TW202314398A - 基板處理設備 - Google Patents

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許碩
高次元
金賢友
洪尙儁
姜景元
金東昱
徐璟源
張永日
崔容錫
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南韓商三星電子股份有限公司
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Abstract

一種基板處理設備包括：光阻塗佈機，在基板上塗佈光阻膜；增濕器，增加基板上的光阻膜所暴露於的環境中的含水量；以及曝光器，用光來照射暴露於具有增加的含水量的環境的光阻膜。增濕器設置於光阻塗佈機與曝光器之間。

Description

基板處理設備
本揭露是有關於一種基板處理設備及使用其製造半導體裝置的方法。
隨著半導體記憶體裝置、半導體邏輯裝置及類似裝置日益高度整合，構成每一裝置的各種圖案的大小進一步小型化。與半導體裝置圖案的此種小型化趨勢相反，就改善生產率（productivity）而言，半導體晶圓的大小正在逐漸增大。由於儘管圖案小型化，例如半導體晶圓及光遮罩（photomask）等基板的大小仍正在變得越來越大，因此在基板的整個位置之上均勻地形成在加大的半導體晶圓或光遮罩內部重複形成的裝置圖案並管理裝置圖案的臨界尺寸（critical dimension，CD）的重要性逐漸提高。
為了形成均勻且精細的圖案，需要嚴格地管理基板的濕度（humidity）。舉例而言，由於金屬光阻（metal photoresist）與水分（moisture）的結合容易使光阻發生變性（denaturalize），因此需要嚴格地管理濕度。
本揭露的態樣提供一種具有改善的基板管理效能的基板處理設備。
本揭露的態樣亦提供一種使用具有改善的基板管理效能的基板處理設備來製造半導體裝置的方法。
根據本發明概念的一些態樣，一種基板處理設備包括：光阻塗佈機，在基板上塗佈光阻膜；增濕器，增加基板上的光阻膜所暴露於的環境中的含水量；以及曝光器（exposer），用光來照射暴露於具有增加的含水量的環境的光阻膜。增濕器設置於光阻塗佈機與曝光器之間。
根據本發明概念的一些態樣，一種基板處理設備包括：光阻塗佈機，在基板上塗佈金屬光阻膜；曝光器，用光來照射金屬光阻膜；光阻顯影單元，對基板上的經照射的金屬光阻膜進行顯影；烘烤單元，對具有經顯影的光阻膜的基板進行烘烤；以及除濕器，減少經烘烤的基板所暴露於的環境中的含水量。除濕器與光阻塗佈機、曝光器、光阻顯影單元及烘烤單元在空間上分離。
根據本發明概念的一些態樣，一種基板處理設備包括：光阻塗佈機，在基板上塗佈光阻膜；曝光器，利用極紫外（extreme ultraviolet，EUV）光來照射光阻膜；光阻顯影單元，對基板上的由曝光器曝光的光阻膜進行顯影；烘烤單元，對具有經顯影的光阻膜的基板進行烘烤；增濕器，增加基板所暴露於的環境中的含水量；以及除濕器，減少基板所暴露於的環境中的含水量。烘烤單元包括多個烘烤腔室，所述多個烘烤腔室面對光阻塗佈機且對基板進行烘烤。增濕器與所述多個烘烤腔室進行堆疊。除濕器設置於光阻塗佈機與曝光器之間。
根據本發明概念的一些態樣，一種製造半導體裝置的方法包括：將基板裝載至基板處理設備中；在基板上塗佈金屬光阻膜；將光照射至基板上的金屬光阻膜；在將光照射至具有金屬光阻膜的基板之前，在增濕器中增加具有金屬光阻膜的基板所暴露於的環境中的含水量；以及在將光照射至具有光阻膜的基板之後，在除濕器中減少具有經照射的光阻膜的基板所暴露於的環境中的含水量。
應注意，本揭露的目的不限於上述目的，且藉由閱讀以下說明，本揭露的其他目的對於熟習此項技術者而言將顯而易見。
在下文中，將參照附圖來闡述本揭露的實施例。
圖1是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的圖。圖2是示出圖1所示基板處理設備的平面圖。圖3是示出圖1所示基板處理設備的側視圖。
參照圖1至圖3，基板處理設備1包括索引單元（index unit）100、處理單元150、介面單元500（即，基板庫存器（substrate stocker））、曝光單元600（即，曝光器）、濕度控制單元700（即，增濕器）及傳送速度控制單元800。處理單元150包括旋轉單元（spin unit）200、烘烤單元300及傳送單元400。
索引單元100可包括裝載埠110、索引機器人120及第一緩衝模組130。在實施例中，裝載埠110可設置有多個。
裝載埠110可具有安裝台（mounting table），其中容置有基板的匣（cassette）放置於安裝台上。裝載埠110可包括多個安裝台。所述多個安裝台可沿第二方向Y佈置成一行。在圖2中，裝載埠110被示出為包括四個安裝台，但實施例不限於此。裝載埠110中所包括的安裝台的數目可根據實施例而改變。
索引機器人120可在裝載埠110與第一緩衝模組130之間傳送基板W。索引機器人120可包括框架（frame）、傳送機器人及導軌（guide rail）。框架可被設置成內部為空（empty）的長方體形狀，且可佈置於裝載埠110與第一緩衝模組130之間。傳送機器人及導軌可佈置於框架內。傳送機器人可包括能夠進行四軸驅動的結構，以使得傳送機器人在第一方向X、第二方向Y及第三方向Z上能夠移動及轉動。
第一緩衝模組130可具有內部為空的長方體形狀，以用於臨時儲存多個基板W。第一緩衝模組130可佈置於索引機器人120與包括旋轉單元200、烘烤單元300及傳送單元400的處理單元之間。
旋轉單元200可包括塗佈單元210（即，光阻塗佈機）及顯影單元220，塗佈單元210實行在曝光製程之前在基板W上塗佈光阻的製程，顯影單元220實行在曝光製程之後對基板W進行顯影的製程。塗佈單元210與顯影單元220可被佈置成彼此區分開地位於多個層中（即，可佈置於多個垂直階層中）。舉例而言，塗佈單元210可設置於顯影單元220上。在實施例中，塗佈單元210可設置於顯影單元220下方。
塗佈單元210實行在基板W上塗佈例如光阻等感光性溶液的製程。舉例而言，塗佈單元210可在基板W上塗佈金屬光阻。
塗佈單元210可包括多個塗佈腔室211。塗佈單元210的塗佈腔室211可沿第一方向X連續地進行佈置，且可沿第三方向Z進行堆疊及佈置。所述多個塗佈腔室211可皆具有相同的結構。在相應的塗佈腔室211中使用的光阻的類型可彼此不同。
儘管在圖2及圖3中示出在第一方向X及第三方向Z中的每一者上佈置三個塗佈腔室211，然而所述實施例不限於此。沿第一方向X及第三方向Z進行佈置的塗佈腔室211的數目可根據實施例而不同地改變。
顯影單元220可藉由供應顯影劑來實行移除光阻的一部分的顯影製程，以在基板W上獲得圖案。顯影單元200可自基板W上的光阻移除被光照射的區域。端視所選擇性使用的光阻的類型而定，只有光阻的未被照射光的區域可被移除。
顯影單元220可包括多個顯影腔室221。顯影單元220的顯影腔室221可沿第一方向X連續地進行佈置。顯影單元220的顯影腔室221可在第三方向Z上進行堆疊及佈置。所述多個顯影腔室221可皆具有相同的結構。在相應的顯影單元220中所使用的顯影劑的類型可彼此不同。
儘管在圖2及圖3中示出在第一方向X及第三方向Z上佈置三個顯影腔室221，然而所述實施例不限於此。在第一方向X及第三方向Z上進行佈置的顯影腔室221的數目可根據實施例而不同地改變。
烘烤單元300實行用於對基板W進行加熱或冷卻的熱處置製程（heat treatment process）。烘烤單元300可實行在塗佈光阻之前將基板W加熱至預定溫度以自基板W的表面移除有機物質或水分的預烘烤製程（pre-bake process）、在基板W上塗佈光阻之後實行的軟烘烤製程（soft-bake process）、在實行顯影製程之前對基板W進行加熱的後烘烤製程（post-bake process）、在實行顯影製程之後對基板W進行加熱的硬烘烤製程（hard bake process）以及在實行每一烘烤製程之後對經加熱的晶圓進行冷卻的冷卻製程。
烘烤單元300可包括多個烘烤腔室310。烘烤單元300的烘烤腔室310可沿第一方向X連續地進行佈置，且可沿第三方向Z進行堆疊及佈置。儘管圖2及圖12中示出沿第一方向X佈置三個烘烤腔室310且沿第三方向Z堆疊六個烘烤腔室310，然而所述實施例不限於此。在第一方向X及第三方向Z上進行佈置的烘烤腔室310的數目可根據實施例而不同地改變。
烘烤腔室310可具有冷卻板或加熱板。冷卻板可設置有冷卻工具，例如冷卻水及熱電元件。加熱板可設置有加熱工具，例如加熱線（heating wire）及熱電元件。所述多個烘烤腔室310中的一些烘烤腔室310可僅包括冷卻板，而其他烘烤腔室310可僅包括加熱板。本發明不限於此。在實施例中，所述多個烘烤腔室310中的一些烘烤腔室310可僅包括冷卻板，一些烘烤腔室310可僅包括加熱板，而一個烘烤腔室310可包括冷卻板與加熱板二者。
傳送單元400可在第一方向X上與第一緩衝模組130及第二緩衝模組510平行佈置。傳送單元400中可佈置有處理單元機器人及導軌。當在平面圖中觀察時，傳送單元400可具有矩形形狀。處理單元機器人可在第一緩衝模組130、塗佈單元210、顯影單元220、烘烤單元300及第二緩衝模組510之中傳送基板W。導軌可在第一方向X上延伸。導軌可引導處理單元機器人在第一方向X上線性移動。
旋轉單元200、傳送單元400及烘烤單元300可沿第二方向Y進行佈置。舉例而言，塗佈單元210及顯影單元220可被佈置成面對烘烤單元300，傳送單元400夾置於塗佈單元210及顯影單元220與烘烤單元300之間。
介面單元500可在曝光單元600與包括旋轉單元200、烘烤單元300及傳送單元400的處理單元150之間傳送基板W。介面單元500可包括第二緩衝模組510及介面機器人520。
介面單元500可將基板W臨時儲存於處理單元150與曝光單元600之間。介面單元500可控制基板W的溫度。舉例而言，介面單元500可藉由利用板（例如，冷板（cold plate））支撐基板W來降低基板W的溫度。在實施例中，介面單元500可藉由利用板（例如，熱板（hot plate））支撐基板W來提高基板W的溫度。
第二緩衝模組510可臨時儲存基板W。第二緩衝模組510可包括多個腔室。所述多個腔室可包括容置基板W的第一緩衝腔室及第二緩衝腔室。
第一緩衝腔室可臨時儲存自處理單元150傳送至曝光單元600的基板W。舉例而言，第一緩衝腔室可臨時儲存自塗佈單元210傳送至曝光單元600的基板W。
第二緩衝腔室可臨時儲存自曝光單元600傳送至處理單元150的基板W。舉例而言，第二緩衝腔室可臨時儲存自曝光單元600傳送至烘烤單元300的基板W。
可根據實施例來修改第一緩衝腔室及第二緩衝腔室在第二緩衝模組510中進行佈置的形式（即，配置）。舉例而言，第一緩衝腔室及第二緩衝腔室可在第二緩衝模組510中在第三方向Z上進行堆疊。在實施例中，第二緩衝腔室可佈置於第一緩衝腔室上。在實施例中，第二緩衝腔室可佈置於第一緩衝腔室下方。
在實施例中，第一緩衝腔室及第二緩衝腔室可在第一方向X或第二方向Y上並排佈置。在此種情形中，可堆疊多個第一緩衝腔室以形成第一緩衝塔（first buffer tower），且可堆疊多個第二緩衝腔室以形成第二緩衝塔（second buffer tower）。在實施例中，第一緩衝塔及第二緩衝塔可在第一方向X或第二方向Y上並排佈置。
第二緩衝模組510可包括不容置基板W的腔室。舉例而言，當介面單元500自傳送單元400接收到基板時，基板可臨時儲存於第一緩衝腔室或第二緩衝腔室中，且然後，所臨時儲存的基板可自第一緩衝腔室及第二緩衝腔室中的一者傳送至其中設置有第一濕度控制單元700的腔室。第一濕度控制單元700可設置於第二緩衝模組510的腔室中。在實施例中，第二緩衝模組510的腔室可被配置成用作第一濕度控制單元700。以下將對此予以詳細闡述。
介面機器人520可在第二緩衝模組510與曝光單元600之間傳送基板W。
可由例如步進機（stepper）及掃描儀（scanner）等曝光單元600（即，曝光器或光微影曝光器）用光來照射上面形成有光阻膜的基板W，以使得在基板W上形成電路圖案。曝光單元600可輻射極紫外（EUV）光。
第一濕度控制單元700可控制當基板W通過第一濕度控制單元700時基板W所暴露於的含水量。具體而言，第一濕度控制單元700可供應蒸汽以增加在第一濕度控制單元700中基板W所暴露於的總含水量。第一濕度控制單元700可被稱為增濕單元（humidification unit）。
在一些實施例中，第一濕度控制單元700可佈置於介面單元500的第二緩衝模組510中。在實施例中，第一濕度控制單元700可佈置於第二緩衝模組510的所述多個腔室中。在實施例中，第一濕度控制單元700可在第三方向Z上與第二緩衝模組510的第一緩衝腔室及第二緩衝腔室進行堆疊。舉例而言，第一濕度控制單元700可在第一方向X或第二方向Y上佈置於第二緩衝模組510的第一緩衝腔室與第二緩衝腔室之間。
在此種情形中，第一濕度控制單元700可控制自旋轉單元200提供至曝光單元600的基板W所暴露於的環境中的總含水量。相較於在基板W通過第一濕度控制單元700之前而言，當基板W通過第一濕度控制單元700時，基板W所暴露於的含水量可能急劇增加。在實施例中，可將臨時儲存於第二緩衝模組510的第一緩衝腔室及第二緩衝腔室中的基板傳送至第一濕度控制單元700，且基板上的光阻膜可在第一濕度控制單元700中暴露於蒸汽。在具有光阻膜的基板在第一濕度控制單元700中暴露於蒸汽達預定時間之後，可將基板自第一濕度控制單元700傳送至曝光單元600。
在一些實施例中，可將塗佈有金屬光阻的基板W暴露於在第一濕度控制單元700中增加的含水量。暴露於水分的基板W的金屬光阻的反應性可改善。相較於未通過第一濕度控制單元700且未暴露於增加的含水量的基板W而言，在自第一濕度控制單元700提供的基板W上，曝光單元600可以少量能量形成電路圖案。
另外，當塗佈有金屬光阻的基板W暴露於在第一濕度控制單元700中增加的含水量時，可藉由使金屬光阻所暴露於的含水量飽和來減小臨界尺寸（CD）的偏差。
以下將參照圖4至圖7詳細闡述第一濕度控制單元700。
傳送速度控制單元800可控制索引機器人120、傳送單元400及介面機器人520在基板處理設備1中傳送基板W的速度。舉例而言，當基板W經由傳送單元400自旋轉單元200傳送至烘烤單元300時，傳送速度控制單元800可控制基板W的傳送速度。以下將參照圖7詳細闡述傳送速度控制單元800。
圖4是示出根據本揭露一些實施例的濕度控制單元的圖。圖5是示出圖4所示衝孔板（punched plate）及基板的平面圖。
參照圖4及圖5，第一濕度控制單元700可包括腔室701、基板支撐單元702、蒸汽供應單元710、質量流量控制器（mass flow controller）720、溫度控制單元730、衝孔板740及濕度感測器750。第一濕度控制單元700可供應蒸汽以增加基板W所暴露於的含水量。
腔室701可界定其中容置基板W的內部空間。
基板支撐單元702可設置於腔室701的下表面上以支撐基板W。
蒸汽供應單元710可儲存被提供以增加基板W所暴露於的空間的濕度的蒸汽，且可將蒸汽供應至腔室701中。
質量流量控制器720可控制自蒸汽供應單元710供應的蒸汽的流率（flow rate）。
溫度控制單元730可控制基板W所暴露於的空間的溫度。溫度控制單元730可設置於基板支撐單元702的內部。溫度控制單元730可根據目標相對濕度（target relative humidity）來調節基板W所暴露於的空間的溫度。舉例而言，當所供應蒸汽的量恆定且相對濕度增大時，溫度控制單元730可降低基板W所暴露於的空間的溫度。在實施例中，當所供應蒸汽的量恆定且基板W所暴露於的空間的相對濕度減小時，溫度控制單元730可提高基板W所暴露於的空間的溫度。溫度控制單元730可包括對基板W進行加熱的板。
衝孔板740可使得蒸汽能夠均勻地供應至基板W。衝孔板740設置於基板W的上表面上方以與基板W交疊。衝孔板740可包括板本體（plate body）及穿透板本體的多個孔。蒸汽可經由所述孔注射至基板W上。
濕度感測器750可對腔室701的內部濕度進行感測。在實施例中，由濕度感測器750量測的內部濕度可為絕對濕度（absolute humidity）或相對濕度。濕度感測器750可向控制器770提供腔室701的所感測到的內部濕度。控制器770可基於自濕度感測器750提供的腔室701的內部濕度而經由質量流量控制器720來控制供應至腔室701中的蒸汽量，且可經由溫度控制單元730來控制基板W所暴露於的空間（例如，腔室701）的相對濕度。
圖6是示出根據本揭露一些實施例的濕度控制單元的側視圖。為了便於說明，將主要闡述與參照圖4及圖5闡述的要點不同的要點。
參照圖6，第一濕度控制單元700可包括設置於腔室701處的蒸汽進入孔（vapor entry hole）760。不同於其中基板W被提供已通過第一濕度控制單元700中的衝孔板的蒸汽的圖4及圖5，如圖6中所示，基板W可被提供經由第一濕度控制單元700的蒸汽進入孔760而注射至腔室701中的蒸汽。
圖7是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的傳送速度控制單元的操作的圖。
參照圖2及圖7，傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至每一單元的時間點及基板W在與基板W的傳送相關聯的兩個單元之間傳送過的距離來控制基板W的傳送速度。
在時間點T1處，將基板W提供至塗佈單元210，以使得在基板W上塗佈光阻膜。將基板W自塗佈單元210傳送至烘烤單元300，且基板W在塗佈單元210與烘烤單元300之間的行進距離為距離D1。
傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至塗佈單元210的時間點T1來模擬出基板W被提供至烘烤單元300的時間點T2。傳送速度控制單元800可計算基板W自塗佈單元210傳送至烘烤單元300的距離D1，以控制傳送單元400傳送基板W的速度。此時，傳送速度控制單元800可計算提供基板W的塗佈單元210的所述多個塗佈腔室211與接收基板W的烘烤單元300的所述多個烘烤腔室310之間的距離。另外，傳送速度控制單元800可慮及所述多個烘烤腔室310之中不可用的烘烤腔室310來計算距離D1，且可模擬出時間點T1與時間點T2之間的時間。
接下來，在時間點T2處，可將基板W提供至烘烤單元300，以使得可對所塗佈光阻膜進行軟烘烤。在時間點T3處，將基板W自烘烤單元300傳送至介面單元500。基板W在烘烤單元300與介面單元500之間的行進距離為距離D2。
傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至烘烤單元300的時間點T2來模擬出基板W被提供至介面單元500的時間點T3。傳送速度控制單元800可藉由計算基板W自烘烤單元300傳送至介面單元500的距離D2來控制傳送單元400傳送基板W的速度。在此種情形中，傳送速度控制單元800可計算提供基板W的烘烤單元300的所述多個烘烤腔室310與接收基板W的介面單元500中所包括的第二緩衝模組510的所述多個腔室之間的距離。另外，傳送速度控制單元800可慮及第二緩衝模組510的所述多個腔室之中不可用的腔室來計算距離D2，且可模擬出時間點T2與時間點T3之間的時間。
接下來，在時間點T4處，可將基板W自介面單元500傳送至第一濕度控制單元700。基板W在介面單元500與第一濕度控制單元700之間的行進距離為距離D3。
傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至介面單元500的時間點T3來模擬出基板W被提供至第一濕度控制單元700的時間點T4。傳送速度控制單元800可計算基板W自介面單元500傳送至第一濕度控制單元700的距離D3，以控制傳送單元400傳送基板W的速度。在此種情形中，傳送速度控制單元800可計算提供基板W的介面單元500中所包括的第二緩衝模組510的所述多個腔室與接收基板W的第一濕度控制單元700的腔室701之間的距離。另外，傳送速度控制單元800可慮及第一濕度控制單元700的腔室701之中不可用的腔室來計算距離D3，且可模擬出時間點T3與時間點T4之間的時間。
接下來，在基板W暴露於在第一濕度控制單元700中增加的含水量之後，在時間點T5處，可將基板W自第一濕度控制單元700傳送至曝光單元600。基板W在第一濕度控制單元700與曝光單元600之間的行進距離為距離D4。可在曝光單元600中將光照射至塗佈於基板W上的光阻膜。
傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至第一濕度控制單元700的時間點T4來模擬出基板W被提供至曝光單元600的時間點T5。傳送速度控制單元800可計算基板W自第一濕度控制單元700傳送至曝光單元600的距離D4，以控制傳送單元400傳送基板W的速度。在此種情形中，傳送速度控制單元800可計算提供基板W的第一濕度控制單元700的腔室701與接收基板W的曝光單元600的腔室之間的距離。另外，傳送速度控制單元800可慮及第一濕度控制單元700的腔室701之中不可用的腔室來計算距離D4，且可模擬出時間點T4與時間點T5之間的時間。
接下來，在時間點T6處，可將基板W自曝光單元600傳送至介面單元500。基板W在曝光單元600與介面單元500之間的行進距離為距離D5。
傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至曝光單元600的時間點T5來模擬出基板W被提供至介面單元500的時間點T6。傳送速度控制單元800可藉由計算基板W自曝光單元600傳送至介面單元500的距離D5來控制傳送單元400傳送基板W的速度。此時，傳送速度控制單元800可計算提供基板W的曝光單元600的所述腔室與接收基板W的介面單元500中所包括的第二緩衝模組510的所述多個腔室之間的距離。另外，傳送速度控制單元800可慮及第二緩衝模組510的所述多個腔室之中不可用的腔室來計算距離D5，且可模擬出時間點T5與時間點T6之間的時間。
接下來，在時間點T7處，可將基板W自介面單元500傳送至烘烤單元300。基板W在介面單元500與烘烤單元300之間的行進距離為距離D6。在烘烤單元300中，基板W可經歷硬烘烤製程。
傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至介面單元500的時間點T6來模擬出基板W被提供至烘烤單元300的時間點T7。傳送速度控制單元800可藉由計算基板W自介面單元500傳送至烘烤單元300的距離D6來控制傳送單元400傳送基板W的速度。在此種情形中，傳送速度控制單元800可計算提供基板W的介面單元500中所包括的第二緩衝模組510的所述多個腔室與接收基板W的烘烤單元300的所述多個烘烤腔室310之間的距離。另外，傳送速度控制單元800可慮及第二緩衝模組510的所述多個腔室之中不可用的腔室來計算距離D6，且可模擬出時間點T6與時間點T7之間的時間。
接下來，在時間點T8處，可將基板W自烘烤單元300傳送至顯影單元220。基板W在烘烤單元300與顯影單元220之間的行進距離為距離D7。在顯影單元220中，可用光來照射基板W，且可對經硬烘烤的光阻膜進行顯影。
傳送速度控制單元800可基於基板W被提供至烘烤單元300的時間點T7來模擬出基板W被提供至顯影單元220的時間點T8。傳送速度控制單元800可藉由計算基板W自烘烤單元300傳送至顯影單元220的距離D7來控制傳送單元400傳送基板W的速度。在此種情形中，傳送速度控制單元800可計算提供基板W的烘烤單元300的所述多個烘烤腔室310與接收基板W的顯影單元220的所述多個顯影腔室221之間的距離。另外，傳送速度控制單元800可慮及所述多個顯影腔室221之中不可用的腔室來計算距離D7，且可模擬出時間點T7與時間點T8之間的時間。
傳送速度控制單元800可計算時間點T1至時間點T8之間的每一傳送時間，並判斷是否可在每一單元中以穩定的流量來處理基板W。
傳送速度控制單元800可計算基板W的每一傳送距離D1至D7以補償距離上的差異，以使得傳送單元400可使基板W的傳送時間等化（equalize）。舉例而言，當D1大於D2時，傳送速度控制單元800可控制傳送單元400以較當傳送單元400將基板W傳送距離D2時的傳送速度高的傳送速度將基板W傳送距離D1。
傳送速度控制單元800可端視基板W被傳送過的距離來控制基板W的傳送速度，藉此防止在基板處理設備1中的特定單元中完成對基板W的處理之後發生延遲（delay）。舉例而言，在曝光單元600中對基板W實行曝光製程之後，可將基板W傳送至烘烤單元300。然而，當在烘烤單元300中實行對另一基板W的處理時，基板W可能無法在曝光單元600與烘烤單元300之間進行傳送，且可能發生停滯（stagnation）。
當基板W未在特定區段中傳送且停滯時，所述多個基板W可能分別暴露於不同環境達不同持續時間，從而降低製程良率（process yield）。因此，藉由控制基板W的傳送速度，可減少期間基板W在基板處理設備1中暴露於不同環境的時間中的變化。因此，根據基板W被傳送過的距離來控制基板W的傳送速度的傳送速度控制單元800可使所述多個基板W的傳送時間均勻化。
儘管在圖7中示出依序在塗佈單元210、烘烤單元300、介面單元500、第一濕度控制單元700、曝光單元600、介面單元500、烘烤單元300及顯影單元220中處理基板W，然而所述實施例不限於此。舉例而言，在塗佈單元210中處理基板W之後，可將基板W直接提供至介面單元500，而不使其經過烘烤單元300。
圖8是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的平面圖。圖9是示出圖8所示傳送單元及濕度控制單元的圖。圖10是示出根據另一實施例的傳送單元及濕度控制單元的圖。為了便於說明，將主要闡述與參照圖2至圖4闡述的要點不同的要點。
參照圖8及圖9，基板處理設備2可包括第二濕度控制單元900（即，除濕器），第二濕度控制單元900包括傳送單元400。
第二濕度控制單元900可包括外殼（enclosure）901、氣體供應單元910、過濾器920、質量流量控制器930、噴嘴940、濕度感測器950、氣體排出孔（gas exhaust hole）960及控制器970。
氣體供應單元910可儲存被提供以降低基板W所暴露於的空間的濕度的氣體，且可將氣體供應至外殼901中。在一些實施例中，氣體供應單元910可將惰性氣體或清潔乾燥空氣（clean dry air，CDA）供應至外殼901中。由於由氣體供應單元910提供的惰性氣體（例如，N 2）不含水分，因此基板W所暴露於的含水量可減少。由於由氣體供應單元910提供的CDA具有高的露點（dew point），因此基板W所暴露於的含水量可被控制為低。
過濾器920可對自氣體供應單元910提供的氣體中所包含的雜質進行過濾。舉例而言，過濾器920可包括風扇過濾器單元（fan filter unit，FFU）。
質量流量控制器930可控制被供應至外殼901中的氣體的流率。
噴嘴940可將自氣體供應單元910供應的氣體注射至外殼901中。儘管在圖10中示出噴嘴940將氣體注射至外殼901中，然而所述實施例不限於此。舉例而言，用於將氣體注射至外殼901中的組件可包括各種類型的組件（例如狹縫（slit）、孔（hole）及噴淋頭（showerhead）），而非噴嘴。
濕度感測器950可對外殼901內部的濕度進行感測。濕度感測器750可向控制器970提供外殼901的所感測到的內部濕度。
氣體排出孔960可排出外殼901內部的氣體。由於氣體排出孔960排出外殼901內部的氣體，因此外殼901內部的氣體向第二濕度控制單元900外部的擴散可最小化。氣體排出孔960可包括各種類型的組件，例如狹縫、孔及管道（duct）。
控制器970可基於自濕度感測器950提供的外殼901的內部濕度而經由質量流量控制器930來控制供應至外殼901中的氣體量。舉例而言，當確定出自濕度感測器950提供的外殼901的內部濕度低於臨限濕度（threshold humidity）時，控制器970可控制質量流量控制器930以降低注射至外殼901中的氣體的流率。在實施例中，臨限濕度可為絕對濕度或相對濕度。在實施例中，當確定出自濕度感測器950提供的外殼901的內部濕度高於臨限濕度時，控制器970可控制質量流量控制器930以增加注射至外殼901中的氣體的流率。
第二濕度控制單元900可控制在基板處理設備2中基板W所暴露於的含水量，而不會影響基板W上的光阻膜的顯影狀態。具體而言，第二濕度控制單元900可供應惰性氣體或清潔乾燥空氣（CDA），以減少在基板處理設備2中基板W所暴露於的環境中的總含水量。舉例而言，當將基板處理設備2包括第二濕度控制單元900的情形與基板處理設備2不包括第二濕度控制單元900的情形進行比較時，在基板處理設備2中通過第二濕度控制單元900的基板W所暴露於的總含水量可小於在基板處理設備中未通過第二濕度控制單元900的基板W所暴露於的總含水量。第二濕度控制單元900可被稱為低濕度單元。
在一些實施例中，第二濕度控制單元900可包括或可包圍傳送單元400。在此種情形中，第二濕度控制單元900可控制在基板處理設備2中自曝光單元600提供至烘烤單元300的基板W所暴露於的總含水量。另外，第二濕度控制單元900可控制在基板處理設備2中在旋轉單元200與烘烤單元300之間傳送的基板W所暴露於的總含水量。舉例而言，在包括第二濕度控制單元900的基板處理設備2中當基板W在曝光單元600與烘烤單元300之間或在旋轉單元200與烘烤單元300之間進行傳送時基板W所暴露於的總含水量可小於在不包括第二濕度控制單元900的基板處理設備中當基板W在曝光單元600與烘烤單元300之間或在旋轉單元200與烘烤單元300之間進行傳送時基板W所暴露於的總含水量。
在實施例中，在由包括第二濕度控制單元900的傳送單元400將基板W自烘烤單元300提供至旋轉單元200的顯影單元220的情形中，當將基板W自烘烤單元300提供至旋轉單元200的顯影單元220時，基板W暴露於包括第二濕度控制單元900的基板處理設備2中的總含水量可小於當由傳送單元400將基板W自烘烤單元300提供至旋轉單元200的顯影單元220時，基板W暴露於在不包括第二濕度控制單元900的基板處理設備中的總含水量。
在實施例中，在基板處理設備2中已通過第二濕度控制單元900的基板W所暴露於的含水量可小於未通過第二濕度控制單元900的基板W所暴露於的含水量。
參照圖10，不同於圖9，第二濕度控制單元900包括或包圍傳送單元400的一部分。舉例而言，第二濕度控制單元900不包括整個傳送單元400，且第二濕度控制單元900可為傳送單元400的處理單元機器人所通過的部分區域。在此種情形中，由傳送單元400傳送的基板W通過第二濕度控制單元900，以使得基板W所暴露於的含水量減少。
圖11是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的平面圖。圖12是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的側視圖。圖13是示出圖11所示濕度控制單元的圖。為了便於說明，將主要闡述與參照圖8至圖10闡述的要點不同的要點。
參照圖11至圖13，基板處理設備3可包括設置於烘烤單元300內部的第二濕度控制單元900。
烘烤單元300可包括多個烘烤腔室310。如圖12中所示，在烘烤單元300中，所述多個烘烤腔室310可在第三方向Z上進行堆疊以形成總共六個層（即，六個垂直階層）。另外，在烘烤單元300中，所述多個烘烤腔室310可在第一方向X上連續地進行佈置。
第二濕度控制單元900可與所述多個烘烤腔室310堆疊於一起，且包括於烘烤單元300中。在實施例中，第二濕度控制單元900可與所述多個烘烤腔室310對準。舉例而言，第二濕度控制單元900可與所述多個烘烤腔室310堆疊於一起。除了其中實行烘烤製程的所述多個烘烤腔室310以外，烘烤單元300亦可包括其中不實行單獨的製程的空白腔室（blank chamber）（即，虛設腔室（dummy chamber））。第二濕度控制單元900可設置於烘烤單元300的空白腔室中。在實施例中，空白腔室可設置有多個。
設置於烘烤單元300中的第二濕度控制單元900可根據實施例而被不同地修改。舉例而言，如圖12中所示，第二濕度控制單元900可在第一方向X上設置於第二空白腔室中，且可在第三方向Z上設置於自基板處理設備3的下表面數起的第二層中。在實施例中，第二濕度控制單元900可設置於烘烤單元300的每個層的一個空白腔室中。設置於烘烤單元300中的第二濕度控制單元900的位置及數目可根據實施例來改變。
第二濕度控制單元900可在曝光單元600中被光照射的基板W經歷由烘烤單元300進行的後烘烤製程之前減少基板W所暴露於的含水量。第二濕度控制單元900可供應惰性氣體或CDA，以減少在基板處理設備3中基板W所暴露於的總含水量。
第二濕度控制單元900可包括腔室902、氣體供應單元910、過濾器920、質量流量控制器930、噴嘴940、濕度感測器950、氣體排出孔960及控制器970。
腔室902可包括烘烤單元300的空白腔室。腔室902可包括擋門（shutter）（未示出）。擋門可將腔室902打開及關閉，以容許基板W進入及離開第二濕度控制單元900。
圖14是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的圖。為了便於說明，將主要闡述與參照圖2、圖8及圖11闡述的要點不同的要點。
參照圖14，基板處理設備4可包括設置於第二緩衝模組510中的第一濕度控制單元700及設置於傳送單元400內部的第二濕度控制單元900。
第一濕度控制單元700可藉由供應蒸汽來增加在基板處理設備4中基板W所暴露於的總含水量。藉由供應惰性氣體或CDA，第二濕度控制單元900可減少在基板處理設備4中基板W所暴露於的總含水量。
在一些實施例中，基板處理設備4可在旋轉單元200的塗佈單元210中在基板W上塗佈光阻膜，且可在將已在烘烤單元300中經歷軟烘烤製程的基板W提供至曝光單元600之前容許基板W通過第一濕度控制單元700。舉例而言，在曝光單元600中將光照射至基板W之前，基板處理設備4可容許基板W通過第一濕度控制單元700以增加基板W所暴露於的含水量。
在一些實施例中，基板處理設備4可在將在曝光單元600中被光照射的基板W提供至烘烤單元300之前容許基板W通過第二濕度控制單元900。舉例而言，在基板W在烘烤單元300中經歷後烘烤製程之前，基板處理設備4可容許基板W通過第二濕度控制單元900以減少在基板處理設備4中基板W所暴露於的含水量。在此種情形中，基板W可通過傳送單元400中所包括的第二濕度控制單元900，以減少在經由傳送單元400將自曝光單元600提供的基板W傳送至烘烤單元300的製程中基板W所暴露於的含水量。
圖15及圖16是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的圖。圖17是示出圖16所示基板處理設備的側視圖。為了便於說明，將主要闡述與參照圖9至圖14闡述的要點不同的要點。
參照圖15，基板處理設備5可包括設置於烘烤單元300中的第一濕度控制單元700及設置於第二緩衝模組510中的第二濕度控制單元900。
第一濕度控制單元700可藉由供應蒸汽來增加在基板處理設備5中基板W所暴露於的總含水量。第二濕度控制單元900可供應惰性氣體或CDA，以減少在基板處理設備5中基板W所暴露於的總含水量。
在一些實施例中，在烘烤單元300中對基板W進行軟烘烤且然後在曝光單元600中用光來照射基板W之前，基板處理設備5可容許基板W通過第一濕度控制單元700。舉例而言，在經軟烘烤的基板W經歷曝光處置之前，基板處理設備5可容許基板W通過第一濕度控制單元700以增加基板W所暴露於的含水量。
在一些實施例中，基板處理設備5可在將基板W提供至烘烤單元300之前容許在曝光單元600中被光照射的基板W通過第二濕度控制單元900。舉例而言，基板處理設備5可在烘烤單元300中對基板W進行後烘烤之前容許基板W通過第二濕度控制單元900，藉此減少在基板處理設備5中基板W所暴露於的總含水量。在此種情形中，基板W可通過設置於第二緩衝模組510中的第二濕度控制單元900，以減少在經由第二緩衝模組510將基板W自曝光單元600傳送至烘烤單元300的製程中基板W所暴露於的含水量。
參照圖16及圖17，基板處理設備6可包括設置於第二緩衝模組510中的第一濕度控制單元700及設置於第二緩衝模組510中的第二濕度控制單元900。
第一濕度控制單元700可增加在基板處理設備6中自旋轉單元200傳送至曝光單元600的基板W所暴露於的總含水量。第一濕度控制單元700可藉由供應蒸汽來增加在基板處理設備6中基板W所暴露於的總含水量。
第二濕度控制單元900可減少在基板處理設備6中自曝光單元600傳送至烘烤單元300的基板W所暴露於的總含水量。第二濕度控制單元900可藉由供應惰性氣體或CDA來減少在基板處理設備6中基板W所暴露於的總含水量。
第一濕度控制單元700與第二濕度控制單元900可堆疊於一起且可佈置於第二緩衝模組510中。
圖18是示出根據一些實施例的使用基板處理設備來製造半導體裝置的方法的流程圖。圖19至圖23是示出根據一些實施例的使用基板處理設備來製造半導體裝置的方法的中間操作圖。作為參考，圖18是示例性流程圖，且製造半導體裝置的方法不限於此。舉例而言，可在操作S100至操作S700之間添加另一過程操作。
參照圖18，在操作S100中在基板W上塗佈光阻膜10。
參照圖19，可在塗佈單元210中在基板W上塗佈光阻膜10。光阻膜10可包含金屬材料。舉例而言，光阻膜10可包含金屬光阻。
重新參照圖18，在操作S200中對基板W進行軟烘烤。
參照圖20，可在烘烤腔室310中對基板W進行烘烤。烘烤腔室310可包括加熱板315。可在烘烤腔室310的加熱板315上對上面塗佈有光阻膜10的基板W進行加熱。
重新參照圖18，在操作S300中增加基板W所暴露於的含水量。
參照圖21，可在第一濕度控制單元700中在基板W上方供應蒸汽。在第一濕度控制單元700中，可將基板W暴露於相對增加的蒸汽量。
重新參照圖18，在操作S400中對基板W進行曝光。
參照圖22，在曝光單元600中用光來照射基板W。曝光單元600可包括光源610、光學系統620及EUV源630。由曝光單元600用光源610、光學系統620及EUV源630將EUV照射於基板W上。
EUV源630可設置於腔室的一側上。EUV源630可產生EUV束601。EUV束601可為電漿束。舉例而言，EUV源630可向錫（Sn）、氙（Xe）氣、鈦（Ti）或鋰（Li）的金屬液體小滴提供幫浦光（pump light）以產生EUV束601。
重新參照圖18，在操作S500中對經曝光的基板W進行烘烤。
參照圖20，可在烘烤腔室310中對基板W進行加熱。
重新參照圖18，在操作S600中減少基板W所暴露於的含水量。
參照圖23，可在第二濕度控制單元900中將基板W暴露於相對小的含水量。舉例而言，可在第二濕度控制單元900中將惰性氣體或清潔乾燥空氣（CDA）供應至基板W。
重新參照圖18，在操作S700中對基板W進行顯影。
綜上所述，熟習此項技術者應理解，可在不實質上背離本發明的原理的條件下對較佳實施例作出諸多改變及潤飾。因此，本發明所揭露的較佳實施例僅用於一般性意義及說明性意義，而非用於限制目的。
1、2、3、4、5、6:基板處理設備 10:光阻膜 100:索引單元 110:裝載埠 120:索引機器人 130:第一緩衝模組 150:處理單元 200:旋轉單元 210:塗佈單元 211:塗佈腔室 220:顯影單元 221:顯影腔室 300:烘烤單元 310:烘烤腔室 315:加熱板 400:傳送單元 500:介面單元 510:第二緩衝模組 520:介面機器人 600:曝光單元 601:EUV束 610:光源 620:光學系統 630:EUV源 700:第一濕度控制單元/濕度控制單元 701、902:腔室 702:基板支撐單元 710:蒸汽供應單元 720、930:質量流量控制器 730:溫度控制單元 740:衝孔板 750、950:濕度感測器 760:蒸汽進入孔 770、970:控制器 800:傳送速度控制單元 900:第二濕度控制單元 901:外殼 910:氣體供應單元 920:過濾器 940:噴嘴 960:氣體排出孔 D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7:距離 S100、S200、S300、S400、S500、S600、S700:操作 T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8:時間點 W:基板 X:第一方向 Y:第二方向 Z:第三方向
藉由參照附圖詳細闡述本揭露的示例性實施例，本揭露的以上及其他態樣及特徵將變得更顯而易見，在附圖中： 圖1是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的圖。 圖2是示出圖1所示基板處理設備的平面圖。 圖3是示出圖1所示基板處理設備的側視圖。 圖4是示出根據本揭露一些實施例的濕度控制單元的圖。 圖5是示出圖4所示衝孔板及基板的平面圖。 圖6是示出根據本揭露一些實施例的濕度控制單元的側視圖。 圖7是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的傳送速度控制單元的操作的圖。 圖8是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的平面圖。 圖9是示出圖8所示傳送單元及濕度控制單元的圖。 圖10是示出根據另一實施例的傳送單元及濕度控制單元的圖。 圖11是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的平面圖。 圖12是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的側視圖。 圖13是示出圖11所示濕度控制單元的圖。 圖14是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的圖。 圖15及圖16是示出根據本揭露一些實施例的基板處理設備的圖。 圖17是示出圖16所示基板處理設備的側視圖。 圖18是示出根據一些實施例的使用基板處理設備來製造半導體裝置的方法的流程圖。 圖19至圖23是示出根據一些實施例的使用基板處理設備來製造半導體裝置的方法的中間操作圖。
1:基板處理設備
100:索引單元
110:裝載埠
120:索引機器人
130:第一緩衝模組
150:處理單元
200:旋轉單元
211:塗佈腔室
300:烘烤單元
310:烘烤腔室
400:傳送單元
500:介面單元
510:第二緩衝模組
520:介面機器人
600:曝光單元
700:第一濕度控制單元/濕度控制單元
800:傳送速度控制單元
X:第一方向
Y:第二方向

Claims (20)

  1. 一種基板處理設備，包括： 光阻塗佈機，被配置成在基板上塗佈光阻膜； 增濕器，被配置成增加所述基板上的所述光阻膜所暴露於的環境中的含水量；以及 曝光器，被配置成用光來照射暴露於具有增加的所述含水量的所述環境的所述光阻膜， 其中所述增濕器設置於所述光阻塗佈機與所述曝光器之間。
  2. 如請求項1所述的基板處理設備， 其中所述曝光器包括極紫外（EUV）源，所述極紫外（EUV）源將極紫外光照射至所述基板上的所述光阻膜。
  3. 如請求項1所述的基板處理設備，更包括： 基板庫存器，設置於所述光阻塗佈機與所述曝光器之間，且被配置成儲存具有所述光阻膜的所述基板， 其中所述增濕器設置於所述基板庫存器中。
  4. 如請求項3所述的基板處理設備， 其中所述基板庫存器包括： 第一緩衝塔，臨時儲存自所述光阻塗佈機提供的所述基板；以及 第二緩衝塔，臨時儲存自所述曝光器提供的經曝光的所述基板，且 其中所述增濕器設置於所述第一緩衝塔與所述第二緩衝塔之間。
  5. 如請求項3所述的基板處理設備， 其中所述基板庫存器包括： 第一緩衝腔室，臨時儲存自所述光阻塗佈機提供的所述基板；以及 第二緩衝腔室，臨時儲存自所述曝光器提供的經曝光的所述基板，且 其中所述增濕器與所述第一緩衝腔室垂直地堆疊於彼此上。
  6. 如請求項1所述的基板處理設備，更包括： 除濕器，被配置成減少自所述曝光器提供的經曝光的所述基板所暴露於的環境中的含水量。
  7. 如請求項6所述的基板處理設備，更包括： 基板庫存器，設置於所述光阻塗佈機與所述曝光器之間， 其中所述基板庫存器包括： 第一緩衝腔室，臨時儲存自所述光阻塗佈機提供的所述基板；以及 第二緩衝腔室，臨時儲存自所述曝光器提供的經曝光的所述基板，且 其中所述除濕器與所述第二緩衝腔室堆疊於彼此上。
  8. 如請求項6所述的基板處理設備，更包括： 多個烘烤腔室，面對所述光阻塗佈機且被配置成對自所述光阻塗佈機提供的所述基板進行烘烤， 其中所述除濕器與所述多個烘烤腔室進行堆疊。
  9. 如請求項6所述的基板處理設備，更包括： 烘烤單元，面對所述光阻塗佈機；以及 傳送單元，被配置成在所述光阻塗佈機、所述烘烤單元及所述曝光器之中傳送所述基板， 其中所述除濕器設置於所述傳送單元中。
  10. 如請求項1所述的基板處理設備，更包括： 多個烘烤腔室，面對所述光阻塗佈機且被配置成對自所述光阻塗佈機提供的所述基板進行烘烤， 其中所述增濕器與所述多個烘烤腔室進行堆疊，且 其中所述增濕器包括板，所述板被配置成在所述增濕器內對具有所述光阻膜的所述基板進行加熱。
  11. 如請求項1所述的基板處理設備，更包括： 除濕器，被配置成減少自所述曝光器提供的經曝光的所述基板所暴露於的環境的含水量； 烘烤單元，包括第一烘烤腔室及第二烘烤腔室，且被配置成對由所述曝光器曝光的所述基板進行烘烤，所述第一烘烤腔室與所述除濕器間隔開第一距離，所述第二烘烤腔室與所述除濕器間隔開較所述第一距離大的第二距離； 傳送單元，被配置成將所述基板自所述除濕器傳送至所述烘烤單元；以及 傳送速度控制器，被配置成控制自所述除濕器接收的所述基板在所述傳送單元中進行傳送的傳送速度， 其中所述傳送速度控制器控制所述傳送單元以第一速度將所述基板自所述除濕器傳送至所述第一烘烤腔室，且以較所述第一速度快的第二速度將所述基板自所述除濕器傳送至所述第二烘烤腔室。
  12. 一種基板處理設備，包括： 光阻塗佈機，被配置成在基板上塗佈金屬光阻膜； 曝光器，被配置成用光來照射所述金屬光阻膜； 光阻顯影單元，被配置成對所述基板上的經照射的所述金屬光阻膜進行顯影； 烘烤單元，被配置成對具有經顯影的所述光阻膜的所述基板進行烘烤；以及 除濕器，被配置成減少所述基板所暴露於的環境中的含水量， 其中所述除濕器與所述光阻塗佈機、所述曝光器、所述光阻顯影單元及所述烘烤單元在空間上分離。
  13. 如請求項12所述的基板處理設備， 其中所述烘烤單元包括多個烘烤腔室，且 其中所述除濕器與所述多個烘烤腔室進行堆疊。
  14. 如請求項12所述的基板處理設備， 其中所述光阻塗佈機及所述光阻顯影單元設置於第一區域中， 其中所述烘烤單元設置於面對所述第一區域的第二區域中，且 其中所述除濕器設置於所述第一區域與所述第二區域之間的空間中。
  15. 如請求項14所述的基板處理設備，更包括： 傳送單元，設置於所述第一區域與所述第二區域之間的所述空間中，且被配置成利用傳送機器人來傳送自所述光阻塗佈機及所述光阻顯影單元中的一者接收的基板， 其中所述傳送機器人通過所述除濕器。
  16. 如請求項12所述的基板處理設備， 其中所述曝光器包括極紫外（EUV）源，所述極紫外（EUV）源在具有所述金屬光阻膜的所述基板上照射極紫外光。
  17. 如請求項12所述的基板處理設備，更包括： 基板庫存器，設置於所述曝光器與包括所述光阻塗佈機、所述光阻顯影單元及所述烘烤單元的處理單元之間， 其中所述除濕器設置於所述基板庫存器中。
  18. 如請求項17所述的基板處理設備， 其中所述基板庫存器包括冷卻板，所述冷卻板被配置成對自所述處理單元接收的所述基板進行冷卻。
  19. 一種基板處理設備，包括： 光阻塗佈機，被配置成在基板上塗佈光阻膜； 曝光器，被配置成以極紫外（EUV）光來照射所述光阻膜； 光阻顯影單元，被配置成對所述基板上的由所述曝光器曝光的所述光阻膜進行顯影； 烘烤單元，被配置成對具有經顯影的所述光阻膜的所述基板進行烘烤； 增濕器，被配置成增加所述基板所暴露於的環境中的含水量；以及 除濕器，被配置成減少所述基板所暴露於的環境中的含水量， 其中所述烘烤單元包括多個烘烤腔室，所述多個烘烤腔室面對所述光阻塗佈機且被配置成對所述基板進行烘烤， 其中所述增濕器與所述多個烘烤腔室進行堆疊，且 其中所述除濕器設置於所述光阻塗佈機與所述曝光器之間。
  20. 如請求項19所述的基板處理設備， 其中所述增濕器包括加熱板，所述加熱板被配置成對所述基板進行加熱。
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