JPS5982725A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPS5982725A JPS5982725A JP19245382A JP19245382A JPS5982725A JP S5982725 A JPS5982725 A JP S5982725A JP 19245382 A JP19245382 A JP 19245382A JP 19245382 A JP19245382 A JP 19245382A JP S5982725 A JPS5982725 A JP S5982725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- control system
- sample
- target
- lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線描画装置に係シ、特に描画位置の補正の
できる電子線描画装置に関する。
できる電子線描画装置に関する。
従来の電子線描画装置にあっては、レーザ干渉測長計等
の位置計測手段を絶対的に正しいものとして、目標位置
まで試料台を移動させた後、レーザ干渉測長針によって
停止位置を測定し、目標位置と停止位置の誤差、すなわ
ち停止誤差を電子ビーム偏向系へ補正データとして与え
、精度良く電子ビームをターゲット上に照射していた。
の位置計測手段を絶対的に正しいものとして、目標位置
まで試料台を移動させた後、レーザ干渉測長針によって
停止位置を測定し、目標位置と停止位置の誤差、すなわ
ち停止誤差を電子ビーム偏向系へ補正データとして与え
、精度良く電子ビームをターゲット上に照射していた。
しかしながら、レーザ干渉測長針は平面鏡を用いておシ
、平面鏡の取付方法や、平面鏡そのものの結晶化変質、
加工精度によってはたとえば±０．５μｍの誤差が生じ
必ずしも理想的な直交座標上の計測値が得られず、その
結果描画されたパタンは配列に乱れを生じる。平面鏡が
湾曲していれば、バタン配列も湾曲するごとくである。
、平面鏡の取付方法や、平面鏡そのものの結晶化変質、
加工精度によってはたとえば±０．５μｍの誤差が生じ
必ずしも理想的な直交座標上の計測値が得られず、その
結果描画されたパタンは配列に乱れを生じる。平面鏡が
湾曲していれば、バタン配列も湾曲するごとくである。
電子線描画装置における描画パターンの位置精度は現状
の製造工程で既に±０．２μｍ以内を要求されており、
今後の集積技術の進歩によっては一段と要求が敵しくな
ってくる。
の製造工程で既に±０．２μｍ以内を要求されており、
今後の集積技術の進歩によっては一段と要求が敵しくな
ってくる。
本発明の目的は上述した従来法の欠点を除去し仮にレー
ザ干渉副長側の平面鏡に歪みがあっても目標位置に正し
く描画を実施する技術を提供することにある。
ザ干渉副長側の平面鏡に歪みがあっても目標位置に正し
く描画を実施する技術を提供することにある。
上記目的を達成するため、不発明はテストバタンをあら
かじめ描画し、その描画位置を他の計測手段を用いて計
測することによって描画装置における測長針の正しい位
置からの計測誤差を求めてコンピュータシステム上に記
憶しておき、目標位置へ移動する毎に、試料台の位置補
正を実施するようにしたものである。
かじめ描画し、その描画位置を他の計測手段を用いて計
測することによって描画装置における測長針の正しい位
置からの計測誤差を求めてコンピュータシステム上に記
憶しておき、目標位置へ移動する毎に、試料台の位置補
正を実施するようにしたものである。
〔発明の実施例〕
第１図を用いて本発明の全体構成について説明する。電
子銃１から発射された電子ビーム２は、絞、９３，６．
８および電子レンズ４，７．９によって所望の形状と電
流密度に制御されて試料１１上に照射される。一方、試
料１１上に描画されるバタンデータはＣＰＵ１６によっ
て外部メモリ１５から読み出され、さらに描画部」両系
１８に転送される。描画制御系１８は、偏向制御系１９
に照射位置情報を、ブラキング制御系１７に電子ビーム
２のＯＮ、ＯＦＦ情報を転送し、偏向器１０、ビームブ
ランカ５を制御することによって試料１１上にパターン
が形成される。偏向器１０で偏向可能な領域は、描画図
形の位置精度、寸法精度を考Ｍ、すると比較的小さく、
通常１０ｍ＋０以下である。従って試料１１上に同一バ
タンを複数個描画する場合、あるいは電子ビーム偏向可
能領域を越える様な大きなバタンデータを描画する場合
は試料台１２の移動を伴なう。ＣＰＵ１６から試料台１
２の目標位置を試料台制御系２０に与えられる。試料台
制御系２０はレーザ干渉測長糸１４から現在位置と目標
位置の間の差分を移動量データとしてもモータ駆動系２
１に与えられる。モータ駆動系２１は現在位置と目標位
置の差分データが０になる様に駆動し、差分データが０
になった時点でモータ１３が停止される。
子銃１から発射された電子ビーム２は、絞、９３，６．
８および電子レンズ４，７．９によって所望の形状と電
流密度に制御されて試料１１上に照射される。一方、試
料１１上に描画されるバタンデータはＣＰＵ１６によっ
て外部メモリ１５から読み出され、さらに描画部」両系
１８に転送される。描画制御系１８は、偏向制御系１９
に照射位置情報を、ブラキング制御系１７に電子ビーム
２のＯＮ、ＯＦＦ情報を転送し、偏向器１０、ビームブ
ランカ５を制御することによって試料１１上にパターン
が形成される。偏向器１０で偏向可能な領域は、描画図
形の位置精度、寸法精度を考Ｍ、すると比較的小さく、
通常１０ｍ＋０以下である。従って試料１１上に同一バ
タンを複数個描画する場合、あるいは電子ビーム偏向可
能領域を越える様な大きなバタンデータを描画する場合
は試料台１２の移動を伴なう。ＣＰＵ１６から試料台１
２の目標位置を試料台制御系２０に与えられる。試料台
制御系２０はレーザ干渉測長糸１４から現在位置と目標
位置の間の差分を移動量データとしてもモータ駆動系２
１に与えられる。モータ駆動系２１は現在位置と目標位
置の差分データが０になる様に駆動し、差分データが０
になった時点でモータ１３が停止される。
ここで試料台には慣性があシ、差分データ０の位置で直
ちにモータを停止しても十数μｍの停止誤差が発生する
。このため、描画位置をレーザ干渉測長針１４を用いて
読み取シ目標位置との差、すなわち停止誤差をＣＰＵ１
６を介して偏向制御系１９に補正データとして与えられ
る。
ちにモータを停止しても十数μｍの停止誤差が発生する
。このため、描画位置をレーザ干渉測長針１４を用いて
読み取シ目標位置との差、すなわち停止誤差をＣＰＵ１
６を介して偏向制御系１９に補正データとして与えられ
る。
すなわち、第２図は試料１１上の描画結果であシ、通常
試料１１はカラスの上にクロムを蒸着し、更にその上に
電子線感光剤（レジストと称する）を塗布したものであ
る。マスク上に描画されたパターンをテップ２２と称す
るが、第２図における実線に囲まれた部分が集積回路−
素子分に相当する。チップ２２内の破線で示した領域が
電子ビーム偏向領域を表わし一破線内の領域の描画が終
了すると試料台２２を移動し、試料台の移動と描画をく
ｐ返すことによシ第２図に示す様に試料１１全面にチッ
プ２２のパターンが描画される。
試料１１はカラスの上にクロムを蒸着し、更にその上に
電子線感光剤（レジストと称する）を塗布したものであ
る。マスク上に描画されたパターンをテップ２２と称す
るが、第２図における実線に囲まれた部分が集積回路−
素子分に相当する。チップ２２内の破線で示した領域が
電子ビーム偏向領域を表わし一破線内の領域の描画が終
了すると試料台２２を移動し、試料台の移動と描画をく
ｐ返すことによシ第２図に示す様に試料１１全面にチッ
プ２２のパターンが描画される。
一方レーザ干渉測長計の平面鏡が湾曲していると本来格
子状に配列されるべきチップ２２は第３図に示すような
配列となる。第３図において点線で示した位置が理想的
に配列された場合であシ、実線で示した位置がレーザ干
渉測長計の平面鏡が湾曲している場合のチップ配列位置
である。
子状に配列されるべきチップ２２は第３図に示すような
配列となる。第３図において点線で示した位置が理想的
に配列された場合であシ、実線で示した位置がレーザ干
渉測長計の平面鏡が湾曲している場合のチップ配列位置
である。
したがって予めテストバタンを描画し、各格子点におけ
る理想的な位置からのずれ量、すなわち第３図における
ΔＸのような値をＸ軸方向、Ｙ軸方向それぞれについて
測定する。第２図に示すようなチップ配列であればＸ方
向８チツプ、Ｙ方向８チツプであるから合計６４点につ
いて理想位置からのずれ量を計測する。これらの値を（
ΔＸｌ＋Δｙ＋）、（ΔＸ１．Δｙ２）・・・・・・（
ΔＸ、、。
る理想的な位置からのずれ量、すなわち第３図における
ΔＸのような値をＸ軸方向、Ｙ軸方向それぞれについて
測定する。第２図に示すようなチップ配列であればＸ方
向８チツプ、Ｙ方向８チツプであるから合計６４点につ
いて理想位置からのずれ量を計測する。これらの値を（
ΔＸｌ＋Δｙ＋）、（ΔＸ１．Δｙ２）・・・・・・（
ΔＸ、、。
Δｙ−・・・■
ｍ ＝ １〜６４
と表わす。
次にこれらのデータをＣＰＵＩ ６を通して外部メモリ
１５あるいはＣＰＵ１６内に記憶する。
１５あるいはＣＰＵ１６内に記憶する。
次に実際に集積回路素子パターンを描画する場合には、
試料台の目標位置として下記に示すデータを試料台制御
系２０に与える。
試料台の目標位置として下記に示すデータを試料台制御
系２０に与える。
（ｍ＝１〜６４）
■式においてＸ、、Ｙ、は試料台制御系２０に与える実
際の目標位置、ΔＸ。、Δｙ、ｆｉはテストバタンを描
画して測定されたレーザ干渉測長針の歪みデータ、ｘ、
ｙ、が本来試料台１２が移動されるべき理想的な目標位
置を表わす。
際の目標位置、ΔＸ。、Δｙ、ｆｉはテストバタンを描
画して測定されたレーザ干渉測長針の歪みデータ、ｘ、
ｙ、が本来試料台１２が移動されるべき理想的な目標位
置を表わす。
このように構成した電子線描画装置は、温度。
振動など装置が安定な環境下で稼動している場合には据
付時に一回補正を実施すれば良い。しかし通常装置の試
料台そのものが高速でステップ移動をくり返すし、更に
冷暖房の温度調整が停電、長期の休み等の原因で停止す
ることもあシ、現実には半年に一回程度あればよいもの
である。
付時に一回補正を実施すれば良い。しかし通常装置の試
料台そのものが高速でステップ移動をくり返すし、更に
冷暖房の温度調整が停電、長期の休み等の原因で停止す
ることもあシ、現実には半年に一回程度あればよいもの
である。
描画精度の検証は９０°回転対称なるバタンを２枚描画
し９０°回転させて重ね合せることによって簡単に行彦
える。
し９０°回転させて重ね合せることによって簡単に行彦
える。
本実施例においては、試料台の目標位置を予め歪量を加
え込んだデータを与える方式を述べたが、試料台停止後
、偏向制御系に与える停止誤差補正データに歪量を加え
込んでも同一の結果が得られる。
え込んだデータを与える方式を述べたが、試料台停止後
、偏向制御系に与える停止誤差補正データに歪量を加え
込んでも同一の結果が得られる。
すなわち、ずれ量ΔＸ１．Δｙ、をマトリクス状にメモ
リする方法でなく Δｘ＝ｆ（ｘ）、ΔＹ＝ｆ（Ｙ） の如く多項式近似するもので、これによればレーザミラ
ーの精度は多少悪くても高精度の描画が可能となる。
リする方法でなく Δｘ＝ｆ（ｘ）、ΔＹ＝ｆ（Ｙ） の如く多項式近似するもので、これによればレーザミラ
ーの精度は多少悪くても高精度の描画が可能となる。
電子線描画装置における試料台の移動範囲は、１５０閣
内外であるから０．５μｍのずれ量であれば５〜６点、
１μｍのずれ量で１０〜１５点として１０順ピツチでデ
ータを保持しておけば良い。
内外であるから０．５μｍのずれ量であれば５〜６点、
１μｍのずれ量で１０〜１５点として１０順ピツチでデ
ータを保持しておけば良い。
移動目標位置が補正位置の中間にある場合には一次近似
を行なう。ミラーの湾曲状態にもよるが、波形など複雑
に湾曲している場合は多項式近似は不能であυ、マトリ
クス状にデータを保持し、−次近似を行なう以外に良い
方法は無いと考えられる。しかしながら、ミラーが円弧
状に湾曲している場合には下式のように二次式で補正が
可能である。
を行なう。ミラーの湾曲状態にもよるが、波形など複雑
に湾曲している場合は多項式近似は不能であυ、マトリ
クス状にデータを保持し、−次近似を行なう以外に良い
方法は無いと考えられる。しかしながら、ミラーが円弧
状に湾曲している場合には下式のように二次式で補正が
可能である。
Δｘ＝ａｘ２＋ｂｘ−１−ｃ …■Δｙ
＝ｔｙ２＋ｆｙ＋ｇ ・・・■すなわち
未知数が３ケ×２であるから３点において実際の位置と
ずれ量を求め連立方程式を解き、ａないしｇの係数を求
めれば良い。次に目標位置（Ｘ、ｌに対して補正量（Δ
Ｘ、Δｙ）を求める。
＝ｔｙ２＋ｆｙ＋ｇ ・・・■すなわち
未知数が３ケ×２であるから３点において実際の位置と
ずれ量を求め連立方程式を解き、ａないしｇの係数を求
めれば良い。次に目標位置（Ｘ、ｌに対して補正量（Δ
Ｘ、Δｙ）を求める。
以上述べたように本発明による電子線描画装置によれば
、仮にレーザ干渉測長計の平面鏡に歪みがあっても目標
位置に正しく描画を実施することができるっ
、仮にレーザ干渉測長計の平面鏡に歪みがあっても目標
位置に正しく描画を実施することができるっ
第１図は、本発明による電子線描画装置の一実施例を示
す全体構成図、第２図はマスクの描画を示す図、第３図
はレーザ干渉計に歪みがある場合の描画を示す図である
。 １・・・電子銃、２・・・電子ビーム、３，６．８・・
