JPH06163527A - 酸化タンタル薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化タンタル薄膜の製造方法Info
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- JPH06163527A JPH06163527A JP4306775A JP30677592A JPH06163527A JP H06163527 A JPH06163527 A JP H06163527A JP 4306775 A JP4306775 A JP 4306775A JP 30677592 A JP30677592 A JP 30677592A JP H06163527 A JPH06163527 A JP H06163527A
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- gas
- tantalum oxide
- oxide thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｔａ系原料ガスおよび酸素、オゾンの混合ガ
スを用いた気相成長による酸化タンタル薄膜の製造方法
において、膜形成後に酸化性雰囲気で熱処理することに
より、高耐圧、低リーク電流など絶縁性に優れた酸化タ
ンタル薄膜を形成する。 【構成】 酸化タンタル薄膜は、例えば減圧ＣＶＤ法な
どにより、４００℃に加熱されたＳｉなどの基体３上
に、Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 などのＴａ系原料ガスを流量
制御されたＨｅなどの不活性ガスによりバブリングして
真空槽１内に導入し、気相中で分解させ、酸素、オゾン
の混合ガスと反応させて薄膜形成した後、酸素などの酸
化性ガス雰囲気にて４５０〜６００℃の比較的低温で熱
処理することにより、絶縁性に優れた特性のものを形成
する。
スを用いた気相成長による酸化タンタル薄膜の製造方法
において、膜形成後に酸化性雰囲気で熱処理することに
より、高耐圧、低リーク電流など絶縁性に優れた酸化タ
ンタル薄膜を形成する。 【構成】 酸化タンタル薄膜は、例えば減圧ＣＶＤ法な
どにより、４００℃に加熱されたＳｉなどの基体３上
に、Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 などのＴａ系原料ガスを流量
制御されたＨｅなどの不活性ガスによりバブリングして
真空槽１内に導入し、気相中で分解させ、酸素、オゾン
の混合ガスと反応させて薄膜形成した後、酸素などの酸
化性ガス雰囲気にて４５０〜６００℃の比較的低温で熱
処理することにより、絶縁性に優れた特性のものを形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサ、メモリな
どのエレクトロニクス用素子、特にダイナミック ラン
ダム アクセス メモリー（ＤＲＡＭ）等の容量絶縁膜
に応用される酸化タンタル薄膜の製造方法に関するもの
である。
どのエレクトロニクス用素子、特にダイナミック ラン
ダム アクセス メモリー（ＤＲＡＭ）等の容量絶縁膜
に応用される酸化タンタル薄膜の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）は２０〜２
５程度の比誘電率を有し、高集積化の進むＤＲＡＭにお
いて、その蓄積電荷密度を向上させるために、従来の酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）や、ＳｉＯ2 と窒化シリコン
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）の積層構成である、いわゆるＯＮＯ膜に
代わる容量（キャパシタ）部の誘電率の高いキャパシタ
絶縁膜材料として期待されその適用が検討されている。
５程度の比誘電率を有し、高集積化の進むＤＲＡＭにお
いて、その蓄積電荷密度を向上させるために、従来の酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）や、ＳｉＯ2 と窒化シリコン
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）の積層構成である、いわゆるＯＮＯ膜に
代わる容量（キャパシタ）部の誘電率の高いキャパシタ
絶縁膜材料として期待されその適用が検討されている。
【０００３】現在、Ｔａ2 Ｏ5 は、反応性スパッタリン
グ法により、緻密で絶縁耐圧が高い等の特性の優れた膜
が形成されており、液晶表示素子等における駆動用の薄
膜トランジスタのゲート絶縁膜として実用化されてい
る。しかしながら、スパッタリング法による膜形成にお
いては段差被覆性が良好ではなく、微細化、３次元構造
化が進む超ＬＳＩの工程に導入することは適当でない。
そこで段差被覆性の良好な方法として、減圧ＣＶＤ法
（化学的気相成長法）などの手段を用いることが検討さ
れている。ところが、減圧ＣＶＤ法で形成したＴａ2 Ｏ
5 膜は通常リーク電流が大きく、絶縁性に欠ける。この
理由としては、形成膜の酸化不足、膜内に多くの空孔部
分が存在すること、あるいは、原料ガスが十分に熱分解
されずに、膜内に多量に未反応物等の不純物が残存して
いることが考えられる。
グ法により、緻密で絶縁耐圧が高い等の特性の優れた膜
が形成されており、液晶表示素子等における駆動用の薄
膜トランジスタのゲート絶縁膜として実用化されてい
る。しかしながら、スパッタリング法による膜形成にお
いては段差被覆性が良好ではなく、微細化、３次元構造
化が進む超ＬＳＩの工程に導入することは適当でない。
そこで段差被覆性の良好な方法として、減圧ＣＶＤ法
（化学的気相成長法）などの手段を用いることが検討さ
れている。ところが、減圧ＣＶＤ法で形成したＴａ2 Ｏ
5 膜は通常リーク電流が大きく、絶縁性に欠ける。この
理由としては、形成膜の酸化不足、膜内に多くの空孔部
分が存在すること、あるいは、原料ガスが十分に熱分解
されずに、膜内に多量に未反応物等の不純物が残存して
いることが考えられる。
【０００４】この問題を解決するために、現在のとこ
ろ、膜形成後に、紫外線照射下で体積率９％オゾン雰囲
気中における酸化処理（処理温度３００℃）、それに引
続き８００℃程度の高温条件下での乾燥酸素雰囲気中に
おける熱処理、というような２段階の熱処理工程をほど
こすような試みがなされている。
ろ、膜形成後に、紫外線照射下で体積率９％オゾン雰囲
気中における酸化処理（処理温度３００℃）、それに引
続き８００℃程度の高温条件下での乾燥酸素雰囲気中に
おける熱処理、というような２段階の熱処理工程をほど
こすような試みがなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来技術の減圧ＣＶＤ法による膜形成とその後の２段
階の酸化処理・熱処理工程を伴うＴａ2 Ｏ5 膜の製造方
法では、電気的特性として、リーク電流が小さく、絶縁
耐圧性に優れた薄膜を製造することはできるものの、熱
処理を２工程も必要とし、処理装置の負担、試料の搬出
入等に時間を要するなど、歩留まりおよび製造コストの
面で問題がある。また、８００℃というような高温条件
下にて行なう処理工程を含むため、Ｔａ2 Ｏ5 膜以外の
デバイスの他の構成部分において相互拡散が生じたり、
あるいはクラックが発生したりしてデバイスそのものの
性能の劣化をもたらすという課題もある。
た従来技術の減圧ＣＶＤ法による膜形成とその後の２段
階の酸化処理・熱処理工程を伴うＴａ2 Ｏ5 膜の製造方
法では、電気的特性として、リーク電流が小さく、絶縁
耐圧性に優れた薄膜を製造することはできるものの、熱
処理を２工程も必要とし、処理装置の負担、試料の搬出
入等に時間を要するなど、歩留まりおよび製造コストの
面で問題がある。また、８００℃というような高温条件
下にて行なう処理工程を含むため、Ｔａ2 Ｏ5 膜以外の
デバイスの他の構成部分において相互拡散が生じたり、
あるいはクラックが発生したりしてデバイスそのものの
性能の劣化をもたらすという課題もある。
【０００６】本発明は、前記従来技術の問題を解決する
ため、膜特性としては絶縁性に優れ、プロセス面では歩
留まりが良好で、製造時間が短縮できて、しかもデバイ
ス性能に悪影響を及ぼさない程度のプロセス温度による
酸化タンタル薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
ため、膜特性としては絶縁性に優れ、プロセス面では歩
留まりが良好で、製造時間が短縮できて、しかもデバイ
ス性能に悪影響を及ぼさない程度のプロセス温度による
酸化タンタル薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、基体を設置した真空槽内に、Ｔａ系原料
ガスおよび酸素、オゾンの混合ガスを導入し、外部より
エネルギーを印加して前記原料ガスを分解することによ
り基体上に酸化タンタル薄膜を気相成長させ、その後、
