JP2004014670A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジスト膜が形成された被処理基板の周辺露光と識別マーク領域の直線露光とを同一箇所で行ことにより、スループットの向上及び装置の小型化を図ること。
【解決手段】ウエハＷの表面を上方にして保持するチャック８０と、チャック８０を回転するモータ８１と、ウエハＷを水平方向に直線移動する移動手段９０と、ウエハＷの表面に光を照射する露光手段６０とを具備する。露光手段６０は、光源６１と、光源６１からの露光面積を調節する矩形状スリットを有すると共に、光をウエハＷの周辺部の領域に誘導する第１のマスク６７と、光源６１からの露光面積を調節する円形状スリットを有すると共に、光をウエハＷのアライメントマークの領域に誘導する第２のマスク６９と、第２のマスク６９の円形状スリットを光源６１の直下位置又は待機位置への切換移動を司るマスク切換移動機構７２とを具備する。
【選択図】　　　　図５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するもので、例えば直線状の識別マークが施された半導体ウエハ等の被処理基板に形成されるレジスト膜の不要部分を除去する基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウエハ等の製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理用の基板（被処理基板）も表面に、レジストのパターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術は、被処理基板の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布工程と、形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光処理工程と、露光処理後の基板に現像液を供給する現像処理工程とを有している。この場合、レジスト塗布工程においては、回転する被処理基板の表面にレジスト液を供給（滴下、吐出）させて、遠心力によって被処理基板表面にレジスト膜を形成している。そのため、被処理基板の周辺部のレジスト膜の膜厚が厚くなり、被処理基板表面の膜厚均一性が損なわれる。また、被処理基板の搬送に支障をきたす虞があるばかりか、被処理基板の搬送中あるいは処理中に周辺部の余剰レジスト膜が剥離してパーティクルを発生する虞もあった。更には、塗布工程を複数行う塗布処理においては塗布膜の平坦化の精度が低下するという問題もある。これら問題を解決するために、従来では、レジスト塗布後の被処理基板の周辺部を露光して、現像処理により被処理基板表面の周辺部の余剰レジスト膜を除去している。この場合、光量を一定にするために露光面積を調節する矩形状スリット例えば４ｍｍ×５ｍｍ、又は４ｍｍ×１０ｍｍの矩形状スリットを介して光源からの光を被処理基板の周辺部の所定領域に照射すると共に、被処理基板を回転させて、レジスト塗布後の被処理基板の周辺部を露光している。
【０００３】
ところで、上記半導体ウエハ等の製造工程において、被処理基板上の既存パターンに対する次工程設計パターンの相対位置精度や被処理基板の種類あるいは用途等を識別できるように、被処理基板の表面にアライメントマーク等の識別マークが施されている。この識別マークは、一般に被処理基板表面の周辺部における周辺露光する領域よりも被処理基板中心に向かう領域で、かつ、回路パターンのチップに掛からない領域（場所）に直線状に設けられている。しかし、上述のレジスト塗布工程において、識別マークの上にもレジスト液が塗布されてしまい、識別マークの読み取りに支障をきたす虞があった。そのため、従来では、レジスト膜が形成された被処理基板を、露光装置に搬送して、識別マークの施された領域に露光処理を施した後、現像処理を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、識別マークの領域を露光装置において行うと、被処理基板の搬送工程が多くなり、処理に多くの時間を要するため、スループットが低下すると共に、装置が大型化するという問題があった。
【０００５】
この問題を解決する方法として、周辺露光装置において識別マークの領域を露光する方法が考えられるが、周辺露光に用いられるマスクに設けられた矩形状スリットＳを介して光源からの光を被処理基板の識別マークの領域に照射し、被処理基板を水平方向に所定角度回転すると共に、直線移動すると、図１３に示すように、被処理基板例えばウエハＷに設けられた識別マークの露光領域ＥＸが正確な直線状とならず、露光領域ＥＸのウエハＷ外周側の稜線が外方側に隆起して、隣接する回路パターンのチップに掛かる虞がある。
【０００６】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、レジスト膜が形成された被処理基板の周辺露光と識別マーク領域の直線露光とを同一箇所で行うことにより、スループットの向上及び装置の小型化を図れるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の基板処理装置は、表面に直線状の識別マークが施された被処理基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜が形成された上記被処理基板の周辺部に付着する余剰レジスト部と上記識別マーク部に光を照射した後、上記被処理基板を現像処理する基板処理装置を前提とし、この発明の第１の基板処理装置は、上記被処理基板の表面を上方にして保持する保持手段と、　上記保持手段を回転する回転手段と、　上記保持手段及び回転手段を水平方向に直線移動する移動手段と、　上記被処理基板の表面に光を照射する露光手段とを具備し、　上記露光手段は、光源と、この光源からの露光面積を調節する矩形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の周辺部の所定領域に誘導する第１のマスクと、上記光源からの露光面積を調節する円形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の識別マークの領域に誘導する第２のマスクと、上記第１のマスク又は第２のマスクを上記光源の直下位置に配設すべく少なくとも第２のマスクを、光源の直下位置と光源の直下位置から外れた待機位置への切換移動を司るマスク移動機構と、を具備することを特徴とする（請求項１）。
【０００８】
また、この発明の第２の基板処理装置は、上記レジスト膜が形成された被処理基板を保持して搬送する搬送手段との間で、被処理基板を受け渡すと共に、被処理基板の表面を上方にして保持する保持手段と、　上記被処理基板の表面を上方にして保持する保持手段と、　上記保持手段を回転する回転手段と、　上記被処理基板の表面に光を照射する露光手段と、　上記搬送手段と露光手段との間において、上記保持手段及び回転手段を、搬送手段側又は露光手段側の水平方向に直線移動する移動手段と、　上記保持手段にて保持された上記被処理基板の中心からの偏心量を検出する検出手段と、を具備し、　上記露光手段は、光源と、この光源からの露光面積を調節する矩形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の周辺部の所定領域に誘導する第１のマスクと、上記光源からの露光面積を調節する円形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の識別マークの領域に誘導する第２のマスクと、上記第１のマスク又は第２のマスクを上記光源の直下位置に配設すべく少なくとも第２のマスクを、光源の直下位置と光源の直下位置から外れた待機位置への切換移動を司るマスク移動機構と、を具備することを特徴とする（請求項２）。
【０００９】
この発明の基板処理装置において、上記第２のマスクは、異なる大きさの複数の円形状スリットを有するマスク基板と、任意の上記円形状スリットを光源直下位置に位置すべく上記マスク基板を移動するマスク移動機構と、を具備する構造としてもよい（請求項３）。また、上記第２のマスクは、互いに共働して可変調節可能な円形状スリットを形成する複数の絞り片と、各絞り片を調節移動する絞り片移動機構と、を具備する構造であってもよい（請求項４）。
【００１０】
また、この発明の第１の基板処理方法は、請求項１記載の基板処理装置を用いる基板処理方法であって、　レジスト膜が形成された被処理基板を回転させると共に、光源から第１のマスクの矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部の所定領域に光を照射する第１の露光工程と、　上記光源から第２のマスクの円形状スリットを介して上記被処理基板の上記識別マークの領域に光を照射すると共に、被処理基板を水平方向に所定角度回転しつつ直線移動する第２の露光工程と、を有することを特徴とする（請求項５）。
【００１１】
また、この発明の第２の基板処理方法は、請求項２記載の基板処理装置を用いる基板処理方法であって、　上記レジスト膜が形成された被処理基板を搬送手段にて保持して搬送し、保持手段に受け渡す工程と、　上記被処理基板の中心からの偏心量を検出する工程と、　検出された中心からの偏心量の情報に基づいて上記被処理基板及び保持手段を露光手段の下方に移動すると共に、被処理基板の周辺部を露光手段の光源の直下位置に配設する工程と、　光源から第１のマスクの矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部の所定領域に光を照射する第１の露光工程と、　制御手段に予め記憶された情報に基づいて上記被処理基板の識別マーク領域を上記光源の直下位置に配設し、上記光源から第２のマスクの円形状スリットを介して上記被処理基板の上記識別マークの領域に光を照射すると共に、被処理基板を水平方向に所定角度回転しつつ直線移動する第２の露光工程と、　上記第１及び第２の露光工程が終了した後、上記被処理基板を上記搬送手段に受け渡す工程と、を有することを特徴とする（請求項６）。
【００１２】
この発明の基板処理方法において、上記第２の露光工程は、第２のマスクに設けられた異なる大きさの複数の円形状スリットのうちの選択された円形状スリットを介して光を照射する工程であってもよい（請求項７）。また、上記第２の露光工程は、第２のマスクを構成する可変調節可能な複数の絞り片を調節移動して設定される円形状スリットを介して光を照射する工程であってもよい（請求項８）。
【００１３】
請求項１，２，４，５記載の発明によれば、レジスト膜が形成された被処理基板を回転させると共に、光源から第１のマスクの矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部の所定領域に光を照射する露光処理｛第１の露光工程｝と、上記光源から第２のマスクの円形状スリットを介して被処理基板の識別マークの領域に光を照射すると共に、被処理基板を水平方向に所定角度回転しつつ直線移動する露光処理｛第２の露光工程｝とを、同一の光源すなわち同一箇所で行うことができる。したがって、スループットの向上及び装置の小型化を図ることができ、また、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００１４】
また、第１の露光工程においては、矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部に均一の光量を照射することができるので、余剰レジスト部とその他のレジスト膜部との境界の露光精度を高めることができる。また、第２の露光工程において、円形状スリットの直径と、被処理基板の回転角度及び直線移動量とによって、直線状の識別マーク領域に対応させた正確な直線露光が可能となるので、識別マークに近接する回路パターンのチップに露光領域が掛かる虞がない。
【００１５】
請求項２，５記載の発明によれば、検出手段によって被処理基板の中心からの偏心量を検出し、その検出情報と、予め記憶された識別マークの位置情報とに基づいて被処理基板の周辺部露光｛第１の露光工程｝と、識別マーク領域の直線露光｛第２の露光工程｝とを制御することができるので、露光処理精度の向上を図ることができると共に、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００１６】
請求項３，４，７，８記載の発明によれば、第２のマスクに設けられた大きさの異なる複数の円形状スリットのうちの選択された円形状スリットを介して識別マーク領域の露光を行うか、あるいは、第２のマスクに設けられた可変調節可能な円形状スリットを調節して行うことにより、識別マークの大きさに対応させて識別マーク領域の直線露光｛第２の露光工程｝を行うことができる。したがって、識別マークの大きさや種類に対応させたスリットを有する第２のマスクを別々に用意する必要がなく、１つのマスクによって識別マーク領域の直線露光｛第２の露光工程｝を行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハのレジスト液塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００１８】
図１は、上記レジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は、図１の正面図、図３は、図１の背面図である。
【００１９】
上記レジスト液塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００２０】
上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００２１】
上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構（基板搬送機構、基板搬送装置）２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図８において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００２２】
この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ（容器）２３内でウエハＷと現像液供給手段（図示せず）とを対峙させてレジストパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行うこの発明に係る基板処理装置にて構成されるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが垂直方向の下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２も同様に、２台のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
【００２３】
図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２４】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００２５】
なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト２５，２６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト２５，２６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００２６】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００２７】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には、ウエハＷの周辺部の露光及び識別マーク領域の露光を行う露光手段である周辺露光装置３３が配設され、中央部には、搬送手段であるウエハの搬送アーム３４が配設されている。この搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００２８】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００２９】
上記周辺露光装置３３は、図４及び図５に示すように、一端にウエハＷの搬入・搬出口５１を有する露光処理室５２を形成する筐体５０を具備しており、この筐体５０の他端側の上部には露光手段６０が装着されている。また、筐体５０内には、ウエハＷを表面が上方になるように保持する保持手段例えば真空吸着によりウエハＷを保持するチャック８０と、このチャック８０を回転駆動する回転手段であるモータ８１と、チャック８０及びモータ８１をウエハ搬送アーム３４側すなわちウエハ搬入・搬出口５１側又は露光手段６０側の水平方向（Ｘ方向）に直線移動する移動手段９０と、チャック８０にて保持されたウエハＷの中心からの偏心量を検出する検出手段例えばＣＣＤカメラを有する位置検出器１００と、ウエハ搬入・搬出口５１を介して筐体５０内に挿入される上記搬送アーム３４とチャック８０との間で、ウエハＷを受け渡す受け渡し手段であるバッファ８５とを具備している。
【００３０】
上記露光手段６０は、図６ないし図９に示すように、例えば超高圧水銀ランプにて形成される光源６１と、光源６１からの光を集光する集光ミラー６２と、光源６１と集光ミラー６２を収納する光源ボックス６３と、光源ボックス６３の下部に設けられて、光源６１からの光を下方の光学系（レンズ群）６４に誘導するをロッド６５と、ロッド６５の下端開口部の近傍に配設されて、露光面積を調節する矩形状のスリット６６（以下に矩形状スリット６６という）を有する第１のマスク６７と、ロッド６５と光学系（レンズ群）６４とを収納する筒状カバー体６５ｂと、この筒状カバー体６５ｂの側部に設けられた切欠き６５ａを介してロッド６５と光学系（レンズ群）６４との間に選択的に組み込まれる、露光面積を調節する矩形状スリット６６とは大きさの異なる例えばスリット６６より小径の円形状のスリット６８（以下に円形状スリット６８という）を有する第２のマスク６９と、第２のマスク６９の円形状スリット６８を光源６１の直下位置又は光源６１の直下位置から外れた待機位置への切換移動を司るマスク移動機構であるマスク切換用モータ７０とを具備している。
【００３１】
この場合、第１のマスク６７に設けられる矩形状スリット６６の寸法は、例えば４ｍｍ×５ｍｍ、又は４ｍｍ×１０ｍｍに設定されている。また、第２のマスク６９の円形状スリット６８の径は、ウエハＷに施されたアライメントマークＭの領域例えば５０〜２５０μｍをカバーできる寸法に設定されている。
【００３２】
このように構成される露光手段６０において、第２のマスク６９を待機位置においた状態では、図７に示すように、光源６１からの光Ｂが第１のマスク６７に設けられた矩形状スリット６６によって誘導されてウエハＷ表面の周辺部の所定の領域に均一に照射される。この状態で、モータ８１によってウエハＷが回転することで、ウエハＷ表面の周辺部の余剰レジスト膜（部）ＲＡに光Ｂを照射すなわち露光（周辺露光）｛第１の露光工程｝することができる。このように、矩形状スリット６６を介してウエハＷの表面周辺部に均一の光量を照射することにより、余剰レジスト膜（部）ＲＡとその他のレジスト膜部との境界の露光精度を高めることができる。したがって、現像処理後のレジスト膜の境界面が崩れる虞がない。
【００３３】
また、第２のマスク６９を筒状カバー体６５ｂに設けられた切欠き６５ａ内に挿入すなわち円形状スリット６８を光源６１の直下位置においた状態では、図９に示すように、光源６１からの光Ｂが第２のマスク６９に設けられた円形状スリット６８によって誘導され、ウエハＷ表面に形成されたアライメントマークＭの領域のレジスト膜Ｒに照射すると共に、ウエハＷを水平方向（θ方向）に所定角度回転しつつ水平のＸ方向に直線移動して直線露光（アライメントマーク露光）｛第２の露光工程｝することができる。
【００３４】
上記移動手段９０は、図４及び図５に示すように、チャック８０とモータ８１を載置する載置台９１と、この載置台９１をウエハ搬送アーム３４側すなわちウエハ搬入・搬出口５１側又は露光手段６０側に移動するボールねじ機構９２とで主に構成されている。この場合、ボールねじ機構９２は、載置台９１を軸方向に移動可能に係合（螺合）するねじ軸９３と、ねじ軸９３を正逆回転する移動用モータ９４とで構成されている。また、ねじ軸９３と平行に配設されて、載置台９１を摺動可能に支持する一対のガイド軸９５が設けられている。このように構成される移動手段９０において、移動用モータ９４を正逆方向に回転駆動することによって、チャック８０及びモータ８１が、ウエハ搬送アーム３４側すなわちウエハ搬入・搬出口５１側又は露光手段６０側の水平方向に直線移動される。
【００３５】
なお、ここでは、移動手段９０がボールねじ機構９２にて構成される場合について説明したが、必ずしも移動手段９０をボールねじ機構９２で構成する必要はなく、例えばシリンダ機構あるいはベルト機構等にて構成してもよい。
【００３６】
上記バッファ８５は、図４に示すように、平面視においてチャック８０の外方を包囲する円弧状の切欠き８６ａを有する支持板８６と、この支持板８６の円弧状切欠き８６ａ側近傍の３箇所に起立する支持ピン８７と、支持板８６をチャック８０の上下方向に昇降する昇降機構例えば昇降用のエアーシリンダ８８とを具備している。このように構成されるバッファ８５は、エアーシリンダ８８の駆動によりチャック８０より上方に上昇した状態で、搬送アーム３４にて保持されたウエハＷを支持ピン８７で受け取り、その後、チャック８０より下方に下降することで、チャック８０にウエハＷを受け渡す。また、逆にチャック８０の下方位置から上昇することで、チャック８０に保持されたウエハＷをチャックから支持ピン８７が受け取り、その後、周辺露光装置３３の筐体５０内に進入してウエハＷの下方に位置する搬送アーム３４にウエハＷを受け渡すように構成されている。
【００３７】
上記モータ８１、マスク切換用モータ７０、移動用モータ９４、昇降用エアーシリンダ８８及び位置検出器１００は、それぞれ制御手段例えば中央演算処理装置２００（以下にＣＰＵ２００という）に電気的に接続されており、ＣＰＵ２００に予め記憶された情報、例えばウエハＷの縁部から回路パターンのチップまでの距離、アライメント（図示せず）の位置や寸法等の情報に基づいて、あるいは、位置検出器１００からの検出信号に基づいてモータ８１、マスク切換用モータ７０、移動用モータ９４及び昇降用エアーシリンダ８８等が作動するようになっている。
【００３８】
次に、上記レジスト液塗布・現像処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００３９】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００４０】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。すなわち、搬送アーム３４にて保持されたウエハＷは、周辺露光装置３３の筐体５０内に搬入され、上昇されたバッファ８５の支持ピン８７に受け渡される。次いで、バッファ８５の支持板８６が下降し、支持ピン８７にて支持されたウエハＷは、チャック８０に保持される。すると、移動手段９０の移動用モータ９４が駆動して、チャック８０と共にウエハＷが露光手段６０側に移動される。この際、モータ８１を低速回転させて位置検出器１００から照射されるレーザー光によってウエハＷの縁部に設けられたノッチ（図示せず）が検出されると共に、チャック８０にて保持されたウエハＷの中心からの偏心量が検出され、検出信号がＣＰＵ２００に伝達される。これに基づいてＣＰＵ２００からの制御信号が移動用モータ９４に伝達されて、チャック８０にて保持されたウエハＷの周辺部を露光手段６０側の位置が設定される。
【００４１】
ウエハＷが露光手段６０の下方すなわち露光手段６０の光源６１及びロッド６５の直下位置に移動されると、露光手段６０が作動して、図７に示すように、光源６１からの光Ｂが第１のマスク６７に設けられた矩形状スリット６６によって誘導されてウエハＷ表面の周辺部の所定の領域に均一に照射される。この状態で、モータ８１によってウエハＷが回転して、ウエハＷ表面の周辺部の余剰レジスト膜（部）ＲＡに光Ｂが照射されて露光（周辺露光）｛第１の露光工程｝が行われる。この周辺露光｛第１の露光工程｝においては、矩形状スリット６６を介してウエハＷの表面周辺部に均一の光量を照射することができるので、余剰レジスト膜（部）ＲＡとその他のレジスト膜部との境界の露光精度を高めることができる。したがって、現像処理後のレジスト膜の境界面が崩れる虞がない。
【００４２】
周辺露光が終了した後、ＣＰＵ２００からの制御信号に基づいて移動用モータ９４が駆動し、ウエハＷに施された（形成された）アライメントマークＭの領域を露光手段６０のロッド６５の直下位置に移動する一方、切換用モータ７０が駆動して第２のマスク６９を筒状カバー体６５ｂに設けられた切欠き６５ａ内に挿入すなわち円形状スリット６８を光源６１の直下位置におく。具体的には、円形状スリット６８をロッド６５と光学系（レンズ群）６４との間に配設する。この状態で露光手段６０が作動して、図９に示すように、光源６１からの光Ｂが第２のマスク６９に設けられた円形状スリット６８によって誘導され、ウエハＷ表面に形成されたアライメントマークＭの領域のレジスト膜Ｒに照射されると共に、モータ８１によってウエハＷがθ方向に所定角度回転しつつ移動手段９０によってウエハＷは水平のＸ方向に直線移動して直線露光（アライメントマーク露光）｛第２の露光工程｝が行われる。
【００４３】
これにより、図１０に示すように、ウエハＷの周辺部の余剰レジスト部は均一に周辺露光ＥＸ１され、アライメントマークＭの表面のレジスト膜はアライメントマークＭに沿って直線露光ＥＸ２（アライメントマーク露光）される。アライメントマークＭの露光領域（ＥＸ２）の幅Ｂは、円形状スリット６８の直径により設定でき、アライメントマークＭの露光領域（ＥＸ２）の長さＬは、ウエハＷのθ方向の回転角度とウエハＷのＸ方向の直線移動量によって設定することができる。
【００４４】
なお、アライメントマーク露光｛第２の露光工程｝は、毎回行う必要はなく、ウエハＷに塗布されるレジスト膜の状態例えばレジスト膜の層が１層か２層かによって設定される。
【００４５】
上記のようにして、周辺露光とアライメントマーク露光が行われた後、移動用モータ９４が逆方向に回転駆動して、チャック８０と共にウエハＷを、周辺露光装置３３の搬入・搬出口５１側に移動する。次に、昇降用エアーシリンダ８８が駆動して支持板８６を上昇させ、支持ピン８７にてチャック８０上のウエハＷを受け取り、ウエハＷをチャックの上方位置に移動する。次に、搬送アーム３４が周辺露光装置３３の筐体５０内のウエハＷの下方に進入し、この状態で、支持板８６が下降することで、ウエハＷが搬送アーム３４に受け渡される。その後、搬送アーム３４が周辺露光装置３３から後退して、ウエハＷを搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、バッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００４６】
露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００４７】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００４８】
その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給されて現像処理が施される。この現像処理によって、ウエハＷ表面に形成されたレジスト膜が所定の回路パターンに現像されると共に、ウエハＷの周辺部の余剰レジスト膜が除去され、更に、ウエハＷ表面に形成された（施された）アライメントマークＭの領域に付着したレジスト膜が除去される。このようにして、現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００４９】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００５０】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【００５１】
なお、上記実施形態では、第２のマスク６９に１つのスリット例えば円形状スリット６８が形成される場合について説明したが、第２のマスク６９を、以下に示すような構造としてもよい。例えば、図１１に示すように、第２のマスク６９Ａを、異なる大きさの複数例えば５個の円形状スリット６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅ（６８ａ＞６８ｂ＞６８ｃ＞６８ｄ＞６８ｅ）を有する平面視が略半ドーナツ状のマスク基板７１と、円形状スリット６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅの任意の円形状スリットを光源６１の直下位置に位置すべくマスク基板７１を移動するマスク切換移動機構７２とで構成してもよい。この場合、マスク切換移動機構７２は、ステッピングモータにて形成されるマスク切換用モータ７０Ａと、このマスク切換用モータ７０Ａの駆動軸７０ａとマスク基板７１の一端部とを連結する連結部材７３とで構成されている。
【００５２】
このように構成される第２のマスク６９Ａによれば、予めＣＰＵ２００に記憶されたアライメントマークＭの大きさや形状等の情報に基づいて円形状スリット６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅうちの所定の大きさの円形状スリット例えば円形状スリット６８ｂが露光手段６０の光源６１の直下位置に位置することができる。したがって、アライメントマークＭの大きさや種類に対応させた円形状スリットを有する第２のマスク６９を別々に用意する必要がなく、１つの第２のマスク６９Ａによってアライメントマーク領域の直線露光｛第２の露光工程｝を行うことができる。なお、円形状スリット６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅは、必ずしも５個にする必要はなく、アライメントマークＭの種類に対応した任意の数であってもよい。
【００５３】
また、第２のマスクの別の形態として、図１２に示すように、第２のマスク６９Ｂを、互いに共働して可変調節可能な円形状スリット６８Ｂを形成する複数（例えば１２枚）の絞り片７４と、各絞り片７４を調節移動する絞り片移動機構７５とで構成することもできる。この場合、絞り片移動機構７５は、正逆回転可能な切換用モータ７０Ｂの駆動軸７０ａに駆動歯部７６を装着し、この駆動歯部７６を内周に各絞り片７４の外側辺を固定した操作リング７７の外周に設けられた従動歯部７８を噛合させた構造となっている。
【００５４】
このように構成される第２のマスク６９Ｂによれば、予めＣＰＵ２００に記憶されたアライメントマークＭの大きさや形状等の情報に基づいて切換用モータ７０Ｂが所定角度回転することによって、各絞り片７４が共働して所定の大きさの円形状スリット６８Ｂを形成することができる。アライメントマークＭの位置は、ＣＰＵ２００の上位コンピュータ例えばホストコンピュータからネットワークを通じて回路パターン情報をもらうことで、ウエハＷのノッチ位置の基準位置から割り出される。したがって、アライメントマークＭの大きさや種類に対応させたスリットを有する第２のマスク６９を別々に用意する必要がなく、１つの第２のマスク６９Ｂによってアライメントマーク領域の直線露光｛第２の露光工程｝を行うことができる。
【００５５】
なお、上記実施形態では、周辺露光装置３３において、ウエハＷの周辺露光｛第１の露光工程｝を行った後に、アライメントマーク露光｛第２の露光工程｝を行う場合について説明したが、逆にしてもよい。すなわち、アライメントマーク露光｛第２の露光工程｝を行った後に、周辺露光｛第１の露光工程｝を行うようにしてもよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、第１のマスク６７を光源６１の直下位置に固定し、第２のマスク６９，６９Ａ，６９Ｂを光源６１の直下位置と待機位置とに切換移動する場合について説明したが、必ずしもこのような構造とする必要なない。例えば、第１のマスク６７と第２のマスク６９，６９Ａ，６９Ｂの双方を、光源６１の直下位置と待機位置とに切換移動可能な構造としてもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、被処理基板が半導体ウエハＷである場合について説明したが、この発明の基板処理装置及び基板処理方法は、ウエハＷ以外の円形の例えばＬＣＤ基板やフォトマスク基板等においても同様に適用できるものである。
【００５８】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、以下のような効果が得られる。
【００５９】
１）請求項１，２，４，５記載の発明によれば、レジスト膜が形成された被処理基板を回転させると共に、光源から第１のマスクの矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部の所定領域に光を照射する露光処理｛第１の露光工程｝と、上記光源から第２のマスクの円形状スリットを介して被処理基板の識別マークの領域に光を照射すると共に、被処理基板を水平方向に所定角度回転しつつ直線移動する露光処理｛第２の露光工程｝とを、同一の光源すなわち同一箇所で行うことができるので、スループットの向上及び装置の小型化を図ることができ、また、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００６０】
また、第１の露光工程においては、矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部に均一の光量を照射することができるので、余剰レジスト部とその他のレジスト膜部との境界の露光精度を高めることができる。また、第２の露光工程において、円形状スリットの直径と、被処理基板の回転角度及び直線移動量とによって、直線状の識別マーク領域に対応させた正確な直線露光が可能となるので、識別マークに近接する回路パターンのチップに露光領域が掛かる虞がなく、識別マークの領域のレジストのみを正確に除去することができる。
【００６１】
２）請求項２，５記載の発明によれば、検出手段によって被処理基板の中心からの偏心量を検出し、その検出情報と、予め記憶された識別マークの位置情報とに基づいて被処理基板の周辺部露光｛第１の露光工程｝と、識別マーク領域露光｛第２の露光工程｝とを制御することができるので、露光処理精度の向上を図ることができると共に、更に装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００６２】
３）請求項３，４，７，８記載の発明によれば、第２のマスクに設けられた大きさの異なる複数の円形状スリットのうちの選択された円形状スリットを介して識別マーク領域の露光を行うか、あるいは、第２のマスクに設けられた可変調節可能な円形状スリットを調節して行うことにより、識別マークの大きさに対応させて識別マーク領域の直線露光｛第２の露光工程｝を行うことができる。したがって、識別マークの大きさや種類に対応させたスリットを有する第２のマスクを別々に用意する必要がなく、１つのマスクによって識別マーク領域の直線露光｛第２の露光工程｝を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図３】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図４】この発明における露光手段を示す横断面図である。
【図５】上記露光手段の縦断面図である。
【図６】上記露光手段による周辺露光｛第１の露光工程｝を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図（ｂ）である。
【図７】上記露光手段による周辺露光｛第１の露光工程｝を示す概略斜視図（ａ）及び（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿う拡大断面図（ｂ）である。
【図８】上記露光手段によるアライメントマーク露光｛第２の露光工程｝を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図（ｂ）である。
【図９】上記露光手段によるアライメントマーク露光｛第２の露光工程｝を示す概略斜視図（ａ）及び（ａ）のＩＶ−ＩＶ線に沿う拡大断面図（ｂ）である。
【図１０】上記露光手段による周辺露光｛第１の露光工程｝と直線露光（アライメントマーク露光）｛第２の露光工程｝を示す平面図である。
【図１１】この発明における第２のマスクの第二実施形態を示す概略斜視図である。
【図１２】この発明における第２のマスクの第三実施形態を示す概略斜視図である。
【図１３】従来の矩形状スリットを有するマスクを用いた直線露光を示す拡大平面図である。
【符号の説明】
３３　周辺露光装置
３４　搬送アーム（搬送手段）
５１　搬入・搬出口
６０　露光手段
６１　光源
６６　矩形状スリット
６７　第１のマスク
６８，６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅ　円形状スリット
６８Ｂ　円形状スリット
６９，６９Ａ，６９Ｂ　第２のマスク
７０，７０Ａ，７０Ｂ　マスク切換用モータ
７１　マスク基板
７２　マスク切換移動機構
７４　絞り片
７５　絞り片移動機構
８０　チャック（保持手段）
８１　モータ（回転手段）
８５　バッファ（受け渡し手段）
９０　移動手段
９１　載置台
９２　ボールねじ機構
１００　位置検出器（検出手段）
２００　ＣＰＵ（制御手段）
Ｗ　半導体ウエハ（被処理基板）
Ｂ　光
Ｍ　アライメントマーク
Ｒ　レジスト膜
ＲＡ　余剰レジスト膜（部）

Claims (8)

1. 表面に直線状の識別マークが施された被処理基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜が形成された上記被処理基板の周辺部に付着する余剰レジスト部と上記識別マーク部に光を照射した後、上記被処理基板を現像処理する基板処理装置であって、
   上記被処理基板の表面を上方にして保持する保持手段と、
   上記保持手段を回転する回転手段と、
   上記保持手段及び回転手段を水平方向に直線移動する移動手段と、
   上記被処理基板の表面に光を照射する露光手段とを具備し、
   上記露光手段は、光源と、この光源からの露光面積を調節する矩形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の周辺部の所定領域に誘導する第１のマスクと、上記光源からの露光面積を調節する円形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の識別マークの領域に誘導する第２のマスクと、上記第１のマスク又は第２のマスクを上記光源の直下位置に配設すべく少なくとも第２のマスクを、光源の直下位置と光源の直下位置から外れた待機位置への切換移動を司るマスク移動機構と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 表面に直線状の識別マークが施された被処理基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜が形成された上記被処理基板の周辺部に付着する余剰レジスト部と上記識別マーク部に光を照射した後、上記被処理基板を現像処理する基板処理装置であって、
   上記レジスト膜が形成された被処理基板を保持して搬送する搬送手段との間で、被処理基板を受け渡すと共に、被処理基板の表面を上方にして保持する保持手段と、
   上記被処理基板の表面を上方にして保持する保持手段と、
   上記保持手段を回転する回転手段と、
   上記被処理基板の表面に光を照射する露光手段と、
   上記搬送手段と露光手段との間において、上記保持手段及び回転手段を、搬送手段側又は露光手段側の水平方向に直線移動する移動手段と、
   上記保持手段にて保持された上記被処理基板の中心からの偏心量を検出する検出手段と、を具備し、
   上記露光手段は、光源と、この光源からの露光面積を調節する矩形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の周辺部の所定領域に誘導する第１のマスクと、上記光源からの露光面積を調節する円形状スリットを有すると共に、光を上記被処理基板の識別マークの領域に誘導する第２のマスクと、上記第１のマスク又は第２のマスクを上記光源の直下位置に配設すべく少なくとも第２のマスクを、光源の直下位置と光源の直下位置から外れた待機位置への切換移動を司るマスク移動機構と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１又は２記載の基板処理装置において、
   上記第２のマスクは、異なる大きさの複数の円形状スリットを有するマスク基板と、任意の上記円形状スリットを光源直下位置に位置すべく上記マスク基板を移動するマスク移動機構と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１又は２記載の基板処理装置において、
   上記第２のマスクは、互いに共働して可変調節可能な円形状スリットを形成する複数の絞り片と、各絞り片を調節移動する絞り片移動機構と、を具備することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１記載の基板処理装置を用いる基板処理方法であって、
   レジスト膜が形成された被処理基板を回転させると共に、光源から第１のマスクの矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部の所定領域に光を照射する第１の露光工程と、
   上記光源から第２のマスクの円形状スリットを介して上記被処理基板の上記識別マークの領域に光を照射すると共に、被処理基板を水平方向に所定角度回転しつつ直線移動する第２の露光工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
6. 請求項２記載の基板処理装置を用いる基板処理方法であって、
   上記レジスト膜が形成された被処理基板を搬送手段にて保持して搬送し、保持手段に受け渡す工程と、
   上記被処理基板の中心からの偏心量を検出する工程と、
   検出された中心からの偏心量の情報に基づいて上記被処理基板及び保持手段を露光手段の下方に移動すると共に、被処理基板の周辺部を露光手段の光源の直下位置に配設する工程と、
   光源から第１のマスクの矩形状スリットを介して被処理基板の表面周辺部の所定領域に光を照射する第１の露光工程と、
   制御手段に予め記憶された情報に基づいて上記被処理基板の識別マーク領域を上記光源の直下位置に配設し、上記光源から第２のマスクの円形状スリットを介して上記被処理基板の上記識別マークの領域に光を照射すると共に、被処理基板を水平方向に所定角度回転しつつ直線移動する第２の露光工程と、
   上記第１及び第２の露光工程が終了した後、上記被処理基板を上記搬送手段に受け渡す工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
7. 請求項５又は６記載の基板処理方法において、
   上記第２の露光工程は、第２のマスクに設けられた異なる大きさの複数の円形状スリットのうちの選択された円形状スリットを介して光を照射することを特徴とする基板処理方法。
8. 請求項５又は６記載の基板処理方法において、
   上記第２の露光工程は、第２のマスクを構成する可変調節可能な複数の絞り片を調節移動して設定される円形状スリットを介して光を照射することを特徴とする基板処理方法。

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