KR101877431B1 - 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 - Google Patents

데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 Download PDF

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Abstract

본 실시 형태에 따른 데이터 처리 방법은, 설계 데이터로부터 묘화 데이터를 작성하고 상기 묘화 데이터를 하전 입자빔 묘화 장치에 등록하는 방법으로서, 상기 설계 데이터의 제1 칩 데이터를 분할한 복수의 제1 프레임 데이터에 대해 복수의 변환 처리를 행하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 공정과, 상기 묘화 데이터의 제2 칩 데이터를 분할한 복수의 제2 프레임 데이터에 대해 복수의 전처리를 행하여 상기 제2 칩 데이터를 하전 입자빔 묘화 장치에 등록하는 공정을 가진다. 상기 복수의 변환 처리 및 상기 복수의 전처리는 각각 프레임 단위의 파이프라인 처리로 행한다. 상기 하전 입자빔 묘화 장치로의 상기 묘화 데이터의 등록을 칩 단위, 복수의 칩을 합친 가상 칩 단위 또는 프레임 단위로 행한다.

Description

데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 {DATA PROCESSING METHOD, CHARGED-PARTICLE BEAM WRITING METHOD AND CHARGED-PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS}
본 발명은 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치에 관한 것이다.
LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스의 회로 선폭은 해마다 미세화되고 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 축소 투영형 노광 장치를 이용하여 석영 상에 형성된 고정밀도의 원화(原畵) 패턴(마스크, 혹은 특히 스테퍼 또는 스캐너에서 이용되는 것은 레티클이라고도 함)을 웨이퍼 상에 축소 전사하는 방법이 채용되고 있다. 고정밀도의 원화 패턴은 전자빔 묘화 장치에 의해 묘화되며, 이른바 전자빔 리소그래피 기술이 이용되고 있다.
전자빔 묘화 장치의 외부(외부 장치)에서 설계 데이터(CAD 데이터)에 대하여 묘화 장치에 적절한 도형 분할 또는 포맷 변환 등의 처리가 행해져, 묘화 장치용 포맷에 기초하는 묘화 데이터가 작성된다. 이 묘화 데이터는 묘화 장치에 전송 · 입력되고, 포맷 검사 또는 샷 밀도의 계산 처리 등의 복수 단의 처리를 포함하는 데이터 등록 처리가 행해진다.
설계 데이터 및 묘화 데이터는 칩 구성 등의 정보를 포함하는 복수의 칩 데이터와 각 칩의 배치 위치 등의 정보를 포함하는 레이아웃 데이터를 가진다. 칩 데이터는 복수의 프레임으로 분할되며, 외부 장치에서의 데이터 변환 처리 또는 묘화 장치에서의 데이터 등록 처리를 프레임을 단위로 한 파이프라인 처리로 함으로써 처리 속도를 향상시키고 있다.
종래에 묘화 장치로의 묘화 데이터의 등록(입력)은 레이아웃 단위로 행해지고 있었으며, 외부 장치에서 모든 칩 데이터 및 레이아웃 데이터에 대한 처리가 종료된 후에 묘화 장치에서의 데이터 등록 처리가 개시되고 있었다. 이 때문에, 묘화 처리의 TAT(Turn Around Time)를 단축시키는 것이 곤란했다.
본 발명의 실시 형태는 묘화 처리의 TAT를 단축시킬 수 있는 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치를 제공한다.
일 실시 형태에 따른 데이터 처리 방법은, 설계 데이터로부터 묘화 데이터를 작성하고 상기 묘화 데이터를 하전 입자빔 묘화 장치에 등록하는 데이터 처리 방법으로서, 상기 설계 데이터의 제1 칩 데이터를 분할한 복수의 제1 프레임 데이터에 대해 복수의 변환 처리를 행하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 공정과, 상기 묘화 데이터의 제2 칩 데이터를 분할한 복수의 제2 프레임 데이터에 대해 복수의 전처리를 행하여 상기 제2 칩 데이터를 하전 입자빔 묘화 장치에 등록하는 공정을 가지고, 상기 복수의 변환 처리 및 상기 복수의 전처리를 각각 프레임 단위의 파이프라인 처리로 행하여, 상기 하전 입자빔 묘화 장치로의 상기 묘화 데이터의 등록을 칩 단위, 복수의 칩을 합친 가상 칩 단위 또는 프레임 단위로 행하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서의 묘화 시스템의 구성도이다.
도 2는 데이터의 계층 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 데이터 처리의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4(a) 및 도 4(b)는 등록 완료 칩 리스트의 예를 나타내는 도면이다.
도 5(a) 및 도 5(b)는 레이아웃 등록 리스트의 예를 나타내는 도면이다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 필요 칩 리스트의 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 비교예에 따른 데이터 처리의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 등록 칩 리스트의 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 변형예에 따른 데이터 처리의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 변형예에 따른 데이터 처리의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
도 1은 실시 형태에서의 묘화 시스템의 구성을 나타내는 개념도이다. 묘화 시스템은 변환 장치(100)와 묘화 장치(200)를 구비한다.
묘화 장치(200)는 제어부(210)와 묘화부(230)를 구비하고 있다. 묘화 장치(200)는 하전 입자빔 묘화 장치의 일례이다. 특히, 가변 성형형의 묘화 장치의 일례이다. 묘화부(230)는 묘화 챔버(묘화실)(240a), 전자 경통(240b), XY 스테이지(250), 전자총(241), 조명 렌즈(242), 제1 성형 애퍼처(243), 투영 렌즈(244), 편향기(245), 제2 성형 애퍼처(246), 대물 렌즈(247), 편향기(248)를 가지고 있다. XY 스테이지(250) 상에는, 묘화 시에는 묘화 대상이 되는 마스크 기판(270)이 배치된다.
묘화부(230)에서 묘화 대상이 되는 마스크 기판(270)은 묘화 챔버(240a)에 수용되며, 묘화 챔버(240a)에는 광학 경통(240b)이 연결되어 있다. 묘화 챔버(240a)는 기밀성을 가지는 진공 챔버로서 기능한다. 또한, 광학 경통(240b)은 묘화 챔버(240a)의 상면에 설치되어 있으며, 광학계에 의해 전자빔을 성형 및 편향시켜 묘화 챔버(240a) 내의 마스크 기판(270)에 대하여 조사한다. 이 때, 묘화 챔버(240a) 및 광학 경통(240b)의 양방의 내부는 감압되어 진공 상태로 되어 있다.
묘화 챔버(240a) 내에는 마스크 기판(270)을 지지하는 스테이지(250)가 설치되어 있다. 이 스테이지(250)는 수평면 내에서 서로 직교하는 X 축 방향과 Y 축 방향(이하, 간단히 X 방향 및 Y 방향이라고 함)으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 또한, 광학 경통(240b) 내에는 전자빔(260)을 출사시키는 전자총 등의 출사부(241)와, 그 전자빔(260)을 집광하는 조명 렌즈(242)와, 빔 성형용의 제1 성형 애퍼처(243)와, 투영용의 투영 렌즈(244)와, 빔 성형용의 성형 편향기(245)와, 빔 성형용의 제2 성형 애퍼처(246)와, 마스크 기판(270) 상에 빔 초점을 맺는 대물 렌즈(247)와, 마스크 기판(270)에 대한 빔 샷 위치를 제어하기 위한 편향기(248)가 배치되어 있다.
이 묘화부(230)에서는 전자빔(260)이 출사부(241)으로부터 출사되고, 조명 렌즈(242)에 의해 제1 성형 애퍼처(243)에 조사된다. 이 제1 성형 애퍼처(243)는 예를 들면 직사각형 형상의 개구를 가지고 있다. 이에 따라, 전자빔(260)이 제1 성형 애퍼처(243)를 통과하면 그 전자빔의 단면 형상은 직사각형 형상으로 성형되고, 투영 렌즈(244)에 의해 제2 성형 애퍼처(246)에 투영된다. 또한, 이 투영 위치는 성형 편향기(245)에 의해 편향 가능하며, 투영 위치의 변경에 의해 전자빔(260)의 형상과 치수를 제어할 수 있다. 그 후, 제2 성형 애퍼처(246)를 통과한 전자빔(260)은 그 초점이 대물 렌즈(247)에 의해 스테이지(250) 상의 마스크 기판(270)에 맞춰져 조사된다. 이 때, 스테이지(250) 상의 마스크 기판(270)에 대한 전자빔(260)의 샷 위치는 편향기(248)에 의해 변경 가능하다.
제어부(210)는 제어 계산기(212), 메모리(214), 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(216) 및 편향 제어부(218)를 가지고 있다. 제어 계산기(212)는 전처리부(220), 샷 데이터 생성부(225) 및 묘화 제어부(226)를 가진다. 전처리부(220)는 입력 · 전송부(221), 포맷 검사부(222), 샷 밀도 산출부(223) 및 정합성 처리부(224)를 포함한다.
전처리부(220), 샷 데이터 생성부(225) 및 묘화 제어부(226)와 같은 기능은 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 전처리부(220), 샷 데이터 생성부(225) 및 묘화 제어부(226)에 입출력되는 데이터 또는 연산 중인 데이터는 메모리(214)에 그때마다 저장된다. 기억 장치(216)는 샷 데이터 생성부(225)에 의해 생성되는 샷 데이터를 저장한다.
샷 데이터 생성부(225)는 후술하는 방법에 의해 등록된 묘화 데이터에 규정되는 묘화 패턴을 스트라이프 형상(직사각형 형상)의 복수의 스트라이프 영역(긴 방향이 X 방향이고 짧은 방향이 Y 방향임)으로 분할하고, 또한 각 스트라이프 영역을 행렬 형상의 다수의 서브 영역으로 분할한다. 추가로, 샷 데이터 생성부(225)는 각 서브 영역 내의 도형의 형상 또는 크기, 위치 등을 결정하고, 또한 도형을 1 회의 샷으로 묘화 불가능한 경우에는 묘화 가능한 복수의 부분 영역으로 분할하여, 샷 데이터를 생성한다. 샷 데이터에는 예를 들면, 도형 종류, 도형 사이즈, 조사 위치 및 도스량(혹은 도스 변조량)과 같은 정보가 정의된다.
묘화 제어부(226)는, 패턴을 묘화할 때, 스테이지(250)를 스트라이프 영역의 긴 방향(X 방향)으로 이동시키면서 전자빔(260)을 편향기(248)에 의해 소정 위치에 샷하여 도형을 묘화한다. 그 후, 1 개의 스트라이프 영역의 묘화가 완료되면, 스테이지(250)를 Y 방향으로 스텝 이동시킨 후에 다음의 스트라이프 영역의 묘화를 행하고, 이를 반복하여 마스크 기판(270)의 묘화 영역 전체에 전자빔(260)에 의한 묘화를 행한다. 묘화 제어부(226)는 샷 데이터에 기초하는 제어 신호를 편향 제어부(218)에 출력하여, 성형 편향기(245) 및 편향기(248)에 의한 전자빔(260)의 편향을 제어한다.
변환 장치(100)는 프랙처링 처리부(102) 및 포맷 변환부(104)를 가지며, 기억 장치(110)에 저장되어 있는 설계 데이터(CAD 데이터)를 처리하고 데이터 변환을 행하여 묘화 데이터를 작성한다. 작성된 묘화 데이터는 기억 장치(120)에 저장된다.
설계 데이터는 칩의 배치 위치 등의 정보를 포함하는 레이아웃 데이터 및 레이아웃에 포함되는 복수의 칩의 각각에 대한 칩 데이터를 가지며, 반도체 집적회로의 설계자 등에 의해 작성된다. 묘화 데이터는 묘화 장치(200)에 입력 가능한 포맷의 데이터이다. 기억 장치(110, 120)로는 예를 들면, 자기 디스크 장치 또는 반도체 디스크 장치(플래시 메모리) 등을 이용하는 것이 가능하다.
설계 데이터는 통상적으로 다수의 미소한 패턴(도형 등)을 포함하고 있으며, 그 데이터량은 크다. 설계 데이터를 데이터 변환하여 작성되는 묘화 데이터의 데이터량은 더 크다. 이 때문에, 데이터를 계층화함으로써 데이터량의 압축화가 도모되고 있다.
도 2는 데이터의 계층 구조의 일례를 나타내는 도면이다. 설계 데이터에서는 칩 상에 복수의 셀이 배치되고, 각 셀에는 이러한 셀을 구성하는 패턴이 되는 도형이 배치되어 있다. 묘화 데이터에서는 도 2에 나타낸 바와 같이 묘화 영역이 칩의 층, 칩 영역을 예를 들면 y 방향을 향해 직사각형 형상으로 복수의 가상 영역으로 분할한 프레임의 층, 프레임 영역을 소정의 크기의 영역으로 분할한 블록의 층, 블록에 포함되는 셀의 층, 셀을 구성하는 패턴이 되는 도형의 층과 같은 일련의 복수의 내부 구성 단위마다 계층화되어 있다.
설계 데이터에는 다각형 도형 등 다양한 형상의 패턴이 포함되어 있으며, 변환 장치(100)의 프랙처링 처리부(102)는 이들 도형을 묘화 장치(200)에 입력 가능한 복수 종류의 사다리꼴로 분할한다. 포맷 변환부(104)는 설계 데이터를 묘화 장치(200)에 적응한 포맷으로 변환한다.
설계 데이터의 각 칩 데이터는 프레임 단위로 분할되며, 프레임 단위의 데이터 파일로 구성되어 있다. 프랙처링 처리부(102)에 의한 도형 분할 처리 및 포맷 변환부(104)에 의한 포맷 변환 처리는 프레임 단위의 파이프라인 처리로 행해진다. 변환 장치(100)는 프레임마다의 묘화 데이터를 생성한다.
묘화 장치(200)의 전처리부(220)의 입력 · 전송부(221)는 기억 장치(120)로부터 묘화 데이터 파일을 입력(전송)한다. 포맷 검사부(222)는 포맷 검사로서 예를 들면 프레임마다 패리티 체크를 행한다.
샷 밀도 산출부(223)는 프레임마다 단위 면적당(또는 묘화 중인 단위 시간당)의 샷 수인 샷 밀도를 산출한다. 입력 · 전송부(221), 포맷 검사부(222) 및 샷 밀도 산출부(223)의 처리는 프레임 단위의 파이프라인 처리로 행해진다.
