JP2876994B2 - 短時間アニール装置 - Google Patents
短時間アニール装置Info
- Publication number
- JP2876994B2 JP2876994B2 JP6183931A JP18393194A JP2876994B2 JP 2876994 B2 JP2876994 B2 JP 2876994B2 JP 6183931 A JP6183931 A JP 6183931A JP 18393194 A JP18393194 A JP 18393194A JP 2876994 B2 JP2876994 B2 JP 2876994B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- short
- temperature
- annealing
- time annealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳｉやＧａＡｓ等の半
導体基板の特性向上のための短時間アニール装置に関す
る。
導体基板の特性向上のための短時間アニール装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】短時間アニール法は、ＳｉやＧａＡｓの
半導体基板（以下ウエハと言う）のキャリアの高濃度活
性化や急峻な濃度プロファイルを得ることが可能であ
り、ウエハへの熱的影響が少ないことから開発段階では
盛んに用いられるようになっている。
半導体基板（以下ウエハと言う）のキャリアの高濃度活
性化や急峻な濃度プロファイルを得ることが可能であ
り、ウエハへの熱的影響が少ないことから開発段階では
盛んに用いられるようになっている。
【０００３】しかし、短時間アニール法では、基本的
に、ウエハ保持体（以下サセプタと言う）、加熱炉本体
及び雰囲気ガスが熱的平衡になっていないことから、ウ
エハの温度の均一性を得ることが難しく、また正確な温
度制御も困難である。このために再現性に乏しく更に大
口径ウエハのアニールにおいては、ウエハ内の温度不均
一からスリップラインなる結晶欠陥が生じ易いという実
用上の大きな問題がある。
に、ウエハ保持体（以下サセプタと言う）、加熱炉本体
及び雰囲気ガスが熱的平衡になっていないことから、ウ
エハの温度の均一性を得ることが難しく、また正確な温
度制御も困難である。このために再現性に乏しく更に大
口径ウエハのアニールにおいては、ウエハ内の温度不均
一からスリップラインなる結晶欠陥が生じ易いという実
用上の大きな問題がある。
【０００４】Ｓ．Ｊ．Ｐｅａｒｔｏｎ等は、ＧａＡｓウ
エハの短時間アニールにおいて、カーボン・グラファイ
ト製サセプタからの間接的熱伝導を利用し、更に蓋で追
って温度均一性をよくすることによって、スリップライ
ンの発生を防止できたと報告（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｖｏｌ ６６（１９８９）ｐｐ６６３）している。
また、同報告によれば、アニール中のウエハの中央部
と、外周辺部で６℃〜７℃以上の温度差があるとスリッ
プラインが発生する。
エハの短時間アニールにおいて、カーボン・グラファイ
ト製サセプタからの間接的熱伝導を利用し、更に蓋で追
って温度均一性をよくすることによって、スリップライ
ンの発生を防止できたと報告（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｖｏｌ ６６（１９８９）ｐｐ６６３）している。
また、同報告によれば、アニール中のウエハの中央部
と、外周辺部で６℃〜７℃以上の温度差があるとスリッ
プラインが発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法によっても充分な温度均一性を得ることが難しい。
また蒸気圧の高い構成元素を含む化合物、例えばＧａＡ
ｓのウエハのアニールを行なう場合には蒸発し易いＡｓ
の解離を抑えるために雰囲気中のＡｓ分圧の制御が不可
欠である。
方法によっても充分な温度均一性を得ることが難しい。
また蒸気圧の高い構成元素を含む化合物、例えばＧａＡ
ｓのウエハのアニールを行なう場合には蒸発し易いＡｓ
の解離を抑えるために雰囲気中のＡｓ分圧の制御が不可
欠である。
【０００６】例えば、ｎ型ドーパントであるＳｉを５×
１０13ｃｍ-2注入されたＧａＡｓウエハを９００℃１２
０秒の短時間アニールした場合のシートキャリア濃度と
アニール時の雰囲気としてのＡｓＨ3 分圧の関係は図３
のように得られる。この結果から、ＡｓＨ3 分圧が３Ｔ
ｏｒｒ以下では、ウエハ中のＡｓの解離によりキャリア
濃度が減少してしまうことが示される。従って、この場
合、蓋でウエハを完全に覆うようなサセプタは好ましく
ない。
１０13ｃｍ-2注入されたＧａＡｓウエハを９００℃１２
０秒の短時間アニールした場合のシートキャリア濃度と
アニール時の雰囲気としてのＡｓＨ3 分圧の関係は図３
のように得られる。この結果から、ＡｓＨ3 分圧が３Ｔ
ｏｒｒ以下では、ウエハ中のＡｓの解離によりキャリア
濃度が減少してしまうことが示される。従って、この場
合、蓋でウエハを完全に覆うようなサセプタは好ましく
ない。
【０００７】本発明の課題は、ウエハを必要なガス圧雰
囲気に保ちつつ、ウエハ温度の均一性、制御性が得られ
る短時間アニール装置を提供することである。
囲気に保ちつつ、ウエハ温度の均一性、制御性が得られ
る短時間アニール装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明短時間アニール装
置は例えば図１，図２に示す如く、略円板状のウエハ１
をサセプタ２上に載せてサセプタ２を加熱手段６で短時
間加熱し、主としてサセプタ２からの熱伝達によってウ
エハ１の短時間アニールを行なう短時間アニール装置に
おいて、ウエハ１の外周部を覆う、中央部にウエハ１の
直径の５５％〜８０％の直径の穴を有するリング状の覆
い３をサセプタ２上に載せた短時間アニール装置であ
る。
置は例えば図１，図２に示す如く、略円板状のウエハ１
をサセプタ２上に載せてサセプタ２を加熱手段６で短時
間加熱し、主としてサセプタ２からの熱伝達によってウ
エハ１の短時間アニールを行なう短時間アニール装置に
おいて、ウエハ１の外周部を覆う、中央部にウエハ１の
直径の５５％〜８０％の直径の穴を有するリング状の覆
い３をサセプタ２上に載せた短時間アニール装置であ
る。
【０００９】
【作用】サセプタ２上のウエハ１は、先に昇温するサセ
プタ２からの熱伝達によって加熱されるので、ウエハ１
の厚み方向に、温度分布（下面側ほど温度が高い）が生
じ、熱膨張のためにウエハ１は上に反ってしまう。その
結果、ウエハ１の周辺部はサセプタ２から離れるために
熱伝達が減少して、ウエハ２の外周部の温度は中央部に
比べて低くなってしまう。このようにして生ずる温度分
布を防止するために、特にウエハ１の外周部のみを覆う
リング状の覆い３を用いることが効果的である。ウエハ
１の中央部まで覆う覆いの使用は、中央部の温度も高め
てしまいかえって温度均一化の効果を損なうことにな
る。本発明者の実験によればウエハ径の５５％から８０
％の範囲の直径の穴を中央部にもうけたリング状の覆い
３でウエハ１の外周部のみを覆うのが温度均一化に有効
である。
プタ２からの熱伝達によって加熱されるので、ウエハ１
の厚み方向に、温度分布（下面側ほど温度が高い）が生
じ、熱膨張のためにウエハ１は上に反ってしまう。その
結果、ウエハ１の周辺部はサセプタ２から離れるために
熱伝達が減少して、ウエハ２の外周部の温度は中央部に
比べて低くなってしまう。このようにして生ずる温度分
布を防止するために、特にウエハ１の外周部のみを覆う
リング状の覆い３を用いることが効果的である。ウエハ
１の中央部まで覆う覆いの使用は、中央部の温度も高め
てしまいかえって温度均一化の効果を損なうことにな
る。本発明者の実験によればウエハ径の５５％から８０
％の範囲の直径の穴を中央部にもうけたリング状の覆い
３でウエハ１の外周部のみを覆うのが温度均一化に有効
である。
【００１０】またこのような大きな開口の穴をもつリン
グ状の覆い３の使用は、必要な雰囲気ガス圧を保つ上で
殆ど障害とならない。更に、覆いの穴を通し放射温度計
によりアニール中のウエハ中央部の表面温度をモニター
できるので、アニールにおける温度制御性が向上する。
グ状の覆い３の使用は、必要な雰囲気ガス圧を保つ上で
殆ど障害とならない。更に、覆いの穴を通し放射温度計
によりアニール中のウエハ中央部の表面温度をモニター
できるので、アニールにおける温度制御性が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明短時間アニール
装置の実施例につき説明する。図１は本発明の実施例の
短時間アニール装置の構成を示す概念図である。また図
２はその要部の拡大図である。
装置の実施例につき説明する。図１は本発明の実施例の
短時間アニール装置の構成を示す概念図である。また図
２はその要部の拡大図である。
【００１２】図１の中で、１はアニールすべきウエハ、
２はウエハ１を載せるための円形状のサセプタであっ
て、ウエハ１が乗る部分は厚さｄでその外周部には、ウ
エハ１を安定に置くための段部２ａ及びリング状の覆い
３をウエハ１の上面から離して安定して置くための段部
２ｂをもつ堰堤が設けられている。
２はウエハ１を載せるための円形状のサセプタであっ
て、ウエハ１が乗る部分は厚さｄでその外周部には、ウ
エハ１を安定に置くための段部２ａ及びリング状の覆い
３をウエハ１の上面から離して安定して置くための段部
２ｂをもつ堰堤が設けられている。
【００１３】ここで段部２ａの高さはアニール中の反っ
たウエハが接触しない程度であればよい。このサセプタ
２は透明な溶融石英管４の中に透明な溶融石英板５を介
して水平に支持される。
たウエハが接触しない程度であればよい。このサセプタ
２は透明な溶融石英管４の中に透明な溶融石英板５を介
して水平に支持される。
【００１４】この溶融石英管４の内部は雰囲気としてＮ
2 とＨ2 とＡｓＨ3 の混合ガスが流される。溶融石英管
４の外部下方に複数本の加熱用電球６、例えばハロゲン
電球（参照、物理学辞典、培風館昭和５９年発行）が設
けられている。７，８，９，１０は金メッキした金属板
から成る熱遮蔽板である。
2 とＨ2 とＡｓＨ3 の混合ガスが流される。溶融石英管
４の外部下方に複数本の加熱用電球６、例えばハロゲン
電球（参照、物理学辞典、培風館昭和５９年発行）が設
けられている。７，８，９，１０は金メッキした金属板
から成る熱遮蔽板である。
【００１５】以上のように構成される短時間アニール装
置において、ハロゲン電球６を点燈することによって、
ハロゲン電球６からの輻射光が溶融石英管４及び溶融石
英板５を通してサセプタ２に吸収され、サセプタ２は急
速に昇温する。そしてウエハ１はサセプタ２からの熱伝
達により加熱される。ここで、サセプタ２の温度は熱電
対１２によって測定され、また、ウエハ１の中央部の上
表面温度は熱遮蔽板７，８に連通して開けられた穴７
ａ，８ａ及び溶融石英管４を通して放射温度計１３によ
ってモニタされる。
置において、ハロゲン電球６を点燈することによって、
ハロゲン電球６からの輻射光が溶融石英管４及び溶融石
英板５を通してサセプタ２に吸収され、サセプタ２は急
速に昇温する。そしてウエハ１はサセプタ２からの熱伝
達により加熱される。ここで、サセプタ２の温度は熱電
対１２によって測定され、また、ウエハ１の中央部の上
表面温度は熱遮蔽板７，８に連通して開けられた穴７
ａ，８ａ及び溶融石英管４を通して放射温度計１３によ
ってモニタされる。
【００１６】後述する実施例及び比較例に於けるウエハ
の短時間アニールは覆いの内径の大きさ以外は全て下記
の条件で行われた。
の短時間アニールは覆いの内径の大きさ以外は全て下記
の条件で行われた。
【００１７】ウエハ‥‥Ｓｉを５×１０13／ｃｍ-2イオ
ン注入されたＧａＡｓ基板で径７６ｍｍ、厚さ０．６ｍ
ｍのもの。
ン注入されたＧａＡｓ基板で径７６ｍｍ、厚さ０．６ｍ
ｍのもの。
【００１８】サセプタ‥‥材質はカーボン・グラファイ
トで外形１００ｍｍ、ウエハの載る部分の厚さ（ｄ）２
ｍｍのもの。
トで外形１００ｍｍ、ウエハの載る部分の厚さ（ｄ）２
ｍｍのもの。
【００１９】覆い‥‥材質はカーボン・グラファイトで
外形８６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板の中央部に実施
例、比較例における所定の径の穴を開けたもの。
外形８６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板の中央部に実施
例、比較例における所定の径の穴を開けたもの。
【００２０】雰囲気‥‥Ｎ2 とＨ2 とＡｓＨ3 の混合ガ
スでＡｓＨ3 の分圧は５Ｔｏｒｒとした。
スでＡｓＨ3 の分圧は５Ｔｏｒｒとした。
【００２１】加熱‥‥ハロゲン電球により加熱、昇温速
度を５０℃／ｓｅｃとしサセプタの設定温度９００℃で
１２０ｓｅｃ保持し、その後自然冷却した。
度を５０℃／ｓｅｃとしサセプタの設定温度９００℃で
１２０ｓｅｃ保持し、その後自然冷却した。
【００２２】アニール結果に対する評価手段としては、
次の方法を用いた。 イ）Ｘ線トポグラフによるスリップライン等の欠陥の観
察 ロ）エッチピットによる欠陥密度の観察（エッチング液
としてＫＯＨ溶液を使用） ハ）ホール測定によるシートキャリア濃度測定（Ｖａｎ
ｄｅｒ Ｐａｕｗ法）；アニールしたウエハの中央部
及び周辺部から５ｍｍ×５ｍｍを切り出して測定した。
次の方法を用いた。 イ）Ｘ線トポグラフによるスリップライン等の欠陥の観
察 ロ）エッチピットによる欠陥密度の観察（エッチング液
としてＫＯＨ溶液を使用） ハ）ホール測定によるシートキャリア濃度測定（Ｖａｎ
ｄｅｒ Ｐａｕｗ法）；アニールしたウエハの中央部
及び周辺部から５ｍｍ×５ｍｍを切り出して測定した。
【００２３】実施例１ 覆いとして、カーボン・グラファイト製の円板の中心に
ウエハ直径の８０％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て上記の条件で短時間アニールを行った。その結果、ス
リップラインの発生は、Ｘ線トポグラフで認められなか
った。またアニール前のウエハと比較してエッチピット
の増加は認められなかった。ホール測定によるキャリア
濃度は、ウエハ中央部で３．０６×１０13ｃｍ-2、ウエ
ハの外周部で２．９５×１０13ｃｍ-2でウエハの中央部
と外周部との差は殆どなかった。
ウエハ直径の８０％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て上記の条件で短時間アニールを行った。その結果、ス
リップラインの発生は、Ｘ線トポグラフで認められなか
った。またアニール前のウエハと比較してエッチピット
の増加は認められなかった。ホール測定によるキャリア
濃度は、ウエハ中央部で３．０６×１０13ｃｍ-2、ウエ
ハの外周部で２．９５×１０13ｃｍ-2でウエハの中央部
と外周部との差は殆どなかった。
【００２４】実施例２ 覆いとして、カーボン・グラファイト製の円板の中心に
ウエハ直径の５５％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様に短時間アニールを行った。その結果
は実施例１と同様の結果で、スリップラインの発生は認
められなかった。
ウエハ直径の５５％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様に短時間アニールを行った。その結果
は実施例１と同様の結果で、スリップラインの発生は認
められなかった。
【００２５】比較例１ 覆いとしても何も用いないこと以外は実施例１と同様に
短時間アニールを行った。その結果アニールされたウエ
ハは著しい密度のスリップラインの発生がＸ線トポグラ
フにより認められた。また、エッチピット密度もアニー
ル前のウエハに比べて増大が認められた。
短時間アニールを行った。その結果アニールされたウエ
ハは著しい密度のスリップラインの発生がＸ線トポグラ
フにより認められた。また、エッチピット密度もアニー
ル前のウエハに比べて増大が認められた。
【００２６】ホール測定によるキャリア濃度は、ウエハ
中央部で３．０５×１０13ｃｍ-2、ウエハの外周部で
２．６×１０13ｃｍ-2でウエハ外周部のキャリア濃度は
中央部に比べてかなり小さい。これらの結果から、覆い
のない場合、短時間アニールに於いて、ウエハ外周部は
ウエハ中央部に比べて加熱温度がかなり低くなっている
ことが示される。
中央部で３．０５×１０13ｃｍ-2、ウエハの外周部で
２．６×１０13ｃｍ-2でウエハ外周部のキャリア濃度は
中央部に比べてかなり小さい。これらの結果から、覆い
のない場合、短時間アニールに於いて、ウエハ外周部は
ウエハ中央部に比べて加熱温度がかなり低くなっている
ことが示される。
【００２７】比較例２ 覆いとして、カーボン・グラファイト製の円板の中央に
ウエハ直径の８５％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様の短時間アニールを行った。
ウエハ直径の８５％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様の短時間アニールを行った。
【００２８】比較例３ 覆いとして、カーボン・グラファイト製の円板の中央に
ウエハ直径の５０％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様の短時間アニールを行った。
ウエハ直径の５０％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様の短時間アニールを行った。
【００２９】比較例４ 覆いとして、カーボン・グラファイト製の円板の中心に
ウエハ直径の３０％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様の短時間アニールを行った。
ウエハ直径の３０％の穴を開けたリング状の覆いを用い
て実施例１と同様の短時間アニールを行った。
【００３０】比較例５ 覆いとして、穴のないカーボン・グラファイト製の円板
を用いて実施例１と同様の短時間アニールを行った。
を用いて実施例１と同様の短時間アニールを行った。
【００３１】比較例１〜比較例５ではいずれもスリップ
ラインの発生やエッチピットの増大が認められた。スリ
ップラインの発生密度はＸ線トポグラフの写真から判断
して、比較例１〜比較例５について、次の順であった。 比較例５＞比較例１＞比較例４＞比較例３≒比較例２ エッチピットの密度も上記の順であった。
ラインの発生やエッチピットの増大が認められた。スリ
ップラインの発生密度はＸ線トポグラフの写真から判断
して、比較例１〜比較例５について、次の順であった。 比較例５＞比較例１＞比較例４＞比較例３≒比較例２ エッチピットの密度も上記の順であった。
【００３２】また比較例５ではアニールしたウエハ表面
は白濁して荒れており、Ａｓの解離が生じたものと思わ
れる。なお、穴のない覆いを用いた比較例５においてス
リップラインの発生が最も著しかったことは、前述の
Ｓ．Ｊ．Ｐｅａｒｏｎ等の報告と合わないが、その理由
は不明である。
は白濁して荒れており、Ａｓの解離が生じたものと思わ
れる。なお、穴のない覆いを用いた比較例５においてス
リップラインの発生が最も著しかったことは、前述の
Ｓ．Ｊ．Ｐｅａｒｏｎ等の報告と合わないが、その理由
は不明である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハを必要なガス圧
雰囲気に保ちつつ、ウエハ温度を均一にでき、その結果
スリップライン等の欠陥の発生を防止した短時間アニー
ルが可能となる。またウエハ中央部の表面の温度を放射
温度計でモニターできるのでアニールにおける温度制御
性が向上する。
雰囲気に保ちつつ、ウエハ温度を均一にでき、その結果
スリップライン等の欠陥の発生を防止した短時間アニー
ルが可能となる。またウエハ中央部の表面の温度を放射
温度計でモニターできるのでアニールにおける温度制御
性が向上する。
【図１】本発明の実施例の短時間アニール装置の構成を
示す概念図である。
示す概念図である。
【図２】本発明の要部拡大図である。
【図３】Ｓｉをイオン注入したＧａＡｓウエハの短時間
アニールの雰囲気（ＡｓＨ3 分圧）とシートキャリア濃
度の測定結果を示す図である。
アニールの雰囲気（ＡｓＨ3 分圧）とシートキャリア濃
度の測定結果を示す図である。
１ ウエハ ２ サセプタ ３ リング状覆い ４ 溶融石英管 ６ ハロゲン電球 １２ 熱電対 １３ 放射温度計
Claims (1)
- 【請求項１】 略円板状の半導体基板を保持体上に載せ
て保持体を加熱手段で短時間加熱し、主として前記保持
体からの熱伝達によって前記半導体基板の短時間アニー
ルを行なう装置において、前記半導体基板の外周部を覆
う、中央部に前記半導体基板の直径の５５％〜８０％の
直径の穴を有するリング状の覆いを保持体上に載せるこ
とを特徴とする短時間アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6183931A JP2876994B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 短時間アニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6183931A JP2876994B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 短時間アニール装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750273A JPH0750273A (ja) | 1995-02-21 |
| JP2876994B2 true JP2876994B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=16144319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6183931A Expired - Fee Related JP2876994B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 短時間アニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876994B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5348203B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置 |
| JP7109211B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-07-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365631A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Nec Corp | 試料加熱用ホルダ |
| JP2778068B2 (ja) * | 1988-12-14 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の熱処理方法 |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP6183931A patent/JP2876994B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750273A (ja) | 1995-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3293074A (en) | Method and apparatus for growing monocrystalline layers on monocrystalline substrates of semiconductor material | |
| JPH0750691B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0232535A (ja) | 半導体デバイス用シリコン基板の製造方法 | |
| JPH09237789A (ja) | 遮蔽体および熱処理装置および熱処理方法 | |
| EP0792956A2 (en) | Radiant heating apparatus and method | |
| JP2876994B2 (ja) | 短時間アニール装置 | |
| JP2018190903A (ja) | 半導体ウェハの製造方法及び半導体ウェハ | |
| JPH045822A (ja) | ランプアニール装置および方法 | |
| US4492852A (en) | Growth substrate heating arrangement for UHV silicon MBE | |
| JPH07161707A (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
| JPS60189927A (ja) | 気相反応容器 | |
| JP2758770B2 (ja) | 半導体基板熱処理用治具 | |
| JPS60116778A (ja) | 化学蒸着方法及び装置 | |
| JPS60732A (ja) | アニ−ル方法 | |
| JPH0572096B2 (ja) | ||
| JP2525348B2 (ja) | 気相成長方法および装置 | |
| JPH02174114A (ja) | サセプタ | |
| JPH02186623A (ja) | サセプタ | |
| JP2001156011A (ja) | 半導体ウェーハ熱処理装置 | |
| JP4228347B2 (ja) | ウェーハ支持体 | |
| JPH02185037A (ja) | 短時間熱処理装置 | |
| JPH04121733U (ja) | 短時間アニール装置 | |
| JPH04121732U (ja) | 短時間アニール装置 | |
| JPS6271221A (ja) | ＧａＡｓ半導体ウエハのアニ−ル法 | |
| JPS6331094B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |