枠サイズとチップ枠の基準位置とID図形の基準位置とID図形のサイズからチップパターンとID図形とが重なるかどうかを検証しても構わない。
S110において、座標/サイズ修正工程として、座標/サイズ修正部18は、チップ枠40にID図形42が重なっている場合に、JOBファイル20に定義されたID図形の基準位置或いはID図形のサイズを修正する。そして、JOBファイル20のデータの修正後は、S104に戻る。そして、上述したS104〜S108の各工程を繰り返し、図6(b)に示すようにチップ枠40にID図形44が重ならないように自動修正する。
S112において、描画データ処理工程として、描画データ処理部110は、合成された描画データを基に、さらに、複数段の変換処理の末に描画装置100内のフォーマットのデータに変換する。
S114において、描画工程として、合成された描画データを基に処理が完了したデータを用いて、描画部150が試料101にチップパターンとID図形とを描画する。具体的には、以下のように動作する。
また、照射部の一例となる電子銃201から出た電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。ここで、偏向器205は、DAC114を介して偏向制御回路112によって制御される。その結果、電子ビーム200は成形される。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向される。ここで、偏向器208は、DAC116を介して偏向制御回路112によって制御される。また、偏向制御回路112は、描画データ処理部110で処理されたデータに従って出力された制御信号により制御される。その結果、電子ビーム200は、連続移動するXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。
以上のように、実施の形態1によれば、描画装置100内で文字情報から試料101を識別するためのID描画データに変換する。そして、変換後は、そのまま、ID図形を描画することができる。よって、描画データを予め作成しておかなくても文字情報を描画装置100に入力すればよい。そのため、描画直前の情報をID文字情報として盛り込むことができる。
そして、さらに、描画開始後以降に生じた結果から得られる描画情報(描画結果情報)についても試料101に図形コードとして描画する。以下、具体的に説明する。
S116において、描画結果情報の処理工程として、描画結果情報処理部130は、偏向制御回路112及び描画データ処理部110から描画開始後の各データのログを、試料101にパターンが描画された後に入力する。そして、描画結果情報処理部130は、入力されたログをデータ処理して、試料101が描画された際の描画情報ファイルを作成する。
図7は、実施の形態1における描画情報ファイルの一例を示す図である。
図7において、描画情報ファイルには、「METAL−LAYER−123−ABC」で表示される描画データ名称が定義される。さらに、「2」で表示される描画の多重度を示す情報が定義される。ここでは、多重度2となっているが、2回多重に限るものではなく、3回以上であっても構わないことは言うまでもない。さらに、「1.0μm」で表示される最大ショットサイズが定義される。さらに、「64μm」で表示されるサブフィールドサイズが定義される。図7において、描画データ名称、描画の多重度、最大ショットサイズ、及びサブフィールドサイズは、描画開始前にわかる情報なので、描画装置100が自動で発生させても良いし、オペレータがK/B122から打ち込んでも構わない。以下、描画開始後のログから得られる情報が定義される。具体的には、一例として、次のような情報が定義される。描画情報ファイルには、「20.0,20.1,22.0,・・・」と続く、描画中の電流密度が定義される。さらに、「(0,0),(2.1,−1.0),(1.5,−2.5),・・・」と続く、試料101にショットされたビーム位置のモニタ結果が定義される。ここでは、座標で定義されると好適である。さらに、「12:00,12:25,12:45,・・・」と続く、測定時刻が定義される。描画中の各電流密度とその電流密度でショットされたビーム位置のモニタ結果をサンプリングした測定時刻が定義されると好適である。描画情報ファイルには、さらに、「1:57:45」で表示される描画時間が定義される。さらに、エラー情報とその発生時刻が定義される。例えば、図7では、「12:20 Parity error in ABC circuit」で表示される送信データのパリティチェックエラーが発生したことを示すエラー情報が定義される。また、例えば、図7では、「12:45 Current density limit over(22.0)」で表示される電流密度が最大値(22.0)を超えたことによる警報が発生したことを示すエラー情報が定義される。また、例えば、図7では、「13:10 DAC No.4 data error」で表示されるDACにデータエラーが生じたことを示すエラー情報が定義される。以上のような描画開始後に生じた情報が描画情報ファイルに定義される。
S118において、描画結果情報コードの描画データ生成工程として、コード用描画データ生成部12は、試料101が実際に描画された際の描画情報を入力し、かかる描画情報に基づいて描画情報を示す図形コードの描画データを生成する。コード用描画データ生成部12は、描画情報ファイルに示す文字情報に基づいて、チップ描画データと同じフォーマットで図形コードの描画データを生成する。
図8は、実施の形態1における図形コードの一例を示す図である。
図9は、実施の形態1における図形コードの他の一例を示す図である。
