KR20060023220A - 반도체 제조용 베이크 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조용 베이크 장치에 대하여 개시한다. 그의 장치는 외부로부터 밀폐된 소정 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버에 유입되는 웨이퍼를 가열하는 히터를 구비한 베이크 플레이트와, 상기 히터에 인접하는 상기 베이크 플레이트에 형성되고, 상기 히터에 의한 발열을 감지하는 복수개의 온도 센서와, 상기 히터에 의해 상기 웨이퍼가 불균일하게 가열될 경우, 상기 온도 센서에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 인터락 신호를 출력하는 제어부를 포함하여 이루어진다.
웨이퍼(wafer), 베이크 플레이트(bake plate), 온도 센서(sensor), 지지 핀, 히터(heater)

Description

반도체 제조용 베이크 장치{Baker for manufacturing semiconductor device}
도 1은 일반적인 반도체 포토 스피너 설비를 나타내는 사시도.
도 2는 종래 기술에 따른 반도체 제조용 베이크 장치(160)를 개략적으로 나타낸 구성 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 베이크 장치를 개략적으로 나타낸 구성 사시도.
도 4는 도 3의 베이크 플레이트 및 센서를 나타내는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
260 : 베이크 장치 262 : 챔버
264 : 지지 핀 266 : 베이크 플레이트
268 : 히터 270 : 온도 센서
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 특히, 포토 스피너 설비에서 웨 이퍼 상에 형성된 포토레지스트를 베이킹하는 반도체 제조용 베이크 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위하여, 웨이퍼에 반도체 회로를 형성하는 단계를 수차례 반복하며, 각 단계는 막질의 성장 및 증착 공정, 포토레지스트(photoresist)의 도포, 상기 포토레지스트 상에 해당하는 반도체 회로를 색인하는 포토 리소그래피(photo lithography) 공정, 상기 반도체 회로에 해당되지 않는 부분을 제거하는 식각(etching) 공정 및 각 단계에서 원하는 불순물을 주입하는 이온주입(implant) 공정 등을 포함한다.
또한, 상기 다수의 공정에 의해 제조되는 반도체 소자는 그 크기에 있어서 섬세한 크기의 임계치수(CD : Critical Dimension)를 갖도록 요구되고 있는 실정이다. 이와 같은 요구에 부응하기 위해서는 무엇보다 상기 웨이퍼에 고집적화된 포토레지스트 패턴을 형성하는 포토 리소그래피 공정의 연구개발이 절실히 요구되고 있다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 예비 공정인 상기 포토레지스트 도포 공정에서는 주로 포토 스피너 (spinner)설비가 사용된다.
도 1은 일반적인 반도체 포토 스피너 설비를 개략적으로 나타낸 사시도로서, 일반적인 포토 스피너 설비(100)는, 상기 포토레지스트를 도포하기 위한 스핀 코터(spin coater, 110)와, 상기 포토레지스트의 도포 후에 웨이퍼의 에지(edge) 부근에 대한 클리닝 공정을 수행하는 사이드 린스(side rinse)장치(120)와, 상기 사이드 린스 후에 상기 포토레지스트를 경화하기 위한 베이크 장치(160) 및 상기 스핀 코터(110)사이에서 상기 웨이퍼를 전송하는 웨이퍼 트랜스퍼(wafer transfer, 150))를 구비한다.
또한, 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)를 로딩 및 언로딩하는 웨이퍼 카세트 로더(130), 및 웨이퍼를 상기 웨이퍼 카세트에서 추출 및 적재하고 상기 웨이퍼에 대한 얼라인(align) 공정을 수행하는 얼라인먼트 스테이지(alignment Stage, 140) 등을 더 구비한다.
여기서, 상기 베이크 장치(160)는 상기 웨이퍼 상에 도포되는 포토레지스트에 함유된 솔벤트성분을 휘발시켜 소정의 단단한 굳기로 경화시켜, 포토레지스트 패턴의 미세한 임계치수 또는 내식성을 갖도록 하기 때문에 후속의 포토 공정, 현상 공정 또는 식각 공정에서 상당한 영향을 줄 수 있는 장치이다. 또한, 이와 같은 베이크 장치(160)의 연구 개발 측면에서, 상기 포토레지스트의 경화 정도에 따라 포토레지스트 패턴의 정밀도가 달라질 수 있기 때문에 포토레지스트 경화의 재현성 확보에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 2는 종래 기술에 따른 반도체 제조용 베이크 장치(160)를 개략적으로 나타낸 구성 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 반도체 제조용 베이크 장치(160)는, 외부로부터 밀폐된 소정 공간을 제공하는 챔버(chamber, 162)와, 상기 챔버(162)에 유입되는 웨이퍼를 지지하는 지지 핀(164)과, 상기 지지 핀(164)의 하강에 의해 상기 웨이퍼와 접촉되며 상기 웨이퍼와 유사한 모양으로 형성된 베이크 플레이트(bake plate, 166)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 챔버(162)는 상기 웨이퍼 상에 도포되는 포토레지스트가 외부 의 광(예컨대, 자외선)에 의해 반응되지 않도록 암흑의 상태를 유지한다. 또한, 상기 웨이퍼 트랜스퍼(150)의 메인 암에 의해 상기 챔버(162) 내부로 유입된 웨이퍼를 지지하는 상기 지지 핀(164)은 상기 웨이퍼를 수평 상태로 유지하기 위해 적어도 3개 이상이 형성되고, 상기 베이크 플레이트(166)로부터 상승하여 상기 메인 암에 의해 로딩되는 웨이퍼를 전달받은 후, 다시 하강하여 상기 베이크 플레이트(166)에 접촉시킬 수 있다.
그리고, 상기 베이크 플레이트(166)는 핫 플레이트(hot plate)라고도 일컬어지며, 상기 웨이퍼를 고온으로 가열하기 위한 상기 히터(heater, 도시하지 않음)가 상기 웨이퍼의 전면을 균일하게 가열하도록 형성되어 있다.
예컨대, 상기 베이크 플레이트(166)는 상기 웨이퍼를 약 80℃에서 150℃까지 약 10초 내지 100초 동안 가열하여 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트를 경화시킬 수 있다.
이때, 상기 베이크 플레이트(166)의 가열 온도를 측정하기 위해 상기 웨이퍼와 유사한 모양을 갖는 단일 온도 센서(168)가 도 2에서와 같이 상기 베이크 플레이트(166) 상에 위치되고, 도시되지는 않았지만, 상기 단일 온도 센서(168)에서 출력되는 온도 감지신호를 이용하여 상기 히터의 발열을 제어하는 제어부(도시하지 않음)에 의해 상기 웨이퍼의 온도가 제어될 수 있다.
따라서, 종래 기술에 따른 반도체 제조용 베이크 장치(160)는 베이크 플레이트(166) 내에 위치되는 히터를 이용하여 상기 베이크 플레이트(166) 상에 위치되는 웨이퍼를 가열하고, 단일 온도 센서(168)를 이용하여 상기 웨이퍼를 가열하는 히터 의 발열을 제어할 수 있다.
하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조용 베이크 장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
그러나, 상기 베이크 플레이트(166) 상에서 상기 히터에 의해 가열되는 상기 웨이퍼가 균일하게 가열되지 않고, 소정의 편차를 갖고 가열될 경우, 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트가 불균일하게 경화되어 이후, 포토 공정, 현상 공정 또는 식각 공정 시 불량을 야기할 수 있기 때문에 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 베이크 플레이트 상에서 히터에 의해 가열되는 웨이퍼가 균일하게 가열되도록 하고 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트를 균일하게 경화시켜 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조용 베이크 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따라, 반도체 제조용 베이크 장치는, 외부로부터 밀폐된 소정 공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버에 유입되는 웨이퍼를 가열하는 히터를 구비한 베이크 플레이트와, 상기 히터에 인접하는 상기 베이크 플레이트에 형성되고, 상기 히터에 의한 발열을 감지하는 복수개의 온도 센서와, 상기 히터에 의해 상기 웨이퍼가 불균일하게 가열될 경우, 상기 온도 센서에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 인터락 신호를 출력하는 제어부를 포함함을 특 징으로 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조용 베이크 장치를 개략적으로 나타낸 구성 사시도이고, 도 4는 도 3의 베이크 플레이트 및 센서를 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 베이크 장치(260)는 , 외부로부터 밀폐된 소정 공간을 제공하는 챔버(262)와, 상기 챔버(262)에 유입되는 웨이퍼를 지지하는 지지 핀(264)과, 상기 지지 핀(264)의 하강에 의해 상기 웨이퍼와 접촉되며 상기 웨이퍼와 유사한 모양으로 형성되고, 상기 웨이퍼를 가열하는 히터(268)를 구비한 베이크 플레이트(266)와, 상기 히터(268)에 인접하는 상기 베이크 플레이트(266)에 형성되고, 상기 히터(268)에 의한 발열을 감 지하는 복수개의 온도 센서(270)를 포함하여 구성된다. 도시되지는 않았지만, 상기 히터(268)에 의해 상기 웨이퍼가 불균일하게 가열될 경우, 상기 온도 센서(270)에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 인터락 신호를 출력하는 제어부와, 상기 제어부에서 출력된 제어 신호에 의해 작업자에게 상기 히터(268)에 의해 가열되는 웨이퍼의 온도를 표시할 수 있는 표시부를 더 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 히트(예를 들어, 열선)는 상기 베이크 플레이트(266)의 중심에서 외곽까지 동심원으로 복수개가 서로 연결되도록 형성되어 있다.
또한, 상기 온도 센서(270)는 상기 히터(268)가 형성된 상기 베이크 플레이트(266) 내부에 형성되고, 복수개가 각각 상기 웨이퍼와 접촉되는 베이크 플레이트(266)의 중심에서 외곽까지 일정한 면적에서 상기 히터(268)에 의한 발열을 감지할 수 있도록 상기 히터(268)에 직접 접촉되어 형성되거나 상기 히터(268)에서 소정 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 온도 센서(270)는 열전대(thermo couple)로 이루어질 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 베이크 장치는 히터(268)에 의해 가열되는 웨이퍼의 온도를 감지하는 복수개의 온도 센서(270)를 베이크 플레이트(266)에 형성하여 웨이퍼가 균일하게 가열되도록 하고 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트를 균일하게 경화시키도록 할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
한편, 이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 제조용 베이크 장치(260)의 동작에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 웨이퍼 트랜스퍼(도시하지 않음)에 의해 포토레지스트가 도포된 상기 웨이퍼가 상기 챔버(262)의 복수개의 지지 핀(264) 상에 로딩되면, 상기 지지 핀(264)은 상기 웨이퍼를 하강시켜 상기 베이크 플레이트(266)에 상기 웨이퍼를 안착시킨다. 이때, 상기 지지 핀(264)에 의해 지지되는 웨이퍼의 수평 상태가 유지되지 않고, 상기 지지 핀(264)이 하강할 경우 상기 웨이퍼가 기울어진 방향으로 상기 포토레지스트가 유동될 수 있기 때문에 복수개의 상기 지지 핀(264)은 수평상태를 유지한 상태에서 서서히 하강되어야만 한다.
이후, 상기 제어부는 상기 히터(268)에 전원전압을 인가시켜 상기 베이크 플레이트(266)를 승온시킨다. 이때, 상기 히터(268)는 상기 베이크 플레이트(266)를 균일한 온도로 상승시킴으로서 상기 베이크 플레이트(266) 상에 접촉되는 상기 웨이퍼를 가열시키고, 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트 내에 함유된 솔벤트 성분을 고르게 휘발시켜 경화시킬 수 있다.
그러나, 상기 베이크 플레이트(266) 상에서 상기 히터(268)에 의해 가열되는 상기 웨이퍼가 균일하게 가열되지 않고, 소정의 편차를 갖고 가열될 경우, 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트가 불균일하게 경화되어 이후, 포토 공정, 현상 공정 또는 식각 공정 시 불량을 야기할 수 있기 때문에 상기 제어부는 포토 스피너 설비 전체 또는 베이크 장치(260)에 인터락 신호를 출력하여 베이크 공정을 정지시킨다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 베이크 장치는 히터(268)에 의해 가열되는 웨이퍼의 온도를 감지하는 복수개의 온도 센서(270)를 베이크 플레이트 (266)에 형성하여 웨이퍼가 불균일하게 가열되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. 예컨대, 베이크 플레이트(266) 내에 형성되는 온도 센서(270)는 웨이퍼에 대응되는 위치에서 동일 또는 유사한 면적비를 갖는 범위에서 다수개가 형성되어도 무방하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면,히터에 의해 가열되는 웨이퍼의 온도를 감지하는 복수개의 온도 센서를 베이크 플레이트에 형성하여 웨이퍼가 균일하게 가열되도록 하고 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트를 균일하게 경화시키도록 할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 외부로부터 밀폐된 소정 공간을 제공하는 챔버와,
    상기 챔버에 유입되는 웨이퍼를 가열하는 히터를 구비한 베이크 플레이트와,
    상기 히터에 인접하는 상기 베이크 플레이트에 형성되고, 상기 히터에 의한 발열을 감지하는 복수개의 온도 센서와,
    상기 히터에 의해 상기 웨이퍼가 불균일하게 가열될 경우, 상기 온도 센서에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 인터락 신호를 출력하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이크 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 센서는 열전대를 사용함을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이크 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 센서는 상기 히터가 형성된 상기 베이크 플레이트 내부에 형성되고, 복수개가 각각 상기 웨이퍼와 접촉되는 베이크 플레이트의 중심에서 외곽까지 일정한 면적으로 상기 히터에 의한 발열을 감지할 수 있도록 형성됨을 특징으로 하 는 반도체 제조용 베이크 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 온도 센서는 상기 히터에 직접 접촉되어 형성되거나 상기 히터에서 소정 간격으로 이격되도록 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이크 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부에서 출력된 제어 신호에 의해 작업자에게 상기 히터에 의해 가열되는 웨이퍼의 온도를 표시할 수 있는 표시부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조용 베이크 장치.
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CN105810630A (zh) * 2008-08-29 2016-07-27 威科仪器有限公司 具有变化热阻的晶片载体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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