KR20170031122A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 주변 노광과 기판 검사 중 어느 한쪽의 처리에 이용되는 부분에 이상이 발생했을 때에, 기판 처리가 정지하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 유지부(33)에 유지된 기판을 회전 구동부(34)에 의해 회전시키면서, 기판의 주변부에 광을 조사하여 주변 노광 처리를 수행하는 주변 노광부(50)와, 기판을 이동 구동부(35)에 의해 이동시키면서, 기판을 촬상한 화상에 기초하여 기판 검사 처리를 수행하는 기판 검사부(70)와, 제어부(80)를 갖는다. 제어부(80)는 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있으면, 정해진 기판 처리를 정지시키고, 기판 검사부(70)에 이상이 발생했을 때, 주변 노광부(50) 및 반송부(32) 모두에 이상이 발생하지 않았고, 정해진 기판 처리에 기판 검사 처리가 포함되어 있으면, 기판 검사 처리를 스킵하도록 제어한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM FOR EXECUTING THE SUBSTRATE PROCESSING METHOD RECORDED THEREIN}
본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼 등의 기판 표면에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 기판 표면에 패턴을 조사하여 노광하는 노광 처리, 노광 후의 기판에 대하여 현상을 수행하는 현상 처리 등의 각 공정이 이루어진다. 이러한 각 공정을 수행하기 위한 도포 현상 처리 시스템은 시스템 내에 도포 장치, 노광 장치, 현상 장치를 구비하고 있고, 또한 이들의 각 장치 사이의 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하고 있다.
여기서, 레지스트 도포 처리의 공정에서는, 레지스트막이 도포된 기판 주변부의 레지스트막이 두꺼워져, 기판 표면의 막 두께 균일성이 저하되거나, 주변부의 잉여 레지스트막이 박리되어 파티클이 발생할 우려가 있다. 그래서, 현상 처리 시에 기판 표면 주변부의 잉여 레지스트막이 제거되도록, 레지스트 도포 처리 후의 기판의 주변부를 노광하는 주변 노광이 이루어지고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 따라서, 도포 현상 처리 시스템은 주변 노광 처리를 실시하기 위한 주변 노광 장치를 구비하고 있다.
또한, 레지스트 도포 처리 후의 기판에 대해서는, 기판 검사 장치를 통해, 기판 표면에 레지스트 도포 처리에 기인하는 도포 불균일 등의 결함이 있는지의 여부, 또는 흠집, 이물이 부착되어 있는지의 여부를 검사하는 기판 검사가 이루어지고 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조). 예컨대 CCD 라인 센서 등의 촬상 장치가 기판이 배치되어 있는 배치대에 대하여 상대적으로 이동하여 기판의 화상을 촬상하고, 촬상된 화상을 화상 처리하여 결함, 흠집, 이물의 부착 유무를 판정한다. 따라서, 도포 현상 처리 시스템은 이러한 촬상 장치를 포함하고, 기판 검사 처리를 실시하기 위한 기판 검사 장치를 구비하고 있다.
일본 특허 공개 제2004-14670호 공보 일본 특허 공개 제2007-240519호 공보
그런데, 이러한 주변 노광 장치와 기판 검사 장치를 이용한 도포 현상 처리에서는 다음과 같은 문제가 있다.
예컨대, 레지스트 도포 처리 후의 기판에 주변 노광 처리와 기판 검사 처리를 수행할 때는, 기판 반송 장치가 레지스트 도포 처리 후의 기판을 주변 노광 장치 안에 반송하여 주변 노광 처리를 수행하고, 이어서 반송 장치가 주변 노광 처리 후의 기판을 기판 검사 장치 안에 반송하여 기판 검사 처리를 수행한다. 따라서, 기판 반송 장치가 주변 노광 장치 및 기판 검사 장치의 각각에 기판을 반송해야 하므로, 기판 반송 장치의 부하가 증대한다.
또한, 주변 노광 장치 및 기판 검사 장치를 모두 설치할 경우에는, 도포 현상 처리 시스템의 설치 면적(풋프린트)이 증대한다.
한편, 기판 반송 장치의 부하를 저감하고, 도포 현상 처리 시스템의 설치 면적을 저감하기 위해서는, 주변 노광 장치와, 기판 검사 장치를 동일한 기판 처리 장치로서 통합하면 된다고도 생각된다. 그러나, 통합된 동일한 기판 처리 장치에 의해 주변 노광 처리와 기판 검사 처리를 수행할 때는, 주변 노광과 기판 검사 중 어느 한쪽의 처리에 이용되는 부분에 이상이 발생했을 때에도, 기판 처리 장치가 정지해 버린다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 반송 장치의 부하를 저감하고, 처리 시스템 전체의 설치 면적을 저감하며, 주변 노광과 기판 검사 중 어느 한쪽의 처리에 이용되는 부분에 이상이 발생했을 때에, 기판 처리가 정지하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명은 다음에 기술하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 주변부를 노광하는 주변 노광 처리와, 기판을 검사하는 기판 검사 처리 중 하나 이상을 포함하는 정해진 기판 처리를 수행하는 기판 처리 장치로서, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 상기 기판 유지부의 중심을 회전축으로서 회전 구동시키는 회전 구동부와, 상기 기판 유지부를 수평으로 이동 구동시키는 이동 구동부를 포함하는 반송부와, 광을 조사하는 조사부를 포함하고, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판을 상기 회전 구동부에 의해 회전시키면서, 상기 기판의 주변부에 상기 조사부에 의해 광을 조사하여 상기 주변 노광 처리를 수행하는 주변 노광부와, 화상을 촬상하는 촬상부를 포함하고, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판을 상기 이동 구동부에 의해 이동시키면서, 상기 기판의 화상을 상기 촬상부에 의해 촬상하고, 촬상된 화상에 기초하여 상기 기판 검사 처리를 수행하는 기판 검사부와, 상기 반송부와 상기 주변 노광부와 상기 기판 검사부를 제어하는 제어부를 가지며, 상기 제어부는, 상기 주변 노광부에 이상이 발생했을 때, 상기 정해진 기판 처리에 상기 주변 노광 처리가 포함되어 있으면, 상기 정해진 기판 처리를 정지하도록 제어하고, 상기 기판 검사부에 이상이 발생했을 때, 상기 주변 노광부 및 상기 반송부 모두에 이상이 발생하지 않았고, 상기 정해진 기판 처리에 상기 기판 검사 처리가 포함되어 있으면, 상기 기판 검사 처리를 스킵하도록 제어하는 것인 기판 처리 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 기판 유지부에 유지된 기판을 상기 기판 유지부의 중심을 회전축으로서 회전시키면서, 주변 노광부의 조사부에 의해 광을 조사하여 상기 기판의 주변부를 노광하는 주변 노광 공정과, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판을 수평으로 이동시키면서, 기판 검사부의 촬상부에 의해 상기 기판의 화상을 촬상하고, 촬상된 화상에 기초하여 기판을 검사하는 기판 검사 공정 중 하나 이상의 공정을 포함하는 정해진 기판 처리를 수행하는 기판 처리 방법으로서, 상기 주변 노광부에 이상이 발생했을 때, 상기 정해진 기판 처리에 상기 주변 노광 공정이 포함되어 있으면, 상기 정해진 기판 처리를 정지하고, 상기 기판 검사부에 이상이 발생했을 때, 상기 주변 노광부, 및 상기 기판 유지부에 의해 기판을 유지하고 회전 및 수평 이동시키는 반송부 모두에 이상이 발생하지 않았고, 상기 정해진 기판 처리에 상기 기판 검사 공정이 포함되어 있으면, 상기 기판 검사 공정을 스킵하는 기판 처리 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 기판 반송 장치의 부하를 저감하고, 처리 시스템 전체의 설치 면적을 저감하며, 주변 노광과 기판 검사 중 어느 한쪽의 처리에 이용되는 부분에 이상이 발생했을 때에, 기판 처리가 정지하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 실시형태에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 개략 사시도이다.
도 3은 실시형태에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 측면도이다.
도 4는 제3 블록의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 5는 기판 처리 장치의 일부 단면을 포함하는 측면도이다.
도 6은 기판 처리 장치의 일부 단면을 포함하는 평면도이다.
도 7은 발광 유닛의 구성을 도시하는 종단면도이다.
도 8은 조사 유닛의 구성을 도시하는 종단면도 및 저면도이다.
도 9는 웨이퍼가 주변 노광부에 의해 주변 노광되는 상태를 도시하는 사시도 및 단면도이다.
도 10은 기판 처리 장치의 제어부의 구성을 도시한 도면이다.
도 11은 실시형태에 따른 기판 처리 방법에서의 각 공정의 순서를 나타내는 흐름도이다.
이하에서는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해서 설명한다. 또한, 이하에서는, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 도포 현상 장치에 적용한 경우를 예시하여 설명한다.
우선, 도 1부터 도 4를 참조하여, 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치에 대해서, 도면을 참조하면서 간단히 설명한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2는 본 실시형태에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 개략 사시도이다. 도 3은 본 실시형태에 따른 레지스트 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 측면도이다. 도 4는 제3 블록(COT층)(B3)의 구성을 도시하는 사시도이다.
레지스트 패턴 형성 장치는 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S2), 인터페이스 블록(S3)을 갖는다. 또한, 레지스트 패턴 형성 장치의 인터페이스 블록(S3)측에, 노광 장치(S4)가 설치되어 있다. 처리 블록(S2)은 캐리어 블록(S1)에 인접하도록 설치되어 있다. 인터페이스 블록(S3)은 처리 블록(S2)의 캐리어 블록(S1)측과 반대측에서, 처리 블록(S2)에 인접하도록 설치되어 있다. 노광 장치(S4)는 인터페이스 블록(S3)의 처리 블록(S2)측과 반대측에서, 인터페이스 블록(S3)에 인접하도록 설치되어 있다.
캐리어 블록(S1)은 캐리어(20), 배치대(21) 및 전달 수단(C)을 갖는다. 캐리어(20)는 배치대(21) 위에 배치되어 있다. 전달 수단(C)은 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(S2)에 전달하고, 처리 블록(S2)에서 처리된 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여, 캐리어(20)에 복귀시키기 위한 것이다.
처리 블록(S2)은 도 2에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛(U1), 선반 유닛(U2), 제1 블록(DEV층)(B1), 제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3), 제4 블록(TCT층)(B4)을 갖는다. 제1 블록(DEV층)(B1)은 현상 처리를 수행하기 위한 것이다. 제2 블록(BCT층)(B2)은 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 수행하기 위한 것이다. 제3 블록(COT층)(B3)은 레지스트액의 도포 처리를 수행하기 위한 것이다. 제4 블록(TCT층)(B4)은 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 수행하기 위한 것이다.
선반 유닛(U1)은 각종 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U1)은 도 3에 도시하는 바와 같이, 예컨대 아래부터 순서대로 적층된 전달 모듈(TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, TRS4)을 갖는다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛(U1)의 근방에는, 승강 가능한 전달 아암(D)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U1)의 각 처리 모듈들 사이에서는 전달 아암(D)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.
선반 유닛(U2)은 각종 처리 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U2)은 도 3에 도시하는 바와 같이, 예컨대 아래부터 순서대로 적층된 전달 모듈(TRS6, TRS6, CPL12)을 갖는다.
또한, 도 3에서, CPL이 부가되어 있는 전달 모듈은 온도 조절용 냉각 모듈을 겸하고 있고, BF가 부가되어 있는 전달 모듈은 복수 매의 웨이퍼(W)가 배치될 수 있는 버퍼 모듈을 겸하고 있다.
제1 블록(DEV층)(B1)은 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 현상 모듈(22), 반송 아암(A1) 및 셔틀 아암(E)을 갖는다. 현상 모듈(22)은 하나의 제1 블록(DEV층)(B1) 안에, 상하 2단으로 적층되어 있다. 반송 아암(A1)은 2단의 현상 모듈(22)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 것이다. 즉, 반송 아암(A1)은 2단의 현상 모듈(22)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이 공통화되어 있는 것이다. 셔틀 아암(E)은 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL11)로부터 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 것이다.
제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3), 및 제4 블록(TCT층)(B4)은 각각 도포 모듈, 가열·냉각계의 처리 모듈군, 및 반송 아암(A2, A3, A4)을 갖는다. 처리 모듈군은 도포 모듈에서 이루어지는 처리의 전처리 및 후처리를 수행하기 위한 것이다. 반송 아암(A2, A3, A4)은 도포 모듈과 처리 모듈군 사이에 설치되어 도포 모듈 및 처리 모듈군의 각 처리 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
제2 블록(BCT층)(B2) 내지 제4 블록(TCT층)(B4)의 각 블록은 제2 블록(BCT층)(B2) 및 제4 블록(TCT층)(B4)에서의 약액이 반사 방지막용 약액이고, 제3 블록(COT층)(B3)에서의 약액이 레지스트액인 것을 제외하고, 같은 구성을 갖는다.
여기서, 도 4를 참조해서, 제2 블록(BCT층)(B2), 제3 블록(COT층)(B3), 및 제4 블록(TCT층)(B4)을 대표하여, 제3 블록(COT층)(B3)의 구성을 설명한다.
제3 블록(COT층)(B3)은 도포 모듈(23), 선반 유닛(U3) 및 반송 아암(A3)을 갖는다. 선반 유닛(U3)은 가열 모듈, 냉각 모듈 등의 열처리 모듈군을 구성하도록 적층된 복수의 처리 모듈을 갖는다. 선반 유닛(U3)은 도포 모듈(23)과 대향하도록 배열되어 있다. 또한, 선반 유닛(U3)에는, 복수의 처리 모듈 중 어느 하나와 인접하도록, 후술하는 기판 처리 장치(30)가 설치되어 있다.
반송 아암(A3)은 도포 모듈(23)과 선반 유닛(U3) 사이에 설치되어 있다. 도 4에서 도면부호 24는 각 처리 모듈과 반송 아암(A3) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 반송구이다.
반송 아암(A3)은 2개의 포크(3)(3A, 3B), 베이스(25), 회전 기구(26), 및 승강대(27)를 갖는다.
2개의 포크(3A, 3B)는 상하로 겹치게 설치되어 있다. 베이스(25)는 회전 기구(26)에 의해, 수직축 둘레로 회전 가능하게 설치되어 있다. 또한, 포크(3A, 3B)는 도시하지 않는 진퇴 기구에 의해, 베이스(25)로부터, 예컨대 후술하는 기판 처리 장치(30)의 배치대(33)에 진퇴 가능하게 설치되어 있다.
승강대(27)는 도 4에 도시하는 바와 같이, 회전 기구(26)의 아래쪽에 설치되어 있다. 승강대(27)는 상하 방향(도 4에서의 Z축 방향)으로 직선형으로 연장되는 도시하지 않는 Z축 가이드 레일을 따라, 승강 기구에 의해 승강 가능하게 설치되어 있다. 승강 기구로서는, 볼나사 기구나 타이밍 벨트를 이용한 기구 등, 주지된 구성을 이용할 수 있다. 이 예에서는 Z축 가이드 레일 및 승강 기구는 각각 커버체(28)에 의해 덮여 있고, 예컨대 상부측에서 접속되어 일체로 되어 있다. 또한, 커버체(28)는 Y축 방향으로 직선형으로 연장되는 Y축 가이드 레일(29)을 따라 미끄럼 이동하도록 구성되어 있다.
인터페이스 블록(S3)은 도 1에 도시하는 바와 같이, 인터페이스 아암(F)을 갖는다. 인터페이스 아암(F)은 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U2) 근방에 설치되어 있다. 선반 유닛(U2)의 각 처리 모듈들 사이 및 노광 장치(S4)와의 사이에서는, 인터페이스 아암(F)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.
캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 하나의 전달 모듈, 예컨대 제2 블록(BCT층)(B2)에 대응하는 전달 모듈(CPL2)에, 전달 수단(C)에 의해, 순차 반송된다. 전달 모듈(CPL2)에 반송된 웨이퍼(W)는 제2 블록(BCT층)(B2)의 반송 아암(A2)에 전달되고, 반송 아암(A2)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)에 반송되며, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다.
반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암(A2), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF2), 전달 아암(D), 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL3)을 통해, 제3 블록(COT층)(B3)의 반송 아암(A3)에 전달된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)에 반송되고, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다.
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)을 통해, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF3)에 전달된다.
또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 후술하는 바와 같이, 기판 처리 장치(30)에 반송되고, 주변 노광부(50)에 의해 웨이퍼(W)의 주변부를 노광하여, 주변 노광이 이루어져도 좋고, 또한 기판 검사부(70)에 의해 웨이퍼(W) 표면의 화상을 촬상하여, 기판 검사가 이루어져도 좋다.
또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제4 블록(TCT층)(B4)에서 반사 방지막이 더 형성되는 경우도 있다. 이 경우에, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL4)을 통해, 제4 블록(TCT층)(B4)의 반송 아암(A4)에 전달되고, 반송 아암(A4)을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열·냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)에 반송되며, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다. 그리고, 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암(A4)을 통해, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS4)에 전달된다.
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W) 또는 레지스트막 위에 반사 방지막이 더 형성된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D), 전달 모듈(BF3, TRS4)을 통해 전달 모듈(CPL11)에 전달된다. 전달 모듈(CPL11)에 전달된 웨이퍼(W)는 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(CPL12)에 직접 반송된 후, 인터페이스 블록(S3)의 인터페이스 아암(F)에 전달된다.
인터페이스 아암(F)에 전달된 웨이퍼(W)는 노광 장치(S4)에 반송되어, 정해진 노광 처리가 이루어진다. 정해진 노광 처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)을 통해, 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS6)에 배치되어, 처리 블록(S2)에 복귀된다. 처리 블록(S2)에 복귀된 웨이퍼(W)는 제1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 이루어진다. 현상 처리가 이루어진 웨이퍼(W)는 반송 아암(A1), 선반 유닛(U1) 중 어느 하나의 전달 모듈, 전달 수단(C)을 통해, 캐리어(20)에 복귀된다.
다음에, 도 5 내지 도 9를 참조하여, 레지스트 패턴 형성 장치에 내장되며 주변 노광 처리와 기판 검사 처리를 수행하는 기판 처리 장치(30)에 대해서 설명한다. 도 5는 기판 처리 장치(30)의 일부 단면을 포함하는 측면도이다. 도 6은 기판 처리 장치(30)의 일부 단면을 포함하는 평면도이다. 도 7은 발광 유닛(51)의 구성을 도시하는 종단면도이다. 도 8은 조사 유닛(53)의 구성을 도시하는 종단면도 및 저면도이다. 도 8의 (a)는 종단면도를 도시하고, 도 8의 (b)는 저면도를 도시한다. 도 9의 (a)는 웨이퍼(W)가 주변 노광부(50)에 의해 주변 노광되는 상태를 도시하는 사시도이다. 도 9의 (b)는 도 9의 (a)의 선 C-C를 따라 취한 단면도이다.
기판 처리 장치(30)는 전술한 바와 같이, 예컨대 제3 블록(COT층)(B3)의 각 모듈에서 처리가 이루어져, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해서, 주변부를 노광하여, 주변 노광을 하고, 표면의 화상을 촬상하여, 기판 검사를 하기 위한 것이다. 기판 처리 장치(30)는 레지스트 패턴 형성 장치 중 어느 한 장소에 설치되어 있으면 되고, 전술한 바와 같이, 예컨대 제3 블록(COT층)(B3)에, 각 처리 모듈과 인접하여 설치될 수 있다.
기판 처리 장치(30)는 케이싱(31), 반송부(32), 주변 노광부(50), 기판 검사부(70)를 갖는다.
반송부(32)는 배치대(33), 회전 구동부(34), 이동 구동부(35), 얼라인먼트부(40)를 갖는다.
배치대(33)는 적재된 웨이퍼(W)를 유지하는 것이고, 외측을 덮는 케이싱(31) 안의 아래쪽 공간에 설치되어 있다. 배치대(33)는 예컨대 진공척을 포함한다. 배치대(33)는 회전 가능하게 설치되어 있고, 모터 등의 회전 구동부(34)에 의해 회전 구동된다.
이동 구동부(35)는 볼나사 기구(36) 및 가이드 레일(37)을 갖는다.
볼나사 기구(36) 및 가이드 레일(37)은 케이싱(31)의 바닥면측에, 케이싱(31)의 일단측(도 5의 좌측)으로부터 타단측(도 5의 우측)까지 연장되도록 설치되어 있다. 볼나사 기구(36)는 배치대(33)를 X 방향으로 이동 가능하게 결합(나사 결합)하는 나사축(38)과, 나사축(38)을 정/역으로 회전시키는 이동용 모터(39)를 갖는다. 가이드 레일(37)은 나사축(38)과 평행하게 설치되고, 배치대(33)를 미끄럼 이동 가능하게 지지하도록 한 쌍으로 설치되어 있다. 즉, 배치대(33)는 볼나사 기구(36) 및 가이드 레일(37)을 따라 X 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 배치대(33) 및 회전 구동부(34)는 이동용 모터(39)를 정/역으로 회전 구동함으로써, 가이드 레일(37)을 따라 ±X 방향으로 이동 구동된다.
또한, 여기서는, 이동 구동부(35)가 볼나사 기구(36)를 갖는 경우에 대해서 설명했지만, 반드시 이동 구동부(35)가 볼나사 기구(36)를 가질 필요는 없고, 예컨대 실린더 기구 또는 벨트 기구 등을 가져도 좋다.
얼라인먼트부(40)는 센서부(41)와, 전술한 회전 구동부(34)를 갖는다.
센서부(41)는 배치대(33) 위의 웨이퍼(W)의 노치부(절결부)의 위치를 검출하기 위한 것이다. 센서부(41)는 예컨대 한 쌍의 발광 소자(42)와 수광 소자(43)를 구비한 것이다. 센서부(41)는 배치대(33)에 적재되어 유지된 웨이퍼(W)가 케이싱(31)의 일단측인 얼라인먼트 위치(P2)에 배치될 때에, 웨이퍼(W)의 주변부가 상하로부터 발광 소자(42)와 수광 소자(43) 사이에 있도록 설치되어 있다. 센서부(41)에 의한 노치부의 위치 검출 결과에 기초하여, 회전 구동부(34)에 의해 배치대(33)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 각도를 얼라인먼트할 수 있다.
케이싱(31) 안의 단부에는, 반송 아암(A3)이 배치대(33)에 대하여 포크(3A, 3B)를 진퇴 구동시켜 웨이퍼(W)를 반입, 반출하기 위한 반송구(44)(도 4에서의 도면부호 24와 동일)가 형성되어 있다.
주변 노광부(50)는 발광 유닛(51), 도광 부재(52), 조사 유닛(53)을 갖는다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 발광 유닛(51)은 광원(54), 집광 미러(55), 광원 박스(56)를 갖는다. 광원(54)은 배치대(33)에 적재되어 유지된 웨이퍼(W)를 노광하기 위한 광을 발광한다. 광원(54)으로서, 예컨대 초고압 수은 램프를 이용할 수 있다. 집광 미러(55)는 광원(54)으로부터의 광을 집광한다. 광원 박스(56)는 광원(54)과 집광 미러(55)를 수납한다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 발광 유닛(51)은 케이싱(31)의 아래쪽에 설치될 수 있다.
또한, 조사 유닛(53)은 본 발명에서의 조사부에 상당하고, 광원(54)은 본 발명에서의 발광부에 상당한다.
또한, 발광 유닛(51)은 광원 박스(56) 안 또는 광원 박스(56)의 주변에 설치된 온도 퓨즈(56a)를 갖고 있어도 좋다. 이것에 의해, 발광 유닛(51)에 이상이 발생하여, 과승온 상태가 되었을 때에, 과승온 상태를 검출할 수 있다.
도광 부재(52)는 발광 유닛(51)과 조사 유닛(53)을 접속하도록 설치되어 있다. 도광 부재(52)는, 예컨대 석영 등의, 광에 대하여 투명한 코어재를 갖는, 예컨대 광파이버를 포함하는 것이고, 광원(54)으로부터의 광을, 발광 유닛(51)으로부터 조사 유닛(53)에 유도한다.
도 8의 (a) 및 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 조사 유닛(53)은 입사측 슬릿(57), 입사측 렌즈(58), 미러(59), 출사측 렌즈(60), 출사측 슬릿(61), 셔터(62), 및 통형상 커버체(63)를 갖는다. 통형상 커버체(63)는 입사측 슬릿(57), 입사측 렌즈(58), 미러(59), 출사측 렌즈(60), 출사측 슬릿(61)을 수납한다. 입사측 슬릿(57)은, 예컨대 직사각 형상을 갖고 있고, 도광 부재(52)를 통과하여 유도된 광이 조사 유닛(53)에 입사될 때에, 광속의 단면 형상을 정비한다. 입사측 슬릿(57)을 통과하여 조사 유닛(53)에 입사된 광은 입사측 렌즈(58), 미러(59), 출사측 렌즈(60)를 통해, 방향 및 광속의 형상이 변경되어, 출사측 슬릿(61)에 유도된다. 출사측 슬릿(61)은, 예컨대 직사각 형상을 갖고 있고, 출사측 렌즈(60)를 통과한 광을 조사 유닛(53)으로부터 출사할 때에, 광속의 단면 형상을 정비한다.
또한, 셔터(62)는 본 발명에서의 셔터부에 상당한다.
직사각 형상을 가질 때는 입사측 슬릿(57)의 치수를 예컨대 4 ㎜×10 ㎜로 할 수 있다. 직사각 형상을 가질 때는 출사측 슬릿(61)의 치수를 예컨대 4 ㎜×10 ㎜로 할 수 있다.
셔터(62)는 셔터(62)가 개폐하는 것에 의해, 조사 유닛(53) 안의 광의 투과 또는 차단을 제어하기 위한 것이다.
또한, 주변 노광부(50)는 예컨대 포토다이오드 등을 포함하는 광량 센서(64)를 갖고 있어도 좋다. 광량 센서(64)는 조사 유닛(53)의 출사측에 설치되며, 조사 유닛(53)으로부터 출사되는 광의 광량을 계측한다. 이것에 의해, 셔터(62)의 개폐에 의한 조사 유닛(53)으로부터 출사되는 광량이 정해진 범위 내에 있는지의 여부를 판정할 수 있다.
이러한 주변 노광부(50)에 의하면, 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 광원(54)으로부터의 광(B)이, 조사 유닛(53)에 형성된 출사측 슬릿(61)으로부터 출사되어, 레지스트막(R)이 형성된 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 정해진 영역(A)에 균일하게 조사된다. 이 상태에서, 회전 구동부(34)에 의해 웨이퍼(W)가 회전함으로써, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면 주변부의 잉여 레지스트막(RA)에 광(B)을 조사 즉 노광(주변 노광)할 수 있다.
기판 검사부(70)는 촬상 유닛(71) 및 화상 처리부(83a)를 갖는다. 화상 처리부(83a)는 후술하는 제3 제어 장치(83)에 설치되어 있다.
촬상 유닛(71)은 외측을 덮는 케이싱(31) 안의 위쪽 공간에 설치되어 있다. 촬상 유닛(71)은 촬상 장치(72), 하프 미러(73) 및 조명 장치(74)를 갖고 있다. 촬상 장치(72)는 케이싱(31) 안의 일단측(도 5의 우측)에 고정되어 있다. 본 실시형태에서는, 촬상 장치(72)로서, 광각형의 CCD 카메라를 사용하고 있다. 또한, 하프 미러(73)와 조명 장치(74)는 케이싱(31)의 X 방향의 중앙 부근에 고정되어 있다. 조명 장치(74)는 하프 미러(73)의 배후에 설치되어 있다. 조명 장치(74)로부터의 조명은 하프 미러(73)를 통과하여, 하프 미러(73)의 아래쪽을 향해 조사된다. 그리고 이 조사 영역에 있는 물체의 반사광은 하프 미러(73)에서 반사되어, 촬상 장치(72)에 흡수된다. 즉, 촬상 장치(72)는 조사 영역에 있는 물체를 촬상할 수 있다.
이러한 촬상 유닛(71)에 의하면, 배치대(33)가 케이싱(31) 안의 아래쪽 공간에서 가이드 레일(37)을 따라 X 방향(또는 -X 방향)으로 이동하는 동안에, 케이싱(31) 안의 위쪽 공간에 고정된 촬상 유닛(71)이 배치대(33) 위의 웨이퍼(W)의 상면(上面)을 주사한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W) 상면의 전체면을 촬상할 수 있다.
또한, 도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 조명 장치(74)는 주변 노광부(50)의 도광 부재(52)로부터 도광 부재(52a)를 분기시킴으로써, 주변 노광부(50)의 광원(54)으로부터의 광을 이용하도록 하여도 좋다. 이것에 의해, 주변 노광부(50)와 기판 검사부(70) 사이에서, 광원을 공용할 수 있고, 기판 처리 장치(30) 안에 설치되는 광원의 수를 줄일 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 주변 노광 장치와, 기판 검사 장치를 동일한 기판 처리 장치로서 통합할 수 있다. 따라서, 주변 노광 처리 및 기판 검사 처리 시에 웨이퍼를 반송하는 기판 반송 장치의 부하를 저감하여, 처리 시스템 전체의 설치 면적(풋프린트)을 저감할 수 있다.
다음에, 도 5 및 도 10을 참조하여, 기판 처리 장치(30)의 제어부(80)에 대해서 설명한다.
도 10은 기판 처리 장치(30)의 제어부(80)의 구성을 도시하는 도면이다.
제어부(80)는 제1 제어 장치(81), 제2 제어 장치(82), 제3 제어 장치(83) 및 본체 제어 장치(84)를 갖는다.
제1 제어 장치(81)는 반송부(32)에 의한 웨이퍼(W)의 회전 구동 및 이동 구동 및 얼라인먼트부(40)에 의한 얼라인먼트를 제어한다. 제2 제어 장치(82)는 주변 노광부(50)에 의한 웨이퍼(W)의 주변 노광을 제어한다. 제3 제어 장치(83)는 화상 처리부(83a)를 포함하고, 기판 검사부(70)의 촬상 장치(72)에 의한 웨이퍼(W)의 촬상과, 촬상된 화상의 화상 처리부(83a)에 의한 화상 처리를 제어한다. 본체 제어 장치(84)는 제1 제어 장치(81) 내지 제3 제어 장치(83)를 제어한다.
제1 제어 장치(81)는 반송부(32)에 포함되는 회전 구동부(34)의 구동, 예컨대 ON, OFF, 회전 속도 등을 제어한다. 즉, 제1 제어 장치(81)로부터 회전 구동부(34)에 대하여 출력되는 구동 신호에 따라, 회전 구동부(34)의 구동, 정지, 더 나아가서는 구동 속도 등이 제어된다. 그리고 구동 신호에 의해 구동된 회전 구동부(34)로부터는 그 때의 인코더 신호가 제1 제어 장치(81)에 출력된다.
또한, 제1 제어 장치(81)는 반송부(32)에 포함되는 이동 구동부(35)의 구동, 예컨대 이동용 모터(39)의 ON, OFF, 회전 속도 등을 제어한다. 즉, 제1 제어 장치(81)로부터 이동 구동부(35)의 이동용 모터(39)에 대하여 출력되는 구동 신호에 따라, 이동용 모터(39)의 구동, 정지, 더 나아가서는 구동 속도 등이 제어된다. 그리고 구동 신호에 의해 구동된 이동용 모터(39)로부터는 그 때의 인코더 신호가 제1 제어 장치(81)에 출력된다.
또한, 제1 제어 장치(81)는 얼라인먼트부(40)에 포함되는 센서부(41)의 구동, 예컨대 발광 소자(42)의 ON, OFF 및 수광 소자(43)의 ON, OFF 등을 제어한다. 즉, 제1 제어 장치(81)로부터 발광 소자(42)에 대하여 출력되는 신호에 따라, 발광 소자(42)의 통전, 정지, 더 나아가서는 통전 전류 등이 제어된다. 또한, 제1 제어 장치(81)로부터 수광 소자(43)에 대하여 출력되는 신호에 따라, 수광 소자(43)의 통전, 정지, 더 나아가서는 통전 전류 등이 제어된다. 그리고, 수광 소자(43)로부터는 수광 소자(43)가 수광한 광량에 대응한 신호가 제1 제어 장치(81)에 출력된다.
제2 제어 장치(82)는 주변 노광부(50)에 포함되는 광원(54)의 구동, 예컨대 광원(54)의 ON, OFF 등을 제어한다. 즉, 제2 제어 장치(82)로부터 광원(54)에 대하여 출력되는 구동 신호에 따라, 광원(54)의 통전, 정지, 더 나아가서는 통전 전류 등이 제어된다. 광원(54)의 전기 회로(54a)로부터는 광원(54)의 발광 상태에 대응한 신호가 제2 제어 장치(82)에 출력된다. 또한, 광원(54)의 내부 또는 근방에 설치된 온도 퓨즈(56a)로부터는 광원(54) 주위의 과승온의 유무에 대응한 신호가 제2 제어 장치(82)에 출력된다.
제2 제어 장치(82)는 주변 노광부(50)에 포함되는 셔터(62)에 의한 노광을 위한 광의 출사 또는 차단 등을 제어한다. 즉, 제2 제어 장치(82)로부터 셔터(62)에 대하여 출력되는 구동 신호에 따라, 셔터(62)의 개폐 동작 등이 제어된다. 조사 유닛(53)의 근방에 설치된 광량 센서(64)로부터는 조사 유닛(53)으로부터의 광 조사의 유무에 따라 셔터(62)의 개폐 상태를 나타내는 신호가 제2 제어 장치(82)에 출력된다.
제3 제어 장치(83)는 기판 검사부(70)에 포함되는 촬상 장치(72)에 의한 촬상, 및 조명 장치(74)에 의한 광의 조사 또는 정지(또는 도시하지 않는 셔터 기구에 의한 조명 장치로부터의 광의 투과 또는 차단)를 제어한다. 즉, 제3 제어 장치(83)로부터 촬상 장치(72)에 대하여 출력되는 외부 동기 신호에 따라, 촬상 장치(72)에 의한 촬상, 촬상 타이밍, 화상 취득 시간 등이 제어된다. 또한, 제3 제어 장치(83)로부터 조명 장치(74)에 대하여 출력되는 신호에 따라, 조명 장치(74)의 ON, OFF 그리고 통전 전류 등이 제어된다. 그리고, 촬상된 화상은 제3 제어 장치(83)에 출력되며, 제3 제어 장치(83)에 포함되어 있는 화상 처리부(83a)에서, 화상 처리 및 기판 검사가 실시된다.
본체 제어 장치(84)는 제1 제어 장치(81), 제2 제어 장치(82) 및 제3 제어 장치(83)의 상위 제어 장치이며, 제1 제어 장치(81), 제2 제어 장치(82) 및 제3 제어 장치(83)를 포함하고, 레지스트 패턴 형성 장치 전체를 제어한다.
예컨대, 본체 제어 장치(84)로부터 제1 제어 장치(81)에 대하여 출력되는 구동 신호에 기초하여, 제1 제어 장치(81)는 회전 구동부(34)에 대하여 정해진 구동 신호를 출력한다. 한편, 본체 제어 장치(84)는 제1 제어 장치(81)에 대하여 출력하는 구동 신호와 동일한 타이밍에, 구동 신호를 제2 제어 장치(82)에 대해서도 출력하고, 제2 제어 장치(82)는 그 구동 신호에 기초하여 셔터(62)를 개방하기 위한 정해진 구동 신호를 셔터(62)에 대하여 출력한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 주변을 노광할 수 있다.
또한, 예컨대 본체 제어 장치(84)로부터 제1 제어 장치(81)에 대하여 출력되는 구동 신호에 기초하여, 제1 제어 장치(81)는 이동용 모터(39)에 대하여 정해진 구동 신호를 출력한다. 한편, 본체 제어 장치(84)는 제1 제어 장치(81)에 대하여 출력하는 구동 신호와 동일한 타이밍에, 구동 신호를 제3 제어 장치(83)에 대해서도 출력하고, 제3 제어 장치(83)는 그 구동 신호에 기초하여 외부 동기 신호를 촬상 장치(72)에 대하여 출력한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 화상을 촬상할 수 있다.
이상과 같은 제어는, 예컨대 본체 제어 장치(84)에 기록된 컴퓨터 프로그램, 또는 본체 제어 장치(84)에서 판독 가능한 각종 기억 매체에 기록된 컴퓨터 프로그램에 따라 이루어진다.
다음에, 도 11을 참조하여, 본 실시형태에 따른 기판 처리 방법에 대해서 설명한다.
도 11은 본 실시형태에 따른 기판 처리 방법에서의 각 공정의 순서를 나타내는 흐름도이다.
미리, 본체 제어 장치(84)에, 기판 처리 방법을 포함한 레지스트 형성 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 프로세스 레시피로서 기록해 둔다. 그리고, 본체 제어 장치(84)에 기록된 프로세스 레시피에 기초하여, 이하와 같은 처리를 실행한다.
또한, 프로세스 레시피로서, 주변 노광 및 기판 검사를 모두 수행하는 경우(레시피 1), 기판 검사는 하지 않고 주변 노광만 하는 경우(레시피 2), 주변 노광은 하지 않고 기판 검사만 하는 경우(레시피 3)의 3개의 패턴을 갖는 기판 처리에 대해서 설명한다.
레시피 1부터 레시피 3 중 어느 하나의 처리, 즉 웨이퍼(W)의 주변 노광 및 기판 검사 중 하나 이상을 포함하는 처리를 실행할 때는, 먼저, 웨이퍼(W)가 반송 아암(A3)에 의해 반송구(44)로부터 반입되어, 배치대(33) 위에 적재된다(단계 S11). 이 때, 배치대(33)는 미리 케이싱(31) 안의 타단측의 웨이퍼 반입반출 위치(P1)(도 5에서 점선으로 표시하는 위치)에 대기하고 있다.
이어서, 이동 구동부(35)에 의해 배치대(33)가 케이싱(31)의 일단측의 얼라인먼트 위치(P2)(도 5에서 실선으로 표시하는 위치)에 이동한다(단계 S12).
이어서, 센서부(41)에 의해 웨이퍼(W)의 노치부가 검출되고, 그 노치부의 위치에 기초하여 웨이퍼(W)가 회전하며, 웨이퍼(W)의 노치부의 위치가 정해진 각도 위치가 되도록 얼라인먼트를 한다(단계 S13). 이 정해진 각도 위치는, 예컨대 전술한 각 레시피 및 더 상세한 처리 조건에 따라 미리 정해진 각도 위치로 선택된다.
이어서, 주변 노광을 수행하는지를 판정한다(단계 S14). 레시피 번호가 전술한 레시피 1 또는 레시피 2일 때는 주변 노광을 한다(단계 S15). 한편, 레시피 번호가 전술한 레시피 3일 때는 주변 노광(단계 S15)을 스킵하고, 단계 S16으로 진행한다.
주변 노광(단계 S15)에서는, 광원(54)으로부터의 광(B)이, 조사 유닛(53)에 형성된 출사측 슬릿(61)으로부터 출사되고, 레지스트막(R)이 형성된 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 정해진 영역(A)에 균일하게 조사된다. 이 상태에서, 회전 구동부(34)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면의 주변부의 잉여 레지스트막(RA)에 광(B)이 조사되어 주변 노광이 이루어진다.
이어서, 기판 검사를 수행하는지를 판정한다(단계 S16). 레시피 번호가 전술한 레시피 1 또는 레시피 3일 때는 기판 검사를 한다(단계 S17∼단계 S20). 한편, 레시피 번호가 전술한 레시피 2일 때는 기판 검사(단계 S17∼단계 S20)를 스킵하고, 단계 S21로 진행한다.
기판 검사(단계 S17∼단계 S20)에서는, 이동용 모터(39)에 의해, 배치대(33)를 웨이퍼(W)의 화상을 촬상하기 위한 스캔 시작 위치에 이동시킨다(단계 S17). 또한, 전술한 얼라인먼트 위치(P2)와 스캔 시작 위치가 동일할 때는 이동시키지 않아도 좋다.
이어서, 조명 장치(74)를 점등한다(단계 S18). 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 조명 장치(74)의 광원이 주변 노광부(50)의 광원(54)과 동일하고, 발광 유닛(51)으로부터의 광을 도광 부재(52)로부터 도광 부재(52a)에 의해 분기하여 조명 장치(74)에 도광할 때는 도시하지 않는 셔터를 개방하도록 하여도 좋다.
이어서, 이동용 모터(39)에 의해 배치대(33)를 스캔 종료 위치인 웨이퍼 반입반출 위치(P1)까지 정해진 속도로 이동시키면서, 웨이퍼(W)가 하프 미러(73) 아래를 통과할 때에, 촬상 장치(72)에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 촬상한다(단계 S19). 그리고, 배치대(33)는 웨이퍼 반입반출 위치(P1)에서 정지한다.
이어서, 조명 장치(74)를 소등한다(단계 S20). 또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 조명 장치(74)의 광원이 주변 노광부(50)의 광원(54)과 동일하고, 발광 유닛(51)으로부터의 광을 도광 부재(52)로부터 도광 부재(52a)에 의해 분기하여 조명 장치(74)에 도광할 때는 도시하지 않는 셔터를 폐쇄하도록 하여도 좋다.
이어서, 스캔 종료 위치[웨이퍼 반입반출 위치(P1)]에서, 회전 구동부(34)에 의해, 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 정해진 각도 위치에 맞춘다(단계 S21).
이어서, 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)에 의해 반송구(44)로부터 반출된다(단계 S22). 이와 같이 하여, 전술한 레시피 1부터 레시피 3에 따른 기판 처리가 종료된다.
다음에, 상기한 기판 처리에서, 기판 처리 장치(30) 중 어느 한 부분에 이상이 발생했을 때의 대처에 대해서 설명한다.
표 1은 레시피 1부터 레시피 3에 따른 각 기판 처리를 수행할 때에, 기판 처리 장치(30) 중 어느 한 부분에 이상이 발생했을 때의 대처 방법을 나타내고 있다.
Figure pat00001
표 2는 주변 노광부(50)에 이상이 발생한 경우에 대해서, 각각의 이상이 발생한 부분에서의 이상 종류 및 이상 검출 방법을 나타내고 있다.
Figure pat00002
표 1에 나타내는 바와 같이, 먼저, 주변 노광부(50)에 이상이 발생했을 때, 기판 처리가 레시피 1 또는 레시피 2에 따른 것이면, 기판 처리 자체를 정지시키고, 이상의 발생 및 정지를 알리는 알람을 출력한다. 또한, 주변 노광부(50)에 이상이 발생했을 때, 기판 처리가 레시피 3에 따른 것이면, 기판 처리 자체를 정지시키지 않고 기판 검사부(70)에 의한 기판 검사 처리를 계속하며, 이상 발생을 경고하는 경고 알람을 출력한다. 즉, 본 실시형태에서는 주변 노광부(50)에 이상이 발생했을 때, 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있지 않으면, 그 기판 처리를 계속하고, 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있으면, 그 기판 처리를 정지시킨다.
이것은, 주변 노광부(50)가 웨이퍼에 실제 프로세스를 실행하는 프로세스 모듈이라서, 주변 노광부(50)에 이상이 발생한 상태에서 주변 노광 처리를 수행하면, 처리된 웨이퍼에 이상이 발생할 우려가 있기 때문이다. 따라서, 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있지 않으면, 그 기판 처리를 계속할 수 있지만, 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있으면, 그 기판 처리를 계속할 수 없다.
주변 노광부(50)에 이상이 발생했을 때의 일례로서, 표 2에 나타내는 바와 같이, 광원(54)에 이상이 발생하여 점등 불능이 되었을 때, 발광 유닛(51)이 과승온 상태가 되었을 때, 셔터(62)에 이상이 발생하여 개폐 동작 불능이 되었을 때 등을 들 수 있다. 광원(54)이 점등 불능이 된 것은, 예컨대 광원(54)의 전기 회로(54a)에 의해 검출할 수 있다. 발광 유닛(51)이 과승온 상태가 된 것은 발광 유닛(51)의 근방에 설치된 온도 퓨즈(56a)에 의해 검출할 수 있다. 셔터(62)가 개폐 동작 불능이 된 것은 케이싱(31) 안에 설치된 광량 센서(64)에 의해 검출할 수 있다.
또한, 표 1에 나타내는 바와 같이, 기판 검사부(70)에 이상이 발생했을 때, 기판 처리가 레시피 1에 따른 것이면, 기판 검사 처리만 스킵하고, 기판 처리 중 주변 노광 처리를 계속하며, 이상 발생을 경고하는 경고 알람을 출력한다. 또한, 기판 검사부(70)에 이상이 발생했을 때, 기판 처리가 레시피 2에 따른 것이면, 기판 처리 자체를 정지시키지 않고 계속하며, 이상 발생을 경고하는 경고 알람을 출력한다. 또한, 기판 검사부(70)에 이상이 발생했을 때, 기판 처리가 레시피 3에 따른 것이면, 기판 처리, 즉 기판 검사 처리를 수행하지 않고, 기판을 다음 모듈에 반송하여, 이상 발생 및 정지를 알리는 알람을 출력한다. 즉, 본 실시형태에서는, 기판 검사부(70)에 이상이 발생했을 때, 정해진 기판 처리에 기판 검사 처리가 포함되어 있는 경우에는, 기판 검사 처리를 스킵하고, 기판을 후속 처리를 수행하는 처리 모듈에 반송한다.
이것은, 기판 검사부(70)가 웨이퍼에 실제 프로세스를 실행하는 프로세스 모듈이 아니라서, 기판 검사부(70)에 이상이 발생한 상태에서 주변 노광 처리를 수행하여도, 처리된 웨이퍼에 이상이 발생할 우려가 없기 때문이다. 따라서, 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있으면, 기판 검사 처리를 스킵한 후에 주변 노광 처리를 계속 할 수 있다.
기판 검사부(70)에 이상이 발생했을 때의 일례로서, 촬상 장치(72)와 제3 제어 장치(83)의 화상 처리부(83a) 사이에 통신 이상이 발생했을 때 등을 들 수 있다.
또한, 표 1에 나타내는 바와 같이, 반송부(32) 또는 얼라인먼트부(40)에 이상이 발생했을 때는, 기판 처리가 레시피 1 내지 레시피 3 중 어떤 것에 따른 것이라도, 기판 처리 자체를 정지하고, 이상 발생 및 정지를 알리는 알람을 출력한다. 이것은, 반송부(32) 또는 얼라인먼트부(40)에 이상이 발생했을 때는 웨이퍼를 적정한 위치에 반송할 수 없으므로, 애당초 주변 노광 처리 및 기판 검사 처리를 모두 수행할 수 없기 때문이다.
본 실시형태에 의하면, 주변 노광 처리와 기판 검사 처리 중 하나 이상을 포함하는 정해진 기판 처리를 수행하는 기판 처리 장치에 있어서, 주변 노광부에 이상이 발생했을 때, 정해진 기판 처리에 주변 노광 처리가 포함되어 있지 않으면, 정해진 기판 처리를 계속한다. 또한, 기판 검사부에 이상이 발생했을 때, 정해진 기판 처리에 기판 검사 처리가 포함되어 있으면, 기판 검사 처리를 스킵한다. 따라서, 기판 반송 장치의 부하를 저감하고, 처리 시스템 전체의 설치 면적을 저감하며, 주변 노광과 기판 검사 중 어느 한쪽의 처리에만 이용되는 부분에 이상이 발생했을 때에, 기판 처리가 정지하는 것을 방지할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 기술했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 특허청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 여러 가지의 변형·변경이 가능하다. 이상의 실시형태에서는, 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼가 이용되었지만, 이것에 한정되지 않고 다른 기판, 예컨대 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판에 대해서 본 발명을 적용할 수도 있다.
30: 기판 처리 장치 33: 배치대
34: 회전 구동부 35: 이동 구동부
40: 얼라인먼트부 50: 주변 노광부
53: 조사 유닛 54: 광원
62: 셔터 70: 기판 검사부
72: 촬상 장치 80: 제어부
81: 제1 제어 장치 82: 제2 제어 장치
83: 제3 제어 장치 84: 본체 제어 장치

Claims (2)

  1. 주변 노광부의 조사부에 의해 광을 조사하여 배치대 상의 기판의 주변부를 노광하는 주변 노광 공정과, 기판 검사부의 촬상부에 의해 상기 배치대 상의 상기 기판의 화상을 촬상하고, 촬상된 화상에 기초하여 기판을 검사하는 기판 검사 공정을 행할 수 있는 기판 처리 장치를 이용하여 정해진 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 정해진 기판 처리가 상기 주변 노광 공정과 상기 기판 검사 공정을 포함하는 경우, 상기 기판 검사부에 이상이 발생했을 때, 상기 주변 노광부에 이상이 발생하지 않으면, 상기 주변 노광 공정을 수행하고, 상기 기판 검사 공정을 스킵하는, 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 기재된 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5626122B2 (ja) * 2011-05-30 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体
JP6308958B2 (ja) * 2015-02-25 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN106292204A (zh) * 2015-05-28 2017-01-04 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种匀胶显影装置
JP7261052B2 (ja) * 2019-03-26 2023-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置およびその搬送制御方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014670A (ja) 2002-06-05 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007240519A (ja) 2006-02-08 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びコンピュータプログラム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004274068A (ja) * 1999-10-19 2004-09-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3589406B2 (ja) * 1999-10-25 2004-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP4585649B2 (ja) * 2000-05-19 2010-11-24 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP3916468B2 (ja) * 2002-01-11 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4202220B2 (ja) * 2003-09-22 2008-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 検査装置、基板処理装置および基板処理方法
JPWO2005104249A1 (ja) * 2004-04-21 2007-08-30 松下電器産業株式会社 発光素子駆動用半導体チップ、発光装置、及び照明装置
JP2007266074A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム
JP2009017156A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Omron Corp 撮像装置、並びに、監視装置および方法
JP2009032898A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置
JP4918438B2 (ja) * 2007-08-31 2012-04-18 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 被検体内情報取得システム
US20100074515A1 (en) * 2008-02-05 2010-03-25 Kla-Tencor Corporation Defect Detection and Response
JP4914854B2 (ja) * 2008-03-10 2012-04-11 東京エレクトロン株式会社 欠陥検査方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP4983724B2 (ja) * 2008-05-27 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP5410212B2 (ja) * 2009-09-15 2014-02-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014670A (ja) 2002-06-05 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007240519A (ja) 2006-02-08 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びコンピュータプログラム

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