JPH05102422A - 酸化タンタル薄膜の形成方法 - Google Patents
酸化タンタル薄膜の形成方法Info
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- JPH05102422A JPH05102422A JP3258903A JP25890391A JPH05102422A JP H05102422 A JPH05102422 A JP H05102422A JP 3258903 A JP3258903 A JP 3258903A JP 25890391 A JP25890391 A JP 25890391A JP H05102422 A JPH05102422 A JP H05102422A
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- tantalum oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＤＲＡＭの容量性絶縁膜として利用できる酸
化タンタル薄膜の形成方法に関し、界面に存在するＳｉ
Ｏ2膜の膜厚を制御し誘電率の高いキャパシタの形成を
可能とする。 【構成】 真空室１内でポリシリコン表面を水素プラズ
マによって処理し、表面の自然酸化膜を除去する。次
に、酸素含有ガス１２を導入することなく、アンプル３
内の有機タンタル化合物であるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5を、
Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガス４によってバブリングしヒー
タ９によって約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を
通して真空室１に導入する。原料ガスは熱分解反応して
基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積される。そ
の後、高温での酸化処理を行なう。または、生成された
膜の上に酸素含有ガスを導入しながら酸化タンタル薄膜
を形成し、その後高温での酸化処理を行なう。
化タンタル薄膜の形成方法に関し、界面に存在するＳｉ
Ｏ2膜の膜厚を制御し誘電率の高いキャパシタの形成を
可能とする。 【構成】 真空室１内でポリシリコン表面を水素プラズ
マによって処理し、表面の自然酸化膜を除去する。次
に、酸素含有ガス１２を導入することなく、アンプル３
内の有機タンタル化合物であるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5を、
Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガス４によってバブリングしヒー
タ９によって約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を
通して真空室１に導入する。原料ガスは熱分解反応して
基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積される。そ
の後、高温での酸化処理を行なう。または、生成された
膜の上に酸素含有ガスを導入しながら酸化タンタル薄膜
を形成し、その後高温での酸化処理を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＤＲＡＭ（ダイナミック
ラム）等の容量性絶縁膜などとして有用な酸化タンタル
薄膜の製造方法に関する。
ラム）等の容量性絶縁膜などとして有用な酸化タンタル
薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、原料ガスを真空室内で加熱分解反
応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相成
長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段とし
て注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸化
タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置をもちい
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には通常加熱し得る真空室を有するい
わゆる熱ＣＶＤ装置が用いられている。
応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相成
長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段とし
て注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸化
タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置をもちい
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には通常加熱し得る真空室を有するい
わゆる熱ＣＶＤ装置が用いられている。
【０００３】以下、図面を参照しながら従来の酸化タン
タル薄膜の製造方法について説明する。図２は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
タル薄膜の製造方法について説明する。図２は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
【０００４】従来ＣＶＤ装置による酸化タンタル薄膜の
製造は、原料として液体のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5等で代表
される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用いて形
成されてきた。
製造は、原料として液体のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5等で代表
される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用いて形
成されてきた。
【０００５】図２において、真空室３１は真空排気装置
３２によっておよそ０．５〜１０Ｔｏｒｒ程度の真空に
排気される。３３は真空室内に設置された基板であり、
通常ポリシリコンからなる基板が用いられる。また、真
空室３１はヒータ３４によって約４５０℃に加熱されて
いる。
３２によっておよそ０．５〜１０Ｔｏｒｒ程度の真空に
排気される。３３は真空室内に設置された基板であり、
通常ポリシリコンからなる基板が用いられる。また、真
空室３１はヒータ３４によって約４５０℃に加熱されて
いる。
【０００６】真空室内に導入されたこれらの原料ガスは
熱分解反応して、約４５０℃に加熱されている基板３３
上に酸化タンタル薄膜が堆積される。堆積された、酸化
タンタル薄膜は、通常Ｏ2またはＯ3中で４５０から８０
０℃の温度で熱処理される。
熱分解反応して、約４５０℃に加熱されている基板３３
上に酸化タンタル薄膜が堆積される。堆積された、酸化
タンタル薄膜は、通常Ｏ2またはＯ3中で４５０から８０
０℃の温度で熱処理される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な方法ではポリシリコン表面のＳｉＯ2が除去されず、
さらに酸化タンタル薄膜の堆積中または熱処理中に基板
であるポリシリコンが酸化し界面に存在するＳｉＯ2層
の膜厚が厚くなってしまう。そのためＳｉＯ2と酸化タ
ンタル薄膜による２層構造に於てＳｉＯ2の割合が増加
し誘電率が低下する問題点があった。
な方法ではポリシリコン表面のＳｉＯ2が除去されず、
さらに酸化タンタル薄膜の堆積中または熱処理中に基板
であるポリシリコンが酸化し界面に存在するＳｉＯ2層
の膜厚が厚くなってしまう。そのためＳｉＯ2と酸化タ
ンタル薄膜による２層構造に於てＳｉＯ2の割合が増加
し誘電率が低下する問題点があった。
【０００８】本発明は、界面に存在するＳｉＯ2層の膜
厚を制御し、容量の大きいキャパシタを形成するための
酸化タンタル薄膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
厚を制御し、容量の大きいキャパシタを形成するための
酸化タンタル薄膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】真空室内に有機タンタル
化合物または無機タンタル化合物と不活性ガスを導入し
タンタル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜を堆積し
た後、Ｏ2またはＯ3中で熱処理し、熱処理温度または熱
処理時間で界面のＳｉＯ2層の膜厚を制御する。 また
は、真空室内に有機タンタル化合物または無機タンタル
化合物と不活性ガスを導入しタンタル薄膜または低酸化
の酸化タンタル薄膜を堆積堆積した後、真空室内に前記
有機タンタル化合物または無機タンタル化合物と酸素含
有ガスと不活性ガスを導入し前記タンタル薄膜または低
酸化の酸化タンタル薄膜の膜厚と酸化タンタル薄膜の膜
厚の合計が望み膜厚になるように酸化タンタル薄膜を形
成する。その後Ｏ2またはＯ3中で熱処理し、熱処理温度
または熱処理時間で界面のＳｉＯ2層の膜厚を制御す
る。
化合物または無機タンタル化合物と不活性ガスを導入し
タンタル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜を堆積し
た後、Ｏ2またはＯ3中で熱処理し、熱処理温度または熱
処理時間で界面のＳｉＯ2層の膜厚を制御する。 また
は、真空室内に有機タンタル化合物または無機タンタル
化合物と不活性ガスを導入しタンタル薄膜または低酸化
の酸化タンタル薄膜を堆積堆積した後、真空室内に前記
有機タンタル化合物または無機タンタル化合物と酸素含
有ガスと不活性ガスを導入し前記タンタル薄膜または低
酸化の酸化タンタル薄膜の膜厚と酸化タンタル薄膜の膜
厚の合計が望み膜厚になるように酸化タンタル薄膜を形
成する。その後Ｏ2またはＯ3中で熱処理し、熱処理温度
または熱処理時間で界面のＳｉＯ2層の膜厚を制御す
る。
【００１０】
【作用】本発明による酸化タンタル薄膜の形成方法では
酸化タンタル薄膜成膜中にポリシリコン等の基板が酸化
されることが無いために堆積直後では界面にＳｉＯ2が
ほとんど形成されない。そのため形成されたキャパシタ
の容量が大きく保たれる
酸化タンタル薄膜成膜中にポリシリコン等の基板が酸化
されることが無いために堆積直後では界面にＳｉＯ2が
ほとんど形成されない。そのため形成されたキャパシタ
の容量が大きく保たれる
【００１１】。
【実施例】図１は本発明の実施例で使用した酸化タンタ
ル薄膜形成装置の概略図である。１は真空室であり、真
空排気装置２によって真空に排気される。５は真空室内
に設置された基板であり本実施例ではポリシリコンを用
いた。基板５はヒータ６によって約４５０℃に加熱され
ている。基板５表面には自然酸化膜が堆積しているため
流量制御装置１４によって流量制御されたＨ2（本実施
例では約１００ｓｃｃｍ）１３を真空室１内に導入し、
圧力を約１Ｔｏｒｒ程度に調整し電極１５、１６の間に
プラズマを発生させ、ポリシリコン上の自然酸化膜を除
去する。
ル薄膜形成装置の概略図である。１は真空室であり、真
空排気装置２によって真空に排気される。５は真空室内
に設置された基板であり本実施例ではポリシリコンを用
