JP2001068407A - ウェーハ用熱処理装置及び方法 - Google Patents
ウェーハ用熱処理装置及び方法Info
- Publication number
- JP2001068407A JP2001068407A JP2000197168A JP2000197168A JP2001068407A JP 2001068407 A JP2001068407 A JP 2001068407A JP 2000197168 A JP2000197168 A JP 2000197168A JP 2000197168 A JP2000197168 A JP 2000197168A JP 2001068407 A JP2001068407 A JP 2001068407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat transfer
- transfer plate
- heat
- spacers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 23
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 82
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 99
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 128
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
方法を提供する。 【解決手段】 熱伝達プレートと、前記熱伝達プレート
との熱交換を通じて熱処理されるウェーハを該熱伝達プ
レートから離隔した状態で対面支持するように前記熱伝
達プレートの上面から突設してなる複数のスペーサーを
具備してなるウェーハ用熱処理装置、ただし、前記各ス
ペーサーは、該スペーサーに支持されたウェーハと前記
熱伝達プレートとの間隔及び前記熱伝達プレートに対す
るウェーハの傾度が調整できるように、それぞれ独立し
て前記熱伝達プレートの上面からの突出高さが調整可能
に設けられていることを特徴とするウェーハ用熱処理装
置。
Description
のうちウェーハを熱処理する工程に用いられる熱処理装
置及び方法に係り、特に、熱処理されるウェーハの表面
温度分布が予め調整できるように構造が改善されたウェ
ーハ用熱処理装置及び方法に関する。
の構造を安定化させたり、ウェーハ上に形成されたフォ
トレジスト膜、導電膜および誘電体膜など各種の膜の安
定化のためにウェーハを所定の温度にて熱処理する工程
が含まれる。
ジストを塗布した後に所定のパターンが形成されたレチ
クルを通じてそのフォトレジストを露光および現像し、
不要なフォトレジストを除去することによって、レチク
ル上のパターンをウェーハ上のフォトレジストにパター
ニングするフォトリソグラフィ工程にも含まれる。例え
ば、0.3μm以下の線幅(CD;critical
dimension)をもつ高集積度の半導体装置を製
造するために化学増幅型フォトレジストを使用するフォ
トリソグラフィ工程では、フォトレジストが塗布された
後にフォトレジストの溶媒を除去しフォトレジスト膜を
安定させるために約80〜300℃にてベークする熱処
理が行われる。そして、露光後には、光酸生成剤(PA
G;photo acid generator)の分
解によって生成した酸を触媒とする化学反応を促進させ
てH+の生成及び連続的な反応をさせるために、いわゆ
る露光後べーク(post exposure bak
e、以下PEBと称する)という熱処理が施される。ま
た現像後には、ウェーハの乾燥及びフォトレジストの硬
化のための熱処理として、ハードべークが施される。こ
れ以外にも、必要によっては、現像後にウェーハ上のフ
ォトレジストが適正量ウェーハの上面に流れて所望の線
幅が得られるように、フォトレジストを融解温度以上に
加熱する熱処理が施されたりもする。
理装置の一例として、フォトリソグラフィ工程に用いら
れるべークユニットの概略図を図1に示す。この種のべ
ークユニットはハウジング1と、ハウジング1内に設け
られる熱伝達プレート2、及び熱伝達プレート2に組み
込まれたヒーター3を具備する。このべークユニットに
よって熱処理されるウェーハ9は、ハウジング1内に挿
入されて熱伝達プレート2上に置かれ、ヒーター3から
の熱を熱伝達プレート2を介して伝達することにより加
熱される。熱伝達プレート2上のウェーハ9は、そのウ
ェーハ9の水平位置を制御するためのガイド手段(図示
せず)によって水平方向への流動が制限される。
な規格差や構造差及びヒーター3の配置構造などによっ
て、熱伝達プレート2の表面はヒーター3の発熱時に各
部位ごとに異なる温度となり、その熱伝達プレート2に
固有の表面温度分布をもつことになる。従って、熱処理
されるウェーハ9もそのウェーハ9が置かれた熱伝達プ
レート2の表面温度分布に影響されて、ウェーハ9上の
各部位の温度は使用される熱伝達プレートによって異な
るものとなる。また、べークユニットの周りの気流の方
向や速度などによっても、ハウジング1の内部の各部位
の温度が変わり、これにより、そのべークユニットによ
って熱処理されるウェーハ9の表面温度分布も変わる。
を露光部位の全体に亘って同一のエネルギーにて露光し
た後に、そのウェーハをべークユニットでPEBする
と、前述のようなウェーハの表面温度差によりウェーハ
9上の露光されたフォトレジストは、各部位によって化
学反応速度に差が生じる。従って、現像時に除去される
可溶化したポリマーの量にも差が生じ、その結果線幅が
不均一になる。すなわち、PEB時にウェーハ9の各部
位のうち相対的に表面温度が高い部位に塗布されたフォ
トレジストでは反応が活発に進行し、可溶化したポリマ
ー量が増加するので、現像後にその部位における線幅が
広くなる。逆にウェーハ9の各部位のうち相対的に表面
温度が低い部位に塗布されたフォトレジストでは相対的
に反応が遅く進行するので、現像後にその部位における
線幅が狭くなる。
ット内における温度特性に基づき、ウェーハ9上のフォ
トレジストを露光する際、フォトレジストの各部位に対
する露光エネルギーを異なる設定にし、そのべークユニ
ット内における温度差を補償する方法を用いている。す
なわち、任意のべークユニット内でウェーハ9に生じる
表面温度分布を測定しそのデータを予め露光装置に入力
させておき、ウェーハの各部位のうちべークユニット内
で高い表面温度をもつ部位に塗布されたフォトレジスト
はウェーハの各部位のうち低い表面温度をもつ部位に塗
布されたフォトレジストよりも低いエネルギーで露光す
る方法を用いる。こうすれば、低い露光エネルギーによ
って露光された部位では高い露光エネルギーによって露
光された部位よりもPEB時に触媒として作用する酸の
生成量が減るので、べークユニット内の温度特性が補償
されて比較的に均一な線幅が得られる。
が異なるため、いずれか1つのべークユニットの温度特
性に鑑みて調整された露光エネルギーによって露光され
たウェーハを他のべークユニット内で熱処理すれば、線
幅不良が生じることは明らかである。従って、ある露光
装置によって露光されたウェーハはあるべークユニット
のみを使って順次熱処理しなければならない。
ジストの塗布工程、現像工程及び露光工程などは比較的
に短時間内に行われるのに対し、露光段階後のウェーハ
をベークするPEB工程は長時間を要するので、そのP
EB工程でボトルネック現像が生じ、フォトリソグラフ
ィ工程全体の生産性が低下する。前述のボトルネック現
象は、例えば、露光段階を経たウェーハを複数のべーク
ユニットを並列に使って熱処理すれば容易に解消できる
が、従来のべークユニットの構成では前述のようにある
露光装置で露光されたウェーハはその露光装置に対応す
るべークユニットによってのみ熱処理されなければなら
ないため、前記ボトルネック現象に対応できず、その結
果生産性が著しく低下する問題点がある。
みて成されたものであり、その目的は、熱処理の際のウ
ェーハの表面温度分布をウェーハの熱処理前に予め所望
の分布に調整できるように構造が改善されたウェーハ用
熱処理装置及び方法を提供することである。
解決することができる。
記熱伝達プレートとの熱交換を通じて熱処理されるウェ
ーハを該熱伝達プレートから離隔した状態で対面支持す
るように前記熱伝達プレートの上面から突設してなる複
数のスペーサーを具備してなり、前記各スペーサーは、
該スペーサーに支持されたウェーハと前記熱伝達プレー
トとの間隔及び前記熱伝達プレートに対するウェーハの
傾度が調整できるように、それぞれ独立して前記熱伝達
プレートの上面からの突出高さが調整可能に設けられて
いることを特徴とするウェーハ用熱処理装置である。
置されるウェーハに周設するように複数のガイドピンが
設けられてなり、前記各スペーサーは前記各ガイドピン
に嵌合し、前記各スペーサーは取り替え可能であること
を特徴とする前記記載のウェーハ用熱処理装置である。
熱伝達プレートに対して昇降可能に設けられていること
を特徴とする前記記載のウェーハ用熱処理装置である。
熱伝達プレートに螺合されてなり、回転によって昇降す
ることを特徴とする前記記載のウェーハ用熱処理装置で
ある。
れ対応するモーターと、前記各モーターの動力を対応す
る前記各スペーサーに伝達する動力伝達機構とをさらに
具備してなることを特徴とする前記記載のウェーハ用熱
処理装置である。
所定の温度分布となるように熱伝達プレートの上面から
突設してなる各スペーサーの高さをそれぞれ調整する段
階と、前記各スペーサー上に前記ウェーハを載置する段
階と、前記熱伝達プレートからの熱伝達により前記ウェ
ーハを熱処理する段階を含むことを特徴とするウェーハ
用熱処理方法である。
の望ましい実施形態を詳細に説明する。
施形態を示す。該熱処理装置は、図1に示した従来の熱
処理装置と同様に、例えば、フォトリソグラフィ工程で
ウェーハを熱処理する時に使用できるものであって、い
わゆるべークユニットとも呼ばれ(以下、べークユニッ
トと称する)、ハウジング10及び熱伝達プレート20
を具備している。なお、ハウジング10および熱伝達プ
レート20は従来の熱処理装置で使用されているものを
そのまま使用することができる。
び上部ケース12で構成することができる。熱処理され
るウェーハ9が収納される時には上部ケース12が下部
ケース11に対して上方に離隔され、ウェーハ9が収納
された後、図2に示すように、上部ケース12が下部ケ
ース11に密着してウェーハ9の熱処理のための空間を
形成することになる。前記熱伝達プレート20はウェー
ハ9の水平方向への移動を制御するためにウェーハ9の
周りに配置される複数のガイドピン25を具備してい
る。その熱伝達プレート20の内部には熱源としてウェ
ーハ9を加熱するためのヒーター3が組み込まれてい
る。このヒーター3からの熱が熱伝達プレート20を通
じてその熱伝達プレート20の上方に位置するウェーハ
9に伝達されることにより、ウェーハ9が熱処理され
る。
形態のべークユニットは、スペーサー30を具備してお
り、これにより以下に説明する本発明の特徴的な効果が
得られる。スペーサー30は薄いリング状に形成されて
なり、各スペーサー30は前記各ガイドピン25に嵌合
する状態で熱伝達プレート20の上面に設置される。こ
れらのスペーサー30は、ハウジング10内に挿入され
たウェーハ9を熱伝達プレート20から離隔して支持す
るように熱伝達プレート20の上面から突出している。
各スペーサー30は、ウェーハ9と熱伝達プレート20
との間隔や熱伝達プレート20に対するウェーハ9の傾
度を調整する場合に、異なる厚さのスペーサーに取り替
えできるように設けられる。各スペーサー30は、その
取り替え時にガイドピン25から容易に外れるようにガ
イドピン25に緩やかに嵌合されることが好ましい。前
記スペーサー30を異なる厚さのスペーサーに取り替え
ることにより、熱伝達プレート20の上面からの高さを
調整できる。スペーサー30の材質は、効率良い熱伝達
のために熱伝達プレート20の材質と同一であることが
好ましい。
べークユニットと同様に熱伝達プレート20はヒーター
3の発熱時に固有の表面温度分布特性を有する。また、
べークユニットが設けられる位置や周囲環境によって、
べークユニットのハウジング10内部の温度も部位ごと
に異なる。従って、べークユニット内で熱処理されると
き、ウェーハ9も、そのべークユニットで使用された熱
伝達プレート20の表面温度分布特性及びそのべークユ
ニットの周りの気流方向や速度などにより、特定の温度
分布特性を有する。なお、同一のべークユニットで同一
の高さ及び状態で順次熱処理されるウェーハ9は実質的
に同一の温度分布特性をもつことになる。
られている場合には、スペーサーの作用により複数のべ
ークユニットの内部温度分布特性を実質的に同一にする
ことができ、ウェーハの熱処理工程、例えば前記PEB
工程において並列に使用できる。
法について、二つのべークユニットを並列使用するため
に本発明者らによって行われた方法を例にとって、具体
的に説明する。参考に、並列に使用された2つのべーク
ユニットのうち1つのべークユニット(以下、第1べー
クユニットと称する)に設けられた熱伝達プレート20
の表面温度分布を図4に示し、もう1つのべークユニッ
ト(以下、第2べークユニットと称する)に設けられた
熱伝達プレート20の表面温度分布を図5に示す。ま
ず、前記第1べークユニット内の熱伝達プレート20の
ガイドピン25それぞれに0.10mmの厚さをもつス
ペーサー30を嵌合して、第1べークユニット内の熱伝
達プレート20の上面からのスペーサー30の突出高さ
がいずれも0.10mmになるようにした。そして、ヒ
ーター3を作動させた後に熱伝達プレート20が所望の
温度に達して十分に安定化した状態で、サンプル用ウェ
ーハ9を前記第1べークユニット内のスペーサー30上
に支持させ、ウェーハ9の温度が所望の熱処理温度範囲
まで加熱されて十分安定した後、そのウェーハ9の表面
温度分布を測定した。
の方法としては各種公知のものを適用でき、本発明者ら
は多数の部位にそれぞれ温度測定センサーを設けたダミ
ーウェーハを前記サンプル用ウェーハとして使って、そ
の温度測定センサーによって発生される信号に基づき表
面温度分布を測定する方法を使用した。
6に等温線で示すように、中央部の温度が高く周辺部の
温度が低く、且つ左側縁部91及び右側縁部92の温度
がほぼ同様の形態の温度分布となった。このとき、ウェ
ーハ9の表面のうち最高温度となった中央部位の温度は
146.36℃、最低温度となった縁部の温度は14
5.81℃であり、その差は0.55℃、ウェーハ9表
面全体の平均温度は146.06℃であった。
ート20上のスペーサー30も、いずれも0.10mm
の厚さのものを使って、熱伝達プレート20の上面から
の高さをいずれも0.10mmに設定した。その後、前
記第1べークユニットと同様の方法によりウェーハ9の
ベークを行ない、そのウェーハ9の表面温度分布を測定
した。
果、ウェーハ9の表面温度分布は、図7に等温線で示す
ように、左側縁部91の温度が右側縁部92の温度より
も高く、その差も第1ベークユニットを用いた場合に比
べて大きかった。このとき、ウェーハ9の表面のうち最
高温度となった中央部位の温度は145.81℃、最低
温度となった右側縁部92の温度は145.16℃であ
り、その差は0.65℃、ウェーハ9表面全体の平均温
度は145.49℃であった。
ハの表面温度分布に基づき、従来の方法と同様にして、
露光装置の露光エネルギーを調整し、その露光装置によ
って処理されたウェーハのうち1つを第1べークユニッ
トによって熱処理し、もう1つを第2ベートユニットに
より熱処理した結果、第2べークユニット内でベークさ
れたウェーハで多くの線幅不良が確認された。
れるウェーハ9の左側部位が右側部位よりも高い温度で
熱処理される点に鑑み、ウェーハ9の左側部位の温度は
相対的に下がり右側部位の温度は相対的に上がるよう
に、第2べークユニット内でウェーハ9の左側縁部91
と熱伝達プレート20との間隔が0.11mmとなり且
つウェーハ9の右側縁部92と熱伝達プレート20との
間隔が0.09mmとなるように、スペーサーの取り替
えによって、スペーサーの高さをそれぞれ調整した。そ
して、第2べークユニット内の前記高さ調整されたスペ
ーサー上にさらにウェーハ9を支持させ、熱処理を行な
ったときのウェーハ9の表面温度分布を測定した。
は中央部で温度が高くて周辺部の温度が低く、且つ左側
縁部91と右側縁部92との温度差が大幅に減った温度
分布、すなわち、図6に示した前記第1べークユニット
内でのウェーハ表面温度分布と類似した温度分布を示し
た。このとき、ウェーハ9の表面のうち最高温度となっ
た中央部位の温度は145.86℃、最低温度となった
縁部の温度は145.30℃であり、その差は0.56
℃、ウェーハ9表面全体の平均温度は145.55℃で
あった。
ウェーハのうち幾つかを第2べークユニット内の高さ調
整されたスペーサー上でさらに熱処理した後に現像して
線幅を測定した結果、線幅に対する不良率が第1べーク
ユニットによって熱処理されたウェーハの線幅不良率と
ほぼ等しくなることが確認できた。これは生産性の向上
のために第1べークユニット及び第2べークユニットを
並列に使用してもなんら問題無いことを意味する。
と熱伝達プレート20との間隔が小さいほど最高温度に
達する時間及び安定化される時間は短くなるが、ウェー
ハ9の表面温度分布は熱伝達プレート20の温度分布に
近づくので好ましくなく、前記間隔が大きいほど熱伝達
プレート20の温度分布の影響は小さくなるが、最高温
度に達する時間及び安定化される時間は遅くなる。従っ
て、ウェーハ9と熱伝達プレート20との間隔は実際の
作業現場での要求条件に鑑みて適宜設定することが好ま
しい。なお、前述のテストは、本発明者らによる前記ウ
ェーハ9と熱伝達プレート20との平均間隔は0.10
mmが最適であるとのシュミレーション作業結果に基づ
き行われたものである。
ー30の高さ調整によってウェーハ9の傾度及びそのウ
ェーハ9と熱伝達プレート20との間隔を調整すること
により、ウェーハ9の表面温度分布を適宜調整し得る。
従って、例えば、いずれか1つのべークユニット内で熱
処理されるウェーハの表面温度分布を基準とし、その基
準となる表面温度分布に合わせて他のべークユニット内
でのウェーハの表面温度分布を調整すれば、PEB工程
などのように精度良い温度制御が要求される工程でも複
数のべークユニットを使って複数のウェーハを同時に熱
処理することが可能になる。
グ10が下部ケース11及び上部ケース12からなるも
のとして説明及び図示したが、これに限られるものでは
なく、例えばハウジングが1つの胴体からなり、そのハ
ウジングの一側面にウェーハの出入りのための出入口が
形成できることはもちろんである。
り替えによってウェーハ9と熱伝達プレート20との間
隔が調整されると説明したが、スペーサーの高さ調整を
可能にするための構成はこれに限られるものではない。
ットが示してあり、図10には図9の熱伝達プレート部
位を平面図として示してある。本実施形態のべークユニ
ットで、ハウジング10と熱伝達プレート20及びヒー
ター3は前記説明したものと同じ機能をもつ。一方、本
実施形態のべークユニットは、図2に示した実施形態と
は異なり、伝達プレートに螺合されてなり、回転によっ
て昇降するスペーサーを有する形態であり、より具体的
にはピン形状のスペーサー40を具備している。
10内に挿入されたウェーハ9を熱伝達プレート20か
ら離隔して支持するように、熱伝達プレート20の上面
から突出している。このスペーサー40は熱伝達プレー
ト20に対してそれぞれ独立して昇降できる。昇降可能
なようにスペーサー40を熱伝達プレート20と結合す
るための構造としては各種の形態のものが適宜採用で
き、各スペーサー40が熱伝達プレート20に螺合した
構造が例として挙げられる。従って、各スペーサー40
に回転力が加えられたときにそのスペーサー40が上昇
または下降され、これによりスペーサー40の突出高さ
が適宜調整でき且つ選択できる。スペーサー40の材質
は、効率良い熱伝達のために熱伝達プレート20の材質
と同一であることが好ましい。
ペーサー40をそれぞれ独立して回転させるとそのスペ
ーサー40の高さが調整され、これによりスペーサー4
0により支持されるウェーハ9の傾度やウェーハ9と熱
伝達プレート20との間隔が調整できる。従って、本実
施形態の熱処理装置も図2を参照して説明した実施形態
の熱処理装置と同様に複数のウェーハを並列して熱処理
することができ、ボトルネック現象の問題を解決でき
る。
のべークユニットの熱伝達プレートを示し、図12に図
11の熱伝達プレート底面図を示す。本実施形態による
スペーサーはそれぞれ対応するモーター、およびこのモ
ーターの動力をスペーサーに伝達する動力伝達機構をさ
らに備えたものである。
スペーサー40が設けられているが、各スペーサー40
と熱伝達プレート20との結合構造は図11に示した実
施形態のべークユニットと同様である。また、スペーサ
ー40の材質は、効率良い熱伝達のために熱伝達プレー
ト20の材質と同一であることが好ましい。一方、本実
施形態では3つのモーター50と、動力伝達機構が具備
された例を図示したが、スペーサーの数は本例に限られ
るものではない。この動力伝達機構は各モーター50か
らの動力をそれに対応するスペーサー40に伝えるため
に設けられたものであって、各スペーサー40に結合し
たウォームホイール41と、スペーサー40に対応する
モーター50の出力軸に結合したウォーム51を具備し
ており、前記ウォーム51は、前記ウォームホイール4
1と噛み合うようになっている。
ター50が回転すれば、そのモーター50の出力軸に結
合したウォーム51とそのウォーム51に噛み合ったウ
ォームホイール41を通じてそのモーター50と対応す
るスペーサー40が回転し、これによりスペーサー40
が熱伝達プレート20に対して上昇または下降する。こ
のような構成により、熱伝達プレート20からのスペー
サー40の突出高さがそれぞれ独立して調整できるの
で、前記実施形態の熱処理装置と同様に複数のウェーハ
を並列して熱処理することができる。
ーター50の出力軸に固定されたウォーム51および該
ウォーム51と噛み合う、スペーサー40に結合したウ
ォームホイール41のみを具備したものを説明及び図示
した。しかし、前述の構成は動力伝達機構の一実施形態
に過ぎず、これ以外にも各種の構成のものが採用でき
る。例えば、ウォームホイール41がスペーサー40に
直接結合する代わりに、適正な減速比を得るためにウォ
ームホイール41が多数のギア群(図示せず)を挟んで
スペーサー40に連結できるのはもちろんである。この
ような構成のほかにも、モーターの回転力をスペーサー
の昇降運動に変換させるための構成は種々当業者に広く
知られたものがあり、そのうち適切なものを本発明の技
術的思想から免脱しない範囲内で自由に採用できる。
作によって作動させることができ、そのべークユニット
内で測定されたウェーハの表面温度分布と制御部(図示
せず)に予め入力されている温度分布の差に基づいて発
生する信号によって、自動で作動させることもできる。
平面上での配置は、図3、図10及び図12に示された
ものに限定されず、状況によって適宜設定できる。
ハ熱処理を例にとって本発明について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、半導体製造プロセ
スのうちウェーハを熱処理する必要がある工程にはいず
れにも適用できる。
プレート20内にヒーター3が設けられたべークユニッ
トを例にとって本発明を説明したが、例えば熱伝達プレ
ート内に冷却水を流動させたりその他の冷却源を設け、
その冷却水や冷却源によって熱伝達プレート及びウェー
ハを冷却する構成を有するものにも本発明が適用できる
ことはもちろんである。
れるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で前述
の実施形態や変形例の変更または組合せによる各種ウェ
ーハ用熱処理装置及び方法も本発明の請求の範囲に含ま
れるべきものである。
理される時のウェーハの表面温度分布が所定の基準温度
分布に近づくようにウェーハの傾度やウェーハと熱伝達
プレートとの間隔を予め調整できるので、きめ細かい温
度制御が必要な場合にも複数セットの熱処理装置を使っ
てウェーハを並列に熱処理でき、これにより半導体製造
工程中に現れるボトルネック現象の問題を解決でき、生
産性が大幅に向上させることができる。
面図である。
装置の概略断面図である。
である。
温度分布図である。
温度分布図である。
ェーハの表面温度分布図である。
ェーハの表面温度分布図である。
調整した状態で熱処理されたウェーハの表面温度分布図
である。
理装置の概略断面図である。
概略図である。
ハ用熱処理装置の熱伝達プレート部位の概略断面図であ
る。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 熱伝達プレートと、前記熱伝達プレート
との熱交換を通じて熱処理されるウェーハを該熱伝達プ
レートから離隔した状態で対面支持するように前記熱伝
達プレートの上面から突設してなる複数のスペーサーを
具備してなり、前記各スペーサーは、該スペーサーに支
持されたウェーハと前記熱伝達プレートとの間隔及び前
記熱伝達プレートに対するウェーハの傾度が調整できる
ように、それぞれ独立して前記熱伝達プレートの上面か
らの突出高さが調整可能に設けられていることを特徴と
するウェーハ用熱処理装置。 - 【請求項2】 前記熱伝達プレートには載置されるウェ
ーハに周設するように複数のガイドピンが設けられてな
り、前記各スペーサーは前記各ガイドピンに嵌合し、前
記各スペーサーは取り替え可能であることを特徴とする
請求項1に記載のウェーハ用熱処理装置。 - 【請求項3】 前記各スペーサーは、前記熱伝達プレー
トに対して昇降可能に設けられていることを特徴とする
請求項1または2に記載のウェーハ用熱処理装置。 - 【請求項4】 前記各スペーサーは、前記熱伝達プレー
トに螺合されてなり、回転によって昇降することを特徴
とする請求項3に記載のウェーハ用熱処理装置。 - 【請求項5】 前記各スペーサーにそれぞれ対応するモ
ーターと、前記各モーターの動力を対応する前記各スペ
ーサーに伝達する動力伝達機構とをさらに具備してなる
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の
ウェーハ用熱処理装置。 - 【請求項6】 ウェーハの表面温度分布が所定の温度分
布となるように熱伝達プレートの上面から突設してなる
各スペーサーの高さをそれぞれ調整する段階と、前記各
スペーサー上に前記ウェーハを載置する段階と、前記熱
伝達プレートからの熱伝達により前記ウェーハを熱処理
する段階を含むことを特徴とするウェーハ用熱処理方
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990025341A KR100319891B1 (ko) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 웨이퍼용 열처리 방법 |
KR99P25341 | 1999-06-29 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009166014A Division JP2009239311A (ja) | 1999-06-29 | 2009-07-14 | ウェーハ用熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001068407A true JP2001068407A (ja) | 2001-03-16 |
JP4363754B2 JP4363754B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=19597017
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000197168A Expired - Fee Related JP4363754B2 (ja) | 1999-06-29 | 2000-06-29 | ウェーハ用熱処理装置及び方法 |
JP2009166014A Pending JP2009239311A (ja) | 1999-06-29 | 2009-07-14 | ウェーハ用熱処理方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009166014A Pending JP2009239311A (ja) | 1999-06-29 | 2009-07-14 | ウェーハ用熱処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6746972B1 (ja) |
JP (2) | JP4363754B2 (ja) |
KR (1) | KR100319891B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7417206B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-08-26 | Kyocera Corporation | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
JP2011155137A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム |
JP2016181665A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100319891B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-01-10 | 윤종용 | 웨이퍼용 열처리 방법 |
US7846851B2 (en) * | 2004-01-27 | 2010-12-07 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for a two-step resist soft bake to prevent ILD outgassing during semiconductor processing |
US20100312129A1 (en) | 2005-01-26 | 2010-12-09 | Schecter Stuart O | Cardiovascular haptic handle system |
US7633601B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-12-15 | United Microelectronics Corp. | Method and related operation system for immersion lithography |
US20130078058A1 (en) * | 2010-05-28 | 2013-03-28 | Maurizio Marchini | Method of controlling the management of forming drums in building tyres for vehicle wheels and plant for production of tyres for vehicle wheels |
US8942828B1 (en) | 2011-04-13 | 2015-01-27 | Stuart Schecter, LLC | Minimally invasive cardiovascular support system with true haptic coupling |
US20130274712A1 (en) * | 2011-11-02 | 2013-10-17 | Stuart O. Schecter | Haptic system for balloon tipped catheter interventions |
US10013082B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-07-03 | Stuart Schecter, LLC | Operating system with haptic interface for minimally invasive, hand-held surgical instrument |
CN107166799A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-09-15 | 山东荣安电子科技有限公司 | 冷热一体水箱 |
CN110133969A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-16 | 厦门通富微电子有限公司 | 一种用于烘烤光刻胶的烘烤设备、烘烤系统及烘烤方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1297086B (de) * | 1965-01-29 | 1969-06-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Schicht von einkristallinem Halbleitermaterial |
US3699917A (en) * | 1970-10-02 | 1972-10-24 | Cogar Corp | Vapor deposition apparatus |
US4535228A (en) * | 1982-12-28 | 1985-08-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Heater assembly and a heat-treatment method of semiconductor wafer using the same |
US4724621A (en) * | 1986-04-17 | 1988-02-16 | Varian Associates, Inc. | Wafer processing chuck using slanted clamping pins |
JPH0456146A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JPH06177141A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
JPH06181173A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Nec Corp | 加熱装置 |
US5665167A (en) * | 1993-02-16 | 1997-09-09 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit |
US5421894A (en) * | 1994-02-24 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Power loss recovery for wafer heater |
KR970005686B1 (ko) * | 1994-04-28 | 1997-04-18 | 한국베리안 주식회사 | 박막열처리 장치 |
JP3143770B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2001-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置 |
JP3276553B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2002-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JPH08236533A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Toshiba Corp | ウエハ加熱冷却装置 |
JPH0982785A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体ウェハ温度制御装置 |
JPH09260474A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Sony Corp | 静電チャックおよびウエハステージ |
US5885353A (en) * | 1996-06-21 | 1999-03-23 | Micron Technology, Inc. | Thermal conditioning apparatus |
JPH1050716A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の枚葉式熱処理装置 |
JP3715073B2 (ja) * | 1997-04-22 | 2005-11-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US6372048B1 (en) * | 1997-06-09 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Limited | Gas processing apparatus for object to be processed |
US6073576A (en) * | 1997-11-25 | 2000-06-13 | Cvc Products, Inc. | Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment |
JPH11272342A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置および基板熱処理方法 |
US6185839B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber having improved gas distributor |
US6248671B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-06-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing apparatuses, and methods of forming antireflective coating materials over substrates |
KR100319891B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-01-10 | 윤종용 | 웨이퍼용 열처리 방법 |
-
1999
- 1999-06-29 KR KR1019990025341A patent/KR100319891B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-06-28 US US09/605,660 patent/US6746972B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-29 JP JP2000197168A patent/JP4363754B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-13 US US10/822,751 patent/US20040194920A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-07-14 JP JP2009166014A patent/JP2009239311A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7417206B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-08-26 | Kyocera Corporation | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
JP2011155137A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム |
JP2016181665A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009239311A (ja) | 2009-10-15 |
US20040194920A1 (en) | 2004-10-07 |
US6746972B1 (en) | 2004-06-08 |
KR20010004643A (ko) | 2001-01-15 |
KR100319891B1 (ko) | 2002-01-10 |
JP4363754B2 (ja) | 2009-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009239311A (ja) | ウェーハ用熱処理方法 | |
JP5610664B2 (ja) | レジストがコーティングされたウエハの熱処理をインラインで監視及び制御する方法 | |
JP6487244B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
US20120031892A1 (en) | Heat Treatment Method, Recording Medium Having Recorded Program for Executing Heat Treatment Method, and Heat Treatment Apparatus | |
JP4570164B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP6391558B2 (ja) | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
TW201937669A (zh) | 熱處理裝置,熱板的冷卻方法及電腦可讀取的記錄媒體 | |
JP4636555B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP4666380B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2889926B2 (ja) | 基板の加熱処理方法及び加熱処理装置 | |
US6979474B2 (en) | Heat treatment method, heat treatment apparatus and treatment system | |
JP2006222354A (ja) | 熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2003051439A (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
JP2009164483A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体基板処理装置 | |
US8587763B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable recording medium recording program thereon | |
JP2008112980A (ja) | 改善された温度均一性で半導体ウェハを加熱する装置及び方法 | |
JP2005150696A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
KR20000075415A (ko) | 반도체 웨이퍼를 균일하게 가열하기 위한 베이크 오븐 시스템 | |
KR100300679B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 베이크의 웨이퍼 높낮이 조절장치 | |
JP4021140B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JPH06181173A (ja) | 加熱装置 | |
TW201837622A (zh) | 烘烤方法 | |
JP4642692B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP2018195849A (ja) | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
KR20060030207A (ko) | 베이크 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090804 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090818 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |