JP4306876B2 - 酸化タンタル薄膜の形成方法 - Google Patents
酸化タンタル薄膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4306876B2 JP4306876B2 JP15249599A JP15249599A JP4306876B2 JP 4306876 B2 JP4306876 B2 JP 4306876B2 JP 15249599 A JP15249599 A JP 15249599A JP 15249599 A JP15249599 A JP 15249599A JP 4306876 B2 JP4306876 B2 JP 4306876B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum oxide
- thin film
- film
- oxide thin
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＤＲＡＭキャパシタ等の容量絶縁膜などとして有用な酸化タンタル薄膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に基板上への酸化タンタル薄膜（Ｔａ2Ｏ5 膜）の成膜は、ＣＶＤ法を用いて行われている。
図６は、従来の酸化タンタル薄膜の製造装置の一例を説明するための図である。
酸化タンタルの原料としては、液体であるペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）が用いられ、これは恒温室４２内のタンク４１に収容されている。タンク４１は恒温室４２によって例えば３５℃に温度制御されている。Ｎ2 供給配管４８からタンク４１に供給されたＮ2 ガスは、タンク４１内を加圧し、液体原料であるペンタエトキシタンタルを原料供給配管４９に押し出す。前記液体原料であるペンタエトキシタンタルは原料供給配管４９より気化器４３に供給され、また気化器４３にはＮ2 供給配管４８からＮ2 キャリアガスが供給される。気化器４３によって気化された原料ガスは、前記Ｎ2 キャリアガスと共に、供給配管４４を介して反応室４５に導入される。またそれと同時に酸素タンク（図示せず）から酸素も導入され、ペンタエトキシタンタルは反応室４５内で熱分解され、基板上に酸化タンタル薄膜が成膜される。成膜後は、ポンプ４６により排気配管４７を通じて反応室４５内の雰囲気が排気される。
【０００３】
このようなＣＶＤ法により成膜された酸化タンタル薄膜は、酸素の空孔ができやすいという性質が見られる。このため、その空孔に不純物が捕獲されたり、電荷がトラップされたりし、これがリーク電流を発生する一要因となっている。したがって、従来技術においては上記のように酸素を成膜時に導入し、酸素の空孔を減少させるための努力が払われていた。さらに成膜後も、酸素の空孔のより一層の減少を図るため、酸素アニールや酸素プラズマ処理を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術における酸化タンタル薄膜の形成方法では、基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合に、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することが困難であるという問題点がある。なお、以下本明細書においては凹凸部に対する酸化タンタル薄膜の形成状態を段差被覆性と呼ぶことにする。
【０００５】
段差被覆性が不良であると容量絶縁膜に印加される電解強度が不均一となり、電解強度の高いところでは極端な場合、絶縁破壊やリーク電流の増大をもたらし、ＤＲＡＭの信頼性を著しく損なうことになる。
【０００６】
さて、ＣＶＤ法を用いた酸化タンタル薄膜の成膜では、成膜温度が高温になると反応律速から原料供給律速に成膜機構が変化する。反応律速状態では主に反応は温度によって支配されるが、原料供給律速状態では、原料の供給量が成膜反応を支配するので、成膜反応が速すぎて凹凸部内部への成膜が不十分となり、段差被覆性が低下する。従って、段差被覆性を良好にするために、成膜温度は反応律速が満たされるよう十分に低くする必要があるが、成膜温度を低くすると、今度は酸化タンタル薄膜中の炭素濃度が増加し、これによってリーク電流が増大する危険性がある。
【０００７】
このように、従来技術では酸化タンタル薄膜の成膜温度を高くしても低くしても得られる薄膜の特性は一長一短であり、現在、段差被覆性が良好な酸化タンタル薄膜の形成方法が当業界では求められている。
【０００８】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、段差被覆性の良好な酸化タンタル薄膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を含む原料ガスを導入する工程と、非酸素雰囲気下、前記ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を熱分解しＣＶＤ法により前記基板上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成する工程と、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜が形成された基板に酸素を用いた後処理を行う工程と、を有する酸化タンタル薄膜の形成方法を提供するものである。
またこの発明は、基板を窒化処理して窒化膜を形成した後、前記窒化膜上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成することを特徴とする前記の酸化タンタル薄膜の形成方法を提供するものである。
【００１０】
さらにこの発明は、基板上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成する工程が、５００℃以下の少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5 ）5 ）が熱分解する温度で行われることを特徴とする前記の酸化タンタル薄膜の形成方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
この発明によれば、酸化タンタル薄膜のＣＶＤ法による成膜を非酸素雰囲気下で行っているため、成膜速度が抑制され、段差被覆性が向上する。非酸素雰囲気下による酸素の空孔の問題は、酸化タンタル薄膜が形成された後の基板に酸素を用いた後処理を行うことにより解決することができる。
【００１２】
この発明における酸化タンタル薄膜の形成条件は、成膜を非酸素雰囲気下で行えば、従来のそれと同様の条件を採用することができる。また酸化タンタル薄膜が形成された後の酸素を用いて行う後処理は、例えばＯ2 またはＯ3 雰囲気下、４５０〜８００℃の温度で行うことができる。この酸素を用いて行う後処理としては、Ｏ2 アニール処理、ＵＶ−Ｏ3 アニール処理、Ｏ2 プラズマ処理等が挙げられ、これらの処理は、必要時間以上行うことが望ましい。
【００１３】
この発明によれば、基板上に酸化タンタル薄膜を形成する工程における成膜温度を、５００℃以下の少なくとも原料ガスが熱分解可能な温度に設定することにより成膜機構が反応律速となり、成膜の反応を温度により支配することができ、基板に設けられた凹凸部の内部への成膜が良好となる。さらに酸化タンタル薄膜中の炭素濃度の増加の問題も生じることがない。
【００１４】
なお、従来、例えばポリシリコンを素材とする基板表面が酸化されてそこにＳｉＯ2 が形成され、誘電率の小さいＳｉＯ2 層と酸化タンタル薄膜によるキャパシタが直列接続になり、形成されたキャパシタの実効的誘電率が低下するという問題点が生じることがあるが、本発明においては、基板を窒化処理して窒化膜を形成した後、窒化膜上に酸化タンタル薄膜を形成することによりこの問題を解決している。なお、窒化膜の厚さは、酸化タンタル薄膜の成膜条件を考慮して適宜決定すればよいが、通常２０Å程度で十分である。
【００１５】
ここで、本発明と類似の技術を開示している特開平６−６１４５０号公報は、非酸素雰囲気下、酸化タンタル薄膜をＣＶＤ法により基板上に成膜する技術を提案しているが、この従来技術は、酸化タンタル薄膜の成膜後の酸素含有雰囲気下でのアニール等の後処理を何ら開示していない。また成膜温度も５５０℃以上という高温であり、成膜を反応律速が満たされる温度（５００℃以下）で行うことについては何ら考慮されていない。また、酸化タンタル薄膜の成膜前の基板の窒化処理についても何ら開示されていない。
【００１６】
この発明の方法は、先に図６で説明した従来の装置をそのまま利用して実施することができるが、酸化タンタル薄膜は、非酸素雰囲気下で成膜される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態によりこの発明をさらに説明する。本実施の形態では、酸化タンタル薄膜の段差被覆性を評価した。
図１は、段差被覆性を評価するために用いたサンプルを説明するための断面図である。
シリコンウエハ１１上に、厚さ２００ｍのＴｈ−ＳｉＯ2 層１７を介してボロンホスホシリケートガラス１２が設けられ、そこに凹部が形成されている。該凹部の直径は０．４μｍであり、深さは２０００ｎｍである。またボロンホスホシリケートガラス１２の上部には、ポリシリコン層１３が３０ｎｍの厚さで形成されている。ポリシリコン層１３の上部には、窒化膜１４が２０Åの厚さで設けられている。窒化膜１４の上部には、酸化タンタル薄膜１５が１００ｎｍの厚さで設けられ、基板の高さ方向の厚さを“ａ部”および凹部の内側方向に対応する厚さを“ｂ部”としてそれぞれ図１では記載している。酸化タンタル薄膜１５の上部にはさらにポリシリコン層１６が３０ｎｍの厚さで設けられている。
【００１８】
本実施形態における段差被覆性の評価は、酸化タンタル薄膜１５のａ部に対するｂ部の厚さの割合を調査することにより行った。すなわち、該割合が１００％に近いほど、段差被覆性は良好と言える。また、下記で述べるアスペクト比とは、凹部の直径に対する凹部の深さの比として表した。
【００１９】
図２は、ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際のアスペクト比と段差被覆性との関係を説明するための図である。図２において、曲線２１は非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示し、曲線２２は酸素含有雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示している。
【００２０】
このときの成膜条件は、酸素含有雰囲気下で成膜を行うか、非酸素雰囲気下で成膜を行うか、以外はすべて条件を同じに設定した。すなわち、成膜温度は４８０℃、成膜圧力は２５Ｐａ、ペンタエトキシタンタル流量０．１ｓｃｃｍ、キャリアＮ2 流量５００ｓｃｃｍ、酸素を用いる場合の酸素流量５００ｓｃｃｍとした。
【００２１】
図２から、非酸素雰囲気下で成膜を行った場合、アスペクト比が大きくなっても段差被覆性が１００％であるのに対し、酸素含有雰囲気下で成膜を行った場合はアスペクト比が４では段差被覆性が９４％であり、非酸素雰囲気下で酸化タンタル薄膜を成膜した場合のほうが段差被覆性が向上している。
【００２２】
図３は、ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際の成膜温度と成膜速度との関係を示す図である。図３において、曲線３１は非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示し、曲線３２は酸素含有雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示している。
このときの成膜条件は、酸素含有雰囲気下で成膜を行うか、非酸素雰囲気下で成膜を行うか、以外はすべて条件を同じに設定した。すなわち、成膜温度は４８０℃、成膜圧力は２５Ｐａ、ペンタエトキシタンタル流量０．１ｓｃｃｍ、キャリアＮ2 流量５００ｓｃｃｍ、酸素を用いる場合の酸素流量５００ｓｃｃｍとした。
【００２３】
図３から、非酸素雰囲気下で成膜を行ったときの成膜速度のほうが、酸素含有雰囲気のときのそれよりも、成膜速度が抑制されており、このことは、段差被覆性が一層良好になることを示している。
【００２４】
図４は、図３において、非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示す曲線３１を拡大したものである。これにより、５００℃を超えると曲線の勾配が緩やかになることがわかる。これは、成膜温度が５００℃より高温になると、反応律速から、原料供給律速に成膜機構が変化することを示している。
【００２５】
図５は、非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の４７０℃〜５１０℃における膜厚分布を示す図であり、（ａ）は測定位置に対する膜厚を示す図、（ｂ）は測定位置をガスの流れ方向に対して示す図である。４７０℃，５００℃に比べ、５１０℃では、ガスの流れ方向の膜厚分布が大きく変化していることが分かる。これは４７０℃、５００℃では、反応律速が満たされるが、５１０℃では反応が原料供給律速に支配されていることを示している。
【００２６】
図４、図５から、成膜温度を５００℃以下とすることにより、反応律速が満たされることが分かる。このことは、成膜温度を５００℃以下とすることにより、段差被覆性が一層良好になることを示している。
尚、成膜温度が低すぎると成膜速度が遅くなり、スループットの低下を招くため、実用的とは言えなくなる。それらを考慮した場合、成膜温度は４２０℃以上が望ましい。
また、リーク電流の評価も行ったが、従来と同等の結果を得ており、酸化タンタル膜中の炭素濃度の増加の問題もクリアしている。
【００２７】
【発明の効果】
この発明の酸化タンタル薄膜の形成方法は、基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を含む原料ガスを導入する工程と、非酸素雰囲気下、前記ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を熱分解しＣＶＤ法により前記基板上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成する工程と、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜が形成された基板を酸素を用いた後処理を行う工程と、を有するので、基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】段差被覆性を評価するために用いたサンプルを説明するための断面図である。
【図２】ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際のアスペクト比と段差被覆性との関係を説明するための図である。
【図３】ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際の成膜温度と成膜速度との関係を示す図である。
【図４】図３において非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示す曲線を拡大して示す図である。
【図５】非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の４７０℃〜５１０℃における膜厚分布を示す図である。
【図６】従来の酸化タンタル薄膜の製造装置の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
１１ シリコンウエハ
１２ ボロンホスホシリケートガラス
１３，１６ ポリシリコン層
１４ 窒化膜
１５ 酸化タンタル薄膜
４１ タンク
４２ 恒温室
４３ 気化器
４４ 供給配管
４５ 反応室
４６ ポンプ
４７ 排気配管
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＤＲＡＭキャパシタ等の容量絶縁膜などとして有用な酸化タンタル薄膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に基板上への酸化タンタル薄膜（Ｔａ2Ｏ5 膜）の成膜は、ＣＶＤ法を用いて行われている。
図６は、従来の酸化タンタル薄膜の製造装置の一例を説明するための図である。
酸化タンタルの原料としては、液体であるペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）が用いられ、これは恒温室４２内のタンク４１に収容されている。タンク４１は恒温室４２によって例えば３５℃に温度制御されている。Ｎ2 供給配管４８からタンク４１に供給されたＮ2 ガスは、タンク４１内を加圧し、液体原料であるペンタエトキシタンタルを原料供給配管４９に押し出す。前記液体原料であるペンタエトキシタンタルは原料供給配管４９より気化器４３に供給され、また気化器４３にはＮ2 供給配管４８からＮ2 キャリアガスが供給される。気化器４３によって気化された原料ガスは、前記Ｎ2 キャリアガスと共に、供給配管４４を介して反応室４５に導入される。またそれと同時に酸素タンク（図示せず）から酸素も導入され、ペンタエトキシタンタルは反応室４５内で熱分解され、基板上に酸化タンタル薄膜が成膜される。成膜後は、ポンプ４６により排気配管４７を通じて反応室４５内の雰囲気が排気される。
【０００３】
このようなＣＶＤ法により成膜された酸化タンタル薄膜は、酸素の空孔ができやすいという性質が見られる。このため、その空孔に不純物が捕獲されたり、電荷がトラップされたりし、これがリーク電流を発生する一要因となっている。したがって、従来技術においては上記のように酸素を成膜時に導入し、酸素の空孔を減少させるための努力が払われていた。さらに成膜後も、酸素の空孔のより一層の減少を図るため、酸素アニールや酸素プラズマ処理を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術における酸化タンタル薄膜の形成方法では、基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合に、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することが困難であるという問題点がある。なお、以下本明細書においては凹凸部に対する酸化タンタル薄膜の形成状態を段差被覆性と呼ぶことにする。
【０００５】
段差被覆性が不良であると容量絶縁膜に印加される電解強度が不均一となり、電解強度の高いところでは極端な場合、絶縁破壊やリーク電流の増大をもたらし、ＤＲＡＭの信頼性を著しく損なうことになる。
【０００６】
さて、ＣＶＤ法を用いた酸化タンタル薄膜の成膜では、成膜温度が高温になると反応律速から原料供給律速に成膜機構が変化する。反応律速状態では主に反応は温度によって支配されるが、原料供給律速状態では、原料の供給量が成膜反応を支配するので、成膜反応が速すぎて凹凸部内部への成膜が不十分となり、段差被覆性が低下する。従って、段差被覆性を良好にするために、成膜温度は反応律速が満たされるよう十分に低くする必要があるが、成膜温度を低くすると、今度は酸化タンタル薄膜中の炭素濃度が増加し、これによってリーク電流が増大する危険性がある。
【０００７】
このように、従来技術では酸化タンタル薄膜の成膜温度を高くしても低くしても得られる薄膜の特性は一長一短であり、現在、段差被覆性が良好な酸化タンタル薄膜の形成方法が当業界では求められている。
【０００８】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、段差被覆性の良好な酸化タンタル薄膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を含む原料ガスを導入する工程と、非酸素雰囲気下、前記ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を熱分解しＣＶＤ法により前記基板上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成する工程と、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜が形成された基板に酸素を用いた後処理を行う工程と、を有する酸化タンタル薄膜の形成方法を提供するものである。
またこの発明は、基板を窒化処理して窒化膜を形成した後、前記窒化膜上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成することを特徴とする前記の酸化タンタル薄膜の形成方法を提供するものである。
【００１０】
さらにこの発明は、基板上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成する工程が、５００℃以下の少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5 ）5 ）が熱分解する温度で行われることを特徴とする前記の酸化タンタル薄膜の形成方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
この発明によれば、酸化タンタル薄膜のＣＶＤ法による成膜を非酸素雰囲気下で行っているため、成膜速度が抑制され、段差被覆性が向上する。非酸素雰囲気下による酸素の空孔の問題は、酸化タンタル薄膜が形成された後の基板に酸素を用いた後処理を行うことにより解決することができる。
【００１２】
この発明における酸化タンタル薄膜の形成条件は、成膜を非酸素雰囲気下で行えば、従来のそれと同様の条件を採用することができる。また酸化タンタル薄膜が形成された後の酸素を用いて行う後処理は、例えばＯ2 またはＯ3 雰囲気下、４５０〜８００℃の温度で行うことができる。この酸素を用いて行う後処理としては、Ｏ2 アニール処理、ＵＶ−Ｏ3 アニール処理、Ｏ2 プラズマ処理等が挙げられ、これらの処理は、必要時間以上行うことが望ましい。
【００１３】
この発明によれば、基板上に酸化タンタル薄膜を形成する工程における成膜温度を、５００℃以下の少なくとも原料ガスが熱分解可能な温度に設定することにより成膜機構が反応律速となり、成膜の反応を温度により支配することができ、基板に設けられた凹凸部の内部への成膜が良好となる。さらに酸化タンタル薄膜中の炭素濃度の増加の問題も生じることがない。
【００１４】
なお、従来、例えばポリシリコンを素材とする基板表面が酸化されてそこにＳｉＯ2 が形成され、誘電率の小さいＳｉＯ2 層と酸化タンタル薄膜によるキャパシタが直列接続になり、形成されたキャパシタの実効的誘電率が低下するという問題点が生じることがあるが、本発明においては、基板を窒化処理して窒化膜を形成した後、窒化膜上に酸化タンタル薄膜を形成することによりこの問題を解決している。なお、窒化膜の厚さは、酸化タンタル薄膜の成膜条件を考慮して適宜決定すればよいが、通常２０Å程度で十分である。
【００１５】
ここで、本発明と類似の技術を開示している特開平６−６１４５０号公報は、非酸素雰囲気下、酸化タンタル薄膜をＣＶＤ法により基板上に成膜する技術を提案しているが、この従来技術は、酸化タンタル薄膜の成膜後の酸素含有雰囲気下でのアニール等の後処理を何ら開示していない。また成膜温度も５５０℃以上という高温であり、成膜を反応律速が満たされる温度（５００℃以下）で行うことについては何ら考慮されていない。また、酸化タンタル薄膜の成膜前の基板の窒化処理についても何ら開示されていない。
【００１６】
この発明の方法は、先に図６で説明した従来の装置をそのまま利用して実施することができるが、酸化タンタル薄膜は、非酸素雰囲気下で成膜される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態によりこの発明をさらに説明する。本実施の形態では、酸化タンタル薄膜の段差被覆性を評価した。
図１は、段差被覆性を評価するために用いたサンプルを説明するための断面図である。
シリコンウエハ１１上に、厚さ２００ｍのＴｈ−ＳｉＯ2 層１７を介してボロンホスホシリケートガラス１２が設けられ、そこに凹部が形成されている。該凹部の直径は０．４μｍであり、深さは２０００ｎｍである。またボロンホスホシリケートガラス１２の上部には、ポリシリコン層１３が３０ｎｍの厚さで形成されている。ポリシリコン層１３の上部には、窒化膜１４が２０Åの厚さで設けられている。窒化膜１４の上部には、酸化タンタル薄膜１５が１００ｎｍの厚さで設けられ、基板の高さ方向の厚さを“ａ部”および凹部の内側方向に対応する厚さを“ｂ部”としてそれぞれ図１では記載している。酸化タンタル薄膜１５の上部にはさらにポリシリコン層１６が３０ｎｍの厚さで設けられている。
【００１８】
本実施形態における段差被覆性の評価は、酸化タンタル薄膜１５のａ部に対するｂ部の厚さの割合を調査することにより行った。すなわち、該割合が１００％に近いほど、段差被覆性は良好と言える。また、下記で述べるアスペクト比とは、凹部の直径に対する凹部の深さの比として表した。
【００１９】
図２は、ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際のアスペクト比と段差被覆性との関係を説明するための図である。図２において、曲線２１は非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示し、曲線２２は酸素含有雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示している。
【００２０】
このときの成膜条件は、酸素含有雰囲気下で成膜を行うか、非酸素雰囲気下で成膜を行うか、以外はすべて条件を同じに設定した。すなわち、成膜温度は４８０℃、成膜圧力は２５Ｐａ、ペンタエトキシタンタル流量０．１ｓｃｃｍ、キャリアＮ2 流量５００ｓｃｃｍ、酸素を用いる場合の酸素流量５００ｓｃｃｍとした。
【００２１】
図２から、非酸素雰囲気下で成膜を行った場合、アスペクト比が大きくなっても段差被覆性が１００％であるのに対し、酸素含有雰囲気下で成膜を行った場合はアスペクト比が４では段差被覆性が９４％であり、非酸素雰囲気下で酸化タンタル薄膜を成膜した場合のほうが段差被覆性が向上している。
【００２２】
図３は、ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際の成膜温度と成膜速度との関係を示す図である。図３において、曲線３１は非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示し、曲線３２は酸素含有雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示している。
このときの成膜条件は、酸素含有雰囲気下で成膜を行うか、非酸素雰囲気下で成膜を行うか、以外はすべて条件を同じに設定した。すなわち、成膜温度は４８０℃、成膜圧力は２５Ｐａ、ペンタエトキシタンタル流量０．１ｓｃｃｍ、キャリアＮ2 流量５００ｓｃｃｍ、酸素を用いる場合の酸素流量５００ｓｃｃｍとした。
【００２３】
図３から、非酸素雰囲気下で成膜を行ったときの成膜速度のほうが、酸素含有雰囲気のときのそれよりも、成膜速度が抑制されており、このことは、段差被覆性が一層良好になることを示している。
【００２４】
図４は、図３において、非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示す曲線３１を拡大したものである。これにより、５００℃を超えると曲線の勾配が緩やかになることがわかる。これは、成膜温度が５００℃より高温になると、反応律速から、原料供給律速に成膜機構が変化することを示している。
【００２５】
図５は、非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の４７０℃〜５１０℃における膜厚分布を示す図であり、（ａ）は測定位置に対する膜厚を示す図、（ｂ）は測定位置をガスの流れ方向に対して示す図である。４７０℃，５００℃に比べ、５１０℃では、ガスの流れ方向の膜厚分布が大きく変化していることが分かる。これは４７０℃、５００℃では、反応律速が満たされるが、５１０℃では反応が原料供給律速に支配されていることを示している。
【００２６】
図４、図５から、成膜温度を５００℃以下とすることにより、反応律速が満たされることが分かる。このことは、成膜温度を５００℃以下とすることにより、段差被覆性が一層良好になることを示している。
尚、成膜温度が低すぎると成膜速度が遅くなり、スループットの低下を招くため、実用的とは言えなくなる。それらを考慮した場合、成膜温度は４２０℃以上が望ましい。
また、リーク電流の評価も行ったが、従来と同等の結果を得ており、酸化タンタル膜中の炭素濃度の増加の問題もクリアしている。
【００２７】
【発明の効果】
この発明の酸化タンタル薄膜の形成方法は、基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を含む原料ガスを導入する工程と、非酸素雰囲気下、前記ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を熱分解しＣＶＤ法により前記基板上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜を形成する工程と、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5 ）薄膜が形成された基板を酸素を用いた後処理を行う工程と、を有するので、基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】段差被覆性を評価するために用いたサンプルを説明するための断面図である。
【図２】ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際のアスペクト比と段差被覆性との関係を説明するための図である。
【図３】ＣＶＤ法において酸化タンタル薄膜を成膜する際の成膜温度と成膜速度との関係を示す図である。
【図４】図３において非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の結果を示す曲線を拡大して示す図である。
【図５】非酸素雰囲気下で成膜を行った場合の４７０℃〜５１０℃における膜厚分布を示す図である。
【図６】従来の酸化タンタル薄膜の製造装置の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
１１ シリコンウエハ
１２ ボロンホスホシリケートガラス
１３，１６ ポリシリコン層
１４ 窒化膜
１５ 酸化タンタル薄膜
４１ タンク
４２ 恒温室
４３ 気化器
４４ 供給配管
４５ 反応室
４６ ポンプ
４７ 排気配管
Claims (2)
- 基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5）を含む原料ガスを導入する第１の工程と、前記ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5）を熱分解しＣＶＤ法により前記基板上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）薄膜を形成する第２の工程と、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）薄膜が形成された基板に酸素を用いた後処理を行う第３の工程と、を有し、前記第２の工程を非酸素零囲気下で行い、前記第２の工程が、４２０℃以上かつ５００℃以下の少なくともペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ 2 Ｈ 5 ） 5 ）が熱分解する温度で行われることを特徴とする酸化タンタル薄膜の形成方法。
- 前記第１の工程を行う前に前記基板を窒化処理して窒化膜を形成し、その後、該窒化膜上に酸化タンタル（Ｔａ2０5）薄膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の酸化タンタル薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15249599A JP4306876B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15249599A JP4306876B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008325408A Division JP2009141372A (ja) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340559A JP2000340559A (ja) | 2000-12-08 |
| JP4306876B2 true JP4306876B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=15541726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15249599A Expired - Lifetime JP4306876B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4306876B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004039821A (ja) | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004063807A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP5148186B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2013-02-20 | 東ソー株式会社 | イミド錯体、その製造方法、金属含有薄膜及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15249599A patent/JP4306876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000340559A (ja) | 2000-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100481321C (zh) | 半导体器件制造方法 | |
| US7288463B1 (en) | Pulsed deposition layer gap fill with expansion material | |
| KR100502381B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US7708969B2 (en) | Method of forming metal oxide | |
| US6124158A (en) | Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants | |
| WO2015199111A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP3914362B2 (ja) | タンタル酸化膜を備えたキャパシタ製造方法 | |
| US7368381B2 (en) | Methods of forming materials | |
| US7202185B1 (en) | Silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD) using a nucleation layer | |
| US20050014365A1 (en) | Methods of forming cobalt layers for semiconductor devices | |
| US20110318940A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, and substrate processing apparatus | |
| JP2007194582A (ja) | 高誘電体薄膜の改質方法及び半導体装置 | |
| JPS6341214B2 (ja) | ||
| JPH08153784A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3437830B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP4003846B2 (ja) | 半導体装置のキャパシタ製造方法 | |
| JP7214812B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラムおよび基板処理装置 | |
| JP4259247B2 (ja) | 成膜方法 | |
| KR20190113548A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 | |
| JP3668222B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4306876B2 (ja) | 酸化タンタル薄膜の形成方法 | |
| JPH05221644A (ja) | 酸化タンタル薄膜の製造方法 | |
| JP4180393B2 (ja) | 低誘電率層間絶縁膜を形成する方法 | |
| JPH05102422A (ja) | 酸化タンタル薄膜の形成方法 | |
| JP2518406B2 (ja) | 容量絶縁膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050331 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080716 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090414 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090428 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4306876 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140515 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |