JPH01258423A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH01258423A JPH01258423A JP8668288A JP8668288A JPH01258423A JP H01258423 A JPH01258423 A JP H01258423A JP 8668288 A JP8668288 A JP 8668288A JP 8668288 A JP8668288 A JP 8668288A JP H01258423 A JPH01258423 A JP H01258423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry air
- wafer
- temperature
- heater
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特にリングラフィ工程におけるフ
ォトレジスト塗布装置に関するものである。
ォトレジスト塗布装置に関するものである。
従来、フォトレジスト塗布装置のプリベーク機構は温度
コントロールを精度よく行なうため、ホットプレート方
式を用いていた。しがし、微細加工化が進むにつれ、ウ
ェハー裏面のゴミが問題となってきたため、ホットプレ
ートから0.1〜0.5園程度ウェハーを浮かせてゴミ
付着を防止する方式が採用されるようになってきた。
コントロールを精度よく行なうため、ホットプレート方
式を用いていた。しがし、微細加工化が進むにつれ、ウ
ェハー裏面のゴミが問題となってきたため、ホットプレ
ートから0.1〜0.5園程度ウェハーを浮かせてゴミ
付着を防止する方式が採用されるようになってきた。
従来のフォトレジスト塗布装置のプリベーク機構は温度
コントロールを精度よく行なうため、ホットプレート方
式により、ウェハーを直接加熱していた。しかし、フォ
トリソグラフィパターンの微細化が進むにつれて、ホッ
トプレートとの接触時にウェハー裏面に付着するゴミが
問題となってきたため、ホットプレート上の数点に突起
部を設置し、ウェハーとの間に0.1〜0.5−程度の
隙間を設けて、ゴミの付着を防止する方式が採られてき
た。この方式では、プリベーク時に蒸発するフォトレジ
ストの溶剤をパージするための乾燥空気が上記隙間を通
るが、この乾燥空気は温度コントロールを行なっていな
いため、ウェハーが冷され、結果としてウェハーの温度
コントロールの精度が低下するという欠点がある。
コントロールを精度よく行なうため、ホットプレート方
式により、ウェハーを直接加熱していた。しかし、フォ
トリソグラフィパターンの微細化が進むにつれて、ホッ
トプレートとの接触時にウェハー裏面に付着するゴミが
問題となってきたため、ホットプレート上の数点に突起
部を設置し、ウェハーとの間に0.1〜0.5−程度の
隙間を設けて、ゴミの付着を防止する方式が採られてき
た。この方式では、プリベーク時に蒸発するフォトレジ
ストの溶剤をパージするための乾燥空気が上記隙間を通
るが、この乾燥空気は温度コントロールを行なっていな
いため、ウェハーが冷され、結果としてウェハーの温度
コントロールの精度が低下するという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置の製造装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
上述した従来のフォトレジスト塗布装置のプリベーク部
はウェハーを加熱するためのホットプレート部分にのみ
ヒーターを備えているのに対し、本発明の装置はフォト
レジストの溶剤蒸気をパージするための乾燥空気導入管
部分にもヒーターを備えているという相違点を有する。
はウェハーを加熱するためのホットプレート部分にのみ
ヒーターを備えているのに対し、本発明の装置はフォト
レジストの溶剤蒸気をパージするための乾燥空気導入管
部分にもヒーターを備えているという相違点を有する。
[11i91を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製
造装置においては、フォトレジスト塗布後のプリベーク
機構のパージ用乾燥空気の導入部に、パージ用乾燥空気
の温度調整を行なう温度コントロール機構を有するもの
である。
造装置においては、フォトレジスト塗布後のプリベーク
機構のパージ用乾燥空気の導入部に、パージ用乾燥空気
の温度調整を行なう温度コントロール機構を有するもの
である。
以下、本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1)
第1図は本発明の実施例1を示す縦断面図である。
図において、ホットプレート3にはウェハー加熱用ヒー
ター4を内蔵しており、一方ホットプレート3上の突起
3aにてウェハー1を支持する。さらに、ホットプレー
ト3上のウェハー1に横方向から乾燥空気を吹き付ける
乾燥空気用ノズル2を設け、該ノズル2に乾燥空気導入
管5を接続し、該乾燥空気導入管5に乾燥空気加熱用ヒ
ーター6を設置する。
ター4を内蔵しており、一方ホットプレート3上の突起
3aにてウェハー1を支持する。さらに、ホットプレー
ト3上のウェハー1に横方向から乾燥空気を吹き付ける
乾燥空気用ノズル2を設け、該ノズル2に乾燥空気導入
管5を接続し、該乾燥空気導入管5に乾燥空気加熱用ヒ
ーター6を設置する。
実施例において、ウェハー1はホットプレート3の内部
に取付けられたヒーター4で加熱される。
に取付けられたヒーター4で加熱される。
このとき、ウェハー1上に塗布されたフォトレジストか
ら蒸発した溶剤をパージするため、ノズル2から乾燥空
気を出す、この乾燥空気は乾燥空気導入管5の一部に取
付けられたヒーター6でウェハー温度と同じになるよう
にウェハー加熱用ヒーター4に連動して制御されている
。したがって、ウェハー温度はパージ用乾燥空気で冷さ
れることなく、ウェハー加熱用ヒーター4で精度よく温
度コントロールされる。
ら蒸発した溶剤をパージするため、ノズル2から乾燥空
気を出す、この乾燥空気は乾燥空気導入管5の一部に取
付けられたヒーター6でウェハー温度と同じになるよう
にウェハー加熱用ヒーター4に連動して制御されている
。したがって、ウェハー温度はパージ用乾燥空気で冷さ
れることなく、ウェハー加熱用ヒーター4で精度よく温
度コントロールされる。
(実施例2)
第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
第2図において、ウェハー11は第1図と同様にヒータ
ー14で加熱され、またノズル12から出てくる乾燥空
気で溶剤をパージする。この実施例では、乾燥空気加熱
用ヒーターを、ウェハー加熱用ヒーター14と共用させ
ることにより、ウェハーの温度コントロールを行なうと
同時に乾燥空気の温度コントロールを行なうことができ
る。また、実施例1に比べ装置をよりコンパクトにする
ことができるという利点がある。
ー14で加熱され、またノズル12から出てくる乾燥空
気で溶剤をパージする。この実施例では、乾燥空気加熱
用ヒーターを、ウェハー加熱用ヒーター14と共用させ
ることにより、ウェハーの温度コントロールを行なうと
同時に乾燥空気の温度コントロールを行なうことができ
る。また、実施例1に比べ装置をよりコンパクトにする
ことができるという利点がある。
以上説明したように本発明のフォトレジスト塗布装置は
プリベーク機構において、ウェハー裏面にゴミが付着し
ないようにホットプレートからウェハーを0.1〜0.
5閣浮かす構造の場合にも、ウェハーの温度コントロー
ルを精度良く行なうことができ、ウェハー裏面にゴミを
付着させることなく。
プリベーク機構において、ウェハー裏面にゴミが付着し
ないようにホットプレートからウェハーを0.1〜0.
5閣浮かす構造の場合にも、ウェハーの温度コントロー
ルを精度良く行なうことができ、ウェハー裏面にゴミを
付着させることなく。
ウニハル上に塗布されたフォトレジストの感度を精度良
くコントロールすることができ、結果としてフォトレジ
ストパターンの寸法精度を向上させることができる効果
がある。
くコントロールすることができ、結果としてフォトレジ
ストパターンの寸法精度を向上させることができる効果
がある。
第1図は本発明の実施例1の縦断面図、第2図は本発明
の実施例2の縦断面図である。
の実施例2の縦断面図である。
Claims (1)
- (1)フォトレジスト塗布後のプリベーク機構のパージ
用乾燥空気の導入部に、パージ用乾燥空気の温度調整を
行なう温度コントロール機構を有することを特徴とする
半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8668288A JPH01258423A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8668288A JPH01258423A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01258423A true JPH01258423A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=13893781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8668288A Pending JPH01258423A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01258423A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153422A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置およびパターン形成方法 |
US8869418B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-10-28 | Lg Display Co. Ltd. | Apparatus for fabricating display device |
CN106113899A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干系统 |
CN106113898A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布后的烘干机构 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8668288A patent/JPH01258423A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153422A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置およびパターン形成方法 |
US8869418B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-10-28 | Lg Display Co. Ltd. | Apparatus for fabricating display device |
CN106113899A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干系统 |
CN106113898A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-16 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布后的烘干机构 |
CN106113899B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-12-04 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干系统 |
CN106113898B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-12-28 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布后的烘干机构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3696156B2 (ja) | 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法 | |
KR100590355B1 (ko) | 베이킹장치및베이킹방법 | |
US20070137556A1 (en) | Thermal processing appparatus | |
JP3708786B2 (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体製造システム | |
JPH01258423A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
US6613487B1 (en) | Pre-alignment system of exposure apparatus having wafer cooling means and exposure method using the same | |
JP2001068407A (ja) | ウェーハ用熱処理装置及び方法 | |
JP2008058898A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
JP3619876B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
KR100339685B1 (ko) | 반도체웨이퍼상의레지스트를베이킹하기위한장치 | |
JP5104192B2 (ja) | レジスト塗布基板の熱処理装置及びその熱処理方法 | |
JPS55123131A (en) | Exposer for mask alignment | |
JPH10214782A (ja) | 露光装置 | |
JPH1055951A (ja) | ベーキング装置およびベーキング方法 | |
JP3719837B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JPH07142356A (ja) | レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム | |
JP2005123651A (ja) | レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法 | |
JPH0862849A (ja) | フォトレジスト塗布方法及びその装置 | |
JPH09129535A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP2007096347A (ja) | 被処理基板のローテーション補正装置、レジスト膜の処理装置、被処理基板のローテーション補正方法、レジスト膜の処理方法 | |
JPH04158512A (ja) | ベーク処理装置 | |
JP2004517493A (ja) | 基板の改善されたベーキング均一化のための可変表面を有するホットプレート | |
JP2006245505A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
JPH0637006A (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH02130816A (ja) | フォトレジスト塗布装置 |