JP3276553B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

処理装置及び処理方法

Info

Publication number
JP3276553B2
JP3276553B2 JP02463696A JP2463696A JP3276553B2 JP 3276553 B2 JP3276553 B2 JP 3276553B2 JP 02463696 A JP02463696 A JP 02463696A JP 2463696 A JP2463696 A JP 2463696A JP 3276553 B2 JP3276553 B2 JP 3276553B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mounting table
refrigerant
target temperature
temperature
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP02463696A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08293479A (ja
Inventor
徹也 佐田
統 廣瀬
清久 立山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP02463696A priority Critical patent/JP3276553B2/ja
Priority to TW085100588A priority patent/TW300332B/zh
Priority to US08/588,309 priority patent/US5941083A/en
Priority to KR1019960001148A priority patent/KR100234635B1/ko
Publication of JPH08293479A publication Critical patent/JPH08293479A/ja
Priority to US09/358,459 priority patent/US6216475B1/en
Priority to US09/800,585 priority patent/US6889764B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3276553B2 publication Critical patent/JP3276553B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1919—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置及び処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、被処理体、例えば半導体基板や
ガラス基板等の処理工程においては、基板上に、例えば
回路や電極パターン等を形成するために、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレ
ジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施さ
れる。このような処理においては、基板を洗浄した後基
板表面の水分を完全に除去するために基板を加熱した後
に、これを例えば常温などの所定の目標にまで急速に冷
却するために、冷却装置が用いられている。この種の冷
却装置の一例として、実公平６−２２６２号が開示され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
冷却装置においては、基板を冷却すせるために目標温度
に維持された冷媒を用いて制御しようとしても、図１２
の（ａ）に示すように、目標温度に近づいた後、完全に
目標温度に達するまでに時間がかかってしまうという問
題があった。さらに前述のフォトリソグラフィ工程にお
いては、基板の冷却処理工程が数回必要であるため、ス
ループットを向上させるには、係る冷却処理時間の短縮
化が重要な課題の一つであった。
【０００４】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、被処理体を所定の目標温度に
する際に、その到達時間を短縮できる処理方法及び処理
装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を載置台に載置し、この被処理体を所定の目標温度
に設定する処理装置において、前記載置台に設けられ前
記載置台を前記目標温度に設定する冷却部と、この冷却
部に前記目標温度より低温の第１の冷媒と前記目標温度
と略同温の第２の冷媒とを切り替えて供給する冷媒供給
手段と，前記切替を制御する制御手段とを有し，前記制
御手段は，前記載置台上に前記被処理体が搬入される前
に、前記冷却部に前記第２の冷媒を供給することによっ
て前記載置台を前記目標温度としておき、前記載置台上
に被処理体を搬入するときと同時に、または、前記載置
台上に被処理体を搬入するときから所定時間が経過した
ときに、前記冷却部に前記第１の冷媒を供給して前記被
処理体を冷却し、前記載置台が前記目標温度以下となっ
た後、再び前記冷却部に前記第２の冷媒を供給して前記
被処理体を前記目標温度にするように，前記制御を行う
ものであることを特徴とする。また請求項２の発明は，
被処理体を載置台に載置し、この被処理体を所定の目標
温度に設定する処理装置において、前記載置台に設けら
れ前記載置台を前記目標温度に設定する冷却部と、この
冷却部に前記目標温度より低温の第１の冷媒と前記目標
温度と略同温の第２の冷媒とを切り替えて供給する冷媒
供給手段と，前記切替を制御する制御手段と，前記載置
台の上方において被処理体を受け取り，その受け取った
被処理体を下降により載置台上に載置する受け渡し手段
とを有し，前記制御手段は，前記受け渡し手段が下降す
る前に、前記冷却部に前記第２の冷媒を供給することに
よって前記載置台を前記目標温度としておき、前記受け
渡し手段が下降するときと同時に、または前記受け渡し
手段が下降するときから所定時間が経過したときに、前
記冷却部に前記第１の冷媒を供給して前記被処理体を冷
却し、前記載置台が前記目標温度以下となった後、再び
前記冷却部に前記第２の冷媒を供給して前記被処理体を
前記目標温度にするように，前記制御を行うものである
ことを特徴としている。 さらに請求項３の発明は，被処
理体を載置台に載置し、この被処理体を所定の目標温度
に設定する処理装置において、前記載置台に設けられ前
記載置台を前記 目標温度に設定する冷却部と、この冷却
部に前記目標温度より低温の第１の冷媒と前記目標温度
と略同温の第２の冷媒とを切り替えて供給する冷媒供給
手段と，前記載置台の上方において被処理体を受け取
り，その受け取った被処理体を下降により載置台上に載
置する受け渡し手段と，前記切替を制御する制御手段と
を有し，前記制御手段は，前記載置台上に前記被処理体
が搬入される前に、前記冷却部に前記第２の冷媒を供給
することによって前記載置台を前記目標温度としてお
き、前記載置台上に被処理体を搬入するときと同時に、
または前記載置台上に被処理体を搬入するときから所定
時間が経過したときに、前記冷却部に前記第１の冷媒を
供給して前記被処理体を冷却するように前記制御を行
い，さらに前記制御手段は、前記載置台が前記目標温度
以下となった後、前記受け渡し手段を上昇させて被処理
体を前記載置台上より離し、前記目標温度と略同温の雰
囲気中で前記被処理体を前記目標温度にするように，前
記受け渡し手段の制御を行うものであることを特徴とし
ている。 そして請求項４の発明は，被処理体を載置台に
載置し、この被処理体を所定の目標温度に設定する処理
装置において、前記載置台に設けられ前記載置台を前記
目標温度に設定する冷却部と、この冷却部に前記目標温
度より低温の第１の冷媒と前記目標温度と略同温の第２
の冷媒とを切り替えて供給する冷媒供給手段と，前記載
置台の上方において被処理体を受け取り，その受け取っ
た被処理体を下降により載置台上に載置する受け渡し手
段と，前記切替を制御する制御手段とを有し，前記制御
装置は，前記受け渡し手段が下降する前に、前記冷却部
に前記第２の冷媒を供給することによって前記載置台を
前記目標温度としておき、前記受け渡し手段が下降する
ときと同時に、または前記受け渡し手段が下降するとき
から所定時間が経過したときに、前記冷却部に前記第１
の冷媒を供給して前記被処理体を冷却するように前記制
御を行い，さらにこの制御手段は，前記載置台が前記目
標温度以下となった後、前記受け渡し手段を上昇させて
被処理体を前記載置台上より離し、前記目標温度と略同
温の雰囲気中で前記被処理体を前記目標温度にするよう
に前記受け渡し手段の制御を行うものであることを特徴
としている。
【０００６】前記載置台に貫通孔が形成され、前記貫通
孔内には上下動可能な支持ピンが設けられ、前記貫通孔
を介してＮ ２ ガスが被処理体に対して吹き付けられるよ
うに構成されていてもよい。 また前記載置台には貫通孔
が形成され、前記受け渡し手段は前記貫通孔内に設けら
れた上下動可能な支持ピンであって，さらに前記貫通孔
を介してＮ ２ ガスが被処理体に対して吹き付けられるよ
うに構成されていてもよい。この場合，Ｎ ２ ガスの吹き
付けは、支持ピンに被処理体が支持された後に行われる
ものであってもよい。 そして以上の各処理装置におい
て，前記第１の冷媒を、冷凍機、もしくは冷凍機と熱交
換器を用いて作り出すように構成してもよい。また前記
載置台の載置面に、前記被処理体を浮かせた状態で保持
する接触部材を設けてもよい。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】請求項１０の発明は、搬送手段によって載
置台上に被処理体を搬入し、前記載置台に設けられた冷
媒通路に所定の目標温度よりも低温の第１の冷媒と前記
目標温度と略同温の第２の冷媒とを選択的に供給するこ
とによって前記被処理体を前記目標温度に冷却する方法
において、前記載置台上に前記被処理体が搬入される前
に、前記冷媒通路に前記第２の冷媒を供給することによ
って前記載置台を前記目標温度としておき、前記載置台
上に被処理体を搬入するときと同時に、または、前記載
置台上に被処理体を搬入するときから所定時間が経過し
たときに、前記冷媒通路に前記第１の冷媒を供給して前
記被処理体を冷却し、前記載置台が前記目標温度以下と
なった後、再び、前記冷媒通路に前記第２の冷媒を供給
して前記被処理体を前記目標温度にすることを特徴とす
る。
【００１２】請求項１１の発明は、載置台の上方におい
て受け渡し手段により被処理体を受け取りその受け取っ
た被処理体を前記受け渡し手段の下降により載置台上に
載置し、前記載置台に設けられた冷媒通路に所定の目標
温度よりも低温の第１の冷媒と前記目標温度と略同温の
第２の冷媒とを選択的に供給することによって前記被処
理体を前記目標温度に冷却する方法において、前記受け
渡し手段が下降する前に、前記冷媒通路に前記第２の冷
媒を供給することによって前記載置台を前記目標温度と
しておき、前記受け渡し手段が下降するときと同時に、
または、前記受け渡し手段が下降するときから所定時間
が経過したときに、前記冷媒通路に前記第１の冷媒を供
給して前記被処理体を冷却し、前記載置台が前記目標温
度以下となった後、再び、前記冷媒通路に前記第２の冷
媒を供給して前記被処理体を前記所目標温度にすること
を特徴とする。
【００１３】
【００１４】請求項１２の発明は、搬送手段によって載
置台上に被処理体を搬入し、前記載置台に設けられた冷
媒通路に所定の目標温度よりも低温の冷媒を供給するこ
とによって前記被処理体を前記目標温度に冷却する方法
において、前記載置台上に前記被処理体が搬入される前
に、前記載置台を前記目標温度としておき、前記載置台
上に被処理体を搬入するときと同時に、または、前記載
置台上に被処理体を搬入するときから所定時間が経過し
たときに、前記冷媒通路に前記冷媒を供給して前記被処
理体を冷却し、前記載置台が前記目標温度以下となった
後、前記被処理体を前記載置台上より離し、前記目標温
度と略同温の雰囲気中で前記被処理体を前記目標温度に
することを特徴とする。
【００１５】請求項１３の発明は、載置台の上方におい
て受け渡し手段により被処理体を受け取りその受け取っ
た被処理体を前記受け渡し手段の下降により載置台上に
載置し、前記載置台に設けられた冷媒通路に所定の目標
温度よりも低温の冷媒を供給することによって前記被処
理体を前記目標温度に冷却する方法において、前記受け
渡し手段が下降する前に、前記載置台を前記目標温度と
しておき、前記受け渡し手段が下降するときと同時に、
または、前記受け渡し手段が下降するときから所定時間
が経過したときに、前記冷媒通路に前記冷媒を供給して
前記被処理体を冷却し、前記載置台が前記目標温度以下
となった後、前記被処理体を前記載置台上より離し、前
記目標温度と略同温の雰囲気中で前記被処理体を前記目
標温度にすることを特徴とする。
【００１６】以上のように構成される請求項１〜１３の
本発明によれば、載置台上に被処理体を載置した状態
で、先ず目標温度よりも低温の第１の冷媒を冷媒通路に
供給することにより被処理体を急速に冷却する。その
後、冷媒を切り替えて目標温度と略同温の第２の冷媒を
冷媒通路に供給することにより、もしくは、被処理体を
載置台上より離して目標温度と略同温の雰囲気中におく
ことにより、被処理体を目標温度にする。このように被
処理体の冷却を途中で切り替えて段階的に行うことによ
り、被処理体の冷却時間を短縮することができるように
なる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の好ましい実施の形
態を、レジスト塗布・現像装置に用いられる冷却装置に
適用して説明する。先ず、本発明の実施の形態に係る処
理装置、例えば冷却装置に係る塗布現像装置の全体構成
について図１を参照しながら簡単に述べる。図１中、５
は被処理体、例えばＬＣＤ用のガラス基板Ｇを複数枚収
納可能に構成された収納容器としてのキャリア６を載置
可能に構成されるとともに前記キャリア６をこの装置に
対して搬入或いは搬出するためのキャリアステ−ジであ
る。そして、７は前記キャリア６に対してガラス基板Ｇ
を搬入或いは搬出する搬送機構である。さらに８、９は
各プロセスステーションへ基板を搬送する搬送手段とし
てのメインアーム、１０は前記プロセスステーション間
でガラス基板Ｇの授受を行うための中継部である。前記
キャリア６内のガラス基板Ｇは、搬送機構７及びメイン
ア−ム８を介して洗浄装置１１に搬送され、この洗浄装
置１１でブラシにより水洗された後、必要に応じてジェ
ット水洗装置１２にてジェット水洗される。その後加熱
処理部１３にてガラス基板Ｇは乾燥され、前記処理部１
３の下段側に設けられた冷却装置１４に搬送されて所定
の目標温度、例えば常温に冷却される。更にアドヒージ
ョン処理部１５にてガラス基板Ｇは疎水化処理が施さ
れ、下段に設けられた冷却装置１６にて再び目標温度に
冷却された後、塗布装置１７にてフォトレジスト膜すな
わち感光膜が回転塗布形成される。そしてこのフォトレ
ジスト膜が前記加熱処理部１３にて加熱されてプリベー
キング処理が施された後、この装置の右側に配置された
図示しない露光装置にて所定のパターンが露光される。
そして、露光後のガラス基板Ｇは現像処理部内へ搬送さ
れ、現像液により現像された後、メインア−ム８、９及
び搬送機構７を通じて例えば元のキャリア６内に戻され
るよう構成されている。
【００１８】次に前述の冷却装置１４、１６の構成を図
２を参照にして説明する。なお、冷却装置１４、１６
は、基本的には同様の構成を備えているので、代表して
冷却装置１４について説明する。
【００１９】冷却装置１４は、ガラス基板Ｇを載置して
冷却する冷却手段としての載置台２１を備えている。こ
の載置台２１は、後述する冷媒との熱の授受を速やかに
行えるように、例えばアルミニウム等の金属などの熱伝
導性の良好な物質で形成されている。また、載置台２１
には、貫通孔２２が複数箇所、例えば三箇所に設けられ
ており、これら貫通孔２２内にはその内部を上下動可能
な支持ピン２３がそれぞれ設けられている。これら支持
ピン２３の上下動は、この支持ピン２３を昇降板２４上
に設け、この昇降板２４を例えば駆動モータの如き昇降
手段によって上下動させることにより行われている。そ
して、駆動モータの稼働によってこれら支持ピン２３の
上端が載置台２１の上面よりも突出された状態で、先に
説明したメインアーム８、９で保持されたガラス基板Ｇ
が冷却装置１４内に搬入されて、そのガラス基板Ｇが載
置台２１の上方において支持ピン２３の上端に受け渡さ
れる。その後、再び、駆動モータ２５の稼働により支持
ピン２３上端が載置台２１の上面と同じか、もしくは載
置台２１の上面よりも低い位置に下降させられることに
よって、支持ピン２３上端で保持していたガラス基板Ｇ
を載置台２１の上面に受け渡すように構成されている。
【００２０】図３に示すように、載置台２１の上面に
は、ガラス基板Ｇを所定の位置に位置決めするためのガ
イドピン２７がガラス基板Ｇの大きさに対応して配置さ
れている。これらガイドピン２７は、上方に行くほど細
くなるテーパ形状を有しており、そのテーパ面でガラス
基板Ｇの周縁部をガイドすることにより、ガラス基板Ｇ
を所定の位置に位置決めするように構成されている。ま
た、これらガイドピン２７は、載置台２１の上面に形成
された挿入孔（図示せず）に差し込むことによって載置
台２１の上面に取り外し自在に固定されている。従っ
て、ガラス基板Ｇの大きさが異なっても、ガイドピン２
７を前記ガラス基板Ｇの大きさに対応した挿入孔に差し
込むことで大きさの異なるガラス基板Ｇの位置決めにも
対応することが可能である。
【００２１】さらに図３、４に示すように、載置台２１
の上面には、載置台２１上面からガラス基板Ｇを僅かに
浮かせた状態で保持することによって、載置台２１上面
のゴミがガラス基板Ｇに付着するのを防止すると共に、
ガラス基板Ｇの電荷の帯電を抑制するための接触部材２
６が設けられている。この接触部材２６は、基板Ｇへの
熱伝導が均等に行われるようにガラス基板Ｇの大きさに
対応して載置台２１の上面の複数箇所、少なくとも４箇
所、例えば１０箇所以上に、各々が適宜の間隔、例えば
等間隔に配置されている。これら接触部材２６は、載置
台２１からの熱の伝達を良くするための導電性部材、例
えば金属導体、例えばアルミニウムで構成することがで
きる。或いはまた、これら接触部材２６は、載置台２１
と基板Ｇとの間隙での熱の輻射及び対流による熱伝導を
速やかに行うために可能な限り薄い部材、例えば、０．
１ｍｍ以下で形成された絶縁部材、例えばポリイミドフ
ィルムなどで構成しても良い。更に、これら接触部材２
６は、熱伝導を良くするために、例えばポリイミドフィ
ルムなどの絶縁部材に例えばアルミニウム等の導電性膜
をコーティングした構成とすることもできる。
【００２２】また、前記載置台２１の内部には、図２に
示すように、例えば冷却水の如き冷媒を流通循環させる
ための冷媒流通経路、例えば冷却部としての冷媒通路２
８と配管２９が設けられている。この冷媒通路２８に
は、配管２９を介して冷却水を供給するため第１の冷媒
供給手段３０と、第２の冷媒供給手段３１が接続されて
いる。これら第１の冷媒供給手段３０と第２の冷媒供給
手段３１の供給経路には、冷媒通路２８に供給する冷媒
を第１の冷媒３０と第２の冷媒とに選択的に切り替える
手段としての電磁弁３２、３３、３４、３５が設けられ
ている。これらの電磁弁３２、３３、３４、３５は制御
手段（ＣＰＵ）３７によって、開閉操作されるようにな
っている。そして、この制御手段３７からの指令によ
り、電磁弁３２、３３が開、電磁弁３４、３５が閉にな
ると、載置台２１内部の冷媒通路２８に配管２９を介し
て第１の冷媒が供給される。一方、制御手段３７からの
指令により、電磁弁３２、３３が閉、電磁弁３４、３５
が開になると、載置台２１内部の冷媒通路２８に配管２
９を介して第２の冷媒が供給される。
【００２３】そして、第１の冷媒供給手段３０は、前記
冷媒通路２８に対して前記ガラス基板Ｇを冷却する目標
温度よりも低い温度の冷媒を供給するように構成されて
いる。即ち、例えばガラス基板Ｇの冷却目標の温度が２
３℃であれば、この第１の冷媒供給手段３０において利
用される冷媒としては、例えば１８℃程度の温度を有す
る水の他、市水、その他の液体を適宜選択可能である。
また、冷凍機に循環しているフロンなどの冷媒を冷媒通
路２８に直接供給して載置台２１を蒸発器として作用さ
せ、潜熱を利用した冷却を行う構成とすることも可能で
ある。
【００２４】例えば、図５は冷凍機５０と熱交換器５１
によって第１の冷媒供給手段３０を構成した例を示すも
のである。即ち、載置台２１内部の冷媒通路２８に配管
２９を介して循環させている第１の冷媒を熱交換器５１
の一次側コイル５２に供給すると共に、冷凍機５０で作
り出した低温度の冷媒を熱交換器５１の二次側コイル５
３に供給し、両者の間で熱交換させて目標温度よりも低
温にした第１の冷媒を載置台２１内部の冷媒通路２８に
再び戻す構成となっている。なお、第１の冷媒の過冷却
を防ぐために、熱交換器５１内には補助ヒータ５４を設
けている。この図５に示す例によれば、熱交換器５１に
おける熱交換と補助ヒータ５４による加熱で作り出した
第１の冷媒を用いてガラス基板Ｇを冷却することが可能
となる。
【００２５】また例えば、図６は冷凍機６０の冷媒を配
管２９を介して載置台２１内部に直接循環供給するよう
に構成した例を示すものである。但し、この図６に示す
例では、冷媒通路２８を載置台２１内部において空洞状
に形成した構成になっている。また、載置台２１の過冷
却を防ぐために、冷媒通路２８内に補助ヒータ６１を設
けている。この図６に示す例によれば、第１の冷媒を目
標温度よりも相当に低温にすることができ、ガラス基板
Ｇを高速度で冷却することが可能となる。また、図６に
示したように、冷媒通路２８を載置台２１内部において
空洞状に形成して第１の冷媒を封入させることによっ
て、自然対流が生じて熱拡散が均一になり、ガラス基板
Ｇ全体を均一に冷却できるといった特徴がある。
【００２６】なお、以上のように第１の冷媒供給手段３
０として種々の構成が考えられるが、冷却装置のおかれ
ている雰囲気が高湿度である場合は、第１の冷媒供給手
段３０からあまり低温の冷媒を載置台２１内に供給する
と、例えば載置台２１の外面や配管２９の外側に結露が
発生する心配が生ずる。そのように結露が発生すると、
蒸発熱等の影響により正確な温度制御が困難となるの
で、高湿度雰囲気である場合は、第１の冷媒供給手段３
０からは、載置台２１の外面や配管２９の外側に結露を
発生させない程度の低温度、例えば目標温度が２３℃で
あれば、略１８℃程度の冷媒を供給し循環させるのが良
い。
【００２７】一方、図２に示すように、第２の冷媒供給
手段３１は、前記冷媒通路２８に対して前記ガラス基板
Ｇを冷却する目標温度と略等しい温度の冷媒を供給する
ものである。即ち、例えばガラス基板Ｇの冷却目標の温
度が２３℃であれば、この第２の冷媒供給手段３１は略
２３℃の冷媒、例えば２３℃の恒温水を配管２９を介し
て前記冷媒通路２８に供給するとともに循環させる。
【００２８】そして、前記載置台２１の内部で基板載置
面（上面）の近傍部には少なくとも１箇所に温度検出手
段、例えば熱電対などからなる温度センサ３６が設けら
れている。この温度センサ３６は載置台２１表面近傍の
温度分布を正確に測定するために少なくとも基板載置面
の中央部と周縁部に設けられるのが好ましい。そして、
それらの温度センサ３６で検出した温度情報は、電気信
号として制御手段３７に伝達されるよう構成されてい
る。
【００２９】次に、冷却装置１６の基本的な構成は、以
上に説明した冷却装置１４と同じ構成を備えている。従
って、その説明は省略する。但し、先に図３、４で説明
したように、冷却装置１４においては、載置台２１の上
面に接触部材２６を設けて、載置台２１上面からガラス
基板Ｇを僅かに浮かせた状態で保持しているのに対し
て、冷却装置１６においては、載置台２１の上面に接触
部材２６に相当するものがなく、図７に示すように、載
置台２１上面にガラス基板Ｇを直接載置させる構成とな
っている点が異なる。この図７に示すように、冷却装置
１６ではガラス基板Ｇを載置台２１上に直接接触させる
ことにより、冷却ムラなく基板全体を均一に冷却できる
構成となっている。
【００３０】次に、この実施の形態にかかる冷却装置の
作用について、図８〜１１に示す流れ図を参照しながら
説明する。
【００３１】まず、図１で説明した処理装置１全体にお
いては、ガラス基板Ｇをキャリア６から取り出してメイ
ンアーム８により保持し、洗浄装置１１に搬送する。そ
して、ブラシにより水洗し、必要に応じてジェット水洗
装置１２にてジェット水洗した後、加熱処理部１３へ搬
送する。この加熱処理部１３で約９０℃以上の温度で加
熱処理されたガラス基板Ｇを、メインアーム９によって
加熱処理部１３から搬出した後、前述の冷却処理装置１
４に搬送する。そして、図２に示すように、予めプログ
ラムされた手順により載置台２１上に突出して待機して
いる支持ピン２３の上端にガラス基板Ｇを受け渡す。メ
インアーム９は支持ピン２３に基板Ｇを受け渡した後、
冷却処理装置１４から後退し退避する。
【００３２】そして、冷却処理装置１４においては、図
８〜１１に示す流れ図に従って、例えば次のような処理
が行われる。先ず、図８に示す処理工程を説明すると、
Ｓ１０において、昇降手段２４が短縮稼働することによ
り、支持ピン２３上端で支持していたガラス基板Ｇが載
置台２１上に載置される。この時の載置台２１の温度
は、ガラス基板Ｇを冷却する所定の目標温度（例えば２
３℃の常温）に維持されている。
【００３３】次いで、Ｓ１１において、温度センサ３６
により載置台２１の表面近傍の温度を間欠的あるいは連
続的に検出する。そして、Ｓ１２においてその検出され
た温度検出信号に基づき、ガラス基板Ｇを載置したこと
によって載置台２１の表面の温度が変化したか否かを制
御手段３７が判断する。温度変化が生じていない場合
は、制御手段３７はガラス基板Ｇの温度が常温であった
と判断して冷却処理を中止し、ガラス基板Ｇを次の処理
工程へと搬送する。
【００３４】一方、載置台２１の表面の温度が上昇した
場合は、Ｓ１３において冷却処理を開始する。すなわ
ち、温度検出信号を受けた制御手段３７からの制御信号
により、電磁弁３４、３５を閉じた後、または同時に、
電磁弁３２、３３を開放し、ガラス基板Ｇを冷却する目
標の温度（例えば２３℃の常温）よりも低温の（例えば
１８℃の）第１の冷媒を、配管２９を介して載置台２１
内部の冷媒通路２８に供給する。これにより、急速な冷
却処理が可能となる。
【００３５】さらに、Ｓ１４の工程において、載置台２
１表面の温度検出がなされた後、Ｓ１５において、その
温度が目標温度以下（例えば２３℃以下）に下がったか
どうかを制御手段３７が判断する。載置台２１表面の温
度が目標温度以下でないときは、冷却処理が十分でない
と制御手段３７が判断し、目標温度以下になるまで冷却
処理を継続する。一方、目標温度以下であると制御手段
３７が判断した場合は、同時に、または所定の時間経過
後、Ｓ１６において制御手段３７は電磁弁３２〜３５へ
制御信号を伝達して、第１の冷媒の供給を停止し、目標
温度と略等しい温度（例えば２３℃の常温）の第２の冷
媒の供給を開始する。このように第１の冷媒から第２の
冷媒に切り替えたことにより、ガラス基板Ｇを速やかに
目標温度（例えば２３℃）に冷却することが可能とな
る。
【００３６】そして、前記Ｓ１７の工程において、温度
検出がなされた後、Ｓ１８において、温度検出信号を受
けた制御手段３７が目標温度（例えば２３℃）に達した
か否かの判断を行い、目標温度に達していなかった場合
は、継続して第２の冷媒による冷却を行う。一方、目標
温度に達していた場合は、冷却が終了したと判断する。
そして、所定温度に冷却されたガラス基板Ｇを、搬送手
段としてのメインアーム９によって冷却処理装置１４か
ら搬出し、後述の、例えばアドヒージョン処理工程へと
移行する。
【００３７】また、図９に示す処理工程を説明すると、
先ず、ガラス基板Ｇを載置台２１上に載置する前に、Ｓ
２０において、予め載置台２１の冷媒通路２８に、第２
の冷媒供給手段３１から例えば２３℃の如き所定の目標
温度と略等温の冷媒を供給することによって載置台２１
を目標温度としておく。そして、Ｓ２１において、支持
ピン２３を下降させガラス基板Ｇを載置台２１上に載置
する。次いで、Ｓ２２において、温度センサ３６が載置
台２１上面の温度を検出し、Ｓ２３において、制御手段
３７が載置面の温度変化が生じたかどうかを判断する。
温度変化がない場合は、冷却処理を中止し、ガラス基板
Ｇを次の処理工程へと搬送する。一方、温度上昇したと
きは、Ｓ２４において、電磁弁３４、３５を閉じ、電磁
弁３２、３３を開放し、第１の冷媒供給手段３０から例
えば１８℃の如き目標温度以下の冷媒を載置台２１の冷
媒通路２８に供給する。このＳ２４において冷媒の供給
の切換を行うタイミングは、例えば、載置台２１上への
ガラス基板Ｇの搬入により、載置台２１の温度が変化し
たときと同時に冷媒供給の切換を行っても良く、あるい
はまた、載置台２１の温度変化を検知したときから一定
時間が経過してから冷媒供給の切換を行うようにしても
良い。
【００３８】この図９に示す処理工程によれば、載置台
２１の温度変化をトリガとして同時か、或いは一定時間
が経過したタイミングで冷媒通路２８に第１の冷媒を供
給することにより、ガラス基板Ｇを急速に冷却すること
が可能となる。そして、Ｓ２６において、ガラス基板Ｇ
が目標温度以下、例えば２３℃以下に下がった場合は、
Ｓ２７において、電磁弁３４、３５を開け、電磁弁３
２、３３を閉じて、第２の冷媒供給手段３０から例えば
２３℃の如き目標温度の冷媒を載置台２１の冷媒通路２
８に供給する。そして、Ｓ２９において、ガラス基板Ｇ