정합성 처리부(224)는 레이아웃 데이터 및 칩 데이터가 갖춰지지 않으면 할 수 없는 처리 또는 후술하는 정합성 정보에 기초하는 파라미터 변경 체크, 체크섬 검사 등의 정합성 처리를 행한다. 레이아웃 데이터 및 칩 데이터가 갖춰지지 않으면 할 수 없는 처리는 예를 들면, 마스크에 칩이 들어가는지의 여부의 판정 처리이다. 레이아웃 데이터에는 칩이 배치되는 위치 정보가 포함되어 있으나, 칩 사이즈에 관한 정보는 레이아웃 데이터가 아니라 칩 데이터에 포함되어 있다. 정합성 처리부(224)는 레이아웃 데이터에 포함되는 칩의 배치 위치 정보와 칩 데이터에 포함되는 칩 사이즈 정보로부터 마스크에 칩이 들어가는지의 여부를 판정한다.
본 실시 형태에서는 묘화 장치(200)로의 묘화 데이터(칩 데이터)의 등록을 칩 단위로 행한다. 즉, 변환 장치(100)에서 1 칩분의 묘화 데이터가 작성되면, 이 1 칩분의 묘화 데이터의 묘화 장치(200)로의 등록 처리가 행해진다.
도 3에 변환 장치(100) 및 묘화 장치(200)에 의한 데이터 처리의 일례를 나타낸다. 도 3은 마스크에 2 개의 칩(C1, C2)이 포함되고, 칩(C1, C2)의 칩 데이터는 3 개의 프레임(F1 ~ F3)으로 가상 분할되는 것으로 한다. 예를 들면, 도면 중 'C1F1'은 칩(C1)의 프레임(F1)에 대응되는 칩 데이터를 나타낸다.
변환 장치(100)는 칩(C1)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C2)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 도형 분할 및 포맷 변환을 행한다.
변환 장치(100)에서 칩(C1)의 프레임(F3)에 대한 처리가 종료되고 칩(C1)의 묘화 데이터가 작성되면(도 3의 시각(T1)), 묘화 장치(200)의 전처리부(220)가 칩(C1)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 프레임 단위로 파이프라인 처리가 되도록 데이터 전송, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산을 행한다.
또한, 묘화 장치(200)에서 칩(C1)의 칩 데이터를 처리할 때에 필요한 파라미터를 기술한 파라미터 파일이 사전에 준비되어 묘화 장치(200)에 등록되어 있다. 파라미터 파일에는 예를 들면 면적 계산용의 메쉬 사이즈 또는 샷 수 산출용의 최대 샷 사이즈 등이 포함되어 있다. 이 파라미터 파일은 칩 데이터와 함께 묘화 장치(200)에 입력해도 된다.
칩(C1)의 칩 데이터 및 파라미터 파일을 묘화 장치(200)에 등록할 때, 묘화 장치(200)에 대해 레이아웃명이 지정(입력)된다. 지정된 레이아웃명은 묘화 장치(200)의 기억 장치(도시 생략)에서의 당해 레이아웃에 관한 데이터를 저장하는 디렉토리의 명칭으로서 사용된다. 등록된 칩 데이터 또는 레이아웃 데이터는 이 디렉토리에 저장된다.
칩(C1)의 칩 데이터에 대한 데이터 전송, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산의 각 처리가 정상적으로 종료되면, 전처리부(220)는 정합성 정보 및 도 4(a)에 나타낸 것과 같은 등록 완료 칩 리스트를 작성하고, 이 리스트에 칩(C1)의 칩 정보를 등록한다. 등록되는 칩 정보에는 칩명 또는 정합성 정보 파일명이 포함된다.
여기서, 정합성 정보란, 전처리부(220)의 파이프라인 처리 중에 출력된 파일의 체크 섬 정보 또는 파라미터 파일에 기재되어 있던 정보이다. 정합성 정보는 정합성 처리부(224)에 의한 정합성 처리에 이용된다.
변환 장치(100)에서 칩(C2)의 프레임(F3)에 대한 처리가 종료되고 칩(C2)의 묘화 데이터가 작성되면(도 3의 시각(T2)), 묘화 장치(200)의 전처리부(220)가 칩(C2)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 데이터 전송(입력), 포맷 검사 및 샷 밀도 계산을 행한다.
칩(C1)과 마찬가지로, 묘화 장치(200)에서 칩(C2)의 칩 데이터를 처리할 때에 필요한 파라미터를 기술한 파라미터 파일이 사전에 준비되어 묘화 장치(200)에 등록된다.
칩(C2)의 칩 데이터에 대한 데이터 전송, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산의 각 처리가 정상적으로 종료되면, 전처리부(220)는 정합성 정보를 작성하고 또한 도 4(b)에 나타낸 바와 같이 등록 완료 칩 리스트에 칩(C2)의 칩 정보를 등록한다.