いた。基板５はヒータ６によって約４５０℃に加熱され
ている。基板５表面には自然酸化膜が堆積しているため
流量制御装置１４によって流量制御されたＨ2（本実施
例では約１００ｓｃｃｍ）１３を真空室１内に導入し、
圧力を約１Ｔｏｒｒ程度に調整し電極１５、１６の間に
プラズマを発生させ、ポリシリコン上の自然酸化膜を除
去する。
【００１２】（実施例１）アンプル３内の有機タンタル
化合物であるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5は高温槽７によって１
２０℃に温度制御され、流量制御装置８によって流量制
御されたＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス４（本実施例ではＡ
ｒを用いた）によってバブリングされヒータ９によって
約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を通って真空室
１に導入される。真空室１に導入された原料ガスは熱分
解反応して基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積
される。
化合物であるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5は高温槽７によって１
２０℃に温度制御され、流量制御装置８によって流量制
御されたＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス４（本実施例ではＡ
ｒを用いた）によってバブリングされヒータ９によって
約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を通って真空室
１に導入される。真空室１に導入された原料ガスは熱分
解反応して基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積
される。
【００１３】（実施例２）アンプル３内の有機タンタル
化合物であるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5は高温槽７によって１
２０℃に温度制御され、流量制御装置８によって流量制
御されたＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス４（本実施例ではＡ
ｒを用いた）によってバブリングされヒータ９によって
約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を通って真空室
１に導入される。真空室１に導入された原料ガスは熱分
解反応して基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積
される。その後バブリングされたＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5と
不活性ガスはガス導入管１０内で流量制御装置１１によ
って流量制御された酸素含有ガス１２（本実施例ではＯ
2ガスを用いた）と混合される。真空室内に導入された
これらの原料ガスは熱分解反応して、約４５０℃に加熱
されている基板５上に酸化タンタル薄膜が形成される。
化合物であるＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5は高温槽７によって１
２０℃に温度制御され、流量制御装置８によって流量制
御されたＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス４（本実施例ではＡ
ｒを用いた）によってバブリングされヒータ９によって
約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を通って真空室
１に導入される。真空室１に導入された原料ガスは熱分
解反応して基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積
される。その後バブリングされたＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5と
不活性ガスはガス導入管１０内で流量制御装置１１によ
って流量制御された酸素含有ガス１２（本実施例ではＯ
2ガスを用いた）と混合される。真空室内に導入された
これらの原料ガスは熱分解反応して、約４５０℃に加熱
されている基板５上に酸化タンタル薄膜が形成される。
【００１４】堆積された酸化タンタル薄膜または低酸化
の酸化タンタル薄膜はＯ2またはＯ3中で熱処理されて前
記酸化タンタル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜が
十分酸化され、さらに界面に望み膜厚のＳｉＯ2層を形
成する。
の酸化タンタル薄膜はＯ2またはＯ3中で熱処理されて前
記酸化タンタル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜が
十分酸化され、さらに界面に望み膜厚のＳｉＯ2層を形
成する。
【００１５】図３〜図５は従来例によって形成した酸化
タンタル薄膜（図３）と実施例１（図４）、実施例２
（図５）で示した方法で形成した酸化タンタル薄膜のオ
ージェ電子分光法による深さ方向の相対濃度分布を示し
たものである。いずれの試料も未処理の状態で１００Å
酸化タンタル薄膜を堆積した。但し実施例２の場合はＯ
2を導入しない状態で２０Å堆積しＯ2を導入して８０Å
堆積した。成膜条件は表１に示す。横軸のスパッタリン
グ時間は深さに対応している。
タンタル薄膜（図３）と実施例１（図４）、実施例２
（図５）で示した方法で形成した酸化タンタル薄膜のオ
ージェ電子分光法による深さ方向の相対濃度分布を示し
たものである。いずれの試料も未処理の状態で１００Å
酸化タンタル薄膜を堆積した。但し実施例２の場合はＯ
2を導入しない状態で２０Å堆積しＯ2を導入して８０Å
堆積した。成膜条件は表１に示す。横軸のスパッタリン
グ時間は深さに対応している。
【００１６】
【表１】
【００１７】従来例によるものは組成比（Ｏ／Ｔａ）が
２．５に近くタンタルが十分酸化されているが、基板の
ポリシリコンも酸化されていることが解る。
２．５に近くタンタルが十分酸化されているが、基板の
ポリシリコンも酸化されていることが解る。
【００１８】実施例１によるものは組成比が約２．３で
あり、タンタルの酸化が不足しているが、界面にＳｉＯ
2がほとんど堆積されていないことが解る。
あり、タンタルの酸化が不足しているが、界面にＳｉＯ
2がほとんど堆積されていないことが解る。
【００１９】実施例２によるものは界面に近い部分での
タンタルの酸化は不足しているが、界面から離れるにし
たがって組成比が２．５に近づき、また界面にＳｉＯ2
がほとんど形成されていないことが解る。
タンタルの酸化は不足しているが、界面から離れるにし
たがって組成比が２．５に近づき、また界面にＳｉＯ2
がほとんど形成されていないことが解る。
【００２０】図６〜図８は、図３〜図５で用いた試料を
Ｏ2雰囲気中、８００℃で１５分間熱処理を行なった後
の深さ方向の組成分布を示したものである。
Ｏ2雰囲気中、８００℃で１５分間熱処理を行なった後
の深さ方向の組成分布を示したものである。
【００２１】従来例によるもの（図６）は界面でのＳｉ
Ｏ2層がさらに厚くなっていることが解る。実施例１に
よるもの（図７）はタンタルが十分酸化されて、組成比
が約２．５になり、界面にＳｉＯ2層が薄く形成されて
いることが解る。実施例２によるもの（図８）は界面付
近のタンタルも十分酸化され、界面にＳｉＯ2層が薄く
形成されていることが解る。
Ｏ2層がさらに厚くなっていることが解る。実施例１に
よるもの（図７）はタンタルが十分酸化されて、組成比
が約２．５になり、界面にＳｉＯ2層が薄く形成されて
いることが解る。実施例２によるもの（図８）は界面付
近のタンタルも十分酸化され、界面にＳｉＯ2層が薄く
形成されていることが解る。
【００２２】（表２）は従来例、実施例１、実施例２で
形成した酸化タンタル薄膜とＯ2雰囲気中で８００℃１
５分間熱処理した場合の酸化タンタルの誘電率の変化を
示したものである。実施例１、実施例２による酸化タン
タル薄膜は従来例によるものより誘電率が高くなってい
ることが解る。
形成した酸化タンタル薄膜とＯ2雰囲気中で８００℃１
５分間熱処理した場合の酸化タンタルの誘電率の変化を
示したものである。実施例１、実施例２による酸化タン
タル薄膜は従来例によるものより誘電率が高くなってい
ることが解る。
【００２３】
【表２】
【００２４】なお、本発明に於て、有機タンタル化合物
の例としてはＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5のほかに、例えばＴａ
（ＯＣＨ3）5、Ｔａ（ＯＣ3Ｈ7）5、Ｔａ（ＯＣ
4Ｈ9）5、（Ｃ5Ｈ5）2ＴａＨ3、Ｔａ（Ｎ（ＣＨ3）2）5
等が挙げられる。無機タンタル化合物としては、例えば
ＴａＣｌ5、ＴａＦ5等が挙げられる。
の例としてはＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5のほかに、例えばＴａ
（ＯＣＨ3）5、Ｔａ（ＯＣ3Ｈ7）5、Ｔａ（ＯＣ
4Ｈ9）5、（Ｃ5Ｈ5）2ＴａＨ3、Ｔａ（Ｎ（ＣＨ3）2）5
等が挙げられる。無機タンタル化合物としては、例えば
ＴａＣｌ5、ＴａＦ5等が挙げられる。
【００２５】真空室内の圧力としては通常０．５〜１０
Ｔｏｒｒ程度の範囲が一般的で、また不活性ガスとして
は特に限定するものではないが、通常ＡｒやＨｅが用い
られ、Ｎ2も用いられることが多い。また酸素含有ガス
としては、前記有機タンタル化合物または無機タンタル
化合物を加熱分解して酸化タンタル薄膜を形成できるガ
スであれば良く、具体的にはＯ2、Ｎ2Ｏ等が通常使用さ
れるがこれらに限定されるものではない。
Ｔｏｒｒ程度の範囲が一般的で、また不活性ガスとして
は特に限定するものではないが、通常ＡｒやＨｅが用い
られ、Ｎ2も用いられることが多い。また酸素含有ガス
としては、前記有機タンタル化合物または無機タンタル
化合物を加熱分解して酸化タンタル薄膜を形成できるガ
スであれば良く、具体的にはＯ2、Ｎ2Ｏ等が通常使用さ
れるがこれらに限定されるものではない。
【００２６】また、これらの不活性ガスや酸素含有ガス
の流量については特に限定するものではないが５０〜１
０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
の流量については特に限定するものではないが５０〜１
０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、基板であるポリシリコ
ンと酸化タンタル薄膜の界面に必要な膜厚のＳｉＯ2を
形成でき、容量の大きいキャパシタを形成することがで
きる。
ンと酸化タンタル薄膜の界面に必要な膜厚のＳｉＯ2を
形成でき、容量の大きいキャパシタを形成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における酸化タンタル薄膜形
成装置の概略を示す断面図
成装置の概略を示す断面図
【図２】従来のＣＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法
に用いられている酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装
置）の構成を示す断面図
に用いられている酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装
置）の構成を示す断面図
【図３】従来例によって形成した酸化タンタル薄膜の未
処理状態での深さ方向の組成分布を示した図
処理状態での深さ方向の組成分布を示した図
【図４】実施例１によって形成した酸化タンタル薄膜の
未処理状態での深さ方向の組成分布を示した図
未処理状態での深さ方向の組成分布を示した図
【図５】実施例２によって形成した酸化タンタル薄膜の
未処理状態での深さ方向の組成分布を示した図
未処理状態での深さ方向の組成分布を示した図
【図６】図３と同様の試料をＯ2雰囲気中、８００℃で
１５分間熱処理を行なった後の深さ方向の組成分布を示
した図
１５分間熱処理を行なった後の深さ方向の組成分布を示
した図
【図７】図４と同様の試料をＯ2雰囲気中、８００℃で
１５分間熱処理を行なった後の深さ方向の組成分布を示
した図
１５分間熱処理を行なった後の深さ方向の組成分布を示
した図
【図８】図５と同様の試料をＯ2雰囲気中、８００℃で
１５分間熱処理を行なった後の深さ方向の組成分布を示
した図
１５分間熱処理を行なった後の深さ方向の組成分布を示
した図
１ 真空室 ２ 真空排気装置 ３ アンプル ４ 不活性ガス ５ 基板 ６ ヒータ ７ 高温槽 ８ 流量制御装置 ９ ヒータ １０ ガス導入管 １１ 流量制御装置 １２ 酸素含有ガス １３ 水素ガス １４ 流量制御装置 １５ 電極 １６ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】原料ガスとして、有機タンタル化合物また
は無機タンタル化合物と不活性ガスを真空室内に導入
し、化学気相成長法によりタンタル薄膜または低酸化の
酸化タンタル薄膜を形成したのち、Ｏ2またはＯ3雰囲気
中で熱処理する事を特徴とする酸化タンタル薄膜の形成
方法。 - 【請求項２】原料ガスとして、有機タンタル化合物また
は無機タンタル化合物と不活性ガスを真空室内に導入
し、化学気相成長法によりタンタル薄膜または低酸化の
酸化タンタル薄膜を少なくとも基板表面を被覆するまで
堆積し、その後、前記真空室内に前記酸素含有ガスと前
記不活性ガスと前記有機タンタル化合物または前記無機
タンタル化合物を導入し、前記タンタル薄膜または前記
酸化タンタル薄膜の上部に酸化タンタル薄膜を形成した
後、Ｏ2またはＯ3雰囲気中で熱処理する事を特徴とする
酸化タンタル薄膜の形成方法。 - 【請求項３】外部より電界を印加し、原料ガスをプラズ
マ分解する事を特徴とする請求項１または２に記載の酸
化タンタル薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258903A JPH05102422A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258903A JPH05102422A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102422A true JPH05102422A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17326640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3258903A Pending JPH05102422A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102422A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6187693B1 (en) | 1998-11-13 | 2001-02-13 | Nec Corporation | Heat treatment of a tantalum oxide film |
| KR100326237B1 (ko) * | 1998-10-01 | 2002-05-09 | 박종섭 | 오존가스를이용한탄탈륨산화막형성방법및그를이용한반도체소자의캐패시터형성방법 |
| KR100395513B1 (ko) * | 2000-07-08 | 2003-08-25 | 광주과학기술원 | 커패시터용 탄탈륨 산화물 박막의 제조방법 |
| US6764916B1 (en) | 1999-03-23 | 2004-07-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method for semiconductor device |
| JP2007242850A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Nec Corp | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| CN110373715A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-10-25 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 制备二维晶体材料的化学气相沉积设备和方法 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3258903A patent/JPH05102422A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| KR100326237B1 (ko) * | 1998-10-01 | 2002-05-09 | 박종섭 | 오존가스를이용한탄탈륨산화막형성방법및그를이용한반도체소자의캐패시터형성방법 |
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