酸化性雰囲気で熱処理をほどこす工程を含むことを特徴
とする。
め、本発明は、基体を設置した真空槽内に、Ｔａ系原料
ガスおよび酸素、オゾンの混合ガスを導入し、外部より
エネルギーを印加して前記原料ガスを分解することによ
り基体上に酸化タンタル薄膜を気相成長させ、その後、
酸化性雰囲気で熱処理をほどこす工程を含むことを特徴
とする。
【０００８】前記構成においては、熱処理工程を膜形成
と同一真空槽内にて行なうことが好ましい。また前記構
成においては、４５０℃から６００℃の温度範囲にて熱
処理を行なうことが好ましい。
と同一真空槽内にて行なうことが好ましい。また前記構
成においては、４５０℃から６００℃の温度範囲にて熱
処理を行なうことが好ましい。
【０００９】さらに前記構成においては、Ｔａ系原料ガ
スとして、Ｔａ（ＯＲ）5 （ただしＲはアルキル基、好
ましくはＣ1 〜Ｃ6 の低級アルキル基）で示されるタン
タルアルコキシド、またはＴａＸ5 （ただしＸはハロゲ
ン基）で示されるタンタルハロゲン化物を用いることが
好ましい。
スとして、Ｔａ（ＯＲ）5 （ただしＲはアルキル基、好
ましくはＣ1 〜Ｃ6 の低級アルキル基）で示されるタン
タルアルコキシド、またはＴａＸ5 （ただしＸはハロゲ
ン基）で示されるタンタルハロゲン化物を用いることが
好ましい。
【００１０】
【作用】前記した本発明の酸化タンタル薄膜の製造方法
によれば、成膜時に、オゾン（Ｏ3 ）なる活性度の高い
酸化性ガスを用いており、基板表面での熱分解反応を促
進し、ＣやＨなどの不純物の混入の抑制し、かつ膜の十
分な酸化が可能である。さらに引き続いて実施する熱処
理は、酸素などの酸化性ガス雰囲気中で４５０〜６００
℃と比較的低温で行なうため、成膜時に取り込まれた酸
素の再蒸発を抑制するとともに、形成膜の緻密化が可能
である。また、本発明は工業的には、熱処理が１工程
で、特に同一真空槽内にて行なうことにより、工程数を
減少させ、製造時間を短縮し、しかも４５０〜６００℃
というようなデバイス性能の劣化を抑えた膜製造が可能
である。従って、本発明により高耐圧、低リーク電流な
ど絶縁性に優れた酸化タンタル薄膜を、歩留まり良く、
短時間の低温プロセスで実現することができる。
によれば、成膜時に、オゾン（Ｏ3 ）なる活性度の高い
酸化性ガスを用いており、基板表面での熱分解反応を促
進し、ＣやＨなどの不純物の混入の抑制し、かつ膜の十
分な酸化が可能である。さらに引き続いて実施する熱処
理は、酸素などの酸化性ガス雰囲気中で４５０〜６００
℃と比較的低温で行なうため、成膜時に取り込まれた酸
素の再蒸発を抑制するとともに、形成膜の緻密化が可能
である。また、本発明は工業的には、熱処理が１工程
で、特に同一真空槽内にて行なうことにより、工程数を
減少させ、製造時間を短縮し、しかも４５０〜６００℃
というようなデバイス性能の劣化を抑えた膜製造が可能
である。従って、本発明により高耐圧、低リーク電流な
ど絶縁性に優れた酸化タンタル薄膜を、歩留まり良く、
短時間の低温プロセスで実現することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明に用いた酸化タンタル薄膜形成装置の
概略図である。真空槽１内は排気ポンプ２によりほぼ真
空に排気される。シリコン等の基体３は基体ホルダー４
に固定され、基体ホルダー４内部に設定されたヒータ５
により２５０〜６００℃の所定の温度に加熱される。膜
形成用の原料ガスは、本実施例においては、酸素系ガス
としてＯ2 とＯ3 の混合ガス、Ｔａ系ガスとしてＴａ
（ＯＣ2 Ｈ5 ） 5 をそれぞれ用いた。Ｏ3 ガスの発生
は、Ｏ2 ガスをボンベ７より流量制御装置８を通じてオ
ゾン発生装置９に導入することにより得られ、その後ガ
ス混合部１０に送給される。Ｏ3 の発生率は体積率にし
て最大約１０％である。Ｔａ（ＯＣ 2 Ｈ5 ）5 はバブラ
容器１１に充填されており、ヒータ１６により１２５℃
に加熱保温される。キャリアガスとしてＨｅを用い、Ｈ
ｅガスはボンベ１２より流量制御装置１３を通じてバブ
ラ容器１１に送給される。Ｈｅガスによりバブラ容器１
１内の気化されたＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 蒸気がガス導入
管１４を通じてガス混合部１０まで送給され、ここでＯ
2 ／Ｏ3 ガスと混合される。混合部１０で混合された原
料ガスは多数の孔部が設けてあるガス導入プレート６よ
り真空槽１内に導入され、加熱された基体３表面付近で
熱分解反応が起こり、基体３上に膜形成される。ガス導
入管１４は、原料ガスの再凝固を防ぐためにヒータ１５
によりバブラ容器１１より少し高い温度１３０℃に加熱
保温される。また、引き続いて行なう熱処理は、基体３
を基体ホルダー４に固定したまま、４５０〜６００℃の
所定の温度に加熱し、酸化性ガスとしてＯ2 ガスをボン
ベ７より流量制御装置１７を通じてガス導入部１８より
送給して行なわれる。
る。図１は本発明に用いた酸化タンタル薄膜形成装置の
概略図である。真空槽１内は排気ポンプ２によりほぼ真
空に排気される。シリコン等の基体３は基体ホルダー４
に固定され、基体ホルダー４内部に設定されたヒータ５
により２５０〜６００℃の所定の温度に加熱される。膜
形成用の原料ガスは、本実施例においては、酸素系ガス
としてＯ2 とＯ3 の混合ガス、Ｔａ系ガスとしてＴａ
（ＯＣ2 Ｈ5 ） 5 をそれぞれ用いた。Ｏ3 ガスの発生
は、Ｏ2 ガスをボンベ７より流量制御装置８を通じてオ
ゾン発生装置９に導入することにより得られ、その後ガ
ス混合部１０に送給される。Ｏ3 の発生率は体積率にし
て最大約１０％である。Ｔａ（ＯＣ 2 Ｈ5 ）5 はバブラ
容器１１に充填されており、ヒータ１６により１２５℃
に加熱保温される。キャリアガスとしてＨｅを用い、Ｈ
ｅガスはボンベ１２より流量制御装置１３を通じてバブ
ラ容器１１に送給される。Ｈｅガスによりバブラ容器１
１内の気化されたＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 蒸気がガス導入
管１４を通じてガス混合部１０まで送給され、ここでＯ
2 ／Ｏ3 ガスと混合される。混合部１０で混合された原
料ガスは多数の孔部が設けてあるガス導入プレート６よ
り真空槽１内に導入され、加熱された基体３表面付近で
熱分解反応が起こり、基体３上に膜形成される。ガス導
入管１４は、原料ガスの再凝固を防ぐためにヒータ１５
によりバブラ容器１１より少し高い温度１３０℃に加熱
保温される。また、引き続いて行なう熱処理は、基体３
を基体ホルダー４に固定したまま、４５０〜６００℃の
所定の温度に加熱し、酸化性ガスとしてＯ2 ガスをボン
ベ７より流量制御装置１７を通じてガス導入部１８より
送給して行なわれる。
【００１２】具体的な膜形成は、以下の手順で行なっ
た。基体として、低抵抗のｎ型多結晶シリコンが２００
ｎｍ形成されたｎ型単結晶シリコン基板を用い、基体温
度を４００℃とした。流量制御装置８により５００ｓｃ
ｃｍに流量制御されたＯ2 ガスをオゾン発生装置９に導
入し、５％体積率のＯ3 ガスを発生させた。また、バブ
ラ容器１１に送給されるＨｅガスのガス流量は５００ｓ
ｃｃｍとした。この場合の真空槽１内の全ガス圧は排気
バルブ１９を調節して１．０Ｔｏｒｒとした。膜は２０
ｎｍの膜厚で膜形成を行なった。膜形成後、５００℃の
乾燥酸素雰囲気中にて１０分間熱処理を行なった。
た。基体として、低抵抗のｎ型多結晶シリコンが２００
ｎｍ形成されたｎ型単結晶シリコン基板を用い、基体温
度を４００℃とした。流量制御装置８により５００ｓｃ
ｃｍに流量制御されたＯ2 ガスをオゾン発生装置９に導
入し、５％体積率のＯ3 ガスを発生させた。また、バブ
ラ容器１１に送給されるＨｅガスのガス流量は５００ｓ
ｃｃｍとした。この場合の真空槽１内の全ガス圧は排気
バルブ１９を調節して１．０Ｔｏｒｒとした。膜は２０
ｎｍの膜厚で膜形成を行なった。膜形成後、５００℃の
乾燥酸素雰囲気中にて１０分間熱処理を行なった。
【００１３】図２にＯ3 ガスを用いて基板温度４００℃
にて膜形成を行なった際に、引き続いてＯ2 ガス雰囲気
にて５００℃で熱処理を施した場合と熱処理を行なわな
い場合の電界に対するリーク電流特性図を示す。膜形成
後に熱処理を施すことにより、一桁から二桁程度リーク
電流特性の低減がみられた。この理由としては、Ｏ2ガ
ス雰囲気中での熱処理により、膜中の酸素不足が補われ
たか、もしくは膜構造が緻密になったためと考えられ
る。
にて膜形成を行なった際に、引き続いてＯ2 ガス雰囲気
にて５００℃で熱処理を施した場合と熱処理を行なわな
い場合の電界に対するリーク電流特性図を示す。膜形成
後に熱処理を施すことにより、一桁から二桁程度リーク
電流特性の低減がみられた。この理由としては、Ｏ2ガ
ス雰囲気中での熱処理により、膜中の酸素不足が補われ
たか、もしくは膜構造が緻密になったためと考えられ
る。
【００１４】図３に熱処理温度を変化させた場合の１Ｍ
Ｖ／ｃｍの電界下におけるリーク電流密度の変化の様子
を示した図である。４５０℃から６００℃の温度範囲に
おいては、１０-8Ａ／ｃｍ2 以下のリーク電流特性が得
られる。しかし、熱処理温度が６００℃を越えると１０
-8Ａ／ｃｍ2 を越えてリーク電流が増加する。これは６
００℃を越える温度領域においては膜の結晶化が起こ
り、結晶粒界を介して電流のリークが起きると考えられ
る。従って、４５０〜６００℃の温度範囲にて熱処理を
行なうことが有効であるとわかる。
Ｖ／ｃｍの電界下におけるリーク電流密度の変化の様子
を示した図である。４５０℃から６００℃の温度範囲に
おいては、１０-8Ａ／ｃｍ2 以下のリーク電流特性が得
られる。しかし、熱処理温度が６００℃を越えると１０
-8Ａ／ｃｍ2 を越えてリーク電流が増加する。これは６
００℃を越える温度領域においては膜の結晶化が起こ
り、結晶粒界を介して電流のリークが起きると考えられ
る。従って、４５０〜６００℃の温度範囲にて熱処理を
行なうことが有効であるとわかる。
【００１５】上記実施例においては、減圧ＣＶＤ法によ
り、Ｔａ系の原料ガスとしてＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 のよ
うなアルコキシド材料を用いて膜形成を行なう場合を示
した。その他の原料ガスとして、ＴａＦ5 、ＴａＣｌ5
などのハロゲン化物を原料ガスとして用いても、キャリ
アガスによるバブリングによりそれぞれ１２０℃、１５
０℃と比較的低温でガス化することができ、アルコキシ
ド材料を用いた場合と同程度の特性を有する薄膜を形成
することができることを確認した。ただ、原料ガスとし
てアルコキシド材料を用いた場合は、膜形成用の基板に
対する表面マイグレーションが良好であるため、ハロゲ
ン化物を用いる場合よりも段差被覆性に優れた膜形成を
行なうことができる。
り、Ｔａ系の原料ガスとしてＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 のよ
うなアルコキシド材料を用いて膜形成を行なう場合を示
した。その他の原料ガスとして、ＴａＦ5 、ＴａＣｌ5
などのハロゲン化物を原料ガスとして用いても、キャリ
アガスによるバブリングによりそれぞれ１２０℃、１５
０℃と比較的低温でガス化することができ、アルコキシ
ド材料を用いた場合と同程度の特性を有する薄膜を形成
することができることを確認した。ただ、原料ガスとし
てアルコキシド材料を用いた場合は、膜形成用の基板に
対する表面マイグレーションが良好であるため、ハロゲ
ン化物を用いる場合よりも段差被覆性に優れた膜形成を
行なうことができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、リ
ーク電流が小さく、絶縁耐圧の大きい優れた特性をもつ
酸化タンタル薄膜が、歩留まり良く、性能劣化をもたら
さない比較的低温の製造工程で提供することができ、こ
れを超ＬＳＩに応用した場合、蓄積容量部の面積の縮小
化が可能となり、これにより、ＬＳＩの集積度の向上が
実現できる。
ーク電流が小さく、絶縁耐圧の大きい優れた特性をもつ
酸化タンタル薄膜が、歩留まり良く、性能劣化をもたら
さない比較的低温の製造工程で提供することができ、こ
れを超ＬＳＩに応用した場合、蓄積容量部の面積の縮小
化が可能となり、これにより、ＬＳＩの集積度の向上が
実現できる。
【図１】本発明の一実施例に用いた酸化タンタル薄膜の
製造装置の概略図。
製造装置の概略図。
【図２】本発明の一実施例のＯ3 ガスを用いて膜形成を
行なった後、引き続きＯ2 ガス雰囲気にて熱処理を行な
う場合と行なわない場合の電界強度に対するリーク電流
密度の関係を示した図。
行なった後、引き続きＯ2 ガス雰囲気にて熱処理を行な
う場合と行なわない場合の電界強度に対するリーク電流
密度の関係を示した図。
【図３】本発明の一実施例の熱処理温度を変化させた場
合の１ＭＶ／ｃｍの電界下におけるリーク電流密度の変
化の様子を示した図。
合の１ＭＶ／ｃｍの電界下におけるリーク電流密度の変
化の様子を示した図。
１ 真空槽 ２ 排気ポンプ ３ 基体 ４ 基体ホルダ− ５ ヒータ ６ ガス導入プレート ７ ボンベ（Ｏ2 ） ８ 流量制御装置 ９ オゾン発生装置 １０ ガス混合部 １１ バブラ容器 １２ ボンベ（Ｈｅ） １３ 流量制御装置 １４ ガス導入管 １５ ヒータ １６ ヒータ １７ 流量制御装置 １８ ガス導入部 １９ 排気バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/108 (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 真空槽内に基体を設置し、前記真空槽内
にＴａ系原料ガスおよび酸素、オゾンの混合ガスを導入
し、外部よりエネルギーを印加して前記原料ガスを分解
することにより前記基体上に酸化タンタル薄膜を気相成
長させる酸化タンタル薄膜の製造方法において、膜形成
後に酸化性雰囲気で熱処理を施す工程を含むことを特徴
とする酸化タンタル薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 熱処理を施す工程を、膜形成と同一真空
槽内にて行なう請求項１に記載の酸化タンタル薄膜の製
造方法。 - 【請求項３】 熱処理温度が、４５０℃から６００℃の
範囲である請求項１または２記載の酸化タンタル薄膜の
製造方法。 - 【請求項４】 Ｔａ系原料ガスが、Ｔａ（ＯＲ）5 （た
だしＲはアルキル基）で示されるタンタルアルコキシ
ド、またはＴａＸ5 （ただしＸはハロゲン基）で示され
るタンタルハロゲン化物である請求項１、２または３記
載の酸化タンタル薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306775A JPH06163527A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 酸化タンタル薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306775A JPH06163527A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 酸化タンタル薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163527A true JPH06163527A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17961127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4306775A Pending JPH06163527A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 酸化タンタル薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163527A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162448A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 成膜方法 |
| JPH08250665A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-27 | Lg Semicon Co Ltd | 凹凸の表面形状を有するタングステン膜の形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH08321585A (ja) * | 1995-03-04 | 1996-12-03 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体の誘電体薄膜と半導体キャパシタ、及びこれらの製造方法 |
| US6352889B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating capacitor and method for fabricating semiconductor device |
| KR100380269B1 (ko) * | 2000-07-11 | 2003-04-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
| JP2008266280A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-11-06 | Tosoh Corp | イミド錯体、その製造方法、金属含有薄膜及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP4306775A patent/JPH06163527A/ja active Pending
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