JP2016181665A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この熱処理装置1は、基板9の外周部91を支持する複数の第1リフトピン51と、基板9の中央部92を支持する複数の第2リフトピン52と、を有する。温調機構40は、熱処理プレート30の少なくとも中央エリアを、目標温度よりも過剰な温度に温調する。制御部80は、熱処理の開始後、基板9の中央部92の温度が目標温度に到達したら、昇降機構60を動作させて、第2リフトピン52を上昇させる。これにより、基板9の中央部92を熱処理プレート30から引き離す。このようにすれば、基板9の中央部92を基準として、基板9の全面を均一かつ短時間に熱処理できる。
【選択図】図2
Description
<1−1.基板処理装置の構成>
図1は、第1実施形態に係る熱処理装置を備えた基板処理装置100の構成を示した概略図である。本実施形態の基板処理装置100は、液晶表示装置に用いられる矩形のガラス基板9(以下、単に「基板9」と称する)に対して、レジスト液の塗布、露光、および露光後の現像を行う装置である。
続いて、上述したデハイドベーク部12内の冷却部、プリベーク部15内の冷却部、およびポストベーク部20内の冷却部のそれぞれに適用できる熱処理装置1の構成について説明する。
続いて、第1実施形態に係る熱処理装置1の動作について、説明する。図5は、熱処理装置1を用いて、基板9を目標温度に冷却する処理の流れを示すフローチャートである。
<2−1.熱処理装置の構成>
続いて、本発明の第2実施形態について、説明する。なお、本実施形態の熱処理装置1も、第1実施形態の熱処理装置1と同じように、基板処理装置100のデハイドベーク部12内の冷却部、プリベーク部15内の冷却部、およびポストベーク部20内の冷却部のそれぞれに、適用することができる。
続いて、第2実施形態に係る熱処理装置1の動作について、説明する。図9は、第2実施形態に係る熱処理装置1を用いて、基板9を目標温度に冷却する処理の流れを示すフローチャートである。
以上、本発明の第1実施形態および第2実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
9 基板
10 インデクサ
11 洗浄部
12 デハイドベーク部
13 塗布部
14 減圧乾燥部
15 プリベーク部
16 インターフェース部
17 露光部
18 現像部
19 リンス部
20 ポストベーク部
30 熱処理プレート
31 上面
32 貫通孔
40 温調機構
41 第1温調機構
42 第2温調機構
50 リフトピン
51 第1リフトピン
52 第2リフトピン
60 昇降機構
61 第1昇降機構
62 第2昇降機構
70 温度計測部
71 外周温度センサ
72 中央温度センサ
80 制御部
91 外周部
92 中央部
100 基板処理装置
401 流路
402 温調源
411 第1流路
412 第1温調源
421 第2流路
422 第2温調源
500 枠体
510 第1枠体
520 第2枠体
A1 外周エリア
A2 中央エリア
P コンピュータプログラム
Claims (8)
- 基板を目標温度に冷却または加熱する熱処理装置であって、
基板を載置する熱処理プレートと、
前記熱処理プレートを温調する温調機構と、
前記熱処理プレート内に設けられた複数のリフトピンと、
前記複数のリフトピンを昇降させる昇降機構と、
前記熱処理プレート上に載置された基板の中央部の温度を計測する中央温度センサと、
前記中央温度センサの計測結果に基づいて、前記昇降機構を制御する制御部と、
を備え、
前記複数のリフトピンは、
基板の外周部を支持する複数の第1リフトピンと、
前記複数の第1リフトピンよりも内側に位置し、基板の前記中央部を支持する複数の第2リフトピンと、
を含み、
前記温調機構は、前記熱処理プレートのうち、少なくとも基板の前記中央部が配置される中央エリアを、前記目標温度よりも過剰な温度に温調し、
前記制御部は、熱処理の開始後、前記中央温度センサにより計測される温度が、前記目標温度に到達したら、前記昇降機構を動作させて、前記第2リフトピンを上昇させる熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置であって、
前記熱処理プレート上に載置された基板の前記外周部の温度を計測する外周温度センサをさらに備え、
前記昇降機構は、
前記複数の第1リフトピンを同時に昇降させる第1昇降機構と、
前記複数の第2リフトピンを同時に昇降させる第2昇降機構と、
を含み、
前記温調機構は、前記熱処理プレートのうち、基板の前記外周部が配置される外周エリアと前記中央エリアとの双方を、前記目標温度よりも過剰な温度に温調し、
前記制御部は、熱処理の開始後、
前記外周温度センサにより計測される温度が、前記目標温度に到達したら、前記第1昇降機構を動作させて、前記第1リフトピンを上昇させ、
前記中央温度センサにより計測される温度が、前記目標温度に到達したら、前記第2昇降機構を動作させて、前記第2リフトピンを上昇させる熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置であって、
前記温調機構は、
前記熱処理プレートのうち、基板の前記外周部が配置される外周エリアを、前記目標温度付近に温調する第1温調機構と、
前記熱処理プレートの前記中央エリアを、前記目標温度よりも過剰な温度に温調する第2温調機構と、
を含み、
前記制御部は、熱処理の開始後、前記中央温度センサにより計測される温度が、前記目標温度に到達したら、前記昇降機構を動作させて、前記第1リフトピンおよび前記第2リフトピンの双方を上昇させる熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置であって、
前記熱処理プレート上に載置された基板の前記外周部の温度を計測する外周温度センサをさらに備え、
前記第1リフトピンの上端部の高さと、前記第2リフトピンの上端部の高さとが、互いに相違し、
前記温調機構は、前記熱処理プレートのうち、基板の前記外周部が配置される外周エリアと前記中央エリアとの双方を、前記目標温度よりも過剰な温度に温調し、
前記制御部は、熱処理の開始後、
前記外周温度センサにより計測される温度が、前記目標温度に到達したら、前記昇降機構を動作させて、前記第1リフトピンの上端部を、前記熱処理プレートの上面から突出させ、
前記中央温度センサにより計測される温度が、前記目標温度に到達したら、前記昇降機構を動作させて、前記第2リフトピンの上端部を、前記熱処理プレートの上面から突出させる熱処理装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の熱処理装置であって、
環境温度よりも高温の基板を、前記目標温度に冷却する熱処理装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の熱処理装置であって、
前記目標温度は、環境温度付近の温度である熱処理装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の熱処理装置であって、
前記中央温度センサは、基板の表面温度を非接触で計測する熱処理装置。 - 基板を目標温度に冷却または加熱する熱処理方法であって、
a)熱処理プレートの温調を開始する工程と、
b)前記熱処理プレートの上面に基板を載置する工程と、
c)前記熱処理プレート上に載置された基板の中央部の温度を計測する工程と、
d)前記工程c)の計測結果に基づいて、前記熱処理プレートから基板を引き離す工程と、
を含み、
前記工程a)では、前記熱処理プレートのうち、少なくとも基板の前記中央部が配置される中央エリアを、前記目標温度よりも過剰な温度に温調し、
前記工程d)では、基板の前記中央部の温度が、前記目標温度に到達したら、前記熱処理プレートから基板を引き離す熱処理方法。
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