JPS6365631A - 試料加熱用ホルダ - Google Patents

試料加熱用ホルダ

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Publication number
JPS6365631A
JPS6365631A JP21019986A JP21019986A JPS6365631A JP S6365631 A JPS6365631 A JP S6365631A JP 21019986 A JP21019986 A JP 21019986A JP 21019986 A JP21019986 A JP 21019986A JP S6365631 A JPS6365631 A JP S6365631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
temperature
specimen holder
sample
molybdenum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21019986A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromitsu Namita
博光 波田
Hidekazu Okabayashi
岡林 秀和
Shuichi Saito
修一 齋藤
Tsuyoshi Nakamura
強 中村
Yutaka Kawase
河瀬 豊
Hideki Kobayashi
英樹 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6365631A publication Critical patent/JPS6365631A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は試料加熱用ホルダに関し、特に電子ビームアニ
ール、レーザービームアニール等のアニール装置または
、分子線エピタキシャル装置等の膜堆積装置の試料加熱
機構に関する。
〔従来の技術〕
試料加熱法としては加熱用ヒータからの熱伝導により加
熱を行なう方法、あるいは加熱用ヒータ、ハロゲンラン
プ等からの輻射熱により試料の加熱を行なう方法などが
従来より用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながらこの様な従来の方法によると次に挙げる問
題点がある。試料を加熱する場合、試料面内で出来るだ
け均一な温度分布となることが望ましいが、実際には試
料の中央部と周辺部を比べると、周辺部の方が温度が低
くなってしまう、これは試料の中央部と周辺部とで冷却
速度が異なるためであり、従来の方法の様に試料全体を
均一に加熱する方法では周辺部の温度が低くなってしま
  。
うのは避けられない問題である。
本発明の目的は、上述した様な従来法の欠点を除去し、
試料面内で均一な温度分布を短時間に得ることが出来る
試料加熱用ホルダを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の試料加熱用ホルダは、試料の周囲のみを隙間な
く保持できる形状を有し、かつ加熱用ヒータを組込んだ
ことな特徴としている。
〔牛用〕
試料の中央部と周辺部の冷却速度を比較すると周辺部の
方が冷却速度が大きく、従って試料全体を均一に加熱す
る方法では周辺部の温度の方が低くなってしまう。しか
し、本発明のように加熱用ヒータを組込んだ試料ホルダ
を用いて試料の周辺部からも加熱を行なうことにより試
料全体にわたって均一な温度分布を得ることが可能とな
る。また試料ホルダに温度検出線を組込むことにより試
料ホルダの温度を自由にコントロールでき試料の大きさ
によらず常に均一な温度分布が得られる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は、本発明の一実施例の試料ホルダの平面図で
ある。1は試料ホルダであり4インチシリコンウェーハ
の周囲を保持できる形状とした。2はモリブデンヒータ
であり、試料ホルダの加熱を行なう、3は温度検出線で
あり、モリブデン線を用いた。4はモリブデンヒータお
よび温度検出線との電気的接触を得るための電極である
また第2図は本発明の実施例の試料加熱装置の構成図で
ある。5はウェーハ全体を一様に加熱するための主ヒー
タ、6は温度検出線がらの信号により主ヒータおよび試
料ホルダのヒータの出力電力を制御する温度コントロー
ラであり、7は試料である。
本実施例では温度検出線としてモリブデン線を用いた。
モリブデンは(1=4.4 X 10− ’ deg 
−’の抵抗温度係数をもち、温度が高くなる程抵抗が大
きくなる0本実施例ではこの性質を利用してヒータの出
力電力を制御し、最適な加熱条件を得た。
また、主ヒータ上にウェーハを置いて加熱する前に試料
ホルダに設けたヒータに通電して予備加熱することによ
り加熱時間を従来より短縮することも可能である。
また、第2図に示すようにウェーハの周囲は隙間なくは
さみこむようにすることにより上記効果をより向上させ
ることができる。
〔発明の効果〕
本発明の試料加熱用ホルダは試料の周囲のみを隙間なく
保持できる形状を有し、かつそこに加熱用ヒータを組込
んであるので加熱したい試料の温度を単時間で均一な温
度分布をもった所望の温度に上昇させることが可能とな
る。したがって従来より単位時間内により多くの試料を
より高い温度精度で処理できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の試料ホルダの平面図、第2
図は本発明の一実施例の試料加熱装置の構成図である。 1−・・・−・試料ホルダ、2・・・・・・モリブデン
ヒータ、3・−・・・・温度検出線、4・・・・・・電
極、5・・・・・・主ヒータ、6・・・・・・温度コン
トローラ、7・・・・・・試料。 7・パん、;・ 単1 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料の周囲のみを隙間なく保持できる形状を有し、かつ
    加熱用ヒータを組込んだことを特徴とする試料加熱用ホ
    ルダ。
JP21019986A 1986-09-05 1986-09-05 試料加熱用ホルダ Pending JPS6365631A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750273A (ja) * 1994-07-13 1995-02-21 Sony Corp 短時間アニール装置
JP2003515949A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド 単一ウエハアニーリングオーブン
US7601469B2 (en) 2001-04-24 2009-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750273A (ja) * 1994-07-13 1995-02-21 Sony Corp 短時間アニール装置
JP2003515949A (ja) * 1999-11-30 2003-05-07 ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド 単一ウエハアニーリングオーブン
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