KR102241070B1 - 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents

하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시 형태는, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이다. 하전 입자 빔 묘화 장치는, 묘화 대상물을 재치하는 스테이지를 수납하는 묘화실과, 상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물에 하전 입자 빔을 조사하는 빔 조사부와, 상기 스테이지를 이동시키는 스테이지 구동부와, 상기 스테이지의 이동 이력 정보에 기초하여, 상기 묘화실 내의 열원에 의한 상기 묘화 대상물의 온도 분포를 계산하는 온도 분포 계산부와, 상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물의 구속 조건과, 상기 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하는 변형량 계산부와, 상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 묘화 대상물로의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 위치 보정부를 구비한다. 상기 빔 조사부는, 상기 위치 보정부에서 보정된 조사 위치에 기초하여 상기 하전 입자 빔을 조사한다.

Description

하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 {CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS AND CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD}
본 발명의 실시 형태는, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이다.
멀티 패터닝에 의해 웨이퍼 노광 시의 해상도를 향상시키는 리소그래피 기술이 주목을 끌고 있다. 멀티 패터닝에서는, 노광 시의 위치 조정 정밀도 요구가 어려우므로, 웨이퍼에 LSI 패턴을 전사할 때의 원판이 되는 마스크를 제조하는 전자선 묘화 장치의 빔 조사 위치의 정밀도(글로벌 위치 정밀도라고도 부름)가 중요하다. 글로벌 위치 정밀도를 열화시키는 요인의 하나는, 묘화 중의 묘화 대상물(블랭크)의 온도 변형이다.
묘화 대상물에 가까운 열원으로서, 대물 렌즈 블록의 자기 렌즈 코일이나 얼라인먼트 코일, 묘화실의 진공 배기 펌프 등이 있다. 수냉에 의한 제열이나 열 쉴드 등의 대책이 실시되어지고 있으나, 묘화 대상물로의 이들 열 복사에 의한 열 유입을 완전히 막을 수는 없다. 이들 열 유입은, 묘화 중의 묘화 대상물의 온도 변형을 일으켜, 글로벌 위치 정밀도의 열화를 일으킨다.
본 발명의 실시 형태는, 묘화 대상물로의 빔 조사 위치의 정밀도를 향상시킬 수 있는 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법을 제공한다.
본 실시 형태에 의하면, 묘화 대상물을 재치하는 스테이지를 수납하는 묘화실과, 상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물에 하전 입자 빔을 조사하는 빔 조사부와, 상기 스테이지를 이동시키는 스테이지 구동부와, 상기 스테이지의 이동 이력 정보에 기초하여, 상기 묘화실 내의 열원에 의한 상기 묘화 대상물의 온도 분포를 계산하는 온도 분포 계산부와, 상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물의 구속 조건과, 상기 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하는 변형량 계산부와, 상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 묘화 대상물로의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 위치 보정부를 구비하고, 상기 빔 조사부는, 상기 위치 보정부에서 보정된 조사 위치에 기초하여 상기 하전 입자 빔을 조사하는, 하전 입자 빔 묘화 장치가 제공된다.
도 1은, 제1 실시 형태에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 2는, 스트라이프와 서브 필드를 설명하는 도면이다.
도 3a는, 묘화 대상물(6)의 온도 분포의 실측 결과를 나타내는 도면이다.
도 3b는, (1) 내지 (3) 식을 이용한 온도 분포의 계산 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는, 온도 분포와 마스크 기판의 변위량의 계산 결과를 나타내는 도면이다.
도 5는, 제1 실시 형태에 의한 묘화 위치 보정 처리를 나타내는 플로우차트이다.
도 6은, 3 개소의 지지부(40)에서 묘화 대상물(6)을 지지하는 예를 나타내는 도면이다.
도 7은, 구속점이 되는 지지부를 설명하는 도면이다.
도 8은, 제2 실시 형태에 의한 묘화 위치 보정 처리를 나타내는 플로우차트이다.
도 9(a)는 그리드를 나타내는 도면이며, 도 9(b)는 그리드를 구성하는 묘화 패턴을 나타내는 도면이다.
