JP5824078B2 - イオンビーム照射装置 - Google Patents

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Description

本発明は、例えば、大型FPD(Flat Panel Display)を構成する基板等、各種の基板にイオンビームを照射するイオンビーム照射装置に関する。
有機ELディスプレイや液晶パネルディスプレイ等の大型FPDは、大型FPDを構成する基板に対しイオンビームが照射される処理を経て製造される。こうしたイオンビームの照射処理を行う装置としては、例えば、特許文献1に記載のように、複数のイオン源が用いられ、基板が搬送方向に搬送されるのみで、イオンビームの照射を複数回行うことの可能な装置が知られている。このような構成によれば、単一のイオン源によってイオンビームの照射を行う構成と比較して、基板に照射されるイオンビームのドーズ量やエネルギー等の照射特性を容易に多様化させることができる。
特開2011−129332号公報
ところで、上述のようなイオンビーム照射装置では、基板の大型化が進むに連れて、基板に対するイオンビームの照射時間が、イオン源の出力が維持される時間を超えることも少なくない。このような場合にあっては、基板に対してイオンビームが照射されている途中にイオン源からの出力が低下あるいは停止してしまい、その結果、イオンビームの照射量が基板の面内においてばらつくという問題が発生してしまう。この点、上記特許文献1に記載の構成であれば、基板の搬送回数を増やす、各イオン源での出力を調節する、あるいは、これらを併用する等の方策によって、照射量の不足を補うこと、つまり、基板の面内における照射量を均一にすることが可能と考えられる。
一方、上述のような装置における基板の搬送は、一般に、搬送経路上に配置された搬送ローラの回転、つまり、搬送ローラを回転させるモータの回転によって行われる。そして、こうした態様で搬送される基板に対して、イオン源の出力低下時または出力停止時にイオンビームが複数回にわたり重ねて照射されることになれば、面内における照射量を均一にする上で、基板におけるイオンビームの照射位置を照射ごとに精度よく検出することが必要となる。しかしながら、上述した搬送系では、基板を保持する搬送トレイが搬送機構に対して滑ることも少なくないため、単にモータの回転位置から基板の位置を検出する態様では、基板の位置の検出結果そのものにばらつきが生じることになる。
結局のところ、こうした基板位置の検出誤差が軽減されない限りは、上述のようないずれの方策を講じたところで、依然として、基板の面内における照射量のばらつきが解消されないものとなる。そのため、イオンビーム照射装置においては、基板における照射位置をより高い精度で検出することが求められている。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板におけるイオンビームの照射位置の検出精度を高めることのできるイオンビーム照射装置を提供することにある。
以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について記載する。
本発明の第1態様は、基板を保持する搬送トレイが収容される真空槽と、前記真空槽内にて前記搬送トレイを搬送方向に搬送する搬送部と、前記真空槽内の所定の照射位置にイオンビームを照射するイオンビーム照射部と、前記搬送トレイの位置を検出する位置検出部とを備えるイオンビーム照射装置であって、前記位置検出部は、前記搬送トレイに配置されて前記搬送トレイにおける部位を示し、且つ、前記搬送トレイにおける前記搬送方向の一端から他端の全体にわたり配列された互いに異なる複数の指標としてのバーコードの各々を前記搬送トレイの搬送を通じて所定の撮像位置に到達したときに前記撮像位置で撮像し、該撮像された前記バーコードに基づいて前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置を検出する。
本発明の第1態様では、搬送トレイにおける各部位を示す複数の指標の各々を撮像することで撮像位置に対する搬送トレイの位置が検出される。この際、指標が撮像される撮像位置とイオンビームが照射される照射位置との相対関係は、搬送トレイが搬送される期間も所定の関係に維持され続けることになる。そのため、搬送トレイにおける指標が位置検出部により検出されるたびに、撮像位置に対する搬送トレイの位置、すなわち照射位置に対する搬送トレイの位置が検出されることになる。そして、搬送トレイを搬送する搬送機構の駆動量等から搬送トレイの位置を検出する態様と比べて、照射位置に対する搬送トレイの位置を直接的に検出することが可能となる。その結果、搬送トレイを搬送する搬送機構と搬送トレイとにずれが生じる場合であっても、こうしたずれにより検出位置の誤差が生じることを抑えられる。ひいては、搬送トレイに保持された基板における照射位置の検出精度を高めることができる。
また、本発明の第1態様では、搬送トレイに複数の指標としてのバーコードが配列され、しかも、該複数のバーコードは、搬送トレイの搬送方向における一端から他端の全体にわたり配列されている。このような態様であれば、撮像位置に対する搬送トレイの位置を搬送トレイの一端から他端にわたって得ることができるため、搬送トレイにおける搬送方向のいずれの位置であっても、搬送トレイの位置の検出精度をより高めることができる。
本発明の第2態様では、前記イオンビーム照射部は、イオンビームの出力を検出する出力検出部と、前記位置検出部の検出結果と前記出力検出部の検出結果とを所定の周期で取得する取得部と、前記取得部が取得した検出結果である前記位置検出部の検出結果と前記出力検出部の検出結果とを互いに対応付けて記憶する記憶部とを備える。
本発明の第2態様によれば、位置検出部の検出結果と出力検出部の検出結果とが互いに対応付けられて記憶部に記憶されるため、所望の出力でイオンビームが照射された基板の部位を記憶部に記憶された情報から把握することが可能となる。言い換えれば、所望の出力以外の出力でイオンビームが照射された基板の部位、あるいはイオンビームが照射されなかった基板の部位を把握することが可能となる。そのため、イオンビームの照射不足となる基板の部位に対し、照射不足を補うためのさらなる照射処理を高い精度のもとで行うことが可能にもなる。
本発明の第3態様は、前記出力検出部が、イオンビームの出力停止を検出する。
本発明の第3態様によれば、基板における照射位置のうち、出力停止となった位置を把握することが可能となる。そのため、イオンビームが出力停止となった位置についても検出精度を高めることができ、ひいては、イオンビームが照射されていない基板の部位に対し、再度の照射処理を高い精度のもとで行うことが可能にもなる。
本発明の第4態様は、前記搬送部は、前記搬送トレイを搬送処理の開始位置と該搬送処理の終了位置との間で搬送し、前記搬送部の搬送を制御する制御部を備え、前記記憶部は、前記位置検出部の検出結果のうち、前記出力停止に対応付けられた検出結果を停止位置として記憶し、前記出力検出部が出力停止を検出したとき、前記制御部は、前記搬送トレイが前記開始位置と前記終了位置との間で往復するように前記搬送部を駆動し、前記イオンビーム照射部は、前記停止位置と前記位置検出部の検出結果とに基づいて前記基板におけるイオンビームの未照射部位にイオンビームを照射する。
上述のように、イオンビームの照射対象である基板の大型化に伴い、イオンビームの照射位置を基板が横切る途中で、イオンビームの出力停止が生じることも少なくない。
この点、本発明の第4態様では、イオンビームの出力停止が検出されたとき、そのときの撮像位置に対する搬送トレイの位置が、出力停止に対応付けられた停止位置として記憶部に記憶される。そして、撮像位置に対する搬送トレイの位置が停止位置と終了位置との間にあるときに再びイオンビームが出力される。そのため、イオンビームの照射が行われていない部位に対し、高い位置精度のもとで、再びイオンビームの照射を行うことが可能となる。
本発明の第5態様は、前記出力検出部が出力停止を検出したとき、前記制御部は、前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置が、前記基板にイオンビームが照射されない非照射位置になるまで前記搬送方向に前記搬送トレイを搬送した後、前記搬送トレイを前記非照射位置から前記搬送方向とは逆方向に搬送し、前記イオンビーム照射部は、前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置が前記非照射位置に到達したときにイオンビームの照射を再開し、前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置が前記停止位置に到達したときに前記イオンビームの照射を停止する。
イオンビーム照射部では、通常、イオンビームの出力を意図的に停止するためにかかる時間と比べて、イオンビームの出力を所望の設定値に到達させるまでにかかる時間が長い。
この点、本発明の第5態様では、イオンビームの出力停止が検出されたとき、そのときの撮像位置に対する搬送トレイの位置が、出力停止に対応付けられた停止位置として記憶部に記憶される。そして、搬送トレイが非照射位置にまで搬送された後に、イオンビームの照射が再び開始され、その後、先にイオンビームの照射が行われたときとは逆方向への搬送トレイの搬送を開始し、撮像位置に対する搬送トレイの位置が停止位置に到達したところで、イオンビームの照射が停止される。そのため、基板におけるイオンビームの照射が行われていない部位に対して、高い位置精度のもとで、再びイオンビームの照射を行うことが可能となる。
また、イオンビームの照射が不足した部位に対して再びイオンビームを照射する態様には、停止位置から搬送方向へ搬送トレイを搬送し、これにより、基板に対してイオンビームを走査する態様と、搬送方向とは逆方向へ停止位置まで搬送トレイを搬送し、これにより、基板に対してイオンビームを走査する態様とが挙げられる。これらの態様のうち、停止位置から搬送方向へ搬送トレイを搬送する態様では、搬送トレイが停止位置に配置される前に、イオンビームの出力を再開する必要があるため、既にイオンビームが照射された位置に対しても、少なからずイオンビームが再び照射されることになる。
この点、本発明の第5態様では、出力停止が発生した後のイオンビームの照射は、搬送方向とは逆方向へ搬送トレイが搬送されることによって行われる。そのため、停止位置から搬送方向へ搬送トレイが搬送される態様と比べて、イオンビームの出力が設定値に維持された状態で、基板に対してイオンビームの照射が行われる。これにより、イオンビームの出力が照射の途中で停止したとしても、基板における搬送方向の一端から他端までにわたってイオンビームの照射量のばらつきを抑えつつ、基板における搬送方向の一端から他端までにわたってイオンビームの照射を行うことができる。
本発明の第態様は、前記イオンビーム照射部は、イオンビームを出力するイオン源を備え、前記位置検出部が、前記搬送トレイに対して前記イオン源とは反対側に配置されている。
本発明の第態様によれば、搬送トレイに対してイオン源とは反対側に位置検出部が配置されているため、こうした位置検出部に撮像される指標も、自ずと搬送トレイに対して位置検出部と同じ側に配置されることになる。このような態様であれば、搬送トレイにおけるイオンビームが照射されない側に指標が配置されることから、イオンビームの熱等によって指標の外観が劣化することを抑えることが可能にもなる。それゆえに、指標の外観が劣化することによって、イオンビームの照射位置の検出精度が低下することを抑えられる。
本発明の第態様は、前記位置検出部が、前記イオン源の照射位置とは向い合わない位置に配置されている。
本発明の第態様によれば、イオン源の照射位置とは向かい合わない位置に位置検出部が配置されているため、イオンビームの熱等によって位置検出部の撮像機構が熱的に劣化することを抑えることが可能にもなる。それゆえに、指標の外観が劣化することによって、イオンビームの照射位置の検出精度が低下することを抑えられる。
本発明の第態様は、前記イオンビーム照射部の照射位置は、前記搬送方向と交差する交差方向にて区分された互いに接する第1照射位置と第2照射位置とからなり、前記イオンビーム照射部は、前記第1照射位置にイオンビームを照射する第1イオン源と、前記第2照射位置にイオンビームを照射する第2イオン源とを備える。
本発明の第態様では、イオンビーム照射部の照射位置が、第1照射位置と第2照射位置とからなり、且つ、第1照射位置と第2照射位置とには、異なるイオン源からイオンビームの照射が行われる。そのため、上記照射位置に対するイオンビームの照射を複数のイ
オン源によって行うことから、単一のイオン源を用いて行うよりも、上記照射位置に対するイオンビームの照射をより多用な態様にて行うことができる。それゆえに、イオンビームが、所望とする照射量で上記照射領域内に照射されやすくなる。
他方、イオンビームの照射位置が第1照射位置と第2照射位置とからなり、且つ、これらの一部分が重なる重複領域が存在する場合、該重複領域に対するイオンビームの照射量は、第1イオン源からの照射量と第2イオン源からの照射量との和となる。そのため、上記照射位置内に所定量のイオンビームを照射する場合、第1イオン源及び第2イオン源からのイオンビームの照射態様は、他方のイオン源におけるイオンビームの照射態様を考慮しつつ設定される必要がある。
この点、上記本発明の第態様では、第1照射位置と第2照射位置とが接するように配置されているため、第1イオン源及び第2イオン源におけるイオンビームの照射態様は、上述のような重複領域を考慮して設定する必要がない、つまり、第1イオン源及び第2イオン源におけるイオンビームの照射態様を各別に設定することができる。それゆえに、第1イオン源及び第2イオン源でのイオンビームの照射態様がより簡易なものになり、イオンビーム照射工程のスループットも向上できる。
本発明の第態様は、前記複数の指標の各々が、バーコードであり、前記搬送トレイは、複数の前記バーコードからなるバーコード群を2つ有し、前記2つの前記バーコード群は、前記交差方向にて前記第1照射位置と前記第2照射位置とを挟むように配置されるとともに、前記第1照射位置側の第1バーコード群と、前記第2照射位置側の第2バーコード群とからなり、前記位置検出部は、前記第1バーコード群と互いに向かい合う位置に配置されて前記第1バーコード群を撮像する第1位置検出部と、前記第2バーコード群と互いに向い合う位置に配置されて前記第2バーコード群を撮像する第2位置検出部とからなり、前記第1イオン源の出力時には、前記イオンビーム照射部は、第2位置検出部の検出結果を取得し、前記第2イオン源の出力時には、前記イオンビーム照射部は、第1位置検出部の検出結果を取得する。
本発明の第態様では、搬送トレイは、搬送トレイにおける第1照射位置側に設けられた第1バーコード群と、搬送トレイにおける第2照射位置側に設けられた第2バーコード群とを有している。また、第1照射位置にイオンビームが照射されているときにバーコードの撮像を行う第2位置検出部は、第1バーコード群を読み取る一方、第2照射位置にイオンビームが照射されているときにバーコードの撮像を行う第1位置検出部は、第1バーコード群を読み取る。そのため、イオンビーム照射部から出力されたイオンビームが、基板に到達するまえに位置検出部によって妨げられること、つまり、イオンビーム照射部から出力されたイオンビームが位置検出部に照射されることを抑えることが可能となる。それゆえに、基板に対するイオンビームの照射を妨げることなく、イオンビームの照射位置の検出精度を高めることができる。
(a)イオンビーム照射装置を具体化した一実施形態の平面構造を示す平面図であって、その内部に収容される搬送トレイを実線で示す図(b)同一実施形態の側面構造を示す側面図であって、同じく、その内部に収容された搬送トレイを破線で示す概略構成図。 処理チャンバの内部構造を搬送トレイの側面構造とともに示す構成図。 (a)上部バーコードの一部を拡大して示す拡大図(b)上部バーコードから第1バーコード読み取り部が読み取った情報を示す図。 イオンビーム照射装置の電気的構成を示すブロック図。 イオンビーム照射処理の手順を示すフローチャート。 逆搬送処理の手順を示すフローチャート。 (a)〜(f)イオンビーム照射処理での搬送トレイの動作を順に示す作用図。 (a)〜(e)イオンビーム照射処理での搬送トレイの動作を順に示す作用図。 (a)〜(f)逆搬送処理での搬送トレイの動作を順に示す作用図。 (a)〜(c)逆搬送処理での搬送トレイの動作を順に示す作用図。 変形例における上部バーコードの一部を拡大して示す拡大図。
以下、本発明のイオンビーム照射装置を具体化した一実施形態について、図1〜図10を参照して説明する。
[イオンビーム照射装置の全体構成]
まず、イオンビーム照射装置の全体構成について図1を参照して説明する。
図1(a)に示されるように、イオンビーム照射装置10には、着脱チャンバ11、ロードロックチャンバ12、バッファチャンバ13、及び処理チャンバ14が搭載され、これらのチャンバ11〜14の各々は、ゲートバルブ15を介して隣り合うチャンバと連結されている。
イオンビーム照射装置10には、着脱チャンバ11から処理チャンバ14に向かって延びる搬送経路である往路R1と、処理チャンバ14から着脱チャンバ11に向かって延びる搬送経路である復路R2とが互いに平行に敷設されている。往路R1及び復路R2に沿って、矩形板状をなす複数の搬送トレイTが搬送される。
着脱チャンバ11は、倒された状態の搬送トレイTに対して外部から搬入された処理前の基板Sを取り付け、そして、搬送トレイTを立たせた状態でロードロックチャンバ12に搬出する。また、着脱チャンバ11は、ロードロックチャンバ12から搬入された搬送トレイTを倒した状態にし、そして、処理後の基板Sを搬送トレイTから取り外して外部に搬出する。着脱チャンバ11は、こうした搬送トレイTに対する基板Sの着脱、及び搬送トレイTの姿勢の変更を大気圧下で行う。
搬送トレイTは、搬送経路と互いに平行な上下一対をなす上部フレーム及び下部フレームを有している。搬送トレイTが立たされたときに基板Sの上端が保持される上部フレームには、上部フレームにおける各部位を示す複数のバーコードからなる上部バーコード群C1が貼り付けられ、他方、基板Sの下端が保持される下部フレームには、下部フレームにおける各部位を示す複数のバーコードからなる下部バーコード群C2が貼り付けられている。バーコード群C1,C2は、上部フレーム及び下部フレームにおける搬送方向の一端から他端までの全体にわたって貼り付けられている。バーコード群C1,C2は、例えば、ポリエステル等からなるテープに複数のバーコードが印字されたものである(図3(a)参照)。
ロードロックチャンバ12は、内部を大気圧とした状態で、搬送トレイTを往路R1に沿って着脱チャンバ11から搬入し、そして、内部を減圧した状態で、搬送トレイTを往路R1に沿ってバッファチャンバ13に搬出する。また、ロードロックチャンバ12は、内部を減圧した状態で、搬送トレイTを復路R2に沿ってバッファチャンバ13から搬入し、そして、内部を大気圧とした状態で、搬送トレイTを復路R2に沿って着脱チャンバ11に搬出する。
バッファチャンバ13は、内部を上記ロードロックチャンバ12と同等に減圧された状態として、搬送トレイTを往路R1に沿ってロードロックチャンバ12から搬入し、また、搬送トレイTを復路R2に沿って処理チャンバ14から搬入する。
処理チャンバ14における往路R1の終端側には、一対の切り替え部TRが、往路R1と復路R2との間に搭載されている。切り替え部TRは、往路R1の終端近傍にまで搬送された搬送トレイTを復路R2の始端近傍に移動させることで、搬送トレイTの搬送経路を往路R1から復路R2に切り替える。
処理チャンバ14において、チャンバ11〜14の連結方向である上記搬送方向に延びる2つの側壁部のうち、復路R2側の側壁部には、処理チャンバ14内にイオンビームを照射する第1イオン源21Lが搭載されている。また、上記側壁部における第1イオン源21Lよりも復路R2の始端側には、同じく処理チャンバ14内にイオンビームを照射する第2イオン源21Uが搭載されている。第1イオン源21Lと第2イオン源21Uとは、例えば、搬送トレイTにおける搬送方向の幅分だけ離れて配置されている。また、第1イオン源21Lは、これが搭載された側壁部の下側に配置される一方、第2イオン源21Uは、これが搭載された側壁部の上側に配置されている。
なお、以下では、処理チャンバ14内において、搬送トレイTに対するイオンビームの照射処理の順序に従って該搬送トレイTを搬送する方向を順方向とする。他方、搬送トレイTに対するイオンビームの照射処理の順序とは反対に該搬送トレイTを搬送する方向を逆方向とする。つまり、搬送トレイTが往路R1上を搬送されているときには、バッファチャンバ13から離れる方向への搬送が、順方向への搬送であり、他方、搬送トレイTが復路R2上を搬送されているときには、バッファチャンバ13に向かう方向への搬送が、順方向への搬送である。そして、これらとは反対の方向への搬送が、逆方向への搬送である。なお、図1における白抜きの矢印は、上記順方向への搬送を示すものである。
そして、第1イオン源21Lは、真空槽である処理チャンバ14内の所定の第1照射位置にイオンビームを照射し、搬送トレイTに取り付けられた基板Sに対して、搬送トレイTの搬送を通じて、該基板Sにおける下側半分の部位である下部領域SLにイオンビームを照射する。第2イオン源21Uは、処理チャンバ14内の所定の第2照射位置にイオンビームを照射し、搬送トレイTに取り付けられた基板Sに対して、搬送トレイTの搬送を通じて、該基板Sにおける上側半分の部位である上部領域SUにイオンビームを照射する。また、イオン源21L,21Uの各々は、往路R1で搬送されている搬送トレイTに取り付けられた基板Sに対してイオンビームを照射し、さらに、復路R2で搬送されている搬送トレイTに取り付けられた基板Sに対してイオンビームを照射する。つまり、イオン源21L,21Uの各々は、同一の搬送トレイTに取り付けられた1つの基板Sにおける互いに異なる部位に対して、イオンビームの照射を互いに異なるタイミングで2回行う。また、イオン源21L,21Uは、搬送中の搬送トレイTに対してイオンビームの照射を行うことから、基板Sにおけるイオンビームの照射部位は、搬送トレイTの搬送方向に沿って基板S上を相対的に移動する。
このように、基板Sが上部領域SUと下部領域SLとからなり、且つ、上部領域SUと下部領域SLとには、異なるイオン源21L,21Uから、異なるタイミングにてイオンビームの照射が2回行われる。そのため、基板Sに対して単一のイオン源からイオンビームの照射が行われる場合や、各領域SU,SLに対してイオンビームの照射が1回のみ行われる場合よりも、基板Sに対するイオンビームの照射をより多用な態様にて行うことができる。それゆえに、イオンビームが、所望とする照射量で基板面内に照射されやすくなる。また、各領域SU,SLが互いに接するとともに、各領域に対して異なるイオン源21L,21Uからイオンビームが照射される。そのため、イオンビームの照射領域が重複する構成と比較して、各イオン源21L,21Uにおけるイオンビームの照射態様を各別に設定することができる分、各イオン源21L,21Uでのイオンビームの照射態様がより簡易なものとなり、イオンビーム照射工程のスループットも向上できる。
なお、図示の便宜上、イオン源21L,21Uは、いずれも処理チャンバ14から離れた位置に示されている。しかしながら、実際には、イオン源21L,21Uは、処理チャンバ14の外部に設置されたイオン源が、イオンビームの通過する通過路を介して処理チャンバ14に接続された構成である。
処理チャンバ14内には、第1イオン源21Lの出力したイオンビームを計測する第1プロファイル計測部22Lが、平面視にて往路R1及び復路R2を挟むように、第1イオン源21Lと対向して配置されている。また、第2イオン源21Uの出力したイオンビームを検出する第2プロファイル計測部22Uが、平面視にて往路R1及び復路R2を挟むように、第2イオン源21Uと対向して配置されている。第1プロファイル計測部22L及び第2プロファイル計測部22Uは、検出したイオンビームのプロファイル、例えばビームの出力分布等を計測する。
処理チャンバ14には、上部バーコード群C1を構成する複数のバーコードの各々を読み取る第1バーコード読み取り部23Aが、チャンバ11〜14の連結方向に延びる側壁部のうち、往路R1側の側壁部に沿って搭載されている。第1バーコード読み取り部23Aは、上記第1イオン源21L、及び第1イオン源21Lの第1照射位置と、平面視にて同一直線上となる撮像位置でバーコードを撮像する。そして、往路R1上の搬送トレイTが第1照射位置に到達したとき、第1バーコード読み取り部23Aは、上部バーコード群C1の一端をその撮像位置で検出する。このように、第1バーコード読み取り部23Aは、処理チャンバ14内の所定の撮像位置で往路R1上の搬送トレイTのバーコードを撮像する第2位置検出部を構成している。
また、処理チャンバ14には、下部バーコード群C2を構成する複数のバーコードの各々を読み取る第2バーコード読み取り部23Bが、上記側壁部における第1バーコード読み取り部23Aよりも往路R1の終端側に搭載されている。第2バーコード読み取り部23Bは、上記第2イオン源21U、及び第2イオン源21Uの第2照射位置と、平面視にて同一直線上となる撮像位置でバーコードを撮像する。そして、往路R1上の搬送トレイTが第2照射位置に到達したとき、第2バーコード読み取り部23Bは、下部バーコード群C2の一端をその撮像位置で検出する。このように、第2バーコード読み取り部23Bは、処理チャンバ14内の所定の撮像位置で往路R1上の搬送トレイTのバーコードを撮像する第1位置検出部を構成している。
なお、図示の便宜上、バーコード読み取り部23A,23Bは、いずれも処理チャンバ14から離れた位置に示されている。しかしながら、実際には、第1バーコード読み取り部23Aは、上記側壁部の内側面に沿うように処理チャンバ14の上壁の外側に取り付けられ、他方、第2バーコード読み取り部23Bは、側壁部の内側面に沿うように処理チャンバ14の底壁の外側に取り付けられている。
さらに、処理チャンバ14内には、下部バーコード群C2を構成する複数のバーコードの各々を読み取る第3バーコード読み取り部23Cが、平面視にて上記往路R1と復路R2とに挟まれた領域に搭載されている。第3バーコード読み取り部23Cは、上記第2イオン源21U、及び第2イオン源21Uの第2照射位置と、平面視にて同一直線上となる撮像位置でバーコードを撮像する。そして、復路R2上の搬送トレイTが第2照射位置に到達したとき、第3バーコード読み取り部23Cは、下部バーコード群C2の一端をその撮像位置で検出する。このように、第3バーコード読み取り部23Cは、復路R2上の搬送トレイTのバーコードを処理チャンバ14内の所定の撮像位置で撮像する第1位置検出部を構成している。
また、処理チャンバ14内には、上部バーコード群C1を構成する複数のバーコードの各々を読み取る第4バーコード読み取り部23Dが、平面視にて上記往路R1と復路R2とに挟まれた領域における復路R2の終端側に搭載されている。第4バーコード読み取り部23Dは、上記第1イオン源21L、及び第1イオン源21Lの第1照射位置と、平面視にて同一直線上となる撮像位置でバーコードを撮像する。そして、復路R2上の搬送トレイTが第1照射位置に到達したとき、第4バーコード読み取り部23Dは、上部バーコード群C1の一端をその撮像位置で検出する。このように、第4バーコード読み取り部23Dは、復路R2上の搬送トレイTのバーコードを処理チャンバ14内の所定の撮像位置で撮像する第2位置検出部を構成している。
なお、第3バーコード読み取り部23Cは、上記第2バーコード読み取り部23Bと同様、処理チャンバ14の底壁の外側に取り付けられ、他方、第4バーコード読み取り部23Dは、上記第1バーコード読み取り部23Aと同様、処理チャンバ14の上壁の外側に取り付けられている。
詳述すると、図1(b)に示されるように、第1イオン源21Lの照射位置は、上記搬送方向と直交する高さ方向にて基板Sを区分した2つの領域のうち、下部領域SLにおける高さ方向の全体に重なる大きさである。このイオンビームを検出する上記第1プロファイル計測部22Lは、上記第1照射位置と互いに向かい合う位置に設置されている。他方、第2イオン源21Uの第2照射位置は、上記2つの領域のうち、上部領域SUにおける高さ方向の全体に重なる大きさである。このイオンビームを検出する上記第2プロファイル計測部22Uは、上記第2照射位置と互いに向かい合う位置に設置されている。
このように、搬送トレイTに複数のバーコードからなるバーコード群C1,C2が設けられ、しかも、該バーコード群C1,C2は、搬送トレイTの搬送方向、例えば順方向における前端から後端にまで連続している。そのため、撮像位置に対する搬送トレイTの位置が搬送トレイTの一端から他端にわたって、各読み取り部23A〜23Dによって得られることとなる。それゆえに、搬送トレイTが搬送される方向である順方向及び逆方向の両搬送方向において、搬送トレイTにおけるいずれの位置であっても、撮像位置に対する搬送トレイTの位置が直接的に得られ、搬送トレイTにおける位置の検出精度をより高めることができる。
また、搬送トレイTは、基板Sの上部領域SU側に設けられた第2バーコード群としての上部バーコード群C1と、基板Sの下部領域SL側に設けられた第1バーコード群としての下部バーコード群C2を有している。そして、上部領域SUにイオンビームが照射されているときに、第1位置検出部としての第2バーコード読み取り部23B及び第3バーコード読み取り部23Cが、下部バーコード群C2を読み取る。一方、下部領域SLにイオンビームが照射されているときには、第2位置検出部としての第1バーコード読み取り部23A及び第4バーコード読み取り部23Dが、上部バーコード群C1を読み取る。そのため、イオン源21L,21Uから出力されたイオンビームが、バーコード読み取り部23A〜23Dによって妨げられることなく基板Sに到達する。それゆえに、基板Sに到達するイオンビームの照射領域内にて、出力のばらつきを抑えることができる。また、バーコード読み取り部23A〜23Dに対してイオンビームが照射されることを回避することができるため、イオンビームの熱等によりバーコード読み取り部23A〜23Dが劣化することを抑えることができる。
こうした処理チャンバ14は、内部を上記バッファチャンバ13よりも減圧した状態で、往路R1に沿ってバッファチャンバ13から搬送トレイTを搬入し、搬送トレイTに取り付けられた基板Sに対してイオンビームを照射する。また、処理チャンバ14は、往路R1から復路R2への搬送トレイTの搬送を行う。そして、処理チャンバ14は、搬送トレイTに取り付けられた基板Sに対してイオンビームを照射した後、搬送トレイTを復路R2に沿ってバッファチャンバ13に搬出する。
[搬送トレイの詳細構成]
上記搬送トレイT、及び搬送トレイTの搬送に関わる構成について、図2を参照してより詳しく説明する。なお、搬送トレイTの往路R1に関わる構成と、搬送トレイTの復路R2に関わる構成とが、上述のような同様の構成であることから、以下では、搬送トレイTの往路R1に関わる構成についてのみ、その詳細を説明する。図2には、処理チャンバ14の内部構成と、往路R1上を搬送されている搬送トレイTの構成とのうち、上記イオンビームが照射されない側から見た構成が示されている。
図2に示されるように、搬送トレイTのトレイフレーム31は、基板Sと略同一形状の取り付け孔31aを有する四角形の枠体である。トレイフレーム31は、基板Sの上端を保持する上部フレーム31bと、基板Sの下端を保持する下部フレーム31cと、基板Sの側部を保持する2つの側部フレーム31dとから構成される。このうち、上部フレーム31bには、上部バーコード群C1が、上部フレーム31bにおける搬送方向の全体にわたって貼り付けられている。また、下部フレーム31cには、下部バーコード群C2が、下部フレーム31cにおける搬送方向の全体にわたって貼り付けられている。上部バーコード群C1と下部バーコード群C2とは、トレイフレーム31におけるイオンビームが照射されない面側に貼り付けられている。このような構成では、各バーコード群C1,C2にイオンビームが直接照射されないことから、イオンビームの熱等によるバーコードの劣化を抑えることができる。
搬送トレイTに保持される基板Sは、例えば、幅W1が2200mmであり、高さHが2400mmであり、また、各側部フレーム31dの幅W2は、例えば250mmである。そのため、上部バーコード群C1及び下部バーコード群C2に含まれる各バーコードは、それが貼り付けられたフレームにおける一端からの部位を示す指標であって、0mmから2700mmまでのいずれかの数値、つまり、搬送トレイTの搬送方向における絶対位置を示している。例えば、0mmを示すバーコードは、搬送トレイTにおける順方向の前端に貼り付けられ、他方、2700mmを示すバーコードは、搬送トレイTにおける順方向の後端に貼り付けられている。そして、搬送トレイTがイオンビームの照射位置に到達したときに、第1バーコード読み取り部23Aによる上部バーコード群C1の撮像が行われる。そのため、バーコードが示す位置、すなわち、撮像位置に対する搬送トレイTの位置から側部フレーム31dの幅W2である250mmを引いた値が、基板Sにおける照射部位である。
このように、基板Sにおけるイオンビームの照射位置が一義的に定められる上部バーコード群C1を撮像する第1バーコード読み取り部23Aを備えるようにしている。そのため、基板Sにおける実際の照射部位と、これを検出する位置検出部の検出結果とにずれが生じることを抑えられる。それゆえに、基板Sにおける照射位置を把握する精度を高めることができる。
搬送トレイTにおける上側の端面には、トレイ磁石32が取り付けられ、また、同搬送トレイTにおける下側の端面には、円柱状のトレイスライダ33が取り付けられている。
処理チャンバ14の底面側には、複数の搬送ローラ41が、上記往路R1に沿って配置されている。搬送ローラ41の各々は、上記トレイスライダ33の幅と略同一の厚みを有するとともに、搬送ローラ41の周方向の端面には、トレイスライダ33を保持する溝部が形成されている。また、搬送ローラ41には、搬送ローラ41を回転させる搬送ローラモータが連結され、搬送ローラ41は、搬送ローラモータの回転によって回転する。搬送ローラモータは、正方向及び逆方向のいずれにも回転することができるモータであり、搬送ローラモータが回転方向を切り替えることで、搬送ローラの回転する方向が切り替えられる。
つまり、搬送トレイTが往路R1に沿って順方向に搬送されるときには、複数の搬送ローラ41が同一の方向に回転し、これにより、トレイスライダ33、ひいては搬送トレイTが順方向に搬送される。また、搬送トレイTが往路R1に沿って上記逆方向に搬送されるときには、複数の搬送ローラ41が上記とは逆の方向に回転し、これにより、搬送トレイTが逆方向に搬送される。
処理チャンバ14の上壁部には、搬送ローラ41と対向する側の端部に保持磁石42Mを有した複数の保持部42が搭載されている。保持磁石42Mは、該保持磁石42Mの下方に到達した上記トレイ磁石32と互いに作用することで、往路R1に沿って搬送されている搬送トレイTの姿勢を維持する。搬送トレイTは、往路R1に沿って搬送されているときに、例えば、処理チャンバ14の底壁に対して垂直な状態から上記イオン源21L,21Uとは反対側に所定の角度、例えば3°だけ倒された状態に維持される。そのため、基板Sに対するイオンビームの照射によって該基板Sが振動したとしても、搬送トレイTを処理チャンバ14の底壁部に対して直交させた状態で搬送するよりも、基板Sが搬送トレイTから外れにくくなる。
なお、ロードロックチャンバ12及びバッファチャンバ13の往路R1及び復路R2における搬送トレイTの搬送にかかわる構成は、上記処理チャンバ14内に設けられた構成から保持部42を割愛した構成と同様である。
[バーコードの詳細構成]
上記搬送トレイTに貼り付けられたバーコード群C1,C2について、図3を参照して詳細に説明する。なお、上部バーコード群C1と下部バーコード群C2とは、貼り付けられる位置が互いに異なるものの、トレイフレーム31の部位を示す構成に関しては同様であることから、以下では、上部バーコード群C1の一部を用いて説明する。また、図3には、上部バーコード群C1を第1バーコード読み取り部23A側から見た構成が示されている。
図3(a)に示されるように、上部バーコード群C1は、複数のバーコードC1aを有している。各バーコードC1aの下方には、上部フレーム31bの順方向における前端から該バーコードC1aの貼り付けられた部位までの長さを示す数値部C1bが印字されている。各バーコードC1aの周囲は、ブランク部C1cによって取り囲まれている。
こうした上部バーコード群C1を読み取る第1バーコード読み取り部23A、及び第4バーコード読み取り部23Dは、上部バーコード群C1を所定の周期で撮像する撮像部を有し、撮像部によって得られた上部バーコード群C1の画像から、撮像位置に対する搬送トレイTの位置を検出する。
撮像部によって得られた画像が、図3(a)に示される「000183」、すなわち、上記上部フレーム31bの一端から183mmの位置であることを示すバーコードC1a、及び該バーコードC1aの両側の一部を含むとき、バーコード読み取り部23A,23Dは、該画像を図3(b)に示される2値データに変換する。バーコード読み取り部23A,23Dは、こうした2値データをデコードして、上部フレーム31bの順方向の前端から撮像位置までの長さ、すなわち、撮像位置に対する搬送トレイTの位置を上述した所定の周期で検出する。なお、順方向の前端から撮像位置までの長さを検出することによって、逆方向の前端から撮像までの長さを検出することもできる。つまりは、順方向及び逆方向を含む搬送方向の一端から撮像位置までの長さを検出することができる。
なお、上記下部バーコード群C2を読み取る第2バーコード読み取り部23B、及び第3バーコード読み取り部23Cの構成は、処理チャンバ14における搭載場所が異なるものの、上記第1バーコード読み取り部23A、及び第4バーコード読み取り部23Dと同様である。
上述のように絶対位置を検出するいわゆるアブソリュート型リニアエンコーダには、例えば、電磁誘導式のリニアエンコーダが知られている。電磁誘導式のリニアエンコーダは、目盛りが刻んであるテープ等のスケールと、スケールに対する位置を変えながら目盛りを検出する読み取り部とを備え、読み取り部は、スケールとの距離が数mm程度の範囲でなければ、目盛りを検出することができない。
ここで、搬送トレイTが処理チャンバ14の底壁部に対して略直交する状態で搬送される場合には、搬送トレイTが搬送方向とは略直交する方向に沿って揺れ動くことによって、搬送トレイTに取り付けられたスケールと、読み取り部との距離が変わる。読み取り部の検出できる範囲は、上述のように数mm程度であるため、搬送トレイTが揺れ動くことによって、搬送トレイTに取り付けられたスケールと読み取り部との距離が、読み取り部の検出できる範囲を容易に超えてしまう。それゆえに、電磁誘導式のリニアエンコーダでは、検出された距離の信頼性が低くなってしまう。
また、読み取り部を真空の状態である処理チャンバ14内に配置しなければならないため、読み取り部には、放出するガスの量が所定量に収まることや、パーティクルとなる粒子が付着していないこと等が必要とされる。
これに対し、本実施形態のバーコード読み取り部23A〜23Dは、スケールであるバーコード群C1,C2と非接触であり、且つ、撮像部を用いた光学式のリニアエンコーダである。そのため、電磁誘導式のリニアエンコーダと比べて、バーコード読み取り部23A〜23DによってバーコードC1aを検出可能な距離が大きく、上述のように搬送トレイTが揺れ動いたとしても、バーコードC1aを検出することができる。それゆえに、本実施形態のバーコード読み取り部23A〜23Dとバーコード群C1,C2とによれば、絶対位置を検出しながら、検出された距離の信頼性を高めることができる。
また、バーコード読み取り部23A〜23Dを処理チャンバ14外に設置し、バーコード読み取り部23A〜23Dに対するバーコード群C1,C2の位置が、バーコード群C1,C2が移動することによって変わる。そのため、バーコード読み取り部23A〜23Dを用いることで、電磁誘導式のリニアエンコーダを用いる場合の制約をなくしながら、絶対位置を検出することが可能になる。
[イオンビーム照射装置の電気的構成]
イオンビーム照射装置10の電気的構成について図4を参照して説明する。なお、図4には、電気的構成のうち、上記処理チャンバ14にて行われるイオンビームの照射及び搬送トレイTの搬送にかかわる構成が示されている。以下では、こうした構成の説明を行うこととし、他の電気的構成、例えば、処理チャンバ14以外のチャンバ11,12,13にて行われる搬送トレイTの搬送や、各ゲートバルブ15の開閉にかかわる構成についての説明は割愛する。
イオンビーム照射装置10に搭載された主制御部50は、中央処理装置(CPU)、不揮発性メモリ(ROM)、及び揮発性メモリ(RAM)を有するマイクロコンピュータを中心に構成されている。主制御部50は、上記ROM及びRAMに記憶された各種データ及びプログラムに基づいて、イオンビーム照射装置10の動作にかかわる各種制御を行う。
主制御部50には、処理チャンバ14内に搭載された各種モータ、特に、搬送トレイTの搬送を行うモータの駆動を制御するモータ制御部60が接続されている。モータ制御部60には、上記搬送ローラ41に接続された搬送ローラモータ61Mを回転駆動する駆動回路61Dと、搬送ローラモータ61Mの回転位置を検出するエンコーダ61Eとが接続されている。モータ制御部60は、主制御部50から入力された駆動指令と、エンコーダ61Eから入力された回転位置とに基づいて位置指令を生成するとともに、該位置指令を駆動回路61Dに出力する。
駆動回路61Dは、モータ制御部60から入力された位置指令に基づいて、搬送ローラモータ61Mの駆動電流を生成するとともに、該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。搬送ローラモータ61Mは、入力された駆動電流に応じた回転を行うことで、上記搬送ローラ41を自転させる。なお、駆動回路61D及びエンコーダ61Eは、各搬送ローラモータ61Mに対して設けられている。
モータ制御部60は、エンコーダ61Eから入力された回転位置の位置指令に対する偏差が所定値以下となるときに、上記駆動指令に基づく搬送ローラモータ61Mの駆動が完了したことを示す完了信号を生成するとともに、該完了信号を主制御部50に出力して、主制御部50からのさらなる駆動指令を待つ。
また、モータ制御部60には、上記切り替え部TRの備える切り替えモータ62Mを回転駆動する駆動回路62Dと、切り替えモータ62Mの回転位置を検出するエンコーダ62Eとが接続されている。モータ制御部60は、主制御部50から入力された駆動指令と、エンコーダ62Eから入力された回転位置とに基づいて位置指令を算出するとともに、該位置指令を駆動回路62Dに出力する。
駆動回路62Dは、モータ制御部60から入力された位置指令に基づいて、切り替えモータ62Mの駆動電流を生成するとともに、該駆動電流を切り替えモータ62Mに出力する。切り替えモータ62Mは、入力された駆動電流に応じた回転を行うことで、上記切り替え部TRを駆動させる。なお、駆動回路62D及びエンコーダ62Eは、切り替え部TRを構成する複数のモータの各々に対して設けられている。
モータ制御部60は、エンコーダ62Eから入力された回転位置の位置指令に対する偏差が所定値以下となるときに、上記駆動指令に基づく切り替えモータ62Mの駆動が完了したことを示す完了信号を生成するとともに、該完了信号を主制御部50に出力して、主制御部50からのさらなる駆動指令を待つ。なお、モータ制御部60、駆動回路61D、搬送ローラモータ61M、搬送ローラ41、及びエンコーダ61Eによって搬送部が構成されている。
また、主制御部50には、上記イオン源21L,21Uの駆動を制御するイオンビーム制御部70が接続されている。イオンビーム制御部70には、第1イオン源21Lにイオンビームを出力させる駆動回路71D、第1イオン源21Lの出力を検出する第1出力センサ71S、及び上記第1プロファイル計測部22Lが接続されている。
イオンビーム制御部70は、主制御部50から入力された駆動指令と、第1プロファイル計測部22Lから入力された計測データとに基づいて出力指令を生成するとともに、該出力指令を駆動回路71Dに出力する。なお、第1プロファイル計測部22Lは、イオンビームの強度分布等の計測結果に応じた計測データを生成するとともに、該計測データをイオンビーム制御部70に出力する。
駆動回路71Dは、イオンビーム制御部70から入力された出力指令に基づいて、第1イオン源21Lの駆動電流を生成するとともに、該駆動電流を第1イオン源21Lに出力する。第1イオン源21Lは、入力された駆動電流に応じたイオンビームの出力を行う。
イオンビーム制御部70は、上記駆動指令に基づく第1イオン源21Lの駆動が完了したときに、完了信号を生成するとともに、該完了信号を主制御部50に出力して、主制御部50からのさらなる駆動指令を待つ。
上記第1出力センサ71Sは、例えば、第1イオン源21Lのフィラメントを流れる電流を検出するセンサである。第1出力センサ71Sは、検出された電流値が所定の設置値未満である場合、イオンビームの出力が停止した旨を示す出力停止信号を生成するとともに、該出力停止信号をイオンビーム制御部70に出力する。
イオンビーム制御部70には、上記搬送トレイTの上部バーコード群C1を読み取る第1バーコード読み取り部23A、及び同上部バーコード群C1を読み取る第4バーコード読み取り部23Dが接続されている。第1バーコード読み取り部23A及び第4バーコード読み取り部23Dは、撮像位置で撮像された上部バーコード群C1の一部から上記絶対位置を検出するとともに、該絶対位置に応じた位置データを所定の撮像周期で生成し、該位置データをイオンビーム制御部70に出力する。第1出力センサ71Sが出力停止信号を出力したとき、該出力停止信号が出力された撮像周期における位置データは、イオンビーム制御部70の有する記憶部70aに記憶される。すなわち、イオンビーム制御部70に入力された位置データは、第1出力センサ71Sの検出結果に対応付けられた状態で記憶部70aに記憶される。
イオンビーム制御部70には、第2イオン源21Uにイオンビームを出力させる駆動回路72D、第2イオン源21Uの出力を検出する第2出力センサ72S、及び上記第2プロファイル計測部22Uが接続されている。
イオンビーム制御部70は、主制御部50から入力された駆動指令と、第2プロファイル計測部22Uから入力された計測データとに基づいて出力指令を生成するとともに、該出力指令を駆動回路72Dに出力する。なお、第2プロファイル計測部22Uは、上記第1プロファイル計測部22Lと同様の計測データを生成するとともに、該計測データをイオンビーム制御部70に出力する。
駆動回路72Dは、イオンビーム制御部70から入力された出力指令に基づいて、第2イオン源21Uの駆動電流を生成するとともに、該駆動電流を第2イオン源21Uに出力する。第2イオン源21Uは、入力された駆動電流に応じたイオンビームの出力を行う。
イオンビーム制御部70は、上記駆動指令に基づく第2イオン源21Uの駆動が完了したときに、完了信号を生成するとともに、該完了信号を主制御部50に出力して、主制御部50からのさらなる駆動指令を待つ。
上記第2出力センサ72Sは、例えば第2イオン源21Uのフィラメントを流れる電流を検出するセンサである。第2出力センサ72Sは、検出された電流値が所定の設定値未満である場合、イオンビームの出力が停止した旨を示す出力停止信号を生成するとともに、該出力停止信号をイオンビーム制御部70に出力する。
イオンビーム制御部70には、上記搬送トレイTの下部バーコード群C2を読み取る第2バーコード読み取り部23B、及び同下部バーコード群C2を読み取る第3バーコード読み取り部23Cが接続されている。第2バーコード読み取り部23B及び第3バーコード読み取り部23Cは、撮像位置で撮像された下部バーコード群C2の一部から上記絶対位置を検出するとともに、該絶対位置に応じた位置データを生成し、該位置データをイオンビーム制御部70に出力する。第2出力センサ72Sが出力停止信号を出力したとき、該出力停止信号が出力された撮像周期における位置データは、イオンビーム制御部70の有する記憶部70aに記憶される。すなわち、イオンビーム制御部70に入力された位置データは、第2出力センサ72Sの出力結果に対応付けられた状態で記憶部70aに記憶される。
このように、イオンビームの駆動を制御するイオンビーム制御部70には、撮像位置に対する搬送トレイTの位置を検出するバーコード読み取り部23A〜23Dが接続されている。そのため、イオンビームが所望の出力で出力されているか否かを示すデータと、撮像位置に対する搬送トレイTの位置、すなわち、イオンビームが照射されている部位に関するデータとが、同一の制御部に所定の撮像周期で入力されることになる。それゆえに、これらのデータが各別の制御部に入力される場合よりも、イオンビームが停止されたときの撮像位置に対する搬送トレイTの位置、すなわち、停止位置と、該イオンビームの照射位置とのずれを小さくすることができる。
なお、イオンビーム制御部70、イオン源21L,21U、駆動回路71D,72D、及び、出力センサ71S,72Sによって、イオンビーム照射部が構成されている。また、出力センサ71S,72Sによって、出力検出部が構成され、イオンビーム制御部70によって取得部が構成されている。
[イオンビーム照射装置の作用]
イオンビーム照射装置10が行う動作のうち、上記処理チャンバ14にて行われるイオンビームの照射にかかわる動作について、図5〜図10を参照して説明する。なお、バッファチャンバ13における搬送トレイTの搬送動作、ゲートバルブ15の開閉動作、及び、バッファチャンバ13から処理チャンバ14への搬送トレイTの搬入動作等は、以下に説明するイオンビーム照射処理よりも前に、他の処理フローに従って行われている。また、イオン源21L,21Uが、基板Sに対してイオンビームの照射を行っているときに、イオンビームの意図しない停止が起こった場合等、上記センサ71S,72Sから出力停止信号が出力されるときを異常停止時とし、他方、こうした停止が起こらない場合を正常照射時とする。また、図7〜図10では、搬送トレイT1,T2の順方向への搬送が白抜き矢印で示されている。そして、図9では、搬送トレイT1の逆方向への搬送が黒塗り矢印で示されている。
[正常照射時]
イオンビーム照射処理が開始されるときには、搬送トレイTは、処理チャンバ14内における所定の停止位置にて停止した状態にある。また、処理チャンバ14内には、1枚あるいは2枚の搬送トレイTが収容されている(図7(a)参照)。なお、以下では、後続する搬送トレイT2に取り付けられた処理前の基板Sに対して第1イオン源21Lによるイオンビーム照射処理が行われる場合を例として説明する。また、このとき、先行する搬送トレイT1に取り付けられた基板Sに対する第2イオン源21Uからのイオンビームの照射も行われている。この搬送トレイT1に対するイオンビーム照射処理は、以下に説明するイオンビーム照射処理と同様の処理を行うための他の処理フローに従って行われている。
イオンビーム照射処理では、まず、主制御部50が、イオンビーム制御部70に対する駆動指令を生成して該駆動指令を出力することにより、イオンビーム制御部70が、駆動指令に基づく出力指令を生成し、該駆動指令を駆動回路71Dに出力する。そして、駆動回路71Dが、出力指令に基づく駆動電流を生成して、該駆動電流を第1イオン源21Lに出力することで、第1イオン源21Lからの下側イオンビームBLの照射が開始される(ステップS101)(図7(b)参照)。
下側イオンビームBLの照射が開始されると、第1プロファイル計測部22Lが、検出した下側イオンビームBLに応じた計測データを生成し、該計測データをイオンビーム制御部70に出力する。下側イオンビームBLが出力指令に応じた所定のプロファイルにて出力されているとき(ステップS102:YES)、イオンビーム制御部70は、イオンビームの出力が調整されていることを示す完了信号を生成して、該完了信号を主制御部50に出力する。
イオンビーム制御部70が、上記完了信号に加えて、第2イオン源21Uの出力する上側イオンビームBUの調整が完了したことを示す完了信号も所定時間内に出力すると(ステップS103:YES)、主制御部50は、搬送トレイTを順方向に搬送するための駆動指令を生成し、該駆動指令をモータ制御部60に出力する。モータ制御部60が、入力された駆動指令とエンコーダ61Eからの回転位置とに基づいて位置指令を生成して、該位置指令を駆動回路61Dに出力すると、駆動回路61Dは、位置指令に応じた駆動電流を生成して、該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。これにより、搬送トレイT2の搬送が開始される(ステップS104)。このとき、搬送トレイT1の順方向への搬送も同様に開始される。
なお、搬送ローラモータ61Mの駆動は、往路R1の始端側に設置された搬送ローラ41の搬送ローラモータ61Mから開始される。そして、該搬送ローラモータ61Mが予め決められた所定の回転位置にまで回転すると、往路R1の終端側に隣接して設置された搬送ローラ41の搬送ローラモータ61Mの駆動が開始される。また、各搬送ローラモータ61Mの駆動は、所定の回転位置、例えば、搬送ローラ41がトレイスライダ33と接しない回転位置まで行われると停止される。このように、搬送ローラモータ61Mの駆動が、往路R1の始端側から順に行われることで、搬送トレイT2が、往路R1の始端側から終端側に向かう順方向に搬送される。
搬送トレイT2が搬送されて、搬送トレイT2の上部バーコード群C1の順方向における前端、例えば搬送トレイTの前端からの長さが0mmであることを示すバーコードが第1バーコード読み取り部23Aの撮像位置に到達すると、上部バーコード群C1の撮像、つまり、撮像位置に対する搬送トレイT2の位置の検出が開始される(ステップS105)(図7(c)参照)。
第1バーコード読み取り部23Aによる上部バーコード群C1の撮像が開始されるとき、搬送トレイT2に対するイオンビームの照射も行われる。この際、搬送トレイTの上記前端からの長さが250mmであることを示すバーコードが第1バーコード読み取り部23Aによって検出されたときには、基板Sに対する下側イオンビームBLの照射が開始されている。
そして、第1イオン源21Lからの下側イオンビームBLの照射が維持された状態で、搬送トレイTの前端からの長さが2700mmであることを示すバーコードが第1バーコード読み取り部23Aによって検出される(ステップS106:YES、ステップS107:YES)。次いで、イオンビーム制御部70は、第1イオン源21Lの出力を停止させるための出力指令を生成し、該信号を駆動回路71Dに出力する。駆動回路71Dは、入力された出力指令に基づいて駆動電流を生成し、該駆動電流を第1イオン源21Lに出力する。第1イオン源21Lでは、入力された駆動電流によって、下側イオンビームBLの出力が停止される(ステップS108)。そして、第1出力センサ71Sが、第1イオン源21Lの出力電流が0Aであることを示す信号をイオンビーム制御部70に入力すると、イオンビーム制御部70は、上記駆動指令によるイオンビームの照射が完了したことを示す完了信号を生成し、該完了信号を主制御部50に出力して、さらなる駆動指令を待つ。
下側イオンビームBLの照射が停止されると、主制御部50は、搬送トレイT2を順方向に所定距離だけ搬送した後に該搬送を停止させるための駆動指令を生成し、該指令をモータ制御部60に出力する。上記所定距離は、例えば、該所定距離だけ搬送された搬送トレイT2が、第1イオン源21Lの照射位置と、第2イオン源21Uの照射位置との間に位置する距離に設定されている。
モータ制御部60は、上記駆動指令とエンコーダ61Eからの回転位置とに基づいて位置指令を生成し、該位置指令を駆動回路61Dに出力する。そして、駆動回路61Dは、入力された位置指令に基づいて駆動電流を生成して、該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。搬送ローラモータ61Mは、駆動電流に応じた回転を行う。
エンコーダ61Eから入力される回転位置の上記位置指令に対する偏差が所定値未満になると、モータ制御部60は、搬送ローラモータ61Mの回転を停止させるための位置指令を生成し、該位置指令を駆動回路61Dに出力する。駆動回路61Dは、入力された位置指令に基づいて駆動電流を生成し、該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。これにより、搬送ローラモータ61Mの回転が停止されることで、搬送トレイT2の搬送が終了する(ステップS109)。
この際、搬送トレイT2の搬送が終了したときに、第2イオン源21Uにおける出力停止を示す信号が主制御部50に入力されていると(ステップS110:NO)、主制御部50は、搬送トレイT2の順方向への搬送再開を所定期間だけ遅らせるための駆動指令を生成し、該駆動指令をモータ制御部60に出力する。モータ制御部60は、駆動指令とエンコーダ61Eからの回転位置とに基づいて位置指令を生成し、該位置指令を駆動回路61Dに出力する。駆動回路61Dは、位置指令に基づいて駆動電流を生成し、該位置指令を搬送ローラモータ61Mに出力する。搬送ローラモータ61Mは、入力された駆動電流に応じて、回転が所定位置で停止された状態となる。これにより、搬送トレイT2は、搬送処理の終了位置にて待機している状態となる(ステップS151)。搬送停止が継続される時間、つまり待機時間とは、以下に説明する異常停止時の逆搬送処理が完了するまでの時間である。これにより、主制御部50は、イオンビーム照射処理を一旦終了する。
なお、搬送トレイT2が処理チャンバ14から搬出されるまでには、上記1回目の下側イオンビームBLの照射に加えて、搬送トレイT2に対して、1回目の上側イオンビームBUの照射、2回目の上側イオンビームBUの照射、及び2回目の下側イオンビームBLの照射がこの順に行われる。しかも、各イオンビームの照射においては、駆動の対象となるイオン源21L,21U、あるいは搬送ローラモータ61M等が異なるものの、上述と同様の処理フローに従ってイオンビーム照射処理が行われる。
詳述すると、1回目の上側イオンビームBUの照射が行われるとき、図7(d)〜図7(f)に示されるように、まず、第2イオン源21Uから出力された上側イオンビームBUのプロファイルが計測される。次いで、搬送トレイT2が往路R1の終端側に向けて順方向に搬送されることによって、基板Sの上部領域SUに上側イオンビームBUが照射される。なお、1回目の上側イオンビームBUの照射では、往路R1の終端側にまで搬送された搬送トレイT2は、切り替え部TRによって復路R2上に配置された後、該搬送トレイT2の搬送が終了する。このとき、搬送トレイT1の搬出処理、搬送トレイT3の搬入処理、及びゲートバルブ15の開閉処理は、他の処理フローに従って行われている。
次いで、2回目の上側イオンビームBUの照射が行われるときには、図8(a)及び図8(b)に示されるように、まず、第2イオン源21Uから出力された上側イオンビームBUのプロファイルが計測される。次いで、搬送トレイT2が復路R2の終端側に向けて順方向に搬送されることによって、基板Sの上部領域SUに上側イオンビームBUが照射される。
そして、2回目の下側イオンビームBLの照射が行われるときには、図8(c)〜図(e)に示されるように、まず、第1イオン源21Lから出力された下側イオンビームBLのプロファイルが計測される。そして、搬送トレイT2が復路R2の終端側に向けて順方向に搬送されることによって、基板Sの下部領域SLに下側イオンビームBLが照射される。
[異常停止時]
上述のように、搬送トレイT2が第1イオン源21Lの照射位置に到達すると、搬送トレイT2に取り付けられた基板Sに対する下側イオンビームBLの照射が開始される(図9(a)参照)。そして、搬送トレイT2が、第1イオン源21Lの照射位置を横切る間に下側イオンビームBLの照射が停止すると(図9(b)参照)、第1出力センサ71Sが、第1イオン源21Lに対する出力停止信号を生成し、該信号をイオンビーム制御部70に対して出力する。
イオンビーム制御部70は、上記出力停止信号の入力に基づいて第1イオン源21Lの出力が異常停止したことを示す異常停止信号を生成し、該異常停止信号を主制御部50に出力する(ステップS106:NO)。これにより、上記処理チャンバ14では、逆搬送処理が行われる(ステップS141)。
以下に、搬送トレイT2の逆方向への搬送を行う逆搬送処理について図6を参照して説明する。なお、以下では、搬送トレイT1に対する上側イオンビームの照射は、正常に行われたものとする。
イオンビーム制御部70は、第1出力センサ71Sから上記出力停止信号が入力されると、該信号が入力された撮像周期における位置データを下側イオンビームBLの照射が停止した停止位置として記憶する(ステップS201)。
次いで、主制御部50は、第1イオン源21Lの照射が正常であった場合と同様、当該搬送処理の終了位置まで搬送トレイT2を搬送させるための駆動指令を生成し、該駆動指令をモータ制御部60に出力する。モータ制御部60は、駆動指令とエンコーダ61Eからの回転位置とに基づく位置指令を生成して駆動回路61Dに出力し、駆動回路61Dは、位置指令に基づいて駆動電流を生成する。駆動回路61Dは、該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力し、これにより、搬送ローラモータ61Mは、駆動電流に応じて回転する。
搬送処理の終了位置まで順方向に搬送トレイT2が搬送されると、搬送トレイT2の搬送が停止される(ステップS202)(図9(c)参照)。このとき、主制御部50は、先のステップS151と同様、搬送トレイT1を終了位置にて待機させるための駆動指令を生成し、該駆動指令をモータ制御部60に出力する。
次いで、主制御部50は、イオンビーム制御部70に対して、第1イオン源21Lから下側イオンビームBLを出力させるための駆動指令を生成し、該駆動指令をイオンビーム制御部70に出力する。イオンビーム制御部70は、駆動指令に基づく出力指令を生成して上記駆動回路71Dに該出力指令を出力し、駆動回路71Dが、出力指令に応じた駆動電流を生成して第1イオン源21Lに出力する。第1イオン源21Lは、駆動電流に応じて下側イオンビームBLを出力する(ステップS203)(図9(d)参照)。
下側イオンビームBLが出力されると、先のステップS102、あるいはステップS121と同様、下側イオンビームBLの出力プロファイルが調整され、これにより、イオンビーム制御部70が、出力調整が完了したことを示す完了信号を生成し、該完了信号を主制御部50に出力して、さらなる駆動指令を待つ(ステップS204:YES)。
完了信号が入力されると、主制御部50は、逆方向に搬送トレイT2を搬送するための駆動指令を生成し、該駆動指令をモータ制御部60に出力する。モータ制御部60は、入力された駆動指令とエンコーダ61Eからの回転位置とに基づいて位置指令を生成して駆動回路61Dに出力し、駆動回路61Dは、入力された位置指令に基づいて駆動電流を生成して該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。これにより、搬送トレイT2が、往路R1に沿って逆方向に搬送される(ステップS205)(図9(e)参照)。
そして、搬送トレイTの順方向における前端からの長さが2700mmであることを示すバーコードが、上記第1バーコード読み取り部23Aの撮像位置に到達すると、上記ステップS105と同様、上部バーコード群C1の撮像と、撮像位置に対する搬送トレイTの位置の検出とが行われる(ステップS206)。なお、ステップS105では、搬送トレイTの一端からの長さが0mmであることを示すバーコードから、搬送トレイTの一端からの長さが2700mmであることを示すバーコードに向かって、第1バーコード読み取り部23Aによる撮像が行われる。これに対し、ステップS206では、搬送トレイTの上記前端からの長さが2700mmであることを示すバーコードから0mmであることを示すバーコードに向かって、第1バーコード読み取り部23Aによる撮像が行われる。
この際、イオンビーム制御部70は、第1バーコード読み取り部23Aで検出された搬送トレイTの位置と、上記ステップS201にて記憶部70aに記憶された停止位置との比較を行う(ステップS207)(図9(f)参照)。そして、記憶された停止位置と、撮像位置に対する搬送トレイの位置とが一致すると、イオンビーム制御部70は、第1イオン源21Lからのイオンビームの出力を停止させるための出力指令を生成し、そして、該出力指令を駆動回路71Dに出力する。駆動回路71Dは、入力された出力指令に基づいて駆動電流を生成し、該駆動電流を第1イオン源21Lに出力する。第1イオン源21Lでは、入力された駆動電流によってイオンビームの出力が停止される(ステップS208)。
イオンビームの出力が停止されて、第1イオン源21Lの出力電流が0Aであることを示す信号が、第1出力センサ71Sからイオンビーム制御部70に入力されると、イオンビーム制御部70は、イオンビームの照射が完了したことを示す完了信号を生成し、該信号を主制御部50に出力して、さらなる駆動指令を待つ。主制御部50は、入力された完了信号に基づいて搬送トレイT2を逆方向に所定距離だけ搬送させた後に停止させるための駆動指令を生成し、該駆動指令を上記モータ制御部60に出力する。なお、上記所定距離とは、該所定距離だけ搬送された搬送トレイT2が第1イオン源21Lの照射位置よりもゲートバルブ15側になるような距離である。
そして、モータ制御部60は、入力された駆動指令とエンコーダ61Eからの回転位置とに基づいて位置指令を生成して該位置指令を駆動回路61Dに出力し、駆動回路61Dは、入力された位置指令に基づいて駆動電流を生成して該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。搬送ローラモータ61Mが、入力された駆動電流に応じた回転を行うことで、搬送トレイT2が、上記所定位置にまで搬送された後、該所定位置にて停止される(ステップS209)(図10(a)参照)。
エンコーダ61Eからモータ制御部60に入力された回転位置の上記位置指令に対する偏差が所定値以下になると、モータ制御部60は、搬送ローラモータ61Mの回転を停止させるための位置指令を生成し、該位置指令を駆動回路61Dに出力する。駆動回路61Dは、入力された位置指令に基づいて駆動電流を生成し、該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。これにより、搬送ローラモータ61Mの回転が停止される。また、モータ制御部60は、上記駆動指令に応じた搬送ローラモータ61Mの駆動が完了したことを示す完了信号を生成し、該完了信号を主制御部50に出力して、さらなる駆動指令を待つ。
続いて、主制御部50は、完了信号の入力に基づき搬送トレイT2を往路R1の終端側に向かって順方向に所定距離だけ搬送するための駆動指令を生成し、該駆動指令をモータ制御部60に出力する。
モータ制御部60は、入力された駆動指令とエンコーダ61Eからの回転位置とに基づいて位置指令を生成し、該位置指令を駆動回路61Dに出力する。駆動回路61Dは、入力された位置指令に基づいて駆動電流を生成し、該駆動電流を搬送ローラモータ61Mに出力する。搬送ローラモータ61Mは、入力された駆動電流に基づいて、上記逆搬送(ステップS205〜ステップS209)とは逆方向に回転し、これにより、搬送トレイT2が、往路R1に沿って順方向に搬送される(ステップS210)(図10(b)参照)。なお、上記所定距離とは、該所定距離だけ搬送された搬送トレイT2が、往路R1における第1照射位置と、第2照射位置との間、つまり、復路R2上にて停止している搬送トレイT1と対向する位置にまで搬送される距離である。これにより、搬送トレイT2は、上述の位置にまで搬送された後、該位置にて停止される(ステップS211)(図10(c)参照)。
エンコーダ61Eがモータ制御部60に対して出力する回転位置の上記位置指令に対する偏差が所定値以下になると、モータ制御部60は、上記駆動指令に応じた搬送ローラモータ61Mの駆動が完了したことを示す完了信号を生成し、該完了信号を主制御部50に出力する。これにより、主制御部50は、搬送トレイT2の逆搬送処理を一旦終了する。
なお、以上では、第1イオン源21Lが、往路R1上の搬送トレイT2に対して下側イオンビームBLを照射している途中で、該下側イオンビームBLの出力が停止した場合について説明した。しかしながら、こうした逆搬送処理は、往路R1上の搬送トレイT2に対する上側イオンビームBUの照射、復路R2上の搬送トレイT1に対する上側イオンビームBUの照射、及び復路R2上の搬送トレイT1に対する下側イオンビームBLの照射がその途中で停止した場合にも行われる。この場合、搬送トレイTに対してイオンビームの照射を行うイオン源21L,21U、撮像されるバーコード群C1,C2、バーコードを撮像するバーコード読み取り部23B〜23D、あるいは搬送トレイTの搬送路等が異なるものの、上述と同様の手順にて逆搬送処理が行われる。また、2枚の搬送トレイT1,T2に対するイオンビーム照射が、いずれも異常停止した場合には、各搬送トレイT1,T2に対する逆搬送処理が同時に行われる。
このように、イオンビームの照射位置が、基板S上にて相対移動中に停止したとき、その撮像周期で検出された撮像位置に対する搬送トレイTの位置が停止位置として記憶される。そして、イオンビームが照射されない領域にまで搬送トレイTが搬送された後に、イオンビームの照射が再び開始される。その後、先にイオンビームの照射を行ったときとは逆方向への搬送トレイT及び基板Sの搬送が開始され、撮像位置に対する搬送トレイTの位置が上記停止位置に到達したところで、イオンビームの照射が停止される。
このような逆搬送処理によれば、イオンビームの照射が行われなかった領域に対して、イオンビームの照射を行うことができる。しかも、出力停止後のイオンビームの照射はイオンビームプロファイルが確認された後、逆方向の搬送によって行われることから、順方向の搬送によって行われる場合よりも、イオンビームが所定の出力に維持された状態で、基板Sへのイオンビームの照射が行われる。これにより、イオンビームの照射が途中で停止したとしても、基板Sの面内におけるイオンビームの照射量のばらつきを抑えつつ、基板Sの搬送方向における全体にイオンビームの照射を行うことができる。
[ビームプロファイル異常時]
なお、上記イオンビーム照射処理において、イオンビームが出力指令に応じた所定のプロファイルで出力されていないときには(ステップS102:NO)、イオンビーム制御部70は、主制御部50から入力された駆動指令と第1出力センサ71Sからの計測データとに基づいて出力指令を再び生成し、該出力指令を駆動回路61Dに出力する。駆動回路61Dが、出力指令に基づく駆動電流を生成して、該駆動電流を第1イオン源21Lに出力し、そして、第1イオン源21Lがイオンビームを出力する。こうして、変更された駆動電流に基づきイオンビームの照射が開始されると、第1プロファイル計測部22Lは、該変更後のイオンビームの計測データをイオンビーム制御部70に出力する。
イオンビーム制御部70は、駆動電流を変更する前後の計測データを比較し、計測データが予め設定された所定の値だけ変更されていれば、イオンビームのプロファイルが調整可能であるとして(ステップS121:YES)、再び、イオンビームの出力プロファイルと、駆動指令に応じた所定のプロファイルとを比較する(ステップS102)。なお、イオンビームのプロファイルが調整できない場合には(ステップS121:NO)、イオンビーム制御部70は、プロファイルの調整ができないことを示すエラー信号を生成し、該エラー信号を主制御部50に出力する(ステップS122)。そして、主制御部50は、イオンビーム照射処理を一旦終了する。
また、第1イオン源21Lの出力調整が完了したとしても(ステップS102:YES)、第2イオン源21Uの出力調整が、所定時間内に完了しなければ(ステップS103:NO、ステップS131:YES)、主制御部50は、イオンビーム照射処理を一旦終了する。
上記逆搬送処理においても、上記イオンビーム照射処理と同様、イオンビームが出力指令に応じた所定のプロファイルで出力されていないときには(ステップS204:NO)、イオンビーム制御部70は、主制御部50から入力された駆動指令と第1出力センサ71Sからの計測データとに基づいて出力指令を再び生成して該出力指令を駆動回路61Dに出力する。駆動回路61Dは、こうして変更された出力指令に基づく駆動電流を生成して第1イオン源21Lに出力し、第1イオン源21Lは、この駆動電流に応じた出力を行う。これにより、イオンビームのプロファイルが調整可能であれば(ステップS221:YES)、イオンビームのプロファイルが所定のプロファイルとなるまで継続される。これに対し、イオンビームの調整ができない場合には、イオンビーム制御部70は、プロファイルの調整ができないことを示すエラー信号を生成し、該エラー信号を主制御部50に出力する(ステップS222)。エラー信号が入力されると、主制御部50は、逆搬送処理を一旦終了する。
以上説明したように、上記実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
(1)搬送トレイTにおける部位を示す複数のバーコードC1aの各々を撮像することで撮像位置に対する搬送トレイTの位置が検出される。この際、バーコードC1aが撮像される撮像位置とイオンビームが照射される照射位置との相対関係は、搬送トレイTが搬送される期間も所定の関係に維持され続けることになる。そのため、搬送トレイTにおけるバーコードC1aがバーコード読み取り部23A〜23Dにより検出されるたびに、搬送トレイTに対する照射位置の相対位置を検出することが可能になる。そして、搬送トレイを搬送する搬送部の駆動量等から搬送トレイの位置を検出する態様と比べて、搬送トレイTに対する照射位置を直接的に検出することが可能となる。その結果、搬送トレイTを搬送する搬送部を構成する搬送ローラ41と搬送トレイTとにずれが生じる場合であっても、こうしたずれにより検出位置の誤差が生じることを抑えられる。ひいては、搬送トレイTに保持された基板Sにおける照射位置の検出精度を高めることができる。
(2)バーコード読み取り部23A〜23Dの検出結果と出力センサ71S,72Sの検出結果とが互いに対応付けられて記憶部70aに記憶されるため、所望の出力でイオンビームが照射された基板Sの部位を記憶部70aに記憶された情報から把握することが可能となる。言い換えれば、所望の出力以外の出力でイオンビームが照射された基板Sの部位、あるいはイオンビームが照射されなかった基板Sの部位を把握することが可能となる。そのため、イオンビームの照射不足となる基板Sの部位に対し、照射不足を補うためのさらなる照射処理を高い精度のもとで行うことが可能にもなる。
(3)基板Sにおける照射位置のうち、出力停止となった位置を把握することが可能となる。そのため、イオンビームが出力停止となった位置についても検出精度を高めることができ、ひいては、イオンビームが照射されていない基板Sの部位に対し、再度の照射処理を高い精度のもとで行うことが可能にもなる。
(4)イオンビームの出力停止が検出されたとき、そのときの撮像位置に対する搬送トレイTの位置が、出力停止に対応付けられた停止位置として記憶部70aに記憶される。そして、撮像位置に対する搬送トレイTの位置が停止位置と終了位置との間にあるときに再びイオンビームが出力される。そのため、イオンビームの照射が行われていない部位に対し、高い位置精度のもとで、再びイオンビームの照射を行うことが可能となる。
(5)イオンビームの出力停止が検出されたとき、そのときの撮像位置に対する搬送トレイTの位置が、出力停止に対応付けられた停止位置として記憶部70aに記憶される。そして、搬送トレイTが非照射位置にまで搬送された後に、イオンビームの照射が再び開始され、その後、先にイオンビームの照射が行われたときとは逆方向への搬送トレイTの搬送を開始し、撮像位置に対する搬送トレイTの位置が停止位置に到達したところで、イオンビームの照射が停止される。そのため、基板Sにおけるイオンビームの照射が行われていない部位に対して、高い位置精度のもとで、再びイオンビームの照射を行うことが可能となる。
(6)出力停止が発生した後のイオンビームの照射は、逆方向へ搬送トレイTが搬送されることによって行われる。そのため、停止位置から順方向へ搬送トレイが搬送される態様と比べて、イオンビームの出力が設定値に維持された状態で、基板Sへのイオンビームの照射が行われる。これにより、イオンビームの出力が照射の途中で停止したとしても、基板面内におけるイオンビームの照射量のばらつきを抑えつつ、基板Sの搬送方向における全体にイオンビームの照射を行うことができる。
(7)搬送トレイTに複数のバーコードC1aが配列され、しかも、該複数のバーコードC1aは、搬送トレイTの順方向における前端から後端の全体にわたり配列されている。このような態様であれば、撮像位置に対する搬送トレイTの位置を搬送トレイTの前端から後端にわたって得ることができるため、搬送トレイTにおける順方向のいずれの位置であっても、搬送トレイTの位置の検出精度をより高めることができる。
(8)搬送トレイTに対してイオン源21L,21Uとは反対側にバーコード読み取り部23A〜23Dが配置されているため、こうしたバーコード読み取り部23A〜23Dに撮像されるバーコード群C1,C2も、自ずと搬送トレイTに対してバーコード読み取り部23A〜23Dと同じ側に配置されることになる。このような態様によれば、搬送トレイTにおけるイオンビームが照射されない側にバーコード群C1,C2が配置されることから、イオンビームの熱等によってバーコード群C1,C2の外観が劣化することを抑えることが可能にもなる。それゆえに、バーコード群C1,C2の外観が劣化することによって、イオンビームの照射位置の検出精度が低下することを抑えられる。
(9)搬送トレイTに対してイオン源21L,21Uとは向かい合わない位置にバーコード読み取り部23A〜23Dが配置されているため、イオンビームの熱等によってバーコード読み取り部23A〜23Dの撮像機構が熱的に劣化することを抑えることが可能にもなる。それゆえに、バーコード群C1,C2の外観が劣化することによって、イオンビームの照射位置の検出精度が低下することを抑えられる。
(10)基板Sにおける照射部位が、下部領域SLと上部領域SUとからなり、且つ、下部領域SLと上部領域SUとには、互いに異なるイオン源21L,21Uからイオンビームの照射が行われる。そのため、基板Sに対するイオンビームの照射を複数のイオン源21L,21Uによって行うことから、単一のイオン源を用いて行うよりも、基板Sに対するイオンビームの照射をより多用な態様にて行うことができる。それゆえに、イオンビームが、所望とする照射量で基板面内に照射されやすくなる。また、イオンビームの照射領域が重複する構成と比較して、各イオン源21L,21Uにおけるイオンビームの照射態様を各別に設定することができる分、各イオン源21L,21Uでのイオンビームの照射態様がより簡易なものとなり、イオンビーム照射工程のスループットも向上できる。
(11)搬送トレイTは、搬送トレイTにおける上部領域SU側に設けられた上部バーコード群C1と、搬送トレイTにおける下部領域SL側に設けられた下部バーコード群C2とを有している。また、上部領域SUにイオンビームが照射されているときにバーコードの撮像を行う第2バーコード読み取り部23B及び第3バーコード読み取り部23Cは、下部バーコード群C2を読み取る一方、下部領域SLにイオンビームが照射されているときにバーコードの撮像を行う第1バーコード読み取り部23A及び第4バーコード読み取り部23Dは、上部バーコード群C1を読み取る。そのため、イオン源21L,21Uから出力されたイオンビームが、基板Sに到達する前にバーコード読み取り部23A〜23Dによって妨げられること、つまり、イオン源21L,21Uから出力されたイオンビームがバーコード読み取り部23A〜23Dに照射されること、これらを抑えることが可能となる。それゆえに、基板Sに対するイオンビームの照射を妨げることなく、イオンビームの照射位置の検出精度を高めることができる。
なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
イオンビーム照射装置10は、上記逆搬送処理を行わない構成であってもよい。例えば、イオンビーム照射装置10は、搬送トレイTを順方向に搬送しつつ、イオンビームの照射が行われなかった部位にのみ再び照射を行うために、搬送トレイTの搬送を行うようにしてもよい。あるいは、イオンビームが照射されなかった部位に対する照射の態様は、その照射が他のイオンビーム照射装置で行われる態様でもよい。この際、停止位置に関するデータが2つのイオンビーム照射装置の間で移動可能な構成が好ましい。
バーコード読み取り部23A〜23Dは、イオンビーム制御部70以外の制御部、例えば主制御部50に接続されるようにしてもよい。
第1バーコード読み取り部23A及び第4バーコード読み取り部23Dと、第2バーコード読み取り部23B及び第3バーコード読み取り部23Cとのいずれか一方が割愛されるとともに、バーコード群C1,C2が、バーコード読み取り部の配置に合わせて上部フレーム31b、下部フレーム31cのいずれか一方に設けられている構成であってもよい。
バーコード群C1,C2は、搬送トレイTにおける逆方向の前端に、0mmを示すバーコードが貼り付けられ、他方、同搬送トレイTにおける逆方向の後端に、2700mmを示すバーコードが貼り付けられているようにしてもよい。
バーコード群C1,C2は、搬送トレイTに貼り付けられるテープでなく、搬送トレイTに対して直接刻まれていてもよい。
図11を参照して、上記搬送トレイTに貼り付けられたバーコード群C1,C2の変形例を説明する。なお、上述と同様の理由から、以下では、上部バーコード群C1の一部を用いて説明する。また、図11には、上部バーコード群C1を第1バーコード読み取り部23A側から見た構成が示されている。
図11に示されるように、上部バーコード群C1は、複数のバーコードC1aを有し、各バーコードC1aを構成する複数のバーの各々は、搬送方向と平行な方向に沿って印字されている。これに対し、上記実施形態では、図3(a)に示されるように、各バーコードC1aを構成する複数のバーは、搬送方向と直交する方向に沿って印字されている。数値部C1bは、搬送方向にて対応するバーコードC1aの右側に印字されている。なお、数値部C1bは、搬送方向にて対応するバーコードC1aの左側に印字されていてもよいし、対応するバーコードC1aの上方や下方に印字されていてもよい。各バーコードC1aの周囲は、上記実施形態のバーコードC1aと同様、ブランク部C1cによって取り囲まれている。
こうした上部バーコード群C1を読み取る第1バーコード読み取り部23A、及び、第4バーコード読み取り部23Dは、上部バーコード群C1を所定の周期で撮像する撮像部を有する。各バーコード読み取り部23A,23Dは、撮像部によって得られた上部バーコード群C1の画像から、撮像位置に対する搬送トレイTの位置を検出する。撮像部は、所定の撮像範囲に収められた画像を取得し、撮像範囲における搬送方向と直交する方向に沿った幅は、各バーコードC1aを構成する全てのバーと、ブランク部C1cにおけるバーコードC1aの上方の一部及び下方の一部とを含む大きさに設定されている。
撮像部によって得られた画像が、図11に示される「000183」、すなわち、上部フレーム31bの一端から183mmの位置であることを示すバーコードC1aを含むとき、各バーコード読み取り部23A,23Dは、該画像を例えば下側から順に2値データに変換する。各バーコード読み取り部23A,23Dは、こうした2値データをデコードして、上部フレーム31bの順方向の前端から撮像位置までの長さ、すなわち、撮像位置に対する搬送トレイTの位置を上述した所定の周期で検出する。
図11のようにバーコード群C1を配列することにより、図3(a)のように配列した場合に比べ、より高い分解能で搬送トレイTの搬送位置を検出することが可能となる。即ち、図11の構成では、搬送方向と平行にバーコードC1aが横向きに配置されるため、図3(a)の構成に比べて、より多くのバーコード群C1を同一領域(上部フレーム又は下部フレーム)内に配列可能となる。これにより、各バーコードC1aの読み取り区間を搬送方向に短くして、各バーコードC1aを用いた搬送位置の検出分解能を高めることができる。従って、搬送トレイTの位置検出精度を向上させることができる。
イオン源21L,21Uの照射位置は、基板Sの高さ方向の全体にわたる位置であってもよく、あるいは基板Sの高さ方向において3つ以上に分割された位置であってもよい。要は、イオンビームの照射位置が、基板Sにおける搬送方向と交差する方向の全体と重なればよい。
基板Sに対するイオンビームの照射は同一領域に対して3回以上行うようにしてもよい。あるいは、基板Sに対するイオンビームの照射は、同一領域に対して1回だけ行うようにしてもよい。
搬送トレイTは、処理チャンバ14の底壁に対して直交するように立たせられた状態で搬送されるようにしてもよい。
バーコード読み取り部23A〜23Dは、イオン源21L,21Uと同じ側に配置されてもよく、このような構成では、搬送トレイTの有するバーコード群C1,C2が、トレイフレーム31におけるイオンビームが照射される側の面に設けられていればよい。
搬送トレイTが有する指標は、バーコードに限らず、2次元コードや上述した数値部のみであってもよく、要は、搬送トレイにおける部位を示し、搬送方向に配列された互いに異なる指標であればよい。
位置検出部は、イオンビーム照射部の照射位置と向かい合う位置に配置されてもよい。この際、照射位置に照射されたイオンビームが位置検出部に照射されないように、別途イオンビームを遮蔽する遮蔽部材を有する構成が好ましい。
イオンビームの出力を検出する出力検出部である出力センサ71S,72Sは、イオンビームの出力値としてのフィラメントの電流値が所定の設定値未満であることを検出結果として出力するセンサに限らず、イオンビームの出力値を検出結果として出力するセンサであってもよい。この際、イオンビームの出力が所定の設定値未満であるか否かを別途イオンビーム制御部が判断する構成が好ましい。また、イオンビームの出力を検出する出力検出部が、イオンビームの出力値を検出結果として出力する場合には、位置検出部の検出結果と出力検出部の検出結果とが、所定の周期ごとに対応付けられて記憶される構成であってもよい。このような構成であれば、基板Sの全体にわたり、各部位の照射量を把握することが可能にもなる。なお、イオンビーム照射装置は、こうした出力検出部が割愛される構成であってもよい。
出力検出部がイオンビームの出力値を検出する検出周期と、位置検出部が搬送トレイの位置を検出する検出周期とが互いに異なる周期であってもよい。要は、位置検出部の検出結果と、該検出結果が検出された際における最新の出力検出部の検出結果とが対応付けられて記憶される構成であればよい。
上記実施形態では、イオンビームの出力が異常停止したときに、逆方向に搬送されている基板Sに対して、上記停止位置までイオンビームの照射を行うようにした。これに限らず、イオンビームの出力が低下したときに、イオンビームの照射を以下の態様にて行うようにしてもよい。
すなわち、例えば、上記第1出力センサ及び第2出力センサを、イオン源21L,21Uから出力されたイオンビームの時間的及び空間的なプロファイルを検出するセンサとする。そして、各出力センサは、検出されたプロファイルが所定の閾値未満である場合、イオンビームの出力が低下した旨を示す出力低下信号を生成するとともに、該出力低下信号をイオンビーム制御部70に出力する。また、出力センサは、出力低下信号の生成時から、順方向での搬送トレイTの搬送が終了するまで所定期間毎にイオンビームのプロファイルを検出し、該検出したプロファイルをイオンビーム制御部70に出力する。
他方、イオンビーム制御部70は、出力センサからの出力低下信号の入力に応じて、出力低下信号が入力された撮像周期における位置データをイオンビームの出力が低下した低下位置として記憶する。また、イオンビーム制御部70は、出力センサから入力されたプロファイルと、各プロファイルが入力された撮像周期における位置データとを対応付けて記憶する。
そして、イオンビーム制御部70は、逆方向に搬送されている基板Sに対してイオンビームを照射するときには、主制御部50から入力された駆動指令と、記憶されたプロファイル及び位置データとに基づいて出力指令を駆動回路71D,71Dに出力する。
駆動回路71D,72Dは、イオンビーム制御部70から入力された出力指令に基づいて、イオン源21L,21Uの駆動電流を生成するとともに、該駆動電流をイオン源21L,21Uに出力する。これにより、イオン源21L,21Uが入力された駆動電流に応じたイオンビームの出力を行うことで、上記記憶されたプロファイル及び位置データにより補正されたイオンビームが出力されることになる。そして、こうしたイオンビームの照射は、上記撮像位置に対する搬送トレイTの位置が上記出力低下位置に到達したところで停止される。
これにより、イオンビームの照射が搬送の途中で低下したとしても、基板Sの面内におけるイオンビームの照射量のばらつきがより抑えられるようになる。なお、イオンビーム照射装置10の電気的構成は、上記構成に限らず、要は、イオンビームのプロファイルにおける変動と、該変動が生じた搬送トレイの位置とに基づいて逆搬送時のイオンビームの出力を補正する構成であれば同様の効果を得ることができる。
図3(a)の実施形態や図11の変形例では、搬送トレイTの位置を検出する指標としてバーコードC1aを用いたが、バーコードに代えて他の指標を用いてもよい。例えばQRコード(登録商標)等の2次元コードを指標として用いてもよい。2次元コードを用いた場合、搬送トレイTの位置を示す位置情報だけでなく、基板Sの製造番号等の他の情報を2次元コードに含めることができるため、指標から多くの情報を取得することができる。

Claims (9)

  1. 基板を保持する搬送トレイが収容される真空槽と、
    前記真空槽内にて前記搬送トレイを搬送方向に搬送する搬送部と、
    前記真空槽内の所定の照射位置にイオンビームを照射するイオンビーム照射部と、
    前記搬送トレイの位置を検出する位置検出部と
    を備えるイオンビーム照射装置であって、
    前記位置検出部は、
    前記搬送トレイに配置されて前記搬送トレイにおける部位を示し、且つ、前記搬送トレイにおける前記搬送方向の一端から他端の全体にわたり配列された互いに異なる複数の指標としてのバーコードの各々を前記搬送トレイの搬送を通じて所定の撮像位置に到達したときに前記撮像位置で撮像し、該撮像された前記バーコードに基づいて前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置を検出する
    ことを特徴とするイオンビーム照射装置。
  2. 前記イオンビーム照射部は、
    イオンビームの出力を検出する出力検出部と、
    前記位置検出部の検出結果と前記出力検出部の検出結果とを所定の周期で取得する取得部と、
    前記取得部が取得した検出結果である前記位置検出部の検出結果と前記出力検出部の検出結果とを互いに対応付けて記憶する記憶部とを備える
    請求項1に記載のイオンビーム照射装置。
  3. 前記出力検出部は、イオンビームの出力停止を検出する
    請求項2に記載のイオンビーム照射装置。
  4. 前記搬送部は、前記搬送トレイを搬送処理の開始位置と該搬送処理の終了位置との間で搬送し、
    前記搬送部の搬送を制御する制御部を備え、
    前記記憶部は、前記位置検出部の検出結果のうち、前記出力停止に対応付けられた検出結果を停止位置として記憶し、
    前記出力検出部が出力停止を検出したとき、
    前記制御部は、前記搬送トレイが前記開始位置と前記終了位置との間で往復するように前記搬送部を駆動し、
    前記イオンビーム照射部は、前記停止位置と前記位置検出部の検出結果とに基づいて前記基板におけるイオンビームの未照射部位にイオンビームを出力する
    請求項3に記載のイオンビーム照射装置。
  5. 前記出力検出部が出力停止を検出したとき、
    前記制御部は、
    前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置が、前記基板にイオンビームが照射されない非照射位置になるまで前記搬送方向に前記搬送トレイを搬送した後、前記搬送トレイを前記非照射位置から前記搬送方向とは逆方向に搬送し、
    前記イオンビーム照射部は、
    前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置が前記非照射位置に到達したときにイオンビームの照射を再開し、前記撮像位置に対する前記搬送トレイの位置が前記停止位置に到達したときに前記イオンビームの照射を停止する
    請求項4に記載のイオンビーム照射装置。
  6. 前記イオンビーム照射部は、イオンビームを出力するイオン源を備え、
    前記位置検出部は、前記搬送トレイに対して前記イオン源とは反対側に配置されている
    請求項1〜のいずれか一項に記載のイオンビーム照射装置。
  7. 前記位置検出部は、前記イオン源の照射位置とは向い合わない位置に配置されている
    請求項に記載のイオンビーム照射装置。
  8. 前記イオンビーム照射部の照射位置は、前記搬送方向と交差する交差方向にて区分された互いに接する第1照射位置と第2照射位置とからなり、
    前記イオンビーム照射部は、前記第1照射位置にイオンビームを照射する第1イオン源と、前記第2照射位置にイオンビームを照射する第2イオン源とを備える
    請求項1〜のいずれか一項に記載のイオンビーム照射装置。
  9. 前記搬送トレイは、複数の前記バーコードからなるバーコード群を2つ有し、
    前記2つの前記バーコード群は、前記交差方向にて前記第1照射位置と前記第2照射位置とを挟むように配置されるとともに、前記第1照射位置側の第1バーコード群と、前記第2照射位置側の第2バーコード群とからなり、
    前記位置検出部は、前記第1バーコード群と互いに向かい合う位置に配置されて前記第1バーコード群を撮像する第1位置検出部と、前記第2バーコード群と互いに向い合う位置に配置されて前記第2バーコード群を撮像する第2位置検出部とからなり、
    前記第1イオン源の出力時には、前記イオンビーム照射部は、第2位置検出部の検出結果を取得し、
    前記第2イオン源の出力時には、前記イオンビーム照射部は、第1位置検出部の検出結果を取得する
    請求項に記載のイオンビーム照射装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018065067A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 Applied Materials Italia S.R.L. Apparatus for transportation of a substrate, system for processing of a substrate, and method for transportation of a substrate
US11461571B2 (en) * 2020-02-13 2022-10-04 United States Postal Service System and method for reading a barcode independently of image resolution or scale
JP2022165301A (ja) * 2021-04-19 2022-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板を搬送する装置、及び基板を搬送する方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6753253B1 (en) * 1986-06-18 2004-06-22 Hitachi, Ltd. Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams
US5100005A (en) * 1989-08-11 1992-03-31 Plastics Recovery, Inc. Trash bags for recyclable articles and system and method for collecting recyclable waste
US6360947B1 (en) * 1995-12-18 2002-03-26 Metrologic Instruments, Inc. Automated holographic-based tunnel-type laser scanning system for omni-directional scanning of bar code symbols on package surfaces facing any direction or orientation within a three-dimensional scanning volume disposed above a conveyor belt
JP3728015B2 (ja) * 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
DE19840455A1 (de) * 1998-09-04 2000-03-09 Sick Ag Verfahren zum Betreiben eines Strichcodelesers
JP5103033B2 (ja) 2007-03-02 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
NL2001369C2 (nl) * 2007-03-29 2010-06-14 Ims Nanofabrication Ag Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
JP2008300116A (ja) 2007-05-30 2008-12-11 Ihi Corp イオン注入装置及びイオン注入方法
JP2009004306A (ja) 2007-06-25 2009-01-08 Elpida Memory Inc Fib加工装置及び方法
CA2700732A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Cryogenic treatment of gas
JP2009236784A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Seiko Precision Inc 位置検出装置、位置検出方法、及び位置検出用マーク
JP5442958B2 (ja) * 2008-04-09 2014-03-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画方法
US7897944B2 (en) 2008-07-21 2011-03-01 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for measurement of beam angle in ion implantation
WO2010042629A2 (en) * 2008-10-09 2010-04-15 California Institute Of Technology 4d imaging in an ultrafast electron microscope
JP2011129332A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビーム照射装置
JP5311681B2 (ja) 2010-05-26 2013-10-09 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置

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