JP2008153422A - 塗布・現像装置およびパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止することが可能な塗布・現像装置を提供する。
【解決手段】塗布・現像装置は、レジスト塗布および現像のための一連の処理を行う処理部と、処理部と液浸露光装置との間に設けられたインターフェイス部と、インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後のウエハＷを乾燥させる第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）と具備し、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）は、ウエハＷを収容するチャンバー４０と、チャンバー４０内でウエハＷを載置する載置部４１と、チャンバー４０内に温調エアを供給する温調エア供給機構４２と、チャンバー４０内を排気する排気機構４３とを具備し、チャンバー４０内の載置部４１にウエハＷを載置した状態で、排気機構４３によってチャンバー４０内を排気しつつ、温調エア供給機構４２によって温調エアを供給してウエハＷを乾燥させる。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体基板等の基板を液体に浸漬させた状態でレジスト膜を露光する液浸露光装置に隣接して設けられ、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、液浸露光装置により液浸露光処理が施された後のレジスト膜を現像する塗布・現像装置、および基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法に関する。

半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ上に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられている。フォトリソグラフィを用いた回路パターンの形成は、半導体ウエハにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に光を照射して回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光した後、これを現像処理するといった手順で行われる。

半導体デバイスは近時、動作速度の向上等の観点から高集積化の傾向にあるため、フォトリソグラフィ技術においては、半導体ウエハ上に形成される回路パターンの微細化が要求されている。そこで、４５ｎｍノードの高解像度を実現するフォトリソグラフィ技術として、ウエハと露光用の投影レンズとの間に空気よりも高い屈折率を有する純水等の液体を供給し、液体の屈折率を利用して投影レンズからの照射光の波長を短くすることにより露光の線幅を細くする液浸（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）露光が提案されている（例えば特許文献１参照）。

このような液浸露光を用いた回路パターンの形成においては通常、現像欠陥が誘発するおそれのある、液浸露光時にウエハに付着した液体を除去するため、液浸露光後にウエハを純水で洗浄（リンス）し、その後、ウエハＷをスピンチャック等によって水平に回転させて液体を振り切ることにより乾燥させることが行われている。

しかしながら、このような回転による振り切り乾燥では、ウエハに液滴残りまたは液滴残りの跡（ステイン、ウォーターマーク等）が発生するおそれがある。

また、このような回転による振り切り乾燥では、ウエハのレジスト膜等の膜に染み込んだ液体の成分まで除去することは困難である。
国際公開２００５−０２９５５９号パンフレット

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板への液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止することが可能な塗布・現像装置およびパターン形成方法、ならびにこのようなパターン形成方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。

また、本発明は、基板への液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止することが可能である上に、基板のレジスト膜等に染み込んだ液体の成分をも除去することが可能な塗布・現像装置およびパターン形成方法、ならびにこのようなパターン形成方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、基板を液体に浸漬させた状態で基板上のレジスト膜を露光する液浸露光装置に隣接して設けられ、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、前記液浸露光装置により液浸露光処理が施された後のレジスト膜を現像する塗布・現像装置であって、レジスト塗布および現像のための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、前記処理部と前記液浸露光装置との間に設けられたインターフェイス部と、前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後の基板を乾燥させる乾燥処理部とを具備し、前記乾燥処理部は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を載置する基板載置部材と、前記処理容器内に温度調節された気体を供給する温調気体供給機構と、前記処理容器内を排気する排気機構とを備え、前記処理容器内の前記基板載置部材に基板を載置した状態で、前記排気機構によって排気しつつ前記温調気体供給機構によって気体を供給して基板を乾燥させることを特徴とする塗布・現像装置を提供する。

本発明の第１の観点において、前記温調気体供給機構は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けられた温調気体供給孔を有し、この温調気体供給孔を介して気体を供給することものとすることができる。

また、以上の本発明の第１の観点において、前記基板載置部材は加熱可能であり、前記乾燥処理部は、前記基板載置部材を加熱しながら、前記温調気体供給機構によって気体を供給して基板を乾燥させるものとすることができる。

さらに、以上の本発明の第１の観点において、前記処理部は、液浸露光処理後に乾燥させた基板に現像処理に先立って加熱処理を施す露光後ベークユニットを有し、前記乾燥処理部での基板の処理温度は、前記露光後ベークユニットでの基板の処理温度よりも低いことが好ましい。

また、本発明の第２の観点では、基板を液体に浸漬させた状態で基板上のレジスト膜を露光する液浸露光装置に隣接して設けられ、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、前記液浸露光装置により液浸露光処理が施された後のレジスト膜を現像する塗布・現像装置であって、レジスト塗布および現像のための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、前記処理部と前記液浸露光装置との間に設けられたインターフェイス部と、前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後の基板を乾燥させる乾燥処理部とを具備し、前記乾燥処理部は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を載置する基板載置部材と、前記処理容器内を減圧する減圧機構とを備え、前記処理容器内の前記基板載置部材に基板を載置した状態で、前記減圧機構によって前記処理容器内を減圧して基板を乾燥させることを特徴とする塗布・現像装置を提供する。

本発明の第２の観点において、前記減圧機構は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けられた排気孔を有し、この排気孔を介して処理容器内を排気することにより減圧するものとすることができる。

以上の本発明の第１、２の観点において、前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後で前記乾燥処理部による乾燥前の基板に乾燥を補助する媒体を供給する乾燥補助部をさらに具備するものとすることができる。この場合に、前記乾燥を補助する媒体は、アルキルアルコール、エーテルおよびオゾンのうちの少なくとも１種を含むものとすることができ、前記乾燥補助部は、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給機構を有し、前記洗浄液供給機構による洗浄後の基板に乾燥を補助する媒体を供給するものとすることができる。