が所定の目標温度になったと判断された場合は、冷却が
終了したことが検知される。こうして、所定温度に冷却
されたガラス基板Ｇは、搬送手段としてのメインアーム
９によって冷却処理装置１４から搬出されて、後述の、
例えばアドヒージョン処理工程へと移行される。
【００３９】また、図１０に示す処理工程を説明する
と、この処理工程の場合も先の図９に示した処理工程と
同様に、先ず、ガラス基板Ｇを載置台２１上に載置する
前に、Ｓ３０において、予め載置台２１の冷媒通路２８
に、第２の冷媒供給手段３１から例えば２３℃の如き所
定の目標温度の冷媒を供給することによって載置台２１
を目標温度としておく。そして、Ｓ３１において、搬送
手段であるメインアーム９によって載置台２１上方にガ
ラス基板Ｇを搬入し、支持ピン２３に受け渡す。その
後、支持ピン２３は下降し、ガラス基板Ｇを載置台２１
上に載置する。一方、こうしてメインアーム９による冷
却処理装置１４へのガラス基板Ｇの搬入が行われると、
Ｓ３２において、電磁弁３４、３５を閉じ、電磁弁３
２、３３を開放し、第１の冷媒供給手段３０から例えば
１８℃の如き目標温度以下の冷媒が載置台２１の冷媒通
路２８に供給される。このＳ３２において冷媒の供給の
切換を行うタイミングは、例えば、投光・受光センサな
どを用いてガラス基板Ｇの載置台２１上方への搬入を検
知し、その検知と同時に冷媒供給の切換を行っても良
く、あるいはまた、ガラス基板Ｇの載置台２１上方への
搬入を検知したときから一定時間が経過してから冷媒供
給の切換を行うようにしても良い。また、例えば、搬送
手段であるメインアーム９に対して、冷却処理装置１４
へのガラス基板Ｇ搬入の指令が出たときと同時に冷媒供
給の切換を行っても良く、あるいはまた、冷却処理装置
１４へのガラス基板Ｇ搬入の指令が出たときときから一
定時間が経過してから冷媒供給の切換を行うようにして
も良い。
【００４０】こうして、この図１０に示す処理工程によ
ればガラス基板Ｇの搬入と同時に、或いは搬入から一定
時間が経過したタイミングで冷媒通路２８に第１の冷媒
を供給することにより、載置台２１上に載置されたガラ
ス基板Ｇを急速に冷却することが可能となる。そして、
Ｓ３４において、ガラス基板Ｇが目標温度以下、例えば
２３℃以下に下がった場合は、Ｓ３５において、電磁弁
３４、３５を開け、電磁弁３２、３３を閉じて、第２の
冷媒供給手段３０から例えば２３℃の如き目標温度の冷
媒を載置台２１の冷媒通路２８に供給する。そして、Ｓ
３７において、ガラス基板Ｇが目標温度になったと判断
された場合は、冷却が終了したことが検知される。こう
して、目標の温度に冷却されたガラス基板Ｇは、搬送手
段としてのメインアーム９によって冷却処理装置１４か
ら搬出されて、後述の、例えばアドヒージョン処理工程
へと移行される。
【００４１】また、図１１に示す処理工程を説明する
と、この処理工程の場合も先の図９、１０に示した処理
工程と同様に、先ず、ガラス基板Ｇを載置台２１上に載
置する前に、Ｓ４０において、予め載置台２１の冷媒通
路２８に、第２の冷媒供給手段３１から例えば２３℃の
如き所定の目標温度の冷媒を供給することによって載置
台２１を目標温度としておく。そして、Ｓ４１におい
て、搬送手段であるメインアーム９から受け渡されたガ
ラス基板Ｇを、支持ピン２３の下降によって、載置台２
１上に載置する。一方、こうして支持ピン２３の下降に
よる載置台２１上へのガラス基板Ｇの載置が行われる
と、Ｓ４２において、電磁弁３４、３５を閉じ、電磁弁
３２、３３を開放し、第１の冷媒供給手段３０から例え
ば１８℃の如き目標温度以下の冷媒が載置台２１の冷媒
通路２８に供給される。このＳ４２において冷媒の供給
の切換を行うタイミングは、例えば、支持ピン２３に対
して、下降動作の開始指令が出たときと同時に冷媒供給
の切換を行っても良く、あるいはまた、下降動作の開始
指令が出たときから一定時間が経過してから冷媒供給の
切換を行うようにしても良い。また、支持ピン２３やガ
ラス基板Ｇの下降動作を、例えば適当なセンサを用いて
検知し、それと同時に、または一定時間が経過してから
冷媒供給の切換を行うことも可能である。
【００４２】こうして、この図１１に示す処理工程によ
れば支持ピン２３の下降と同時に、或いは下降から一定
時間が経過したタイミングで冷媒通路２８に第１の冷媒
を供給することにより、載置台２１上に載置されたガラ
ス基板Ｇを急速に冷却することが可能となる。そして、
Ｓ４４において、ガラス基板Ｇが目標温度以下、例えば
２３℃以下に下がった場合は、Ｓ４５において、電磁弁
３４、３５を開け、電磁弁３２、３３を閉じて、第２の
冷媒供給手段３０から例えば２３℃の如き目標温度の冷
媒を載置台２１の冷媒通路２８に供給する。そして、Ｓ
４７において、ガラス基板Ｇが目標温度になったと判断
された場合は、冷却が終了したことが検知される。こう
して、目標温度に冷却されたガラス基板Ｇは、搬送手段
としてのメインアーム９によって冷却処理装置１４から
搬出されて、後述の、例えばアドヒージョン処理工程へ
と移行される。
【００４３】かくして、以上の図８〜１１に示す何れか
の工程に従って、所定の目標温度にまで冷却されたガラ
ス基板Ｇは、搬送手段としてのメインアーム９によって
冷却処理装置１４から搬出され、次いで、このガラス基
板Ｇに対して、フォトリソグラフィーの一連の処理工程
の一つとしての例えばアドヒージョン処理が行われる。
前記ガラス基板Ｇをアドヒージョン処理部１５へメイン
アーム８により搬送し、疎水化処理を施す。
【００４４】その後、前述の冷却装置１６に搬送し、図
８〜１１で説明したのと同様の工程に従う冷却処理を行
う。なお、この冷却装置１６においては、前述のように
ガラス基板Ｇを載置台２１の載置面に直接載置し、冷却
装置１４よりもさらにガラス基板Ｇの温度分布が均一に
される。これは、次工程である塗布工程において、ガラ
ス基板Ｇの温度分布が悪いと塗布膜が均一に形成できな
いためである。前述の冷却装置１４では接触部材２６を
用いて載置台２１に付着したコンタミネーションがガラ
ス基板Ｇに付着するのを抑制しつつ、冷却していたが、
塗布工程の前の冷却処理工程に用いられる前記冷却装置
１６では、温度分布の均一性を良くするため、ガラス基
板Ｇを直接に載置台２１の載置面に載置している。
【００４５】また、冷却装置１６の載置台２１のコンタ
ミネーションが基板Ｇに付着するのを抑制するには基板
Ｇを載置台２１に載置する前に載置台２１の基板載置面
にエアー或いはＮ2 ガス等を吹きつけ、コンタミネーシ
ョンを除去する手段を設けることが好ましい。
【００４６】そして所定温度に設定された後、ガラス基
板Ｇは図１に示すメインアーム８によって冷却装置１６
から搬出され、所定のプログラムに従って図１に示す他
の装置、１１、１２、１３、１５、１７に搬入され、適
宜処理される。
【００４７】次に、以上の冷却装置１４、１６の効果を
説明する。図１２は、ガラス基板Ｇを冷却開始温度Ｋ１
から所定の目標温度Ｋ２に冷却した場合の載置台２１表
面の温度変化を示したグラフである。図１２において、
曲線ａは従来の構成による冷却装置によるガラス基板Ｇ
の冷却効果を経時的に示したものであり、曲線ｂは本発
明の実施の形態の冷却装置１４、１６によるガラス基板
Ｇの冷却効果を経時的に示したものである。
【００４８】本発明のように目標温度よりの低温の第１
の冷媒と、目標温度に等しい第２の冷媒を用いて冷却し
た場合、載置台２１表面の温度は、図１２の曲線ｂのよ
うに温度Ｋ２以下に維持された第１の冷媒によって急速
に冷却され、温度Ｋ２以下になった後、温度Ｋ２に維持
された第２の冷媒により温度調節されて温度Ｋ２とな
る。これにより、本発明の冷却装置１４、１６によれ
ば、載置台２１上に載置したガラス基板Ｇを急速に冷却
することが可能である。一方、従来の冷却装置のように
温度Ｋ２の第２の冷媒のみを用いて冷却を行った場合
は、図１２の曲線ａのように、載置台２１表面の温度は
なかなか温度Ｋ２にまで下がらず、従って、ガラス基板
Ｇを急速に冷却することができない。曲線ａと曲線ｂを
比較して明らかなように、本発明の冷却装置１４、１６
によれば、基板Ｇの冷却時間を（Ｔ３−Ｔ２）だけ短縮
できることがわかる。
【００４９】以上のように、まず所定の目標温度以下の
第１の冷媒にて載置台２１を冷却し、ガラス基板Ｇを急
速に冷却した後、電磁弁３２、３３、３４、３５によっ
て、所定の目標温度と略同温の第２の冷媒に切り替えて
供給することにより、ガラス基板Ｇを所定の目標温度に
短時間で設定できるので、一連のフォトリソグラフィー
工程における多くの冷却工程にかかる時間を短縮でき、
スループットを大幅に向上することができるようにな
る。
【００５０】また、冷却装置１４の載置台２１上には、
ガラス基板Ｇとの間に熱伝導性の良好な材質で構成され
た接触部材２６を、少なくとも複数箇所、等間隔に設け
ているので、冷却処理工程において、ガラス基板Ｇをム
ラなく均一に冷却することができ、ガラス基板Ｇの処理
の品質の向上、さらには歩留りの向上に寄与することが
できる。
【００５１】また、前記接触部材２６を、導電性部材例
えば金属導体、例えばアルミニウム等で形成した場合
は、ガラス基板Ｇに載置台の冷熱を効率よく伝導でき、
ガラス基板Ｇの冷却効果が向上する。また、前記接触部
材２６を、絶縁性部材例えばポリイミドフィルムで形成
した場合は、その厚さは可能な限り薄く、例えば０．１
ｍｍ以下で形成されているので、前記載置台２１と、前
記ガラス基板Ｇとの間の輻射及び対流による熱伝導が速
やかに行うことができ、冷却処理工程がより短縮される
ので、スループットの向上に寄与することができる。
【００５２】また、塗布工程の前の冷却処理工程では、
冷却装置１６の載置台２１の基板載置面上にガラス基板
Ｇを直接載置させるので、冷却処理における温度分布の
均一性が良くなり、次の処理工程である塗布工程におい
て、塗布膜が均一に形成でき、その後の工程における種
々の処理、例えば露光等に好結果を与えることとなり、
歩留りを向上することができる。
【００５３】次に、以上に説明した冷却装置１４、１６
とは異なる他の実施の形態を図１３、１４にて説明す
る。なお、図１３中、前述の図２で説明した冷却装置１
４、１６と同一の構成要素については同一符号を付けて
説明を省略する。
【００５４】この図１３に示す冷却装置１４’は、冷媒
冷却手段と切り替え手段が、ガラス基板Ｇの冷却目標温
度以下、例えば略１８℃に維持された冷媒を載置台２１
の内部の冷媒通路２８に供給するとともに循環させる冷
媒供給手段３０と、その開閉手段である例えば電磁弁３
２、３３で構成されている。冷媒としては、例えば先に
図５、６で説明したような冷却水や冷媒が用いられる。
【００５５】そして、この冷却装置においては、次に示
すような処理工程が行われる。まず、図１に示す処理装
置１において、先と同様に、ガラス基板Ｇがキャリア６
から搬送機構７、メインアーム８を介して搬出され、そ
のガラス基板Ｇが洗浄装置１１にてブラシ水洗、必要に
よりジェット水洗装置１２にてジェット水洗され、加熱
処理部１３で約９０℃以上の温度で加熱処理される。こ
のガラス基板Ｇを、メインアーム９にて加熱処理部１３
から搬出し、冷却処理装置１４に搬入する。そして、冷
却処理装置１４において、図１４に示すように、予めプ
ログラムされた手順により載置台２１上に突出して待機
している支持ピン２３上にそのガラス基板Ｇが受け渡さ
れる。メインアーム９は支持ピン２３にガラス基板Ｇを
受け渡した後、冷却処理装置１４から後退し退避する。
【００５６】そして、冷却処理装置１４においては、図
１４に示す流れ図に従って、次のように処理される。即
ち、Ｓ５０において、支持ピン２３が下降し、基板Ｇが
載置台２１上に載置される。この時、載置台２１の温度
は、所定の目標温度としての例えば２３℃（常温）に維
持されている。次いで、Ｓ５１において、温度センサ３
６が載置台２１上の載置面の温度を間欠的あるいは連続
的に検出する。そして、Ｓ５２において、その検出され
た温度検出信号に基づいて、制御手段３７が基板Ｇを載
置したことによる載置面２１の温度変化が生じたかどう
かを判断する。温度変化が生じていない場合は、制御手
段３７は、ガラス基板Ｇの温度が目標温度であったと判
断し、冷却処理を中止して、ガラス基板Ｇの冷却を終了
する。
【００５７】一方、温度上昇が生じた場合は、Ｓ５３に
おいて冷却処理を開始する。すなわち、温度検出信号を
受けた制御手段３７からの制御信号により、電磁弁３
２、３３を開放し、例えば１８℃の目標温度以下に維持
された冷媒を載置台２１の内部の冷媒通路２８に供給す
る。これにより、急速な冷却処理が可能となる。
【００５８】さらに、Ｓ５４の工程による温度検出がな
された後、Ｓ５５において、載置台２１表面の温度が目
標温度以下、例えば２３℃以下に下がったかどうかを制
御手段３７が判断する。載置台２１表面の温度が２３℃
以下になっていないときは、冷却処理が十分でないと制
御手段３７が判断し、２３℃以下になるまで冷却処理を
続ける。
【００５９】一方、載置台２１表面の温度が２３℃以下
である場合は、同時に、または所定の時間経過後、Ｓ５
６において、制御手段３７は切り替え手段３２、３３へ
制御信号を伝達して、冷媒の供給を停止する。また、Ｓ
５６において、制御手段３７が駆動モータに上昇駆動さ
せる制御信号を伝達し、これにより上昇した支持ピン２
３がガラス基板Ｇを載置台２１から離間させる。こうし
て、ガラス基板Ｇは例えば２３℃の室温雰囲気中にさら
されて、目標温度となる。この後、基板Ｇの温度変化特
性を先験情報として記憶している制御手段３７が、Ｓ５
７において、その情報により基板Ｇが２３℃になったと
判断すると、冷却処理が終了する。このように、ガラス
基板Ｇを２３℃以下まで冷却した後、２３℃雰囲気中に
さらすことにより、速やかな温度制御を行うことがで
き、スループットを向上することができるようになる。
【００６０】なお、この図１３で説明した冷却装置につ
いても、先に図９で説明したように、載置台２１上への
ガラス基板Ｇの搬入により、載置台２１の温度が変化し
たときと同時に、または変化したときから所定時間が経
過したタイミングで冷媒通路２８に前記冷媒を供給する
他、例えば先に図１０で説明した場合と全く同様に、載
置台２１上にガラス基板Ｇを搬入するときと同時に、ま
たは搬入したときから所定時間が経過したタイミングで
冷媒通路２８に冷媒を供給しても良く、また、例えば先
に図１１で説明した場合と全く同様に、支持ピン２３が
下降するときと同時に、または下降したときから所定時
間が経過したタイミングで冷媒通路２８に冷媒を供給す
るようにしても良い。そのようにしてガラス基板Ｇを載
置台２１上において冷却した後、更に目標温度の雰囲気
中にガラス基板Ｇを曝すことによって、ガラス基板Ｇを
急速に所定の目標温度にすることが可能である。
【００６１】なお、以上に示した実施の形態では、被処
理基板としてガラス基板Ｇを例にして説明したが、本発
明はこれに限らず、半導体ウェハ、プリント基板、ガラ
スマスクなどにも適用することができる。
【００６２】また、前述のメインアーム９によって加熱
処理部１３から冷却処理装置１４にガラス基板Ｇを搬送
する間や、メインアーム９によってガラス基板Ｇを冷却
処理装置１４の支持ピン２３に受け渡した後において、
適当なノズルなどを用いてガラス基板Ｇの表面にＮ2ガ
ス等を吹き付けて、載置台２１上での冷却前にガラス基
板Ｇの温度を予め下げておくことによってスループット
を向上させることも可能である。この場合、Ｎ2ガス
は、載置台２１に設けられている支持ピン２３用の貫通
孔２２などを介して供給するようにしても良い。
【００６３】更に、ガラス基板Ｇを載置台２１上から剥
がす際には、ガラス基板Ｇと載置台２１上の間にＮ２ガ
スを送り込んで残圧をなくすと、剥がしやすくなる。こ
の場合も、Ｎ2ガスは、例えば載置台２１に設けられて
いる支持ピン２３用の貫通孔２２などを介して載置台２
１表面に供給するようにすることが可能である。
【００６４】また、ガラス基板Ｇと載置台２１上の間に
供給するＮ２ガス中に、例えばイオナイザで作り出した
イオンを混入させると、ガラス基板Ｇを載置台２１上か
ら剥がす際に静電気が発生することを防止できる。
【００６５】更に、載置台２１上に載置されたガラス基
板Ｇを冷却するために、インバータ式の冷却装置やイン
バータ式以外の冷却装置などを併用しても良い。その場
合、冷却温度を精度良く制御するためにヒータを補助的
に用いることが有効である。その他、冷却器などを載置
台２１に密着或いは近接させて急速冷却を行う方法も考
えられる。冷却器を載置台２１に近接させる場合、その
距離を調節することによって、冷却温度や冷却速度を制
御することができる。
【００６６】そして、特に載置台２１の上面に接触部材
２６を備えている冷却処理装置１４にあっては、ガラス
基板Ｇのように薄い板形状の被処理体を冷却する場合
は、ガラス基板Ｇのたわみが生じやすく、載置台２１表
面との間隔が一定に定まらず、冷却が不均一になった
り、充分な冷却ができなくなる心配も生ずる。そこで、
かような不都合を解消するために、例えばガラス基板Ｇ
のたわみを予め考慮に入れ、載置台２１表面をこのたわ
みに合わせた湾曲した形状にすることも可能である。
【００６７】但し、載置台２１表面を湾曲した形状にす
ると、加工精度やコスト上昇などといった間題が残る。
そこで、載置台２１の上面に接触部材２６に相当するも
のがない冷却装置１６においては、ガラス基板Ｇを載置
台２１表面に載置して冷却している間に、ガラス基板Ｇ
の裏側を高真空にすることにより、ガラス基板Ｇの表側
にかかっている大気圧を利用して、載置台２１の表面に
ガラス基板Ｇを密着させると都合がよい。このように、
ガラス基板Ｇの裏側を高真空にしてガラス基板Ｇを載置
台２１表面に密着させることによって、例えば大型かつ
薄型のガラス基板の冷却を効率よく行うことが可能とな
る。
【００６８】その他、前述の載置台２１上にガラス基板
Ｇが載置される前に、予めガラス基板Ｇの温度を検出
し、例えば、載置台２１の冷媒通路２８に目標温度（例
えば２３℃）よりも低温の冷媒を供給する必要があるか
否かを判断するようなことも可能である。このように、
予めガラス基板Ｇの温度を検出してその結果に基づいて
後の冷却処理を制御することにより、更に冷却時間を短
縮してスループットの向上をはかることができるように
なる。なお、この場合、載置台２１上に載置する前にガ
ラス基板Ｇの温度を検出できるように、例えばメインア
ーム９や支持ピン２３の上端に熱電対等の温度センサを
装着しても良い。
【００６９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば次の効
果がある。すなわち、所定の目標温度以下の第１の冷媒
にて載置台を冷却し、その後、切り替え手段によって第
１の冷媒から所定の目標温度と実質的に同温の第２の冷
媒に切り替えることにより、載置台を所定の目標温度に
設定するので、被処理体を所定の目標温度に短時間に到
達させることが可能となり、冷却処理工程にかかる時間
を短縮できる。これにより、スループットを向上するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る冷却装置を含む塗布
現像装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】冷却装置の実施の形態を示す概略説明図であ
る。
【図３】冷却装置の概略平面図である。
【図４】冷却装置の載置台の要部を示す拡大断面図であ
る。
【図５】冷凍機と熱交換器を用いて構成された第１の冷
媒供給手段の説明図である。
【図６】冷凍機を用いて構成された第１の冷媒供給手段
の説明図である。
【図７】接触部材を備えていない載置台の要部を示す拡
大断面図である。
【図８】冷却装置の作用を説明する流れ図である。
【図９】ガラス基板の搬入をトリガとする流れ図であ
る。
【図１０】搬送手段によるガラス基板の搬入をトリガと
する流れ図である。
【図１１】受け渡し手段の下降をトリガとする流れ図で
ある。
【図１２】従来の装置と本発明の実施の形態における処
理の作用を示す表である。
【図１３】本発明の他の実施の形態を示す概略説明図で
ある。
【図１４】本発明の他の実施の形態の作用を説明する流
れ図である。
【符号の説明】
Ｇ 被処理体（ガラス基板） １４ 冷却装置 １６ 冷却装置 ２１ 載置台 ２６ 接触部材 ２８ 冷媒通路 ３０ 第１の冷却手段 ３１ 第２の冷却手段 ３２、３３、３４、３５ 切り替え手段 ３６ 温度検出手段 ３７ 制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立山 清久 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社熊本事業所 内 (56)参考文献 特開 平６−283493（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36877（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−136090（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を載置台に載置し、この被処理
    体を所定の目標温度に設定する処理装置において、 前記載置台に設けられ前記載置台を前記目標温度に設定
    する冷却部と、 この冷却部に前記目標温度より低温の第１の冷媒と前記
    目標温度と略同温の第２の冷媒とを切り替えて供給する
    冷媒供給手段と，前記切替を制御する制御手段とを有し， 前記制御手段は， 前記載置台上に前記被処理体が搬入される前に、前記冷
    却部に前記第２の冷媒を供給することによって前記載置
    台を前記目標温度としておき、 前記載置台上に被処理体を搬入するときと同時に、また
    は、前記載置台上に被処理体を搬入するときから所定時
    間が経過したときに、前記冷却部に前記第１の冷媒を供
    給して前記被処理体を冷却し、前記載置台が前記目標温
    度以下となった後、再び前記冷却部に前記第２の冷媒を
    供給して前記被処理体を前記目標温度にするように，前
    記制御を行うものである ことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理体を載置台に載置し、この被処理
    体を所定の目標温度に設定する処理装置において、 前記載置台に設けられ前記載置台を前記目標温度に設定
    する冷却部と、 この冷却部に前記目標温度より低温の第１の冷媒と前記
    目標温度と略同温の第２の冷媒とを切り替えて供給する
    冷媒供給手段と，前記切替を制御する制御手段と， 前記載置台の上方において被処理体を受け取り，その受
    け取った被処理体を下降により載置台上に載置する受け
    渡し手段とを有し， 前記制御手段は， 前記受け渡し手段が下降する前に、前記冷却部に前記第
    ２の冷媒を供給することによって前記載置台を前記目標
    温度としておき、 前記受け渡し手段が下降するときと同時に、または前記
    受け渡し手段が下降するときから所定時間が経過したと
    きに、前記冷却部に前記第１の冷媒を供給して前 記被処
    理体を冷却し、前記載置台が前記目標温度以下となった
    後、再び前記冷却部に前記第２の冷媒を供給して前記被
    処理体を前記目標温度にするように，前記制御を行うも
    のである ことを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理体を載置台に載置し、この被処理
    体を所定の目標温度に設定する処理装置において、 前記載置台に設けられ前記載置台を前記目標温度に設定
    する冷却部と、 この冷却部に前記目標温度より低温の第１の冷媒と前記
    目標温度と略同温の第２の冷媒とを切り替えて供給する
    冷媒供給手段と， 前記載置台の上方において被処理体を受け取り，その受
    け取った被処理体を下降により載置台上に載置する受け
    渡し手段と， 前記切替を制御する制御手段とを有し， 前記制御手段は， 前記載置台上に前記被処理体が搬入される前に、前記冷
    却部に前記第２の冷媒を供給することによって前記載置
    台を前記目標温度としておき、前記載置台上に被処理体
    を搬入するときと同時に、または前記載置台上に被処理
    体を搬入するときから所定時間が経過したときに、前記
    冷却部に前記第１の冷媒を供給して前記被処理体を冷却
    するように前記制御を行い， さらに前記制御手段は、前記載置台が前記目標温度以下
    となった後、前記受け渡し手段を上昇させて被処理体を
    前記載置台上より離し、前記目標温度と略同温の雰囲気
    中で前記被処理体を前記目標温度にするように，前記受
    け渡し手段の制御を行うものであることを特徴とする 処
    理装置。
  4. 【請求項４】 被処理体を載置台に載置し、この被処理
    体を所定の目標温度に設定する処理装置において、 前記載置台に設けられ前記載置台を前記目標温度に設定
    する冷却部と、 この冷却部に前記目標温度より低温の第１の冷媒と前記
    目標温度と略同温の第２の冷媒とを切り替えて供給する
    冷媒供給手段と， 前記載置台の上方において被処理体を受け取り，その受
    け取った被処理体を下降 により載置台上に載置する受け
    渡し手段と， 前記切替を制御する制御手段とを有し， 前記制御装置は， 前記受け渡し手段が下降する前に、前記冷却部に前記第
    ２の冷媒を供給することによって前記載置台を前記目標
    温度としておき、前記受け渡し手段が下降するときと同
    時に、または前記受け渡し手段が下降するときから所定
    時間が経過したときに、前記冷却部に前記第１の冷媒を
    供給して前記被処理体を冷却するように前記制御を行
    い， さらに前記制御手段は， 前記載置台が前記目標温度以下となった後、前記受け渡
    し手段を上昇させて被処理体を前記載置台上より離し、
    前記目標温度と略同温の雰囲気中で前記被処理体を前記
    目標温度にするように前記受け渡し手段の制御を行うも
    のである， ことを特徴とする 処理装置。
  5. 【請求項５】 前記載置台には貫通孔が形成され、前記
    貫通孔内には上下動可能な支持ピンが設けられ、前記貫
    通孔を介してＮ２ガスが被処理体に対して吹き付けられ
    るように構成されたことを特徴とする、請求項１に記載
    の処理装置。
  6. 【請求項６】 前記載置台には貫通孔が形成され、前記
    受け渡し手段は前記貫通孔内に設けられた上下動可能な
    支持ピンであり， さらに前記貫通孔を介してＮ ２ ガスが被処理体に対して
    吹き付けられるように構成されたことを特徴とする、請
    求項２，３又は４に記載の 処理装置。
  7. 【請求項７】 前記Ｎ ２ ガスの吹き付けは、支持ピンに
    被処理体が支持された後に行われるものであることを特
    徴とする、請求項６に記載の処理装置。
  8. 【請求項８】 前記第１の冷媒を、冷凍機、もしくは冷
    凍機と熱交換器を用いて作り出すように構成したことを
    特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７のい
    ずれかに記載の処理装置。
  9. 【請求項９】 前記載置台の載置面に、前記被処理体を
    浮かせた状態で保持する接触部材を設けたことを特徴と
    する，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８のいず
    れかに記載の処理装置。
  10. 【請求項１０】 搬送手段によって載置台上に被処理体
    を搬入し、前記載置台に設けられた冷媒通路に所定の目
    標温度よりも低温の第１の冷媒と前記目標温度と略同温
    の第２の冷媒とを選択的に供給することによって前記被
    処理体を前記目標温度に冷却する方法において、 前記載置台上に前記被処理体が搬入される前に、前記冷
    媒通路に前記第２の冷媒を供給することによって前記載
    置台を前記目標温度としておき、 前記載置台上に被処理体を搬入するときと同時に、また
    は、前記載置台上に被処理体を搬入するときから所定時
    間が経過したときに、前記冷媒通路に前記第１の冷媒を
    供給して前記被処理体を冷却し、 前記載置台が前記目標温度以下となった後、再び、前記
    冷媒通路に前記第２の冷媒を供給して前記被処理体を前
    記目標温度にすることを特徴とする処理方法。
  11. 【請求項１１】 載置台の上方において受け渡し手段に
    より被処理体を受け取りその受け取った被処理体を前記
    受け渡し手段の下降により載置台上に載置し、前記載置
    台に設けられた冷媒通路に所定の目標温度よりも低温の
    第１の冷媒と前記目標温度と略同温の第２の冷媒とを選
    択的に供給することによって前記被処理体を前記目標温
    度に冷却する方法において、 前記受け渡し手段が下降する前に、前記冷媒通路に前記
    第２の冷媒を供給することによって前記載置台を前記目
    標温度としておき、 前記受け渡し手段が下降するときと同時に、または、前
    記受け渡し手段が下降するときから所定時間が経過した
    ときに、前記冷媒通路に前記第１の冷媒を供給して前記
    被処理体を冷却し、 前記載置台が前記目標温度以下となった後、再び、前記
    冷媒通路に前記第２の冷媒を供給して前記被処理体を前
    記目標温度にすることを特徴とする処理方法。
  12. 【請求項１２】 搬送手段によって載置台上に被処理体
    を搬入し、前記載置台に設けられた冷媒通路に所定の目
    標温度よりも低温の冷媒を供給することによって前記被
    処理体を前記目標温度に冷却する方法において、前記載置台上に前記被処理体が搬入される前に、 前記載
