JP7261052B2 - 基板処理装置およびその搬送制御方法 - Google Patents
基板処理装置およびその搬送制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7261052B2 JP7261052B2 JP2019058734A JP2019058734A JP7261052B2 JP 7261052 B2 JP7261052 B2 JP 7261052B2 JP 2019058734 A JP2019058734 A JP 2019058734A JP 2019058734 A JP2019058734 A JP 2019058734A JP 7261052 B2 JP7261052 B2 JP 7261052B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- liquid film
- liquid
- transport mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 449
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 268
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 51
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 20
- 238000000352 supercritical drying Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 31
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 26
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 16
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
- B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
- B25J19/02—Sensing devices
- B25J19/021—Optical sensing devices
- B25J19/023—Optical sensing devices including video camera means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/16—Programme controls
- B25J9/1679—Programme controls characterised by the tasks executed
- B25J9/1692—Calibration of manipulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
また、この発明に係る基板処理装置の他の一の態様は、基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、前記液膜を担持する前記基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、前記基板の表面に形成された前記液膜を撮像する撮像部と、前記液膜が形成されてから前記搬送機構により前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記撮像部により撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御する制御部とを備えている。ここで、前記差分は2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、前記制御部は、前記複数の画像から求めた差分が予め定められた基準量を超える場合と超えない場合との間で、前記第1処理部から前記第2処理部までの搬送にかかる時間を異ならせる。
また、この発明に係る基板処理装置の他の一の態様は、基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、前記基板を保持する保持部材を有し、前記液膜を担持する前記基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、前記搬送機構に設けられて前記保持部材と共に移動する第2カメラを有し、前記基板の表面に形成された前記液膜を、前記基板の搬送中に撮像する撮像部と、前記液膜が形成されてから前記搬送機構により前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記撮像部により撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御する制御部とを備えている。ここで、前記差分は2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、前記制御部は、搬送中に随時撮像された画像と当該画像より先に撮像された画像である基準画像との差分が予め定められた基準量を超えるか否かにより、前記基板へ前記液体を補充するか否かを判断する。
その第1の態様では、前記液膜を撮像して得られた画像を含む複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御し、前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、前記液膜が理想的に担持された状態の前記基板に対応する画像として予め準備された理想画像と、前記基板が前記搬送機構により搬送開始されるよりも前に撮像された搬送前画像との差分に基づき、前記搬送機構による前記基板の搬送を開始するか否かを判断する。
また、その第2の態様では、前記液膜が形成されてから前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記液膜を撮像し、撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御し、前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、前記複数の画像から求めた差分が予め定められた基準量を超える場合と超えない場合との間で、前記第1処理部から前記第2処理部までの搬送にかかる時間を異ならせる。
また、その第3の態様では、前記液膜が形成されてから前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記液膜を撮像し、撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御し、前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、搬送中に随時撮像された画像と当該画像より先に撮像された画像である基準画像との差分が予め定められた基準量を超えるか否かにより、前記基板へ前記液体を補充するか否かを判断する。
11A 湿式処理ユニット、基板処理ユニット(第1処理部)
13A 乾燥処理ユニット、基板処理ユニット(第2処理部)
15 センターロボット(搬送機構)
90 制御ユニット(制御部)
110 処理チャンバ(チャンバ)
130 高圧チャンバ
155 ハンド(保持部材)
157 CCDカメラ(撮像部、第2カメラ)
351 CCDカメラ(撮像部、第1カメラ)
158 補充液ノズル(液体供給機構)
LF 液膜
S 基板
Claims (10)
- 基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、
前記液膜を担持する前記基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、
前記基板の表面に形成された前記液膜を撮像する撮像部と、
前記液膜が形成されてから前記搬送機構により前記第2処理部へ搬入されるまでの間に前記撮像部により撮像された画像を含む複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御する制御部と
を備え、
前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、
前記制御部は、前記液膜が理想的に担持された状態の前記基板に対応する画像として予め準備された理想画像と、前記基板が前記搬送機構により搬送開始されるよりも前に前記撮像部により撮像された搬送前画像との差分に基づき、前記搬送機構による前記基板の搬送を開始するか否かを判断する、基板処理装置。 - 基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、
前記液膜を担持する前記基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、
前記基板の表面に形成された前記液膜を撮像する撮像部と、
前記液膜が形成されてから前記搬送機構により前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記撮像部により撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御する制御部と
を備え、
前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、
前記制御部は、前記複数の画像から求めた差分が予め定められた基準量を超える場合と超えない場合との間で、前記第1処理部から前記第2処理部までの搬送にかかる時間を異ならせる、基板処理装置。 - 前記第1処理部は、処理チャンバ内で前記基板に対する前記液膜の形成を行い、
前記撮像部は、前記処理チャンバ内に設けられた第1カメラを有する、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、
前記基板を保持する保持部材を有し、前記液膜を担持する前記基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、
前記搬送機構に設けられて前記保持部材と共に移動する第2カメラを有し、前記基板の表面に形成された前記液膜を、前記基板の搬送中に撮像する撮像部と、
前記液膜が形成されてから前記搬送機構により前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記撮像部により撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御する制御部と
を備え、
前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、
前記制御部は、搬送中に随時撮像された画像と当該画像より先に撮像された画像である基準画像との差分が予め定められた基準量を超えるか否かにより、前記基板へ前記液体を補充するか否かを判断する、基板処理装置。 - 前記搬送機構は、搬送される前記基板に前記液体を供給する液体供給機構を有し、
前記制御部は、前記差分が前記基準量を超えると、前記液体供給機構に前記基板への前記液体の供給を行わせる、請求項4記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記差分が前記基準量を超えると、前記搬送機構により前記基板を前記第1処理部に戻させ、前記第1処理部に前記液膜の再形成を行わせる請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記液体は有機溶剤であり、前記第2処理部は前記基板に対し超臨界乾燥処理を実行する、請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、前記液膜を担持する前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、前記第1処理部と前記第2処理部との間で前記基板を搬送する搬送機構とを有する基板処理装置の搬送制御方法において、
前記液膜を撮像して得られた画像を含む複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御し、
前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、
前記液膜が理想的に担持された状態の前記基板に対応する画像として予め準備された理想画像と、前記基板が前記搬送機構により搬送開始されるよりも前に撮像された搬送前画像との差分に基づき、前記搬送機構による前記基板の搬送を開始するか否かを判断する、基板処理装置の搬送制御方法。 - 基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、前記液膜を担持する前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、前記第1処理部と前記第2処理部との間で前記基板を搬送する搬送機構とを有する基板処理装置の搬送制御方法において、
前記液膜が形成されてから前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記液膜を撮像し、撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御し、
前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、
前記複数の画像から求めた差分が予め定められた基準量を超える場合と超えない場合との間で、前記第1処理部から前記第2処理部までの搬送にかかる時間を異ならせる、基板処理装置の搬送制御方法。 - 基板に液体を供給して前記基板の表面を液膜で覆う第1処理部と、前記液膜を担持する前記基板を受け入れて所定の処理を実行する第2処理部と、前記第1処理部と前記第2処理部との間で前記基板を搬送する搬送機構とを有する基板処理装置の搬送制御方法において、
前記液膜が形成されてから前記第2処理部へ搬入されるまでの間の互いに異なる時刻にそれぞれ前記液膜を撮像し、撮像された複数の画像の差分に基づき、前記搬送機構の動作を制御し、
前記差分は、2つの画像間の画素ごとの差分の積算値として求められ、
搬送中に随時撮像された画像と当該画像より先に撮像された画像である基準画像との差分が予め定められた基準量を超えるか否かにより、前記基板へ前記液体を補充するか否かを判断する、基板処理装置の搬送制御方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019058734A JP7261052B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 基板処理装置およびその搬送制御方法 |
KR1020217029410A KR102658643B1 (ko) | 2019-03-26 | 2020-02-04 | 기판 처리 장치 및 그 반송 제어 방법 |
CN202080020635.1A CN113557591A (zh) | 2019-03-26 | 2020-02-04 | 基板处理装置及其搬送控制方法 |
PCT/JP2020/004018 WO2020195175A1 (ja) | 2019-03-26 | 2020-02-04 | 基板処理装置およびその搬送制御方法 |
KR1020247005771A KR20240027875A (ko) | 2019-03-26 | 2020-02-04 | 기판 처리 장치 및 그 반송 제어 방법 |
TW109103629A TWI756625B (zh) | 2019-03-26 | 2020-02-06 | 基板處理裝置及其搬送控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019058734A JP7261052B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 基板処理装置およびその搬送制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020161609A JP2020161609A (ja) | 2020-10-01 |
JP7261052B2 true JP7261052B2 (ja) | 2023-04-19 |
Family
ID=72608544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019058734A Active JP7261052B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 基板処理装置およびその搬送制御方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7261052B2 (ja) |
KR (2) | KR20240027875A (ja) |
CN (1) | CN113557591A (ja) |
TW (1) | TWI756625B (ja) |
WO (1) | WO2020195175A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102553643B1 (ko) * | 2021-05-17 | 2023-07-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 반송로봇 |
KR102640371B1 (ko) * | 2021-09-03 | 2024-02-27 | 엘에스이 주식회사 | 기판 이송 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120064727A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treatment equipment and method of treating substrate using the same |
US20170345680A1 (en) | 2016-05-27 | 2017-11-30 | Semes Co., Ltd. | Transfer unit, and apparatus and method for treating substrate |
JP2018147994A (ja) | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2018216476A1 (ja) | 2017-05-24 | 2018-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2019087687A (ja) | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2020017618A (ja) | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4514700B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2010-07-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5088335B2 (ja) | 2009-02-04 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板処理システム |
JP5575691B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5661022B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP6002112B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の欠陥分析装置、基板処理システム、基板の欠陥分析方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP6204879B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2017-09-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、治具、およびティーチング方法 |
JP6537992B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム |
JP2018036235A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法 |
JP6842952B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-03-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2019
- 2019-03-26 JP JP2019058734A patent/JP7261052B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-04 CN CN202080020635.1A patent/CN113557591A/zh active Pending
- 2020-02-04 KR KR1020247005771A patent/KR20240027875A/ko active Application Filing
- 2020-02-04 WO PCT/JP2020/004018 patent/WO2020195175A1/ja active Application Filing
- 2020-02-04 KR KR1020217029410A patent/KR102658643B1/ko active IP Right Grant
- 2020-02-06 TW TW109103629A patent/TWI756625B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120064727A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treatment equipment and method of treating substrate using the same |
US20170345680A1 (en) | 2016-05-27 | 2017-11-30 | Semes Co., Ltd. | Transfer unit, and apparatus and method for treating substrate |
JP2018147994A (ja) | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2018216476A1 (ja) | 2017-05-24 | 2018-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2019087687A (ja) | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2020017618A (ja) | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102658643B1 (ko) | 2024-04-18 |
CN113557591A (zh) | 2021-10-26 |
TW202040637A (zh) | 2020-11-01 |
KR20240027875A (ko) | 2024-03-04 |
TWI756625B (zh) | 2022-03-01 |
KR20210126693A (ko) | 2021-10-20 |
WO2020195175A1 (ja) | 2020-10-01 |
JP2020161609A (ja) | 2020-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10682674B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP4654119B2 (ja) | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 | |
US20040053147A1 (en) | Developing method and apparatus for performing development processing properly and a solution processing method enabling enhanced uniformity in the processing | |
US10289005B2 (en) | Unit for supplying liquid, apparatus for treating a substrate, and method for treating a substrate | |
JP7261052B2 (ja) | 基板処理装置およびその搬送制御方法 | |
JP2007142234A (ja) | 塗布膜の成膜方法及びその装置 | |
US6668844B2 (en) | Systems and methods for processing workpieces | |
JP7304738B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7183094B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4129958B2 (ja) | 回転駆動装置 | |
JP4872448B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体。 | |
JP2002016041A (ja) | 液処理装置 | |
JP2007036268A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2004072120A (ja) | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 | |
TWI814298B (zh) | 基板乾燥裝置及基板處理裝置 | |
JP2005340845A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 | |
KR102259065B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP3847767B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2005109513A (ja) | 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置 | |
KR20230098469A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2024034960A (ja) | 基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法 | |
JP2002016037A (ja) | 液処理装置 | |
KR20220067619A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221025 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7261052 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |