CN100535751C - 涂布、显像装置和涂布、显像方法 - Google Patents

涂布、显像装置和涂布、显像方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种涂布、显像装置，在将抗蚀剂涂布在基板上、液浸曝光后的基板进行显像时，能够抑制微粒污染。该涂布、显像装置构成为具有：设置有涂布抗蚀剂的涂布单元和供给显像液并显像的显像单元的处理区；和与进行液浸曝光的曝光装置连接的接口部，上述接口部具有基板清洗单元、第一搬送机构和第二搬送机构。通过第一搬送机构将曝光后的基板搬送到基板清洗单元，通过第二搬送机构搬送由该清洗单元清洗后的基板，因此可避免微粒再次附着，能够防止微粒污染扩散至处理区的各处理单元和各处理单元所处理的基板。

Description

涂布、显像装置和涂布、显像方法
技术领域
本发明涉及具有将抗蚀剂涂布在半导体晶片(以下称“晶片”)等基板表面的涂布单元和在其表面形成液层、向液浸曝光后的晶片供给显像液并显像的显像单元的涂布、显像装置和涂布、显像方法。
背景技术
以往，在作为半导体制造工序之一的光刻(photoresist)工序中，在晶片表面涂布抗蚀剂，按照规定的图案将该抗蚀剂曝光后，向该晶片供给显像液并显像，制作抗蚀图。上述的处理，一般使用将曝光装置连接到具有涂布单元和显像单元的涂布、显像装置上的系统进行。
从该涂布、显像装置向曝光装置，或者从曝光装置向涂布、显像装置进行晶片的传送，例如通过介于涂布、显像装置和曝光装置之间的接口部进行。例如，专利文件1中记载有具有2个搬送臂的接口部的结构，通过这2个搬送臂协同工作，使晶片在上述装置间传送。
但是，近年来，由于要求设备图案的微细化、薄膜化，以提高曝光的分辨率为目标，对引入被称为液浸曝光的曝光方法进行了研究。所谓液浸曝光，就是在晶片表面形成透光的超纯水等的液层的状态下，使光源发出的光透过液层照射到晶片表面，并将规定的电路图案转印到抗蚀剂上的曝光处理。具体而言，例如使用ArF作为用于进行曝光处理的光源时，从光源发出的光的波长在大气中为193nm，但在水中实际上变为134nm，该方法就是利用光的波长在水中变短来进行高分辨率的曝光处理。
但是，在应用上述液浸曝光的光刻工序中，抗蚀剂涂布膜有可能溶出到上述液层中。一旦发生该溶出，由于液体容易吸附微粒，曝光处理后，用于形成液层的液体就会残留在晶片上，上述溶出成分就会通过该液体以微粒的形式附着在晶片表面。附着有这样的微粒的晶片从曝光装置传送到设置在前文所述的接口部的搬送臂时，该搬送臂被微粒污染，会造成微粒污染扩大至此后通过该搬送臂搬送的晶片。
曝光时附着微粒或者如上所述通过搬送臂附着微粒的晶片，被搬入涂布、显像装置内时，该微粒附着在例如涂布、显像装置内的搬送臂上，其在处理单元内飞散或转印到其它晶片上，有微粒污染扩大到涂布、显像装置内的危险。对于受到微粒污染的晶片，在加热处理时，附着有微粒的部位的温度与其它部位的温度不同，尤其对于化学增强型抗蚀剂，在使曝光时产生的酸催化剂扩散到抗蚀剂内的加热处理中，微粒的附着会对图案的线宽造成很大的影响。而且，显像处理时，图案有可能被附着在晶片上的微粒损伤。
另外，如果微粒污染扩大到涂布、显像装置内，那么，例如，在曝光前、曝光后共用加热处理单元的情况下，经由该单元被搬入到曝光装置一侧的晶片也会受到污染。与从曝光装置搬出的晶片相同，微粒也会从搬送臂转印到向曝光装置搬送的晶片上，因此，可以认为微粒会在曝光装置中积累。在这种情况下，如果进行液浸曝光，则微粒夹杂在液层中并在曝光区域移动而妨碍曝光，不能将抗蚀图正确地转印到晶片上，担心会引起抗蚀图的缺陷部位散布于晶片上。
除了前文所述的微粒污染以外，作为进行液浸曝光时的问题，还有水印(water mark)的形成。这是进行液浸曝光时所使用的液体在附着在晶片上的状态下干燥、液体中的溶解成分在晶片表面凝固的现象，该水印有可能会妨碍晶片的显像处理的正常进行。在专利文献1中没有记载解决上述问题的对策。
【专利文献1】特开2004-193597
发明内容
本发明正是为解决上述问题而做出的，其目的在于提供在将抗蚀剂涂布在基板上、对液浸曝光后的基板进行显像时，可以抑制微粒污染的涂布、显像装置和涂布、显像方法。另外，本发明的另一目的是，提供可以防止由于液浸曝光所使用的液体在基板表面干燥后形成水印而使显像处理不能正常进行的涂布、显像装置和涂布、显像方法。
本发明的涂布、显像装置具有：设置有将抗蚀剂涂布在基板表面的涂布单元和向曝光后的基板供给显像液并显像的显像单元的处理区，和与在基板表面形成液层后进行液浸曝光的曝光装置连接的接口部，其特征在于，上述接口部具有：基板清洗单元，对液浸曝光后的基板进行清洗；第一搬送机构，具有将来自曝光装置的基板搬送到基板清洗单元的保持体；第二搬送机构，将基板从上述基板清洗单元搬出并搬送到处理区。
在上述涂布、显像装置中，可以采用如下构造：第二搬送机构将来自处理区的基板传送到第一搬送机构、第一搬送机构将该基板传送到曝光装置；另外，上述第一搬送机构可以具有：用于将来自曝光装置的基板搬送到基板清洗单元的专用保持体和用于将基板搬送到曝光装置的专用保持体。而且，第二搬送机构可以由将基板从基板清洗单元取出的搬送臂和从该搬送臂接收基板并传送到处理区的搬送臂构成。
在上述接口部中可以设置有保持体清洗单元，用于清洗上述第一搬送机构中的将基板搬送到基板清洗单元的保持体。而且，在这种情况下，上述保持体清洗单元可以与上述基板清洗单元组合设置，例如，将该保持体清洗单元设置在与搬送臂向基板清洗单元内的进入路径相对的位置。
另外，本发明的涂布、显像装置，例如，为了抑制液浸曝光后的基板的干燥，可以设置有对被搬送至基板洗净单元的基板的周围的气氛进行加湿的湿度控制单元；上述湿度控制单元例如可以与第一搬送机构组合设置。
本发明的涂布、显像方法，通过处理区将抗蚀剂涂布在基板表面后，在该基板的表面形成液层并液浸曝光，然后，将该基板搬送到上述处理区，向该基板表面供给显像液并显像，其特征在于，包括：由第一搬送机构将液浸曝光后的基板搬送到基板清洗单元的工序；在基板清洗单元中进行基板清洗的工序；和由第二搬送机构将清洗后的基板从基板清洗单元搬出到处理区的工序。
上述涂布、显像方法中，搬送到基板清洗单元的工序，由第一搬送机构所具有的一个专用保持体进行，还可以包括由第一搬送机构所具有的另一专用保持体将来自曝光装置的基板搬送到基板清洗单元的工序。
另外，涂布、显像方法还可以包括：由保持体清洗单元对上述第一搬送机构的将基板搬送至基板清洗单元的保持体进行清洗的工序，在这种情况下，例如，将保持体清洗单元设置在与搬送臂向基板清洗单元内的进入路径相对的位置。而且，还可以包括：将基板从曝光装置搬入到接口部后，直到搬入到基板清洗单元的期间，对该基板周围的气氛进行加湿的工序；在此情况下，对基板周围的气氛进行加湿的工序，例如通过第一搬送机构中设置的湿度控制单元进行。
根据本发明，通过第一搬送机构，将由曝光装置进行液浸曝光后的基板搬送至基板清洗单元，并由该基板清洗单元6对上述基板进行清洗，因此，即使基板上附着有液浸曝光时的抗蚀剂的溶出物等微粒，也可以被除去。另外，通过第一搬送机构以外的第二搬送机构搬送清洗后的基板，所以，可以防止微粒污染扩大到处理区的各处理单元和通过上述各处理单元处理的基板。从而可以抑制基板加热处理时由于微粒影响图案的线宽、显像处理时因微粒损伤图案、液浸曝光时由于微粒夹杂在液层中并在曝光区域移动而妨碍曝光等不良情况，因此，可以在基板上准确地形成抗蚀图。
另外，设置对液浸曝光后、被搬入上述基板清洗单元之前的基板周围的湿度进行控制(加湿)的湿度控制单元，由此，可以防止在液浸曝光后的基板被搬送到基板清洗单元之前、附着于该基板上的液体干燥并形成水印。从而可以防止由于该水印妨碍显像处理，因此可以在基板上准确地形成抗蚀图。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的涂布、显像装置的平面图。
图2是表示本发明的实施方式的涂布、显像装置的整体立体图。
图3是表示上述涂布、显像装置的接口部的一个例子的立体图。
图4是表示上述接口部中设置的搬送机构的一个例子的立体图。
图5是上述接口部中设置的清洗单元的纵截侧面图。
图6是上述清洗单元的横截平面图。
图7是表示上述接口部中的晶片W的搬送路径的示意图。
图8是表示本发明的其他实施方式的接口部结构的一个例子的立体图。
图9是搬送机构和湿度控制单元的其他的一个例子的示意图。
符号说明
W             晶片
B2            处理部
B3            接口部
B4            曝光装置
3A 3B         搬送室
3C            温湿度控制单元
33、5、7、8   搬送臂
6             清洗单元
具体实施方式
下面，边参照图1、图2，边对本发明的曝光装置所连接的涂布、显像装置的整体结构的一个例子进行说明。图1是表示将作为本发明实施方式的晶片的涂布、显像装置连接到进行液浸曝光的曝光装置上而形成的抗蚀图形成装置的平面图，图2为其立体图。图中B1为用于将密封容纳有例如13片晶片W的承载器(carrier)2搬入/搬出的承载器载置部，设置有：具有可以并排载置多个承载器2的载置部20a的承载器载台(carrier station)20，设置在该承载器载台20前方的壁面上的开关部21，和用于经由开关部21将晶片W从承载器2取出的传送机构A1。
承载器载置部B1的内侧连接有周围被框体22包围的处理部(处理区)B2，在该处理部B2中，由近及远依次交替地排列设置有：将加热·冷却系统的单元分级的3个搁板单元U1、U2、U3和在液处理单元U4、U5的各单元之间传送晶片W的主搬送机构A2、A3。即，从承载器载置部B1侧看，搁板单元U1、U2、U3和主搬送机构A2、A3前后排成一列，在各个连接部位形成有未图示的晶片搬送用的开口部，使得晶片W能够在处理区B2内从一端的搁板单元U1自由移动到另一端的搁板单元U3。另外，主搬送机构A2、A3被设置在由间隔壁23所围成的空间内，该间隔壁23由如下部分构成：从承载器载置部B1看、前后排成一列的搁板单元U1、U2、U3侧的侧面部，后述的例如右侧的液处理单元U4、U5侧的侧面部，和由左侧的侧面形成的背面部。另外，图中24为温湿度调节单元，其具有各单元中所使用的处理液的温度调节装置或温湿度调节用的导管(duct)。
上述搁板单元U1、U2、U3形成为将用于进行液处理单元U4、U5所作处理的前处理及后处理的各种处理单元叠层至多级、例如10级的结构，其组合包括加热(bake：烘焙)晶片W的加热单元(PAB)(未图示)和冷却晶片W的冷却单元等。另外，液处理单元U4、U5，例如，如图2所示，形成为将防反射膜涂布单元(BARC)26、抗蚀剂涂布单元(COT)27、向晶片W供给显像液以进行显像处理的显像单元(DEV)28等在抗蚀剂或显像液等药液容纳部的上方叠层至多级、如5级的结构。
曝光装置B4通过接口部B3与处理部B2的搁板单元U3的内侧连接。曝光装置B4中设置有接收来自接口部B3的晶片W的载台(stage)40A和向接口部B3传送曝光后的晶片W的载台40B。
下面，结合图1和图3对构成本发明的发明要点的接口部B3的结构进行详细说明。接口部B3由在处理部B2和曝光装置B4之间前后设置的搬送室3A、搬送室3B和设置在这些搬送室上部的温湿度控制单元3C、气流控制单元3D构成。上述搬送室3A被框体包围，内部构成为封闭空间，该框体侧面的面板上设置有通过闸板(shutter)自由开闭的搬送口(未图示)。并且，搬送室3A中设置有相当于第一搬送机构的搬送臂5，通过该搬送口向载台40A、40B传送晶片W。另外，该搬送室3A中叠层设置有多级、例如2级的清洗单元6。而且，搬送室3A上部的温湿度控制单元3C如后所述地控制温湿度，例如在搬送室3A内，从上部整体向下方供给温度预先设定且被加湿的空气等气体。这样进行加湿的原因是，为了防止从曝光装置B4搬送的晶片W干燥。
在此，结合图4对搬送臂5进行说明，构成该搬送臂5的搬送基体50沿着导轨(guide)55自由升降，导轨55构成为围绕铅直轴旋转自由且进退自由。该搬送基体50上设置有具有例如平板型的类似叉子(fork)的形状、可以通过移动体51、52独立地进退的上下两个臂体(保持体)53、54。
此外，在本说明书中，将搬送基板的搬送机构中与基板接触并保持该基板的部分记为臂体，将支撑该臂体并使之移动的部分记为搬送基体，将包含臂体和搬送基体的搬送机构记为搬送臂。
下面，结合图5和图6对清洗单元6进行说明。图5和图6分别为清洗单元6的纵截面图和横截面图，表示搬送臂5的臂体53进入清洗单元6内部的状态。清洗单元6具有框体60，在该框体60的侧壁部形成有搬入保持在上述臂体53上的晶片W的搬送口61，设计成通过闸板62自由开闭。为了后述搬送臂7接收晶片W，在另一侧壁部还形成有能够进入的搬送口70，设计成通过闸板70a自由开闭。
在框体60内部，在与臂体53的进入路径相对的顶板部，设置有臂清洗头(以下称清洗头)63。该清洗头63与臂体53的进入方向垂直地延伸，其长边方向的长度形成为覆盖臂体53的整体宽度。该清洗头63的上部连接有清洗液供给管64和吹扫气体(purge gas)供给管65，在清洗头63的下部形成有清洗液供给口、吹扫气供给口。此外，清洗液供给口、吹扫气供给口，例如分别沿着清洗头63的长边方向设置，各供给口例如由很多孔呈直线状穿孔而构成。清洗液喷出口和清洗液供给管64、吹扫气供给口和吹扫气供给管65分别通过清洗头63内部形成的通路连通，清洗液供给管64通过阀64a与贮存有例如纯水等清洗液的清洗液供给源64A连接。吹扫气供给管65通过阀65a与贮存有例如N2(氮气)等不活泼气体的吹扫气供给源65A连接。在清洗头63的下部设置有用于回收废液(清洗液)的杯体66，杯体66的下部与兼用作吸引管的排液管67连通。
另外，除上述清洗头63之外，在内侧顶板上还设置有作为清洗液供给部的喷头71，在该喷头71的上部分别连接有清洗液供给管72和作为干燥用气体的吹扫气供给管73。在喷头71的下部，分别地或交替地设置有例如由很多小孔构成的清洗液喷出口和吹扫气喷出口，此时，吹扫气喷出口和吹扫气供给管73、清洗液供给口和清洗液供给管72通过喷头71内部形成的通路连通。此外，也可以共用清洗液供给口和吹扫气供给口。吹扫气供给管73通过阀73a与吹扫气供给管65连接，并且清洗液供给管72通过阀72a与清洗液供给管64连接，通过切换各供给管上设置的阀，清洗液和吹扫气的供给部位被切换为清洗头63或喷头71中的任意一个。
在喷头71中央部的下方，设置有用于使晶片W保持水平的载置台74，该载置台74由通过真空吸引晶片W的背面中央部而将晶片W保持大致水平的例如真空吸盘(vacuum chuck)构成。该载置台74设计成：深入到臂53的中部空间，可以在与臂53之间传递晶片W。74b为驱动机构，用于使载置台74围绕铅直轴旋转。
在载置台74的周围设置有例如3根销(pin)75，可以由驱动机构75b通过升降部件75a进行升降。通过使销75升降，可以在臂体53和载置台74之间传递晶片W。另外，以包围该载置台74的方式设置有杯体76，，杯体76的下部与排液管77连通。该排液管77和上述排液管67连通，其端部通过阀77a与例如喷射泵(ejector pump)等吸引装置78连接。
回到图3对搬送室3B进行说明，搬送室3B与搬送室3A相同地被框体包围，另外，在该框体的侧面的面板上形成有由闸板自由开闭的搬送口(图未示)，用于在搬送室3A、3B之间传送晶片。在搬送室3B内从承载器载置部B1一侧观察的左侧，例如上下层叠地设置有具有例如兼作冷却盘的晶片W传送用载台的2个高精度温度调节单元34。
另一方面，在从搬送室3B中的承载器载置部B1一侧观察的右侧的下方，设置有从清洗单元6接收晶片W的搬送臂7。搬送臂7升降自由，具有围绕铅直轴自由旋转的搬送基体7B，臂体7A构成为在该搬送基体7B上进退自由。该搬送臂7A构成为可以通过上述搬送口进入搬送室3A的清洗单元6内。
在搬送臂7的上方，例如上下连接地设置有暂时容纳多片、例如13片晶片W的2个缓冲盒(buffer cassette)36，在其上方还设置有用于只将晶片W的边缘部分选择性地曝光的边缘曝光装置37。在搬送室3B的中央部设置有搬送臂33，该搬送臂33具有通过搬送基体33B升降自由且围绕铅直轴旋转自由的搬送臂33A，上述缓冲盒36和边缘曝光装置37构成为可以传送晶片W。此外，在本实施例中，该搬送臂33和上述搬送臂7相当于第二搬送机构，搬送臂33构成为：通过高精度温度调节单元34将从处理区B2接收的晶片W传送到作为第一搬送机构的搬送臂5，或者将从搬送臂7接收的晶片W搬送至处理区B2。另外，搬送室3B上部的气流控制单元3D构成为：在搬送室3B中，向下方供给一定温度的清洁空气。
但是，虽然没有图示，但本实施方式中的涂布、显像装置设置有控制部，其具有例如由计算机构成的程序存储部。程序存储部中存储有由编写命令的例如软件构成的程序，以实施后述的该涂布、显像装置和曝光装置的操作，即，晶片处理和晶片传送等，通过从控制部中读出该程序，控制部控制该涂布、显像装置的操作。并且，该程序在存储在例如硬盘、光盘、光磁盘(magnet-optical disc)等记录介质中的状态下，被存储到程序存储部中。
下面对上述实施方式的操作进行说明。首先，从外部将容纳有晶片W的承载器2载置到载置部21a上，打开开闭部21和密闭型承载器2的盖体，由传送机构A1取出晶片W。然后，通过构成第一搁板单元U1的一级的传送单元，将晶片W传送到主搬送机构A2，在液处理单元U4内的一个搁板中，进行涂布处理的前处理，例如，在防反射膜形成单元中，在晶片W表面形成用于防止曝光时的光的反射的防反射膜。接下来，在涂布单元中对晶片W涂布抗蚀剂液，形成抗蚀膜。
对形成抗蚀剂液膜的晶片W，在构成搁板单元U1～U3的一个搁板的加热单元中，在例如100℃左右的温度下，进行规定的第一加热处理，然后，将晶片W在冷却单元中冷却到规定的温度。此外，在加热单元具有水平移动的冷却盘的情况下，用该冷却盘冷却。
下面，参照图3和示意性地描绘出晶片W的搬送路径的图7，对接口部中晶片W的搬送进行详细说明。通过臂33将冷却后的晶片W搬送至搬送室3B内(步骤S1)，并搬入到边缘曝光装置37中接受边缘曝光处理。通过搬送臂33将接受了边缘曝光处理的晶片W搬送至高精度温度调节单元34(步骤S2)，在该单元内，将晶片W表面的温度高精度地调节到与曝光装置B4内的温度对应的设定温度。晶片W被冷却后，搬送臂5的臂体54通过搬送口进入到高精度温度调节单元34内，进行晶片W的传送，将晶片W保持在臂体54上(步骤S3)。然后，移动搬送臂5，通过搬送口将晶片W传送至曝光装置B4的载台40A上(步骤S4)。
在曝光装置B4中，将完成如前文所述的液浸曝光处理的晶片W由载台40B经搬送口搬送至搬送室3A内，并被传送至搬送臂5的臂体53(步骤S5)，接收了晶片W的搬送臂5逐渐靠近清洗单元6，清洗单元6的闸板62打开。臂体53前进，如图5和图6所示，在保持晶片W的状态下，臂体53进入清洗单元6内部，通过销75将晶片W传送到载置台74上(步骤S6)。此外，从曝光装置B4向清洗单元6搬送晶片W的期间，通过湿度控制单元3C将搬送室3A内的温度维持在例如与曝光装置B4内相同的温度23℃，同样地将相对湿度也维持在与曝光装置B4内相同的70％。
晶片W的传送后，搬送臂5逐渐离开清洗单元6，闸板62关闭。然后，载置台74水平地旋转，同时，从清洗液供给源64A经喷头71例如以一定时间向载置在载置台74上的晶片W喷出作为清洗液的纯水，以清洗晶片W的表面。清洗液供给一结束，就从吹扫气供给源65A经喷头71向晶片W表面供给N2气体，载置台74继续旋转，由此进行晶片W的干燥。在进行该晶片W的清洗和干燥的期间，通过吸引装置78吸引从晶片W洒落、飞溅并被收集到杯76内的水，经排液管77从清洗单元6内排出。
晶片W的干燥结束后，搬送臂7逐渐接近该清洗单元6，清洗单元6的闸板70a打开。该搬送臂7的臂体7A前进，经搬送口70进入清洗单元6内，通过销75接收晶片W，从清洗单元6退出(步骤7)。然后，在搬送臂7和搬送臂33之间进行晶片W的传送(步骤8)，搬送臂33将接收的晶片W搬送至处理部B2的搁板单元U3中包含的第二加热单元(步骤9)。此外，在上述步骤的进行中，搬送臂33根据曝光装置B4或处理部B2中其他晶片W的搬送状况，按照上述控制部的指示，中断上述步骤的进行，将晶片W暂且保存在缓冲盒36中，然后重新从该缓冲盒36取出晶片W，进行未处理的步骤。
对处理部B2中的晶片W的搬送简单地进行说明。在第二加热单元中进行规定的加热处理，然后，晶片W在冷却单元中被冷却到规定的温度。此外，在第二加热单元具有水平移动的冷却盘的情况下，用该冷却盘进行冷却。然后，晶片W被搬送到显像单元(DEV)进行规定的显像处理，接着，通过主搬送机构A3取出晶片W。此后，通过主搬送机构A2、A3将晶片W搬送至加热单元进行规定的加热处理，随后，在冷却单元中调节到规定的温度。此后，通过第一搁板单元U1的传送单元，使晶片W返回到承载器载置部B1中的例如原来的承载器2中。
前文所述的晶片W的搬送进行了例如预先设定的次数后，搬送臂5在未保持晶片W的状态下靠近清洗单元6。与清洗晶片W时同样，闸板62打开，第一移动体51向清洗单元6内前进，同时，杯体66内部通过吸引装置78形成减压气氛。另外，从清洗液供给源64A向清洗液供给管64内供给纯水，该纯水从清洗头63向下方喷出。喷出纯水期间，臂体53继续前进，由此，进行臂体53的清洗。
臂体53的前进终止时，停止喷出纯水，接着，从吹扫气体供给源65A向吹扫气体供给管65内供给N2气体或洁净空气等，该吹扫气体从清洗头63向下方喷出。喷出吹扫气体期间，臂体53后退，通过吹扫气体除去附着在臂体53表面的作为清洗液的纯水，进行臂体53的干燥。在进行上述的清洗和干燥的期间，使用后的清洗液(废液)被收集到杯体66内部，通过排液管67、77从清洗单元6中除去。此外，清洗液和吹扫气体的喷出过程，并不局限于上述的例子，例如，还可以在臂体53前进或后退期间，喷出清洗液和吹扫气体。另外，还可以使臂体53多次往复，其间喷出清洗液和吹扫气。
根据前文所述的实施方式，通过作为第一搬送机构的搬送臂5将液浸曝光后的晶片W搬送至清洗单元6，由该清洗单元6对液浸曝光后的晶片W进行清洗，因此，即使该晶片W上附着有液浸曝光时抗蚀剂的溶出物等微粒，也可以被除去。另外，如果晶片W的表面附着有液体，则微粒容易附着，但是，将由上述清洗单元6清洗后的晶片W干燥，因此，可以抑制微粒重新附着在晶片W表面。而且，将晶片W通过作为第一搬送机构的搬送臂5搬送至清洗单元6、通过作为第二搬送机构的搬送臂7、33搬送至处理区B2。因而，可以防止微粒污染扩散到处理部B2的各处理单元和该各处理单元处理的晶片W。因此，可以抑制由于对晶片W进行加热处理时因微粒的存在而不能对基板表面均匀地加热而导致的图案的线宽受到影响、显像处理时因微粒使图案损伤等不良状况，从而可以在晶片W上准确地形成微细的抗蚀图。而且，由于可以减少对处理部B2的微粒污染，所以被搬送至曝光装置B4的晶片W上的微粒附着得到抑制，因此，也可以抑制微粒在曝光装置B4中蓄积。因此，可以抑制在液浸曝光时、由于微粒夹杂在液层中并在曝光区域移动而妨碍曝光的不良状况。
另外，搬送臂5使用不同的臂体53(54)接收来自曝光装置B4的晶片W和向曝光装置B4传送晶片W。即，搬送臂5所具有的臂体54不参与保持前文所述的液浸曝光后的晶片W，因此，该搬送臂5不会使液滴或微粒附着在从处理部B2搬送的晶片W，可以将其搬送至曝光装置B4。因此，可以更可靠地抑制曝光装置B4中微粒的蓄积。
另外，存在从晶片W转移的微粒在臂体53上蓄积、微粒在接口部B3内飞散的问题，但是，由清洗单元6例如定期地清洗臂体53以除去附着的微粒，因此，可以避免臂体53成为微粒污染源，而且，没有将臂体53取下另外清洗或替换等麻烦，因此，具有提高装置的维护性的优点。
另外，本实施方式中，由温湿度控制单元3C控制搬送室3A的湿度(加湿)，由此，可以防止从曝光装置B4被搬送至搬送室3A的晶片W在被搬送至清洗单元6之前，液浸曝光时晶片W上附着的液体干燥而形成水印。从而，因该水印对显像处理产生的妨碍被抑制，因此，可以在晶片W上准确地形成抗蚀图。
此外，本实施方式中，为实现接口部的省空间化，设置有保持体清洗单元与基板清洗单元组合设置的清洗单元6，但是也可以是两清洗单元分别分开的结构。另外，同样为实现省空间化，臂体53、臂体54被设置在同一搬送基体50上，构成为一个搬送臂5，但是，也可以将臂体53、臂体54设置在彼此不同的搬送臂上，构成为将各搬送臂作为第一搬送机构。
作为本发明的另一实施方式，图8表示了与上述实施方式不同结构的接口部B3。与前面说明的实施方式相比，未使用搬送臂7，另外，清洗单元6被设置在搬送室3B内。在本实施方式中，设置有搬送臂33作为第二搬送机构，除了与前面的实施方式相同地将清洗结束的晶片W从清洗单元6内搬出并传送到处理部B2以外，还具有从处理部B2接收晶片W并通过高精度温度调节单元34传送到搬送臂5的功能。做成这样的结构也可以得到与前面的实施方式相同的效果。
作为本发明的另一优选实施方式，可以在第一搬送机构中组合设置温湿度控制单元。图9为表示作为那样的第一搬送机构的搬送臂的结构的一个例子。图中81为沿升降轴80升降的升降体，在该升降体81的上部，围绕铅直轴自由旋转地设置有搬送基体82。83为接收、保持液浸曝光后的晶片W的臂体，如图中点划线所示，该臂体83构成为在搬送基体82上进退自由。在搬送基体82的上方，与该搬送基体82相对，设置有具有覆盖晶片W表面大小的作为加湿气体供给部的喷头84。该喷头84通过支撑部件85被设置在升降轴80的上部。86为气体供给管。支撑部件85和喷头84的内部形成与该气体供给管86连通的通路，喷头84的下部形成有与该通路连通的例如由多个小孔构成的喷出口。图中87为空气供给源、88为温度调节部、89为加湿部，从空气供给源87供给的气体，通过气体供给管86从上述喷头84的喷出口向下方喷出，喷出气体的温度和气体中水的含量分别通过温度调节部88和加湿部89控制为设定的值。
曝光结束的晶片W从曝光装置B4被搬送至搬送室3A内时，臂体83前进并接收晶片W，从喷头84的喷出口开始供给加湿气体100，同时，上述搬送臂83后退、回到初始位置(图中实线部分)。保持上述加湿气体连续喷出的状态下，与上述实施方式的搬送臂5同样地，该搬送臂8移动到清洗单元6附近，晶片W被搬入到清洗单元6内。上述结构其作用是，控制曝光后的晶片W周围的湿度、防止曝光时晶片W上附着的水分的干燥，所以，可抑制在晶片W表面形成水印，可防止显像处理受到该水印的妨碍。此外，图9所示的第一搬送机构是具有一个臂体83的结构，但是也可以如上述的实施方式那样，设置两个臂体，使用两个臂体分别进行液浸曝光前的晶片W的搬送和液浸曝光后的晶片W的搬送。
在以上说明中，作为本发明中的被处理基板，并不局限于晶片，也可以是例如液晶显示用的玻璃基板等。

Claims (15)

1.一种涂布、显像装置，具有：设置有将抗蚀剂涂布在基板表面的涂布单元和向曝光后的基板供给显像液并显像的显像单元的处理区，和与在基板表面形成液层后进行液浸曝光的曝光装置连接的接口部，其特征在于：
所述接口部具有：基板清洗单元，对液浸曝光后的基板进行清洗；
第一搬送机构，具有将来自曝光装置的基板搬送到基板清洗单元的保持体；和
第二搬送机构，将来自所述基板清洗单元的基板搬出并搬送到处理区。
2.如权利要求1所述的涂布、显像装置，其特征在于：
所述第二搬送机构将来自处理区的基板传送到第一搬送机构，第一搬送机构将来自处理区的所述基板传送到曝光装置。
3.如权利要求1或2所述的涂布、显像装置，其特征在于：
所述第一搬送机构具有：用于将来自曝光装置的基板搬送到基板清洗单元的专用保持体和用于将基板搬送到曝光装置的专用保持体。
4.如权利要求1或2所述的涂布、显像装置，其特征在于：
所述第二搬送机构由将基板从基板清洗单元取出的搬送臂和从该搬送臂接收基板并传送到处理区的搬送臂构成。
5.如权利要求1或2所述的涂布、显像装置，其特征在于：
所述接口部中设置有保持体清洗单元，用于清洗所述第一搬送机构中的将基板搬送到基板清洗单元的保持体。
6.如权利要求5所述的涂布、显像装置，其特征在于：
所述保持体清洗单元与所述基板清洗单元组合设置。
7.如权利要求6所述的涂布、显像装置，其特征在于：
在与搬送臂向基板清洗单元内的进入路径相对的位置，设置有保持体清洗单元。
8.如权利要求1或2所述的涂布、显像装置，其特征在于：
设置有对被搬送到基板清洗单元的基板的周围的气氛进行加湿的湿度控制单元，用于抑制液浸曝光后的基板的干燥。
9.如权利要求8所述的涂布、显像装置，其特征在于：
所述湿度控制单元与第一搬送机构组合设置。
10.一种涂布、显像方法，由处理区将抗蚀剂涂布在基板表面后，在该基板的表面形成液层并液浸曝光，然后，将该基板搬送到所述处理区，向该基板表面供给显像液并显像，其特征在于，包括：
由第一搬送机构将液浸曝光后的基板搬送到基板清洗单元的工序；
在基板清洗单元中进行基板清洗的工序；和
由第二搬送机构将清洗后的基板从基板清洗单元搬出到处理区的工序。
11.如权利要求10所述的涂布、显像方法，其特征在于：
所述搬送到基板清洗单元的工序，由第一搬送机构所具有的一个专用保持体进行，
还包括由第一搬送机构所具有的另一专用保持体将来自曝光装置的基板搬送到基板清洗单元的工序。
12.如权利要求10或11所述的涂布、显像方法，其特征在于，包括：
由保持体清洗单元对所述第一搬送机构中的将基板搬送至基板清洗单元的保持体进行清洗的工序。
13.如权利要求12所述的涂布、显像方法，其特征在于：
在与搬送臂向基板清洗单元内的进入路径相对的位置，设置有保持体清洗单元。
14.如权利要求10或11所述的涂布、显像方法，其特征在于，包括：
将基板从曝光装置搬入到接口部后，直到搬入到基板清洗单元的期间，对该基板周围的气氛进行加湿的工序。
15.如权利要求14所述的涂布、显像方法，其特征在于：
对基板周围的气氛进行加湿的工序，通过第一搬送机构中设置的湿度控制单元进行。
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