변환 장치(100)에서 칩(C2)의 프레임(F3)에 대한 처리가 종료되면, 레이아웃 데이터에 대한 데이터 처리가 행해진다. 레이아웃 데이터는 변환 장치(100)에서 데이터 처리되면(도 3의 시각(T3)), 묘화 장치(200)에 데이터 등록된다.
묘화 장치(200)는 도 5(a)에 나타낸 것과 같은 레이아웃 등록 리스트를 가지고 있으며, 레이아웃 데이터의 등록에 수반하여 레이아웃명 및 칩 준비 상태가 기록된다. 칩 준비 상태는 당해 레이아웃에 포함되는 모든 칩의 칩 데이터가 등록되어 있는지의 여부를 나타낸다.
전처리부(220)는 레이아웃 데이터의 등록에 수반하여 도 6(a)에 나타낸 것과 같은 당해 레이아웃에 포함되는 칩을 리스트화한 필요 칩 리스트를 작성한다. 전처리부(220)는 도 4(a) 및 도 4(b)에 나타낸 등록 완료 칩 리스트를 참조하여 각 칩에 대해 칩 데이터의 등록 처리가 완료되었는지 또는 미완료인지를 기록한다.
도 3에 나타낸 예에서는 칩(C1, C2)의 칩 데이터의 처리 완료 후에 레이아웃 데이터가 등록되기 때문에, 도 6(a)에 나타낸 바와 같이 칩(C1, C2) 모두 등록 처리 '완료'로 기록된다. 모든 칩(칩(C1, C2))의 칩 데이터가 등록되어 있기 때문에, 도 5(a)에 나타낸 바와 같이 레이아웃 등록 리스트의 칩 준비 상태는 등록 완료를 나타내는 'Completed(2/2)'로 기록된다.
도 3에 나타낸 예에서는 변환 장치(100) 및 묘화 장치(200)에서 모든 칩 데이터의 처리 후에 레이아웃 데이터의 처리를 행하였으나, 레이아웃 데이터의 처리는 마지막이 아니어도 된다. 예를 들면, 칩(C1)의 칩 데이터의 처리 후, 칩(C2)의 칩 데이터의 처리 전에 레이아웃 데이터의 처리를 행해도 된다.
이 경우, 전처리부(220)에서의 레이아웃 데이터의 등록 시, 칩(C1)의 칩 데이터의 등록 처리는 완료되어 있으나 칩(C2)의 칩 데이터의 등록 처리는 완료되지 않았다. 이 때문에, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이 필요 칩 리스트에는 칩(C1)은 등록 처리 '완료'로 기록되고, 칩(C2)은 등록 처리 '미완료'로 기록된다. 또한, 레이아웃 등록 리스트의 칩 준비 상태는 도 5(b)에 나타낸 바와 같이 전체 2 칩 중 1 칩만 등록이 완료된 것을 나타내는 'Not Completed(1/2)'로 기록된다. 그 후, 전처리부(220)에 의한 칩(C2)의 칩 데이터의 등록 처리가 완료되면, 필요 칩 리스트는 도 6(b)에 나타낸 것에서 도 6(a)에 나타낸 것으로 바뀌고, 레이아웃 등록 리스트는 도 5(b)에 나타낸 것에서 도 5(a)에 나타낸 것으로 바뀐다.
레이아웃 등록 리스트의 칩 준비 상태가 'Completed'가 되면, 유저가 당해 레이아웃을 선택할 수 있도록 묘화 장치(200)의 작업 화면(도시 생략)에 당해 레이아웃명이 표시된다. 유저가 당해 레이아웃을 선택하여 작업 등록(묘화 개시 지시)하면, 정합성 처리부(224)가 레이아웃 데이터 및 칩 데이터가 갖춰지지 않으면 할 수 없는 처리를 행하거나, 등록 완료 칩 리스트에 기재된 정합성 정보 파일명에 대응되는 정합성 정보에 기초하여 파라미터 변경 체크 또는 체크 섬의 검사 등을 행한다. 체크 섬의 검사에서 위반이 있는 경우에는 전처리부(220)에서의 파이프라인 처리를 칩 단위로 재차 행한다.
정합성 처리부(224)에 의한 정합성 처리 후, 묘화부(230)에 의한 마스크 기판(270)으로의 묘화 처리가 행해진다.
[비교예]
도 7은 묘화 장치(200)로의 묘화 데이터(칩 데이터)의 등록을 레이아웃 단위로 행하는 경우의 데이터 처리의 예를 나타낸다. 도 3에 나타낸 예와 마찬가지로, 마스크에 2 개의 칩(C1, C2)이 포함되고, 칩(C1, C2)의 칩 데이터는 3 개의 프레임(F1 ~ F3)으로 분할되는 것으로 한다.
먼저, 변환 장치(100)는 칩(C1)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C2)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 도형 분할 및 포맷 변환을 행한다. 그리고, 칩(C2)의 프레임(F3)에 대한 처리가 종료되면, 레이아웃 데이터에 대한 데이터 처리가 행해진다.
변환 장치(100)에서 레이아웃 데이터가 데이터 처리되면, 묘화 장치(200)로의 데이터 등록 처리가 개시되고(도 7의 시각(T4)), 묘화 장치(200)에 레이아웃 데이터가 등록된다. 레이아웃 데이터가 등록되면(도 7의 시각(T5)), 묘화 장치(200)는 칩(C1)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C2)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 데이터 전송, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산을 행한다. 그 후, 묘화부(230)에 의한 마스크 기판(270)으로의 묘화 처리가 행해진다. 이 비교예에서는, 묘화 장치(200)에 레이아웃 데이터가 먼저 등록되어 있기 때문에 상기 실시 형태와 같은 정합성 처리는 행해지지 않는다.
비교예에 따른 데이터 처리와 같이 묘화 데이터(칩 데이터)의 등록을 레이아웃 단위로 행하는 경우, 변환 장치(100)에서 모든 데이터에 대한 처리가 완료된 후에 묘화 장치(200)로의 데이터 등록을 개시한다. 이 때문에, 묘화 처리의 TAT(도 7의 TAT2)가 길어진다.
한편, 상기 실시 형태에서는, 묘화 장치(200)로의 묘화 데이터의 등록은 칩 단위로 행해진다. 예를 들면, 도 3에 나타낸 바와 같이 칩(C1)의 프레임(F3)에 대한 처리가 종료되고 칩(C1)의 묘화 데이터가 작성되면, 칩(C1)의 칩 데이터의 묘화 장치(200)로의 등록 처리가 행해진다. 이 때문에, 묘화 처리의 TAT(도 3의 TAT1)를 비교예에서의 TAT(TAT2)보다 단축시킬 수 있다.
예를 들면, 레이아웃에 5 개의 칩이 포함되며, 각 칩이 200 프레임으로 분할되고, 각 프레임 처리 시간이 30 초, 레이아웃 처리 시간이 10 분, 묘화부(230)에 의한 실제 묘화 시간이 8 시간, 정합성 처리에 필요로 하는 시간이 30 분으로 한 경우, 본 실시 형태와 같이 칩 단위로 묘화 데이터를 등록하면, TAT는 18.5시간이 된다. 한편, 비교예와 같이 레이아웃 단위로 묘화 데이터를 등록하면, TAT는 25 시간이 된다. 본 실시 형태에 따른 방법은 비교예의 방법보다 TAT를 약 25% 단축시킬 수 있다.
도 8에 나타낸 것과 같은, 묘화 장치(200)로 칩 데이터를 등록하는 복수의 칩을 합쳐 기술한 등록 칩 리스트를 준비하고, 묘화 장치(200)로의 칩 데이터 등록 시의 입력으로서 이 등록 칩 리스트를 지정함으로써 복수의 칩 데이터의 등록을(자동적으로) 연속으로 행하도록 해도 된다.
등록 칩 리스트에는 각 칩의 칩명, 칩 데이터 저장 디렉토리 패스, 파라미터 파일 패스 등이 기술된다. 또한, 등록 칩 리스트에 칩의 마스크 상에서의 배치 좌표, 각 칩의 상대 좌표, 칩 머지 대상의 칩 등을 기재해도 된다.
상기 실시 형태에서는 묘화 장치(200)에 대하여 칩 단위로 칩 데이터를 등록하는 예에 대해 설명하였으나, 레이아웃 단위보다 하위의 단위이면 되며, 예를 들면 복수의 칩을 합친 가상 칩 단위 또는 칩 단위보다 하위의 프레임 단위여도 된다.
도 9는 가상 칩 단위로 칩 데이터를 등록하는 경우의 변환 장치(100) 및 묘화 장치(200)에 의한 데이터 처리의 일례를 나타낸다. 도 9의 예에서는 마스크에 4 개의 칩(C1 ~ C4)이 포함되고, 칩(C1 ~ C4)의 칩 데이터는 3 개의 프레임(F1 ~ F3)으로 분할되며, 2 개의 칩을 합쳐 가상 칩 단위로 한다.
변환 장치(100)는 칩(C1)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C2)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C3)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C4)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 도형 분할 및 포맷 변환을 행한다.
변환 장치(100)에서 칩(C2)의 프레임(F3)에 대한 처리가 종료되고 칩(C1 및 C2)의 묘화 데이터가 작성되면(도 9의 시각(T6)), 묘화 장치(200)의 전처리부(220)가 칩(C1)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C2)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 프레임 단위로 파이프라인 처리가 되도록 데이터 전송, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산을 행한다.
그 후, 변환 장치(100)에서 칩(C4)의 프레임(F3)에 대한 처리가 종료되고 칩(C3 및 C4)의 묘화 데이터가 작성되면(도 9의 시각(T7)), 묘화 장치(200)의 전처리부(220)가 칩(C3)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C4)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 입력, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산을 행한다.
이러한 가상 칩 단위에 의한 칩 데이터의 등록에 의해서도 전술한 비교예와 같이 레이아웃 단위로 칩 데이터를 등록하는 경우보다 묘화 처리의 TAT를 단축시킬 수 있다.
도 10은 프레임 단위로 칩 데이터를 등록하는 경우의 변환 장치(100) 및 묘화 장치(200)에 의한 데이터 처리의 일례를 나타낸다. 도 10에 나타내는 예는 마스크에 2 개의 칩(C1, C2)이 포함되고, 칩(C1, C2)의 칩 데이터는 3 개의 프레임(F1 ~ F3)으로 분할되는 것으로 한다.
변환 장치(100)는 칩(C1)의 프레임(F1, F2, F3), 칩(C2)의 프레임(F1, F2, F3)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 도형 분할 및 포맷 변환을 행한다.
변환 장치(100)에서 칩(C1)의 프레임(F1)에 대한 처리가 종료되고 이 프레임의 묘화 데이터가 작성되면(도 10의 시각(T8)), 묘화 장치(200)의 전처리부(220)가 칩(C1)의 프레임(F1)에 대해 데이터 전송, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산을 차례로 행한다.
변환 장치(100)에서 칩(C1)의 프레임(F2)에 대한 처리가 종료되고 이 프레임의 묘화 데이터가 작성되면(도 10의 시각(T9)), 묘화 장치(200)의 전처리부(220)가 칩(C1)의 프레임(F2)에 대해 데이터 전송, 포맷 검사 및 샷 밀도 계산을 차례로 행한다. 전처리부(220)에서의 데이터 처리는 프레임(F1, F2)의 순으로 파이프라인 처리가 되도록 행해진다. 이하, 마찬가지로 1 개의 프레임에 대해 변환 장치(100)의 처리가 종료되면, 이 프레임에 대하여 전처리부(220)가 처리를 행한다.
이러한 프레임 단위에 의한 칩 데이터의 등록에 의해서도 전술한 비교예와 같이 레이아웃 단위로 칩 데이터를 등록하는 경우보다 묘화 처리의 TAT를 단축시킬 수 있다.
상기 실시 형태에 따른 묘화 장치는 가변 성형형이 아니라 멀티빔 묘화 장치여도 된다. 상기 실시 형태에서는 하전 입자빔의 일례로서 전자빔을 이용한 구성에 대해 설명하였으나, 하전 입자빔은 전자빔에 한정되지 않으며, 이온빔 등의 다른 하전 입자빔이어도 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로에 한정되지 않으며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의해 다양한 발명을 형성할 수 있다. 예를 들면, 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 걸쳐 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.

Claims (10)

  1. 설계 데이터로부터 묘화 데이터를 작성하고 상기 묘화 데이터를 하전 입자빔 묘화 장치에 등록하는 데이터 처리 방법으로서,
    상기 설계 데이터의 제1 칩 데이터를 분할한 복수의 제1 프레임 데이터에 대해 복수의 변환 처리를 행하여 상기 묘화 데이터를 작성하는 공정과,
    상기 묘화 데이터의 제2 칩 데이터를 분할한 복수의 제2 프레임 데이터에 대해 복수의 전처리를 행하여 상기 제2 칩 데이터를 하전 입자빔 묘화 장치에 등록하는 공정
    을 가지고,
    상기 복수의 변환 처리 및 상기 복수의 전처리를 각각 프레임 단위의 파이프라인 처리로 행하여,
    상기 하전 입자빔 묘화 장치로의 상기 묘화 데이터의 등록을 레이아웃 단위 보다 하위의 단위인 칩 단위, 복수의 칩을 합친 가상 칩 단위 또는 프레임 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하전 입자빔 묘화 장치에 상기 묘화 데이터의 모든 칩 데이터 및 레이아웃 데이터를 등록한 후, 상기 칩 데이터 및 상기 레이아웃 데이터를 이용한 처리를 포함하는 정합성 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 정합성 처리에서는 상기 레이아웃 데이터에 포함되는 칩의 배치 위치 정보와 상기 칩 데이터에 포함되는 칩 사이즈 정보로부터 마스크에 칩이 들어가는지의 여부를 판정하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 레이아웃 데이터의 등록에 수반하여 레이아웃명과 이 레이아웃에 포함되는 모든 칩의 칩 데이터가 등록되었는지의 여부를 나타내는 칩 준비 상태를 레이아웃 등록 리스트에 기록하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전처리는 포맷 검사 및 샷 밀도의 산출을 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 방법.
  6. 설계 데이터의 제1 칩 데이터를 분할한 복수의 제1 프레임 데이터에 대해 외부 장치가 복수의 변환 처리를 파이프라인 처리로 행하여 작성된 묘화 데이터가 등록되는 하전 입자빔 묘화 장치로서,
    상기 묘화 데이터의 제2 칩 데이터를 분할한 복수의 제2 프레임 데이터에 대해 복수의 전처리를 파이프라인 처리로 행하여 상기 제2 칩 데이터를 등록하고, 상기 묘화 데이터의 모든 칩 데이터 및 레이아웃 데이터를 등록한 후에 상기 칩 데이터 및 상기 레이아웃 데이터를 이용한 처리를 포함하는 정합성 처리를 행하는 전처리부와,
    상기 전처리부에 의해 처리된 데이터를 이용하여 하전 입자빔에 의해 기판에 패턴을 묘화하는 묘화부
    를 구비하고,
    상기 묘화 데이터의 등록을 레이아웃 단위 보다 하위의 단위인 칩 단위, 복수의 칩을 합친 가상 칩 단위 또는 프레임 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전처리부는 상기 정합성 처리로서 상기 레이아웃 데이터에 포함되는 칩의 배치 위치 정보와 상기 칩 데이터에 포함되는 칩 사이즈 정보로부터 마스크에 칩이 들어가는지의 여부를 판정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 레이아웃 데이터의 등록에 수반하여 레이아웃명과 이 레이아웃에 포함되는 모든 칩의 칩 데이터가 등록되었는지의 여부를 나타내는 칩 준비 상태를 레이아웃 등록 리스트에 기록하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 전처리부는 상기 전처리로서 포맷 검사 및 샷 밀도의 산출을 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 장치.
  10. 설계 데이터의 제1 칩 데이터를 분할한 복수의 제1 프레임 데이터에 대해 외부 장치가 복수의 변환 처리를 파이프라인 처리로 행하여 작성된 묘화 데이터를 이용하는 하전 입자빔 묘화 방법으로서,
    상기 묘화 데이터의 제2 칩 데이터를 분할한 복수의 제2 프레임 데이터에 대해 복수의 전처리를 파이프라인 처리로 행하여 상기 제2 칩 데이터를 하전 입자빔 묘화 장치에 등록하는 공정과,
    상기 묘화 데이터의 모든 칩 데이터 및 레이아웃 데이터를 등록한 후에 상기 칩 데이터 및 상기 레이아웃 데이터를 이용한 처리를 포함하는 정합성 처리를 행하는 공정과,
    상기 정합성 처리 후의 데이터를 이용하여 하전 입자빔에 의해 기판에 패턴을 묘화하는 공정
    을 구비하고,
    상기 묘화 데이터의 등록을 레이아웃 단위 보다 하위의 단위인 칩 단위, 복수의 칩을 합친 가상 칩 단위 또는 프레임 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자빔 묘화 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6819475B2 (ja) * 2017-06-14 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006318977A (ja) * 2005-05-10 2006-11-24 Toshiba Corp 電子ビーム描画装置、描画方法、及び描画プログラム
JP2007128933A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
KR20080010315A (ko) * 2006-07-26 2008-01-30 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법
JP2009081340A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Nuflare Technology Inc 描画装置及び描画方法
JP2010267907A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4912487A (en) 1988-03-25 1990-03-27 Texas Instruments Incorporated Laser scanner using focusing acousto-optic device
JPH0574693A (ja) * 1991-09-18 1993-03-26 Toshiba Corp 荷電ビーム描画方法
JP3071899B2 (ja) * 1991-09-30 2000-07-31 株式会社東芝 荷電ビーム描画用データ作成装置
US6313476B1 (en) * 1998-12-14 2001-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam lithography system
US6812045B1 (en) * 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
JP2004363085A (ja) 2003-05-09 2004-12-24 Ebara Corp 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2006277727A (ja) 2005-03-04 2006-10-12 Canon Inc レイアウト処理方法、情報処理装置及びコンピュータプログラム
JP2009271830A (ja) 2008-05-09 2009-11-19 Nuflare Technology Inc 描画データ分散処理方法およびマスク描画装置
JP5302606B2 (ja) * 2008-09-18 2013-10-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5349880B2 (ja) * 2008-09-22 2013-11-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画方法
JP5498106B2 (ja) * 2009-09-15 2014-05-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5547553B2 (ja) * 2010-05-26 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
US20130215146A1 (en) 2012-02-17 2013-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Image-drawing-data generation apparatus, method for generating image drawing data, and program

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006318977A (ja) * 2005-05-10 2006-11-24 Toshiba Corp 電子ビーム描画装置、描画方法、及び描画プログラム
JP2007128933A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Nuflare Technology Inc 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
KR20080010315A (ko) * 2006-07-26 2008-01-30 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법
JP2009081340A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Nuflare Technology Inc 描画装置及び描画方法
JP2010267907A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置およびその描画データ処理方法

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