KR20110003289A - 도포, 현상 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 도포, 현상장치 및 도포, 현상방법에 관한 것으로서 레지스트를 도포하는 도포 유니트 및 현상액을 공급해 현상하는 현상 유니트를 구비한 처리 블럭과 액침노광을 실시하는 노광 장치에 접속되는 인터페이스부를 구비한 도포 현상 장치에 있어서 상기 인터페이스부에 기판 세정 유니트와 제 1 반송 기구와 제 2 반송 기구를 구비한 구성의 도포, 현상 장치로 한다. 노광 후의 기판을 제 1 반송 기구에 의해 기판 세정 유니트에 반송하여 상기 세정 유니트에 의해 세정된 기판은 제 2 반송 기구를 개재하여 반송되기 때문에 새로운 파티클의 부착이 억제되는 것으로 처리 블럭의 각 처리 유니트 및 상기 각 처리 유니트로 처리되는 기판에 파티클 오염이 퍼지는 것을 막을 수가 있는 레지스트를 기판에 도포해 액침노광 후의 기판을 현상하기에 있어서 파티클 오염을 억제할 수 있는 도포, 현상 장치를 제공하는 기술을 제공한다.

Description

도포, 현상 장치{COATING AND DEVELOPING APPARATUS}
본 발명은 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함) 등의 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 유니트와 그 표면에 액층을 형성해 액침노광된 후의 웨이퍼에 현상액을 공급해 현상하는 현상 유니트를 구비한 도포 현상 장치 및 도포 현상 방법에 관한 것이다.
종래 반도체 제조 공정의 1개인 포토레지스트 공정에 있어서는 웨이퍼의 표면에 레지스트를 도포해 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 상기 웨이퍼에 현상액을 공급해 현상하여 레지스트 패턴을 작성하고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 도포 유니트와 현상 유니트를 포함한 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용해 행해진다.
이 도포 현상 장치로부터 노광 장치에 혹은 노광 장치로부터 도포 현상 장치로의 웨이퍼의 수수는 예를 들면 도포 현상 장치와 노광 장치의 사이에 개재하는 인터페이스부를 개재시키는 것으로 행해지고 있다. 예를 들면 특허 문헌 1에는 2개 반송아암을 구비한 인터페이스부의 구성이 기재되어 있고 상기 2개의 반송아암이 협동하는 것으로 상기 장치간의 웨이퍼의 수수를 행하고 있다.
그런데 최근 디바이스 패턴의 미세화 박막화의 요청으로부터 노광의 해상도를 올리는 것을 목적으로 하여 액침노광으로 불리는 노광 수법을 도입하는 것이 검토되고 있다. 액침노광이라는 것은 웨이퍼의 표면에 빛을 투과 시키는 가장 순수 등의 액층을 형성한 상태로 광원으로부터 발해지는 빛을 이 액층을 투과 시키는 것으로 웨이퍼 표면에 조사시켜 소정의 회로 패턴을 레지스트에 전사하는 노광 처리이다. 자세하게 말하면 예를 들면 ArF를 노광 처리를 행하기 위한 광원으로서 이용했을 경우에 그 광원으로부터 발해지는 빛의 파장은 대기중에서는 193 nm이지만 수중에서는 실질 134 nm가 되는 바와 같이 이 수법은 빛의 파장이 수중에서는 짧아지는 것을 이용해 해상도가 높은 노광 처리를 실시하는 것이다.
그런데 상술의 액침노광을 적용한 포토레지스트 공정에는 레지스트 도포막이 상기 액층에 용출한다고 하는 우려가 있다. 이 용출이 일어나면 액체는 파티클을 흡착하기 쉽기 때문에 노광 처리 후 액층을 형성하기 위해서 이용한 액체가 웨이퍼에 잔류해 이 액체를 개재하여 상기 용출성분이 파티클로서 웨이퍼 표면에 부착한다. 이러한 파티클이 부착한 웨이퍼가 노광 장치로부터 기술의 인터페이스부에 설치된 반송아암에 수수되면 상기 반송아암이 파티클에 의해 오염되는 것을 생각할 수 있고 그 이후 상기 반송아암을 개재하여 반송되는 웨이퍼에 파티클 오염이 퍼지게 된다.
노광시에 파티클이 부착한 혹은 기술과 같이 반송아암을 개재하여 파티클이 부착한 웨이퍼가 도포 현상 장치내에 반입되면 예를 들면 도포 현상 장치내의 반송아암에 상기 파티클이 부착해 그것이 처리 유니트내에 비산하거나 혹은 다른 웨이퍼에 전사하거나 하는 것으로 도포 현상 장치내에 파티클 오염이 퍼질 우려가 있다. 파티클 오염을 받은 웨이퍼에 대해서는 가열 처리시에 파티클이 부착하고 있는 부위의 온도가 다른 부위의 온도와는 다르고 특히 화학 증폭형의 레지스트에 대해서 노광시에 발생한 산촉매를 레지스트내에 확산시키는 가열 처리시에 있어서는 파티클의 부착이 패턴의 선폭에 크게 영향을 미친다. 또한 현상 처리시에는 웨이퍼에 부착하고 있는 파티클에 의해 패턴이 손상될 우려도 있다.
또 도포 현상 장치내에 파티클 오염이 퍼진다고 하면 예를 들면 노광전 노광 다음에 가열 처리를 실시하는 유니트를 공용하고 있는 바와 같은 경우는 상기 유니트를 개재하여 노광 장치측에 반입되는 웨이퍼도 오염을 받는다. 노광 장치로 향하는 웨이퍼는 노광 장치로부터 반출되는 웨이퍼와 동일하게 반송아암으로부터도 파티클이 전사되기 때문에 노광 장치에는 파티클이 축적하는 것을 생각할 수 있다. 그 경우 액침노광이 행해지면 파티클이 액층에 올라 노광 영역을 이동하는 것으로 노광을 방해하여 웨이퍼에 레지스트 패턴이 정확하게 전사되지 않게 되고 레지스트 패턴의 결함 부위가 웨이퍼상에 산재하는 것이 일어날 염려가 있다.
기술한 파티클 오염 이외의 액침노광을 실시하는 경우의 문제로서 워터마크의 형성이 있다. 이것은 액침노광을 실시할 때에 이용하는 액체가 웨이퍼에 부착한 채로 건조하는 것으로 액체중의 용존성분이 웨이퍼 표면에 응고하는 현상이고 이 워터마크는 웨이퍼의 현상 처리가 정상적으로 행해지는 것을 방해할 우려가 있다. 이들의 문제에 대한 대책은 특허 문헌 1에는 기재되지 않았다.
[특허 문헌 1] 일본 특개 2004-193597
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로서 그 목적으로 하는 것은 레지스트를 기판에 도포하고 액침노광 후의 기판을 현상하기에 있어 파티클 오염을 억제할 수 있는 도포 현상 장치 및 도포 현상 방법을 제공하는 것이다. 또 본 발명의 다른 목적은 액침노광에 이용한 액체가 기판 표면에서 건조해 워터마크가 형성되는 것으로 현상 처리가 정상적으로 행해지지 않게 되는 것을 막을 수가 있는 도포 현상 장치 및 도포 현상 방법을 제공하는 것이다.
본 발명과 관련되는 도포 현상 장치는 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 유니트 및 노광된 후의 기판에 현상액을 공급해 현상하는 현상 유니트가 설치된 처리 블럭과 기판의 표면에 액층을 형성해 액침노광을 실시하는 노광 장치에 접속되는 인터페이스부를 구비한 도포 현상 장치에 있어서 상기 인터페이스부는 액침노광 후의 기판에 대해서 세정을 실시하는 기판 세정 유니트와 노광 장치로부터의 기판을 기판 세정 유니트에 반송하는 보유 지지체를 구비한 제 1 반송 기구와 상기 기판 세정 유니트로부터 기판을 반출해 처리 블럭으로 반송하는 제 2 반송 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 도포 현상 장치에 있어서 제 2 반송 기구는 처리 블럭으로부터의 기판을 제 1 반송 기구에 수수하고 제 1 반송 기구는 상기 기판을 노광 장치에 수수하는 구성으로 하여도 좋고 또 상기 제 1 반송 기구는 노광 장치로부터의 기판을 기판 세정 유니트로 반송하기 위한 전용의 보유 지지체와 노광 장치에 기판을 반송하기 위한 전용의 보유 지지체를 구비하고 있어도 괜찮다. 한층 더 제 2 반송 기구는 기판 세정 유니트로부터 기판을 꺼내는 반송아암과 이 반송아암으로부터 기판을 받아 처리 블럭에 수수하는 반송아암으로 이루고 있어도 괜찮다.
상기 제 1 반송 기구에 있어서의 기판을 기판 세정 유니트에 반송하는 보유 지지체를 세정하기 위한 보유 지지체 세정 유니트가 상기 인터페이스부에 설치되고 있어도 괜찮다. 그리고 이 경우 상기 기판 세정 유니트에 상기 보유 지지체 세정 유니트가 조합하여 설치되고 있어도 좋고 예를 들면 상기 보유 지지체 세정 유니트는 기판 세정 유니트내로의 반송아암의 진입로에 대향하는 위치에 설치되고 있다.
또 본 발명과 관련되는 도포 현상 장치는 예를 들면 액침노광된 기판의 건조를 억제하기 위해서 기판 세정 유니트에 반송되는 기판 주위의 환경을 가습하는 습도 제어 유니트를 구비하고 있고 상기 습도 제어 유니트는 예를 들면 제 1 반송 기구에 조합해 설치되고 있어도 괜찮다.
본 발명과 관련되는 도포 현상 방법은 처리 블럭에서 기판의 표면에 레지스트를 도포한 후 상기 기판의 표면에 액층을 형성해 액침노광하고 그 다음에 이 기판을 상기 처리 블럭에 반송하여 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상하는 도포 현상 방법에 있어서 액침노광된 후의 기판을 제 1 반송 기구에 의해 기판 세정 유니트에 반송하는 공정과 기판 세정 유니트에 있어서 기판의 세정을 실시하는 공정과 기판 세정 유니트로부터 세정된 기판을 제 2 반송 기구에 의해 처리 블럭에 반출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 도포 현상 방법에 있어서 기판 세정 유니트에 반송하는 공정은 제 1 반송 기구에 구비된 하나의 전용의 보유 지지체에 의해 행해지고 또 제 1 반송 기구에 구비되어진 다른 전용의 보유 지지체에 의해 노광 장치로부터의 기판을 기판 세정 유니트로 반송하는 공정이 포함되어 있어도 좋다.
또 상기 제 1 반송 기구에 있어서의 기판을 기판 세정 유니트에 반송하는 보유 지지체를 보유 지지체 세정 유니트에 의해 세정하는 공정을 포함한 도포 현상 방법으로서도 좋고 이 경우는 예를 들면 기판 세정 유니트내로의 반송아암의 진입로에 대향하는 위치에 보유 지지체 세정 유니트가 설치되고 있다. 또 기판이 노광 장치로부터 인터페이스부에 반입된 후 기판 세정 유니트에 반입될 때까지의 사이 상기 기판의 주위에 있어서의 환경을 가습하는 공정이 포함되어 있어 좋고 이 경우 기판의 주위에 있어서의 환경을 가습하는 공정은 예를 들면 제 1 반송 기구에 설치된 습도 제어 유니트에 의해 행해진다.
본 발명에 의하면 노광 장치에 의해 액침노광을 받은 기판을 제 1 반송 기구에 의해 기판 세정 유니트에 반송하여 상기 기판 세정 유니트 (6)에 의해 상기 기판을 세정하고 있기 때문에, 기판에 액침노광시의 레지스트의 용출물등의 파티클이 부착하고 있었다고 해도 제거된다. 또 세정된 기판을 제 1 반송 기구와는 다른 제 2 반송 기구를 통하여 반송하므로 처리 블럭의 각 처리 유니트 및 상기 각 처리 유니트로 처리되는 기판에 파티클 오염이 퍼지는 것을 막을 수가 있다. 따라서, 기판의 가열 처리시에 파티클에 의해 패턴의 선폭이 영향을 받거나 현상 처리시에 파티클에 의해 패턴이 손상되거나 액침노광 시에 파티클이 액층에 올라 노광 영역을 이동함으로써, 노광이 방해되거나 하는 문제점을 억제할 수가 있으므로, 기판에 레지스트 패턴의 형성을 정확하게 실시할 수가 있다.
또 액침노광된 후, 또한 상기 기판 세정 유니트에 반입되기 전에 있어서의 기판의 주위의 습도를 제어하는(가습하는) 습도 제어 유니트를 설치함으로써, 액침노광을 받은 기판이 기판 세정 유니트에 반송될 때까지 상기 기판에 부착한 액체가 건조하여 워터마크가 형성되는 것을 막을 수가 있다. 따라서, 이 워터마크에 의해 현상 처리가를 방해받는 것이 억제되므로, 기판에 레지스트 패턴을 정확하게 형성할 수가 있다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 도포 현상 장치를 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 도포 현상 장치를 나타내는 전체 사시도.
도 3은 상기 도포 현상 장치의 인터페이스부의 일례를 나타내는 사시도.
도 4는 상기 인터페이스부에 설치된 반송 기구의 일례를 나타내는 사시도.
도 5는 상기 인터페이스부에 설치된 세정 유니트의 종단 측면도.
도 6은 상기 세정 유니트의 횡단 평면도.
도 7은 상기 인터페이스부에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 나타낸 모식도.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태와 관련되는 인터페이스부의 구성의 일례를 나타내는 사시도.
도 9는 반송 기구 및 습도 제어 유니트의 다른 일례를 나타내는 설명도.
이하 본 발명과 관련되는 노광 장치가 접속된 도포, 현상 장치의 전체 구성의 일례에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시의 형태인 웨이퍼의 도포 현상 장치를 액침노광을 실시하는 노광 장치에 접속하여 이루어지는 레지스트 패턴 형성 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 그 사시도이다. 도안에 (B1)은 웨이퍼(W)가 예를 들면 13매 밀폐 수납된 캐리어 (2)를 반입출하기 위한 캐리어 재치부이고, 캐리어 (2)를 복수개 늘어놓아 재치 가능한 재치부 (20a)를 구비한 캐리어 스테이션 (20)과, 이 캐리어 스테이션 (20)으로부터 볼때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (21)와, 개폐부 (21)를 통하여 캐리어 (2)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내기 위한 수수 수단 (A1)이 설치되고 있다.
캐리어 재치부 (B1)의 안쪽 측에는 프레임체 (22)에서 주위를 둘러싸는 처리부(처리 블럭 ; B2)가 접속되고 있고, 이 처리부 (B2)에는 앞측으로부터 순서로 가열·냉각계의 유니트를 다단화한 3개의 선반 유니트 (U1; U2 ;U3) 및 액처리 유니트 (U4 ; U5)의 각 유니트간에 웨이퍼(W)의 수수를 실시하는 주반송 수단 (A2 ; A3)이 교대로 배열하여 설치되고 있다. 즉, 선반 유니트 (U1; U2 ;U3) 및 주반송 수단 (A2 ; A3)은 캐리어 재치부 (B1)측에서 볼때 전후 일렬로 배열되고 있고, 각각의 접속 부위에는 도시하지 않는 웨이퍼 반송용의 개구부가 형성되고 있고, 웨이퍼(W)는 처리 블럭 (B2)내를 일단측의 선반 유니트 (U1)로부터 타단측의 선반 유니트 (U3)까지 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다. 또 주반송 수단 (A2 ; A3)는 캐리어 재치부 (B1)로부터 볼때 전후 일렬로 배치되는 선반 유니트 (U1; U2 ;U3)측의 일면부와 후술하는, 예를 들면 우측의 액처리 유니트 (U4 ; U5)측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽 (23)에 의해 둘러싸이는 공간내에 놓여져 있다. 또한, 도 중의 도면 부호 24는 각 유니트에서 이용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온습도 조절용의 덕트 등을 구비한 온습도 조절 유니트이다.
상기 선반 유니트 (U1; U2 ;U3)는 액처리 유니트 (U4 ; U5)에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 각종 유니트를 복수단 예를 들면 10단으로 적층한 구성으로 되어 있고, 그 조합은 웨이퍼(W)를 가열(베이크)하는 가열 유니트(PAB,도시하지 않음), 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유니트등이 포함된다. 또 액처리 유니트 (U4 ; U5)는, 예를 들면 도 2에 나타나는 바와 같이 레지스트나 현상액 등의 약액 수납부 위에 반사 방지막 도포 유니트(BARC, 26), 레지스트 도포 유니트(COT, 27), 웨이퍼(W)에 현상액을 공급해 현상 처리하는 현상 유니트(DEV, 28)등을 복수단, 예를 들면 5단으로 적층하여 구성되고 있다.
*처리부 (B2)에 있어서의 선반 유니트 (U3)의 안쪽 측에는 인터페이스부 (B3)를 개재하여 노광 장치 (B4)가 접속되고 있다. 노광 장치 (B4)에는 인터페이스부 (B3)로부터의 웨이퍼(W)를 받는 스테이지 (40A)와, 인터페이스부 (B3)에 대해서 노광 후의 웨이퍼(W)를 수수하는 스테이지 (40B)가 설치되고 있다.
이어서 본 발명의 주요부가 구성되고 있는 인터페이스부 (B3)의 구성에 대해서 도 1 및 도 3을 이용해 상술한다. 인터페이스부 (B3)는 처리부 (B2)와 노광 장치 (B4)의 사이에 전후로 설치되는 반송실(3A), 반송실(3B) 및 그들 반송실의 상부에 설치된 온습도 제어 유니트 (3C), 기류 제어 유니트 (3D)에 의해 구성되고 있다. 상기 반송실 (3A)은 프레임체로 둘러싸이고 내부는 밀폐공간으로서 구성되고 있고 그 프레임체의 측면의 패널에는 셔터에 의해 개폐 자유로운 반송구(미도시)가 설치되고 있다. 그리고 반송실 (3A)에는 상기 반송구를 통하여 상기 스테이지 (40A ; 40B)에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 실시하는 제 1 반송 기구에 상당하는 반송아암 (5)이 설치되고 있다. 또 상기 반송실 (3A)에는 세정 유니트 (6)가 복수단, 예를 들면 2단 적층되어 설치되고 있다. 또 반송실 (3A) 상부의 온습도 제어 유니트 (3C)는 예를 들면 반송실 (3A)내에 있어서 상부 전체로부터 하부를 향하여 미리 설정한 온도로 또한 가습된 공기 등의 기체를 공급함으로써 후술하는 바와 같이 온습도를 제어한다. 이와 같이 가습하는 이유는 노광 장치 (B4)로부터 반송된 웨이퍼(W)의 건조를 막기 위함이다.
여기서 도 4를 이용해 반송아암 (5)에 대해서 설명하면 상기 반송아암 (5)를 구성하는 반송기체(50)는 가이드 (55)를 따라 승강 자유롭고 가이드 (55)는 수직축 주위을 회전 자유 또한 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 그 반송기체 (50)에는 예를 들면 평판형의 포크 모습 형상을 갖고 이동체 (51 ; 52)를 통하여 독립하여 진퇴 가능한 상하 2매의 아암체(보유 지지체, 53; 54)가 설치되고 있다.
또한 본 명세서에서는 기판을 반송하는 반송 기구에 있어서 기판에 접촉하여 상기 기판을 보유 지지하는 부분을 아암체 상기 아암체를 지지하고 이동시키는 부분을 반송기체로 기재하고, 아암체 및 반송기체가 포함된 반송 기구를 반송아암으로 기재한다.
다음으로, 세정 유니트(6) 에 대해서 도 5 및 도 6을 이용해 설명한다. 도 5 및 도 6은 각각 세정 유니트(6)의 종단 측면도 및 횡단 평면도이고, 세정 유니트(6)의 내부에 반송아암 (5)의 아암체 (53)가 진입하는 모습을 나타내고 있다. 세정 유니트 (6)는 프레임체 (60)을 구비하고 있고, 이 프레임체 (60)의 측벽부에는 상기 아암체 (53)에 보유 지지된 웨이퍼(W)가 반입되는 반송구 (61)가 형성되고 있고 셔터 (62)에 의해 개폐 자유롭게 되어 있다. 또 다른 측벽부에는 후술 하는 반송아암 (7)이 웨이퍼(W)를 받기 위한 진입 가능한 반송구 (70)가 형성되고 있고 셔터 (70a)에 의해 개폐 자유롭게 되어 있다.
프레임체 (60) 내부에 있어서 아암체 (53)의 진입로와 대향하는 천정부에는아암 세정 헤드[이하 세정 헤드라고 함, 63]가 설치되고 있다. 이 세정 헤드 (63)는 아암체 (53)의 진입 방향에 직교하도록 연장하고 있고, 그 길이 방향의 길이는 아암체 (53)의 폭 전체를 커버하도록 형성되고 있다. 상기 세정 헤드 (63)의 상부에는 세정액공급관 (64) 및 퍼지 가스 공급관 (65)이 접속되고 있고, 세정 헤드 (63)의 하부에는 세정액공급구, 퍼지 가스 공급구가 형성되고 있다. 또한, 세정액공급로 퍼지 가스 공급구는, 예를 들면 각각 세정 헤드 (63)의 길이 방향을 따라 설치되고, 각각의 공급구는, 예를 들면 다수의 구멍이 직선 형상으로 천공되는 것으로 구성된다. 세정액 토출구와 세정액공급관 (64)과, 퍼지 가스 공급구와 퍼지 가스 공급관 (65)은 각각 세정 헤드 (63)의 내부에 형성되고 있는 통로를 통하여 연통하고 있고, 세정액공급관 (64)은 밸브 (64a)를 통하여 세정액, 예를 들면 순수 등이 저장된 세정액공급원 (64A)과 접속되고 있다. 퍼지 가스 공급관 (65)은 밸브 (65a)를 통하여, 예를 들면 N2 (질소) 가스등의 불활성 가스가 저장되고 있는 퍼지 가스 공급원 (65A)에 접속되고 있다. 세정 헤드 (63)의 하부에는 폐액(세정액)을 회수하기 위한 컵체 (66)가 설치되어 있고 컵체 (66)의 하부는 흡인관을 겸용하는 드레인관 (67)과 연통하고 있다.
또한, 상기 세정 헤드 (63)보다 내측의 천정에는 세정액공급부를 이루는 샤워 헤드 (71)가 설치되고 있고, 상기 샤워 헤드 (71)의 상부에는 세정액공급관 (72) 및 건조용의 기체인 퍼지 가스 공급관 (73)이 각각 접속되고 있다. 샤워 헤드 (71)의 하부에는, 예를 들면 다수의 작은 구멍으로 이루어지는 세정액 토출구 및 퍼지 가스 토출구가, 예를 들면 각각 예를 들면 다르게 설치되고 있고 이 경우 퍼지 가스 토출구와 퍼지 가스 공급관 (73)과, 또 세정액 공급구와 세정액공급관 (72)은 샤워 헤드 (71)의 내부에 형성된 통로를 통하여 서로 연통하고 있다. 또한 세정액공급구와 퍼지 가스 공급구는 공용화되어 있어도 괜찮다. 퍼지 가스 공급관 (73)은 밸브 (73a)를 통재하여 퍼지 가스 공급관 (65)에 접속됨과 동시에, 세정액공급관(72)은 밸브(72a)를 통하여 세정액공급관 (64)에 접속되고 있고, 각 공급관에 개설된 밸브의 절환에 의해 세정액 및 퍼지 가스의 공급처가 세정 헤드 (63) 또는 샤워 헤드 (71) 중 어느 하나로 절환되도록 구성되고 있다.
샤워 헤드 (71)의 중앙부의 하방에는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하기 위한 재치대 (74)가 설치되고 있고, 상기 재치대 (74)는 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 진공 흡인함으로써 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 유지하는, 예를 들면 진공 척으로 이루어진다. 이 재치대 (74)는 아암 (53)의 중앙 공간에 들어가 아암 (53)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 수수할 수 있도록 설치되고 있다. 74b는 구동 기구이고, 재치대 (74)를 수직축 주위에서 회전시키기 위한 것이다. 재치대 (74)의 주위에는, 예를 들면 3개의 핀 (75)이 승강 부재 (75a)를 통하여 구동 기구 (75b)에 의해 승강할 수 있도록설치되고 있다. 핀 (75)을 승강시킴으로써 아암체 (53)와 재치대 (74) 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받을 수가 있다. 또 상기 재치대 (74)를 둘러싸도록 컵체 (76)가 설치되어 있고, 컵체 (76)의 하부는 드레인관 (77)에 연통하고 있다. 이 드레인관 (77)은 상기 드레인관 (67)과 연통하고 있고, 그 단부는 밸브 (77a)를 통하여 예를 들면 이젝터 펌프 등의 흡인 수단 (78)에 접속되고 있다.
도 3으로 돌아가 반송실 (3B)에 대해서 설명하면, 반송실 (3B)도 반송실( 3A)와 동일하게 프레임체에 둘러싸여 있고, 또 상기 프레임체의 측면의 패널에는 반송실 (3A, 3B) 사이에서 웨이퍼의 수수를 행하기 위한, 셔터에 의해 개폐 자유로운 반송구(미도시)가 형성되고 있다. 반송실 (3B)내에 있어서 캐리어 재치부 (B1)측에서 본 좌측으로 예를 들면 냉각 플레이트를 겸한 웨이퍼(W) 수수용 스테이지를 가지는 2개의 고정밀도 온조유니트 (34)가, 예를 들면 상하로 적층되어 설치되고 있다.
한편, 반송실 (3B)에 있어서의 캐리어 재치부 (B1)측에서 본 우측의 하부에는 세정 유니트 (6)로부터 웨이퍼(W)를 받는 반송아암 (7)이 설치되고 있다. 반송아암 (7)은 승강 가능하게 수직축 주위에서 회전가능한 반송기체 (7B)를 구비하고, 이 반송기체 (7B)상을 아암체 (7A)가 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 상기 반송아암 (7A)은 상기 반송구를 통하여 반송실 (3A)의 세정 유니트(6) 내에 진입할 수 있도록 구성되고 있다.
반송아암 (7)의 상방에는 복수, 예를 들면 13매의 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용하는 2개의 버퍼 카셋트 (36)가 2부, 예를 들면 상하로 연속하여 설치되어 있고 또한 그 상방에는 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주변 노광 장치 (37)가 설치되고 있다. 반송실 (3B)의 중앙부에는 반송아암 (33)이 설치되고 있고, 상기 반송아암 (33)은 반송기체 (33B)를 통하여 승강 자유 또한 수직축 주위에서 회전 자유로운 반송아암 (33A)를 구비하고 있고, 상기 버퍼 카셋트 (36) 및 주변 노광 장치 (37)와 웨이퍼(W)를 수수할 수 있도록 구성되고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는 상기 반송아암 (33)과 상기 반송아암 (7)이 제 2 반송 기구에 상당하고, 반송아암 (33)은 처리 블럭 (B2)으로부터 받은 웨이퍼(W)를 고정밀도 온조유니트 (34)를 거쳐서 제 1 반송 기구인 반송아암 (5)에 수수하고 또 반송아암 (7)으로부터 받은 웨이퍼(W)를 처리 블럭 (B2)로 반송하도록 구성되고 있다. 또 반송실 (3B)의 상부의 기류 제어 유니트 (3D)는 반송실 (3B)내에 있어서, 하방을 향해 일정 온도의 크린 에어를 공급하도록 구성되고 있다.
그런데 이 실시 형태에 있어서의 도포 현상 장치는 도시하지 않지만, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 프로그램 저장부를 가지는 제어부를 구비하고 있다. 프로그램 저장부에는 후술하는 바와 같은 상기 도포 현상 장치 및 노광 장치의 작용 즉 웨이퍼의 처리 및 웨이퍼의 수수 등이 실시되도록 명령이 짜여진, 예를 들면 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되고, 상기 프로그램이 제어부에 독출됨으로써 제어부는 상기 도포, 현상 장치의 작용을 제어한다. 또한 이 프로그램은 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷트 옵티컬 디스크 등의 기록 매체에 저장된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
다음에 상술의 실시 형태의 작용에 대해서 설명한다. 먼저 외부로부터 웨이퍼(W)가 수납된 캐리어 (2)가 재치부 (21a)에 재치되면, 개폐부 (21)와 함께 밀폐형 캐리어 (2)의 덮개가 벗겨지고 수수 수단 (A1)에 의해 웨이퍼(W)가 꺼내진다. 그 다음에 웨이퍼(W)는 제 1 선반 유니트 (U1)의 일단부를 이루는 수수 유니트를 통하여 주반송수단 (A2)으로 수수되고, 액처리유니트(4)내의 하나의 선반에서 도포 처리의 사전 처리로서, 예를 들면 반사 방지막형성 유니트에서 웨이퍼(W)표면에 노광시의 빛의 반사를 방지하기 위한 막인 반사 방지막의 형성이 행해진다. 다음에 웨이퍼(W)는 도포 유니트에서 레지스트액이 도포되어 레지스트막이 형성된다.
레지스트의 액막이 형성된 웨이퍼(W)는 선반 유니트 (U1~U3) 중 하나의 선반을 이루는 가열 유니트에서, 예를 들면 100 ℃ 전후의 온도로 소정의 제 1 가열 처리가 행해지고, 이 후 웨이퍼(W)는 냉각 유니트에서 소정의 온도로 냉각된다. 또한 가열 유니트가 수평 이동하는 냉각 플레이트를 구비하고 있는 경우에는 그 냉각 플레이트에서 냉각된다.
이후, 인터페이스부에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송에 대해서 도 3 및 웨이퍼(W)의 흐름을 모식적으로 그린 도 7을 참조하면서 상술한다. 냉각된 웨이퍼(W)는 반송아암 (33)에 의해 반송실 (3B)내에 반송되고(스텝 S1), 주변 노광 장치 (37)에 반입되어 주변 노광 처리를 받는다. 주변 노광 처리를 받은 웨이퍼(W)는 반송아암 (33)에 의해 고정밀도 온조유니트 (34)에 반송되고(스텝 S2), 상기 유니트내에 있어서 웨이퍼(W) 표면의 온도는 노광 장치 (B4)내의 온도에 대응한 설정 온도로 고정밀도로 온조된다. 웨이퍼(W)가 냉각되면, 반송아암 (5)의 아암체 (54)가 반송구를 통하여 고정밀도 온조유니트 (34)내에 진입하여 웨이퍼(W)의 수수가 행해지고 웨이퍼(W)는 아암체 (54)상에 보유 지지된다(스텝 S3). 그 후 반송아암 (5)가 이동해 반송구를 통하여 웨이퍼(W)는 노광 장치 (B4)의 스테이지 (40A)에 수수된다(스텝 S4).
노광 장치 (B4)에서 기술한 바와 같이 액침노광 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는 스테이지 (40B)에 의해 반송구를 통하여 반송실 (3A)내에 반송되어 반송아암 (5)의 아암체 (53)에 수수되고(스텝 S5), 웨이퍼(W)를 받은 반송아암 (5)은 세정 유니트(6)에 접근하는 한편, 세정 유니트(6)의 셔터 (62)가 열린다. 아암체 (53)가 전진하여 도 5 및 도 6에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태로 아암체 (53)가 세정 유니트(6) 내부에 진입하여 핀 (75)을 통하여 재치대 (74)상에 웨이퍼(W)가 수수된다(스텝 S6). 또한 노광 장치 (B4)로부터 세정 유니트(6)로의 웨이퍼(W)의 반송이 행해지고 있는 동안, 습도 제어 유니트 (3C)에 의해 반송실 (3A)내의 온도는, 예를 들면 노광 장치 (B4)내와 동일한 온도인 23 ℃로 유지되고 있고 상대습도도 동일하게 노광 장치 (B4)내와 동일한 70 %로 유지되고 있다.
웨이퍼(W)의 수수 후, 반송아암 (5)이 세정 유니트(6)로부터 이격되는 한편, 셔터 (62)가 닫힌다. 그 후, 재치대 (74)가 수평으로 회전함과 동시에 재치대 (74)에 재치된 웨이퍼(W)에 대해서 세정액 공급원 (64A)로부터 샤워 헤드 (71)를 통하여 세정액인 순수가, 예를 들면 일정시간 토출되어 웨이퍼(W)의 표면이 세정된다. 세정액의 공급이 끝나면, 퍼지 가스 공급원 (65A)으로부터 샤워 헤드 (71)를 통하여 N2 가스가 웨이퍼(W) 표면에 공급되는 한편, 재치대 (74)가 회전을 계속함으로써 웨이퍼(W)의 건조가 행해진다. 이 웨이퍼(W)의 세정 및 건조를 하고 있는 동안, 흡인 수단 (78)에 의해 웨이퍼(W)로부터 넘쳐나거나 비산하거나 하여 컵 (76)내에 포착된 물은 흡인되고, 드레인관 (77)을 통하여 세정 유니트(6)내로부터 배출된다.
웨이퍼(W)의 건조가 종료하면, 반송아암 (7)이 상기 세정 유니트(6)에 접근 하는 한편, 세정 유니트(6)의 셔터(70a)가 열린다. 상기 반송아암 (7)의 아암체(7A)가 전진하여 반송구(70)를 통하여 세정 유니트(6)내에 진입하고 핀 (75)를 개재하여 웨이퍼(W)를 받고, 세정 유니트(6)로부터 퇴피한다(스텝 7). 계속하여 반송아암 (7)과 (33)의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 하고(스텝 8), 반송아암 (33)은 받은 웨이퍼(W)를 처리부 (B2)의 선반 유니트 (U3)에 포함되는 제 2 가열 유니트에 반송한다(스텝 S9). 또한 상기 스텝의 진행 중, 반송아암 (33)은 노광 장치 (B4) 혹은 처리부 (B2)에 있어서의 다른 웨이퍼(W)의 반송 상황에 따라서는 상기 제어부의 지시에 따라 기술의 스텝의 진행을 중단하여 버퍼 카셋트 (36)에 일단 웨이퍼(W)를 퇴피시키고, 그 후 다시 상기 버퍼 카셋트 (36)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내 미처리의 스텝을 진행시킨다.
처리부 (B2)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송에 대해서 간단하게 설명하면 제 2 가열유니트에 있어서 소정의 가열 처리가 행해지고, 이 후 웨이퍼(W)는 냉각 유니트에서 소정의 온도로 냉각된다. 또한, 제 2 가열 유니트가 수평 이동하는 냉각 플레이트를 구비하고 있는 경우에는 그 냉각 플레이트로 냉각된다. 다음에 웨이퍼(W)는 현상 유니트(DEV)에 반송되어 소정의 현상 처리가 행해지고, 이어서 웨이퍼(W)는 주반송수단(A3)에 의해 꺼내진다. 이 후 웨이퍼(W)는 주반송수단 (A2 ; A3)에 의해 가열 유니트에 반송되어 소정의 가열 처리가 행해지고, 그 다음에 냉각 유니트에서 소정의 온도로 조정된다. 이 후 웨이퍼(W)는 제 1 선반 유니트 (U1)의 수수 유니트를 통하여 캐리어 재치부 (B1)에 있어서의, 예를 들면 원래의 캐리어(2)로 되돌려진다.
기술과 같은 웨이퍼(W)의 반송이, 예를 들면 미리 설정한 회수가 행해진 후에, 반송아암 (5)는 웨이퍼(W)를 보유 지지하지 않는 상태로 세정 유니트 (6)에 접근한다. 웨이퍼(W)를 세정하는 경우와 동일하게 셔터 (62)가 열리고, 제 1 이동체 (51)가 세정 유니트 (6)내로 전진함과 동시에 흡인 수단 (78)에 의해 컵체 (66)의 내부가 감압 환경이 된다. 또한 세정액공급원 (64a)으로부터 순수가 세정액공급관 (64)내로 공급되고, 상기 순수가 세정 헤드 (63)으로부터 하방을 향하여 토출된다. 순수의 토출이 행해지는 동안, 아암체 (53)가 전진을 계속함으로써 아암체 (53)의 세정이 행해진다.
아암체 (53)의 전진이 끝나면 순수의 토출이 정지하고, 계속하여 퍼지 가스 공급원 (65A) 으로부터 N2가스나 크린 에어 등이 퍼지 가스 공급관 (65)내로 공급되어 상기 퍼지 가스는 세정 헤드 (63)로부터 하방을 향하여 토출된다. 퍼지 가스의 토출을 하는 동안, 아암체 (53)가 후퇴하여 아암체 (53)의 표면에 부착한 세정액인 순수가 퍼지 가스에 의해 제거되어 아암체 (53)의 건조가 행해진다. 이러한 세정 및 건조를 하는 동안에 사용이 끝난 세정액(폐액)은 컵체 (66)의 내부에 포착되고 드레인관 (67, 77)을 통하여 세정 유니트(6)내로부터 제거시킨다. 또한 세정액 및 퍼지 가스의 토출 프로세스는 상기의 예에 한정하지 않고 예를 들면 아암체 (53)가 전진 혹은 후퇴하고 있는 동안 세정액 및 퍼지 가스의 토출을 행해도 괜찮다. 또한, 아암체 (53)를 복수회 왕복시켜 그 사이 세정액 및 퍼지 가스의 토출을 해도 괜찮다.
기술의 실시 형태에 의하면, 액침노광을 받은 웨이퍼(W)를 제 1 반송 기구인 반송아암 (5)에 의해 세정 유니트(6)에 반송하고, 상기 세정 유니트(6)에 의해 액침노광 후의 웨이퍼(W)를 세정하고 있기 때문에 상기 웨이퍼(W)에 액침노광시의 레지스트의 용출물 등의 파티클이 부착하고 있었다고 해도 제거된다. 또 웨이퍼(W)의 표면에 액체가 부착하고 있으면 파티클이 부착하기 쉽지만, 상기 세정 유니트(6)에 의해 세정된 웨이퍼(W)를 건조하고 있으므로 새롭게 웨이퍼(W) 표면에 파티클이 부착하는 것이 억제된다. 또한 제 1 반송 기구인 반송아암 (5)에 의해 세정 유니트(6)에 웨이퍼(W)가 반송되고, 제 2 반송 기구인 반송아암 (7 ; 33)을 통하여 처리 블럭 (B2)으로 반송되고 있다. 따라서, 처리부 (B2)의 각 처리 유니트 및 상기 각 처리 유니트에서 처리되는 웨이퍼(W)에 파티클 오염이 퍼지는 것을 막을 수가 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 가열 처리시에 파티클의 존재에 의해 기판의 표면의 가열이 균일하게 행해지지 않는 것에 의거하여 패턴의 선폭이 영향을 받거나 현상 처리시에 파티클에 의해 패턴이 손상되거나 하는 것 같은 문제점을 억제할 수가 있어 웨이퍼(W)에 미세한 레지스트 패턴의 형성을 정확하게 실시할 수가 있다. 또한 처리부 (B2)로의 파티클 오염을 저감 할 수 있는 것으로부터 노광 장치 (B4)에 반송되는 웨이퍼(W)로의 파티클의 부착이 억제되기 때문에 노광 장치 (B4)에 파티클이 축적되는 것도 억제된다. 따라서 액침노광 시에 파티클이 액층에 올라 노광 영역을 이동함으로써 노광을 방해할 수 있는 문제점을 억제할 수가 있다.
또 반송아암 (5)은 노광 장치 (B4)로부터의 웨이퍼(W)의 수취와 노광 장치 (B4)로의 웨이퍼(W)의 수수를 별도의 아암체 (53)[54]로 행하고 있다. 즉 반송아암 (5)에 구비된 아암체 (54)는 기술의 액침노광을 받은 웨이퍼(W)의 보유 지지에는 관여하지 않기 때문에, 상기 반송아암(5)은 처리부 (B2)로부터 반송된 웨이퍼(W)에 대해서 액적이나 파티클을 부착시키는 일 없이, 노광 장치 (B4)에 반송할 수가 있다. 따라서, 노광 장치 (B4)에 있어서의 파티클의 축적을 보다 확실히 억제할 수가 있다.
또 아암체 (53)에는 웨이퍼(W)로부터 전이 한 파티클이 축적하고 파티클이 인터페이스부 (B3)내에 비산할 우려가 있지만 세정 유니트(6)에 의해, 예를 들면 정기적으로 아암체 (53)를 세정하고, 부착한 파티클을 제거하기 때문에 아암체 (53)가 파티클 오염원이 되는 것을 회피할 수 있고, 또한 아암체 (53)를 분리하여 별도 세정하거나 혹은 교환하거나 하는 등의 수고가 불필요하게 되므로 장치의 메인티넌스성이 향상한다고 하는 이점도 있다.
또 본 실시 형태에 있어서는 온습도 제어 유니트 (3C)에 의해 반송실 (3A)의 습도를 제어하는(가습하는) 것에 의해, 노광 장치 (B4)로부터 반송실 (3A)로 반송된 웨이퍼(W)가 세정 유니트(6)에 반송될 때까지 액침노광시에 웨이퍼(W)에 부착한 액체가 건조하여 워터마크가 형성되는 것을 막을 수가 있다. 따라서, 이 워터마크에 의해 현상 처리가 방해되는 것이 억제되므로 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 정확하게 형성할 수가 있다.
또한 본 실시 형태에 있어서는 인터페이스부의 공간절약화를 도모하기 위해서 기판 세정 유니트에 보유 지지체 세정 유니트가 조합해 설치되고 있는 세정 유니트(6)을 설치하고 있지만, 양 세정 유니트는 각각 분리된 구성으로서도 좋다. 또 동일하게 공간절약화를 도모하기 위해서 아암체 (53), 아암체(54)는 각각 동일한 반송기체 (50)에 설치되고 하나의 반송아암 (5)로서 구성되고 있지만, 예를 들면 아암체 (53), 아암체(54)를 각각 다른 반송아암에 설치해 각각의 반송아암을 제 1 반송 기구로서 구성해도 괜찮다.
본 발명의 다른 실시 형태로서 도 8에 기술의 실시 형태와는 다른 구성의 인터페이스부 (B3)를 나타냈다. 먼저 설명한 실시 형태와 비교하면, 반송아암 (7)이 사용되지 않고 또 세정 유니트 (6)이 반송실 (3B)내에 설치되고 있다. 이 실시 형태에 있어서는 반송아암 (33)은 제 2 반송 기구로서 설치되고 있고, 앞의 실시 형태와 동일하게 세정 유니트 (6)내로부터 세정이 끝난 웨이퍼(W)를 반출해 처리부 (B2)에 수수하는 외에 처리부 (B2)로부터 웨이퍼(W)를 받아 고정밀도 온조유니트 (34)를 거쳐서 반송아암 (5)에 수수하는 기능을 가지고 있다. 이러한 구성으로 하여도 앞의 실시 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또 본 발명의 다른 바람직한 실시 형태로서 제 1 반송 기구에 온습도 제어 유니트가 조합하여 설치되고 있어도 괜찮다. 도 9는 그러한 제 1 반송 기구인 반송아암의 구성을 나타낸 일례이다. 도면에서 81은 승강축 (80)을 따라 승강하는 승강체이고 이 승강체 (81) 상에 반송기체 (82)가 수직축 주위에서 회전 자유롭게 설치되고 있다. 83은 액침노광된 후의 웨이퍼(W)를 받아 보유 지지하는 아암체이고, 상기 아암체 (83)은 도면에서 일점 쇄선으로 나타나는 바와 같이 반송기체 (82)상을 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 반송기체 (82)의 상방에는 이 반송기체 (82)와 대향하도록 웨이퍼(W)의 표면을 커버 하는 크기를 가지는 가습 기체 공급부인 샤워 헤드 (84)가 설치되고 있다. 이 샤워 헤드 (84)는 승강축 (80)의 상부에 지지 부재 (85)를 개재하여 설치되고 있다. 86은 가스 공급관이다. 지지 부재 (85) 및 샤워 헤드 (84)의 내부에는 이 가스 공급관 (86)과 연통한 통로가 형성되고, 샤워 헤드 (84)의 하부에는 상기 통로와 연통한, 예를 들면 다수의 작은 구멍으로 이루어지는 토출구가 형성되고 있다. 도면에서 87은 에어 공급원, 88은 온조부, 89는 가습부이고, 에어 공급원 (87)로부터 공급된 가스는 가스 공급관 (86)을 통하여 상기 샤워 헤드 (84)의 토출구로부터 하방으로 토출되지만, 토출되는 가스의 온도 및 가스안에 있어서의 물의 함량은 각각 온조부 (88) 및 가습부 (89)에 의해 설정된 값으로 제어되는 것으로 한다.
노광 장치 (B4)로부터 노광이 끝난 웨이퍼(W)가 반송실 (3A)내로 반송되면, 아암체 (83)가 전진하여 웨이퍼(W)를 받고, 샤워 헤드 (84)의 토출구로부터 가습 가스 (100)의 공급이 개시됨과 동시에 상기 반송아암 (83)은 후퇴하여 초기 위치(도면에서의 실선 부분)로 돌아간다. 상기 가습 가스의 토출이 계속된 채로 기술의 실시 형태의 반송아암 (5)과 동일하게 상기 반송아암 (8)은 세정 유니트(6) 부근으로 이동하고, 웨이퍼(W)는 세정 유니트 (6)내로 반입된다. 이상과 같은 구성, 작용으로 하여도 노광 후의 웨이퍼(W)의 주위의 습도가 제어되어 노광시에 웨이퍼(W)에 부착한 수분의 건조가 방지되기 때문에 웨이퍼(W) 표면에 있어서의 워터마크의 형성이 억제되고 현상 처리가 상기 워터마크에 저해되는 것이 막아진다. 또한 도 9에 나타나는 제 1 반송 기구는 1개의 아암체 (83)를 구비한 구성이지만, 기술의 실시 형태와 같이 2개의 아암체를 설치해 액침노광전의 웨이퍼(W)의 반송과 액침노광 후의 웨이퍼(W)의 반송을 2개의 아암체를 구분하여 사용해 실시하도록 해도 괜찮다.
이상에 있어서 본 발명으로 처리되는 기판으로서는 웨이퍼에 한정하지 않고 예를 들면 액정 디스플레이용의 유리 기판등에 있어서도 괜찮다.
W 웨이퍼
B2 처리부
B3 인터페이스부
B4 노광 장치
3A, 3B 반송실
3C 온습도 제어 유니트
33, 5, 7, 8 반송아암
6 세정 유니트

Claims (5)

  1. 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 유니트 및 노광된 후의 기판에 현상액을 공급하여 현상하는 현상 유니트가 설치된 처리 블럭을 구비하고, 기판의 표면에 액층을 형성하여 액침 노광을 행하는 노광 장치에 접속되는 도포, 현상 장치에 있어서,
    상기 노광 장치에서 액침 노광된 기판이 처리 블럭으로 반송되는 반송 경로에 설치되고, 액침 노광후의 기판에 세정 처리를 행하는 세정 유니트와,
    액침 노광후의 기판을 보유 지지체에 보유 지지하여 상기 세정 유니트에 반송하는 기판 반송 기구와,
    상기 세정 유니트 및 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 세정 유니트는,
    반송구를 구비한 프레임체와,
    상기 프레임체 내에 설치되고, 기판을 수평으로 보유 지지하기 위한 재치대와,
    상기 재치대를 연직축 주위로 회전시키는 구동 기구와,
    상기 재치대를 둘러싸도록 하여 설치되고, 저부에 폐액관이 접속된 컵체와,
    상기 프레임체 내에 있어서의 반송구와 상기 재치대 사이에서 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 이동로의 상방에 위치하도록 설치되고, 상기 보유 지지체에 세정액을 공급하기 위한 제1 세정액 공급부와,
    상기 컵체의 상방에 설치되고, 재치대에 보유 지지된 기판의 표면으로 세정액을 공급하기 위한 제2 세정액 공급부와,
    상기 프레임체 내에 있어서의 반송구와 상기 재치대 사이에서 상기 기판 반송 기구의 보유 지지체의 이동로의 하방에 위치하도록 설치되고, 제1 세정액 공급부로부터 공급되는 세정액을 회수하기 위한 회수부를 구비하고,
    상기 제어부는, 기판 반송 기구의 보유 지지체를, 기판을 보유 지지하지 않은 상태에서 상기 프레임체 내에 진입시키면서 상기 보유 지지체를 세정하기 위한 제1 세정액 공급부로부터 세정액을 공급하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프레임체 내에는 세정후의 보유 지지체를 건조시키기 위한 상기 보유 지지체에 건조용 가스를 공급하는 가스 공급부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회수부에는, 세정액을 흡인하여 회수하기 위하여, 흡인 수단에 일단부가 접속된 흡인관의 타단부가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는 기판 반송 기구가 미리 설정한 횟수만큼 기판을 반송한 후에, 기판 반송 기구가 기판을 반송하지 않은 상태에서 상기 세정 유니트 내로 진입하고, 제1 노즐로부터의 세정액에 의해 기판 반송 기구의 보유 지지체를 세정하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는 상기 제1 노즐의 하방측을 상기 보유 지지체가 복수회 왕복하고, 이 때에 상기 보유 지지체에 대하여 세정액의 토출 및 퍼지 가스의 공급이 행해지도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.

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