JPH05221644A - 酸化タンタル薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化タンタル薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH05221644A JPH05221644A JP2648092A JP2648092A JPH05221644A JP H05221644 A JPH05221644 A JP H05221644A JP 2648092 A JP2648092 A JP 2648092A JP 2648092 A JP2648092 A JP 2648092A JP H05221644 A JPH05221644 A JP H05221644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- tantalum oxide
- tantalum
- gas
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 界面に存在するＳｉＯ2 膜の膜厚を薄く制御
でき、誘電率の高い酸化タンタル薄膜の製造方法を提供
する。 【構成】 真空室１内でポリシリコン基板５の表面を水
素１３、アルゴンガス１８のプラズマによって処理し、
基板５表面の自然酸化膜を除去する。アンプル３内のＴ
ａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 はＡｒ不活性ガス４によってバブリ
ングされ真空室１に導入され、熱分解反応して基板５上
に低酸化の酸化タンタル薄膜として堆積させた後、Ｏ2
ガス１２を導入し、電極１５、１６の間に電界を印可し
てプラズマ分解されたＯ2 がこの薄膜に照射され酸化が
促進される。
でき、誘電率の高い酸化タンタル薄膜の製造方法を提供
する。 【構成】 真空室１内でポリシリコン基板５の表面を水
素１３、アルゴンガス１８のプラズマによって処理し、
基板５表面の自然酸化膜を除去する。アンプル３内のＴ
ａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 はＡｒ不活性ガス４によってバブリ
ングされ真空室１に導入され、熱分解反応して基板５上
に低酸化の酸化タンタル薄膜として堆積させた後、Ｏ2
ガス１２を導入し、電極１５、１６の間に電界を印可し
てプラズマ分解されたＯ2 がこの薄膜に照射され酸化が
促進される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＤＲＡＭ（ダイナミック
ランダムアクセスメモリー）やキャパシタ等の容量性絶
縁膜などとして有用な酸化タンタル薄膜の製造方法に関
する。
ランダムアクセスメモリー）やキャパシタ等の容量性絶
縁膜などとして有用な酸化タンタル薄膜の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、原料ガスを真空室内で加熱分解反
応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相成
長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段とし
て注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸化
タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置をもちい
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には通常加熱し得る真空室を有するい
わゆる熱ＣＶＤ装置が用いられている。
応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相成
長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段とし
て注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸化
タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置をもちい
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には通常加熱し得る真空室を有するい
わゆる熱ＣＶＤ装置が用いられている。
【０００３】以下、図面を参照しながら従来の酸化タン
タル薄膜の製造方法について説明する。図２は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
タル薄膜の製造方法について説明する。図２は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
【０００４】従来、ＣＶＤ装置による酸化タンタル薄膜
の製造は、原料として液体のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 等で
代表される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用い
て形成されてきた。
の製造は、原料として液体のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 等で
代表される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用い
て形成されてきた。
【０００５】図２において、真空室３１は真空排気装置
３２によって通常０．５〜１０Torr程度の真空に排気さ
れる。アンプル３６内のタンタル原料であるＴａ（ＯＣ
2 Ｈ 5 ）5 はヒータ３７によって１３０℃に温度制御さ
れ、通常通常１００〜１０００ｓｃｃｍに流量制御され
たＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス３９で、アンプル３６内の
Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 をバブリングする事によってヒー
タ４０で１５０℃に加熱されたガス導入管４１に導入さ
れ、真空室３１内にタンタル原料を導入し、流量制御装
置４２で１００〜１０００ｓｃｃｍに流量制御された酸
素ガス４３も同時に真空室３１内に導入される。
３２によって通常０．５〜１０Torr程度の真空に排気さ
れる。アンプル３６内のタンタル原料であるＴａ（ＯＣ
2 Ｈ 5 ）5 はヒータ３７によって１３０℃に温度制御さ
れ、通常通常１００〜１０００ｓｃｃｍに流量制御され
たＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス３９で、アンプル３６内の
Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 をバブリングする事によってヒー
タ４０で１５０℃に加熱されたガス導入管４１に導入さ
れ、真空室３１内にタンタル原料を導入し、流量制御装
置４２で１００〜１０００ｓｃｃｍに流量制御された酸
素ガス４３も同時に真空室３１内に導入される。
【０００６】真空室３１内に導入されたこれらの原料ガ
スは熱分解反応して、ヒータ３４によって約４５０℃に
加熱されている基板３３上に酸化タンタル薄膜が堆積さ
れる。堆積された、酸化タンタル薄膜は、通常Ｏ2 また
はＯ3 中で４５０から８００℃の温度で熱処理される。
スは熱分解反応して、ヒータ３４によって約４５０℃に
加熱されている基板３３上に酸化タンタル薄膜が堆積さ
れる。堆積された、酸化タンタル薄膜は、通常Ｏ2 また
はＯ3 中で４５０から８００℃の温度で熱処理される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な方法では酸化タンタル薄膜の堆積中または熱処理中に
基板であるポリシリコンが酸化され界面に存在するＳｉ
Ｏ2 層の膜厚が厚くなってしまう。これは、真空室３１
内にＯ2 ガスが導入された直後、このＯ2 ガスによって
ポリシリコンなどの基板が酸化されること、堆積中の酸
化タンタル薄膜中を酸素ガスが拡散してきてポリシリコ
ンなどの基板が酸化されること、あるいは、生成した酸
化タンタルの構成成分である酸素がポリシリコンなどの
基板と反応し結合することなどによるものと推定され
る。
な方法では酸化タンタル薄膜の堆積中または熱処理中に
基板であるポリシリコンが酸化され界面に存在するＳｉ
Ｏ2 層の膜厚が厚くなってしまう。これは、真空室３１
内にＯ2 ガスが導入された直後、このＯ2 ガスによって
ポリシリコンなどの基板が酸化されること、堆積中の酸
化タンタル薄膜中を酸素ガスが拡散してきてポリシリコ
ンなどの基板が酸化されること、あるいは、生成した酸
化タンタルの構成成分である酸素がポリシリコンなどの
基板と反応し結合することなどによるものと推定され
る。
【０００８】そのためＳｉＯ2 層と酸化タル薄膜による
２層構造に於てＳｉＯ2 の割合が増加し誘電率が低下す
る問題点があった。本発明は、界面に存在するＳｉＯ2
層の膜厚を制御し、誘電率の優れた容量の大きいキャパ
シタを形成し得る酸化タンタル薄膜の製造方法を提供す
ることを目的とする。
２層構造に於てＳｉＯ2 の割合が増加し誘電率が低下す
る問題点があった。本発明は、界面に存在するＳｉＯ2
層の膜厚を制御し、誘電率の優れた容量の大きいキャパ
シタを形成し得る酸化タンタル薄膜の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の酸化タンタル薄膜の製造方法は、原料ガスとし
て有機タンタル化合物、または、無機タンタル化合物を
用いて真空室内で熱分解反応させる化学気相成長法によ
る酸化タンタル薄膜の製造方法に於て、前記真空室内に
原料ガスとして前記有機タンタル化合物、または、無機
タンタル化合物と、不活性ガスを導入し、熱分解反応さ
せることによって、タンタル薄膜または低酸化の酸化タ
ンタル薄膜を形成したのち、プラズマ分解したＯ2 また
はプラズマ分解したＯ3 を照射する事を特徴とするもの
である。
本発明の酸化タンタル薄膜の製造方法は、原料ガスとし
て有機タンタル化合物、または、無機タンタル化合物を
用いて真空室内で熱分解反応させる化学気相成長法によ
る酸化タンタル薄膜の製造方法に於て、前記真空室内に
原料ガスとして前記有機タンタル化合物、または、無機
タンタル化合物と、不活性ガスを導入し、熱分解反応さ
せることによって、タンタル薄膜または低酸化の酸化タ
ンタル薄膜を形成したのち、プラズマ分解したＯ2 また
はプラズマ分解したＯ3 を照射する事を特徴とするもの
である。
【００１０】
【作用】本発明の酸化タンタル薄膜の製造方法は、原料
ガスとして有機タンタル化合物、または、無機タンタル
化合物を用いて真空室内で熱分解反応させる化学気相成
長法による酸化タンタル薄膜の製造方法に於て、前記真
空室内に原料ガスとして前記有機タンタル化合物、また
は、無機タンタル化合物と、不活性ガスを導入し、熱分
解反応させることによって、タンタル薄膜または低酸化
の酸化タンタル薄膜を形成したのち、プラズマ分解した
Ｏ2 またはプラズマ分解したＯ3 を照射するので、タン
タル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜成膜中にポリ
シリコン等の基板が酸化されることがないために、タン
タル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜堆積中に界面
にＳｉＯ2 がほとんど形成されることがない。そのため
容量の大きいキャパシタを形成し得る誘電率の優れた酸
化タンタル薄膜を形成することができる。
ガスとして有機タンタル化合物、または、無機タンタル
化合物を用いて真空室内で熱分解反応させる化学気相成
長法による酸化タンタル薄膜の製造方法に於て、前記真
空室内に原料ガスとして前記有機タンタル化合物、また
は、無機タンタル化合物と、不活性ガスを導入し、熱分
解反応させることによって、タンタル薄膜または低酸化
の酸化タンタル薄膜を形成したのち、プラズマ分解した
Ｏ2 またはプラズマ分解したＯ3 を照射するので、タン
タル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜成膜中にポリ
シリコン等の基板が酸化されることがないために、タン
タル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜堆積中に界面
にＳｉＯ2 がほとんど形成されることがない。そのため
容量の大きいキャパシタを形成し得る誘電率の優れた酸
化タンタル薄膜を形成することができる。
【００１１】また、タンタル薄膜または低酸化の酸化タ
ンタル薄膜を形成したのち、プラズマ分解したＯ2 また
はプラズマ分解したＯ3 を照射するので、このプラズマ
分解したＯ2 またはプラズマ分解したＯ3 を照射するこ
とによる酸化反応の温度や時間を制御することによっ
て、界面のＳｉＯ2 層の膜厚を制御することも出来る。
ンタル薄膜を形成したのち、プラズマ分解したＯ2 また
はプラズマ分解したＯ3 を照射するので、このプラズマ
分解したＯ2 またはプラズマ分解したＯ3 を照射するこ
とによる酸化反応の温度や時間を制御することによっ
て、界面のＳｉＯ2 層の膜厚を制御することも出来る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を用いて更に本発明を
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載の
みに限定されるものではない。
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載の
みに限定されるものではない。
【００１３】図１は本発明の実施例で使用した酸化タン
タル薄膜形成装置の概略図である。１は真空室であり、
真空排気装置２によって真空に排気される。５は真空室
内に設置された基板であり本実施例ではポリシリコンを
用いた。基板５はヒータ６によって約４５０℃に加熱さ
れている。基板５表面には自然酸化膜が堆積しているた
め流量制御装置１４によって流量制御されたＨ2 （本実
施例では約１００ｓｃｃｍ）１３と流量制御装置１７に
よって流量制御されたＡｒガス（本実施例では約３００
ｓｃｃｍ）１８を真空室１内に導入し、圧力を約１Ｔｏ
ｒｒ程度に調整し電極１５、１６の間にプラズマを発生
させ、ポリシリコン上の自然酸化膜を除去する。
タル薄膜形成装置の概略図である。１は真空室であり、
真空排気装置２によって真空に排気される。５は真空室
内に設置された基板であり本実施例ではポリシリコンを
用いた。基板５はヒータ６によって約４５０℃に加熱さ
れている。基板５表面には自然酸化膜が堆積しているた
め流量制御装置１４によって流量制御されたＨ2 （本実
施例では約１００ｓｃｃｍ）１３と流量制御装置１７に
よって流量制御されたＡｒガス（本実施例では約３００
ｓｃｃｍ）１８を真空室１内に導入し、圧力を約１Ｔｏ
ｒｒ程度に調整し電極１５、１６の間にプラズマを発生
させ、ポリシリコン上の自然酸化膜を除去する。
【００１４】アンプル３内の有機タンタル化合物である
Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 は高温槽７によって１２０℃に温
度制御され、流量制御装置８によって流量制御されたＨ
ｅ、Ａｒ等の不活性ガス４（本実施例ではＡｒを用い
た）によってバブリングされヒータ９によって約１５０
℃に加熱されたガス導入管１０を通って真空室１に導入
される。真空室１に導入された原料ガスは熱分解反応し
て基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積される。
Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 は高温槽７によって１２０℃に温
度制御され、流量制御装置８によって流量制御されたＨ
ｅ、Ａｒ等の不活性ガス４（本実施例ではＡｒを用い
た）によってバブリングされヒータ９によって約１５０
℃に加熱されたガス導入管１０を通って真空室１に導入
される。真空室１に導入された原料ガスは熱分解反応し
て基板５上に低酸化の酸化タンタル薄膜が堆積される。
【００１５】堆積された低酸化の酸化タンタル薄膜は真
空室１内に保持される。真空室１内に流量制御装置１１
によって流量制御された酸素含有ガス１２を導入（本実
施例ではＯ2 を５００ｓｃｃｍ導入した）し、電極１
５、１６の間に電界を印可しガスをプラズマ分解する。
それによって前記低酸化の酸化タンタル薄膜にプラズマ
分解したＯ2 が照射され酸化が促進される。
空室１内に保持される。真空室１内に流量制御装置１１
によって流量制御された酸素含有ガス１２を導入（本実
施例ではＯ2 を５００ｓｃｃｍ導入した）し、電極１
５、１６の間に電界を印可しガスをプラズマ分解する。
それによって前記低酸化の酸化タンタル薄膜にプラズマ
分解したＯ2 が照射され酸化が促進される。
【００１６】表２は従来例によって形成した酸化タンタ
ル薄膜と本実施例の方法および本実施例の方法に準ずる
がプラズマ分解したＯ2 照射をしなかった場合などの方
法で形成した酸化タンタル薄膜の誘電率を示したもので
ある。
ル薄膜と本実施例の方法および本実施例の方法に準ずる
がプラズマ分解したＯ2 照射をしなかった場合などの方
法で形成した酸化タンタル薄膜の誘電率を示したもので
ある。
【００１７】表２中Ａはプラズマ分解したＯ2 照射をし
なかった場合、ＢはＯ2 プラズマを５分間照射した場合
（基板温度４５０℃）の誘電率を示したものである。い
ずれの試料もプラズマ分解したＯ2 照射未処理の状態で
１００オングストローム酸化タンタル薄膜または低酸化
タンタル薄膜を堆積した。成膜条件は表１に示した。Ａ
の場合の実施例に準じた方法（但し、プラズマ分解した
Ｏ2 照射をしなかった場合で＊を付してある。）による
ものは従来例によるものより誘電率が高く、Ｂ処理を行
うことによって薄膜の酸化が促進されるためにさらに誘
電率が高くなることがわかる。
なかった場合、ＢはＯ2 プラズマを５分間照射した場合
（基板温度４５０℃）の誘電率を示したものである。い
ずれの試料もプラズマ分解したＯ2 照射未処理の状態で
１００オングストローム酸化タンタル薄膜または低酸化
タンタル薄膜を堆積した。成膜条件は表１に示した。Ａ
の場合の実施例に準じた方法（但し、プラズマ分解した
Ｏ2 照射をしなかった場合で＊を付してある。）による
ものは従来例によるものより誘電率が高く、Ｂ処理を行
うことによって薄膜の酸化が促進されるためにさらに誘
電率が高くなることがわかる。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】なお、本発明に於て、有機タンタル化合物
の例としてはＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5の他に、例えばＴａ
（ＯＣＨ3 ）5 、Ｔａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）5 、Ｔａ（ＯＣ4
Ｈ9）5 、（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ＴａＨ3 、Ｔａ（Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ）5 等が挙げられる。無機タンタル化合物とし
ては、例えばＴａＣｌ5 、ＴａＦ5 等が挙げられる。
の例としてはＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5の他に、例えばＴａ
（ＯＣＨ3 ）5 、Ｔａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）5 、Ｔａ（ＯＣ4
Ｈ9）5 、（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ＴａＨ3 、Ｔａ（Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ）5 等が挙げられる。無機タンタル化合物とし
ては、例えばＴａＣｌ5 、ＴａＦ5 等が挙げられる。
【００２１】真空室内の圧力としては通常０．５〜１０
Ｔｏｒｒ程度の範囲が一般的で、また不活性ガスとして
は特に限定するものではないが、通常ＡｒやＨｅが用い
られ、Ｎ2 も用いることができる。また酸素含有ガスと
してＯ3 を用いる場合は、通常Ｏ2 をオゾナイザー（オ
ゾン化装置）によって容易にＯ3 とすることができる。
Ｔｏｒｒ程度の範囲が一般的で、また不活性ガスとして
は特に限定するものではないが、通常ＡｒやＨｅが用い
られ、Ｎ2 も用いることができる。また酸素含有ガスと
してＯ3 を用いる場合は、通常Ｏ2 をオゾナイザー（オ
ゾン化装置）によって容易にＯ3 とすることができる。
【００２２】また、これらの不活性ガスや酸素含有ガス
の流量については特に限定するものではないが５０〜１
０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
の流量については特に限定するものではないが５０〜１
０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
【００２３】
【発明の効果】本発明は基板であるポリシリコンと酸化
タンタル薄膜の界面のＳｉＯ2 を非常に薄いものとする
ことができ、誘電率の高い酸化タンタル薄膜の製造方法
を提供することができる。
タンタル薄膜の界面のＳｉＯ2 を非常に薄いものとする
ことができ、誘電率の高い酸化タンタル薄膜の製造方法
を提供することができる。
【図１】 本発明の一実施例における酸化タンタル薄膜
形成装置の概略図である。
形成装置の概略図である。
【図２】 従来例における酸化タンタル薄膜形成装置の
概略図である。
概略図である。
１ 真空室 ２ 真空排気装置 ３ アンプル ４ 不活性ガス ５ 基板 ６ ヒータ ７ 高温槽 ８ 流量制御装置 ９ ヒータ １０ ガス導入管 １１ 流量制御装置 １２ 酸素含有ガス １３ 水素ガス １４ 流量制御装置 １５ 電極 １６ 電極 １７ 流量制御装置 １８ アルゴンガス ３１ 真空室 ３２ 真空排気装置 ３３ 基板 ３４ ヒータ ３６ アンプル ３７ ヒータ ３８ 流量制御装置 ３９ 不活性ガス ４０ ヒータ ４１ ガス導入管 ４２ 流量制御装置 ４３ 酸素ガス
フロントページの続き (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 原料ガスとして有機タンタル化合物、ま
たは、無機タンタル化合物を用いて真空室内で熱分解反
応させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の製造
方法に於て、前記真空室内に原料ガスとして前記有機タ
ンタル化合物、または、無機タンタル化合物と、不活性
ガスを導入し、熱分解反応させることによって、タンタ
ル薄膜または低酸化の酸化タンタル薄膜を形成したの
ち、プラズマ分解したＯ2 またはプラズマ分解したＯ3
を照射する事を特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2648092A JPH05221644A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 酸化タンタル薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2648092A JPH05221644A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 酸化タンタル薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05221644A true JPH05221644A (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=12194668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2648092A Pending JPH05221644A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 酸化タンタル薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05221644A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468687A (en) * | 1994-07-27 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Method of making TA2 O5 thin film by low temperature ozone plasma annealing (oxidation) |
| US6146959A (en) * | 1997-08-20 | 2000-11-14 | Micron Technology, Inc. | Method of forming capacitors containing tantalum |
| US6156638A (en) * | 1998-04-10 | 2000-12-05 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry and method of restricting diffusion from one material to another |
| US6162744A (en) * | 1998-02-28 | 2000-12-19 | Micron Technology, Inc. | Method of forming capacitors having high-K oxygen containing capacitor dielectric layers, method of processing high-K oxygen containing dielectric layers, method of forming a DRAM cell having having high-K oxygen containing capacitor dielectric layers |
| US6165834A (en) * | 1998-05-07 | 2000-12-26 | Micron Technology, Inc. | Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell |
| US6191443B1 (en) | 1998-02-28 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, methods of forming capacitors, and DRAM memory cells |
| US6239459B1 (en) | 1998-05-21 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, methods of forming capacitors and integrated circuitry |
| US6787481B2 (en) | 2002-02-28 | 2004-09-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JPWO2003088341A1 (ja) * | 2002-03-29 | 2005-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 下地絶縁膜の形成方法 |
| JP2008510319A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理を用いて高誘電率層を有するゲート誘電体積層体を改善する方法及びシステム |
| JP2008124474A (ja) * | 2002-03-18 | 2008-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP2648092A patent/JPH05221644A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468687A (en) * | 1994-07-27 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Method of making TA2 O5 thin film by low temperature ozone plasma annealing (oxidation) |
| US6282080B1 (en) | 1997-08-20 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor circuit components and capacitors |
| US6146959A (en) * | 1997-08-20 | 2000-11-14 | Micron Technology, Inc. | Method of forming capacitors containing tantalum |
| US6162744A (en) * | 1998-02-28 | 2000-12-19 | Micron Technology, Inc. | Method of forming capacitors having high-K oxygen containing capacitor dielectric layers, method of processing high-K oxygen containing dielectric layers, method of forming a DRAM cell having having high-K oxygen containing capacitor dielectric layers |
| US6191443B1 (en) | 1998-02-28 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, methods of forming capacitors, and DRAM memory cells |
| US6156638A (en) * | 1998-04-10 | 2000-12-05 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry and method of restricting diffusion from one material to another |
| US6165834A (en) * | 1998-05-07 | 2000-12-26 | Micron Technology, Inc. | Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell |
| US6239459B1 (en) | 1998-05-21 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, methods of forming capacitors and integrated circuitry |
| US6255186B1 (en) | 1998-05-21 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming integrated circuitry and capacitors having a capacitor electrode having a base and a pair of walls projecting upwardly therefrom |
| US6787481B2 (en) | 2002-02-28 | 2004-09-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2008124474A (ja) * | 2002-03-18 | 2008-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JPWO2003088341A1 (ja) * | 2002-03-29 | 2005-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 下地絶縁膜の形成方法 |
| JP2008277844A (ja) * | 2002-03-29 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
| US7622402B2 (en) | 2002-03-29 | 2009-11-24 | Tokyo Electron Limited | Method for forming underlying insulation film |
| JP2008510319A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理を用いて高誘電率層を有するゲート誘電体積層体を改善する方法及びシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6124158A (en) | Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants | |
| JP2005536064A (ja) | Ｈｉｇｈ−ｋ金属シリケートの原子層堆積 | |
| JP2005251877A (ja) | シリコン窒化膜の形成方法 | |
| JP2001338922A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH05221644A (ja) | 酸化タンタル薄膜の製造方法 | |
| KR100752559B1 (ko) | 유전체막의 형성 방법 | |
| KR920007106A (ko) | 고체전자소자 및 그의 제조방법 | |
| JP3046643B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3488007B2 (ja) | 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0657432A (ja) | 酸化タンタル薄膜の形成方法 | |
| JPH05102422A (ja) | 酸化タンタル薄膜の形成方法 | |
| KR100387264B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR100351238B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| JP2770856B2 (ja) | 高誘電率酸化物薄膜の形成方法 | |
| JP3676004B2 (ja) | 酸化ルテニウム膜の形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH06163519A (ja) | 酸化タンタル薄膜の製造方法 | |
| JP4180393B2 (ja) | 低誘電率層間絶縁膜を形成する方法 | |
| JP2518406B2 (ja) | 容量絶縁膜の形成方法 | |
| JPH0661450A (ja) | 酸化タンタル薄膜の形成方法 | |
| JP4306876B2 (ja) | 酸化タンタル薄膜の形成方法 | |
| JPH05114698A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61234531A (ja) | シリコン酸化物の作製方法 | |
| JPH05193952A (ja) | 酸化タンタル薄膜の製造方法 | |
| KR100503961B1 (ko) | 커패시터 제조 방법 | |
| JPH0521749A (ja) | 誘電体薄膜及びその製造方法 |