    置台を前記目標温度としておき、前記載置台上に被処理体を搬入するときと同時に、また
    は、前記載置台上に被処理体を搬入する ときから所定時
    間が経過したときに、前記冷媒通路に前記冷媒を供給し
    て前記被処理体を冷却し、 前記載置台が前記目標温度以下となった後、前記被処理
    体を前記載置台上より離し、前記目標温度と略同温の雰
    囲気中で前記被処理体を前記目標温度にすることを特徴
    とする処理方法。
  13. 【請求項１３】 載置台の上方において受け渡し手段に
    より被処理体を受け取りその受け取った被処理体を前記
    受け渡し手段の下降により載置台上に載置し、前記載置
    台に設けられた冷媒通路に所定の目標温度よりも低温の
    冷媒を供給することによって前記被処理体を前記目標温
    度に冷却する方法において、前記受け渡し手段が下降する前に、前記載置台を前記目
    標温度としておき、 前記受け渡し手段が下降するときと同時に、または、前
    記受け渡し手段が下降する ときから所定時間が経過した
    ときに、前記冷媒通路に前記冷媒を供給して前記被処理
    体を冷却し、 前記載置台が前記目標温度以下となった後、前記被処理
    体を前記載置台上より離し、前記目標温度と略同温の雰
    囲気中で前記被処理体を前記目標温度にすることを特徴
    とする処理方法。
JP02463696A 1995-01-19 1996-01-17 処理装置及び処理方法 Expired - Fee Related JP3276553B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02463696A JP3276553B2 (ja) 1995-01-19 1996-01-17 処理装置及び処理方法
TW085100588A TW300332B (ja) 1995-01-19 1996-01-18
US08/588,309 US5941083A (en) 1995-01-19 1996-01-18 Cooling device and cooling method
KR1019960001148A KR100234635B1 (ko) 1995-01-19 1996-01-19 냉각장치 및 냉각방법
US09/358,459 US6216475B1 (en) 1995-01-19 1999-07-22 Cooling device and cooling method
US09/800,585 US6889764B2 (en) 1995-01-19 2001-03-08 Cooling device and cooling method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2474395 1995-01-19
JP7-24743 1995-01-19
JP02463696A JP3276553B2 (ja) 1995-01-19 1996-01-17 処理装置及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08293479A JPH08293479A (ja) 1996-11-05
JP3276553B2 true JP3276553B2 (ja) 2002-04-22

Family

ID=26362188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02463696A Expired - Fee Related JP3276553B2 (ja) 1995-01-19 1996-01-17 処理装置及び処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US5941083A (ja)
JP (1) JP3276553B2 (ja)
KR (1) KR100234635B1 (ja)
TW (1) TW300332B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194237A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、熱処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
US11244839B2 (en) 2018-08-27 2022-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma processing apparatus

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3276553B2 (ja) * 1995-01-19 2002-04-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6140256A (en) * 1995-11-28 2000-10-31 Tokyo Electron Limited Method and device for treating semiconductor with treating gas while substrate is heated
JPH1074818A (ja) * 1996-09-02 1998-03-17 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH10135315A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Tokyo Electron Ltd 試料載置台の温度制御装置及び検査装置
KR100319891B1 (ko) * 1999-06-29 2002-01-10 윤종용 웨이퍼용 열처리 방법
WO2001002108A1 (en) 1999-07-06 2001-01-11 Semitool, Inc. Fluid heating system for processing semiconductor materials
US6536450B1 (en) * 1999-07-07 2003-03-25 Semitool, Inc. Fluid heating system for processing semiconductor materials
JP3326141B2 (ja) * 1999-07-08 2002-09-17 エスエムシー株式会社 恒温冷媒液循環装置
JP4256031B2 (ja) * 1999-07-27 2009-04-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置およびその温度制御方法
TW518639B (en) 1999-11-18 2003-01-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device, cooling treatment device and cooling treatment method
US6354370B1 (en) * 1999-12-16 2002-03-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Liquid spray phase-change cooling of laser devices
US6397944B1 (en) * 2000-01-28 2002-06-04 Lsi Logic Corporation Heat dissipating apparatus and method for electronic components
JP2001227793A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Hitachi Ltd 氷蓄熱式熱源装置
US6353210B1 (en) * 2000-04-11 2002-03-05 Applied Materials Inc. Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
JP2002270485A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置および温調システム
JP3973853B2 (ja) * 2001-03-28 2007-09-12 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP3825277B2 (ja) 2001-05-25 2006-09-27 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
US20030037560A1 (en) * 2001-08-22 2003-02-27 Mark Lane Service case
US6889518B2 (en) 2001-08-22 2005-05-10 Delaware Capital Formation, Inc. Service case
US6981385B2 (en) * 2001-08-22 2006-01-03 Delaware Capital Formation, Inc. Refrigeration system
US7523725B2 (en) * 2002-04-15 2009-04-28 Robert Bosch Gmbh Method for controlling and/or regulating a cooling system of a motor vehicle
JP4307130B2 (ja) * 2003-04-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置
KR100508754B1 (ko) * 2003-12-22 2005-08-17 삼성전자주식회사 온도 컨트롤러 및 이를 갖는 식각 장치
US7822586B2 (en) * 2004-08-11 2010-10-26 Entegris, Inc. System and method for optimizing and simulating thermal management systems and predictive flow control
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US8944217B2 (en) 2005-11-04 2015-02-03 Sky Climber, Llc Suspension work platform hoist system with communication system
US8403112B2 (en) 2005-11-04 2013-03-26 Sky Climber Llc Hoist system with high system power factor
US7760497B2 (en) * 2005-11-04 2010-07-20 Sky Climber Llc Powered controlled acceleration suspension work platform hoist control cooling system
US7425689B2 (en) * 2006-09-27 2008-09-16 Tokyo Electron Limited Inline physical shape profiling for predictive temperature correction during baking of wafers in a semiconductor photolithography process
JP4999415B2 (ja) 2006-09-29 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法
US8068208B2 (en) 2006-12-01 2011-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for improving immersion scanner overlay performance
US7866173B2 (en) * 2008-02-28 2011-01-11 International Business Machines Corporation Variable performance server system and method of operation
KR101006252B1 (ko) 2008-05-19 2011-01-06 주식회사 동부하이텍 칠러를 이용한 플래튼 온도조절 시스템
US20110185751A1 (en) * 2010-01-19 2011-08-04 Carson William S Hybrid air conditioning system
JP5786487B2 (ja) * 2011-06-22 2015-09-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US9151543B2 (en) * 2011-07-15 2015-10-06 International Business Machines Corporation Data center coolant switch
JP5914037B2 (ja) 2012-02-23 2016-05-11 東京エレクトロン株式会社 冷却システム、冷却システムを備える基板処理装置及び冷却方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1296333B (de) * 1965-06-15 1969-05-29 Thermovox Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beheizen und/oder Kuehlen von doppelwandigen Formen, insbesondere Rotationsformen, zum Herstellen von Kunststoffkoerpern
CH484711A (de) * 1967-09-15 1970-01-31 Buehler Ag Geb Verfahren und Vorrichtung zur Temperaturregelung bei Druck- und Spritzgiessmaschinen
JPH0730504B2 (ja) * 1992-06-16 1995-04-05 株式会社日阪製作所 布帛等の液流処理装置並びにその処理方法
US5601141A (en) * 1992-10-13 1997-02-11 Intelligent Automation Systems, Inc. High throughput thermal cycler
JPH0863236A (ja) * 1994-08-22 1996-03-08 Komatsu Electron Kk 温度制御装置
JP3276553B2 (ja) * 1995-01-19 2002-04-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194237A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、熱処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
US11244839B2 (en) 2018-08-27 2022-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20010017035A1 (en) 2001-08-30
KR100234635B1 (ko) 1999-12-15
KR960030310A (ko) 1996-08-17
JPH08293479A (ja) 1996-11-05
TW300332B (ja) 1997-03-11
US5941083A (en) 1999-08-24
US6216475B1 (en) 2001-04-17
US6889764B2 (en) 2005-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3276553B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP3453069B2 (ja) 基板温調装置
JP2704309B2 (ja) 基板処理装置及び基板の熱処理方法
US7402782B2 (en) Baking device and baking method of baking a chemically amplified resist film containing an acid (H+) generator before exposure but after development
KR100527306B1 (ko) 기판처리장치
US7809460B2 (en) Coating and developing apparatus, coating and developing method and storage medium in which a computer-readable program is stored
JPH10256344A (ja) 基板冷却方法および基板処理装置および基板搬送装置
KR20010020971A (ko) 기판처리장치
US6851872B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6169274B1 (en) Heat treatment apparatus and method, detecting temperatures at plural positions each different in depth in holding plate, and estimating temperature of surface of plate corresponding to detected result
KR20160017699A (ko) 베이크 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP4486410B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP2004336076A (ja) 加熱処理装置
US6799910B2 (en) Processing method and processing apparatus
JP3453073B2 (ja) 塗布処理装置
JP3143702B2 (ja) 熱処理装置
JP4148387B2 (ja) 熱処理装置
JP3259226B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
KR20180001690A (ko) 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2002228375A (ja) 加熱処理装置
JP3240383B2 (ja) 熱処理装置
JP4053728B2 (ja) 加熱・冷却処理装置及び基板処理装置
JPH11162804A (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP3556068B2 (ja) 基板処理装置
JP3259227B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020129

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080208

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees