JPS6365631A - 試料加熱用ホルダ - Google Patents
試料加熱用ホルダInfo
- Publication number
- JPS6365631A JPS6365631A JP21019986A JP21019986A JPS6365631A JP S6365631 A JPS6365631 A JP S6365631A JP 21019986 A JP21019986 A JP 21019986A JP 21019986 A JP21019986 A JP 21019986A JP S6365631 A JPS6365631 A JP S6365631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- temperature
- specimen holder
- sample
- molybdenum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 25
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は試料加熱用ホルダに関し、特に電子ビームアニ
ール、レーザービームアニール等のアニール装置または
、分子線エピタキシャル装置等の膜堆積装置の試料加熱
機構に関する。
ール、レーザービームアニール等のアニール装置または
、分子線エピタキシャル装置等の膜堆積装置の試料加熱
機構に関する。
試料加熱法としては加熱用ヒータからの熱伝導により加
熱を行なう方法、あるいは加熱用ヒータ、ハロゲンラン
プ等からの輻射熱により試料の加熱を行なう方法などが
従来より用いられている。
熱を行なう方法、あるいは加熱用ヒータ、ハロゲンラン
プ等からの輻射熱により試料の加熱を行なう方法などが
従来より用いられている。
しかしながらこの様な従来の方法によると次に挙げる問
題点がある。試料を加熱する場合、試料面内で出来るだ
け均一な温度分布となることが望ましいが、実際には試
料の中央部と周辺部を比べると、周辺部の方が温度が低
くなってしまう、これは試料の中央部と周辺部とで冷却
速度が異なるためであり、従来の方法の様に試料全体を
均一に加熱する方法では周辺部の温度が低くなってしま
。
題点がある。試料を加熱する場合、試料面内で出来るだ
け均一な温度分布となることが望ましいが、実際には試
料の中央部と周辺部を比べると、周辺部の方が温度が低
くなってしまう、これは試料の中央部と周辺部とで冷却
速度が異なるためであり、従来の方法の様に試料全体を
均一に加熱する方法では周辺部の温度が低くなってしま
。
うのは避けられない問題である。
本発明の目的は、上述した様な従来法の欠点を除去し、
試料面内で均一な温度分布を短時間に得ることが出来る
試料加熱用ホルダを提供することにある。
試料面内で均一な温度分布を短時間に得ることが出来る
試料加熱用ホルダを提供することにある。
本発明の試料加熱用ホルダは、試料の周囲のみを隙間な
く保持できる形状を有し、かつ加熱用ヒータを組込んだ
ことな特徴としている。
く保持できる形状を有し、かつ加熱用ヒータを組込んだ
ことな特徴としている。
試料の中央部と周辺部の冷却速度を比較すると周辺部の
方が冷却速度が大きく、従って試料全体を均一に加熱す
る方法では周辺部の温度の方が低くなってしまう。しか
し、本発明のように加熱用ヒータを組込んだ試料ホルダ
を用いて試料の周辺部からも加熱を行なうことにより試
料全体にわたって均一な温度分布を得ることが可能とな
る。また試料ホルダに温度検出線を組込むことにより試
料ホルダの温度を自由にコントロールでき試料の大きさ
によらず常に均一な温度分布が得られる。
方が冷却速度が大きく、従って試料全体を均一に加熱す
る方法では周辺部の温度の方が低くなってしまう。しか
し、本発明のように加熱用ヒータを組込んだ試料ホルダ
を用いて試料の周辺部からも加熱を行なうことにより試
料全体にわたって均一な温度分布を得ることが可能とな
る。また試料ホルダに温度検出線を組込むことにより試
料ホルダの温度を自由にコントロールでき試料の大きさ
によらず常に均一な温度分布が得られる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は、本発明の一実施例の試料ホルダの平面図で
ある。1は試料ホルダであり4インチシリコンウェーハ
の周囲を保持できる形状とした。2はモリブデンヒータ
であり、試料ホルダの加熱を行なう、3は温度検出線で
あり、モリブデン線を用いた。4はモリブデンヒータお
よび温度検出線との電気的接触を得るための電極である
。
。第1図は、本発明の一実施例の試料ホルダの平面図で
ある。1は試料ホルダであり4インチシリコンウェーハ
の周囲を保持できる形状とした。2はモリブデンヒータ
であり、試料ホルダの加熱を行なう、3は温度検出線で
あり、モリブデン線を用いた。4はモリブデンヒータお
よび温度検出線との電気的接触を得るための電極である
。
また第2図は本発明の実施例の試料加熱装置の構成図で
ある。5はウェーハ全体を一様に加熱するための主ヒー
タ、6は温度検出線がらの信号により主ヒータおよび試
料ホルダのヒータの出力電力を制御する温度コントロー
ラであり、7は試料である。
ある。5はウェーハ全体を一様に加熱するための主ヒー
タ、6は温度検出線がらの信号により主ヒータおよび試
料ホルダのヒータの出力電力を制御する温度コントロー
ラであり、7は試料である。
本実施例では温度検出線としてモリブデン線を用いた。
モリブデンは(1=4.4 X 10− ’ deg
−’の抵抗温度係数をもち、温度が高くなる程抵抗が大
きくなる0本実施例ではこの性質を利用してヒータの出
力電力を制御し、最適な加熱条件を得た。
−’の抵抗温度係数をもち、温度が高くなる程抵抗が大
きくなる0本実施例ではこの性質を利用してヒータの出
力電力を制御し、最適な加熱条件を得た。
また、主ヒータ上にウェーハを置いて加熱する前に試料
ホルダに設けたヒータに通電して予備加熱することによ
り加熱時間を従来より短縮することも可能である。
ホルダに設けたヒータに通電して予備加熱することによ
り加熱時間を従来より短縮することも可能である。
また、第2図に示すようにウェーハの周囲は隙間なくは
さみこむようにすることにより上記効果をより向上させ
ることができる。
さみこむようにすることにより上記効果をより向上させ
ることができる。
本発明の試料加熱用ホルダは試料の周囲のみを隙間なく
保持できる形状を有し、かつそこに加熱用ヒータを組込
んであるので加熱したい試料の温度を単時間で均一な温
度分布をもった所望の温度に上昇させることが可能とな
る。したがって従来より単位時間内により多くの試料を
より高い温度精度で処理できるようになる。
保持できる形状を有し、かつそこに加熱用ヒータを組込
んであるので加熱したい試料の温度を単時間で均一な温
度分布をもった所望の温度に上昇させることが可能とな
る。したがって従来より単位時間内により多くの試料を
より高い温度精度で処理できるようになる。
第1図は本発明の一実施例の試料ホルダの平面図、第2
図は本発明の一実施例の試料加熱装置の構成図である。 1−・・・−・試料ホルダ、2・・・・・・モリブデン
ヒータ、3・−・・・・温度検出線、4・・・・・・電
極、5・・・・・・主ヒータ、6・・・・・・温度コン
トローラ、7・・・・・・試料。 7・パん、;・ 単1 図
図は本発明の一実施例の試料加熱装置の構成図である。 1−・・・−・試料ホルダ、2・・・・・・モリブデン
ヒータ、3・−・・・・温度検出線、4・・・・・・電
極、5・・・・・・主ヒータ、6・・・・・・温度コン
トローラ、7・・・・・・試料。 7・パん、;・ 単1 図
Claims (1)
- 試料の周囲のみを隙間なく保持できる形状を有し、かつ
加熱用ヒータを組込んだことを特徴とする試料加熱用ホ
ルダ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21019986A JPS6365631A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 試料加熱用ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21019986A JPS6365631A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 試料加熱用ホルダ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6365631A true JPS6365631A (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=16585427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21019986A Pending JPS6365631A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 試料加熱用ホルダ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6365631A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0750273A (ja) * | 1994-07-13 | 1995-02-21 | Sony Corp | 短時間アニール装置 |
JP2003515949A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド | 単一ウエハアニーリングオーブン |
US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP21019986A patent/JPS6365631A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0750273A (ja) * | 1994-07-13 | 1995-02-21 | Sony Corp | 短時間アニール装置 |
JP2003515949A (ja) * | 1999-11-30 | 2003-05-07 | ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド | 単一ウエハアニーリングオーブン |
US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
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