JP7109211B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板などの各種基板（以下、単に基板と称する）に対して、熱処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、載置された基板を加熱する熱処理プレートと、熱処理プレートの上部を囲い、熱処理プレートに対して昇降可能に構成され、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成するカバー部材と、熱処理プレートとカバー部材とを囲った筐体と、カバー部材の天井面と熱処理プレートの上面との間に設けられた天板と、天板の下面と熱処理プレートの上面との間隔を調整する位置調整部材とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。
このように構成された基板処理装置では、位置調整部材により基板と天板との間隔を予め所定の状態に調整して基板に対する熱処理を行う。これにより、基板における温度分布の面内均一性を向上させて、基板における処理の面内均一性を向上させている。
特開２０００－３８４３号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、基板と天板との間隔が予め位置調整部材により調整されているので、基板における温度分布の面内均一性を基板ごとに制御することが困難であるという問題がある。
具体的には、従来例では、ボルトとナットからなる位置調整部材によって、熱処理プレートに対する天板の高さ位置が固定されている。したがって、ある基板を処理する際には、基板と天板との間隔を狭くして基板の熱が比較的逃げにくくしたり、他の基板を処理する際には、基板と天板との間隔を広くして基板の熱が比較的逃げやすくしたりして、基板における熱分布の面内均一性を示す均熱性能を積極的に制御することができない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、天板を工夫することにより、基板の均熱性能を制御することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、前記熱処理プレートの上方を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、前記筐体の天井面と前記熱処理プレートとの間において昇降可能な可動天板と、前記熱処理プレートとの間で基板を搬入出する際には、前記筐体の天井面に近い上昇位置に前記可動天板を移動させ、前記熱処理プレートに基板を載置して基板に対して熱処理を行う際には、前記上昇位置より低く、前記熱処理プレート上の基板面から所定高さの下降位置に前記可動天板を移動させ、前記下降位置を基板ごとに調整する制御部と、を備え、前記制御部により操作され、前記可動天板を昇降する昇降機構をさらに備え、前記昇降機構は、水冷式ベースプレートを介して前記熱処理プレートより下方に配置されて、前記熱処理プレートに対して熱的に分離されていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御部は、熱処理プレートとの間で基板を搬入出する際には、上昇位置に可動天板を移動させ、熱処理プレートに基板を載置して基板に対して熱処理を行う際には、下降位置に可動天板を移動させ、この下降位置を基板ごとに調整する。したがって、下降位置の高さを基板ごとに異なるものとすることにより、基板における温度分布の面内均一性を基板ごとに制御できる。また、可動天板を下降位置に位置させても、基板の搬入出時には、上昇位置へ可動天板を上昇させるので、基板の搬入出時に可動天板が干渉することがなく、基板の搬入出を円滑に行うことができる。また、最近は、微細加工プロセスのために、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成することがある。この下層膜の生成のためには、これまでの１００～１５０℃程度の熱処理に比較して３００～５００℃程度の高温で熱処理が行われる。このような高温になると、昇降機構が熱の影響により故障する恐れがある。そこで、昇降機構を水冷式ベースプレートを介して熱処理プレートより下方に配置し、熱的に分離することで、そのような不都合を回避して稼働率を向上できる。
また、本発明において、前記可動天板は、平面視における中央部に、基板の直径より小径の円形状の開口が形成されていることが好ましい（請求項２）。
基板の周縁部は中央部に比較して温度が低下しやすいが、可動天板からの輻射により、基板の周縁部の温度低下を抑制できる。また、最近は、微細加工プロセスのために、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成することがある。この下層膜の生成のためには、高温で基板を熱処理するが、その際に昇華物を含む気体が発生する。その気体を可動天板の開口を通して円滑に排気に導くことができるので、可動天板に昇華物が付着することを抑制できる。その結果、昇華物が可動天板から落下して基板が汚染されることを抑制できる。
また、本発明において、前記可動天板は、平面視における直径が、基板の直径よりも小さく形成されていることが好ましい（請求項３）。
基板の中央部における温度低下がさらにしづらくなるので、意図的に基板の中央部の温度と周縁部との処理差を大きくした状態で熱処理を行うことができる。
（削除）
（削除）
また、本発明において、前記熱処理プレートは、平面視で円形状を呈し、前記可動天板は、平面視で前記熱処理プレートの直径より大なる対角長を有する矩形状を呈し、前記昇降機構は、前記可動天板の四隅に連結されていることが好ましい（請求項５）。
熱処理プレートの熱が可動天板の四隅には熱が伝わりにくいので、昇降機構に熱が伝わりにくい。したがって、昇降機構が熱の影響を受けにくく、故障の発生を抑制できる。
また、本発明において、前記可動天板は、セラミックまたは金属とセラミックとの合金からなることが好ましい（請求項６）。
セラミックまたは金属とセラミックとの合金からなる可動天板は、下層膜の生成のために高温の熱処理を行っても、熱による変形を防止できる。
本発明に係る基板処理装置によれば、制御部は、熱処理プレートとの間で基板を搬入出する際には、上昇位置に可動天板を移動させ、熱処理プレートに基板を載置して基板に対して熱処理を行う際には、下降位置に可動天板を移動させ、この下降位置を基板ごとに調整する。したがって、下降位置の高さを基板ごとに異なるものとすることにより、基板における温度分布の面内均一性を基板ごとに制御できる。また、可動天板を下降位置に位置させても、基板の搬入出時には、上昇位置へ可動天板を上昇させるので、基板の搬入出時に可動天板が干渉することがなく、基板の搬入出を円滑に行うことができる。また、最近は、微細加工プロセスのために、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成することがある。この下層膜の生成のためには、これまでの１００～１５０℃程度の熱処理に比較して３００～５００℃程度の高温で熱処理が行われる。このような高温になると、昇降機構が熱の影響により故障する恐れがある。そこで、昇降機構を水冷式ベースプレートを介して熱処理プレートより下方に配置し、熱的に分離することで、そのような不都合を回避して稼働率を向上できる。
実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す概略構成図である。 可動天板の平面図である。 昇降ピンの先端部付近を示す縦断面図である。 基板を搬入出する状態を示す縦断面図である。 基板を加熱する状態を示す縦断面図である。 可動天板の変形例を示す縦断面図である。 可動天板の変形例を示す平面図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す概略構成図であり、図２は、可動天板の平面図であり、図３は、昇降ピンの先端部付近を示す縦断面図である。
実施例に係る基板処理装置１は、基板Ｗに対して熱処理を施すものである。具体的には、微細加工プロセスのために、例えば、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成する際の熱処理を行う。この下層膜の生成のためには、３００～５００℃程度の高温で熱処理が行われる。
基板処理装置１は、下部ベースプレート３と、水冷式ベースプレート５と、熱処理プレート７と、可動天板ユニット９と、昇降ピンユニット１１と、筐体１３と、シャッタユニット１５とを備えている。
この基板処理装置１は、隣接して配置された搬送アーム１７から基板Ｗを搬入され、熱処理を施した後、処理済みの基板Ｗを搬送アーム１７によって搬出される。
下部ベースプレート３は、上面に支柱１９を立設され、その上部に水冷式ベースプレート５が配置されている。水冷式ベースプレート５は、熱処理プレート７の熱が下方へ伝達することを抑制する。具体的には、水冷式ベースプレート５は、例えば、内部に冷媒が流通可能な冷媒流路２１が全体にわたって形成されている。この冷媒流路２１には、例えば、冷媒として冷却水が流通される。この冷却水は、例えば、２０℃に温調されている。
熱処理プレート７は、平面視で円形状を呈する。その直径は、基板Ｗの直径よりも若干大きい。熱処理プレート７は、図示しないヒータなどの加熱手段を内蔵しており、例えば、表面温度が４００℃になるように加熱される。熱処理プロレート７は、その下面と水冷式ベースプレート５の上面との間に設けられた支柱２３により、水冷式ベースプレート５から上方へ離間した状態で配置されている。熱処理プレート７は、平面視で正三角形の各頂点に対応する位置に貫通口２５が形成されている。
熱処理プレート７には、可動天板ユニット９が付設されている。可動天板ユニット９は、昇降ベースプレート２７と、昇降機構２９と、支柱３１と、可動天板３３とを備えている。
昇降ベースプレート２７は、支柱２３や、後述する昇降ピン４１との干渉を回避する開口を備えている。昇降機構２９は、例えば、エアシリンダで構成されている。昇降機構２９は、作動軸を有する部分を上方に向けた姿勢で水冷式ベースプレート５に密着して取り付けられている。この昇降機構２９は、作動軸の先端部の高さが任意の位置で固定できる。昇降機構２９は、その作動軸が昇降ベースプレート２７の底面に連結されている。昇降機構２９の作動軸を昇降させると、昇降ベースプレート２７の高さ位置を可変することができる。昇降ベースプレート２７は、その上面に、例えば、４本の支柱３１が立設されている。４本の支柱３１の上端には、可動天板３３が取り付けられている。
図２に示すように、可動天板３３は、平面視で中央部に開口３５が形成されている。開口３５は、平面視で基板Ｗの直径よりも小さく形成されている。この可動天板３３は、昇降機構２９が作動することにより、昇降ベースプレート２７とともに昇降する。可動天板３３の昇降位置は、基板Ｗに熱処理を行う際の下降位置と、基板Ｗを搬入する際の上昇位置とにわたって移動される。なお、下降位置は、基板Ｗの上面と可動天板３３の下面との距離が約１０ｍｍであることが好ましい。これは、発明者等の実験により、基板Ｗの表面における温度分布の面内均一性を向上するには、この距離が好ましいことがわかったからである。
可動天板３３は、その対角長が、熱処理プレート７の直径よりも長く形成された矩形状を呈する。４本の支柱３１は、各々の上端が可動天板３３の下面における四隅に連結されている。可動天板３３の四隅は、熱源である平面視円形状の熱処理プレート７から遠い位置にあたる。したがって、熱処理プレート７の輻射熱により可動天板３３が加熱されても、支柱３１には熱が伝わりにくくできる。したがって、昇降機構２９が熱の影響を受けにくく、故障の発生を抑制できる。
上述した可動天板３３は、セラミックまたは金属とセラミックとの合金からなることが好ましい。これにより高温の熱処理を行っても、熱による変形を防止できる。
昇降ピンユニット１１は、駆動機構３７と、昇降リング３９と、３本の昇降ピン４１とを備えている。なお、昇降ピン４１は、図示の関係上、２本のみを描いている。
駆動機構３７は、例えば、エアシリンダで構成されている。駆動機構３７は、その作動軸を有する部分を下方に向け、反対側を水冷式ベースプレート５の下面に密着させた状態で取り付けられている。作動軸の下部には、昇降リング３９が連結されている。昇降リング３９の上面には、３本の昇降ピン４１が立設されている。駆動機構３９は、その作動軸の高さ位置を、３本の昇降ピン４１が熱処理プレート７の上面から上方に突出した受け渡し位置（図１中の二点鎖線）と、３本の昇降ピン４１が熱処理プレート７の上面から下方に没入した処理位置（図１中の実線）との二箇所にわたって調節可能である。３本の昇降ピン４１は、熱処理プレート７に形成されている３箇所の貫通口２５に挿通されている。
昇降ピン４１は、図３に示すように構成されていることが好ましい。昇降ピン４１は、芯部４１ａと、外筒４１ｂと、石英ボール４１ｃとを備えている。芯部４１ａは、胴部４１ｄの上部にあたる先端部４１ｅが、胴部４１ｄよりも小径に形成されている。外筒４１ｂは、先端部以外が石英ボール４１ｃの外径より若干大きな内径に形成されている。外筒４１ｂの先端部は、石英ボール４１ｃの直径よりも小さな内径に形成されている。石英ボール４１ｃは、その直径が先端部４１ｅより若干小さく形成されている。したがって、石英ボール４１ｃを先端部４１ｅの上面に載置した状態で、外筒４１ｂを被せると、石英ボール４１ｃの１／３ほどが外筒４１ｂから突出した状態となる。この状態で、芯部４１ｄと外筒４１ｂとを貫通する貫通口４１ｆに係合ピン４１ｇを圧入することにより、外筒４１ｂを石英ボール４１ｃとともに芯部４１ａに固定して昇降ピン４１が構成される。なお、石英ボール４１ｃ以外の部材は金属製である。
高温環境に耐えうる材料としては石英が好適であるものの、強度やコストを考慮すると昇降ピン４１の全体を石英製とするのは困難である。そこで、上述したように先端部の石英ボール４１ｃだけを石英製とすることでコストを抑制できる。また、石英は、基板Ｗの材料である単結晶シリコンよりも高度が若干低いので、基板Ｗの下面を損傷する恐れが低く、その上、球状であるので接触面積を最小限とすることができる。
筐体１３は、熱処理プレート７の上方を覆って、熱処理プレート７による熱処理雰囲気を形成する。筐体１３は、その一方面に搬入出口４３が形成されている。搬入出口４３は、熱処理プレート７の上面付近の高さ位置から上に開口されている。搬送アーム１７は、この搬入出口４３を通して基板Ｗの搬入出を行う。
搬入出口４３には、シャッタユニット１５が付設されている。シャッタユニット１５は、駆動機構４５と、シャッタ本体４７とを備えている。駆動機構４５は、その作動軸の部分が上方に向けられた姿勢で、一部が水冷式ベースプレート５に密着されて取り付けられている。作動軸の上部には、シャッタ本体４７が連結されている。駆動機構４５が作動軸を伸長させると、シャッタ本体４７が上昇されて搬入出口４３が閉塞され（図１に示す実線）、駆動機構４５が作動軸を収縮させると、シャッタ本体４７が下降されて搬入出口４３が開放される（図１に示す二点鎖線）。
筐体１３は、その天井面に排気口４９が形成されている。排気口４９は、排気管５１に連通接続されている。筐体１３の排気口４９と、熱処理プレート７の上面との間隔は、例えば、３０ｍｍ程度である。排気管５１は、図示しない排気設備に連通接続されている。排気管５１の一部には、圧力センサ５３が配置されている。この圧力センサ５３は、排気管５１内の排気圧力を検出する。
筐体１３は、排気管５１の上面に沿ってシーズヒータ５５が設けられている。このシーズヒータ５５は、筐体１３や排気管５１を加熱し、昇華物を含む気体が筐体１３に触れた際に、気体が冷却されて昇華物が筐体１３の内壁に付着することを防止する。
制御部６１は、図示しないＣＰＵやメモリから構成されている。制御部６１は、熱処理プレート７の温度制御、可動天板ユニット９の昇降制御、昇降ピンユニット１１の駆動制御、シャッタユニット１５の開閉制御、シーズヒータ５５の温度制御、圧力センサ５３に基づく排気制御などを行う。また、制御部６１は、可動天板ユニット９の昇降制御における下降位置を基板Ｗに応じて種々に操作できる。例えば、基板Ｗごとの処理条件や手順を規定したレシピに可動天板３３の下降位置を規定するようにしておき、図示しない指示部を操作して、基板Ｗの表面からの可動天板３３の距離に相当するパラメータを予めレシピに指示しておく。制御部６１は、例えば、基板Ｗを処理するにあたり、装置オペレータによって指示された基板Ｗに応じたレシピを参照して、そのパラメータに応じて昇降機構２９を操作する。これにより、基板Ｗごとに可動天板３３の下降位置を調整することができる。
次に、図４及び図５を参照して、上述した構成の基板処理装置による基板Ｗの処理について説明する。なお、図４は、基板を搬入出する状態を示す縦断面図であり、図５は、基板を加熱する状態を示す縦断面図である。
まず、図４に示すように、制御部６１は、可動天板ユニット９を操作して、可動天板３３を上昇位置に移動させる。さらに、制御部６１は、昇降ピンユニット１１を操作して、３本の昇降ピン４１を受け渡し位置に上昇させる。これらの操作とともに、制御部６１は、シャッタユニット１５を操作して、搬入出口４３を開放させる。
そして、制御部６１は、搬送アーム１７を、受け渡し位置より高く、かつ、上昇位置の可動天板の下面より低い位置にした状態で、搬入出口４３から進入させ、熱処理プレート７の上方で搬送アーム１７を下降させる。これにより、基板Ｗが受け渡し位置にある昇降ピン４１に渡される。そして、搬送アーム１７を搬入出口４３から退出させるとともに、シャッタユニット１５を操作して、搬入出口４３を閉塞させる。
次いで、図５に示すように、制御部６１は、昇降ピンユニット１１を操作して、３本の昇降ピン４１を処理位置に下降させる。これにより基板Ｗに対して４００℃による加熱処理が行われる。制御部６１は、レシピを参照し、規定された加熱時間にわたって加熱処理を行わせる。
制御部６１は、所定の加熱時間が経過すると、可動天板ユニット９及び昇降ピンユニット１１を操作して、可動天板３３を上昇位置に上昇させるとともに、昇降ピン４１を受け渡し位置に上昇させる。次いで、制御部６１は、シャッタユニット１５を操作して、搬入出口４３を開放させる。さらに、制御部６１は、搬送アーム１７を、受け渡し位置より下方、かつ、熱処理プレート７の上面より上方の高さから搬入出口４３に進入させる。そして、搬送アーム１７を受け渡し位置より高く、かつ、可動天板３３の下面より低い位置に上昇させることで、処理済みの基板Ｗを搬送アーム１７が昇降ピン４１から受け取る。次いで、搬送アーム１７を搬入出４３から退出させることにより、処理済みの基板Ｗを搬出させる。
上記一連の動作により一枚の基板Ｗに対する熱処理が完了するが、新たな基板Ｗを処理する際には、制御部６１は、例えば、装置オペレータによって指示されたレシピを参照し、可動天板ユニット９による可動天板３３の上昇位置をレシピに指示されたものとすることができる。
本実施例によると、制御部６１は、熱処理プレート７との間で基板Ｗを搬入出する際には、上昇位置に可動天板３３を移動させ、熱処理プレート７に基板Ｗを載置して基板Ｗに対して熱処理を行う際には、下降位置に可動天板３３を移動させ、この下降位置を基板Ｗごとに調整する。したがって、下降位置の高さを基板Ｗごとに異なるものとすることにより、基板Ｗ面内における温度分布の均一性を基板Ｗごとに制御できる。また、可動天板３３を下降位置に位置させても、基板Ｗの搬入出時には、上昇位置へ可動天板３３を上昇させるので、基板Ｗの搬入出時に搬送アーム１７と可動天板３３とが干渉することがなく、基板Ｗの搬入出を円滑に行うことができる。
さらに、基板Ｗの直径より小径の円形状の開口３５が形成されている可動天板３３により、次の効果が得られる。
基板Ｗの周縁部は中央部に比較して温度が低下しやすいが、可動天板３３からの輻射により、基板Ｗの周縁部の温度低下を抑制できる。また、塗布炭素膜といわれる下層膜を形成する際には、高温の熱処理により昇華物を含む気体が発生する。その気体を可動天板３３の開口３５を通して円滑に排気に導くことができるので、可動天板３３に昇華物が付着することを抑制できる。その結果、昇華物が可動天板３３から落下して基板が汚染されることを抑制できる。また、可動天板３３に付着した昇華物の除去のためのメンテナンス回数を抑制できるので、基板処理装置１の稼働率を向上できる。
また、可動天板ユニット９の昇降機構２９は、水冷式ベースプレート５に密着して配置されているので、熱処理ユニット７による高温（３００～５００℃）により、昇降機構２９が熱の影響により故障することを防止できる。したがって、基板処理装置１の稼働率を向上できる。
＜変形例＞
上述した基板処理装置１に代えて基板処理装置１Ａのように構成してもよい。ここで、図６及び図７を参照する。なお、図６は、可動天板の変形例を示す縦断面図であり、図７は、可動天板の変形例を示す平面図である。
この基板処理装置１Ａは、上述した基板処理装置１と可動天板３３の構造が相違する。具体的には、可動天板３３Ａは、天板部７１と、支持部７３とを備えている。
天板部７１は、平面視における直径が基板Ｗの直径よりも小さく形成されている。天板部７１の周縁部からは、四方向に向かって支持部７３が延出されている。各支持部７３の端部には、支柱３１が連結されている。
このような基板処理装置１Ａによると、基板Ｗの中央部における温度低下がさらにしづらくなるので、意図的に基板Ｗの中央部の温度と周縁部との処理差を大きくした状態で熱処理を行うことができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例では、可動天板３３が開口３５を有し、可動天板３３Ａが基板Ｗの直径より小径であったが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、これらの可動天板３３，３３Ａに代えて、パンチングボードのように複数個の貫通口が均等に形成された可動天板３３Ｂを採用してもよい。
（２）上述した実施例では、可動天板ユニット９の昇降機構２９と、昇降ピンユニット１１の駆動機構３７と、シャッタユニット１５の駆動機構４５を水冷式ベースプレート５に密着させて取り付けているが、本発明はこのような配置に限定されない。例えば、熱処理プレート７からの高温の影響を受けにくいように、水冷式ベースプレート５から下方に離間させて配置するようにしてもよい。
（３）上述した実施例では、可動天板３３が開口３５を有する平面状の板材であるが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、可動天板３３が基板Ｗの周縁部側から開口３５の中心に向かうにつれて徐々に高くなる円錐形状の山形の立体的な形状を有するものであってもよい。これによると、基板Ｗから発生した昇華物を含む気体を効率的に排気口４９に導くことができる。
（４）上述した実施例では、昇降機構２９がエアシリンダで構成されているとしたが、本発明はこのような構成に限定されない。昇降機構２９として、エアシリンダに代えてモータを採用してもよい。なお、これは、駆動機構３７，４５についても同様である。
（５）上述した実施例では、可動天板３３がセラミックまたは金属とセラミックとの合金であるとしたが、可動天板３３の材料はこれらに限定されない。
１，１Ａ … 基板処理装置
Ｗ … 基板
３ … 下部ベースプレート
５ … 水冷式ベースプレート
７ … 熱処理プレート
９ … 可動天板ユニット
１１ … 昇降ピンユニット
１３ … 筐体
１５ … シャッタユニット
２９ … 昇降機構
３３，３３Ａ … 可動天板
３５ … 開口
３７ … 駆動機構
４１ … 昇降ピン
４３ … 搬入出口
４７ … シャッタ本体
５１ … 排気管
６１ … 制御部

Claims (5)

  1. 基板に対して熱処理を行う基板処理装置において、
    基板を載置し、基板を加熱する熱処理プレートと、
    前記熱処理プレートの上方を覆って、熱処理プレートによる熱処理雰囲気を形成する筐体と、
    前記筐体の天井面と前記熱処理プレートとの間において昇降可能な可動天板と、
    前記熱処理プレートとの間で基板を搬入出する際には、前記筐体の天井面に近い上昇位置に前記可動天板を移動させ、前記熱処理プレートに基板を載置して基板に対して熱処理を行う際には、前記上昇位置より低く、前記熱処理プレート上の基板面から所定高さの下降位置に前記可動天板を移動させ、前記下降位置を基板ごとに調整する制御部と、
    を備え、
    前記制御部により操作され、前記可動天板を昇降する昇降機構をさらに備え、
    前記昇降機構は、水冷式ベースプレートを介して前記熱処理プレートより下方に配置されて、前記熱処理プレートに対して熱的に分離されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記可動天板は、平面視における中央部に、基板の直径より小径の円形状の開口が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記可動天板は、平面視における直径が、基板の直径よりも小さく形成されていることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記熱処理プレートは、平面視で円形状を呈し、
    前記可動天板は、平面視で前記熱処理プレートの直径より大なる対角長を有する矩形状を呈し、
    前記昇降機構は、前記可動天板の四隅に連結されていることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記可動天板は、セラミックまたは金属とセラミックとの合金からなることを特徴とする基板処理装置。
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