JPH09129535A - 加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理装置Info
- Publication number
- JPH09129535A JPH09129535A JP28117195A JP28117195A JPH09129535A JP H09129535 A JPH09129535 A JP H09129535A JP 28117195 A JP28117195 A JP 28117195A JP 28117195 A JP28117195 A JP 28117195A JP H09129535 A JPH09129535 A JP H09129535A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- outer case
- inner case
- heat treatment
- gas supply
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の加熱処理装置では、温度及び湿度が調
整された雰囲気ガスを安定して供給することができなか
った。 【解決手段】 加熱装置１は外側ケース２、内側ケース
３及び温度と湿度を調整するエアプロセッサ４を備え、
外側ケース２の上面には配管８の開口２ａが形成され、
内側ケース３の下面には外側ケース２内に導入された雰
囲気ガスを取り入れる開口３ａが形成され、開口２ａか
ら離れた箇所に開口３ａを設けたので、導入された雰囲
気ガスが内側ケース３内に設けたホットプレート９上に
ピン１０で支持されている半導体ウェーハＷに直接当ら
ないようにしている。
整された雰囲気ガスを安定して供給することができなか
った。 【解決手段】 加熱装置１は外側ケース２、内側ケース
３及び温度と湿度を調整するエアプロセッサ４を備え、
外側ケース２の上面には配管８の開口２ａが形成され、
内側ケース３の下面には外側ケース２内に導入された雰
囲気ガスを取り入れる開口３ａが形成され、開口２ａか
ら離れた箇所に開口３ａを設けたので、導入された雰囲
気ガスが内側ケース３内に設けたホットプレート９上に
ピン１０で支持されている半導体ウェーハＷに直接当ら
ないようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハ等の
被処理基板上に塗布形成したレジスト膜やＳＯＧ膜等の
被膜に加熱処理を施す装置に関する。
被処理基板上に塗布形成したレジスト膜やＳＯＧ膜等の
被膜に加熱処理を施す装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子などの電子部
品材料の製造においては、シリコンウェーハやガラス基
板等の基板に対する微細加工が不可欠であり、通常レジ
ストを使用したリソグラフィ処理により、基板に微細加
工が行われている。このリソグラフィ処理は、スピンナ
ー等の回転塗布装置によって基板上にレジスト液を塗布
した後、塗布液を乾燥させてレジスト膜を形成し、この
レジスト膜に活性線を選択的に照射し、ポジ型レジスト
であれば照射部を可溶化し、ネガ型レジストであれば照
射部を不溶化し、その後現像処理することでレジストパ
ターンを形成している。
品材料の製造においては、シリコンウェーハやガラス基
板等の基板に対する微細加工が不可欠であり、通常レジ
ストを使用したリソグラフィ処理により、基板に微細加
工が行われている。このリソグラフィ処理は、スピンナ
ー等の回転塗布装置によって基板上にレジスト液を塗布
した後、塗布液を乾燥させてレジスト膜を形成し、この
レジスト膜に活性線を選択的に照射し、ポジ型レジスト
であれば照射部を可溶化し、ネガ型レジストであれば照
射部を不溶化し、その後現像処理することでレジストパ
ターンを形成している。
【０００３】また、近年では電子部品の高集積化や高密
度化に伴い、形成するレジストパターンにも更なる微細
化が要望されており、この要望に応える形で、レジスト
材料も種々開発され、例えば解像性及び感度に優れたレ
ジストとして化学増幅型レジストが注目されている。こ
の化学増幅型レジストは、活性線の照射により酸を発生
させ、その後に施される加熱処理（ポストエクスポージ
ャベーク処理＝露光後加熱処理：ＰＥＢ処理）により、
発生した酸の触媒作用でポジ型レジストの場合は照射部
での溶解阻止剤の分解を促進し、ネガ型レジストの場合
は照射部での架橋反応を促進し、レジストパターンが形
成できる。
度化に伴い、形成するレジストパターンにも更なる微細
化が要望されており、この要望に応える形で、レジスト
材料も種々開発され、例えば解像性及び感度に優れたレ
ジストとして化学増幅型レジストが注目されている。こ
の化学増幅型レジストは、活性線の照射により酸を発生
させ、その後に施される加熱処理（ポストエクスポージ
ャベーク処理＝露光後加熱処理：ＰＥＢ処理）により、
発生した酸の触媒作用でポジ型レジストの場合は照射部
での溶解阻止剤の分解を促進し、ネガ型レジストの場合
は照射部での架橋反応を促進し、レジストパターンが形
成できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した化学増幅型レ
ジストは、その特性上、１１０℃程度のＰＥＢ処理が不
可欠であり、このＰＥＢ処理の温度を高めることで感度
を高めることができるが、ＰＥＢ処理の問題として、図
４に示すようなパターン間の一部がつながる現象（ブリ
ッジング現象）が発生するという問題があり、特にＰＥ
Ｂ処理の温度を高めるとブリッジング現象が顕著になる
という傾向があり、寸法精度、寸法安定性及び断面形状
に優れたレジストパターンを形成できず、実用上大きな
問題となっている。
ジストは、その特性上、１１０℃程度のＰＥＢ処理が不
可欠であり、このＰＥＢ処理の温度を高めることで感度
を高めることができるが、ＰＥＢ処理の問題として、図
４に示すようなパターン間の一部がつながる現象（ブリ
ッジング現象）が発生するという問題があり、特にＰＥ
Ｂ処理の温度を高めるとブリッジング現象が顕著になる
という傾向があり、寸法精度、寸法安定性及び断面形状
に優れたレジストパターンを形成できず、実用上大きな
問題となっている。
【０００５】このような問題を改善する方法として水蒸
気中でＰＥＢ処理を行うことでブリッジング現象を防止
することが有効であることが分っている。しかしなが
ら、これらの方法に用いられる実用性の高い加熱処理装
置については、これまで提案されておらず、ＰＥＢ処理
に有効利用できる加熱処理装置の開発が強く要望されて
いる。
気中でＰＥＢ処理を行うことでブリッジング現象を防止
することが有効であることが分っている。しかしなが
ら、これらの方法に用いられる実用性の高い加熱処理装
置については、これまで提案されておらず、ＰＥＢ処理
に有効利用できる加熱処理装置の開発が強く要望されて
いる。
【０００６】一方、ＰＥＢ処理ではないが、温度及び湿
度をコントロールした雰囲気でレジストを回転塗布する
装置が特開昭６２−４６５１９号公報に開示されてい
る。しかしながら、この装置をＰＥＢ処理用の加熱処理
装置としてそのまま用いることはできない。つまり、上
記公報に開示されている装置は回転塗布装置であり、雰
囲気ガス温度と処理温度がほぼ同じであるため、カップ
の側面から温度及び湿度をコントロールされた雰囲気ガ
スを導入しても、導入ガスによって基板上のレジスト膜
に与える影響は極めて小さい。しかしながら、ホットプ
レート等の上に基板をセットして加熱する装置にあって
は、導入される雰囲気ガスがホットプレート温度より低
いためレジスト膜に直接当ると、基板上の温度分布が不
均一になり膜厚に均一性がなくなり、寸法精度及び寸法
安定性に劣る等の不利が生じる。
度をコントロールした雰囲気でレジストを回転塗布する
装置が特開昭６２−４６５１９号公報に開示されてい
る。しかしながら、この装置をＰＥＢ処理用の加熱処理
装置としてそのまま用いることはできない。つまり、上
記公報に開示されている装置は回転塗布装置であり、雰
囲気ガス温度と処理温度がほぼ同じであるため、カップ
の側面から温度及び湿度をコントロールされた雰囲気ガ
スを導入しても、導入ガスによって基板上のレジスト膜
に与える影響は極めて小さい。しかしながら、ホットプ
レート等の上に基板をセットして加熱する装置にあって
は、導入される雰囲気ガスがホットプレート温度より低
いためレジスト膜に直接当ると、基板上の温度分布が不
均一になり膜厚に均一性がなくなり、寸法精度及び寸法
安定性に劣る等の不利が生じる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る加熱装置は、温度及び湿度が調整された雰囲
気ガスを供給するエアプロセッサ等の雰囲気ガス供給源
に外側ケースを接続し、この外側ケース内に内側ケース
を設け、この内側ケース内にホットプレートを配置しす
るようにした。
発明に係る加熱装置は、温度及び湿度が調整された雰囲
気ガスを供給するエアプロセッサ等の雰囲気ガス供給源
に外側ケースを接続し、この外側ケース内に内側ケース
を設け、この内側ケース内にホットプレートを配置しす
るようにした。
【０００８】ここで、内側ケースと外側ケースとをつな
ぐ開口は外側ケースと雰囲気ガス供給源とをつなぐ開口
から離れた箇所に形成することが、導入される雰囲気ガ
スが被膜に直接当らないようにする上で好ましく、ま
た、内側ケースから外側ケースを貫通する排気管を導出
することで、外側ケース内の雰囲気を乱すことを防げ
る。
ぐ開口は外側ケースと雰囲気ガス供給源とをつなぐ開口
から離れた箇所に形成することが、導入される雰囲気ガ
スが被膜に直接当らないようにする上で好ましく、ま
た、内側ケースから外側ケースを貫通する排気管を導出
することで、外側ケース内の雰囲気を乱すことを防げ
る。
【０００９】また、本願の別発明に係る加熱装置は、ケ
ースを二重にせずに、ケース内にホットプレートを配置
し、またケースに雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給
源を接続し、更にケースに形成された雰囲気ガス供給口
の近傍に邪魔板を設けるようにした。
ースを二重にせずに、ケース内にホットプレートを配置
し、またケースに雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給
源を接続し、更にケースに形成された雰囲気ガス供給口
の近傍に邪魔板を設けるようにした。
【００１０】尚、以上の加熱装置における雰囲気ガス供
給源としては、マスフロー、バブリング装置等が考えら
れ、特に温度及び湿度の調整が可能なエアプロセッサが
好ましい。
給源としては、マスフロー、バブリング装置等が考えら
れ、特に温度及び湿度の調整が可能なエアプロセッサが
好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
加熱処理装置を用いたレジストパターン形成方法の手順
を示したブロック図であり、レジストパターン形成方法
は、先ず、半導体ウェーハ等の被処理基板に化学増幅型
レジスト溶液をスピンナーにより塗布した後、プリベー
クすることでレジスト膜を形成し、このレジスト膜に縮
小投影露光装置などにより紫外線、遠紫外線、エキシマ
レーザ、エックス線等の活性線をマスクを解して照射
し、次いでＰＥＢ処理を行い、更に現像液により現像す
ることでレジストパターンを形成する。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
加熱処理装置を用いたレジストパターン形成方法の手順
を示したブロック図であり、レジストパターン形成方法
は、先ず、半導体ウェーハ等の被処理基板に化学増幅型
レジスト溶液をスピンナーにより塗布した後、プリベー
クすることでレジスト膜を形成し、このレジスト膜に縮
小投影露光装置などにより紫外線、遠紫外線、エキシマ
レーザ、エックス線等の活性線をマスクを解して照射
し、次いでＰＥＢ処理を行い、更に現像液により現像す
ることでレジストパターンを形成する。
【００１２】図２はＰＥＢ処理に用いる本発明に係る加
熱装置の断面図であり、加熱装置１は外側ケース２、内
側ケース３及び雰囲気ガス供給源としてのエアプロセッ
サ４を備え、エアプロセッサ４内には冷却器５、ヒータ
６及び送風機７が設けられ、フィルターを介してエアプ
ロセッサ４内に取り入れた空気を冷却器５で露点以下ま
で冷却して相対湿度１００％の空気とし、次いで、この
相対湿度１００％の空気を所定温度まで加熱することで
湿度と温度が分った空気として配管８を介して外側ケー
ス２内に供給するようにしている。
熱装置の断面図であり、加熱装置１は外側ケース２、内
側ケース３及び雰囲気ガス供給源としてのエアプロセッ
サ４を備え、エアプロセッサ４内には冷却器５、ヒータ
６及び送風機７が設けられ、フィルターを介してエアプ
ロセッサ４内に取り入れた空気を冷却器５で露点以下ま
で冷却して相対湿度１００％の空気とし、次いで、この
相対湿度１００％の空気を所定温度まで加熱することで
湿度と温度が分った空気として配管８を介して外側ケー
ス２内に供給するようにしている。
【００１３】外側ケース２の上面には配管８の開口２ａ
が形成され、内側ケース３の下面には外側ケース２内に
導入された雰囲気ガスを取り入れる開口３ａが形成さ
れ、開口２ａから離れた箇所に開口３ａを設けたので、
導入された雰囲気ガスが内側ケース３内に設けたホット
プレート９上にピン１０で支持されている半導体ウェー
ハＷに直接当らないようにしている。
が形成され、内側ケース３の下面には外側ケース２内に
導入された雰囲気ガスを取り入れる開口３ａが形成さ
れ、開口２ａから離れた箇所に開口３ａを設けたので、
導入された雰囲気ガスが内側ケース３内に設けたホット
プレート９上にピン１０で支持されている半導体ウェー
ハＷに直接当らないようにしている。
【００１４】また、内側ケース３に対するウェーハＷの
搬入搬出については、例えば紙面垂直方向からアーム上
に保持したウェーハＷをホットプレート９上方に差し入
れ、次いでアームを若干下降せしめることでピン１０上
に半導体ウェーハＷを受け渡すようにする。尚、ウェー
ハＷの搬入搬出に伴う雰囲気の乱れを防止すべく、ロー
ドロック機構を介してウェーハＷの搬入搬出を行うこと
が好ましい。
搬入搬出については、例えば紙面垂直方向からアーム上
に保持したウェーハＷをホットプレート９上方に差し入
れ、次いでアームを若干下降せしめることでピン１０上
に半導体ウェーハＷを受け渡すようにする。尚、ウェー
ハＷの搬入搬出に伴う雰囲気の乱れを防止すべく、ロー
ドロック機構を介してウェーハＷの搬入搬出を行うこと
が好ましい。
【００１５】また、内側ケース３から外側ケース２を貫
通する排気管１１が導出されている。このように外側ケ
ース２内を通る排気管１１を介して内側ケース３内の雰
囲気ガスを外部に排出することで、内側ケース３内に一
定の相対湿度に維持された雰囲気を常に供給することが
できる。更に、外側ケース２の外部温度変動により外側
ケース２内の雰囲気ガスの温度が変動するのを防止する
ために、外側ケース２及び配管８の外側を断熱壁１２で
囲んでいる。
通する排気管１１が導出されている。このように外側ケ
ース２内を通る排気管１１を介して内側ケース３内の雰
囲気ガスを外部に排出することで、内側ケース３内に一
定の相対湿度に維持された雰囲気を常に供給することが
できる。更に、外側ケース２の外部温度変動により外側
ケース２内の雰囲気ガスの温度が変動するのを防止する
ために、外側ケース２及び配管８の外側を断熱壁１２で
囲んでいる。
【００１６】以上において、ウェーハＷ表面に形成した
レジスト膜にマスクを重ね、縮小投影露光装置などによ
り紫外線、遠紫外線、エキシマレーザ、エックス線等の
活性線を照射した後、ウェーハＷを加熱装置１のホット
プレート９上にセットし、相対湿度を１〜２０％に調整
した雰囲気ガスをエアプロセッサ４から外側ケース２を
介して内側ケース３内に送り込む。
レジスト膜にマスクを重ね、縮小投影露光装置などによ
り紫外線、遠紫外線、エキシマレーザ、エックス線等の
活性線を照射した後、ウェーハＷを加熱装置１のホット
プレート９上にセットし、相対湿度を１〜２０％に調整
した雰囲気ガスをエアプロセッサ４から外側ケース２を
介して内側ケース３内に送り込む。
【００１７】上記の特定の相対湿度範囲の条件で行うこ
とで、寸法精度、寸法安定性及び断面形状に優れ、さら
に微細レジストパターンにおいても太りや細りの生じな
いレジストパターンが形成できた。
とで、寸法精度、寸法安定性及び断面形状に優れ、さら
に微細レジストパターンにおいても太りや細りの生じな
いレジストパターンが形成できた。
【００１８】図３は別実施例に係る加熱装置の断面図で
あり、この別実施例にあっては、単一のケース２０内に
ホットプレート９を設け、このケース２０とエアプロセ
ッサ４とを配管８を介して接続している。
あり、この別実施例にあっては、単一のケース２０内に
ホットプレート９を設け、このケース２０とエアプロセ
ッサ４とを配管８を介して接続している。
【００１９】そして、ケース２０の天井部にエアプロセ
ッサ４からの雰囲気ガスの導入口２０ａを形成し、また
導入口２０ａの下方には導入ガスを左右に分散せしめる
邪魔板２１を設け、更にケース２０の天井部より下がっ
た部分に熱を反射するパンチングプレート２２を設け、
このパンチングプレート２２とプロキシピン２３にて下
面を支持されるウェーハＷとの間隔が１５ｍｍ程度にな
るように設定している。尚、ケース２０の側壁にはガイ
ドリング２４が配置され、また湿度測定用センサー２５
と温度測定用センサー２６が配設されている。
ッサ４からの雰囲気ガスの導入口２０ａを形成し、また
導入口２０ａの下方には導入ガスを左右に分散せしめる
邪魔板２１を設け、更にケース２０の天井部より下がっ
た部分に熱を反射するパンチングプレート２２を設け、
このパンチングプレート２２とプロキシピン２３にて下
面を支持されるウェーハＷとの間隔が１５ｍｍ程度にな
るように設定している。尚、ケース２０の側壁にはガイ
ドリング２４が配置され、また湿度測定用センサー２５
と温度測定用センサー２６が配設されている。
【００２０】図３に示す構造の加熱装置にあっても、邪
魔板２１により導入された雰囲気ガスが直接ウェーハＷ
表面に当るのを避けることができ、被膜に悪影響を与え
ることがない。
魔板２１により導入された雰囲気ガスが直接ウェーハＷ
表面に当るのを避けることができ、被膜に悪影響を与え
ることがない。
【００２１】
【発明の効果】以上に説明したように第１発明に係る加
熱装置によれば、外側ケースと内側ケースを設け、内側
ケース内にはホットプレートを配置し、外側ケースに温
度及び湿度が調整された雰囲気ガスを供給するエアプロ
セッサ等の雰囲気ガス供給源を接続するようにしたの
で、安定した雰囲気で加熱処理を行うことができ、ブリ
ッジング現象を防止し、寸法精度、寸法安定性及び断面
形状に優れたレジストパターンを形成することができ
る。
熱装置によれば、外側ケースと内側ケースを設け、内側
ケース内にはホットプレートを配置し、外側ケースに温
度及び湿度が調整された雰囲気ガスを供給するエアプロ
セッサ等の雰囲気ガス供給源を接続するようにしたの
で、安定した雰囲気で加熱処理を行うことができ、ブリ
ッジング現象を防止し、寸法精度、寸法安定性及び断面
形状に優れたレジストパターンを形成することができ
る。
【００２２】また、内側ケースに形成した外側ケースと
つながる開口を設ける箇所として、外側ケースと雰囲気
ガス供給源とをつなぐ開口から離れた箇所を選定するこ
とで、ホットプレートを配置した内側ケース内の雰囲気
を更に安定せしめることが可能となる。
つながる開口を設ける箇所として、外側ケースと雰囲気
ガス供給源とをつなぐ開口から離れた箇所を選定するこ
とで、ホットプレートを配置した内側ケース内の雰囲気
を更に安定せしめることが可能となる。
【００２３】また、内側ケース内の雰囲気ガスを排気管
を介して外側ケース外に排出するようにしたので、内側
ケース内に一定の相対湿度に維持された雰囲気を常に供
給することができる。
を介して外側ケース外に排出するようにしたので、内側
ケース内に一定の相対湿度に維持された雰囲気を常に供
給することができる。
【００２４】また、第２発明に係る加熱装置によれば、
雰囲気ガス供給源からのケース内へのガス噴出口の近傍
に邪魔板を設けることで、前記同様に、被処理基板の表
面に形成した被膜に雰囲気ガスを直接当てることなく、
安定した雰囲気で加熱処理を行うことができる。
雰囲気ガス供給源からのケース内へのガス噴出口の近傍
に邪魔板を設けることで、前記同様に、被処理基板の表
面に形成した被膜に雰囲気ガスを直接当てることなく、
安定した雰囲気で加熱処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る加熱処理装置を用いたレジストパ
ターン形成方法の手順を示したブロック図
ターン形成方法の手順を示したブロック図
【図２】本発明に係る加熱装置の断面図
【図３】別実施例に係る加熱装置の断面図
【図４】ブリッジングの模式図
１…加熱装置、２…外側ケース、３…内側ケース、２
ａ，３ａ…開口、４…エアプロセッサ、５…冷却器、６
…ヒータ、７…送風機、９…ホットプレート、１１…排
気管、Ｗ…半導体ウェーハ。
ａ，３ａ…開口、４…エアプロセッサ、５…冷却器、６
…ヒータ、７…送風機、９…ホットプレート、１１…排
気管、Ｗ…半導体ウェーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｐ
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理基板の表面に形成した被膜を加熱
処理する装置において、この加熱装置は外側ケース内に
内側ケースが設けられ、これら外側ケースと内側ケース
とは連通するとともに、内側ケース内にはホットプレー
トが配置され、外側ケースには雰囲気ガスを供給する雰
囲気ガス供給源が接続されていることを特徴とする加熱
処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の加熱処理装置におい
て、前記内側ケースと外側ケースとをつなぐ開口は外側
ケースと雰囲気ガス供給源とをつなぐ開口から離れた箇
所に形成されていることを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の加熱処理装置におい
て、前記内側ケースから外側ケースを貫通する排気管が
導出されていることを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項４】 被処理基板の表面に形成したレジスト膜
を加熱処理する装置において、この加熱装置はケース内
にホットプレートが配置され、またケースに雰囲気ガス
を供給する雰囲気ガス供給源が接続され、更にケースに
形成された雰囲気ガス供給口の近傍に邪魔板が設けられ
ていることを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４に記載の加熱処理
装置において、前記雰囲気ガス供給源は温度及び湿度の
調整が可能なエアプロセッサであることを特徴とする加
熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28117195A JPH09129535A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28117195A JPH09129535A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129535A true JPH09129535A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17635348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28117195A Pending JPH09129535A (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129535A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515949A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ， インコーポレイテッド | 単一ウエハアニーリングオーブン |
| WO2007023648A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Tokyo Electron Limited | 基板加熱装置、塗布・現像装置および基板加熱方法 |
| KR100689346B1 (ko) * | 1999-05-24 | 2007-03-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리장치 |
| JP2007311520A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法、熱処理プログラム、及び、そのプログラムを記録した記録媒体 |
| JP2010245361A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Yaskawa Electric Corp | プリアライナー装置及びそれを備えた搬送装置、半導体製造装置 |
| JP2011227485A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | レリーフパターンの製造方法、及び電子部品 |
| US8307781B2 (en) | 2003-11-07 | 2012-11-13 | Shimadzu Corporation | Surface wave excitation plasma CVD system |
| CN105759572A (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 气流流向调整系统 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP28117195A patent/JPH09129535A/ja active Pending
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