図8では、“QRコード”(登録商標)で図形コード34を生成した例を示している。図9でも、“QRコード”(登録商標)で図形コード36を生成した例を示している。しかしながら、図形コードの規格は、“QRコード”(登録商標)に限定されるものではない。上述したように、“バーコード”、“PDF417”、“DataMatrix”、“Maxi”、或いは“Code”といった既存の規格でも構わない。図形コードは、1次元の図形でも、2次元の図形でも構わない。生成された図形コード用の描画データで描画される図形コードで上述したマスクの描画情報が格納されていればよい。
S120において、検証工程として、検証部16は、図形コード用の描画データが、チップ描画データが示すチップパターンとID描画データが示すID図形とに重ならないかどうかを検証する。
図10は、実施の形態1における検証内容を説明するための概念図である。
図10(a)では、試料101のチップ枠40に図形コード46が重なっている状態を示している。この場合には、検証部16は、検証結果としてNGと判定する。そして、S122へと進む。他方、図10(b)では、試料101のチップ枠40に図形コード48が重なっていない状態を示している。この場合には、検証部16は、検証結果としてOKと判定する。そして、S124へと進む。この重なり検証は、既に描画に用いた合成した描画データと今回作成した図形コード用の描画データに基づいて行なえばよい。その他の手法として、検証部16は、JOBファイル20に定義されたチップ枠サイズとチップ枠の基準位置と生成された図形コード用の描画データに定義された図形コードの基準位置と図形コードのサイズからチップパターンと図形コードとが重なるかどうかを検証しても構わない。また、検証部16は、ID図形の基準位置とID図形のサイズと図形コードの基準位置と図形コードのサイズからID図形と図形コードとが重なるかどうかを検証しても構わない。
S122において、座標/サイズ修正工程として、座標/サイズ修正部18は、チップ枠40に、或いは、ID図形44に図形コード46が重なっている場合に、JOBファイル20に定義された図形コードの基準位置或いは図形コードのサイズを修正する。そして、JOBファイル20のデータの修正後は、S118に戻る。そして、上述したS118〜S122の各工程を繰り返し、図10(b)に示すようにチップ枠40等に図形コード48が重ならないように自動修正する。
S124において、描画データ処理工程として、描画データ処理部110は、図形コードの描画データを基に、さらに、複数段の変換処理の末に描画装置100内のフォーマットのデータに変換する。
S126において、描画工程として、図形コードの描画データを基に処理が完了したデータを用いて、描画部150が既にパターンやID図形が描画された後の試料101に、さらに、図形コードを描画する。描画動作を上述した動作と同様である。
ここで、図1では、ID図形用の描画データと図形コード用の描画データを同じコード用描画データ生成部12で生成したが、これに限るものではない。
図11は、実施の形態1における描画装置の他の構成を示す概念図である。
図11において、コード用描画データ生成部12をID図形用の描画データを生成するID描画データ生成部11と図形コード用の描画データを生成するコード用描画データ生成部13とに分けた構成にした点以外は、図1と同様である。図11では、制御計算機120内には、ジョブ(JOB)ファイル解釈部10、ID描画データ生成部11、コード用描画データ生成部13、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18が配置されている。このように、それぞれ別の生成部により描画データを生成しても好適である。描画装置100の動作については、上述した説明において、コード用描画データ生成部12をID描画データ生成部11或いはコード用描画データ生成部13と読みかえればよい。ここで、図11では、制御計算機120内のJOBファイル解釈部10、ID描画データ生成部11、コード用描画データ生成部13、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18といった各機能の処理をソフトウェアにより実施させても構わない。或いは、JOBファイル解釈部10、ID描画データ生成部11、コード用描画データ生成部13、描画データ合成部14、検証部16、及び座標/サイズ修正部18といった各機能は、電気的な回路によるハードウェアにより構成されても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、制御計算機120に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ126に記憶される。
以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、FD、CD、DVD、MO或いはROM等の読み取り可能な記録媒体に記録される。例えば、プログラムは、メモリ126に記憶される。或いは、別途、これらの記録媒体の少なくとも1つが制御計算機120或いは描画データ処理部110等に接続されればよい。或いは、制御計算機120或いは描画データ処理部110内部に搭載されていればよい。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。
実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態1における描画方法の要部工程について示すフローチャート図である。 実施の形態1におけるJOBファイルの一例を示す図である。 実施の形態1におけるID図形の一例を示す図である。 実施の形態1におけるID図形の他の一例を示す図である。 実施の形態1における検証内容を説明するための概念図である。 実施の形態1における描画情報ファイルの一例を示す図である。 実施の形態1における図形コードの一例を示す図である。 実施の形態1における図形コードの他の一例を示す図である。 実施の形態1における検証内容を説明するための概念図である。 実施の形態1における描画装置の他の構成を示す概念図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
符号の説明
10 JOBファイル解釈部
11 ID描画データ生成部
12,13 コード用描画データ生成部
14 描画データ合成部
16 検証部
18 座標/サイズ修正部
20 JOBファイル
30,32,42,44 ID図形
34,36,46,48 図形コード
40 チップ枠
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 描画データ処理部
112 偏向制御回路
114,116 DAC
120 制御計算機
122 K/B
124 モニタ
126 メモリ
128 I/F回路
130 描画結果情報処理部
140,142 磁気ディスク装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース

Claims (5)

  1. 試料に描画されるパターンの描画データを入力し、前記描画データを基に、前記試料に前記パターンを描画する描画部と、
    前記試料が描画開始後以降に生じた結果から得られる描画情報を、前記パターンが描画された後に入力し、前記描画情報に基づいて前記描画情報を示す図形コードの描画データを生成する生成部と、
    を備え、
    前記描画部は、さらに、前記図形コードの描画データを基に、前記試料に前記図形コードを描画することを特徴とする描画装置。
  2. 前記描画情報として、描画中の電流密度とビーム位置と描画時間とエラー情報とのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1記載の描画装置。
  3. 前記描画装置は、さらに、前記試料に描画されるパターンの枠情報を入力し、前記パターンの枠情報に基づいて前記図形コードが前記パターンと重なるかどうかを検証する検証部を備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の描画装置。
  4. 前記生成部は、さらに、前記試料の識別情報を示す識別図形の形状を特定させる文字情報を入力し、前記文字情報に基づいて前記識別図形の描画データを生成することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の描画装置。
  5. 試料に描画されるパターンの描画データを入力し、前記描画データを基に、前記試料に前記パターンを描画する工程と、
    前記試料が描画開始後以降に生じた結果から得られる描画情報を、前記パターンが描画された後に入力し、前記描画情報に基づいて前記描画情報を示す図形コードの描画データを生成する工程と、
    前記図形コードの描画データを基に、前記試料に前記図形コードを描画する工程と、
    を備えたことを特徴とする描画方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5586343B2 (ja) * 2010-06-30 2014-09-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
TWI524461B (zh) * 2012-02-14 2016-03-01 愛發科股份有限公司 離子束照射裝置
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JP7133379B2 (ja) * 2018-07-20 2022-09-08 株式会社Screenホールディングス 描画装置および描画方法
WO2024004843A1 (ja) * 2022-06-29 2024-01-04 Hoya株式会社 薄膜付き基板の製造方法、薄膜付き基板、多層反射膜付き基板の製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284920A (ja) * 1985-06-10 1986-12-15 Toshiba Corp 半導体装置製造用基板に対する参考情報パタ−ンの形成方法および形成装置
JPS6242526A (ja) * 1985-08-20 1987-02-24 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光装置
JP2894746B2 (ja) * 1989-11-08 1999-05-24 株式会社東芝 荷電ビーム描画方法
JPH1126333A (ja) * 1997-06-27 1999-01-29 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその情報管理システム
JP2001092110A (ja) 1999-09-22 2001-04-06 Nikon Corp 露光用マスク基板及びそれを用いる露光装置
JP2007233164A (ja) 2006-03-02 2007-09-13 Toshiba Corp フォトマスクの作成方法
JP5216347B2 (ja) * 2008-02-04 2013-06-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法

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