あるいは、以上の本発明の第１、２の観点において、前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後で前記乾燥処理部による乾燥前の基板に洗浄液を供給する洗浄液供給機構を有する露光後洗浄部をさらに具備するものとすることができる。この場合に、前記洗浄液供給機構は、アルキルアルコールおよびエーテルの少なくとも一方を含む洗浄液を基板に供給するものとすることができ、または、前記処理部は、液浸露光処理前に基板に形成されたレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成ユニットを有し、前記洗浄液供給機構は、基板に形成された保護膜に、その表面の接触角を低減させる機能を有する洗浄液または表面張力の小さい洗浄液を供給するものとすることができ、さらにこの場合に、前記保護膜の接触角を低減させる機能を有する洗浄液は、加熱された水、アルコールおよび前記保護膜を酸化させる機能を有する液体のうちの少なくとも１種を含み、前記表面張力の小さい洗浄液は界面活性剤を含むものとすることができる。

また、本発明の第３の観点では、基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、基板上に形成されたレジスト膜を、液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程と、前記液浸露光工程を経た直後の基板を乾燥させる工程と、前記乾燥工程後のレジスト膜を現像する工程とを含み、前記乾燥工程は、基板を処理容器内に収容して基板載置部材に載置した状態で、前記処理容器内を排気しつつ、前記処理容器内に温度調節された気体を供給して行うことを特徴とするパターン形成方法を提供する。

本発明の第３の観点において、温度調節された気体の供給は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けた温調気体供給孔を介して行うものとすることができる。

また、以上の本発明の第３の観点において、前記乾燥工程は、前記基板載置部材を加熱しながら、温度調節された気体を供給して行うものとすることができる。

さらに、以上の本発明の第３の観点において、前記乾燥工程後の基板に前記現像工程に先立って加熱処理を施す露光後ベーク工程をさらに含む場合に、前記乾燥工程での基板の処理温度は、前記露光後ベーク工程での基板の処理温度よりも低いことが好ましい。

また、本発明の第４の観点では、基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、基板上に形成されたレジスト膜を、液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程と、前記液浸露光工程を経た直後の基板を乾燥させる工程と、前記乾燥工程後のレジスト膜を現像する工程とを含み、前記乾燥工程は、基板を処理容器内に収容して基板載置部材に載置した状態で、前記処理容器内を減圧して行うことを特徴とするパターン形成方法を提供する。

本発明の第４の観点において、前記処理容器内の減圧は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けた排気孔を介して行うものとすることができる。

以上の本発明の第３、４の観点において、前記液浸露光工程直後で前記乾燥工程前の基板に乾燥を補助する媒体を供給する工程をさらに含むものとすることができる。この場合に、前記乾燥を補助する媒体は、アルキルアルコール、エーテルおよびオゾンのうちの少なくとも１種を含むものとすることができ、前記液浸露光工程直後で前記乾燥補助媒体供給工程前の基板を洗浄液を用いて洗浄する工程をさらに含むものとすることができる。

あるいは、以上の本発明の第３、４の観点において、前記液浸露光工程直後で前記乾燥工程前の基板を洗浄液を用いて洗浄する工程を含むものとすることができる。この場合に、前記洗浄液は、アルキルアルコールおよびエーテルの少なくとも一方を含むものとすることができ、あるいは、前記液浸露光工程前に基板に形成されたレジスト膜上に保護膜を形成する工程をさらに含み、前記洗浄工程は、基板に形成された保護膜の表面の接触角を低減させる機能を有する洗浄液または表面張力の小さい洗浄液を用いて行うものとすることができ、さらにこの場合に、前記保護膜の接触角を低減させる機能を有する洗浄液は、加熱された水、アルコールおよび前記保護膜を酸化させる機能を有する液体のうちの少なくとも１種を含み、前記表面張力の小さい洗浄液は界面活性剤を含むものとすることができる。

さらに、本発明の第５の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に前記パターン形成方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。

本発明の第１、３の観点によれば、液浸露光処理直後の基板を処理容器内に収容して基板載置部材に載置した状態で、処理容器内を排気しつつ、処理容器内に温度調節された気体を供給して基板の乾燥を行うため、基板に付着した液体を蒸発させて液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止することが可能となる。したがって、現像品質を高めることが可能となる。

また、本発明の第２、４の観点によれば、液浸露光処理直後の基板を処理容器内に収容して基板載置部材に載置した状態で、処理容器内を減圧して基板の乾燥を行うため、基板に付着した液体を蒸発させて液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止するとともに、基板のレジスト膜等に染み込んだ液体の成分をも除去することが可能となる。したがって、現像品質を効果的に高めることが可能となる。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明に係る塗布・現像装置を具備したパターン形成装置の概略平面図であり、図２はその概略斜視図である。

パターン形成装置１は、半導体基板であるウエハＷに所定のレジストパターンを形成するためのものであり、ウエハにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、かつ露光後の現像を行う塗布・現像装置２と、ウエハＷに露光処理を施す露光装置３とを備えている。塗布・現像装置２は、ウエハＷの搬送ステーションであるカセットステーション１１と、ウエハＷに所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する処理ステーション１２（処理部）と、処理ステーション１２および露光装置３の間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイスステーション１３（インターフェイス部）とを備えている。カセットステーション１１、処理ステーション１２、インターフェイスステーション１３および露光装置３は、この順にパターン形成装置１の長さ方向（Ｙ方向）に直列に配置されている。

カセットステーション１１は、複数枚、例えば１３枚のウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）を載置するカセット載置台１１ａと、カセット載置台１１ａ上のウエハカセット（ＣＲ）と後述する処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ_３に設けられたトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するためのウエハ搬送部１１ｃとをＹ方向に直列に有している。カセット載置台１１ａ上には、ウエハカセット（ＣＲ）を位置決めするための位置決め部１１ｂが、パターン形成装置１の幅方向（Ｘ方向）に複数、例えば５個設けられており、ウエハカセット（ＣＲ）は、その開口がウエハ搬送部１１ｃの筐体の壁面に設けられた開閉部１１ｅと対向するように、位置決め部１１ｂ位置に載置される。ウエハ搬送部１１ｃは、その筐体内に配置された、ウエハＷを保持可能な搬送ピック１１ｄを有し、この搬送ピック１１ｄによりカセット載置台１１ａ上の各ウエハカセット（ＣＲ）とトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するように構成されている。

処理ステーション１２は、筐体１５内に配置されており、その前面側（図１下方）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第１処理ユニット群Ｇ_１と第２処理ユニット群Ｇ_２とを有し、その背面側（図１上方）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第３処理ユニット群Ｇ_３、第４処理ユニット群Ｇ_４および第５処理ユニット群Ｇ_５を有している。また、処理ステーション１２は、第３処理ユニット群Ｇ_３と第４処理ユニット群Ｇ_４との間に第１主搬送部Ａ_１を有し、第４処理ユニット群Ｇ_４と第５処理ユニット群Ｇ_５との間に第２主搬送部Ａ_２を有している。

第１処理ユニット群Ｇ_１は、ウエハＷに露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する例えば２つのボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）と、ウエハＷの表面にレジストを塗布してレジスト膜を形成する例えば３つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが積み重ねられて構成されている。第２処理ユニット群Ｇ_２は、ウエハＷに形成された露光後のレジスト膜を現像する例えば３つの現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷに形成されたレジスト膜の表面に保護膜形成材料を供給して、後述する液浸露光用の液体に対する撥水膜としての保護膜を形成する例えば２つのトップコーティングユニット（ＩＴＣ）とが積み重ねられて構成されている。

第３処理ユニット群Ｇ_３、第４処理ユニット群Ｇ_４、第５処理ユニット群Ｇ_５は、ウエハＷに疎水化処理を施すアドヒージョンユニットやレジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベークユニット、現像処理後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニット、露光後現像前のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット等の熱処理ユニットが積み重ねられて構成されている。また、第３処理ユニット群Ｇ_３は、カセットステーション１１と第１主搬送部Ａ_１との間でのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。第５処理ユニット群Ｇ_５は、第２主搬送部Ａ_２とインターフェイスステーション１３の後述する第１ウエハ搬送機構２１との間でのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。

第１主搬送部Ａ_１は、ウエハＷを保持可能な第１主ウエハ搬送アーム１６を有し、この第１主ウエハ搬送アーム１６は、第１処理ユニット群Ｇ_１、第３処理ユニット群Ｇ_３および第４処理ユニット群Ｇ_４の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。第２主搬送部Ａ_２は、ウエハＷを保持可能な第２主ウエハ搬送アーム１７を有し、この第２主ウエハ搬送アーム１７は、第２処理ユニット群Ｇ_２、第４処理ユニット群Ｇ_４および第５処理ユニット群Ｇ_５の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。

第１処理ユニット群Ｇ_１とカセットステーション１１との間および第２処理ユニット群Ｇ_２とインターフェイスステーション１３との間にはそれぞれ、第１および第２処理ユニット群Ｇ_１、Ｇ_２に供給される処理液の温度調節装置や温度湿度調節用のダクト等を備えた温度湿度調節ユニット１８が設けられている。また、第１および第２処理ユニット群Ｇ_１、Ｇ_２の下側にはそれぞれ、これらに薬液を供給するケミカルユニット（ＣＨＭ）が設けられている。

インターフェイスステーション１３は、図３の概略斜視図に示すように、筐体内に配置された、処理ステーション１２側の第１インターフェイスステーション１３ａと、露光装置３側の第２インターフェイスステーション１３ｂとを有している。第１インターフェイスステーション１３ａには、第５処理ユニット群Ｇ₅の開口部と対面するように、ウエハＷを搬送するための第１ウエハ搬送機構２１が設けられており、第２インターフェイスステーション１３ｂには、ウエハＷを搬送するための第２ウエハ搬送機構２２が設けられている。

第１インターフェイスステーション１３ａの正面側には、ウエハ周辺部の余分なレジストを除去するためにウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）と、露光装置３に搬送されるウエハＷを一時収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）と、露光装置３から搬送されたウエハＷを一時収容するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）と、ウエハＷを高精度に温調する例えば２つの高精度温調ユニット（ＣＰＬ）とが積み重ねられて構成された第６処理ユニット群Ｇ_６が配置されている。なお、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）は、第１ウエハ搬送機構２１と第２ウエハ搬送機構２２との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部としても機能する。

一方、第２インターフェイスステーション１３ｂの正面側には、露光装置３に搬送される前のウエハを洗浄する前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と、露光装置３から搬送されたウエハＷを洗浄する後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）とが積み重ねられて構成された第７処理ユニット群Ｇ_７が配置されている。第２インターフェイスステーション１３ｂの背面側には、露光装置３によって液浸露光処理が施されたウエハＷを乾燥させる第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）および第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）が２段に積み重ねられて構成された第８処理ユニット群Ｇ_８が配置されている。なお、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）および第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）については、後に詳細に説明する。

第１ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを受け渡すためのフォーク２１ａを有している。このフォーク２１ａは、上下動および旋回が可能であり、第５処理ユニット群Ｇ₅、第６処理ユニット群Ｇ_６の各ユニットにアクセス可能であって、これにより各ユニット間でのウエハＷの搬送を行う。

第２ウエハ搬送機構２２は、ウエハＷを受け渡すための上下２本のフォーク２２ａ、２２ｂを有している。これらフォーク２２ａ、２２ｂは、図１のＸ方向に沿った水平移動、上下動および旋回が可能であり、第６処理ユニット群Ｇ_６の高精度温調ユニット（ＣＰＬ）、第７処理ユニット群Ｇ_７の各ユニット、第８処理ユニット群Ｇ_８の各ユニット、露光装置３の後述するインステージ１４ａおよびアウトステージ１４ｂにアクセス可能であって、これら各部の間でウエハＷの搬送を行う。

第１インターフェイスステーション１３ａの上部には、第１インターフェイスステーション１３ａまたはインターフェイスステーション１３の気流を調整する気流調整部２３が設けられ、第２インターフェイスステーション１３ｂの上部には、露光装置から搬送されたウエハＷが乾燥しないように第２インターフェイスステーション１３ｂまたはインターフェイスステーション１３を加湿する加湿部２４が設けられている。

