KR920007106A - 고체전자소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

고체전자소자 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920007106A
KR920007106A KR1019910015619A KR910015619A KR920007106A KR 920007106 A KR920007106 A KR 920007106A KR 1019910015619 A KR1019910015619 A KR 1019910015619A KR 910015619 A KR910015619 A KR 910015619A KR 920007106 A KR920007106 A KR 920007106A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
forming
electronic device
vacuum chamber
irradiating
Prior art date
Application number
KR1019910015619A
Other languages
English (en)
Inventor
다쯔미 미즈따니
다까시 유노가미
겐에쯔 요꼬가와
노부요시 고바야시
Original Assignee
가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쯔또무, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쯔또무
Publication of KR920007106A publication Critical patent/KR920007106A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02351—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to corpuscular radiation, e.g. exposure to electrons, alpha-particles, protons or ions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02252—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/076—Implant

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고체전자소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체집적회로의 층간절연막의 표면을 개질하는데 적용된 본 발명을 도시한 도면,
제2도는 본 발명의 표면개질처리를 실시하지 않은 경우에 화학기 상성장에서 산화실리콘막의 표면상에 입자형상의 금속의 발생을 나타내고 본 발명을 설명하기위해 사용된 도면,
제3도는 본 발명에 따른 게이트절연막을 갖는 반도체소자의 구조를 도시한 단면도.

Claims (41)

  1. 적어도 인접하는 막표면의 밀도가 적어도 2.4g/㎤인 이 산화실리콘막을 갖는 고체전자소자.
  2. 가시광에 대해서 적어도 1.5의 굴절율을 갖는 이산화실리콘막을 포함하는 고체전자소자.
  3. 매립입자를 갖지 않고 열산화에 의해 형성된 산화실리콘막의 에칭소도의 0.7배이하인 에칭속도를 갖는 열산화 이산화실리콘막을 포함하는 고체전자소자.
  4. 비조사된 이산화실리콘막의 밀도에 대해서 적어도 1.2배 향상된 표면밀도를 갖는 중성빔이 조사된 이산화실리콘막을 포함하는 고체전자소자.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 고체소자는 반도체소자와 반도체집적회로중의 하나인 고체전자소자.
  6. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 고체소자는 반도체소자와 반도체집적회로중의 하나인 고체전자소자.
  7. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 고체소자는 반도체소자와 반도체집적회로중의 하나인 고체전자소자.
  8. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 고체소자는 반도체소자와 반도체집적회로중의 하나인 고체전자소자.
  9. 산화물과 플루오르화물의 막중의 하나를 포함하고, 상기 막의 표면층의 밀도, 표면층의 굴절율, 표면층의 유전율 및 표면층의 내환원 성중의 적어도 하나는 상기 표면층이외의 상기 막의 벌크내의 것보다 큰 고체전자소자.
  10. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 표면층은 적어도 4㎚의 두께를 갖는 고체전자소자.
  11. 산화물 또는 플루오르화물의 표면에 적어도 10eV의 운동에너지를 갖는 중성입자빔을 조사하여 표면층의 밀도, 표면층의 굴절율, 표면층의 유전율 및 표면층의 내환원 성중의 적어도 하나를 충분하게 높이는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 중성입자빔은 회가스, 산소 산화물 및 그의 혼합물중의 하나로 이루어지는 표면처리방법.
  13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 중성입자빔을 전하교환반응과 맥킬라이스형 이온원중의 하나로 형성하는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  14. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 중성입자빔을 전하교환반응과 맥킬라이스형 이온원중의 하나로 형성하는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  15. 기판을 마련하는 스텝, 반도체재료의 박막을 형성하여 적층하고, 적층된 관계에서 미세패턴으로 금속 및 절연물을 가공하여 직접회로를 형성하는 스텝, 절연막상에 막을 형성하여 적층하기 전에, 상기 절연막의 혼합물을 적어도 4㎚의 깊이로 충분하게 개선시키도록 적어도 10eV의 운동 에너지를 갖는 중성입자빔으로 상기 절연막을 조사하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  16. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 전극막 사이에 상기 조사된 절연막을 적층하여 메모리 직접회로의 메모리셀의 커패시터를 형성하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  17. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 조사된 절연막을 게이트절연막으로서 적층하여 MOS형 트랜지스터를 형성하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  18. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 조사하는 스텝에 앞서, 산화실리콘의 절연막을 형성하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  19. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 절연막은 1㎛ 이하의 두께로 형성된 전자소자의 제조방법.
  20. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 실리콘의 화학기상성장(CVD)를 포함하는 전자소자의 제조방법.
  21. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 실리콘의 플라즈마 화학기상성장를 포함하는 전자소자의 제조방법.
  22. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 실리콘의 스퍼터링성장를 포함하는 전자소자의 제조방법.
  23. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 조사하는 스텝은 진공상태인 진공실내에 전체적으로 실행되어 매달린 재료를 제거하고, 상기 진공상태는 상기 적층하는 스텝이 상기 조사된 표면을 막을 적어도 피복할때까지 계속되는 저자소자의 제조방법.
  24. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 2.2~2.3g/㎤정도의 밀도를 갖는 산화실리콘막을 열산화에 의해 형성하고, 상기 조사하는 스텝은 적어도 2.4g/㎤의 표면밀도로 SiO2막을 고밀도화시키는 전자소자의 제조방법.
  25. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 3.9~4.0정도의 비유전율을 갖도록 실리콘열산화에 의해 SiO2막으로서 막을 형성하고, 상기 조사하는 스텝은 상기 비유전율을 표면에서 적어도 변화시키는 전자소자의 제조방법.
  26. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 조사하는 스텝은 50~1000eV정도의 에너지를 갖는 중성 입자빔에 의해 실시되는 전자소자의 제조방법.
  27. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 조사하는 스텝은 적어도 100℃에서 충분한 시간동안 상기 조사된 표면을 가열하는 것과 또는 가열직후에 미시적으로 균일한 표면에 실시되는 전자소자의 제조방법.
  28. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 조사하는 스텝은 에너지가 100eV이하인 중성입자빔에 의해 실시되는 전자소자의 제조방법.
  29. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 또 상기 조사하는 스텝동안에 상기 조사된 표면을 적어도 100℃의 온도로 가열하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  30. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 실리콘의 열산화에 의해 산화실리콘으로서 절연막을 형성하고, 상기 조사하는 스텝은 적어도 5㎚의 깊이에 대해서 상기 조사된 표면의 굴절율을 적어도 0.14로 증가하도록 적어도 시간 및 에너지에 대해서 충분하게 실시되는 전자소자의 제조방법.
  31. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 실리콘의 열산화에 의해 산화실리콘막으로서 절연막을 형성하고, 상기 조사하는 스텝은 에칭속도가 적어도 1/3로 저감되도록 적어도 시간 및 에너지에 대해서 충분하게 실시되는 전자잦의 제조방법.
  32. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 형성하는 스텝은 실리콘의 열산화에 의해 산화실리콘막으로서 절연막을 형성하고, 상기 조사하는 스텝은 유전율이 적어도 1.5배로 증가되도록 적어도 시간 및 에너지에 대해서 충분하게 실시되는 전자자의 제조방법.
  33. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 또 상기 조사하는 스텝에 앞서, 상기 절연막을 산화실리콘막으로서 금속도전막상에 형성하는 스텝, 상기 산화실리콘막을 거쳐서 상기 금속도전막에 미세 접속구멍을 형성하는 스텝, 그후, 상기 조사하는 스텝을 실시하는 스텝과, 그수, 상기 미세접속구멍에 도전금속의 텅스텐금속을 선택적으로 퇴적하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  34. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 절연막을 열산화에 의해 실리콘 MOS형 트랜지스터의 산화실리콘 게이트로서 형성하는 스텝과 그후에 상기 조사하는 스텝을 절연 내압이 적어도 1.5배 증가되도록 적어도 시간과 에너지에 대해서 충분하게 실시하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  35. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 절연막을 다결정실리콘막의 표면산화에 의해 다결정실리콘막상에 산화실리콘 커패시터절연막으로서 형성하는 스텝, 그후에 상기 조사하는 스테블 실시하는 스텝과 그후에 상기 조사된 표면사에 다결정실리콘막을 퇴적하여 메모리의 접적회로의 메모리셀의 커패시터를 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 조사하는 스텝은 상기 커패시터의 용량이 적어도 1.5배 증가되도록 중성입자빔의 적어도 시간 및 에너지에 대해서 충분하게 실시되는 전자소자의 제조방법.
  36. 특허청구의 범위 15항에 있어서, 또 이산화실리콘의 절연막을 형성하는 스텝과 SiOx(x〈2) 및 Si에 대응하는 스펙트럼이 상기 조사된 표면에서 적어도 4㎚의 깊이로 저감되도록 상기 중성입자빔의 적어도 시간, 밀도 및 에너지에 대해서 상기 조사하는 스텝을 충분하게 실시하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  37. 특허청구의 범위 15항에 있어서, 또 이산화실리콘의 절연막을 형성하는 스텝과 SiOx(x〈2) 및 Si에 대응하는 스펙트럼이 상기 조사된 표면에서 적어도 12㎚의 깊이로 저감되도록 상기 중성입자빔의 적어도 시간, 밀도 및 에너지에 대해서 상기 조사하는 스텝을 충분하게 실시하는 스텝을 포함하는 전자소자의 제조방법.
  38. 도전금속, 절연물 및 반도체재료의 박막을 기판상에 형성하여 적충하는 것에 의해 집적회로를 형성하는 박막적충장치에 있어서, 진공실을 형성하는 하우징, 상기 진공실내에서 상기 기판을 유지하는 유지수단, 상기 진공실내에 진공상태를 연속적으로 유지수단, 상기 진공실을 진공상태로 하면서, 상기 진공실내에의 기판상에 산화물과 플루오르화물막중의 적어도 한나를 형성하는 형성수단, 상기진공실내에서 상기 형성된 막을 중성입자빔으로 조사하는 조사수단과 상기 기판을 상기 진공실에서 제거하는 일없이 조사된 기판상에 박막층을 성장수단을 포함하는 박막적충장치.
  39. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 성장수단은 화학기상성장장치인 박막적충장치.
  40. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 진공실은 적어도 제1의 진공실, 제2의 진공실 및 상기 제1 및 제2의 진공실사이에 직렬로 배치된 조인트 진공실로 분할되고, 상기조사수단은 상기 제1의 진공실내에 있고, 상기 성장수단은 제2의 진공실내에 있으며 상기 제1의 진공실 및 상기제2의 진공실의 각각과 상기 조인트 진공실사이에는 벨브수단이 동작할수 있게 배치되어 있는 박막적충장치.
  41. 특허청구의 범위 제40항에 있어서, 또 상기 조사수단에 의해 상기 표면을 조사한 후 및 상기 성장수단에 의해 성장되기 전에, 상기 진공실내에서 상기 조인트 진공실을 거쳐 상기제1의 진공실에서 상기 제2의 진공실로 상기 기판을 반송하는 반송수단을 포함하는 박막적충장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910015619A 1990-09-12 1991-09-07 고체전자소자 및 그의 제조방법 KR920007106A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90-239823 1990-09-12
JP2239823A JPH04120732A (ja) 1990-09-12 1990-09-12 固体素子及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920007106A true KR920007106A (ko) 1992-04-28

Family

ID=17050383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910015619A KR920007106A (ko) 1990-09-12 1991-09-07 고체전자소자 및 그의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5314839A (ko)
EP (1) EP0475265A3 (ko)
JP (1) JPH04120732A (ko)
KR (1) KR920007106A (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753542A (en) * 1985-08-02 1998-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air
US5217570A (en) * 1991-01-31 1993-06-08 Sony Corporation Dry etching method
US5578520A (en) * 1991-05-28 1996-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for annealing a semiconductor
US5766344A (en) * 1991-09-21 1998-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor
US7097712B1 (en) 1992-12-04 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for processing a semiconductor
JP3165304B2 (ja) * 1992-12-04 2001-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び半導体処理装置
CN100367461C (zh) 1993-11-05 2008-02-06 株式会社半导体能源研究所 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法
US6897100B2 (en) 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
KR100199348B1 (ko) * 1995-12-23 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 제조방법
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
US6562079B1 (en) * 1998-07-13 2003-05-13 Toshiyuki Takamatsu Microwave discharge apparatus
US6407007B1 (en) 1998-11-17 2002-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to solve the delamination of a silicon nitride layer from an underlying spin on glass layer
KR100478680B1 (ko) * 1999-10-04 2005-03-28 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체장치의 제조방법
KR100561848B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-16 삼성전자주식회사 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치
US20060103023A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 International Business Machines Corporation Methods for incorporating high k dielectric materials for enhanced SRAM operation and structures produced thereby
US7768014B2 (en) * 2005-01-31 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and manufacturing method thereof
WO2012027330A1 (en) 2010-08-23 2012-03-01 Exogenesis Corporation Method and apparatus for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology
FR2966305B1 (fr) 2010-10-15 2013-07-12 Commissariat Energie Atomique Structure acoustique heterogene formee a partir d'un materiau homogene
US10556042B2 (en) 2011-08-19 2020-02-11 Exogenesis Corporation Drug delivery system and method of manufacturing thereof
US10342900B2 (en) * 2011-08-22 2019-07-09 Exogenesis Drug delivery system and method of manufacturing thereof
CN114899096A (zh) * 2015-10-14 2022-08-12 艾克索乔纳斯公司 使用基于气体团簇离子束技术的中性射束处理的超浅蚀刻方法以及由此产生的物品
US10128016B2 (en) * 2016-01-12 2018-11-13 Asml Netherlands B.V. EUV element having barrier to hydrogen transport

