JPH01258423A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH01258423A
JPH01258423A JP8668288A JP8668288A JPH01258423A JP H01258423 A JPH01258423 A JP H01258423A JP 8668288 A JP8668288 A JP 8668288A JP 8668288 A JP8668288 A JP 8668288A JP H01258423 A JPH01258423 A JP H01258423A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dry air
wafer
temperature
heater
photoresist
Prior art date
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Pending
Application number
JP8668288A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomio Yamamoto
山本 冨男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01258423A publication Critical patent/JPH01258423A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特にリングラフィ工程におけるフ
ォトレジスト塗布装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、フォトレジスト塗布装置のプリベーク機構は温度
コントロールを精度よく行なうため、ホットプレート方
式を用いていた。しがし、微細加工化が進むにつれ、ウ
ェハー裏面のゴミが問題となってきたため、ホットプレ
ートから0.1〜0.5園程度ウェハーを浮かせてゴミ
付着を防止する方式が採用されるようになってきた。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のフォトレジスト塗布装置のプリベーク機構は温度
コントロールを精度よく行なうため、ホットプレート方
式により、ウェハーを直接加熱していた。しかし、フォ
トリソグラフィパターンの微細化が進むにつれて、ホッ
トプレートとの接触時にウェハー裏面に付着するゴミが
問題となってきたため、ホットプレート上の数点に突起
部を設置し、ウェハーとの間に0.1〜0.5−程度の
隙間を設けて、ゴミの付着を防止する方式が採られてき
た。この方式では、プリベーク時に蒸発するフォトレジ
ストの溶剤をパージするための乾燥空気が上記隙間を通
るが、この乾燥空気は温度コントロールを行なっていな
いため、ウェハーが冷され、結果としてウェハーの温度
コントロールの精度が低下するという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置の製造装
置を提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のフォトレジスト塗布装置のプリベーク部
はウェハーを加熱するためのホットプレート部分にのみ
ヒーターを備えているのに対し、本発明の装置はフォト
レジストの溶剤蒸気をパージするための乾燥空気導入管
部分にもヒーターを備えているという相違点を有する。
[11i91を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製
造装置においては、フォトレジスト塗布後のプリベーク
機構のパージ用乾燥空気の導入部に、パージ用乾燥空気
の温度調整を行なう温度コントロール機構を有するもの
である。
【実施例〕
以下、本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第1図は本発明の実施例1を示す縦断面図である。
図において、ホットプレート3にはウェハー加熱用ヒー
ター4を内蔵しており、一方ホットプレート3上の突起
3aにてウェハー1を支持する。さらに、ホットプレー
ト3上のウェハー1に横方向から乾燥空気を吹き付ける
乾燥空気用ノズル2を設け、該ノズル2に乾燥空気導入
管5を接続し、該乾燥空気導入管5に乾燥空気加熱用ヒ
ーター6を設置する。
実施例において、ウェハー1はホットプレート3の内部
に取付けられたヒーター4で加熱される。
このとき、ウェハー1上に塗布されたフォトレジストか
ら蒸発した溶剤をパージするため、ノズル2から乾燥空
気を出す、この乾燥空気は乾燥空気導入管5の一部に取
付けられたヒーター6でウェハー温度と同じになるよう
にウェハー加熱用ヒーター4に連動して制御されている
。したがって、ウェハー温度はパージ用乾燥空気で冷さ
れることなく、ウェハー加熱用ヒーター4で精度よく温
度コントロールされる。
(実施例2) 第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
第2図において、ウェハー11は第1図と同様にヒータ
ー14で加熱され、またノズル12から出てくる乾燥空
気で溶剤をパージする。この実施例では、乾燥空気加熱
用ヒーターを、ウェハー加熱用ヒーター14と共用させ
ることにより、ウェハーの温度コントロールを行なうと
同時に乾燥空気の温度コントロールを行なうことができ
る。また、実施例1に比べ装置をよりコンパクトにする
ことができるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明のフォトレジスト塗布装置は
プリベーク機構において、ウェハー裏面にゴミが付着し
ないようにホットプレートからウェハーを0.1〜0.
5閣浮かす構造の場合にも、ウェハーの温度コントロー
ルを精度良く行なうことができ、ウェハー裏面にゴミを
付着させることなく。
ウニハル上に塗布されたフォトレジストの感度を精度良
くコントロールすることができ、結果としてフォトレジ
ストパターンの寸法精度を向上させることができる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の縦断面図、第2図は本発明
の実施例2の縦断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)フォトレジスト塗布後のプリベーク機構のパージ
    用乾燥空気の導入部に、パージ用乾燥空気の温度調整を
    行なう温度コントロール機構を有することを特徴とする
    半導体装置の製造装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153422A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Tokyo Electron Ltd 塗布・現像装置およびパターン形成方法
US8869418B2 (en) 2008-10-31 2014-10-28 Lg Display Co. Ltd. Apparatus for fabricating display device
CN106113899A (zh) * 2016-06-23 2016-11-16 成都新图新材料股份有限公司 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干系统
CN106113898A (zh) * 2016-06-23 2016-11-16 成都新图新材料股份有限公司 一种铝板基涂布后的烘干机构

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