次に、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）について詳細に説明する。
後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）は、図４の概略断面図に示すように、ウエハＷを収容する筐体６０と、筐体６０内でウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック６１と、スピンチャック６１に保持されたウエハＷに洗浄液としてイソプロピルアルコールやブチルアルコール等のアルキルアルコールを供給する洗浄液供給機構６２と、スピンチャック６１に保持されたウエハＷから振り切られた洗浄液等の処理液を受け止めるカップ体６４と、スピンチャック６１を回転させるモータ６５とを備えている。

筐体６０の側壁には、第２のウエハ搬送機構２２によってウエハＷを搬入出するための搬入出口６０ａが形成され、この搬入出口６０ａを開閉するシャッター６０ｂが設けられている。スピンチャック６１は、昇降可能であり、ウエハＷの下面を真空吸着してウエハＷを保持した状態でモータ６５によって回転される。

洗浄液供給機構６２は、洗浄液としてのアルキルアルコールを供給するための洗浄液供給源６２ａと、洗浄液供給源６２ａからの洗浄液をスピンチャック６１に保持されたウエハＷの表面（上面）に供給する表面側ノズル６２ｂと、洗浄液供給源６２ａからの洗浄液をスピンチャック６１に保持されたウエハＷの裏面（下面）に供給する裏面側ノズル６２ｃとを有している。洗浄液供給源６２ａには、表面側ノズル６２ｂおよび裏面側ノズル６２ｃに洗浄液を導くための導管６２ｄが接続され、導管６２ｄには、内部を流通する洗浄液の流量を調整するバルブ６２ｅが設けられている。なお、符号６３は、表面側ノズル６２ｂを待機させておくための待機部である。

カップ体６４は、ウエハＷを保持したスピンチャック６１が下降した位置にあるときにスピンチャック６１に保持されたウエハＷを囲繞するように設けられている。また、カップ体６４は、その上端部が上方に向かって内側に傾斜しており、ウエハＷから振り切られた処理液および裏面側ノズル６２ｃから供給された処理液を確実に受け止めることができるようになっている。カップ体６４内の底壁には、受け止めた処理液排出する排出管６４ａが接続されている。

次に、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）について詳細に説明する。
第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）は、図５の概略断面図に示すように、ウエハＷを収容する処理容器としてのチャンバー４０と、このチャンバー４０内に設けられた、ウエハを載置する基板載置部材としての載置部４１と、この載置部４１に載置されたウエハＷの表面に温度調節された気体、例えば温調エアを供給する温調気体供給機構としての温調エア供給機構４２と、チャンバー４０内を排気する排気機構４３とを備えている。

チャンバー４０は、上部が開口した略筒状または箱状のチャンバー本体４４と、チャンバー本体４４の上部開口を閉塞する蓋体４５とを有している。チャンバー本体４４の側壁部には、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを搬入出するための搬入出口４４ａが形成されているとともに、この搬入出口４４ａを開閉するシャッター４４ｂが設けられている。

チャンバー本体４４の底部の例えば縁部には排気口４４ｃが形成されており、載置部４１は、チャンバー本体４４の底部の例えば中央部で構成されている。載置部４１には、載置されたウエハＷを温度調節、例えば加熱するためのヒーター４１ａが内蔵されている。また、載置部４１には、その上面から突没するように昇降する支持ピン４１ｂが設けられており、支持ピン４１ｂは、突出時に第２ウエハ搬送機構２２との間でウエハＷの受け渡しを行い、没入時にウエハＷを載置部４１に載置させるように構成されている。

蓋体４５は、その内部に扁平な拡散空間４５ａを有する略筒状または箱状に形成されている。また、蓋体４５は、その上面に温調エア供給機構４２による温調エアを拡散空間４５ａに導入するための導入口４５ｃを有し、その下面に、拡散空間４５ａに導入された温調エアをチャンバー４０（チャンバー本体４４）内の載置部４１（載置部４１に載置されたウエハＷの表面）に向かって吐出するための吐出孔４５ｂ（温調エア供給孔）を多数有している。

温調エア供給機構４２は、例えば熱交換器やブロアファン等を備えた温調エア供給源４２ａと、温調エア供給源４２ａからの温調エアを蓋体４５の拡散空間４５ａに導く温調エア供給管とを有している。排気機構４３は、排気口４４ｃに接続された排気管４３ａと、この排気管４３ａを介してチャンバー４０内を排気する排気装置４３ｂとを有している。

次に、第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）について詳細に説明する。
第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）は、図６の概略断面図に示すように、ウエハＷを収容する処理容器としてのチャンバー５０と、このチャンバー５０内に設けられた、ウエハを載置する基板載置部材としての載置部５１と、チャンバー５０内を減圧する減圧機構５２とを備えている。

チャンバー５０は、上部が開口した例えば略円筒状のチャンバー本体５４と、チャンバー本体５４の上部開口を閉塞する蓋体５５とを有している。チャンバー本体５４の側壁部には、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを搬入出するための搬入出口５４ａが形成されているとともに、この搬入出口５４ａを開閉するシャッター５４ｂが設けられている。

載置部５１は、チャンバー本体５４の底部の例えば中央部で構成されている。載置部５１には、その上面から突没するように昇降する支持ピン５１ｂが設けられており、支持ピン５１ｂは、突出時に第２ウエハ搬送機構２２との間でウエハＷの受け渡しを行い、没入時にウエハＷを載置部５１に載置させるように構成されている。

蓋体５５は、その内部に扁平空間５５ａを有する例えば略円筒状に形成されている。また、蓋体５５は、その上面および下面にそれぞれ、扁平空間５５ａと連通する、チャンバー５０（チャンバー本体５４）内を排気するための排気口５５ｂおよび排気孔５５ｃを有している。排気孔５５ｃは、載置部５１（載置部５１に載置されたウエハＷの表面）と対向するように多数形成されている。

減圧機構５２は、排気口５５ｂに接続された排気管５２ａと、この排気管５２ａを介してチャンバー５０内を排気する排気装置５２ｂとを有し、チャンバー５０内を真空圧程度まで減圧可能に構成されている。

第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）および第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）は、例えば、ウエハＷの処理条件に応じて選択的に用いられる。

露光装置３は、ウエハＷを純水等の液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する、いわゆる液浸露光処理を行うように構成されており、インターフェイスステーション１３から搬送された液浸露光処理前のウエハＷを載置するインステージ１４ａと、インターフェイスステーション１３に搬送される液浸露光処理後のウエハＷを載置するアウトステージ１４ｂとを有している。

図２に示すように、カセットステーション１１の下部にはこのパターン形成装置１の全体を制御する制御部１９が設けられている。制御部１９は、図７のブロック図に示すように、パターン形成装置１の各ユニットおよび各搬送機構等の各構成部を制御するマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）を備えたプロセスコントローラ３１と、オペレータがパターン形成装置１の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、パターン形成装置１の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス３２と、処理に必要な情報が記憶された記憶部３３とを有している。

記憶部３３は、パターン形成装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ３１の制御にて実現するための種々の制御プログラムや、処理条件データや処理手順等が記録されたレシピ、さらは処理に必要なデータベース等を格納している。

処理に際しては、ユーザーインターフェイス３２からの指示等を受けて、任意のレシピを記憶部３３から呼び出してプロセスコントローラ３１に実行させることで、プロセスコントローラ３１の制御下で、パターン形成装置１において所望の各種処理が行われる。レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、不揮発性メモリなどの読み出し可能な記憶媒体に記憶されている。なお、レシピは適宜の装置から例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。

次に、パターン形成装置１における処理工程について説明する。

このように構成されたパターン形成装置１においては、まず、ウエハ搬送部１１ｃの搬送ピック１１ｄにより、ウエハカセット（ＣＲ）から１枚のウエハＷを取り出し、処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ_３に設けられたトランジションユニットに搬送した後、レシピの順序に従って、ウエハＷを第１および第２主搬送部Ａ_１、Ａ_２により第１〜５処理ユニット群Ｇ_１〜Ｇ_５の所定のユニットに順次搬送し、ウエハＷに一連の処理を施す。ここでは、例えば、アドヒージョンユニットでのアドヒージョン処理、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）でのレジスト膜の形成、トップコーティングユニット（ＩＴＣ）での保護膜の形成、プリベークユニットでのプリベーク処理を順次行う。なお、アドヒージョン処理に代えてボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）での反射防止膜の形成を行う場合もあり、レジスト膜上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に保護膜を形成する場合もある。

処理ステーション１２でのウエハＷの一連の処理が終了し、ウエハＷを第５処理ユニット群Ｇ_５に設けられたトランジションユニットに搬送したら、ウエハＷを、第１ウエハ搬送機構２１によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ）に搬送し、さらに、第２ウエハ搬送機構２２によって前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）に搬送し、ここで洗浄する。なお、ウエハＷを、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）に搬送する前に、周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送して周辺露光し、その後、イン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）に搬送する場合もある。

前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）での洗浄が終了したら、ウエハＷを、第２ウエハ搬送機構２２によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ）に搬送して所定の温度に調整し、さらに、第２ウエハ搬送機構２２によって露光装置３のインステージ１４ａに搬送し、この露光装置３でウエハＷに液浸露光処理を施す。

露光装置３での液浸露光処理が終了し、ウエハＷをアウトステージ１４ｂに搬送したら、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に搬送し、ここでウエハＷの洗浄を行う。後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）は、露光装置３に隣接する第２インターフェイスステーション１３ｂに配置されているため、液浸露光後、即座に洗浄を行うことができる。

図４に示すように、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）においては、まず、第２ウエハ搬送機構２２によって搬入出口６０ａからチャンバー６０内にウエハＷを搬入したら、スピンチャック６１を上昇させてウエハＷに吸着させ、ウエハＷをスピンチャック６１に保持させる。次に、シャッター６０ｂによって搬入出口６０ａを閉塞するとともに、カップ体６４によってウエハＷが囲繞されるようにスピンチャック６１を下降させる。そして、スピンチャック６１によってウエハＷを回転させつつ、洗浄液供給機構６２によってウエハＷに洗浄液を供給してウエハＷを洗浄する。洗浄液供給機構６２による洗浄液の供給は、例えば、表面側ノズル６２ｂをウエハＷの中心から外縁に向かって移動させながら行うことができる。これにより、ウエハＷに付着したパーティクルを除去することができる。しかも、洗浄液としてのアルキルアルコールを用いたことにより、液浸露光の際にウエハＷに生じたステイン、ウォーターマーク等も溶解して除去することができるとともに、保護膜の接触角を低下させることができる。これにより、従来、撥水性（または疎水性）を有する保護膜の表面で液体が微小に分裂、さらには乾燥することに起因するステイン、ウォーターマーク等の発生を防止することが可能となる。また、この洗浄により、保護膜やレジスト膜等に染み込んだ液浸露光時の液体を洗浄液であるアルキルアルコールに置換することができる。アルキルアルコールは、沸点および比熱が低い、すなわち揮発性が高いため、後述するウエハＷの乾燥処理の効率を高めることができる。

したがって、ここでは、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）が、液浸露光処理直後で第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）による乾燥前のウエハＷに乾燥を補助する媒体を供給する乾燥補助部としても機能し、洗浄液であるアルキルアルコールが、ウエハＷの乾燥を補助する媒体としても機能する。

なお、本実施形態では、ウエハＷに付着したパーティクルを除去することができ、しかも、液浸露光の際にウエハＷに生じたステイン、ウォーターマーク等も除去することができる、洗浄性の高い洗浄液としてアルキルアルコールを用いたが、このような洗浄液としては、例えばエチルエーテル等のエーテルなどを用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。また、ウエハＷの乾燥を補助する媒体としては、アルキルアルコール以外に、例えばエチルエーテル等のエーテルやオゾン等を用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。このような媒体を用いた場合には、筐体６０内を減圧した状態で行うと、置換効果を向上させることができる。

また、保護膜の接触角を低下させる機能を有する液体としては、アルキルアルコール以外のアルコール、加熱された水、保護膜をオゾン等によって酸化させる作用を有する液体を用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。あるいは、保護膜の接触角を低下させる機能を有する液体以外に、例えば界面活性剤を含む表面張力の小さい液体を用いても、保護膜の表面で液体が微小に分裂、さらには乾燥することに起因するステイン、ウォーターマーク等の発生を防止することが可能となる。

続いて、洗浄液供給機構６２による洗浄液の供給を停止し、この状態でスピンチャック６１によってウエハＷを回転させてウエハＷをある程度乾燥させる。ウエハＷがある程度乾燥し、スピンチャック６１による回転を停止させたら、スピンチャック６１を上昇させるとともに、シャッター６０ｂによって搬入出口６０ａを開放する。その後、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを搬入出口６０ａからチャンバー６０外に搬出する。

後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）での洗浄を終了したら、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）に搬送し、ウエハＷの乾燥を行う。

図５に示すように、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）においては、まず、第２ウエハ搬送機構２２によって搬入出口４４ａからチャンバー４０内にウエハＷを搬入したら、支持ピン４１ｂを上昇させて載置部４１の上面から突出させ、支持ピン４１ｂによってウエハＷを第２ウエハ搬送機構２２から受け取らせる。次に、支持ピン４１ｂを下降させて載置部４１に没入させ、ウエハＷを載置部４１に載置させるとともに、第２ウエハ搬送機構２２がチャンバー４０外に退避させ、シャッター４４ｂによって搬入出口４４ａを閉塞する。

ウエハＷを載置部４１に載置し、搬入出口４４ａを閉塞したら、排気機構４３によってチャンバー４０内を排気するとともに、温調エア供給機構４２によってチャンバー４０内に温調エアを供給し、かつ、ヒーター４１ａを所定の温度に調節して、ウエハＷの乾燥処理を行う。ここで、温調エア供給機構４２による温調エアの温度およびヒーター４１ａによる加熱温度は、レジスト膜が化学増幅反応を起こさないように、後述するポストエクスポージャーベーク処理の加熱温度よりも低く、例えば４０℃以下、好ましくは２５〜３０℃に設定する。また、ここで、排気機構４３による排気流量は、温調エア供給機構４２による温調エアの供給流量よりも大きく設定することが好ましい。これにより、チャンバー４０または蓋体４５の浮き上がりを防止することができるとともに、ウエハＷから蒸発した水分をチャンバー４０外に迅速に排出することができる。

ここでの乾燥処理は、従来のようにウエハＷを回転させることなく、加熱によって行われるため、ウエハＷへの液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止することができ、しかも、短時間でウエハＷを乾燥させることができる。

ウエハＷの乾燥を所定の時間行ったら、温調エア供給機構４２による温調エアの供給、ヒーター４１ａによる加熱および排気機構４３による排気を停止する。そして、支持ピン４１ｂを上昇させて載置部４１からウエハＷを受け取るとともに、シャッター４４ｂによって搬入出口４４ａが開放し、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを支持ピン４１ｂから受け取って搬入出口４４ａを介してチャンバー４０外に搬出する。

一方、図６に示すように、第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）においては、まず、第２ウエハ搬送機構２２によって搬入出口５４ａからチャンバー５０内にウエハＷを搬入したら、支持ピン５１ｂを上昇させて載置部５１の上面から突出させ、支持ピン５１ｂによってウエハＷを第２ウエハ搬送機構２２から受け取らせる。次に、支持ピン５１ｂを下降させて載置部５１に没入させ、ウエハＷを載置部５１に載置させるとともに、第２ウエハ搬送機構２２がチャンバー５０外に退避させ、シャッター５４ｂによって搬入出口５４ａを閉塞する。

ウエハＷを載置部５１に載置し、搬入出口５４ａを閉塞したら、減圧機構５２によってチャンバー４０内を排気して例えば真空圧まで減圧し、ウエハＷの乾燥処理を行う。

ここでの乾燥処理は、従来のようにウエハＷを回転させることなく、減圧によって行うため、液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止することができ、しかも、レジスト膜や保護膜等に染み込んでいる液体、例えばアルキルアルコールの成分そのものを除去することが可能となる。

ウエハＷの乾燥を所定の時間行ったら、減圧機構５２による減圧を停止する。そして、支持ピン５１ｂを上昇させて載置部５１からウエハＷを受け取るとともに、シャッター５４ｂによって搬入出口５４ａが開放し、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを支持ピン５１ｂから受け取って搬入出口５４ａを介してチャンバー５０外に搬出する。

本実施形態では、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）および第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）を、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に近接して第２インターフェイスステーション１３ｂに配置したため、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）での洗浄後、即座に乾燥を行うことができる。しかも、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）および第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）はいずれも、従来のように回転による振り切りを行うことなく、ウエハＷを乾燥させるため、前述のように液滴残りの発生を防止することができる。したがって、後述する現像処理の品質を高めることが可能となる。

また、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）を、加熱によってウエハＷを乾燥させるように構成し、第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）を、例えば真空圧程度の減圧によってウエハＷを乾燥させるように構成したため、ウエハＷの処理条件等に応じて使い分けることができる。第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）は、例えば、後述するポストエクスポージャーベーク処理の加熱温度が高い場合や、前述のようにウエハＷを短時間で乾燥させたい場合などに用いることができ、第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）は、例えば、後述するポストエクスポージャーベーク処理の加熱温度が低い場合や、前述のようにレジスト膜等に染み込んでいる液体の成分そのものを除去したい場合などに用いることができる。

また、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）において、温調エアを吐出する吐出孔４５ｂまたはチャンバー５０内を排気する排気孔５５ｃをウエハＷの表面と対向させて設けたため、保護膜およびレジスト膜を特に効率よく乾燥させることができる。したがって、後述する現像処理の品質をより高めることが可能となる。

さらに、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）でのアルキルアルコールによる洗浄を行うことにより、ウエハＷに付着したり、レジスト膜や保護膜等に染み込んだりした液体が揮発性の高いアルキルアルコールに置換されたため、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）での処理によって、アルキルアルコールを揮発させてウエハＷを短時間で乾燥させることができる。したがって、後述する現像処理の品質のさらなる向上を図ることが可能となる。

さらにまた、アルキルアルコールによって液浸露光の際にウエハＷに生じたステイン、ウォーターマーク等も溶解して除去することができる。したがって、現像品質のさらなる向上を図ることが可能となる。

その上、アルキルアルコールによって保護膜の接触角を低減させることができるため、保護膜上で液滴が微小に分裂することに起因するステイン、ウォーターマーク等の発生を防止することができる。したがって、後述する現像処理の品質のさらなる向上を図ることが可能となる。

なお、本実施形態では、露光装置３での液浸露光処理を終了後、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）での洗浄を行ってから、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）での乾燥を行ったが、液浸露光処理後のウエハＷの汚れが少ない場合等には、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）での洗浄を行わずに、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）での乾燥を行ってもよい。この場合にも、第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）が、露光装置３に隣接する第２インターフェイスステーション１３ｂに配置されているため、液浸露光後、即座に乾燥を行うことができる。したがって、この場合にも、ウエハＷへの液滴残りまたは液滴残りの跡の発生を防止して、後述する現像処理の品質を高めることが可能となる。

第１の乾燥ユニット（ＤＲＹ１）または第２の乾燥ユニット（ＤＲＹ２）での乾燥を行ったら、ウエハＷを、第２ウエハ搬送機構２２により高精度温調ユニット（ＣＰＬ）に搬送し、さらに、第１ウエハ搬送機構２１により第５処理ユニット群Ｇ_５に設けられたトランジションユニットに搬送する。そして、レシピの順序に従って、ウエハＷを、第１および第２主搬送部Ａ_１、Ａ_２により第１〜５処理ユニット群Ｇ_１〜Ｇ_５の所定のユニットに順次搬送し、ウエハＷに一連の処理を施す。ここでは、例えば、ポストエクスポージャーベークユニットでのポストエクスポージャーベーク処理、現像ユニット（ＤＥＶ）での現像処理、ポストベークユニットでのポストベーク処理を順次行う。そして、ウエハＷを、第３処理ユニット群Ｇ_３に設けられたトランジションユニットに搬送した後、カセットステーション１１のウエハカセット（ＣＲ）へと搬送することとなる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。上記実施形態では、ウエハＷを加熱によって乾燥させる第１の乾燥ユニットと、ウエハの乾燥を真空圧程度の減圧によって乾燥させる第２の乾燥ユニットとを塗布・現像装置に設けたが、これに限らず、第１の乾燥ユニットおよび第２の乾燥ユニットのいずれか一方のみを設けた構成であってもよい。また、上記実施形態では、ウエハの乾燥を加熱および真空圧程度の減圧のいずれか一方によって行ったが、これに限らず、加熱および真空圧程度の減圧を組み合わせて行ってもよい。

本発明に係る塗布・現像装置を具備したパターン形成装置の概略平面図である。 パターン形成装置の概略斜視図である。 塗布・現像装置を構成するインターフェイスステーションの斜視図である。 塗布・現像装置を構成する後洗浄ユニットの概略断面図である。 塗布・現像装置を構成する第１の乾燥ユニットの概略断面図である。 塗布・現像装置を構成する第２の乾燥ユニットの概略断面図である。 パターン形成装置に設けられた制御部の概念図である。

符号の説明

１：パターン形成装置
２：塗布・現像装置
３：露光装置（液浸露光装置）
１２：処理ステーション（処理部）
１３：インターフェイスステーション（インターフェイス部）
１９：制御部
３１：プロセスコントローラ
３２：ユーザーインターフェイス
３３：記憶部
４０、５０：チャンバー（処理容器）
４１、５１：載置部（基板載置部材）
４２：温調エア供給機構（温調気体供給機構）
４３：排気機構
４５ｂ：吐出孔（温調エア供給孔）
５２：減圧機構
５５ｃ：排気孔
６２：洗浄液供給機構
ＣＯＴ：レジスト塗布ユニット
ＤＥＶ：現像ユニット
ＤＲＹ１：第１の乾燥ユニット（乾燥処理部）
ＤＲＹ２：第２の乾燥ユニット（乾燥処理部）
ＩＴＣ：トップコーティングユニット（保護膜形成ユニット）
ＰＯＣＬＮ：後洗浄ユニット（露光後洗浄部：乾燥補助部）
Ｗ：ウエハ（基板）

Claims (27)

1. 基板を液体に浸漬させた状態で基板上のレジスト膜を露光する液浸露光装置に隣接して設けられ、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、前記液浸露光装置により液浸露光処理が施された後のレジスト膜を現像する塗布・現像装置であって、
   レジスト塗布および現像のための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、
   前記処理部と前記液浸露光装置との間に設けられたインターフェイス部と、
   前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後の基板を乾燥させる乾燥処理部と
   を具備し、
   前記乾燥処理部は、
   基板を収容する処理容器と、
   前記処理容器内で基板を載置する基板載置部材と、
   前記処理容器内に温度調節された気体を供給する温調気体供給機構と、
   前記処理容器内を排気する排気機構と
   を備え、
   前記処理容器内の前記基板載置部材に基板を載置した状態で、前記排気機構によって排気しつつ前記温調気体供給機構によって気体を供給して基板を乾燥させることを特徴とする塗布・現像装置。
2. 前記温調気体供給機構は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けられた温調気体供給孔を有し、この温調気体供給孔を介して気体を供給することを特徴とする請求項１に記載の塗布・現像装置。
3. 前記基板載置部材は加熱可能であり、
   前記乾燥処理部は、前記基板載置部材を加熱しながら、前記温調気体供給機構によって気体を供給して基板を乾燥させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布・現像装置。
4. 前記処理部は、液浸露光処理後に乾燥させた基板に現像処理に先立って加熱処理を施す露光後ベークユニットを有し、
   前記乾燥処理部での基板の処理温度は、前記露光後ベークユニットでの基板の処理温度よりも低いことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の塗布・現像装置。
5. 基板を液体に浸漬させた状態で基板上のレジスト膜を露光する液浸露光装置に隣接して設けられ、基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、前記液浸露光装置により液浸露光処理が施された後のレジスト膜を現像する塗布・現像装置であって、
   レジスト塗布および現像のための一連の処理を行う複数の処理ユニットを備えた処理部と、
   前記処理部と前記液浸露光装置との間に設けられたインターフェイス部と、
   前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後の基板を乾燥させる乾燥処理部と
   を具備し、
   前記乾燥処理部は、
   基板を収容する処理容器と、
   前記処理容器内で基板を載置する基板載置部材と、
   前記処理容器内を減圧する減圧機構と
   を備え、
   前記処理容器内の前記基板載置部材に基板を載置した状態で、前記減圧機構によって前記処理容器内を減圧して基板を乾燥させることを特徴とする塗布・現像装置。
6. 前記減圧機構は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けられた排気孔を有し、この排気孔を介して処理容器内を排気することにより減圧することを特徴とする請求項５に記載の塗布・現像装置。
7. 前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後で前記乾燥処理部による乾燥前の基板に乾燥を補助する媒体を供給する乾燥補助部をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の塗布・現像装置。
8. 前記乾燥を補助する媒体は、アルキルアルコール、エーテルおよびオゾンのうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項７に記載の塗布・現像装置。
9. 前記乾燥補助部は、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給機構を有し、前記洗浄液供給機構による洗浄後の基板に乾燥を補助する媒体を供給することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の塗布・現像装置。
10. 前記インターフェイス部に設けられ、液浸露光処理直後で前記乾燥処理部による乾燥前の基板に洗浄液を供給する洗浄液供給機構を有する露光後洗浄部をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の塗布・現像装置。
11. 前記洗浄液供給機構は、アルキルアルコールおよびエーテルの少なくとも一方を含む洗浄液を基板に供給することを特徴とする請求項１０に記載の塗布・現像装置。
12. 前記処理部は、液浸露光処理前に基板に形成されたレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成ユニットを有し、
    前記洗浄液供給機構は、基板に形成された保護膜に、その表面の接触角を低減させる機能を有する洗浄液または表面張力の小さい洗浄液を供給することを特徴とする請求項１０に記載の塗布・現像装置。
13. 前記保護膜の接触角を低減させる機能を有する洗浄液は、加熱された水、アルコールおよび前記保護膜を酸化させる機能を有する液体のうちの少なくとも１種を含み、
    前記表面張力の小さい洗浄液は界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１２に記載の塗布・現像装置。
14. 基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、
    基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
    基板上に形成されたレジスト膜を液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程と、
    前記液浸露光工程を経た直後の基板を乾燥させる工程と、
    前記乾燥工程後のレジスト膜を現像する工程と
    を含み、
    前記乾燥工程は、基板を処理容器内に収容して基板載置部材に載置した状態で、前記処理容器内を排気しつつ、前記処理容器内に温度調節された気体を供給して行うことを特徴とするパターン形成方法。
15. 温度調節された気体の供給は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けた温調気体供給孔を介して行うことを特徴とする請求項１４に記載のパターン形成方法。
16. 前記乾燥工程は、前記基板載置部材を加熱しながら、温度調節された気体を供給して行うことを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載のパターン形成方法。
17. 前記乾燥工程後の基板に前記現像工程に先立って加熱処理を施す露光後ベーク工程をさらに含み、
    前記乾燥工程での基板の処理温度は、前記露光後ベーク工程での基板の処理温度よりも低いことを特徴とする請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
18. 基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、
    基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
    基板上に形成されたレジスト膜を液体に浸漬させた状態で所定のパターンに液浸露光する工程と、
    前記液浸露光工程を経た直後の基板を乾燥させる工程と、
    前記乾燥工程後のレジスト膜を現像する工程と
    を含み、
    前記乾燥工程は、基板を処理容器内に収容して基板載置部材に載置した状態で、前記処理容器内を減圧して行うことを特徴とするパターン形成方法。
19. 前記処理容器内の減圧は、前記基板載置部材に載置された基板と対向するように前記処理容器の上部に設けた排気孔を介して行うことを特徴とする請求項１８に記載のパターン形成方法。
20. 前記液浸露光工程直後で前記乾燥工程前の基板に乾燥を補助する媒体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４から請求項１９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
21. 前記乾燥を補助する媒体は、アルキルアルコール、エーテルおよびオゾンのうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項２０に記載のパターン形成方法。
22. 前記液浸露光工程直後で前記乾燥補助媒体供給工程前の基板を洗浄液を用いて洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２０または請求項２１に記載のパターン形成方法。
23. 前記液浸露光工程直後で前記乾燥工程前の基板を洗浄液を用いて洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項１４から請求項１９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
24. 前記洗浄液は、アルキルアルコールおよびエーテルの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２３に記載のパターン形成方法。
25. 前記液浸露光工程前に基板に形成されたレジスト膜上に保護膜を形成する工程をさらに含み、
    前記洗浄工程は、基板に形成された保護膜の表面の接触角を低減させる機能を有する洗浄液または表面張力の小さい洗浄液を用いて行うことを特徴とする請求項２３に記載のパターン形成方法。
26. 前記保護膜の接触角を低減させる機能を有する洗浄液は、加熱された水、アルコールおよび前記保護膜を酸化させる機能を有する液体のうちの少なくとも１種を含み、
    前記表面張力の小さい洗浄液は界面活性剤を含むことを特徴とする請求項２４に記載のパターン形成方法。
27. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に請求項１４から請求項２６のいずれか１項に記載のパターン形成方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。

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