JP2007242850A

JP2007242850A - 半導体製造装置及び半導体製造方法

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Publication number: JP2007242850A
Application number: JP2006062585A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Shinozaki; 勉篠崎
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2006-03-08
Filing date: 2006-03-08
Publication date: 2007-09-20

Abstract

【課題】連続する熱処理される半導体ウエハ間で処理温度が異なる場合でも、簡易な構造にて短時間で装置のスループットを低下させる事なく熱処理をすることができる半導体製造装置及び半導体製造方法の提供する。
【解決手段】半導体ウエハを熱処理するチャンバと、半導体ウエハを加熱するための熱源と、半導体ウエハを搭載する支持ピンと、支持ピン上部に設けられ上下方向に移動自在なカバーとを備えたことにより、連続する熱処理される半導体ウエハ間で処理温度が異なる場合でも、簡易な構造にて短時間で装置のスループットを低下させる事なく熱処理をすることができる半導体製造装置及び半導体製造方法の提供を実現することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。

従来の半導体ウエハの熱処理装置では、例えば、連続して熱処理される半導体ウエハのロット間、あるいは連続して熱処理される半導体ウエハ間で処理温度が異なる場合、ヒータなどの熱源自体の温度を変更して半導体ウエハの熱処理を行うのが一般的であった。

ところが、この場合、熱源の温度変更が完了するまでの時間は半導体ウエハの熱処理が行えず、結果として装置のスループットが低下してしまっていた。
また、熱源自体の温度を変更せずに、熱源から半導体ウエハまでの位置関係を変化させる事により処理温度を変化させる方法も考案されている。

ところが、熱源自体からの距離が遠くなるに従い、半導体ウエハ面の温度均熱性が悪化したり、構成が複雑になったりしてしまうという問題点があった。

そこで、前記問題点を解決する為の従来例を２つ挙げる。
図７は、従来例を表した基本構成図である。
まず従来例の１つ目として、特許文献１（熱処理装置）に開示されている様に、半導体ウエハの熱処理装置における熱源であるヒータ近辺に、強制的にヒータの温度を冷却する機構を付加して温度変化を急速に行っている（図７参照）。

この従来例は、縦型熱処理炉に適用した例であり、図８に示す基本構成図は、縦型炉を上面から見た図である。図８に示す熱処理装置は、まず被加熱体である半導体ウエハが入るプロセスチューブ３０１と、プロセスチューブ内の均熱性を向上させるためにプロセスチューブ３０１の外周部に設ける均熱管３０２と、均熱管３０２の外周に熱源であるヒータ３０５と、さらにヒータ３０５の外周にカバー３０３とで構成されている。

この従来技術によれば、導入管３０６から不揮発性ガスなどを導入口３０７よりヒータ３０５と均熱管３０２とに挟まれた空間に噴出することにより、被加熱体である半導体ウエハへ伝達される熱を急速に降温する効果がある。

図８は、他の従来例を表した基本構成図である。
次に２つ目の従来例として、特許文献２（熱処理装置）に開示されている様に、熱源であるヒータの温度を変更せずに、ヒータから半導体ウエハまでの位置関係を変化させ処理温度を変更させている（図８参照）。この従来例は、枚葉式熱処理装置に適応した例であり、図８の基本構成図は、枚葉式熱処理部を横から見た図である。

図９に示す熱処理装置は、まずチャンバ４００の内部にヒータ４０１があり被加熱体である半導体ウエハ４０３を搭載し熱処理を行う搭載台４０１と、内部にヒータがあり上面から半導体ウエハ４０３を加熱する上蓋４０２と、半導体ウエハ４０３を下から支持して搭載台４０１と上蓋４０２との間で進退する支持ピン４０４とで構成されている。この従来例においては、搭載台４０１を被加熱体の半導体ウエハ４０３の処理温度範囲の上限値付近に設定しておき、さらに上蓋４０２を処理温度範囲の下限付近に設定して、搭載台４０１から上蓋４０２の間に温度勾配を形成する。

次に半導体ウエハ４０３を搭載した支持ピン４０４の高さ位置を矢印Ｐ３方向に調整することにより目標温度で半導体ウエハの熱処理を行う方法である。
この従来技術によれば、目標温度が異なる複数のウエハを連続処理する場合においては、搭載台４０１及び上蓋４０２のヒータ温度を変更する必要がなく、半導体ウエハを熱処理する高さ位置の変更のみであるために、高速に処理温度変更する事ができる。

この他、半導体製造については特許文献３〜１０に開示されている。
特許第２７１４５７７号公報特許第３１３１９３８号公報特開２０００−０４９０８４号公報特開２００１−２７４０５１号公報特開２００１−３５１９０７号公報特開２００３−３１８０９１号公報特開２００４−０２２８０５号公報特開２００５−１５０６９６号公報特開平０３−２２４２１７号公報特開平０７−２７８８１６号公報

しかしながら、上述した特許文献１、２に開示された半導体ウエハの熱処理装置にはいくつかの問題がある。
特許文献１の技術では、導入口３０７より噴出する不揮発性ガスによりヒータ３０５とその付近の温度を降温させるが、ヒータ３０５や均熱管３０２やプロセスチューブ３０１が熱容量を持つため、降温にある程度の時間が必要となる。また、昇温においてはヒータ３０５の温度自体を上昇させなければならず、温度の変更に時間を要し、結果的に熱処理装置としてのスループットが低下してしまう。また、温度制御においても、流量により温度制御が変化してしまうため、複雑な制御が必要となる。

また、特許文献２の技術では、被加熱体である半導体ウエハの上下の２箇所にヒータが必要であり、ヒータからの距離が離れる場合には、半導体ウエハ面の温度均熱特性が悪化する問題点があった。

すなわち、第１の問題点は、異なる複数の処理温度の半導体ウエハの熱処理を連続で行う場合、熱源の温度を変更する方法では、温度変更が完了するまでの間は熱処理が行えず、結果として装置スループットが低下してしまう。その理由は、ヒータ自身や周辺部品は一定の熱容量を持つため、温度変更に一定時間が必要となるからである。

第２の問題点は、前記課題を解決するために、従来の半導体ウエハの熱処理装置では、装置が複雑になる問題点があった。
その理由は、半導体ウエハの上下にヒータなどの熱源を設置する必要があるためである。

第３の問題点は、前記課題を解決するために、従来の半導体ウエハの熱処理装置では、被加熱体である半導体ウエハ面の均熱特性が悪化する問題点があった。
その理由は、熱源からの距離が離れるに従って熱源間の温度分布が一様でなくなるためである。
他の特許文献３〜１０も同様である。

そこで、本発明の主な目的は、枚葉式半導体ウエハの熱処理装置において、連続して熱処理されるロット間、あるいは連続して熱処理される半導体ウエハ間で処理温度が異なる場合でも、簡易な構造にて温度変更の為の待ち時間を無くし、装置のスループットを低下させる事なく連続で半導体ウエハの熱処理をする事にある。

すなわち、本発明の主な目的は、連続する熱処理される半導体ウエハ間で処理温度が異なる場合でも、簡易な構造にて短時間で装置のスループットを低下させる事なく熱処理をすることができる半導体製造装置及び半導体製造方法の提供することにある。
また、半導体製造プロセスにおいては、プロセスの多様化が進み、様々なプロセス条件の半導体ウエハが処理されている。熱処理装置においても、数種類の温度により半導体ウエハの熱処理が行われている。
半導体ウエハの熱処理装置は、熱源である各種ヒータを目的の温度に安定制御した状態で、ウエハ面に均一に熱が伝わる様にする均熱板挟み熱処理を行うのが一般的である。そのため、装置のスループットを低下させずに異なる処理温度による熱処理を行う場合には、ヒータ自体の制御温度を急速に変更したり、またはヒータ自体の温度を変更したりせずに、半導体ウエハへの熱の伝達量を変更して間接的に処理温度を変更する必要がある。

ところが、従来の半導体ウエハの熱処理装置では、半導体ウエハの大口径化により、ヒータ自体の熱容量や均熱板の熱容量も大きくなり、構造面から急速に温度変更ができない場合が多く、装置のスループットの低下を抑制するのは困難である。さらに、ヒータ自体の温度変更を行わずに半導体ウエハの熱処理温度を変更する場合でも、複数のヒータを用いたり、半導体ウエハ面の温度の均熱特性が劣化したりしていた。

そこで、本発明の副次的な目的は、枚葉式半導体ウエハの熱処理装置において、熱源からウエハ面の均熱特性が保たれる位置に被加熱体である半導体ウエハを設置し、さらに半導体ウエハの上面にカバーを設置し、カバーの高さ位置を調節して熱伝導や輻射熱を制御する事により半導体ウエハの熱処理温度を自在に変更できる熱処理装置を実現する事にある。

上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、半導体ウエハを熱処理するチャンバと、該半導体ウエハを加熱するための熱源と、該半導体ウエハを搭載する支持ピンと、該支持ピン上部に設けられ上下方向に移動自在なカバーとを備えた半導体製造装置であることを特徴とする。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記熱源と前記カバーとの間に温度勾配を形成し、前記カバーの位置により前記熱源と前記カバーとの間の温度勾配を変化させる機構を有することを特徴とする。

請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、前記熱源と前記カバーとの間の温度勾配の変化において、前記半導体ウエハを支持する高さ位置、前記熱源温度、及び前記カバーの位置との関係を予めプロファイルするメモリと、前記半導体ウエハの加熱温度により前記カバーの高さを制御して、前記半導体ウエハの加熱温度を半導体ウエハ毎に変更する制御手段とを備えたことを特徴とする。

請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項記載の発明において、前記チャンバ上部に複数の排気口を設けたことを特徴とする。

請求項５記載の発明は、チャンバ内で半導体ウエハを支持ピンで支持しつつ熱源で加熱し、前記半導体ウエハ上部でカバーを上下方向に移動することにより温度を加熱温度を変化させる半導体製造方法であることを特徴とする。

請求項６記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記熱源と前記カバーとの間に温度勾配を形成し、前記カバーの位置により前記熱源と前記カバー間の温度勾配を変化させることを特徴とする。

請求項７記載の発明は、請求項５または６記載の発明において、前記熱源と前記カバーとの間の温度勾配の変化において、前記半導体ウエハを支持する高さ位置、前記熱源温度、及び前記カバーの位置との関係を予めプロファイルし、前記半導体ウエハの加熱温度により前記カバーの高さを制御して、前記半導体ウエハの加熱温度を半導体ウエハ毎に変更することを特徴とする。

本発明によれば、半導体ウエハを熱処理するチャンバと、半導体ウエハを加熱するための熱源と、半導体ウエハを搭載する支持ピンと、支持ピン上部に設けられ上下方向に移動自在なカバーとを備えたことにより、連続する熱処理される半導体ウエハ間で処理温度が異なる場合でも、簡易な構造にて短時間で装置のスループットを低下させる事なく熱処理をすることができる半導体製造装置及び半導体製造方法の提供を実現することができる。

［発明の特徴］
本発明に係る半導体製造装置としての半導体ウエハの熱処理装置の特徴を図１の基本概念図を用いて説明する。
図１は、本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施形態としての半導体ウエハの熱処理装置の概念図を示す側面図であり、各要素を配置した時に側面から見た図である。

本発明は、内部で熱処理を行うチャンバ１と、チャンバ１の内部に被加熱体３を加熱する熱源２と、熱源２の上部に設置される被加熱体３の上部に配置され、上下方向（矢印Ｐ１方向）に移動自在なカバー４とを有する。
また、チャンバ１は外部からの熱伝達のエネルギーを遮断できる構造であり、熱源２は被加熱体３を均一に加熱できる構造を有し、被加熱体３は均一に加熱される様に熱源２から近傍の位置にあり、カバー４は熱源２の熱エネルギーが上部へ放射されるのを防ぎ、熱源２との間に温度勾配を形成できる構造を有している。

［作用］
熱源２とカバー４との間に形成される温度勾配を、カバー４の高さ位置を例えば、送りねじ、ボールスクリュー、及びモータからなる図示しない送り機構で変えることにより熱源２とカバー４との間の熱伝導空間の容積、およびカバー４からの輻射熱の反射による被加熱体３の加熱温度を変化させることにより制御する。また、被加熱体３の加熱処理温度を変更できる機構（例えば、マイクロプロセッサ）を備えている。

次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図２は、本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態の基本構成を表す概略図である。図２において、１０１は、熱処理を行うプロセスチャンバである。プロセスチャンバ１０１にはプロセスガスを下部から導入する導入口１０２と、プロセスチャンバ１０１からプロセスガスを上部から排気する排気口１０３と、被加熱体である半導体ウエハ１２０を出し入れする搬入出口１０４とが設置されている。

プロセスチャンバ１０１の内部の雰囲気は、下部から上部へ一様に流れる様にするのが望ましい。また、プロセスチャンバ１０１の材質は外部からの熱エネルギーを遮断し、かつチャンバ内の熱源からの放射熱を輻射しにくい素材（例えば、セラミック、ガラス繊維、カーボングラファイト等）を使用するのが望ましい。プロセスチャンバ１の形状に関して、特に上部の形状は加熱された雰囲気が効率良く排気される様な円すい状の構造が望ましい。プロセスチャンバ１０１の内部には、半導体ウエハ１２０を加熱する熱源であるヒータ１１０と、ヒータ１１０の熱を均等に伝える為の均熱板１１１と、均熱板１１１の温度を測定する温度計（例えば、熱電対、サーミスタ）１１３とが配置されている。

ヒータ１１０の温度制御は、温度計１１３の測定値とレシピ指示器１３１からのヒータ温度設定値とから演算器１３０によりヒータ操作量を算出して、加熱装置１１２へ操作量に相当する信号を送信する。加熱装置１１２は演算器１３０から送られたヒータ操作量からヒータ１１０へ送る電力を決め、電線１１４経由してヒータ１１０の加熱を行う。
なお、ヒータ１１０は、半導体ウエハ１２０のウエハ面内の温度分布が均一になるように、熱エネルギーが逃げ易い外周部をより高い温度で加熱できる様に構成されている。

次に半導体ウエハ１２０は、ヒータ１１０および均熱板１１１に開けられた貫通穴１１５を通した支持ピン１２１により支持されている。半導体ウエハ１２０の支持位置は、半導体ウエハ１２０の温度均熱性が保たれる位置にヒータ１１０から一定の間隔をおいた位置に設置する。

半導体ウエハ１２０の上面にはカバー１２２が設置されており、高さ調節器１２３により上下方向（矢印Ｐ２方向）に位置調整可能な機構となっている。カバー１２２は、ヒータ１１０からの熱伝導に遮蔽し、なおかつ放射熱を反射する様なステンレスなどの金属板を用いる。また、カバー１２２の位置調節は、レシピ指示器１３１からの熱処理温度から演算器１３０により高さ位置を算出し、高さ調節器１２３により設定される。

次に、カバー１２２の位置を変化させた場合のヒータ１１０とカバー１２２との間の温度分布について図３を用いて説明する。
図３は、本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態におけるヒータとカバーとの間の温度勾配を、カバーの高さをパラメータとした特性曲線図であり、横軸がヒータ１１０からプロセスチャンバ１０１の上部方向への高さを示し、縦軸が高さ位置に対する温度を示している。Ｌ１〜Ｌｎはカバー１２２の位置をパラメータとした場合であり、Ｌ１が半導体ウエハ１２０に極近い高さ位置の場合で、Ｌｎが半導体ウエハ１２０から最も離れた時の温度分布である。

通常、熱源であるヒータからの距離が離れるに従って熱伝導や放射熱が減少し、図３の様に自然対数的に温度が減少して行く傾向にある。このような状態で、ヒータ１１０上部にカバー１２２を設け、さらにカバー１２２の高さ位置を変更する事により、図３のＬ１〜Ｌｎに示すようにヒータ１１０とカバー１２２の間の温度勾配が変化する。

本実施形態の熱処理装置は、上記の原理を利用して半導体ウエハ１２０をヒータ１１０に近い位置におき、カバー１２２を変化させる事により半導体ウエハ１２０の処理温度を変更できる。

［動作］
本発明に係る半導体ウエハの熱処理装置の動作に関して、カバー１２２の高さ位置と半導体ウエハ１２０の温度の関係とヒータ１１０の温度値の設定方法とに関して図４を用いて説明する。図４は、本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態における温度変更が可能な範囲を表した特性曲線である。

次に熱処理シーケンスについて図５のフローチャートと図２の基本構成図を用いて説明する。図５は、本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態における半導体ウエハの加熱処理工程を表したフローチャートである。

初めに本発明の半導体ウエハ熱処理装置におけるカバー１２２の高さ位置と半導体ウエハ１２０の温度の関係とヒータ１１０の温度値の設定方法とに関して図４を用いて説明する。

通常、例えば図４のＬｎ線のように熱源であるヒータからの距離が離れるに従って熱伝導や放射熱が減少し、その結果自然対数的に温度が減少して行く傾向にある。また、上部にカバー１２２（図２参照）が存在する場合、カバー１２２の位置によってはヒータ１１０とカバー１２２（図２参照）との間で形成される熱伝導の空間の容積が変化し、カバー１２２からの輻射熱の状態も変化する。
そのため、事前に温度データとして図４に示す様なヒータ１１０からカバー１２２までの高さをパラメータとした温度分布のプロファイルを作成しておくのが望ましい。

具体的な作成例を示す。
まず、図２に示す半導体ウエハ１２０をウエハ表面の均熱性が保たれる高さ位置Ｌ０（図４参照）に設置し、同時にカバー１２２の位置を半導体ウエハの極近傍である位置Ｌ１に設置する。
次に、カバー１２２の位置がＬ１の状態で半導体ウエハ１２０が要求される処理温度範囲の上限温度Ｔ１（図４参照）になるようにヒータ１１０の加熱温度を設定する。
続いて、カバー１２２の位置をＬ２（図４参照）へ移動して位置Ｌ０にある半導体ウエハ１２０の温度Ｔ２をプロファイルする。同様な手順にてカバー１２２の高さ位置をＬｎまでの任意の位置のおける半導体ウエハ１２０の温度をプロファイルし、演算器１３０のメモリに記録する。

次に本発明の半導体ウエハの熱処理装置における半導体ウエハの熱処理シーケンスを図５のフローチャートと、図２の基本構成図とを用いて説明する。
図５に示す様にまず熱処理装置の初期状態を設定する。
初期状態ルーチンには、プロセスガス設定とヒータ１１０（図２参照）の温度設定とがある。プロセスガス設定は、プロセスチャンバ１０１の下部の導入口１０２から一定量のプロセスガスを導入し、プロセスチャンバ上部の排気口１０３から排出する。この時、可能な限りプロセスチャンバ１０１内のプロセスガスの流れは一様になることが望ましい（ステップＳ５１）。

ヒータ１１０の温度設定は、半導体ウエハ１２０の要求される処理温度範囲の上限値になる様に、前記演算器１３０内のメモリにプロファイルされたデータから演算器１１２により加熱装置１１２の操作量を算出し、加熱装置１１２経由で温度を設定する（ステップＳ５２）。

次に、図５の熱処理ルーチンに関して説明する。
まず演算器１３０により処理を行う１枚目の半導体ウエハの処理温度データをレシピ指示器１３１から取得する（ステップＳ５３）。
次に、取得した処理温度データから演算器１３０のメモリ内の温度プロファイルを参照してカバー１２２の高さ位置を算出する。
次に算出したカバー１２２の高さ位置情報を高さ位置調節器１２３へ送信し、カバー１２２の高さを設定する（ステップＳ５４）。
次に搬入出口１０４を開き、外部から任意の搬送機により支持ピン１２１上に半導体ウエハ１２０を置き（ステップＳ５５）、熱処理を開始する（ステップＳ５６）。
熱処理時間が経過後、再び搬入出口１４を開き任意の搬送機により処理後の半導体ウエハ１２０を搬出し（ステップＳ５７）、搬入出口１４を閉じる。

２枚目以降の半導体ウエハの熱処理を行う場合も、前記の一連の熱処理シーケンスと同じ手順により全ての半導体ウエハを処理するまで連続的に実施する（ステップＳ５８）。
上記の処理シーケンスによると、処理される半導体ウエハの加熱温度は、カバー１２２の高さ位置のみに依存しており、処理温度が変更となった場合でもカバー１２２の高さ位置のみ変更すれば良いので、温度変更に要する時間を極短くする事が可能となり、装置のスループットを低下させる事がない。また、１つのヒータの熱放射をカバーで制御する構造の為、従来例の様に２つのヒータが不要となり構造が簡素化できる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態において、プロセスチャンバ１０１上部の排気口１０３を複数設ける様な構造にすることができる。そのための構造を第２の実施形態として図６に示す。
図６は、本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置としての半導体ウエハの熱処理装置の他の実施形態を示す基本構成図であり、図２に示した実施の形態との相違点であるプロセスチャンバの変更点を表した図である。

本実施形態では、排気口５０３を複数設けているため、プロセスチャンバ５０１内の加熱された雰囲気を効率良く排気する事が可能となり、プロセスチャンバ内の温度勾配をより均一にする事が可能となる。

［効果］
第１の効果は、熱源自体の温度変更を行わないため、温度変更による待ち時間が不要であり、熱処理装置のスループットを低下させることのない半導体ウエハの熱処理装置を提供する事ができる点である。
その理由は、半導体ウエハの上面に設置したカバーの高さ制御によりウエハの処理温度を変更するためである。

第２の効果は、１つの熱源とカバーの高さ制御により半導体ウエハの処理温度を変更する事ができるため、簡易な構造の半導体ウエハの熱処理装置を提供する事ができる点である。
その理由は、熱源からの温度勾配自体をカバーの位置制御により変更できるためである。

なお、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。

本発明は、任意の物体の種類や処理ロット別に加熱温度を急速に変更できる装置といった用途に適用できる。

本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施形態としての半導体ウエハの熱処理装置の概念図を示す側面図である。本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態の基本構成を表す概略図である。本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態におけるヒータとカバーとの間の温度勾配を、カバーの高さをパラメータとした特性曲線図である。本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態における温度変更が可能な範囲を表した特性曲線である。本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置の一実施の形態における半導体ウエハの加熱処理工程を表したフローチャートである。本発明に係る半導体製造方法を適用した半導体製造装置としての半導体ウエハの熱処理装置の他の実施形態を示す基本構成図である。従来例を表した基本構成図である。他の従来例を表した基本構成図である。

符号の説明

１チャンバ
２熱源
３被加熱体
４カバー

Claims

半導体ウエハを熱処理するチャンバと、該半導体ウエハを加熱するための熱源と、該半導体ウエハを搭載する支持ピンと、該支持ピン上部に設けられ上下方向に移動自在なカバーとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
前記熱源と前記カバーとの間に温度勾配を形成し、前記カバーの位置により前記熱源と前記カバーとの間の温度勾配を変化させる機構を有することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
前記熱源と前記カバーとの間の温度勾配の変化において、前記半導体ウエハを支持する高さ位置、前記熱源温度、及び前記カバーの位置との関係を予めプロファイルするメモリと、前記半導体ウエハの加熱温度により前記カバーの高さを制御して、前記半導体ウエハの加熱温度を半導体ウエハ毎に変更する制御手段とを備えたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装置。
前記チャンバ上部に複数の排気口を設けたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の半導体製造装置。
チャンバ内で半導体ウエハを支持ピンで支持しつつ熱源で加熱し、前記半導体ウエハ上部でカバーを上下方向に移動することにより温度を加熱温度を変化させることを特徴とする半導体製造方法。
前記熱源と前記カバーとの間に温度勾配を形成し、前記カバーの位置により前記熱源と前記カバー間の温度勾配を変化させることを特徴とする請求項５記載の半導体製造方法。
前記熱源と前記カバーとの間の温度勾配の変化において、前記半導体ウエハを支持する高さ位置、前記熱源温度、及び前記カバーの位置との関係を予めプロファイルし、前記半導体ウエハの加熱温度により前記カバーの高さを制御して、前記半導体ウエハの加熱温度を半導体ウエハ毎に変更することを特徴とする請求項５または６記載の半導体製造方法。