・絞り（９） ４．７．９・・・電子レンズ、６・・・ブランカ、１０
・・・偏向器、１１・・・試料、１２・・・ステージ、
１３・・・モータ、１４・・・レーザ干渉測長計、１５
・・・外部メモリ、１６・・・ＣＰＵ、１７・・・ブラ
ンカ制御系、１８・・・描画制御系、１９・・・偏向制
御系、２０・・・試料台制御系、２１・・・モータ駆動
系、２２・・・描画チップ、２３・・・理想位置のチッ
プ。 （１０）
す全体構成図、第２図はマスクの描画を示す図、第３図
はレーザ干渉計に歪みがある場合の描画を示す図である
。 １・・・電子銃、２・・・電子ビーム、３，６．８・・
・絞り（９） ４．７．９・・・電子レンズ、６・・・ブランカ、１０
・・・偏向器、１１・・・試料、１２・・・ステージ、
１３・・・モータ、１４・・・レーザ干渉測長計、１５
・・・外部メモリ、１６・・・ＣＰＵ、１７・・・ブラ
ンカ制御系、１８・・・描画制御系、１９・・・偏向制
御系、２０・・・試料台制御系、２１・・・モータ駆動
系、２２・・・描画チップ、２３・・・理想位置のチッ
プ。 （１０）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、電子ビームを発生する手段、該電子ビームを所望の
形状と密度に制御する手段、該電子ビームを所望の位置
に照射するための偏向手段を有しかつ上記電子ビームを
ターゲット上の所望位置に照射すべくターゲットの移動
手段を有する電子線描画装置において、ターゲットの移
動範囲に対し、所望の移動目標値に対する補正値を記憶
しておき、各移動目標点毎に該補正値によって電子ビー
ム照射位置を補正することを特徴とする電子線描画装置
。 ２、上記補正値をターゲットの移動目標値に加減算しタ
ーゲットの移動を制御する特許請求の範囲第１項記載の
電子線描画装置。 ３、上記補正値をターゲットの移動終了後、電子ビーム
偏向装置に加減算しターゲット上への電子ビーム照射位
置を制御する特許請求の範囲第１項記載の電子線描画装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19245382A JPS5982725A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19245382A JPS5982725A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982725A true JPS5982725A (ja) | 1984-05-12 |
Family
ID=16291548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19245382A Pending JPS5982725A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217686A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザミラ−の位置変位補正方法 |
| JP2014157953A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750432A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Jeol Ltd | Drawing method by electron beam |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19245382A patent/JPS5982725A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750432A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Jeol Ltd | Drawing method by electron beam |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217686A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | レ−ザミラ−の位置変位補正方法 |
| JP2014157953A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法 |
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