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7017242A (ko) * 1969-11-26 1971-05-28
US4001049A (en) * 1975-06-11 1977-01-04 International Business Machines Corporation Method for improving dielectric breakdown strength of insulating-glassy-material layer of a device including ion implantation therein
US4016017A (en) * 1975-11-28 1977-04-05 International Business Machines Corporation Integrated circuit isolation structure and method for producing the isolation structure
EP0030798B1 (en) * 1979-12-17 1983-12-28 Hughes Aircraft Company Low temperature process for depositing oxide layers by photochemical vapor deposition
US4474829A (en) * 1981-11-23 1984-10-02 Hughes Aircraft Company Low-temperature charge-free process for forming native oxide layers
US4552783A (en) * 1984-11-05 1985-11-12 General Electric Company Enhancing the selectivity of tungsten deposition on conductor and semiconductor surfaces
JPS6210269A (ja) * 1985-07-09 1987-01-19 Asahi Glass Co Ltd 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法
US4868104A (en) * 1985-09-06 1989-09-19 Syntex (U.S.A.) Inc. Homogeneous assay for specific polynucleotides
JPS6350021A (ja) * 1986-08-19 1988-03-02 Nec Corp エツチング方法およびその装置
US4818721A (en) * 1987-07-29 1989-04-04 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Ion implantation into In-based group III-V compound semiconductors
JPH01219162A (ja) * 1988-02-26 1989-09-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸化物薄膜の製造装置および製造方法
US4902647A (en) * 1988-10-21 1990-02-20 The United States Of American As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Surface modification using low energy ground state ion beams
JPH0492423A (ja) * 1990-08-08 1992-03-25 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5314839A (en) 1994-05-24
EP0475265A3 (en) 1994-05-25
EP0475265A2 (en) 1992-03-18
JPH04120732A (ja) 1992-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920007106A (ko) 고체전자소자 및 그의 제조방법
US5786248A (en) Semiconductor processing method of forming a tantalum oxide containing capacitor
JPH03185827A (ja) 高純度薄膜の形成方法
US5432732A (en) Dynamic semiconductor memory
JPH0140503B2 (ko)
US5444006A (en) Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor memory device
US6953722B2 (en) Method for patterning ceramic layers
JPH04192526A (ja) 被膜形成方法
US5494840A (en) Method for manufacturing DRAM memory cells having a thin metal oxide film on a thin metal film
KR100361195B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
GB2199987A (en) Doped polycrystalline silicon layers for semiconductor devices
KR940005290B1 (ko) 유전체 박막을 형성하는 방법 및 그 박막을 포함하는 반도체 장치
KR20010063463A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JP2000164885A (ja) 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
JPH04199828A (ja) 酸化物高誘電率薄膜の製造方法
JP3139369B2 (ja) 薄膜キャパシタの形成方法
JPH0311551B2 (ko)
RU2024107C1 (ru) Способ изготовления моп-транзистора
JP4416354B2 (ja) 半導体装置の製造方法とその製造装置
JP3143610B2 (ja) 薄膜絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JPH0766191A (ja) 酸化シリコン薄膜の形成方法
KR950008853B1 (ko) 반도체 장치의 캐패시터 제조방법
JP2002329871A (ja) 縦型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法
JPH036022A (ja) 多層絶縁膜の形成方法
KR940011799B1 (ko) TiN층으로 된 전하저장전극 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid