TWI524461B - 離子束照射裝置 - Google Patents

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TWI524461B
TWI524461B TW102104738A TW102104738A TWI524461B TW I524461 B TWI524461 B TW I524461B TW 102104738 A TW102104738 A TW 102104738A TW 102104738 A TW102104738 A TW 102104738A TW I524461 B TWI524461 B TW I524461B
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金永杜
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岡山智彥
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Description

離子束照射裝置
本發明係關於例如在構成大型FPD(平面面板顯示器(Flat Panel Display))之基板等各種基板上照射離子束的離子束照射裝置。
有機EL顯示器及液晶面板顯示器等大型FPD，係經過對於構成大型FPD之基板照射離子束的處理而製造。此種進行離子束照射處理之裝置，例如專利文獻1之記載，習知有使用複數個離子源，僅藉由在搬運方向搬運基板，可複數次進行離子束之照射的裝置。藉由如此構成，與藉由單一離子源進行離子束之照射的構成比較，可使照射於基板之離子束的離子數量(dose)及能量等照射特性輕易多樣化。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開2011-129332號公報
再者，如上述之離子束照射裝置，隨著基板趨於大型化，不少對基板照射離子束之時間超過維持離子源輸出的時間。此種情況下，在對基板照射離子束之中途，來自離子源之輸出降低或停止，結果發生離子束之照射量在基板面內偏差的問題。關於這一點，若為記載於上述專利文獻1之構成，係藉由增加基板之搬運次數，調節各離子源之輸出，或是併用此等等之對策，以彌補照射量之不足，換言之，可使基板面內之照射量均勻。
另外，在上述裝置中搬運基板，一般而言，係藉由配置於搬運路徑上之搬運滾筒的旋轉，換言之，藉由使搬運滾筒旋轉之馬達的旋轉來進行。而對以此種樣態搬運之基板，當離子源之輸出降低時或輸出停止時，若包含複數次重複照射離子束，為使面內之照射量均勻，需要各次照射精確檢測離子束在基板中之照射位置。但是上述之搬運系統，因為保持基板之搬運托盤對搬運機構滑動不少，僅為從馬達旋轉位置檢測基板位置之樣態，基板位置之檢測結果會產生偏差。
結論是，只要不縮小此種基板位置的檢測誤差，即使採用上述任何一種對策，依然無法消除照射量在基板面內之偏差。因而，在離子束照射裝置中要求以更高精度檢測基板上之照射位置。
本發明係鑑於上述實情者，其目的在提供一種可提高離子束在基板上之照射位置的檢測精度之離子束照射裝置。
以下記載解決上述問題之手段及其作用效果。
本發明第一樣態之離子束照射裝置具備：真空槽，其係收容保持基板之搬運托盤；搬運部，其係於前述真空槽內，在搬運方向搬運前述搬運托盤；離子束照射部，其係在前述真空槽內之指定的照射位置照射離子束；及位置檢測部，其係檢測前述搬運托盤之位置；前述位置檢測部通過前述搬運托盤之搬運，在指定之拍攝位置拍攝顯示前述搬運托盤中之部位，並排列於前述搬運方向之相互不同的各個複數個指標，依據該拍攝之前述指標，檢測前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置。
本發明之第一樣態係藉由拍攝顯示搬運托盤中之各部位的各個複數個指標，檢測搬運托盤對拍攝位置之位置。此時，拍攝指標之拍攝位置與照射離子束之照射位置的相對關係，在搬運搬運托盤之期間亦持續維持指定的關係。因而，每次藉由位置檢測部檢測搬運托盤中之指標時，係檢測搬運托盤對拍攝位置之位置，亦即檢測搬運托盤對照射位置之位置。而後，與從搬運搬運托盤之搬運機構的驅動量等檢測搬運托盤之位置的樣態比較，可直接檢測搬運托盤對照射位置之位置。結果，即使搬運搬運托盤之搬運機構與搬運托盤產生偏移時，仍可抑制藉由此種偏移而產生 檢測位置的誤差。進而可提高保持於搬運托盤之基板上的照射位置之檢測精度。
本發明之第二樣態，係前述離子束照射部具備：輸出檢測部，其係檢測離子束之輸出；取得部，其係以指定之周期取得前述位置檢測部之檢測結果與前述輸出檢測部之檢測結果；及記憶部，其係將前述取得部取得之檢測結果的前述位置檢測部之檢測結果與前述輸出檢測部的檢測結果相互對應而記憶。
按照本發明之第二樣態，因為將位置檢測部之檢測結果與輸出檢測部之檢測結果相互對應而記憶於記憶部，所以可從記憶於記憶部之資訊掌握基板上以希望之輸出照射離子束的部位。換言之，可掌握基板上以希望之輸出以外的輸出照射離子束之部位，或基板上不照射離子束之部位。因而，對於基板上離子束照射不足之部位，可高精度地進行用於彌補照射不足的進一步照射處理。
本發明之第三樣態，係前述輸出檢測部檢測離子束之輸出停止。
按照本發明之第三樣態，可掌握基板上之照射位置中屬於輸出停止的位置。因而，即使就離子束輸出停止之位置，仍可提高檢測精度，進而對於基板上未照射離子束之部位，以高精度進行再度之照射處理。
本發明之第四樣態，前述搬運部係在搬運處理之開始位置與該搬運處理的結束位置之間搬運前述搬運托盤，並具備控制部，其係控制前述搬運部之搬運，前述記憶部將前述位置檢測部之檢測結果中，對應於前述輸出停止之檢測結果作為停止位置而記憶，前述輸出檢測部檢測出輸出停止時，前述控制部驅動前述搬運部，使前述搬運托盤在前述開始位置與前述結束位置之間往返，前述離子束照射部依據前述停止位置與前述位置檢測部之檢測結果，在前述基板中之離子束未照射部位照射離子束。
如上述，伴隨離子束照射對象之基板的大型化，有不少在基板橫過離子束之照射位置的中途發生離子束之輸出停止。
關於這一點，本發明之第四樣態係在檢測出離子束之輸出停止時，將此時搬運托盤對拍攝位置之位置作為對應於輸出停止之停止位置 而記憶於記憶部中。而後，當搬運托盤對拍攝位置之位置在停止位置與結束位置之間時，再度輸出離子束。因而對於未進行離子束照射之部位，可以高位置精度再度進行離子束之照射。
本發明第五樣態係於前述輸出檢測部檢測出輸出停止時，前述控制部在前述搬運方向搬運前述搬運托盤，直到前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置變成在前述基板上不照射離子束之非照射位置後，將前述搬運托盤從前述非照射位置搬運至與前述搬運方向之相反方向，前述離子束照射部於前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置到達前述非照射位置時再度開始照射離子束，當前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置到達前述停止位置時，停止前述離子束之照射。
離子束照射部通常使離子束之輸出到達希望的設定值而花費的時間，比使離子束之輸出刻意停止所花費的時間長。
關於這一點，本發明之第五樣態，係在檢測出離子束之輸出停止時，將此時搬運托盤對拍攝位置之位置作為對應於輸出停止的停止位置而記憶於記憶部中。而後，將搬運托盤搬運至非照射位置後，再度開始離子束之照射，其後，開始將搬運托盤向之前進行離子束照射時的相反方向搬運，搬運托盤對拍攝位置之位置到達停止位置時，停止離子束之照射。因而，對於基板中之未進行離子束照射的部位，可以高位置精度再度進行離子束之照射。
此外，對於離子束照射不足之部位再度照射離子束的樣態下，從停止位置向搬運方向搬運搬運托盤，藉此，可舉出對基板掃描離子束之樣態；以及向與搬運方向相反方向搬運搬運托盤至停止位置，藉此，對基板掃描離子束之樣態。此等樣態中，從停止位置向搬運方向搬運搬運托盤之樣態，因為將搬運托盤配置於停止位置之前，需要再度開始輸出離子束，所以，即使對於已經照射了離子束之位置，仍會再度照射不少離子束。
關於這一點，本發明之第五樣態，係藉由向與搬運方向相反方向搬運搬運托盤，進行發生輸出停止後之離子束的照射，因而，與從停止位置向搬運方向搬運搬運托盤之樣態比較，係在將離子束之輸出維持在 設定值的狀態下，對基板進行離子束之照射。藉此，即使離子束之輸出在照射中途停止，仍可抑制離子束之照射量在基板中從搬運方向之一端至另一端的偏差，並在基板中搬運方向之一端至另一端進行離子束的照射。
本發明之第六樣態，前述各個複數個指標係條碼，且在前述搬運托盤中從前述搬運方向之一端至另一端全體排列。
本發明之第六樣態係在搬運托盤上排列複數個條碼，且該複數個條碼在搬運托盤之搬運方向中從一端至另一端全體排列。此種樣態時，因為可從搬運托盤之一端至另一端獲得搬運托盤對拍攝位置之位置，所以即使是搬運托盤中之搬運方向的任何一個位置，均可更提高搬運托盤之位置的檢測精度。
本發明之第七樣態，係前述離子束照射部具備離子源，其係輸出離子束，前述位置檢測部對前述搬運托盤配置於與前述離子源之相反側。
按照本發明之第七樣態，因為對搬運托盤在與離子源之相反側配置有位置檢測部，所以被此種位置檢測部拍攝之指標亦自然而然對搬運托盤配置於與位置檢測部相同側。此種樣態時，由於係在搬運托盤中不照射離子束之側配置指標，因此亦可抑制因離子束之熱等而造成指標的外觀老化。所以抑制因指標之外觀老化導致離子束之照射位置的檢測精度降低。
本發明之第八樣態，係將前述位置檢測部配置於與前述離子源之照射位置不相對的位置。
按照本發明之第八樣態，因為在與離子源之照射位置不相對的位置配置位置檢測部，所以亦可抑制因離子束之熱等造成位置檢測部的拍攝機構之熱性老化。所以抑制因指標之外觀老化導致離子束之照射位置的檢測精度降低。
本發明之第九樣態，係前述離子束照射部之照射位置由在與前述搬運方向交叉之交叉方向所區分的相互接觸之第一照射位置與第二照射位置構成，前述離子束照射部具備：第一離子源，其係在前述第一照射位置照射離子束；及第二離子源，其係在前述第二照射位置照射離子束。
本發明之第九樣態，係離子束照射部之照射位置由第一照射位置與第二照射位置構成，且在第一照射位置與第二照射位置從不同之離子源進行離子束之照射。因而，由於係藉由複數個離子源進行對上述照射位置照射離子束，因此比使用單一離子源進行，可以更多樣之樣態進行對上述照射位置照射離子束。所以離子束容易以希望之照射量照設於上述照射區域內。
另一方面，離子束之照射位置由第一照射位置與第二照射位置構成，且存在此等之一部分重疊的重複區域時，對該重複區域之離子束照射量為來自第一離子源之照射量與來自第二離子源之照射量的和。因而，在上述照射位置內照射指定量之離子束時，來自第一離子源及第二離子源之離子束的照射樣態，需要考慮並設定另一方面離子源的離子束照射樣態。
關於這一點，上述本發明之第九樣態，因為係配置成第一照射位置與第二照射位置接觸，所以第一離子源及第二離子源中之離子束的照射樣態不需要考慮並設定上述之重複區域，換言之，可個別設定第一離子源及第二離子源中之離子束的照射樣態。所以第一離子源及第二離子源照射離子束之樣態更加簡易，亦可提高離子束照射工序之生產量。
本發明之第十樣態，係前述各個複數個指標為條碼，且前述搬運托盤具有2個由複數個前述條碼構成之條碼群，前述2個前述條碼群係以在前述交叉方向夾著前述第一照射位置與前述第二照射位置之方式配置，並且由前述第一照射位置側之第一條碼群與前述第二照射位置側之第二條碼群構成，前述位置檢測部由以下二個位置檢測部構成：第一位置檢測部，其係配置於與前述第一條碼群相互相對之位置，並拍攝前述第一條碼群；及第二位置檢測部，其係配置於與前述第二條碼群相互相對之位置，並拍攝前述第二條碼群；前述第一離子源輸出時，前述離子束照射部取得第二位置檢測部之檢測結果，前述第二離子源輸出時，前述離子束照射部取得第一位置檢測部之檢測結果。
本發明之第十樣態係搬運托盤具有：第一條碼群，其係設於搬運托盤中之第一照射位置側；及第二條碼群，其係設於搬運托盤中之第 二照射位置側。此外，在第一照射位置照射離子束時，進行條碼拍攝之第二位置檢測部讀取第一條碼群，另外，在第二照射位置照射離子束時，進行條碼拍攝之第一位置檢測部讀取第一條碼群。因而，可抑制從離子束照射部輸出之離子束在到達基板之前受到位置檢測部妨礙，換言之，可抑制從離子束照射部輸出之離子束照射於位置檢測部。所以，不致妨礙離子束對基板之照射，可提高離子束照射位置之檢測精度。
10‧‧‧離子束照射裝置
11‧‧‧裝卸室
12‧‧‧加載互鎖室
13‧‧‧緩衝室
14‧‧‧處理室
15‧‧‧閘型閥
21L‧‧‧第一離子源
21U‧‧‧第二離子源
22L‧‧‧第一輪廓計測部
22U‧‧‧第二輪廓計測部
23A‧‧‧第一條碼讀取部
23B‧‧‧第二條碼讀取部
23C‧‧‧第三條碼讀取部
23D‧‧‧第四條碼讀取部
31‧‧‧托盤框架
31a‧‧‧安裝孔
31b‧‧‧上部框架
31c‧‧‧下部框架
31d‧‧‧側部框架
32‧‧‧托盤磁鐵
33‧‧‧托盤滑塊
41‧‧‧搬運滾筒
42‧‧‧保持部
42M‧‧‧保持磁鐵
50‧‧‧主控制部
60‧‧‧馬達控制部
61D‧‧‧驅動電路
61E‧‧‧編碼器
61M‧‧‧搬運滾筒馬達
62D‧‧‧驅動電路
62E‧‧‧編碼器
62M‧‧‧切換馬達
70‧‧‧離子束控制部
70a‧‧‧記憶部
71D‧‧‧驅動電路
71S‧‧‧第一輸出感測器
72D‧‧‧驅動電路
72S‧‧‧第二輸出感測器
C1‧‧‧上部條碼群
C2‧‧‧下部條碼群
C1a‧‧‧條碼
C1b‧‧‧數值部
C1c‧‧‧空白部
R1‧‧‧去程
R2‧‧‧回程
S‧‧‧基板
SL‧‧‧下部區域
SU‧‧‧上部區域
T,T1,T2‧‧‧搬運托盤
TR‧‧‧切換部
第一圖(a)係顯示將離子束照射裝置予以具體化之一種實施形態的平面構造之平面圖，且以實線顯示收容於其內部之搬運托盤；第一圖(b)係顯示同一種實施形態之側面構造的側視圖，且同樣係以虛線顯示收容於其內部之搬運托盤的概略構成圖。
第二圖係與搬運托盤之側面構造一起顯示處理室的內部構造之構成圖。
第三圖(a)係放大顯示上部條碼之一部分的放大圖；第三圖(b)係顯示第一條碼讀取部從上部條碼讀取之資訊圖。
第四圖係顯示離子束照射裝置之電構成的區塊圖。
第五圖係顯示離子束照射處理之步驟的流程圖。
第六圖係顯示反搬運處理之步驟的流程圖。
第七圖(a)~(f)係依序顯示離子束照射處理時之搬運托盤的動作之作用圖。
第八圖(a)~(e)係依序顯示離子束照射處理時之搬運托盤的動作之作用圖。
第九圖(a)~(f)係依序顯示反搬運處理時之搬運托盤的動作之作用圖。
第十圖(a)~(c)係依序顯示反搬運處理時之搬運托盤的動作之作用圖。
第十一圖係放大顯示變形例中之上部條碼的一部分之放大圖。
以下，參照第一圖至第十圖說明將本發明之離子束照射裝置 予以具體化的一種實施形態。
[離子束照射裝置之全體構成]
首先，參照第一圖說明離子束照射裝置之全體構成。
如第一(a)圖所示，離子束照射裝置10中搭載裝卸室11、加載互鎖室12、緩衝室13及處理室14，此等室11~14分別經由閘型閥15而與相鄰之室連結。
離子束照射裝置10中相互平行地敷設去程R1即是從裝卸室11向處理室14延伸之搬運路徑、及回程R2即是從處理室14向裝卸室11延伸之搬運路徑。沿著去程R1及回程R2搬運形成矩形板狀之複數個搬運托盤T。
裝卸室11對放倒狀態之搬運托盤T安裝從外部搬入之處理前的基板S，而後，在使搬運托盤T豎起狀態下搬出至加載互鎖室12。此外，裝卸室11將從加載互鎖室12搬入之搬運托盤T形成放倒狀態，而後，從搬運托盤T取出處理後之基板S搬出外部。裝卸室11在大氣壓下進行對此種搬運托盤T裝卸基板S、及搬運托盤T之姿勢變更。
搬運托盤T具有形成與搬運路徑相互平行之上下一對的上部框架及下部框架。搬運托盤T豎起時，在保持基板S上端之上部框架中貼合顯示上部框架中之各部位的由複數個條碼構成的上部條碼群C1，另外，在保持基板S下端之下部框架中貼合顯示下部框架中之各部位的由複數個條碼構成之下部條碼群C2。條碼群C1,C2貼合在上部框架及下部框架中從搬運方向之一端至另一端的全體。條碼群C1,C2例如係在由聚酯等構成之膠帶上印刷複數個條碼者(參照第三(a)圖)。
加載互鎖室12在內部為大氣壓狀態下，沿著去程R1從裝卸室11搬入搬運托盤T，而後，在內部減壓狀態下，沿著去程R1將搬運托盤T搬出至緩衝室13。此外，加載互鎖室12在內部減壓狀態下，沿著回程R2從緩衝室13搬入搬運托盤T，而後在內部為大氣壓狀態下，沿著回程R2將搬運托盤T搬出至裝卸室11。
緩衝室13將內部形成與上述加載互鎖室12同等減壓狀態，沿著去程R1從加載互鎖室12搬入搬運托盤T，此外，沿著回程R2從處理 室14搬入搬運托盤T。
在處理室14中之去程R1的終端側，一對切換部TR搭載於去程R1與回程R2之間。切換部TR藉由使搬運至去程R1終端附近之搬運托盤T移動於回程R2之起端附近，而將搬運托盤T之搬運路徑從去程R1切換至回程R2。
處理室14中，延伸於室11~14之連結方向的上述搬運方向之2個側壁部中，在回程R2側之側壁部搭載有於處理室14內照射離子束之第一離子源21L。此外，在上述側壁部之比第一離子源21L靠近回程R2的起端側，同樣搭載有於處理室14內照射離子束之第二離子源21U。第一離子源21L與第二離子源21U例如離開搬運托盤T之搬運方向寬度部分而配置。此外，第一離子源21L配置於搭載其之側壁部的下側，另外第二離子源21U配置於搭載其之側壁部的上側。
另外，以下在處理室14內，將按照對搬運托盤T照射離子束之處理順序而搬運該搬運托盤T的方向，作為正方向。另外，將與對搬運托盤T照射離子束之處理順序相反地搬運該搬運托盤T的方向，作為反方向。換言之，在去程R1上搬運搬運托盤T時，向從緩衝室13離開之方向的搬運，係向正方向搬運，另外，在回程R2上搬運搬運托盤T時，向朝著緩衝室13之方向的搬運係向正方向搬運。而後，向此等相反方向之搬運係向反方向之搬運。另外，第一圖中之空心箭頭係表示上述向正方向之搬運者。
而後，第一離子源21L在真空槽之處理室14內的指定第一照射位置照射離子束，對安裝於搬運托盤T之基板S，通過搬運托盤T之搬運，而在該基板S中之下側一半部位的下部區域SL照射離子束。第二離子源21U在處理室14內之指定的第二照射位置照射離子束，對安裝於搬運托盤T之基板S，通過搬運托盤T之搬運，而在該基板S中之上側一半部位的上部區域SU照射離子束。此外，各個離子源21L,21U對安裝於在去程R1搬運之搬運托盤T上的基板S照射離子束，再者，對安裝於在回程R2搬運之搬運托盤T上的基板S照射離子束。換言之，各個離子源21L,21U對於安裝在同一個搬運托盤T上之1個基板S中相互不同的部位，以相互 不同的時序進行2次離子束照射。此外，離子源21L,21U對搬運中之搬運托盤T進行離子束照射後，基板S中之離子束的照射部位沿著搬運托盤T之搬運方向在基板S上相對移動。
如此，基板S由上部區域SU與下部區域SL構成，而且在上部區域SU與下部區域SL，從不同之離子源21L,21U以不同之時序進行2次離子束的照射。因而比對基板S從單一之離子源進行離子束之照射的情況，或對各區域SU,SL僅進行1次離子束的照射情況，可以更多樣之樣態對基板S進行離子束之照射。所以，離子束容易以希望之照射量照射於基板面內。此外，各區域SU,SL相互接觸，並且對各區域從不同之離子源21L,21U照射離子束。因而，與離子束之照射區域重複的構成比較，可個別設定各離子源21L,21U中之離子束的照射樣態部分，以各離子源21L,21U照射離子束的樣態更為簡易，亦可提高離子束照射工序之生產量。
另外，圖示在權宜上，離子源21L,21U均顯示於從處理室14離開之位置。但是實際上，離子源21L,21U係構成設置於處理室14外部之離子源經由離子束通過之通過路徑而連接於處理室14。
在處理室14內，計測第一離子源21L輸出之離子束的第一輪廓計測部22L，從平面觀察係以夾著去程R1及回程R2之方式與第一離子源21L相對而配置。此外，檢測第二離子源21U輸出之離子束的第二輪廓計測部22U，從平面觀察係以夾著去程R1及回程R2之方式與第二離子源21U相對而配置。第一輪廓計測部22L及第二輪廓計測部22U計測檢測出之離子束的輪廓，例如計測離子束之輸出分布等。
處理室14中，延伸於室11~14之連結方向的側壁部中，沿著去程R1側之側壁部，搭載讀取構成上部條碼群C1之各個複數個條碼的第一條碼讀取部23A。第一條碼讀取部23A在上述第一離子源21L、及第一離子源21L之第一照射位置，與平面觀察成為同一直線上之拍攝位置拍攝條碼。而後，當去程R1上之搬運托盤T到達第一照射位置時，第一條碼讀取部23A在其拍攝位置檢測上部條碼群C1之一端。如此，第一條碼讀取部23A構成在處理室14內之指定的拍攝位置，拍攝去程R1上之搬運托盤T的條碼之第二位置檢測部。
此外，處理室14中，讀取構成下部條碼群C2之各個複數個條碼的第二條碼讀取部23B，比上述側壁部中之第一條碼讀取部23A搭載於去程R1之終端側。第二條碼讀取部23B在上述第二離子源21U、及第二離子源21U之第二照射位置，與平面觀察成為同一直線上之拍攝位置拍攝條碼。而後，當去程R1上之搬運托盤T到達第二照射位置時，第二條碼讀取部23B在其拍攝位置檢測下部條碼群C2之一端。如此，第二條碼讀取部23B構成在處理室14內之指定的拍攝位置拍攝去程R1上之搬運托盤T的條碼之第一位置檢測部。
另外，圖示在權宜上，條碼讀取部23A,23B均顯示於從處理室14離開之位置。但是實際上，第一條碼讀取部23A係以沿著上述側壁部之內側面的方式，安裝於處理室14之上壁外側，另外，第二條碼讀取部23B係以沿著側壁部之內側面的方式，安裝於處理室14之底壁的外側。
再者，處理室14內，讀取構成下部條碼群C2之各個複數個條碼的第三條碼讀取部23C，搭載於平面觀察被上述去程R1與回程R2夾著的區域。第三條碼讀取部23C在上述第二離子源21U、及第二離子源21U之第二照射位置，與從平面觀察成為同一直線上之拍攝位置拍攝條碼。而後，當回程R2上之搬運托盤T到達第二照射位置時，第三條碼讀取部23C在其拍攝位置檢測下部條碼群C2之一端。如此，第三條碼讀取部23C構成在處理室14內之指定的拍攝位置拍攝回程R2上之搬運托盤T的條碼之第一位置檢測部。
此外，處理室14內，讀取構成上部條碼群C1之各個複數個條碼的第四條碼讀取部23D，搭載於平面觀察被上述去程R1與回程R2夾著的區域中回程R2的終端側。第四條碼讀取部23D在上述第一離子源21L、及第一離子源21L之第一照射位置，與平面觀察成為同一直線上之拍攝位置拍攝條碼。而後，當回程R2上之搬運托盤T到達第一照射位置時，第四條碼讀取部23D在其拍攝位置檢測上部條碼群C1之一端。如此，第四條碼讀取部23D構成在處理室14內之指定的拍攝位置拍攝回程R2上之搬運托盤T的條碼之第二位置檢測部。
另外，第三條碼讀取部23C與上述第二條碼讀取部23B同 樣安裝於處理室14底壁之外側，另外，第四條碼讀取部23D與上述第一條碼讀取部23A同樣安裝於處理室14上壁之外側。
詳細說明時，如第一(b)圖所示，第一離子源21L之照射位置，係在與上述搬運方向正交之高度方向區分基板S的2個區域中，重疊於下部區域SL中之高度方向全體的大小。檢測該離子束之上述第一輪廓計測部22L設置於與上述第一照射位置相互相對的位置。另外，第二離子源21U之第二照射位置，係在上述2個區域中，重疊於上部區域SU中之高度方向全體的大小。檢測該離子束之上述第二輪廓計測部22U設置於與上述第二照射位置相互相對的位置。
如此，在搬運托盤T上設置由複數個條碼構成之條碼群C1,C2，而且該條碼群C1,C2係在搬運托盤T之搬運方向，例如在正方向從前端連續至後端。因而，搬運托盤T對拍攝位置之位置從搬運托盤T之一端至另一端，並藉由各讀取部23A~23D而獲得。所以，在搬運搬運托盤T之方向的正方向及反方向兩個搬運方向，即使為搬運托盤T中之任何一個位置，仍可直接獲得搬運托盤T對拍攝位置之位置，可更加提高搬運托盤T中之位置的檢測精度。
此外，搬運托盤T具有作為設於基板S之上部區域SU側的第二條碼群之上部條碼群C1，與作為設於基板S之下部區域SL側的第一條碼群之下部條碼群C2。而後，在上部區域SU照射離子束時，作為第一位置檢測部之第二條碼讀取部23B及第三條碼讀取部23C讀取下部條碼群C2。另外，在下部區域SL照射離子束時，作為第二位置檢測部之第一條碼讀取部23A及第四條碼讀取部23D讀取上部條碼群C1。因而，從離子源21L,21U輸出之離子束不致受到條碼讀取部23A~23D之妨礙而到達基板S。所以，可在到達基板S之離子束的照射區域內抑制輸出之偏差。此外，因為可避免對條碼讀取部23A~23D照射離子束，所以可抑制因離子束之熱等造成條碼讀取部23A~23D的老化。
此種處理室14，在將內部比上述緩衝室13減壓狀態下，沿著去程R1從緩衝室13搬入搬運托盤T，並對安裝於搬運托盤T上之基板S照射離子束。此外，處理室14從去程R1向回程R2搬運搬運托盤T。而後， 處理室14對安裝於搬運托盤T上之基板S照射離子束後，將搬運托盤T沿著回程R2搬出至緩衝室13。
[搬運托盤之詳細構成]
參照第二圖更加詳細說明上述搬運托盤T及關於搬運托盤T之搬運的構成。另外，關於搬運托盤T之去程R1的構成與關於搬運托盤T之回程R2的構成，係與上述同樣之構成，因此，以下僅就關於搬運托盤T之去程R1的構成詳細作說明。第二圖中顯示處理室14之內部構成與在去程R1上搬運之搬運托盤T的構成中，從不照射上述離子束之側觀察的構成。
如第二圖所示，搬運托盤T之托盤框架31係具有與基板S概略同一形狀之安裝孔31a的四方形框體。托盤框架31由保持基板S之上端的上部框架31b、保持基板S之下端的下部框架31c、及保持基板S之側部的2個側部框架31d構成。其中，在上部框架31b中，包含上部框架31b之搬運方向全體貼合上部條碼群C1。此外，在下部框架31c中，包含下部框架31c中之搬運方向全體貼合下部條碼群C2。上部條碼群C1與下部條碼群C2貼合於托盤框架31中不照射離子束的面側。如此構成，由於不在各條碼群C1,C2上直接照射離子束，因此可抑制因離子束之熱等造成條碼老化。
保持於搬運托盤T之基板S，例如寬度W1係2200mm，高度H係2400mm，此外，各側部框架31d之寬度W2例如係250mm。因而，上部條碼群C1及下部條碼群C2中包含之各條碼，係顯示距離貼合其之框架中的一端之部位的指標，且顯示0mm至2700mm的任何一個數值，換言之，係顯示搬運托盤T在搬運方向的絕對位置。例如，顯示0mm之條碼貼合在搬運托盤T中之正方向的前端，另一方顯示2700mm之條碼貼合在搬運托盤T中之正方向的後端。而後，當搬運托盤T到達離子束之照射位置時，藉由第一條碼讀取部23A進行上部條碼群C1之拍攝。因而，從條碼顯示之位置，亦即從搬運托盤T對拍攝位置之位置減去側部框架31d之寬度W2的250mm之值，係在基板S上之照射部位。
如此，具備拍攝單一定義基板S中之離子束照射位置的上 部條碼群C1之第一條碼讀取部23A。因而，抑制在基板S中之實際照射部位與檢測此部位之位置檢測部的檢測結果中產生偏移。所以可提高掌握基板S上之照射位置的精度。
在搬運托盤T中之上側端面安裝有托盤磁鐵32，此外，在該搬運托盤T中之下側端面安裝有圓柱狀之托盤滑塊33。
在處理室14之底面側，沿著上述去程R1配置有複數個搬運滾筒41。各個搬運滾筒41具有與上述托盤滑塊33之寬度概略相同的厚度，並且在搬運滾筒41之周方向端面形成有保持托盤滑塊33之溝部。此外，在搬運滾筒41上連結使搬運滾筒41旋轉之搬運滾筒馬達，搬運滾筒41藉由搬運滾筒馬達之旋轉而旋轉。搬運滾筒馬達係可在正方向或反方向旋轉的馬達，搬運滾筒馬達藉由切換旋轉方向而切換搬運滾筒之旋轉方向。
換言之，將搬運托盤T沿著去程R1而正方向搬運時，複數個搬運滾筒41在同一方向旋轉，藉此，托盤滑塊33進而搬運托盤T在正方向搬運。此外，將搬運托盤T沿著去程R1在上述反方向搬運時，複數個搬運滾筒41在與上述相反之方向旋轉，藉此，反方向搬運搬運托盤T。
在處理室14之上壁部搭載有在與搬運滾筒41相對之側的端部具有保持磁鐵42M的複數個保持部42。保持磁鐵42M藉由與到達該保持磁鐵42M下方之上述托盤磁鐵32相互作用，維持沿著去程R1搬運之搬運托盤T的姿勢。搬運托盤T沿著去程R1搬運時，例如從對處理室14之底壁垂直的狀態，維持在以指定之角度，例如3°程度倒向與上述離子源21L,21U之相反側的狀態。因而，藉由對基板S照射離子束，即使該基板S振動，仍比在使搬運托盤T對處理室14之底壁部正交的狀態下搬運，基板S不易從搬運托盤T脫落。
另外，關於在加載互鎖室12及緩衝室13之去程R1及回程R2中搬運搬運托盤T之構成，與從設於上述處理室14內之構成省略保持部42的構成同樣。
[條碼之詳細構成]
參照第三圖詳細說明貼合於上述搬運托盤T之條碼群C1,C2。另外，上部條碼群C1與下部條碼群C2雖然貼合之位置相互不同，不 過關於顯示托盤框架31之部位的構成同樣，因此，以下使用上部條碼群C1之一部作說明。此外，第三圖中顯示從第一條碼讀取部23A側觀察上部條碼群C1之構成。
如第三(a)圖所示，上部條碼群C1具有複數個條碼C1a。在各條碼C1a之下方印刷顯示從上部框架31b之正方向的前端至貼合該條碼C1a之部位的長度之數值部C1b。各條碼C1a之周圍藉由空白部C1c包圍。
讀取此種上部條碼群C1之第一條碼讀取部23A及第四條碼讀取部23D具有以指定之周期拍攝上部條碼群C1的拍攝部，從藉由拍攝部獲得之上部條碼群C1的影像檢測搬運托盤T對拍攝位置之位置。
藉由拍攝部獲得之影像包含第三(a)圖所示之「000183」，亦即顯示係在從上述上部框架31b之一端起183mm的位置之條碼C1a，及該條碼C1a兩側之一部分時，條碼讀取部23A,23D將該影像變換成第三(b)圖所示之2值資料。條碼讀取部23A,23D將此種2值資料加以解碼，以上述之指定周期檢測從上部框架31b正方向之前端至拍攝位置的長度，亦即搬運托盤T對拍攝位置之位置。另外，藉由檢測從正方向前端至拍攝位置之長度，亦可檢測從反方向之前端至拍攝位置的長度。換言之，可檢測包含正方向及反方向之搬運方向的一端至拍攝位置的長度。
另外，讀取上述下部條碼群C2之第二條碼讀取部23B及第三條碼讀取部23C的構成，雖然在處理室14中之搭載場所不同，不過與上述第一條碼讀取部23A及第四條碼讀取部23D同樣。
如上述檢測絕對位置之所謂絕對型線性編碼器中，例如已知有電磁感應式之線性編碼器。電磁感應式之線性編碼器具備刻有刻度之條帶等標尺、及邊改變對標尺之位置邊檢測刻度的讀取部，讀取部在與標尺之距離不為數mm程度之範圍時，無法檢測刻度。
此時，在對處理室14之底壁部概略正交的狀態下搬運搬運托盤T情況下，藉由搬運托盤T沿著與搬運方向概略正交之方向搖動，安裝於搬運托盤T之標尺與讀取部之距離改變。因為讀取部可檢測之範圍如上述係數mm程度，所以藉由搬運托盤T搖動，安裝於搬運托盤T之標尺與讀取部之距離容易超過讀取部可檢測之範圍。所以電磁感應式之線性編 碼器檢測之距離的可靠性降低。
此外，因為必須將讀取部配置於真空狀態之處理室14內，所以讀取部中需要使放出之氣體量不超過指定量，且不致附著微粒子之粒子等。
對於此，本實施形態之條碼讀取部23A~23D與標尺之條碼群C1,C2不接觸，且係使用拍攝部之光學式的線性編碼器。因而與電磁感應式之線性編碼器比較，藉由條碼讀取部23A~23D可檢測條碼C1a之距離增大，如上述，即使搬運托盤T搖動，仍可檢測條碼C1a。所以，按照本實施形態之條碼讀取部23A~23D與條碼群C1,C2時，可檢測絕對位置，並可提高檢測距離之可靠性。
此外，係將條碼讀取部23A~23D設置於處理室14外，條碼群C1,C2對條碼讀取部23A~23D之位置藉由條碼群C1,C2移動而改變。因而，藉由使用條碼讀取部23A~23D，沒有使用電磁感應式之線性編碼器時的限制，而可檢測絕對位置。
[離子束照射裝置之電構成]
參照第四圖說明離子束照射裝置10之電構成。另外。第四圖中係顯示電構成中關於上述處理室14進行之離子束的照射及搬運托盤T之搬運的構成。以下，進行此種構成之說明，而省略關於其他電構成，例如處理室14以外之室11,12,13進行之搬運托盤T的搬運及各閘型閥15之開關的構成之說明。
搭載於離子束照射裝置10之主控制部50，主要以具有中央處理裝置(CPU)、非揮發性記憶體(ROM)及揮發性記憶體(RAM)之微電腦構成。主控制部50依據記憶於上述ROM及RAM之各種資料及程式，進行關於離子束照射裝置10之動作的各種控制。
主控制部50上連接搭載於處理室14內之各種馬達，特別是連接控制進行搬運托盤T搬運之馬達的驅動之馬達控制部60。馬達控制部60上連接旋轉驅動連接於上述搬運滾筒41之搬運滾筒馬達61M的驅動電路61D、及檢測搬運滾筒馬達61M之旋轉位置的編碼器61E。馬達控制部60依據從主控制部50輸入之驅動指令、及從編碼器61E輸入之旋轉位置， 生成位置指令，並且將該位置指令輸出至驅動電路61D。
驅動電路61D依據從馬達控制部60輸入之位置指令，生成搬運滾筒馬達61M之驅動電流，並且將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。藉由搬運滾筒馬達61M依輸入之驅動電流旋轉，而使上述搬運滾筒41自轉。驅動電路61D及編碼器61E對各搬運滾筒馬達61M而設置。
馬達控制部60在從編碼器61E輸入之旋轉位置對位置指令之偏差在指定值以下時，生成顯示依據上述驅動指令驅動搬運滾筒馬達61M完成之完成信號，並且將該完成信號輸出至主控制部50，等待來自主控制部50之進一步驅動指令。
此外，馬達控制部60上連接旋轉驅動上述切換部TR具備之切換馬達62M的驅動電路62D、及檢測切換馬達62M之旋轉位置的編碼器62E。馬達控制部60依據從主控制部50輸入之驅動指令、及從編碼器62E輸入之旋轉位置，算出位置指令，並且將該位置指令輸出至驅動電路62D。
驅動電路62D依據從馬達控制部60輸入之位置指令，生成切換馬達62M之驅動電流，並且將該驅動電流輸出至切換馬達62M。切換馬達62M依輸入之驅動電流旋轉，而驅動上述切換部TR。另外，驅動電路62D及編碼器62E對構成切換部TR之各個複數個馬達設置。
馬達控制部60在從編碼器62E輸入之旋轉位置對位置指令的偏差為指定值以下時，生成顯示依據上述驅動指令驅動切換馬達62M完成之完成信號，並且將該完成信號輸出至主控制部50。等待來自主控制部50之進一步驅動指令。另外，藉由馬達控制部60、驅動電路61D、搬運滾筒馬達61M、搬運滾筒41及編碼器61E構成搬運部。
此外，主控制部50上連接控制離子源21L,21U之驅動的離子束控制部70。離子束控制部70上連接使第一離子源21L輸出離子束之驅動電路71D、檢測第一離子源21L之輸出的第一輸出感測器71S及上述第一輪廓計測部22L。
離子束控制部70依據從主控制部50輸入之驅動指令以及從第一輪廓計測部22L輸入之計測資料生成輸出指令，並且將該輸出指令輸 出至驅動電路71D。另外，第一輪廓計測部22L依離子束之強度分布等的計測結果生成計測資料，並且將該計測資料輸出至離子束控制部70。
驅動電路71D依據從離子束控制部70輸入之輸出指令生成第一離子源21L之驅動電流，並且將該驅動電流輸出至第一離子源21L。第一離子源21L依所輸入之驅動電流輸出離子束。
離子束控制部70於依據上述驅動指令驅動第一離子源21L完成時，生成完成信號，並且將該完成信號輸出至主控制部50，等待來自主控制部50之進一步驅動指令。
上述第一輸出感測器71S，例如係檢測流經第一離子源21L之燈絲(Filament)的電流之感測器。第一輸出感測器71S於檢測出之電流值未達指定之設定值時，生成表示離子束之輸出停止內容的輸出停止信號，並且將該輸出停止信號輸出至離子束控制部70。
離子束控制部70上連接讀取上述搬運托盤T之上部條碼群C1的第一條碼讀取部23A、及同樣讀取上部條碼群C1之第四條碼讀取部23D。第一條碼讀取部23A及第四條碼讀取部23D從在拍攝位置所拍攝之上部條碼群C1的一部分檢測上述絕對位置，並且以指定之拍攝周期生成依該絕對位置之位置資料，而將該位置資料輸出至離子束控制部70。第一輸出感測器71S輸出輸出停止信號時，在輸出該輸出停止信號之拍攝周期的位置資料記憶於離子束控制部70具有之記憶部70a。亦即，輸入離子束控制部70之位置資料，係在與第一輸出感測器71S之檢測結果相對應的狀態下記憶於記憶部70a。
離子束控制部70上連接使第二離子源21U輸出離子束之驅動電路72D、檢測第二離子源21U之輸出的第二輸出感測器72S、及上述第二輪廓計測部22U。
離子束控制部70依據從主控制部50輸入之驅動指令以及從第二輪廓計測部22U輸入之計測資料生成輸出指令，並且將該輸出指令輸出至驅動電路72D。另外，第二輪廓計測部22U生成與上述第一輪廓計測部22L同樣之計側資料，並且將該計測資料輸出至離子束控制部70。
驅動電路72D依據從離子束控制部70輸入之輸出指令，生 成第二離子源21U之驅動電流，並且將該驅動電流輸出至第二離子源21U。第二離子源21U依所輸入之驅動電流輸出離子束。
離子束控制部70於依據上述驅動指令驅動第二離子源21U完成時，生成完成信號，並且將該完成信號輸出至主控制部50，等待來自主控制部50之進一步驅動指令。
上述第二輸出感測器72S例如係檢測流經第二離子源21U之燈絲的電流之感測器。第二輸出感測器72S於檢測出之電流值未達指定之設定值時，生成表示離子束之輸出停止內容的輸出停止信號，並且將該輸出停止信號輸出至離子束控制部70。
離子束控制部70上連接讀取上述搬運托盤T之下部條碼群C2的第二條碼讀取部23B、及同樣讀取下部條碼群C2之第三條碼讀取部23C。第二條碼讀取部23B及第三條碼讀取部23C從在拍攝位置所拍攝之下部條碼群C2的一部分之上述絕對位置，並且依該絕對位置生成位置資料，而將該位置資料輸出至離子束控制部70。第二輸出感測器72S輸出輸出停止信號時，在輸出該輸出停止信號之拍攝周期的位置資料記憶於離子束控制部70具有之記憶部70a。亦即，輸入離子束控制部70之位置資料係以與第二輸出感測器72S之輸出結果相對應的狀態記憶於記憶部70a。
如此，在控制離子束之驅動的離子束控制部70上，連接檢測搬運托盤T對拍攝位置之位置的條碼讀取部23A~23D。因而，顯示是否以希望之輸出輸出離子束的資料，與搬運托盤T對拍攝位置之位置，亦即關於照射離子束之部位的資料，以指定之拍攝周期輸入同一個控制部中。所以，比將此等資料輸入個別之控制部時，可縮小離子束停止時搬運托盤T對拍攝位置之位置，亦即停止位置，與該離子束照射位置之偏移。
另外，藉由離子束控制部70、離子源21L,21U、驅動電路71D,72D及輸出感測器71S,72S構成離子束照射部。此外，藉由輸出感測器71S,72S構成輸出檢測部，藉由離子束控制部70構成取得部。
[離子束照射裝置之作用]
參照第五圖至第十圖說明離子束照射裝置10進行之動作中，關於以上述處理室14進行之離子束照射的動作。另外，在緩衝室13 中之搬運托盤T的搬運動作、閘型閥15之開關動作、及從緩衝室13向處理室14搬入搬運托盤T之動作等，係在以下說明之離子束照射處理之前，按照其他處理流程進行。此外，離子源21L,21U對基板S進行離子束之照射時，將發生離子束意外停止時等，而從上述輸出感測器71S,72S輸出輸出停止信號時作為異常停止時，另外，將不發生該停止時作為正常照射時。此外，第七圖至第十圖中，以空心箭頭顯示向搬運托盤T1,T2之正方向的搬運。而第九圖係以實心箭頭顯示向搬運托盤T1之反方向的搬運。
[正常照射時]
開始離子束照射處理時，搬運托盤T係在處理室14內之指定停止位置停止的狀態。此外，在處理室14內收容有1個或2個搬運托盤T(參照第七(a)圖)。另外，以下係以對安裝於後續之搬運托盤T2的處理前之基板S，藉由第一離子源21L進行離子束照射處理的情況為例作說明。此外，此時亦進行對於之前安裝於搬運托盤T1的基板S從第二離子源21U照射離子束。對該搬運托盤T1之離子束照射處理，係按照用於進行與以下說明之離子束照射處理同樣的處理之其他處理流程進行。
離子束照射處理時，首先，藉由主控制部50生成對離子束控制部70之驅動指令，並輸出該驅動指令，離子束控制部70依據驅動指令生成輸出指令，並將該驅動指令輸出至驅動電路71D。而後，驅動電路71D依據輸出指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至第一離子源21L，而開始從第一離子源21L照射下側離子束BL(步驟S101)(參照第七(b)圖)。
開始照射下側離子束BL時，第一輪廓計測部22L依檢測出之下側離子束BL生成計測資料，並將該計測資料輸出至離子束控制部70。以依輸出指令之指定輪廓輸出下側離子束BL時(步驟S102：是)，離子束控制部70生成顯示已調整離子束之輸出的完成信號，並將該完成信號輸出至主控制部50。
離子束控制部70除了輸出上述完成信號之外，在指定時間內亦輸出顯示第二離子源21U輸出之上側離子束BU調整完成的信號時(步驟S103：是)，主控制部50生成用於在正方向搬運搬運托盤T之驅動指令， 並將該驅動指令輸出至馬達控制部60。馬達控制部60依據所輸入之驅動指令與來自編碼器61E之旋轉位置生成位置指令，並將該位置指令輸出至驅動電路61D時，驅動電路61D依位置指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。藉此，開始搬運搬運托盤T2(步驟S104)。此時，同樣亦開始向正方向搬運搬運托盤T1。
另外，搬運滾筒馬達61M之驅動，係從設置於去程R1起端側之搬運滾筒41的搬運滾筒馬達61M開始。而後，該搬運滾筒馬達61M旋轉至預定之指定的旋轉位置時，開始驅動鄰接設置於去程R1終端側之搬運滾筒41的搬運滾筒馬達61M。此外，各搬運滾筒馬達61M之驅動在進行至指定旋轉位置，例如進行至搬運滾筒41不與托盤滑塊33接觸之旋轉位置時停止。如此，搬運滾筒馬達61M之驅動從去程R1之起端側依序進行，搬運托盤T2則在從去程R1之起端側向終端側的正方向搬運。
搬運搬運托盤T2，當顯示距離搬運托盤T2之上部條碼群C1在正方向的前端，例如搬運托盤T之前端的長度係0mm的條碼，到達第一條碼讀取部23A之拍攝位置時，開始拍攝上部條碼群C1，換言之開始檢測搬運托盤T2對拍攝位置之位置(步驟S105)(參照第七(c)圖)。
第一條碼讀取部23A開始拍攝上部條碼群C1時，亦對搬運托盤T2照射離子束。此時，藉由第一條碼讀取部23A檢測出顯示距離搬運托盤T之上述前端的距離係250mm的條碼時，開始對基板S照射下側離子束BL。
而後，在維持從第一離子源21L照射下側離子束BL之狀態下，藉由第一條碼讀取部23A檢測顯示距離搬運托盤T之前端的長度係2700mm的條碼(步驟S106：是、步驟S107：是)。其次，離子束控制部70生成用於使第一離子源21L之輸出停止的輸出指令，並將該信號輸出至驅動電路71D。驅動電路71D依據所輸入之輸出指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至第一離子源21L。第一離子源21L藉由所輸入之驅動電流停止下側離子束BL之輸出(步驟S108)。而後，當第一輸出感測器71S將顯示第一離子源21L之輸出電流係0A的信號輸入離子束控制部70時，離子束控制部70生成顯示依上述驅動指令照射離子束完成之完成信號，並 將該完成信號輸出至主控制部50，等待進一步之驅動指令。
停止照射下側離子束BL時，主控制部50生成將搬運托盤T2在正方向搬運指定距離程度後停止該搬運用之驅動指令，並將該指令輸出至馬達控制部60。上述指定距離，例如設定成該指定距離程度搬運之搬運托盤T2係位於第一離子源21L之照射位置與第二離子源21U的照射位置之間的距離。
馬達控制部60依據上述驅動指令與來自編碼器61E之旋轉位置生成位置指令，並將該位置指令輸出至驅動電路61D。而後，驅動電路61D依據所輸入之位置指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。搬運滾筒馬達61M依驅動電流進行旋轉。
從編碼器61E輸入之旋轉位置對上述位置指令的偏差未達指定值時，馬達控制部60生成使搬運滾筒馬達61M停止旋轉用之位置指令，並將該位置指令輸出至驅動電路61D。驅動電路61D依據所輸入之位置指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。藉此，停止搬運滾筒馬達61M之旋轉，而搬運托盤T2之搬運結束(步驟S109)。
此時，搬運托盤T2之搬運結束時，當顯示第二離子源21U輸出停止之信號輸入主控制部50時(步驟S110：否)，主控制部50生成使搬運托盤T2向正方向再度開始搬運延遲指定期間程度用的驅動指令，並將該驅動指令輸出至馬達控制部60。馬達控制部60依據驅動指令與來自編碼器61E之旋轉位置生成位置指令，並將該位置指令輸出至驅動電路61D。驅動電路61D依據位置指令生成驅動電流，並將該位置指令輸出至搬運滾筒馬達61M。搬運滾筒馬達61M依所輸入之驅動電流成為在指定位置停止旋轉的狀態。藉此，搬運托盤T2成為在搬運處理之結束位置待機的狀態(步驟S151)。所謂搬運停止持續之時間，換言之待機時間，係以下說明之異常停止時反搬運處理完成前的時間。藉此，主控制部50暫時結束離子束照射處理。
另外，從處理室14搬出搬運托盤T2時，除了上述下側離子束BL第一次照射之外，對搬運托盤T2依序進行上側離子束BU第一次照射、上側離子束BU第二次照射及下側離子束BL第二次照射。而且在各 離子束照射中，雖然驅動對象之離子源21L,21U或搬運滾筒馬達61M等不同，均按照與上述同樣之處理流程進行離子束照射處理。
詳述於下，進行第一次上側離子束BU之照射時，如第七(d)圖至第七(f)圖所示，首先，計測從第二離子源21U輸出之上側離子束BU的輪廓。其次，藉由朝向去程R1之終端側正方向搬運搬運托盤T2，而在基板S之上部區域SU照射上側離子束BU。另外，第一次照射上側離子束BU，係搬運至去程R1終端側之搬運托盤T2藉由切換部TR配置於回程R2上之後，該搬運托盤T2之搬運結束。此時，按照其他處理流程進行搬運托盤T1之搬出處理、搬運托盤T2之搬入處理及閘型閥15之開關處理。
其次，進行第二次上側離子束BU之照射時，如第八(a)圖及第八(b)圖所示，首先，計測從第二離子源21U輸出之上側離子束BU的輪廓。其次，藉由向回程R2之終端側正方向搬運搬運托盤T2，而在基板S之上部區域SU上照射上側離子束BU。
而後，進行第二次下側離子束BL之照射時，如第八(c)圖至第八(e)圖所示，首先，計測從第一離子源21L輸出之下側離子束BL的輪廓。而後，藉由向回程R2之終端側正方向搬運搬運托盤T2，而在基板S之下部區域SL照射下側離子束BL。
[異常停止時]
如上述，當搬運托盤T2到達第一離子源21L之照射位置時，開始對安裝於搬運托盤T2之基板S照射下側離子束BL(參照第九(a)圖)。而後，在搬運托盤T2橫過第一離子源21L之照射位置間，下側離子束BL之照射停止時(參照第九(b)圖)，第一輸出感測器71S生成對第一離子源21L之輸出停止信號，並對離子束控制部70輸出該信號。
離子束控制部70依據上述輸出停止信號之輸入，生成顯示第一離子源21L之輸出異常停止的異常停止信號，並將該異常停止信號輸出至主控制部50(步驟S106：否)。藉此，上述處理室14係進行反搬運處理(步驟S141)。
以下，參照第六圖說明向反方向搬運搬運托盤T2之反搬運處理。另外，以下係正常進行對搬運托盤T1照射上側離子束者。
離子束控制部70在從第一輸出感測器71S輸入上述輸出停止信號時，將在輸入該信號之拍攝周期的位置資料，作為下側離子束BL之照射停止的停止位置而記憶(步驟S201)。
其次，主控制部50與第一離子源21L之照射係正常時同樣的，生成使搬運托盤T2搬運至該搬運處理之結束位置用的驅動指令，並將該驅動指令輸出至馬達控制部60。馬達控制部60依據驅動指令與來自編碼器61E之旋轉位置生成位置指令，並輸出至驅動電路61D，驅動電路61D依據位置指令生成驅動電流。驅動電路61D將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M，藉此搬運滾筒馬達61M依驅動電流而旋轉。
在正方向搬運搬運托盤T2至搬運處理之結束位置時，停止搬運搬運托盤T2(步驟S202)(參照第九(c)圖)。此時，主控制部50與之前步驟S151同樣的，生成使搬運托盤T1在結束位置待機用的驅動指令，並將該驅動指令輸出至馬達控制部60。
其次，主控制部50對離子束控制部70生成從第一離子源21L輸出下側離子束BL用之驅動指令，並將該驅動指令輸出至離子束控制部70。離子束控制部70依據驅動指令生成輸出指令，並輸出該輸出指令至上述驅動電路71D，驅動電路71D依輸出指令生成驅動電流，並輸出至第一離子源21L。第一離子源21L依驅動電流輸出下側離子束BL(步驟S203)(參照第九(d)圖)。
輸出下側離子束BL時，與之前步驟S102或步驟S121同樣的，調整下側離子束BL之輸出輪廓，藉此，離子束控制部70生成顯示輸出調整完成之完成信號，並將該完成信號輸出至主控制部50，等待進一步之驅動指令(步驟S204：是)。
輸入完成信號時，主控制部50生成用於在反方向搬運搬運托盤T2之驅動指令，並將該驅動指令輸出至馬達控制部60。馬達控制部60依據所輸入之驅動指令與來自編碼器61E之旋轉位置生成位置指令，並輸出至驅動電路61D，驅動電路61D依據所輸入之位置指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。藉此，沿著去程R1在反方向搬運搬運托盤T2(步驟S205)(參照第九(e)圖)。
而後，當顯示搬運托盤T在正方向距離前端之長度係2700mm的條碼到達上述第一條碼讀取部23A之拍攝位置時，與上述步驟S105同樣的，進行上述上部條碼群C1之拍攝與搬運托盤T對拍攝位置之位置的檢測(步驟S206)。另外，步驟S105係第一條碼讀取部23A從顯示距離搬運托盤T之一端的長度係0mm的條碼，朝向顯示距離搬運托盤T之一端長度係2700mm的條碼進行拍攝。相對於此，步驟S206係第一條碼讀取部23A從顯示距離搬運托盤T之上述前端的長度係2700mm的條碼向顯示係0mm之條碼進行拍攝。
此時，離子束控制部70進行第一條碼讀取部23A所檢測之搬運托盤T的位置、與在上述步驟S201記憶於記憶部70a之停止位置的比較(步驟S207)(參照第九(f)圖)。而後，所記憶之停止位置與搬運托盤對拍攝位置之位置一致時，離子束控制部70生成停止從第一離子源21L輸出離子束用的輸出指令，而後，將該輸出指令輸出至驅動電路71D。驅動電路71D依據所輸入之輸出指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至第一離子源21L。第一離子源21L藉由所輸入之驅動電流停止離子束之輸出(步驟S208)。
停止輸出離子束，顯示第一離子源21L之輸出電流係0A的信號從第一輸出感測器71S輸入離子束控制部70時，離子束控制部70生成顯示離子束之照射完成的完成信號，並將該信號輸出至主控制部50，等待進一步之驅動指令。主控制部50依據所輸入之完成信號，生成用於使搬運托盤T2在反方向搬運指定距離程度後停止的驅動指令，並將該驅動指令輸出至上述馬達控制部60。另外，上述所謂指定距離，係搬運該指定距離程度之搬運托盤T2比第一離子源21L之照射位置靠近閘型閥15側的距離。
而後，馬達控制部60依據所輸入之驅動指令與來自編碼器61E之旋轉位置生成位置指令，並將該位置指令輸出至驅動電路61D，驅動電路61D依據所輸入之位置指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。搬運滾筒馬達61M依所輸入之驅動電流進行旋轉，搬運搬運托盤T2至上述指定位置後，在該指定位置停止(步驟S209)(參照第十(a)圖)。
從編碼器61E輸入馬達控制部60之旋轉位置對上述位置指令的偏差未達指定值時，馬達控制部60生成使搬運滾筒馬達61M旋轉停止用之位置指令，並將該位置指令輸出至驅動電路61D。驅動電路61D依據所輸入之位置指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。藉此，停止搬運滾筒馬達61M之旋轉。此外，馬達控制部60生成依上述驅動指令驅動搬運滾筒馬達61M完成的完成信號，並將該完成信號輸出至主控制部50，等待進一步之驅動指令。
繼續，主控制部50依據完成信號之輸入，生成用於將搬運托盤T2朝向去程R1之終端側在正方向搬運指定距離程度的驅動指令，並將該驅動指令輸出至馬達控制部60。
馬達控制部60依據所輸入之驅動指令與來自編碼器61E之旋轉位置，生成位置指令，並將該位置指令輸出至驅動電路61D。驅動電路61D依據所輸入之位置指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至搬運滾筒馬達61M。搬運滾筒馬達61M依據所輸入之驅動電流，在與上述反搬運(步驟S205~步驟S209)相反方向旋轉，藉此，沿著去程R1在正方向搬運搬運托盤T2(步驟S210)(參照第十(b)圖)。另外，上述所謂指定距離，係搬運該指定距離程度之搬運托盤T2在去程R1的第一照射位置與第二照射位置之間，換言之，係搬運至與停止在回程R2上之搬運托盤T1相對的位置之距離。藉此，搬運托盤T2搬運至上述位置後，在該位置停止(步驟S211)(參照第十(c)圖)。
編碼器61E對馬達控制部60輸出之旋轉位置，對上述位置指令的偏差未達指定值時，馬達控制部60生成顯示依上述驅動指令驅動搬運滾筒馬達61M完成的完成信號，並將該完成信號輸出至主控制部50。藉此，主控制部50暫時結束搬運托盤T2之反搬運處理。
另外，以上係說明在第一離子源21L對去程R1上之搬運托盤T2照射下側離子束BL的中途，該下側離子束BL之輸出停止的情況。但是，此種反搬運處理亦可在去程R1上對搬運托盤T2照射上側離子束BU、在回程R2上對搬運托盤T1照射上側離子束BU、及對回程R2上之搬運托盤T1照射下側離子束BL在其中途停止的情況。此時，對搬運托盤 T照射離子束之離子源21L,21U、拍攝之條碼群C1,C2、拍攝條碼之條碼讀取部23A~23D、或是搬運托盤T之搬運路徑等雖然不同，不過均以與上述同樣的步驟進行反搬運處理。此外，對2個搬運托盤T1,T2照射離子束均異常停止情況下，係同時對各搬運托盤T1,T2進行反搬運處理。
如此，離子束之照射位置在基板S上於相對移動中停止時，記憶搬運托盤T對其拍攝周期檢測出之拍攝位置的位置作為停止位置。而後，搬運搬運托盤T至不照射離子束之區域後，再度開始照射離子束。其後，開始向與之前照射離子束時的反方向搬運搬運托盤T及基板S，在搬運托盤T對拍攝位置之位置到達上述停止位置時，停止照射離子束。
藉由此種反搬運處理，可對不進行離子束照射之區域照射離子束。而且，由於輸出停止後之離子束的照射係在確認離子束輪廓後，藉由反方向搬運來進行，因此比藉由正方向搬運來進行之情況，係在將離子束維持在指定輸出的狀態下，對基板S進行離子束照射。藉此，即使離子束之照射在中途停止，仍可抑制離子束在基板S面內之照射量的偏差，而在基板S之搬運方向全體進行離子束照射。
[離子束輪廓異常時]
另外，在上述離子束照射處理中，未依輸出指令對應的指定之輪廓輸出離子束時(步驟S102：否)，離子束控制部70依據從主控制部50輸入之驅動指令與來自第一輸出感測器71S之計測資料，再度生成輸出指令，並將該輸出指令輸出至驅動電路61D。驅動電路61D依據輸出指令生成驅動電流，並將該驅動電流輸出至第一離子源21L，而後第一離子源21L輸出離子束。如此依據變更之驅動電流開始照射離子束時，第一輪廓計測部22L將該變更後之離子束的計測資料輸出至離子束控制部70。
離子束控制部70比較變更驅動電流前後之計測資料，計測資料只變更了預設之指定值時，視為可調整離子束之輪廓(步驟S121：是)，再度比較離子束之輸出輪廓與依驅動指令之指定輪廓(步驟S102)。另外，無法調整離子束之輪廓情況下(步驟S121：否)，離子束控制部70生成顯示無法調整輪廓之錯誤信號，並將該錯誤信號輸出至主控制部50(步驟S122)。而後，主控制部50暫時結束離子束照射處理。
此外，即使第一離子源21L之輸出調整完成(步驟S102：是)，但是第二離子源21U之輸出調整並非在指定時間內完成時(步驟S103：否、步驟S131：是)，主控制部50暫時結束離子束照射處理。
即使在上述反搬運處理中，仍與上述離子束照射處理同樣的，並未依輸出指令對應的指定之輪廓輸出離子束時(步驟S204：否)，離子束控制部70依據從主控制部50輸入之驅動指令與來自第一輸出感測器71S之計測資料，再度生成輸出指令，並將該輸出指令輸出至驅動電路61D。驅動電路61D依據如此變更之輸出指令生成驅動電流，並輸出至第一離子源21L，第一離子源21L依該驅動電流進行輸出。藉此，離子束之輪廓可調整時(步驟S221：是)，持續至離子束之輪廓成為指定之輪廓。反之，離子束無法調整情況下，離子束控制部70生成顯示輪廓無法調整之錯誤信號，並將該錯誤信號輸出至主控制部50(步驟S222)。輸入錯誤信號時，主控制部50暫時結束反搬運處理。
如以上之說明，按照上述實施形態可獲得以下列舉之效果。
(1)藉由拍攝顯示搬運托盤T中之部位的各個複數個條碼C1a，檢測搬運托盤T對拍攝位置之位置。此時，拍攝條碼C1a之拍攝位置與照射離子束之照射位置的相對關係，在搬運搬運托盤T之期間亦持續維持指定之關係。因而，每次藉由條碼讀取部23A~23D檢測搬運托盤T上之條碼C1a時，均可檢測照射位置對搬運托盤T之相對位置。而與從搬運搬運托盤之搬運部的驅動量等檢測搬運托盤之位置的樣態比較，可直接檢測對搬運托盤T之照射位置。結果，即使構成搬運搬運托盤T之搬運部的搬運滾筒41與搬運托盤T產生偏移時，仍可抑制因此種偏移產生檢測位置之誤差。進而可提高對保持於搬運托盤T之基板S照射位置的檢測精度。
(2)因為將條碼讀取部23A~23D之檢測結果與輸出感測器71S,72S之檢測結果相互對應而記憶於記憶部70a，所以可從記憶於記憶部70a之資訊掌握基板S上以希望之輸出照射離子束的部位。換言之，可掌握基板S上以希望之輸出以外的輸出照射離子束的部位，或是基板S上不照射離子束之部位。因而，亦可對於基板S上離子束照射不足之部位，高精度進行為了彌補照射不足的進一步照射處理。
(3)可掌握基板S之照射位置中輸出停止的位置。因而，就離子束輸出停止之位置亦可提高檢測精度，進而亦可對於基板S上未照射離子束之部位，高精度進行再度之照射處理。
(4)檢測出離子束之輸出停止時，係將搬運托盤T對此時之拍攝位置的位置，作為與輸出停止相對應的停止位置而記憶於記憶部70a。而後，當搬運托盤T對拍攝位置之位置在停止位置與結束位置之間時，再度輸出離子束。因而，對於未進行離子束照射之部位，可以高位置精度再度進行離子束之照射。
(5)檢測出離子束之輸出停止時，係將搬運托盤T對此時之拍攝位置的位置，作為與輸出停止相對應的停止位置而記憶於記憶部70a。而後，將搬運托盤T搬運至非照射位置後，再度開始照射離子束，其後，開始向與之前進行離子束照射時相反方向搬運搬運托盤T，當搬運托盤T對拍攝位置之位置到達停止位置時，停止照射離子束。因而，對於基板S上未照射離子束之部位，可以高位置精度再度進行離子束之照射。
(6)發生輸出停止後之離子束的照射，係藉由向反方向搬運搬運托盤T來進行。因而，與從停止位置向正方向搬運搬運托盤之樣態比較，係在將離子束之輸出維持在設定值的狀態下，對基板S照射離子束。藉此，即使離子束之輸出在照射中途停止時，仍可抑制離子束之照射量在基板面內的偏差，而在基板S之搬運方向全體照射離子束。
(7)在搬運托盤T上排列複數個條碼C1a，而且該複數個條碼C1a係在搬運托盤T之正方向從前端至後端全體而排列。此種樣態時，因為可從搬運托盤T之前端至後端獲得搬運托盤T對拍攝位置之位置，所以，即使在搬運托盤T上正方向之任何一個位置，仍可更加提高搬運托盤T位置之檢測精度。
(8)因為對搬運托盤T在與離子源21L,21U相反側配置有條碼讀取部23A~23D，被此種條碼讀取部23A~23D拍攝之條碼群C1,C2亦自然而然對搬運托盤T配置於與條碼讀取部23A~23D相同側。按照此種樣態時，由於在搬運托盤T上不照射離子束之側配置條碼群C1,C2，因此，亦可抑制因離子束之熱等造成條碼群C1,C2之外觀老化。所以，可抑制因 條碼群C1,C2之外觀老化，造成離子束之照射位置的檢測精度降低。
(9)因為對搬運托盤T在與離子源21L,21U不相對之位置配置條碼讀取部23A~23D，所以亦可抑制因離子束之熱等，造成條碼讀取部23A~23D之拍攝機構的熱性老化。所以，可抑制因條碼群C1,C2之外觀老化造成離子束之照射位置的檢測精度降低。
(10)基板S中之照射部位由下部區域SL與上部區域SU構成，而且，下部區域SL與上部區域SU係從相互不同之離子源21L,21U進行離子束照射。因而，由於藉由複數個離子源21L,21U對基板S照射離子束，因此比使用單一離子源進行時，可以更多樣之樣態對基板S照射離子束。所以，容易以希望之照射量在基板面內照射離子束。此外，與離子束之照射區域重複的構成比較，可個別設定各離子源21L,21U之離子束照射樣態的部分，以各離子源21L,21U照射離子束的樣態更為簡易，亦可提高離子束照射工序的生產量。
(11)搬運托盤T具有設於搬運托盤T中之上部區域SU側的上部條碼群C1、及設於搬運托盤T中之下部區域SL側的下部條碼群C2。此外，在上部區域SU中照射離子束時，進行條碼拍攝之第二條碼讀取部23B及第三條碼讀取部23C讀取下部條碼群C2，另外，在下部區域SL中照射離子束時，進行條碼拍攝之第一條碼讀取部23A及第四條碼讀取部23D讀取上部條碼群C1。因而，可抑制從離子源21L,21U輸出之離子束到達基板S之前受到條碼讀取部23A~23D之妨礙，換言之，可抑制從離子源21L,21U輸出之離子束照射於條碼讀取部23A~23D。所以，不致妨礙對基板S照射離子束，而可提高離子束之照射位置的檢測精度。
另外，上述實施形態亦可如以下適當變更來實施。
離子束照射裝置10亦可構成不進行上述反搬運處理。例如離子束照射裝置10亦可在正方向搬運搬運托盤T，為了僅在未照射離子束之部位再度進行照射，而進行搬運托盤T之搬運。或是，對未照射離子束之部位照射的樣態，亦可為以其他離子束照射裝置進行其照射的樣態。此時，宜構成關於停止位置之資料可在2個離子束照射裝置之間移動。
條碼讀取部23A~23D亦可連接於離子束控制部70以外之控 制部，例如亦可連接於主控制部50。
亦可構成省略第一條碼讀取部23A及第四條碼讀取部23D、第二條碼讀取部23B及第三條碼讀取部23C之任何一方，並且配合條碼讀取部之配置而將條碼群C1,C2設於上部框架31b或下部框架31c之任何一方。
條碼群C1,C2亦可在搬運托盤T中之反方向的前端貼合顯示0mm之條碼，另外，在該搬運托盤T中之反方向的後端貼合顯示2700mm的條碼。
條碼群C1,C2亦可不是貼合於搬運托盤T之條帶(Tape)，而是對搬運托盤T直接刻上。
參照第十一圖，說明貼合於上述搬運托盤T之條碼群C1,C2的變形例。另外，基於與上述同樣之理由，以下使用上部條碼群C1之一部分作說明。此外，第十一圖中顯示從第一條碼讀取部23A側觀看上部條碼群C1之構成。
如第十一圖所示，上部條碼群C1具有複數個條碼C1a，構成各條碼C1a之各個複數個碼條(Bar)係沿著與搬運方向平行之方向印刷。相對於此，上述實施形態如第三(a)圖所示，係構成各條碼C1a之複數個碼條沿著與搬運方向正交之方向印刷。數值部C1b印刷於在搬運方向對應之條碼C1a的右側。另外，數值部C1b亦可印刷於在搬運方向對應之條碼C1a的左側，亦可印刷於對應之條碼C1a的上方或下方。各條碼C1a之周圍與上述實施形態之條碼C1a同樣的藉由空白部C1c包圍。
讀取此種上部條碼群C1之第一條碼讀取部23A及第四條碼讀取部23D，具有以指定周期拍攝上部條碼群C1之拍攝部。各條碼讀取部23A,23D從藉由拍攝部獲得之上部條碼群C1的影像，檢測搬運托盤T對拍攝位置之位置。拍攝部取得在指定之拍攝範圍內的影像，拍攝範圍中沿著與搬運方向正交之方向的寬度，設定成包含構成各條碼C1a之全部碼條、以及空白部C1c中之條碼C1a的上方一部分及下方一部分之大小。
藉由拍攝部獲得之影像包含第十一圖所示之「000183」，亦即包含顯示係距離上部框架31b之一端為183mm的位置之條碼C1a時，各 條碼讀取部23A,23D將該影像例如從下側起依序變換成2值資料。各條碼讀取部23A,23D將此種2值資料解碼，在上述指定之周期檢測從上部框架31b之正方向前端至拍攝位置的長度，亦即檢測搬運托盤T對拍攝位置之位置。
藉由如第十一圖排列條碼群C1，與如第三(a)圖排列之情況比較，可以更高解析度檢測搬運托盤T之搬運位置。亦即，第十一圖之構成，因為係與搬運方向平行地橫向配置條碼C1a，所以與第三(a)圖之構成比較，可在同一個區域(上部框架或下部框架)內排列更多條碼群C1。藉此在搬運方向縮短各條碼C1a的讀取區間，可提高使用各條碼C1a之搬運位置的檢測解析度。因此，可使搬運托盤T之位置檢測精度提高。
離子源21L,21U之照射位置亦可為包含基板S之高度方向全體的位置，或是亦可為在基板S之高度方向分割成3個以上的位置。只要離子束之照射位置與基板S中與搬運方向交叉的方向全體重疊即可。
對基板S照射離子束，亦可對同一區域進行3次以上。或是對基板S照射離子束，亦可對同一區域僅進行1次。
亦可在對處理室14之底壁正交而直立的狀態下搬運搬運托盤T。
條碼讀取部23A~23D亦可配置於與離子源21L,21U相同側，此種構成時，只須將搬運托盤T具有之條碼群C1,C2設於托盤框架31中被照射離子束之側的面即可。
搬運托盤T具有之指標不限於條碼，亦可為二維碼或僅為上述之數值部，只要是顯示搬運托盤中之部位，並為排列於搬運方向相互不同的指標即可。
位置檢測部亦可配置於與離子束照射部之照射位置相對的位置。此時，宜構成另外具有遮蔽離子束之遮蔽部件，避免照射於照射位置之離子束照射於位置檢測部。
輸出感測器71S,72S即是檢測離子束之輸出的輸出檢測部，不限於輸出作為離子束之輸出值的燈絲電流值未達指定設定值者作為檢測結果的感測器，亦可為輸出離子束之輸出值作為檢測結果的感測器。 此時，宜構成由另外之離子束控制部判斷離子束之輸出是否未達指定之設定值。此外，檢測離子束之輸出的輸出檢測部係輸出離子束之輸出值作為檢測結果情況下，亦可構成將位置檢測部之檢測結果與輸出檢測部之檢測結果各指定周期相對應而記憶。此種構成時，包含基板S全體亦可掌握各部位之照射量。另外，離子束照射裝置亦可省略此種輸出檢測部而構成。
亦可係輸出檢測部檢測離子束之輸出值的檢測周期，與位置檢測部檢測搬運托盤之位置的檢測周期相互不同的周期。只要構成將位置檢測部之檢測結果與檢測出該檢測結果時最新之輸出檢測部的檢測結果相對應而記憶即可。
上述實施形態係當離子束之輸出異常停止時，對於反方向搬運之基板S進行離子束照射至上述停止位置。不過不限於此，當離子束之輸出降低時，亦可藉由以下之樣態進行離子束照射。
亦即，例如將上述第一輸出感測器及第二輸出感測器作為檢測從離子源21L,21U輸出之離子束的時間性及空間性輪廓之感測器。而後，各輸出感測器在檢測出之輪廓未達指定之臨限值時，生成表示離子束輸出降低之內容的輸出降低信號，並且將該輸出降低信號輸出至離子束控制部70。此外，輸出感測器從輸出降低信號生成時至在正方向搬運搬運托盤T結束，在每個指定期間檢測離子束之輪廓，並將該檢測出之輪廓輸出至離子束控制部70。
另外，離子束控制部70依來自輸出感測器之輸出降低信號的輸入，將輸入了輸出降低信號之拍攝周期中的位置資料，作為離子束輸出降低之降低位置來記憶。此外，離子束控制部70將從輸出感測器輸入之輪廓與輸入各輪廓之拍攝周期中的位置資料相對應而記憶。
而後，離子束控制部70對反方向搬運之基板S照射離子束時，依據從主控制部50所輸入之驅動指令與記憶之輪廓及位置資料，將輸出指令輸出至驅動電路71D,72D。
驅動電路71D,72D依據從離子束控制部70所輸入之輸出指令生成離子源21L,21U之驅動電流，並且將該驅動電流輸出至離子源21L,21U。藉此，藉由離子源21L,21U依輸入了之驅動電流進行離子束的輸出， 而輸出藉由上述記憶之輪廓及位置資料所修正的離子束。而後，此種離子束之照射，在搬運托盤T對上述拍攝位置之位置到達上述輸出降低位置時停止。
藉此，即使離子束之照射在搬運中途降低，仍可更加抑制離子束在基板S面內之照射量的偏差。另外，離子束照射裝置10之電性構成不限於上述構成，只要是依據離子束在輪廓中之變動與產生該變動之搬運托盤的位置，來修正反搬運時離子束之輸出的構成時，均可獲得同樣之效果。
第三(a)圖之實施形態及第十一圖之變形例中，檢測搬運托盤T之位置的指標係使用條碼C1a，不過亦可使用其他指標來取代條碼。例如亦可使用QR碼等二維碼作為指標。使用二維碼時，除了顯示搬運托盤T之位置的位置資訊外，亦可將基板S之製造號碼等其他資訊包含於二維碼中，因此可從指標取得許多資訊。
10‧‧‧離子束照射裝置
11‧‧‧裝卸室
12‧‧‧加載互鎖室
13‧‧‧緩衝室
14‧‧‧處理室
15‧‧‧閘型閥
21L‧‧‧第一離子源
21U‧‧‧第二離子源
22L‧‧‧第一輪廓計測部
22U‧‧‧第二輪廓計測部
23A‧‧‧第一條碼讀取部
23B‧‧‧第二條碼讀取部
23C‧‧‧第三條碼讀取部
23D‧‧‧第四條碼讀取部
C1‧‧‧上部條碼群
C2‧‧‧下部條碼群
R1‧‧‧去程
R2‧‧‧回程
S‧‧‧基板
SL‧‧‧下部區域
SU‧‧‧上部區域
T‧‧‧搬運托盤
TR‧‧‧切換部

Claims (7)

  1. 一種離子束照射裝置，其具備：真空槽，其係收容保持基板之搬運托盤；搬運部，其係於前述真空槽內，在搬運方向搬運前述搬運托盤；離子束照射部，其係在前述真空槽內之指定的照射位置照射離子束；及位置檢測部，其係檢測前述搬運托盤之位置；其特徵為：前述位置檢測部通過前述搬運托盤之搬運，在指定之拍攝位置拍攝顯示前述搬運托盤中之部位，並排列於前述搬運方向之相互不同的各個複數個指標，依據該拍攝之前述指標，檢測前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置；前述離子束照射部具備：輸出檢測部，其係檢測離子束之輸出；取得部，其係以指定之周期取得前述位置檢測部之檢測結果與前述輸出檢測部之檢測結果；及記憶部，其係將即是前述取得部取得之檢測結果的前述位置檢測部之檢測結果、與前述輸出檢測部的檢測結果相互對應而記憶；前述輸出檢測部檢測離子束之輸出停止；前述搬運部係在搬運處理之開始位置與該搬運處理的結束位置之間搬運前述搬運托盤，前述離子束照射裝置更具備控制部，其係控制前述搬運部之搬運，前述記憶部將前述位置檢測部之檢測結果中，對應於前述輸出停止之檢測結果作為停止位置而記憶，前述輸出檢測部檢測出輸出停止時，前述控制部驅動前述搬運部，使前述搬運托盤在前述開始位置與前述結束位置之間往返，前述離子束照射部依據前述停止位置與前述位置檢測部之檢測結果，將離子束輸出到前述基板中之離子束未照射部位。
  2. 如申請專利範圍第1項之離子束照射裝置，其中前述輸出檢測部檢測出 輸出停止時，前述控制部在前述搬運方向搬運前述搬運托盤，直到前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置變成在前述基板上不照射離子束之非照射位置後，將前述搬運托盤從前述非照射位置搬運至與前述搬運方向之相反方向，前述離子束照射部於前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置到達前述非照射位置時再度開始照射離子束，當前述搬運托盤對前述拍攝位置之位置到達前述停止位置時，停止前述離子束之照射。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之離子束照射裝置，其中前述各個複數個指標係條碼，且在前述搬運托盤中從前述搬運方向之一端至另一端全體排列。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之離子束照射裝置，其中前述離子束照射部具備離子源，其係輸出離子束，前述位置檢測部對前述搬運托盤配置於與前述離子源之相反側。
  5. 如申請專利範圍第4項之離子束照射裝置，其中前述位置檢測部係配置於與前述離子源之照射位置不相對的位置。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之離子束照射裝置，其中前述離子束照射部之照射位置係由在與前述搬運方向交叉之交叉方向所區分的相互接觸之第一照射位置與第二照射位置構成，前述離子束照射部具備：第一離子源，其係在前述第一照射位置照射離子束；及第二離子源，其係在前述第二照射位置照射離子束。
  7. 如申請專利範圍第6項之離子束照射裝置，其中前述各個複數個指標為條碼，且前述搬運托盤具有2個由複數個前述條碼構成之條碼群，前述2個前述條碼群係以在前述交叉方向夾著前述第一照射位置與前述第二照射位置之方式配置，並且由前述第一照射位置側之第一條碼群與前述第二照射位置側之第二條碼群構成，前述位置檢測部由以下二個位置檢測部構成：第一位置檢測部，其係配置於與前述第一條碼群相互相對之位置，並拍攝前述第一條碼群；及第二位置檢測部，其係配置於與前述第二條碼群相互相對之位置，並 拍攝前述第二條碼群；前述第一離子源輸出時，前述離子束照射部取得第二位置檢測部之檢測結果，前述第二離子源輸出時，前述離子束照射部取得第一位置檢測部之檢測結果。
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