JPH1055951A - ベーキング装置およびベーキング方法 - Google Patents
ベーキング装置およびベーキング方法Info
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- JPH1055951A JPH1055951A JP21275396A JP21275396A JPH1055951A JP H1055951 A JPH1055951 A JP H1055951A JP 21275396 A JP21275396 A JP 21275396A JP 21275396 A JP21275396 A JP 21275396A JP H1055951 A JPH1055951 A JP H1055951A
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- cooling
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学増幅型レジストを使用するレジスト工程
における、ＰＥＢ工程時の半導体ウェハ面内温度を均一
化して面内熱履歴差異の無い熱処理を可能にするベーキ
ング装置およびベーキング方法を提供する。 【解決手段】 ＰＥＢ装置の加熱部５ａの処理室１１下
方より処理室１１内に導入する不活性ガスのガス配管系
３１にガス流量調整器３４とガス加熱器３５を設け、半
導体ウェハ１０を載置して加熱する加熱基板１２周縁部
より加熱基板上面側に不活性ガスを吹き出ださせる吹き
出し孔３２を設けた加熱部により、半導体ウェハ１０を
加熱し、その後半導体ウェハ１０をＰＥＢ装置の冷却部
に移動させて冷却する。 【効果】 高集積化した半導体装置の製造が可能とな
る。
における、ＰＥＢ工程時の半導体ウェハ面内温度を均一
化して面内熱履歴差異の無い熱処理を可能にするベーキ
ング装置およびベーキング方法を提供する。 【解決手段】 ＰＥＢ装置の加熱部５ａの処理室１１下
方より処理室１１内に導入する不活性ガスのガス配管系
３１にガス流量調整器３４とガス加熱器３５を設け、半
導体ウェハ１０を載置して加熱する加熱基板１２周縁部
より加熱基板上面側に不活性ガスを吹き出ださせる吹き
出し孔３２を設けた加熱部により、半導体ウェハ１０を
加熱し、その後半導体ウェハ１０をＰＥＢ装置の冷却部
に移動させて冷却する。 【効果】 高集積化した半導体装置の製造が可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はベーキング装置およ
びベーキング方法に関し、さらに詳しくは、半導体装置
の製造における、化学増幅型レジスト使用のフォトレジ
スト工程で用いられるＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕ
ｒｅ Ｂａｋｅ）装置と言われるベーキング装置および
ベーキング方法に関する。
びベーキング方法に関し、さらに詳しくは、半導体装置
の製造における、化学増幅型レジスト使用のフォトレジ
スト工程で用いられるＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕ
ｒｅ Ｂａｋｅ）装置と言われるベーキング装置および
ベーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、回
路パターンを微細化する技術が要求されている。このた
め、フォトリソグラフィ技術にあっては、短波長の露光
光源や高ＮＡを持つ照明レンズ系による高解像度の露光
装置の開発、高解像度で高感度のフォトレジスト等の開
発が盛んに行われている。特に、クォータミクロン程度
のパターン形成には、ＡｒＦエキシマレーザやＫｒＦエ
キシマレーザ等の光源を用い、化学増幅型レジストとい
われるフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技術
が盛んに使用されている。
路パターンを微細化する技術が要求されている。このた
め、フォトリソグラフィ技術にあっては、短波長の露光
光源や高ＮＡを持つ照明レンズ系による高解像度の露光
装置の開発、高解像度で高感度のフォトレジスト等の開
発が盛んに行われている。特に、クォータミクロン程度
のパターン形成には、ＡｒＦエキシマレーザやＫｒＦエ
キシマレーザ等の光源を用い、化学増幅型レジストとい
われるフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技術
が盛んに使用されている。
【０００３】この化学増幅型レジストには、ポジ型とネ
ガ型があり、例えばポジ型は、フェノール系樹脂に感光
性酸発生剤と架橋剤若しくは溶解阻止剤が配合されてい
るものである。このフォトレジストを露光すると、感光
性酸発生剤から分解生成した酸が、その後の露光後のベ
ーク、即ちＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａ
ｋｅ）により拡散し、架橋剤若しくは溶解阻止剤を攻撃
して離脱反応を生じせしめ、その結果フェノール系樹脂
の水酸基が発現して露光部がアルカリ可溶性となる。そ
してこの反応は、酸を触媒として連鎖的に進行するの
で、化学増幅型レジストはきわめて高感度のフォトレジ
ストとなる。
ガ型があり、例えばポジ型は、フェノール系樹脂に感光
性酸発生剤と架橋剤若しくは溶解阻止剤が配合されてい
るものである。このフォトレジストを露光すると、感光
性酸発生剤から分解生成した酸が、その後の露光後のベ
ーク、即ちＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａ
ｋｅ）により拡散し、架橋剤若しくは溶解阻止剤を攻撃
して離脱反応を生じせしめ、その結果フェノール系樹脂
の水酸基が発現して露光部がアルカリ可溶性となる。そ
してこの反応は、酸を触媒として連鎖的に進行するの
で、化学増幅型レジストはきわめて高感度のフォトレジ
ストとなる。
【０００４】一方、この化学増幅型レジストは、触媒と
なる酸が極めて微量であり、パターニングの安定性、例
えば線幅安定性は、レジスト工程での処理条件のわずか
な変動や雰囲気等により大きな影響を受ける。この変動
要因としては、レジスト工程のレジスト塗布、露光、露
光後の雰囲気、露光後のＰＥＢ、現像等に潜んでいる
が、特に露光後の雰囲気と露光後のＰＥＢにおける要因
が大である。それは、露光後の雰囲気中に僅かな塩基性
物質があると、露光により発生した酸が失活して触媒と
しての効力を失うためである。また、露光により発生し
た酸を触媒とするフォトレジストの化学反応は、露光後
のＰＥＢによる熱処理で促進されるもので、この熱処理
条件の変動がパターニングの変動を起こすためである。
なる酸が極めて微量であり、パターニングの安定性、例
えば線幅安定性は、レジスト工程での処理条件のわずか
な変動や雰囲気等により大きな影響を受ける。この変動
要因としては、レジスト工程のレジスト塗布、露光、露
光後の雰囲気、露光後のＰＥＢ、現像等に潜んでいる
が、特に露光後の雰囲気と露光後のＰＥＢにおける要因
が大である。それは、露光後の雰囲気中に僅かな塩基性
物質があると、露光により発生した酸が失活して触媒と
しての効力を失うためである。また、露光により発生し
た酸を触媒とするフォトレジストの化学反応は、露光後
のＰＥＢによる熱処理で促進されるもので、この熱処理
条件の変動がパターニングの変動を起こすためである。
【０００５】次に、この化学増幅型レジストを用いた従
来のレジスト工程およびこのレジスト工程に使用される
ＰＥＢ装置に関して、図３〜図６を参照して説明する。
まず、レジスト工程は、図３に示すように、半導体ウェ
ハが収納されたウェハカセットを設置するウェハ供給部
１より、半導体ウェハを一枚ずつレジスト塗布部２に自
動搬送で送られる。レジスト塗布部２で半導体ウェハ上
に、上述した化学増幅型レジストが塗布され、レジスト
が塗布された半導体ウェハは、自動搬送により、プリベ
ーク部３に送られる。プリベーク部３でプリベークされ
た半導体ウェハは、露光装置４に自動搬送され、露光装
置４で露光される。
来のレジスト工程およびこのレジスト工程に使用される
ＰＥＢ装置に関して、図３〜図６を参照して説明する。
まず、レジスト工程は、図３に示すように、半導体ウェ
ハが収納されたウェハカセットを設置するウェハ供給部
１より、半導体ウェハを一枚ずつレジスト塗布部２に自
動搬送で送られる。レジスト塗布部２で半導体ウェハ上
に、上述した化学増幅型レジストが塗布され、レジスト
が塗布された半導体ウェハは、自動搬送により、プリベ
ーク部３に送られる。プリベーク部３でプリベークされ
た半導体ウェハは、露光装置４に自動搬送され、露光装
置４で露光される。
【０００６】露光された半導体ウェハは、直ちにＰＥＢ
装置５の加熱部５ａに自動搬送され、所定温度で所定時
間だけ正確に加熱され、その後ロボットアーム等で直ち
に冷却部５ａへ送られ冷却される。この加熱より冷却ま
での熱履歴が常に所定の熱履歴を再現しないと、パター
ニングの安定性が悪くなる。冷却された半導体ウェハ
は、現像部６に自動搬送されて、フォトレジストが現像
され、その後半導体ウェハを収納するウェハカセットが
設置されているウェハ収納部８に自動搬送され、ウェハ
カセットに一枚ずつ収納される。
装置５の加熱部５ａに自動搬送され、所定温度で所定時
間だけ正確に加熱され、その後ロボットアーム等で直ち
に冷却部５ａへ送られ冷却される。この加熱より冷却ま
での熱履歴が常に所定の熱履歴を再現しないと、パター
ニングの安定性が悪くなる。冷却された半導体ウェハ
は、現像部６に自動搬送されて、フォトレジストが現像
され、その後半導体ウェハを収納するウェハカセットが
設置されているウェハ収納部８に自動搬送され、ウェハ
カセットに一枚ずつ収納される。
【０００７】次に、このレジスト工程で使用されるＰＥ
Ｂ装置の詳細を説明する。ＰＥＢ装置は、上述した如
く、加熱部５ａと冷却部５ｂで構成されていて、露光装
置１より自動搬送されてきた半導体ウェハは、自動搬送
部と加熱部５ａ間、加熱部５ａと冷却部５ｂ間、冷却部
５ｂと現像部６側の自動搬送部間をロボットアーム（図
示省略）等によって移動するようになっている。このロ
ボットアーム等の使用による半導体ウェハの迅速な移動
が、半導体ウェハの所定の熱履歴を正確に再現する上で
必要となる。
Ｂ装置の詳細を説明する。ＰＥＢ装置は、上述した如
く、加熱部５ａと冷却部５ｂで構成されていて、露光装
置１より自動搬送されてきた半導体ウェハは、自動搬送
部と加熱部５ａ間、加熱部５ａと冷却部５ｂ間、冷却部
５ｂと現像部６側の自動搬送部間をロボットアーム（図
示省略）等によって移動するようになっている。このロ
ボットアーム等の使用による半導体ウェハの迅速な移動
が、半導体ウェハの所定の熱履歴を正確に再現する上で
必要となる。
【０００８】ＰＥＢ装置の加熱部５ａは、図４に示すよ
うな構成になっている。即ち加熱部５ａは、処理室１１
内に加熱ヒータ１３を内蔵し、半導体ウェハを載置する
た加熱基板１２と、駆動機構（図示省略）により上下移
動するベローズ１４と、このベローズ１４の上面に設け
られ、加熱基板１２に穿設された複数個、例えば３個の
貫通孔１２ａにそれぞれ挿通したピン１４ａとにより概
略構成されている。上述したピン１４ａは、ベローズ１
４の上面の上下移動でベローズ１４上面が最上位になっ
た時は、ピン１４ａの上端は加熱基板１２上面より突出
する。この状態で、ロボットアーム（図示省略）による
半導体ウェハ１０の搬入搬出が行われる。
うな構成になっている。即ち加熱部５ａは、処理室１１
内に加熱ヒータ１３を内蔵し、半導体ウェハを載置する
た加熱基板１２と、駆動機構（図示省略）により上下移
動するベローズ１４と、このベローズ１４の上面に設け
られ、加熱基板１２に穿設された複数個、例えば３個の
貫通孔１２ａにそれぞれ挿通したピン１４ａとにより概
略構成されている。上述したピン１４ａは、ベローズ１
４の上面の上下移動でベローズ１４上面が最上位になっ
た時は、ピン１４ａの上端は加熱基板１２上面より突出
する。この状態で、ロボットアーム（図示省略）による
半導体ウェハ１０の搬入搬出が行われる。
【０００９】一方、ベローズ１４の上面の上下移動で最
下位になった時は、ピン１４ａの上端は貫通孔１２ａ内
に没入し、ピン１４ａ上端に支持された半導体ウェハ１
０は矢印Ｃの下方に移動して加熱基板１２上面に載置さ
れ、半導体ウェハ１０の加熱処理が開始される。
下位になった時は、ピン１４ａの上端は貫通孔１２ａ内
に没入し、ピン１４ａ上端に支持された半導体ウェハ１
０は矢印Ｃの下方に移動して加熱基板１２上面に載置さ
れ、半導体ウェハ１０の加熱処理が開始される。
【００１０】なお、ベローズ１４の上面に設けられ３個
のピン１４ａは、加熱基板１２に半導体ウェハ１０を載
置した上面図である図５に示すように、半導体ウェハ１
０周縁部の内側の同心円上に等間隔で設け、半導体ウェ
ハ１０を安定に支えられるようになっている。また、処
理室１１内には、塩基性物質を含まない不活性ガス、例
えばＮ2 ガスがガス配管１５より常時導入され、ガス排
気口１６より排出されている。
のピン１４ａは、加熱基板１２に半導体ウェハ１０を載
置した上面図である図５に示すように、半導体ウェハ１
０周縁部の内側の同心円上に等間隔で設け、半導体ウェ
ハ１０を安定に支えられるようになっている。また、処
理室１１内には、塩基性物質を含まない不活性ガス、例
えばＮ2 ガスがガス配管１５より常時導入され、ガス排
気口１６より排出されている。
【００１１】一方、ＰＥＢ装置の冷却部５ｂは、図６に
示すように、処理室２１内に、冷却水が流れる中空部２
３を持ち、この中空部２３には冷却水の配管２４が接続
する冷却基板２２と、駆動機構（図示省略）により上下
移動するベローズ２５と、このベローズ２５の上面に設
けられ、冷却基板２２に穿設された複数個、例えば、３
個の貫通孔２２ａにそれぞれ挿通した３個のピン２５ａ
とにより概略構成されている。ベローズ２５上面に穿設
したピン２５ａが冷却基板２２上面より突出した状態
で、ロボットアームにより送られてきた、加熱された半
導体ウェハ１０がピン２５ａ上端に載置され、ベローズ
２５の下方への移動により、半導体ウェハ１０は矢印Ｄ
の下方に移動して冷却基板２２上に載置され、冷却開始
状態となる。また、処理室２１内には、塩基性物質を含
まない不活性ガス、例えばＮ2 ガスがガス配管２６より
常時導入され、ガス排気口２７より排出されている。
示すように、処理室２１内に、冷却水が流れる中空部２
３を持ち、この中空部２３には冷却水の配管２４が接続
する冷却基板２２と、駆動機構（図示省略）により上下
移動するベローズ２５と、このベローズ２５の上面に設
けられ、冷却基板２２に穿設された複数個、例えば、３
個の貫通孔２２ａにそれぞれ挿通した３個のピン２５ａ
とにより概略構成されている。ベローズ２５上面に穿設
したピン２５ａが冷却基板２２上面より突出した状態
で、ロボットアームにより送られてきた、加熱された半
導体ウェハ１０がピン２５ａ上端に載置され、ベローズ
２５の下方への移動により、半導体ウェハ１０は矢印Ｄ
の下方に移動して冷却基板２２上に載置され、冷却開始
状態となる。また、処理室２１内には、塩基性物質を含
まない不活性ガス、例えばＮ2 ガスがガス配管２６より
常時導入され、ガス排気口２７より排出されている。
【００１２】上述した加熱部５ａと冷却部５ｂとで構成
されるＰＥＢ装置により、所定の熱履歴による正確なＰ
ＥＢを行うことで、現像されて形成されるフォトレジス
トパターンの線幅安定化を図っている。
されるＰＥＢ装置により、所定の熱履歴による正確なＰ
ＥＢを行うことで、現像されて形成されるフォトレジス
トパターンの線幅安定化を図っている。
【００１３】しかしながら、上述したＰＥＢ装置では、
半導体ウェハ１０の加熱時に半導体ウェハ１０面内の中
心部と周辺部とでは温度差があり、また加熱した半導体
ウェハ１０の冷却時に半導体ウェハ１０面内の中心部と
周辺部とでの冷却速度に差がある。従って、半導体ウェ
ハ１０の中心部と周辺部とでは、熱履歴が異なってしま
い、半導体ウェハ１０全面を所定の熱履歴の熱処理を行
わせることが困難となる。化学増幅型レジストを使用す
る場合は、所定の熱履歴の熱処理を正確に行わせない
と、所望のパターニング精度が得られないので、上述の
ような半導体ウェハ１０の面内熱履歴の差異は、パター
ニングした線幅にばらつきが発生するという問題が生じ
る。
半導体ウェハ１０の加熱時に半導体ウェハ１０面内の中
心部と周辺部とでは温度差があり、また加熱した半導体
ウェハ１０の冷却時に半導体ウェハ１０面内の中心部と
周辺部とでの冷却速度に差がある。従って、半導体ウェ
ハ１０の中心部と周辺部とでは、熱履歴が異なってしま
い、半導体ウェハ１０全面を所定の熱履歴の熱処理を行
わせることが困難となる。化学増幅型レジストを使用す
る場合は、所定の熱履歴の熱処理を正確に行わせない
と、所望のパターニング精度が得られないので、上述の
ような半導体ウェハ１０の面内熱履歴の差異は、パター
ニングした線幅にばらつきが発生するという問題が生じ
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したベ
ーキング装置およびベーキング方法における問題点を解
決することをその目的とする。即ち本発明の課題は、化
学増幅型レジストを使用するレジスト工程における、Ｐ
ＥＢ工程時の半導体ウェハ面内温度を均一化して面内熱
履歴差異の無い熱処理を可能にするベーキング装置およ
びベーキング方法を提供することを目的とする。
ーキング装置およびベーキング方法における問題点を解
決することをその目的とする。即ち本発明の課題は、化
学増幅型レジストを使用するレジスト工程における、Ｐ
ＥＢ工程時の半導体ウェハ面内温度を均一化して面内熱
履歴差異の無い熱処理を可能にするベーキング装置およ
びベーキング方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のベーキング装置
およびベーキング方法は、上述の課題を解決するために
提案するものである。即ち本発明のベーキング装置は、
化学増幅型レジストを塗布した被処理基板の露光後にベ
ーキングをする、加熱部と冷却部とを有して構成された
ベーキング装置において、加熱部の処理室下方より処理
室内に導入する不活性ガスのガス配管系にガス流量調整
器とガス加熱器を設け、処理室下方より処理室内に導入
する不活性ガスを、被処理基板を載置して加熱する加熱
基板周縁部より加熱基板上面側に吹き出ださせる吹き出
し孔を設けた加熱部を有することを特徴とするものであ
る。
およびベーキング方法は、上述の課題を解決するために
提案するものである。即ち本発明のベーキング装置は、
化学増幅型レジストを塗布した被処理基板の露光後にベ
ーキングをする、加熱部と冷却部とを有して構成された
ベーキング装置において、加熱部の処理室下方より処理
室内に導入する不活性ガスのガス配管系にガス流量調整
器とガス加熱器を設け、処理室下方より処理室内に導入
する不活性ガスを、被処理基板を載置して加熱する加熱
基板周縁部より加熱基板上面側に吹き出ださせる吹き出
し孔を設けた加熱部を有することを特徴とするものであ
る。
【００１６】本発明のベーキング方法は、請求項１に記
載のベーキング装置を用いた、化学増幅型レジストを塗
布した被処理基板の露光後のベーキング方法において、
所定流量、所定温度の不活性ガスを、ベーキング装置の
加熱部の処理室に導入する工程と、加熱部の加熱基板を
所定温度にする工程と、加熱部の加熱基板上に被処理基
板を載置し、所定時間熱処理する工程と、加熱部の加熱
基板上の被処理基板を取り出し、ベーキング装置の冷却
部の冷却基板上に載置して被処理基板を冷却する工程と
を有することを特徴とするものである。
載のベーキング装置を用いた、化学増幅型レジストを塗
布した被処理基板の露光後のベーキング方法において、
所定流量、所定温度の不活性ガスを、ベーキング装置の
加熱部の処理室に導入する工程と、加熱部の加熱基板を
所定温度にする工程と、加熱部の加熱基板上に被処理基
板を載置し、所定時間熱処理する工程と、加熱部の加熱
基板上の被処理基板を取り出し、ベーキング装置の冷却
部の冷却基板上に載置して被処理基板を冷却する工程と
を有することを特徴とするものである。
【００１７】本発明によれば、ベーキング装置の加熱部
の処理室下方より、所定流量および所定温度の不活性ガ
スを導入し、加熱基板周縁部に設けた不活性ガスの吹き
出し孔より、加熱基板上面の中央上方部に吹き出させる
ことで、加熱基板上に載置された被処理基板の周辺部の
温度低下を抑えられ、被処理基板の温度均一化が図れ
る。従って化学増幅型レジストを用いた微細化したパタ
ーンは、被処理基板面内での線幅バラツキがほとんど無
い状態で形成でき、高集積化した半導体装置の製造が可
能となる。
の処理室下方より、所定流量および所定温度の不活性ガ
スを導入し、加熱基板周縁部に設けた不活性ガスの吹き
出し孔より、加熱基板上面の中央上方部に吹き出させる
ことで、加熱基板上に載置された被処理基板の周辺部の
温度低下を抑えられ、被処理基板の温度均一化が図れ
る。従って化学増幅型レジストを用いた微細化したパタ
ーンは、被処理基板面内での線幅バラツキがほとんど無
い状態で形成でき、高集積化した半導体装置の製造が可
能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３〜図６中の構成部分と同様の構成
部分には、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３〜図６中の構成部分と同様の構成
部分には、同一の参照符号を付すものとする。
【００１９】本実施の形態例は、化学増幅型レジストを
使用するレジスト工程における、ＰＥＢ工程のベーキン
グ装置およびベーキング方法に本発明を適用した例であ
り、これを図１および図２を参照して説明する。化学増
幅型レジストを使用するレジスト工程は、図３を参照し
て説明した従来例と同様なので説明を省略し、このレジ
スト工程におけるＰＥＢ工程で使用するベーキング装置
およびベーキング方法を以下に説明する。
使用するレジスト工程における、ＰＥＢ工程のベーキン
グ装置およびベーキング方法に本発明を適用した例であ
り、これを図１および図２を参照して説明する。化学増
幅型レジストを使用するレジスト工程は、図３を参照し
て説明した従来例と同様なので説明を省略し、このレジ
スト工程におけるＰＥＢ工程で使用するベーキング装置
およびベーキング方法を以下に説明する。
【００２０】まず、ＰＥＢ装置の加熱部５ａは、図１に
示すように、処理室部３０と、処理室１１内の雰囲気を
不活性ガス、例えばＮ2 ガス雰囲気にするために、不活
性ガスを導入するガス配管系３１とで概略構成されてい
る。加熱部５ａの処理室部３０は、処理室１１内に加熱
ヒータ１３を内蔵し、被処理基板、例えば半導体ウェハ
を載置する加熱基板１２と、駆動機構（図示省略）によ
り上下移動するベローズ１４と、このベローズ１４の上
面に設けられ、加熱基板１２に穿設された複数個、例え
ば３個の貫通孔１２ａにそれぞれ挿通したピン１４ａ
と、加熱基板１２周縁部に沿って、約等しい幅、例えば
約２ｍｍ幅を持って設けられる、不活性ガスの吹き出し
孔３２を形成するための、ガイドリング３３とにより概
略構成されている。
示すように、処理室部３０と、処理室１１内の雰囲気を
不活性ガス、例えばＮ2 ガス雰囲気にするために、不活
性ガスを導入するガス配管系３１とで概略構成されてい
る。加熱部５ａの処理室部３０は、処理室１１内に加熱
ヒータ１３を内蔵し、被処理基板、例えば半導体ウェハ
を載置する加熱基板１２と、駆動機構（図示省略）によ
り上下移動するベローズ１４と、このベローズ１４の上
面に設けられ、加熱基板１２に穿設された複数個、例え
ば３個の貫通孔１２ａにそれぞれ挿通したピン１４ａ
と、加熱基板１２周縁部に沿って、約等しい幅、例えば
約２ｍｍ幅を持って設けられる、不活性ガスの吹き出し
孔３２を形成するための、ガイドリング３３とにより概
略構成されている。
【００２１】上述したピン１４ａは、ベローズ１４の上
面の上下移動でベローズ１４上面が最上位になった時
は、ピン１４ａの上端は加熱基板１２上面より突出す
る。この状態で、ロボットアーム（図示省略）による半
導体ウェハ１０の搬入搬出が行われる。一方、ベローズ
１４の上面の上下移動で最下位になった時は、ピン１４
ａの上端は貫通孔１２ａ内に没入し、ピン１４ａ上端に
支持された半導体ウェハ１０は矢印Ａの下方に移動して
加熱基板１２上面に載置され、半導体ウェハ１０の加熱
処理が開始状態となる。なお、ベローズ１４の上面に設
けられ３個のピン１４ａは、従来例と同様な平面的配置
（図５参照）になっている。
面の上下移動でベローズ１４上面が最上位になった時
は、ピン１４ａの上端は加熱基板１２上面より突出す
る。この状態で、ロボットアーム（図示省略）による半
導体ウェハ１０の搬入搬出が行われる。一方、ベローズ
１４の上面の上下移動で最下位になった時は、ピン１４
ａの上端は貫通孔１２ａ内に没入し、ピン１４ａ上端に
支持された半導体ウェハ１０は矢印Ａの下方に移動して
加熱基板１２上面に載置され、半導体ウェハ１０の加熱
処理が開始状態となる。なお、ベローズ１４の上面に設
けられ３個のピン１４ａは、従来例と同様な平面的配置
（図５参照）になっている。
【００２２】加熱部５ａのＮ2 ガスのガス配管系３１に
は、流量調整器、例えばＭＦＣ（マスフローコントロー
ラ）３４とＮ2 ガスを加熱するガス加熱器３５が設けら
れていて、処理室１１に導入するＮ2 ガスのガス流量と
ガス温度を調整している。このＮ2 ガスは、処理室１１
の下方に設けられたガス配管１５より処理室１１内に導
入され、加熱基板１２周縁部とガイドリング３３間に設
けられた吹き出し孔３２より加熱基板１２の上方に吹き
出される。ガイドリング３３上面位置が加熱基板１２上
面位置より上方に位置するガイドリング３３形状と、半
導体ウェハ１０中央部の上方に位置する排気口１６との
関係で、吹き出し孔３２より吹き出されたＮ2 ガスの流
れは、半導体ウェハ１０の中央上方に向かう。従って半
導体ウェハ１０周辺部は、この加熱されたＮ2 ガスから
の熱供給を受けるので、従来のような加熱基板１２のみ
による半導体ウェハ１０の温度不均一性を補償し、半導
体ウェハ１０の温度均一化が可能となる。
は、流量調整器、例えばＭＦＣ（マスフローコントロー
ラ）３４とＮ2 ガスを加熱するガス加熱器３５が設けら
れていて、処理室１１に導入するＮ2 ガスのガス流量と
ガス温度を調整している。このＮ2 ガスは、処理室１１
の下方に設けられたガス配管１５より処理室１１内に導
入され、加熱基板１２周縁部とガイドリング３３間に設
けられた吹き出し孔３２より加熱基板１２の上方に吹き
出される。ガイドリング３３上面位置が加熱基板１２上
面位置より上方に位置するガイドリング３３形状と、半
導体ウェハ１０中央部の上方に位置する排気口１６との
関係で、吹き出し孔３２より吹き出されたＮ2 ガスの流
れは、半導体ウェハ１０の中央上方に向かう。従って半
導体ウェハ１０周辺部は、この加熱されたＮ2 ガスから
の熱供給を受けるので、従来のような加熱基板１２のみ
による半導体ウェハ１０の温度不均一性を補償し、半導
体ウェハ１０の温度均一化が可能となる。
【００２３】次に、ＰＥＢ装置の冷却部５ｂは、図２に
示すように、処理室部４０と、処理室２１内の雰囲気を
不活性ガス、例えばＮ2 ガス雰囲気にするために、不活
性ガスを導入するガス配管系４１とで概略構成されてい
る。冷却部５ｂの処理室部４０は、処理室２１内に、冷
却水のが流れる中空部２３を持ち、この中空部２３に冷
却水の配管２４が接続する冷却基板２２と、駆動機構
（図示省略）により上下移動するベローズ２５と、この
ベローズ２５の上面に設けられ、冷却基板２２に穿設さ
れた複数個、例えば、３個の貫通孔２２ａにそれぞれ挿
通したピン２５ａと、冷却基板２２周縁部に沿って、略
等しい幅、例えば約２ｍｍ幅で設けられる、不活性ガス
の吹き出し孔４２を形成するための、ガイドリング４３
とにより概略構成されている。ベローズ１４上面に穿設
したピン２５ａが、冷却基板２２上面より突出した状態
で、ロボットアームにより送られてきた、加熱された半
導体ウェハ１０がピン２５ａ上端に載置され、ベローズ
２５の下方への移動により、半導体ウェハ１０は矢印Ｂ
の下方に移動して冷却基板２２上に載置され、冷却開始
状態となる。
示すように、処理室部４０と、処理室２１内の雰囲気を
不活性ガス、例えばＮ2 ガス雰囲気にするために、不活
性ガスを導入するガス配管系４１とで概略構成されてい
る。冷却部５ｂの処理室部４０は、処理室２１内に、冷
却水のが流れる中空部２３を持ち、この中空部２３に冷
却水の配管２４が接続する冷却基板２２と、駆動機構
（図示省略）により上下移動するベローズ２５と、この
ベローズ２５の上面に設けられ、冷却基板２２に穿設さ
れた複数個、例えば、３個の貫通孔２２ａにそれぞれ挿
通したピン２５ａと、冷却基板２２周縁部に沿って、略
等しい幅、例えば約２ｍｍ幅で設けられる、不活性ガス
の吹き出し孔４２を形成するための、ガイドリング４３
とにより概略構成されている。ベローズ１４上面に穿設
したピン２５ａが、冷却基板２２上面より突出した状態
で、ロボットアームにより送られてきた、加熱された半
導体ウェハ１０がピン２５ａ上端に載置され、ベローズ
２５の下方への移動により、半導体ウェハ１０は矢印Ｂ
の下方に移動して冷却基板２２上に載置され、冷却開始
状態となる。
【００２４】冷却部５ｂのＮ2 ガスのガス配管系４１に
は、流量調整器、例えばＭＦＣ（マスフローコントロー
ラ）４４とＮ2 ガスを冷却するガス冷却器４５が設けら
れていて、処理室２１に導入するＮ2 ガスのガス流量と
ガス温度を調整している。このＮ2 ガスは、処理室２１
の下方の設けられたガス配管２６より処理室２１内に導
入され、冷却基板２２周縁部とガイドリング４３間に設
けられた吹き出し孔４２より冷却基板２２の上方に吹き
出される。ガイドリング４３上面位置が冷却基板２２上
面位置より上方に位置するガイドリング４３形状と、半
導体ウェハ１０中央部の上方に位置する排気口２７との
関係で、吹き出し孔４２より吹き出されたＮ2 ガスの流
れは、半導体ウェハ１０の中央上方に向かう。従って半
導体ウェハ１０周辺部は、この冷却されたＮ2 ガスへ熱
を放出するので、従来のような冷却基板２２のみによる
半導体ウェハ１０の温度不均一性を補償し、半導体ウェ
ハ１０の温度均一化が可能となる。
は、流量調整器、例えばＭＦＣ（マスフローコントロー
ラ）４４とＮ2 ガスを冷却するガス冷却器４５が設けら
れていて、処理室２１に導入するＮ2 ガスのガス流量と
ガス温度を調整している。このＮ2 ガスは、処理室２１
の下方の設けられたガス配管２６より処理室２１内に導
入され、冷却基板２２周縁部とガイドリング４３間に設
けられた吹き出し孔４２より冷却基板２２の上方に吹き
出される。ガイドリング４３上面位置が冷却基板２２上
面位置より上方に位置するガイドリング４３形状と、半
導体ウェハ１０中央部の上方に位置する排気口２７との
関係で、吹き出し孔４２より吹き出されたＮ2 ガスの流
れは、半導体ウェハ１０の中央上方に向かう。従って半
導体ウェハ１０周辺部は、この冷却されたＮ2 ガスへ熱
を放出するので、従来のような冷却基板２２のみによる
半導体ウェハ１０の温度不均一性を補償し、半導体ウェ
ハ１０の温度均一化が可能となる。
【００２５】次に、上述したＰＥＢ装置５を用いたベー
キング方法を説明する。半導体装置製造のレジスト工程
において、半導体ウェハ１０に化学増幅型レジストが塗
布され、ペレベークされ、ＡｒＦエキシマレーザ露光装
置等により露光された半導体ウェハ１０は、自動搬送に
より、ＰＥＢ装置５に送られる。この半導体ウェハ１０
は、ＰＥＢ装置５部のロボットアームによって、ＰＥＢ
装置５部の加熱部５ａに移動し、ベローズ１４上面に穿
設したピン１４ａ上端に載置される。なお、図面は省略
したが、半導体ウェハ１０をロボットアームにより搬入
搬出する搬入搬出口は、ロボットアームが半導体ウェハ
１０を移動させる時以外は閉じた状態となっている。
キング方法を説明する。半導体装置製造のレジスト工程
において、半導体ウェハ１０に化学増幅型レジストが塗
布され、ペレベークされ、ＡｒＦエキシマレーザ露光装
置等により露光された半導体ウェハ１０は、自動搬送に
より、ＰＥＢ装置５に送られる。この半導体ウェハ１０
は、ＰＥＢ装置５部のロボットアームによって、ＰＥＢ
装置５部の加熱部５ａに移動し、ベローズ１４上面に穿
設したピン１４ａ上端に載置される。なお、図面は省略
したが、半導体ウェハ１０をロボットアームにより搬入
搬出する搬入搬出口は、ロボットアームが半導体ウェハ
１０を移動させる時以外は閉じた状態となっている。
【００２６】ピン１４ａ上端に載置された半導体ウェハ
１０は、駆動機構（図示省略）により上下移動するベロ
ーズ１４の移動で、矢印Ａの下方に移動して加熱基板１
２上面に載置され、半導体ウェハ１０の加熱処理が開始
する。なお、この加熱基板１２は加熱ヒータ１３によ
り、前もって所定の温度、例えば１１０°Ｃに加熱して
おき、処理室１１内にはガス流量とガス温度が調整され
たＮ2 ガスが導入されている状態になっている。このガ
ス流量としては、例えば２０００ｓｃｃｍとし、ガス温
度としては、例えば１１５°Ｃとする。
１０は、駆動機構（図示省略）により上下移動するベロ
ーズ１４の移動で、矢印Ａの下方に移動して加熱基板１
２上面に載置され、半導体ウェハ１０の加熱処理が開始
する。なお、この加熱基板１２は加熱ヒータ１３によ
り、前もって所定の温度、例えば１１０°Ｃに加熱して
おき、処理室１１内にはガス流量とガス温度が調整され
たＮ2 ガスが導入されている状態になっている。このガ
ス流量としては、例えば２０００ｓｃｃｍとし、ガス温
度としては、例えば１１５°Ｃとする。
【００２７】加熱基板１２上面に載置された半導体ウェ
ハ１０は、所定時間、例えば９０秒経過後、ベローズ１
４の移動で矢印Ａの上方に移動して、その後直ちに、ロ
ボットアームにより、半導体ウェハ１０を捉えられてＰ
ＥＢ装置５部の冷却部５ｂに移動し、ベローズ２５上面
に穿設したピン２５ａ上端に載置される。ピン２５ａ上
端に載置された半導体ウェハ１０は、駆動機構（図示省
略）により上下移動するベローズ２５の移動で、矢印Ａ
の下方に移動して冷却基板２２上面に載置され、半導体
ウェハ１０の冷却処理が開始する。なお、この冷却基板
２２は冷却水により、前もって所定の温度、例えば２５
°Ｃに設定しておき、処理室２１内にはガス流量とガス
温度が調整されたＮ2 ガスが導入されている状態になっ
ている。このガス流量としては、例えば２０００ｓｃｃ
ｍとし、ガス温度としては、例えば２２°Ｃとする。
ハ１０は、所定時間、例えば９０秒経過後、ベローズ１
４の移動で矢印Ａの上方に移動して、その後直ちに、ロ
ボットアームにより、半導体ウェハ１０を捉えられてＰ
ＥＢ装置５部の冷却部５ｂに移動し、ベローズ２５上面
に穿設したピン２５ａ上端に載置される。ピン２５ａ上
端に載置された半導体ウェハ１０は、駆動機構（図示省
略）により上下移動するベローズ２５の移動で、矢印Ａ
の下方に移動して冷却基板２２上面に載置され、半導体
ウェハ１０の冷却処理が開始する。なお、この冷却基板
２２は冷却水により、前もって所定の温度、例えば２５
°Ｃに設定しておき、処理室２１内にはガス流量とガス
温度が調整されたＮ2 ガスが導入されている状態になっ
ている。このガス流量としては、例えば２０００ｓｃｃ
ｍとし、ガス温度としては、例えば２２°Ｃとする。
【００２８】冷却基板２２上に載置された半導体ウェハ
１０は、半導体ウェハ１０の温度が冷却されて室温程度
となる時間経過後、半導体ウェハ１０をロボットアーム
で捉えて、レジスト工程の現像部に向かう自動搬送系に
送りだす。
１０は、半導体ウェハ１０の温度が冷却されて室温程度
となる時間経過後、半導体ウェハ１０をロボットアーム
で捉えて、レジスト工程の現像部に向かう自動搬送系に
送りだす。
【００２９】上述したＰＥＢ工程でのベーキング装置お
よびベーキング方法を用いれば、化学増幅型レジストが
塗布され、露光された後のベーキング工程で、半導体ウ
ェハ１０全面はほぼ同一の所定熱履歴による熱処理を受
けることになり、露光により生成された酸を触媒とし
た、ＰＥＢ工程での熱処理による化学反応は、半導体ウ
ェハ１０面内の露光された部分で均一に起こることにな
る。従って、パターニングされた線幅の半導体ウェハ１
０面内ばらつきが、ほとんど無いパターニングが可能と
なる。
よびベーキング方法を用いれば、化学増幅型レジストが
塗布され、露光された後のベーキング工程で、半導体ウ
ェハ１０全面はほぼ同一の所定熱履歴による熱処理を受
けることになり、露光により生成された酸を触媒とし
た、ＰＥＢ工程での熱処理による化学反応は、半導体ウ
ェハ１０面内の露光された部分で均一に起こることにな
る。従って、パターニングされた線幅の半導体ウェハ１
０面内ばらつきが、ほとんど無いパターニングが可能と
なる。
【００３０】なお、上述したＰＥＢ工程でのベーキング
装置は、加熱部５ａと冷却部５ｂの何れも半導体ウェハ
１０周辺部の温度補償のための、流量と温度を制御した
不活性ガス導入方法を採るものとしたが、冷却部５ｂの
冷却基板２２上における半導体ウェハ１０の温度均一性
の影響は少ないので、加熱部５ａは上述した構成とし、
冷却部５ｂは従来例の冷却部５ｂ（図６参照）の構成と
したベーキング装置であってもよい。
装置は、加熱部５ａと冷却部５ｂの何れも半導体ウェハ
１０周辺部の温度補償のための、流量と温度を制御した
不活性ガス導入方法を採るものとしたが、冷却部５ｂの
冷却基板２２上における半導体ウェハ１０の温度均一性
の影響は少ないので、加熱部５ａは上述した構成とし、
冷却部５ｂは従来例の冷却部５ｂ（図６参照）の構成と
したベーキング装置であってもよい。
【００３１】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、不活性ガスとして、Ｎ2 ガスを用い
たが、ＨｅガスやＮ2 ガスとＨｅガスとの混合ガスを用
いてもよい。また、被処理基板として半導体ウェハを用
いて説明したが、石英やガラス等の絶縁体基板であって
もよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、ＰＥ
Ｂ工程のプロセス条件は適宜変更が可能である。
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、不活性ガスとして、Ｎ2 ガスを用い
たが、ＨｅガスやＮ2 ガスとＨｅガスとの混合ガスを用
いてもよい。また、被処理基板として半導体ウェハを用
いて説明したが、石英やガラス等の絶縁体基板であって
もよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、ＰＥ
Ｂ工程のプロセス条件は適宜変更が可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のＰＥＢ工程におけるベーキング装置およびベーキング
方法は、半導体ウェハ１０全面がほぼ同一の所定熱履歴
による熱処理を受けることになり、露光により生成され
た酸を触媒とした、ＰＥＢ工程での熱処理による化学反
応は、半導体ウェハ１０面内の露光された部分で均一に
起こることになる。従って、化学増幅型レジストを用い
た微細化したパターンは、半導体ウェハ１０面内での線
幅バラツキがほとんど無い状態で形成でき、高集積化し
た半導体装置の製造が可能となる。
のＰＥＢ工程におけるベーキング装置およびベーキング
方法は、半導体ウェハ１０全面がほぼ同一の所定熱履歴
による熱処理を受けることになり、露光により生成され
た酸を触媒とした、ＰＥＢ工程での熱処理による化学反
応は、半導体ウェハ１０面内の露光された部分で均一に
起こることになる。従って、化学増幅型レジストを用い
た微細化したパターンは、半導体ウェハ１０面内での線
幅バラツキがほとんど無い状態で形成でき、高集積化し
た半導体装置の製造が可能となる。
【図１】本発明を適用したＰＥＢ装置の加熱部の概略図
である。
である。
【図２】本発明を適用したＰＥＢ装置の冷却部の概略図
である。
である。
【図３】従来のレジスト工程を説明する、レジスト工程
の装置のブロック図である。
の装置のブロック図である。
【図４】従来のＰＥＢ装置の加熱部の概略図である。
【図５】従来のＰＥＢ装置の加熱部の加熱基板に半導体
ウェハを載置した状態での、加熱基板の上面図である。
ウェハを載置した状態での、加熱基板の上面図である。
【図６】従来のＰＥＢ装置の冷却部の概略図である。
１…ウェハ供給部、２…レジスト塗布部、３…プリベー
ク部、４…露光装置、５…ＰＥＢ装置、５ａ…加熱部、
５ｂ…冷却部、６…現像部、７…ポストベーク部、８…
ウェハ収納部、１０…半導体ウェハ、１１，２１…処理
室、１２…加熱基板、１２ａ，２２ａ…貫通孔、１３…
加熱ヒータ、１４，２５…ベローズ、１４ａ，２５ａ…
ピン、１５，２６…ガス配管、１６，２７…排気口、２
２…冷却基板、２３…中空部、２４…配管、３０，４０
…処理室部、３１，４１…ガス配管系、３２，４２…吹
き出し孔、３３，４３…ガイドリング、３４，４４…Ｍ
ＦＣ、３５…ガス加熱器、４５…ガス冷却器
ク部、４…露光装置、５…ＰＥＢ装置、５ａ…加熱部、
５ｂ…冷却部、６…現像部、７…ポストベーク部、８…
ウェハ収納部、１０…半導体ウェハ、１１，２１…処理
室、１２…加熱基板、１２ａ，２２ａ…貫通孔、１３…
加熱ヒータ、１４，２５…ベローズ、１４ａ，２５ａ…
ピン、１５，２６…ガス配管、１６，２７…排気口、２
２…冷却基板、２３…中空部、２４…配管、３０，４０
…処理室部、３１，４１…ガス配管系、３２，４２…吹
き出し孔、３３，４３…ガイドリング、３４，４４…Ｍ
ＦＣ、３５…ガス加熱器、４５…ガス冷却器
Claims (5)
- 【請求項１】 化学増幅型レジストを塗布した被処理基
板の露光後にベーキングをする、加熱部と冷却部とを有
して構成されたベーキング装置において、 前記加熱部の処理室下方より処理室内に導入する不活性
ガスのガス配管系にガス流量調整器とガス加熱器を設
け、 前記処理室下方より前記処理室内に導入する前記不活性
ガスを、前記被処理基板を載置して加熱する加熱基板周
縁部より加熱基板上面側に吹き出ださせる吹き出し孔を
設けた加熱部を有することを特徴とするベーキング装
置。 - 【請求項２】 前記冷却部の処理室下方より処理室内に
導入する不活性ガスのガス配管系にガス流量調整器とガ
ス冷却器を設け、 前記処理室下方より前記処理室内に導入する前記不活性
ガスを、前記被処理基板を載置して冷却する冷却基板周
縁部より冷却基板上面側に吹き出ださせる吹き出し孔を
設けた冷却部を有することを特徴とする請求項１に記載
のベーキング装置。 - 【請求項３】 前記加熱基板周縁部に設けた前記吹き出
し孔は、前記加熱基板周縁部に沿って、略等しい幅を持
って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
ベーキング装置。 - 【請求項４】 前記冷却基板周縁部に設けた前記吹き出
し孔は、前記冷却基板周縁部に沿って、略等しい幅を持
って設けられていることを特徴とする請求項２に記載の
ベーキング装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載のベーキング装置を用い
た、化学増幅型レジストを塗布した被処理基板の露光後
のベーキング方法において、 所定流量、所定温度の不活性ガスを、前記ベーキング装
置の加熱部の処理室に導入する工程と、 前記加熱部の加熱基板を所定温度にする工程と、 前記加熱部の前記加熱基板上に前記被処理基板を載置
し、所定時間熱処理する工程と、 前記加熱部の前記加熱基板上の前記被処理基板を取り出
し、前記ベーキング装置の冷却部の冷却基板上に載置し
て前記被処理基板を冷却する工程とを有すること、 を特徴とするベーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21275396A JPH1055951A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | ベーキング装置およびベーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21275396A JPH1055951A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | ベーキング装置およびベーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055951A true JPH1055951A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16627852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21275396A Pending JPH1055951A (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | ベーキング装置およびベーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1055951A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100807A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
| KR100309906B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2001-11-30 | 박종섭 | 포토레지스트의 건식 내에칭성 향상방법 |
| JP2002184682A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法、並びにパターン形成方法 |
| US6649544B2 (en) | 2001-06-01 | 2003-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| KR100487699B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2005-05-03 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 레지스트막 베이킹 장치 및 그 방법 |
| US7118780B2 (en) | 2001-03-16 | 2006-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment method |
| CN103094157A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| CN103094159A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 细美事有限公司 | 基板处理设备及基板处理方法 |
| CN105280518A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-27 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 半导体基板的热处理装置 |
| US20200294825A1 (en) * | 2016-03-18 | 2020-09-17 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Substrate heat treatment apparatus |
-
1996
- 1996-08-12 JP JP21275396A patent/JPH1055951A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100807A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
| KR100309906B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2001-11-30 | 박종섭 | 포토레지스트의 건식 내에칭성 향상방법 |
| KR100487699B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2005-05-03 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 레지스트막 베이킹 장치 및 그 방법 |
| KR100858693B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2008-09-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리장치, 열처리방법 및 패턴형성방법 |
| JP2002184682A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法、並びにパターン形成方法 |
| US9666458B2 (en) | 2001-03-16 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US7118780B2 (en) | 2001-03-16 | 2006-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment method |
| US7923352B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| CN1322544C (zh) * | 2001-06-01 | 2007-06-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 热处理设备和用于热处理的方法 |
| US7022589B2 (en) | 2001-06-01 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US8318567B2 (en) | 2001-06-01 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US6649544B2 (en) | 2001-06-01 | 2003-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| CN103094157A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| CN103094159A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 细美事有限公司 | 基板处理设备及基板处理方法 |
| JP2013098570A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US9748117B2 (en) | 2011-10-31 | 2017-08-29 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| CN105280518A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-27 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 半导体基板的热处理装置 |
| US20200294825A1 (en) * | 2016-03-18 | 2020-09-17 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Substrate heat treatment apparatus |
| US11854842B2 (en) * | 2016-03-18 | 2023-12-26 | Acm Research (Shanghai), Inc. | Substrate heat treatment apparatus |
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