도 10a는, 그리드 패턴의 일 변형예를 나타내는 도면이다.
도 10b는, 그리드 패턴의 다른 일 변형예를 나타내는 도면이다.
도 10c는, 그리드 패턴의 다른 일 변형예를 나타내는 도면이다.
도 11은, 도 8의 스텝 S11의 상세한 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 12는, 도 11의 스텝 S12 내지 S14의 처리 순서를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 13a는, 1S 패턴의 설계 위치와 1S 패턴의 실제 위치와의 위치 오차를 나타내는 도면이다.
도 13b는, 1S 패턴의 위치 오차를 맵화한 1S 맵을 나타내는 도면이다.
도 14a는, 2S 패턴의 설계 위치와 1S 패턴의 실제 위치와의 위치 오차를 나타내는 도면이다.
도 14b는, 2S 패턴의 위치 오차를 맵화한 2S 맵을 나타내는 도면이다.
도 15는, 제3 실시 형태에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 16은, 제3 실시 형태에 의한 묘화 위치 보정 처리를 나타내는 플로우차트이다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 본건 명세서에 첨부하는 도면에서는, 도시와 이해의 용이함의 편의 상, 적절히 축척 및 종횡의 치수비 등을, 실물의 그것들로부터 변경하여 과장하고 있다.
(제1 실시 형태)
도 1은 제1 실시 형태에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다. 이하에서는, 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 일예로서, 전자 빔을 이용한 묘화 장치를 주로 설명하지만, 묘화에 이용하는 하전 입자 빔은 반드시 전자 빔으로 한정되지 않고, X 선이나 감마선 등의 전자 방사선이어도 되고, α 선, β 선, 양자선, 중이온선 등의 입자 방사선 등을 이용하여 묘화를 행해도 된다.
도 1의 하전 입자 빔 묘화 장치(1)는, 묘화 대상물(6)에 대하여 묘화를 행하는 묘화실(2)과, 묘화실(2)에 대하여 하전 입자 빔을 조사하는 경통(3)과, 경통(3)을 제어하는 제어계(4)를 구비하고 있다.
묘화실(2)에는, 이차원 방향으로 이동 가능한 스테이지(5)가 설치되고, 스테이지(5) 상에는 묘화 대상물(6)이 재치되어 있다. 묘화 대상물(6)은, 예를 들면, 석영을 재료로 하는 마스크 기판이며, 블랭크라고도 불리운다. 묘화 대상물(6)의 표면은, 전자 빔에 의해 감광하는 레지스트막으로 덮여 있다.
경통(3)은, 스테이지(5) 상에 재치된 묘화 대상물(6)에 전자 빔을 조사하는 빔 조사부로서 기능한다. 경통(3)의 내부에는, 전자 총(7)과, 콘덴서 렌즈(8)와, 블랭킹 편향기(9)와, 제1 투영 렌즈(10)와, S1 애퍼쳐(11)와, 성형 편향기(12)와, 제2 투영 렌즈(13)와, S2 애퍼쳐(14)와, 중간 렌즈(15)와, 부 편향기(16)와, 대물 렌즈(17)와, 주 편향기(18)가 설치되어 있다. 또한, 경통(3)의 내부의 구조는 임의이며, 반드시 도 1과 같을 필요는 없다.
전자 총(7)은, 전자 빔을 방사한다. 콘덴서 렌즈(8)는, 전자 총(7)의 전자 빔을 집광 시켜 블랭킹 편향기(9)로 이끈다. 블랭킹 편향기(9)는, 묘화를 행하지 않는 때에는 전자 빔을 딴 데로 돌리는 제어를 행한다. 즉, 블랭킹 편향기(9)는, 전자 빔을 조사하는 샷 시간을 제어한다.
S1 애퍼쳐(11)와 S2 애퍼쳐(14)는, 전자 빔의 빔 형상을 가공하기 위하여 설치되어 있다. 성형 편향기(12)는, S1 애퍼쳐(11)를 통과한 전자 빔을 S2 애퍼쳐(14)로 향하는 제어를 행한다. 즉, 성형 편향기(12)는, 샷 형상과 샷 사이즈를 제어한다. 제1 투영 렌즈(10)는, 블랭킹 편향기(9)에서 편향된 전자 빔을 S1 애퍼쳐(11)로 이끈다. 제2 투영 렌즈(13)는, 성형 편향기(12)에서 편향된 전자 빔을 S2 애퍼쳐(14)로 이끈다. 중간 렌즈(15)는, S2 애퍼쳐(14)를 통과한 전자 빔을 집광시켜 부 편향기(16)로 이끈다.
부 편향기(16)는, 후술하는 서브 필드 내의 샷 위치를 제어한다. 대물 렌즈(17)는, 부 편향기(16)에서 편향된 전자 빔을 집광시켜 주 편향기(18)로 이끈다. 주 편향기(18)는, 서브 필드의 중심 위치를 제어한다.
대물 렌즈(17)는, 그 내부에 코일이 설치되어 있고, 코일에는 전류가 흐름으로써 열원이 된다. 또한, 대물 렌즈(17)의 근방에는 얼라인먼트 코일도 설치되어 있고, 이 얼라인먼트 코일도 열원이 된다. 대물 렌즈(17)나 얼라인먼트 코일의 주위에는, 열 쉴드 부재나 냉각 부재가 설치되어 있으나, 요구되는 위치 정밀도에 대하여 냉각 기능이 충분하지 않은 경우, 스테이지(5) 상의 묘화 대상물(6)에도 열이 전반(傳搬)하여 변형되어, 빔 위치 정밀도가 악화될 우려가 있다.
제어계(4)는, 묘화 데이터 생성부(21)와, 패턴 데이터 생성부(22)와, 블랭킹·드라이버(23)와, 빔 성형 드라이버(24)와, 부 편향기 드라이버(25)와, 주 편향기 드라이버(26)와, 편향 제어부(27)와, 스테이지 구동부(28)와, 스테이지 위치 검출부(29)와, 주 제어부(30)를 가진다.
묘화 데이터 생성부(21)는, 묘화 데이터를 생성한다. 패턴 데이터 생성부(22)는, 각 샷에서 사용하는 패턴 데이터를 생성한다. 블랭킹·드라이버(23)와 빔 성형 드라이버(24)는, 편향 제어부(27)로부터의 편향 신호와 패턴 데이터 생성부(22)에서 생성된 패턴 데이터에 기초하여, 각각 블랭킹 편향기(9)와 성형 편향기(12)를 구동한다. 부 편향기 드라이버(25)와 주 편향기 드라이버(26)는, 편향 제어부(27)로부터의 편향 신호와 묘화 데이터 생성부(21)에서 생성된 묘화 데이터에 기초하여, 각각 부 편향기(16)와 주 편향기(18)를 구동한다.
스테이지 구동부(28)는, 주 제어부(30)로부터의 지시에 기초하여 스테이지(5)를 이차원 방향으로 이동시킨다. 스테이지(5)의 위치는 스테이지 위치 검출부(29)에서 검출되어, 주 제어부(30)로 보내어진다. 주 제어부(30)는, 도 1 하전 입자 빔 묘화 장치(1) 내의 각 부를 제어한다.
본 실시 형태에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 묘화 대상물(6)에 있어서의 묘화 영역을 주 편향기(18)의 Y 방향 편향 가능 폭인 직사각형 형상의 복수의 스트라이프(41)로 분할하여, 각 스트라이프(41) 단위로 묘화를 행한다. 각 스트라이프(41)는, 묘화 대상물(6)의 X 방향으로 연장되고, 또한 Y 방향으로 소정의 폭을 가지고 있다. 도 2에서는, 각 스트라이프(41)의 긴 방향을 X 방향, 짧은 방향을 Y 방향으로 하고 있다. 각 스트라이프(41)는, 부 편향기(16)의 편향 가능 사이즈인 복수의 서브 필드(42)로 분할되어 있다. 각 서브 필드(42)에 전자 빔이 조사되어, 원하는 패턴 형상의 묘화가 행해진다. 각 서브 필드(42)의 중심 위치의 제어는 주 편향기(18)에서 행해진다. 각 서브 필드(42)의 묘화를 샷이라고 부른다. 각 서브 필드(42) 내에서의 샷 위치의 제어는, 부 편향기(16)에서 행해진다. 각 서브 필드(42) 내에서의 샷 형상 및 샷 사이즈의 제어는, 성형 편향기(12)에서 행해진다.
스테이지 구동부(28)는, 스테이지(5)를 X 방향으로 이동시키면서, 각 스트라이프(41) 내의 Y 방향의 서브 필드(42)의 수 분만큼 Y 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 각 스트라이프(41) 내의 전체 서브 필드(42)로의 묘화를 행할 수 있다. 묘화 대상물(6) 내의 하나의 스트라이프(41)에 대한 묘화가 끝나면, 다음의 스트라이프(41)에 대한 묘화를 행한다.
다중 묘화를 행하는 경우에는, 하나의 스트라이프(41)에 대한 묘화가 끝나면, 예를 들면 Y 방향으로 스트라이프 폭의 반만큼 이동시켜, 새로운 스트라이프(41)에 대한 묘화를 행한다. 이와 같이, 다중 묘화에서는, 각 스트라이프(41)을 중복시키면서 반복하여 묘화를 행한다.
이에 의해, 하나의 서브 필드(42)에 대하여 복수 회의 묘화를 행하므로, 패턴 위치의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
주 제어부(30)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 온도 분포 계산부(31)와, 변형량 계산부(32)와, 위치 보정부(33)를 가진다. 온도 분포 계산부(31)는, 스테이지(5)의 이동 이력 정보에 기초하여, 묘화실(2) 내의 열원에 의한 묘화 대상물(6)의 온도 분포를 계산한다. 이동 이력 정보는, 위치 이력 정보와 그들의 위치에 체재한 시간 이력 정보 또는 속도 이력 정보를 포함한 정보이다. 변형량 계산부(32)는, 스테이지(5)에 재치된 묘화 대상물(6)의 구속 조건과, 계산된 온도 분포에 기초하여, 묘화 대상물(6)의 변형량을 계산한다. 위치 보정부(33)는, 계산된 변형량에 기초하여, 묘화 대상물(6)로의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정한다. 보다 구체적으로는, 위치 보정부(33)는, 계산된 변형량에 기초하여, 스트라이프(41) 내의 서브 필드(42)마다 전자 빔의 조사 위치를 보정한다.
주 제어부(30)는, 구속 조건 설정부(34)를 가지고 있어도 된다. 구속 조건 설정부(34)는, 복수의 지지부 중, 묘화 대상물(6)과의 접촉면의 정마찰력(靜摩擦力)이 묘화 대상물(6)의 변형 응력보다 큰 하나 이상의 지지부를 묘화 대상물(6)의 구속점으로 하는 구속 조건을 설정한다. 이 경우, 변형량 계산부(32)는, 구속 조건 설정부(34)에서 설정된 구속 조건과, 계산된 온도 분포에 기초하여, 묘화 대상물(6)의 변형량을 계산한다.
본 실시 형태에서는, 스테이지(5)를 이동시키면서 스트라이프(41)마다 묘화를 행하므로, 묘화 대상물(6) 내의 온도 분포가 묘화 도중에 변화해 간다. 묘화 대상물(6) 내의 온도 분포는, 방사 온도계 등으로 실측하지 않아도, 계산에 의한 비교적 정밀도 좋게 구할 수 있다.
묘화 대상물(6) 내의 온도 분포는, 예를 들면, 이하의 (1) 식의 열 전도 방정식으로 구할 수 있다. (1) 식에서, K는 글라스의 열 확산율 [cm2/sec], β는 방열의 시정수 [sec]이다.
Figure 112019049567005-pat00001
시각 ti에 있어서, 마스크 좌표(xi, yi)에 스테이지(5)가 △ti 초 체재한 경우, 열원에 의한 t 초 후의 마스크 좌표(x, y)에 있어서의 온도 상승 △Ti(x, y, t)은, 이하의 (2) 식으로 표시된다. (2) 식에서, L는 묘화 대상물 (6)의 두께 ［cm］, ρ는 석영 글라스의 밀도 ［g/cm3］, Cv는 석영 글라스의 비열 [J/g/K], W는 단위 시간당 묘화 대상물(6)에 유입하는 총 열량 ［J/sec］, σ는 열원의 분포 ［cm］로 가우시안을 가정하고 있다.
Figure 112019049567005-pat00002
임의의 시각 t에 있어서의 임의의 좌표(x, y)에서의 온도 T(x, y, t)는, 이하의 (3) 식으로 표시된다. i는 묘화 개시부터 시각 t까지의 스테이지(5)의 이동 이력 정보이다.
Figure 112019049567005-pat00003
도 3a는, 묘화 대상물(6)의 온도 분포의 실측 결과, 도 3b는, 상술한 (1) 내지 (3) 식을 이용한 온도 분포의 계산 결과를 나타내는 도면이다. 도 3a 및 도 3b에서는, 묘화 대상물(6)로서 정방형의 마스크 기판을 이용하여, 그 마스크 기판의 중심 위치에 열원을 1 시간 배치했을 때에, 도 3b의 계산 결과가 도 3a의 실측 결과를 올바르게 재현할 수 있도록, 식 (2)에 있어서의 열원의 열량(W)과 방열의 시정수(β)와 열원의 분포(σ)를 결정한 것이다.
도 4는, 도 3a 및 도 3b에서 결정한 열원을 이용하여, 마스크 기판을 재치하는 스테이지(5)를 시간과 함께 이동시킨 때의, 온도 분포와 마스크 기판의 변위량의 계산 결과를 나타내는 도면이다. 도 4는, 마스크 기판 상에 구속점을 설치하지 않고, 마스크 기판의 온도 분포와 변위량을 계산한 결과를 나타내고 있다.
도 4에는, 시각 t=16［min］, 110［min］, 160［min］에 있어서의 온도 분포가 상단에 표시되고, 변위량이 하단에 표시되어 있다. 변위량은, 마스크 기판의 각 위치에서의 변위의 크기 및 방향을 화살표 선의 길이 및 방향으로 표시되어 있다.
도 4의 온도 분포의 도면에서는, 색이 진한 영역만큼 온도가 높은 것을 나타내고 있다. 도 4의 예에서는, 시간의 경과에 수반하여, 스테이지(5)를 도시의 하부에 이동시키므로, 마스크 기판 상의 온도가 높은 영역이 상방으로 이동하고, 그에 따라, 변위량이 큰 영역도 상방으로 이동한다.
이와 같이, 마스크 기판을 재치한 스테이지(5)를 이동시키면서 전자선 묘화를 행하는 경우, 스테이지(5)의 위치에 의해 마스크 기판의 온도 분포와 변위량이 변화한다. 따라서, 마스크 기판의 온도 분포와 변위량을 고려에 넣어, 전자선을 조사하는 위치를 보정하는 것이 바람직하다.
도 5는, 제1 실시 형태에 의한 묘화 위치 보정 처리를 나타내는 플로우차트이다. 도 5의 플로우차트는, 묘화 대상물(6)의 스트라이프(41) 단위로 묘화를 행하는 것을 전제로 하여, 스트라이프(41) 내의 서브 필드(42)마다 묘화 위치를 보정하는 것이다.
도 5의 플로우차트는, 도 1의 주 제어부(30)에 의해 실행된다. 우선, 유저로부터의 지시에 따라, 묘화 대상물(6)로의 전자 빔의 묘화를 개시한다(스텝 S1). 이 때, 미도시의 입력부를 통해, 묘화 대상물(6)의 재료나 형상 등에 관한 정보 또는 스테이지(5)의 이동 이력 정보 등을 취득한다. 이어서, 상술한 (1) 내지 (3) 식에 기초하여, 묘화 대상물(6)의 임의의 위치에 있어서의 온도 분포를 계산한다(스텝 S2). 이 스텝 S2에서는, 임의의 위치(x, y) 및 임의의 시각 t에 있어서의 온도 분포 T(x, y, t)를 계산한다.
이어서, 묘화 대상물(6)의 구속 조건을 설정한다(스텝 S3). 묘화 대상물(6)은 스테이지(5) 상의 3 개소 이상의 지지부에서 지지되는 것이 일반적이다. 도 6은, 3 개소의 지지부(40)에서 묘화 대상물(6)을 지지하는 예를 나타내는 도면이다. 3 개소 이상의 지지부(40) 모두가 구속되어 있을 필요는 없다. 스텝 S3에서는, 이들 지지부(40) 중, 정마찰력이 묘화 대상물(6)의 변형 응력보다 큰 1 개 이상의 지지부(40)를 구속점으로 하는 구속 조건을 설정한다. 정마찰력을 묘화 대상물(6)의 변형 응력보다 크게 하려면, 예를 들면, 도 7에 도시한 바와 같이, 지지부(40)의 선단측의 곡율을 완만하게 하여 묘화 대상물(6)과의 접촉 면적을 넓히거나, 지지부(40)의 묘화 대상물(6)과의 접촉 부분의 러프니스를 크게 하는 등이 고려된다. 이와 같이, 1 이상의 지지부는, 묘화 대상물과의 접촉면의 정마찰력이 묘화 대상물의 변형 응력보다 커지도록, 지지부의 선단측의 곡율과, 지지부의 묘화 대상물과의 접촉 부분의 러프니스와의 적어도 일방을 조정해도 된다.
이어서, 스텝 S3에서 설정한 구속 조건에 기초하여, 예를 들면, 유한 요소법을 이용하여 묘화 대상물(6)의 변형량 △Xn((v, w) T(x, y, t))을 계산한다(스텝 S4). 여기서, △Xn는 유한 요소법의 분할에 의해 생긴 n 번째의 절점(節点)의 변위량이다. (v, w)는 구속점의 좌표이다. 또한, 구속점의 수는 1 개보다 많아도 되고, 지지부의 전부여도 된다.
이어서, 묘화 대상물(6)의 변형량에 기초하여, 묘화 대상물(6)의 스트라이프(41) 내의 서브 필드(42)마다 묘화 위치를 보정한다(스텝 S5). 스트라이프(41) 내의 k 번째의 서브 필드(42)의 원점 좌표의 보정량을 (△xk,△yk), k 번째의 서브 필드(42)에 최근접하는 절점 nk에 있어서의 변위량을 (△Xnk,△Ynk)로 하면, (△x1,△y1)=(△Xn1,△Yn1), (△x2,△y2)=(△Xn2,△Yn2), ..., (△xk,△yk)=(△Xnk,△Ynk)와 같이 보정한다.
이어서, 스테이지(5)를 이차원 방향으로 이동시키면서, 묘화 대상물(6)의 스트라이프(41) 단위로, 스텝 S5에서 보정한 묘화 위치를 향하여 전자 빔을 조사하여 묘화를 행한다(스텝 S6).
하나의 스트라이프(41)에 대해 묘화를 끝내면, 모든 스트라이프(41)에 대해 묘화를 행했는지의 여부를 판정하고(스텝 S7), 묘화를 행해야 하는 스트라이프(41)가 있으면, 스텝 S2 이후의 처리를 반복한다. 한편, 모든 스트라이프(41)에 대해 묘화를 행한 경우에는, 도 5의 처리를 종료한다.
이와 같이, 제1 실시 형태에서는, 스테이지(5)의 이동 이력 정보에 기초하여, 묘화실(2) 내의 열원에 의한 묘화 대상물(6)의 온도 분포를 계산하고, 계산된 온도 분포와 묘화 대상물(6)의 구속 조건에 기초하여, 묘화 대상물(6)의 변형량을 계산한다. 이에 의해, 스테이지(5)의 이동 이력 정보에 수반하는 열원에 의한 영향과 묘화 대상물(6)의 구속 조건을 고려에 넣어 전자 빔의 조사 위치를 제어할 수 있어, 묘화 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다. 묘화 대상물(6)을 스트라이프(41) 단위로 묘화하는 경우에는, 스테이지(5)가 이차원 방향으로 빈번히 이동하고, 그에 따라 묘화 대상물(6) 상의 온도가 높은 장소가 변화하지만, 본 실시 형태에 의하면, 스테이지(5)의 이동 이력 정보에 기초하여 묘화 대상물(6)의 온도 분포를 계산하므로, 묘화 대상물(6)의 온도 분포가 시간에 따라 변화해도, 묘화 대상물(6)의 변형량을 정밀도 좋게 계산할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에서는, 묘화 대상물(6)을 지지하는 3 개 이상의 지지부(40) 중, 정마찰력이 변형 응력보다 큰 지지부(40)를 구속점으로 하는 구속 조건을 설정하므로, 묘화 대상물(6)의 구속 조건을 고려에 넣은 후에 묘화 대상물의 변형량을 계산할 수 있어, 변형량의 계산 정밀도를 향상시킬 수 있다.
(제2 실시 형태)
제2 실시 형태는, 제1 실시 형태와는 구속 조건의 결정 수법이 상이한 것이다. 제2 실시 형태에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)는, 도 1과 같은 블록 구성을 구비하고 있다.
도 1의 주 제어부(30) 내의 구속 조건 설정부(34)는, 제1 묘화 패턴에 기초하여 빔 조사부에서 묘화 대상물(6)로의 묘화를 행한 경우의 묘화 위치의 위치 오차와, 제1 묘화 패턴에 기초하는 묘화 대상물(6)로의 묘화를 행한 경우와는 묘화 대상물(6)의 온도 분포를 상위(相違)시킨 상태에서, 제2 묘화 패턴에 기초하여 빔 조사부에서 묘화 대상물(6)로의 묘화를 행한 경우의 묘화 위치의 위치 오차와의 차분과, 제1 묘화 패턴의 묘화 후에서, 또한 제2 묘화 패턴의 묘화 전에 온도 분포 계산부(31)에서 계산된 묘화 대상물(6)의 온도 분포에 기초하여, 묘화 대상물(6) 상의 변위 제로의 위치를 구속점으로 하는 구속 조건을 설정한다.
도 8은, 제2 실시 형태에 의한 묘화 위치 보정 처리를 나타내는 플로우차트이다. 도 8은, 도 2의 스텝 S3 대신에, 스텝 S11의 처리를 행한다. 스텝 S11에서는, 사전 묘화 결과에서의 매칭에 의해 결정한 구속 조건을 설정한다. 사전 묘화에서는, 예를 들면, 도 9(a)와 같이, 묘화 대상물(6)에, 19Х19의 그리드를 묘화한다. 각 그리드는, 예를 들면, 도 9(b)와 같이, 십자 형상의 패턴과, 4 개의 직사각형 패턴을 포함하고 있다.
이하에서는, 각 그리드를 구성하는 십자 형상의 패턴을 1S 패턴(43), 좌상의 직사각형 패턴을 2S 패턴(44), 우상의 직사각형 패턴을 3S 패턴(45), 우하의 직사각형 패턴을 4S 패턴(46), 좌하의 직사각형 패턴을 5S 패턴(47)이라고 부른다. 이들 1S 내지 5S 패턴(43~47)은, 후술하듯이, 별개의 타이밍에서 묘화된다.
또한, 묘화 대상물(6) 내의 그리드의 수와 그리드의 구체적인 패턴은 임의이다. 예를 들면, 도 10a와 같이, 도 9(b)의 2S 내지 5S 패턴(44~47)의 형상을 바꾸어도 되고, 도 10b와 같이, 도 10a에서 1S 패턴(43)을 생략해도 되며, 도 10c와 같이, 도 9(b)에서 1S 패턴(43)을 생략해도 된다.
도 11은, 도 8의 사전 묘화에서의 매칭에 의한 구속 조건의 결정의 상세한 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. 우선, 묘화 대상물(6)의 19Х19 그리드에 1S 패턴(43)을 묘화한다(스텝 S12). 묘화를 행하는 묘화 대상물(6)은, 본 묘화를 행하는 묘화 대상물(6)과는 별개로 설치되는 사전 묘화용의 묘화 대상물(6)이다.
이어서, 1S 패턴(43)을 묘화 후에, 스테이지(5)의 이동 이력 정보를 취득한다(스텝 S13). 이어서, 묘화 대상물(6)의 19Х19 그리드에 2S 패턴(44)을 묘화한다(스텝 S14). 2S 패턴(44)을 묘화하기 전에 스테이지(5)의 이동 이력 정보를 취득하는 이유는, 1S 패턴(43)과는 상이한 온도 분포 하에서 2S 패턴(44)을 묘화하여, 위치 오차 맵을 생성하기 때문이다.
도 12는, 도 11의 스텝 S12 내지 S14의 처리 순서를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 12의 예에서는, 1S 패턴(43)을 묘화한 후에, 묘화 대상물(6)의 우하의 모퉁이가 가장 온도가 높아지는 위치에서 스테이지(5)를 대기시키고, 그 후에 2S 패턴(44)을 묘화하는 예를 나타내고 있다.
이 경우, 1S 패턴(43)의 묘화 시와 2S 패턴(44)의 묘화 시에는, 묘화 대상물(6)의 온도 분포가 상이하므로, 묘화 대상물(6)의 변형량도 상이하다. 따라서, 1S 패턴(43)과 2S 패턴(44)에는 상이한 위치 오차가 생긴다.
이에, 도 13a와 같이, 1S 패턴(43)의 설계 상의 묘화 위치(설계 위치)와, 1S 패턴(43)의 실제의 묘화 위치와의 위치 오차를 구한다. 그리고, 도 13b와 같이, 각 그리드의 위치 오차를 맵화한 1S 맵(48)을 생성한다. 마찬가지로, 도 14a와 같이, 2S 패턴(44)의 설계 상의 묘화 위치와 2S 패턴(44)의 실제의 묘화 위치와의 위치 오차를 구한다. 그리고, 도 14b와 같이, 각 그리드의 위치 오차를 맵화한 2S 맵(49)을 생성한다(스텝 S15).
이어서, 1S 맵(48)과 2S 맵(49)의 차분을 맵화한 2S-1S 맵(차분 맵)을 생성한다(스텝 S16).
이어서, 2S-1S 맵과 스텝 S13에서 생성된 스테이지(5)의 이동 이력 정보에 기초하여, 매칭 처리를 행하고, 묘화 대상물(6) 상의 변위 제로의 위치를 구속점으로 하는 구속 조건을 결정한다(스텝 S17).
구속점의 정밀도를 향상시키고자 하는 경우에는, 2S 패턴(44)의 묘화 후에 스테이지(5)의 이동 이력 정보의 취득 → 3S 패턴(45)의 묘화 → 스테이지(5)의 이동 이력 정보의 취득 → ?? → nS 패턴의 묘화 → 스테이지(5)의 이동 이력 정보의 취득이라고 하는 처리를 반복한다. 이에 의해, 묘화 대상물(6) 상의 변위 제로의 위치 정밀도를 향상할 수 있어, 구속 조건을 보다 정밀도 좋게 결정할 수 있다.
도 8의 스텝 S11에서 구속 조건이 설정되면, 도 2의 스텝 S4 내지 S7와 같은 처리를 행하고, 스테이지(5)의 이동 이력 정보에 기초하는 온도 분포와, 묘화 대상물(6)의 구속 조건을 고려에 넣어, 묘화 대상물(6)의 변형량을 계산하고, 계산된 변형량에 기초하여, 전자 빔의 조사 위치를 보정한 후에 묘화를 행한다.
이와 같이, 제2 실시 형태에서는, 상이한 온도 분포 하에서 사전 묘화를 행하여 각 위치 오차의 차분 맵을 구하고, 차분 맵과 온도 분포에 기초하여 묘화 대상물(6) 상의 변위 제로의 위치를 구속점으로서 결정하므로, 구속 조건을 결정하는 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 1 회의 사전 묘화에서 묘화되는 그리드 패턴과 스테이지 이동 이력 정보의 종류를 늘려서 차분 맵의 비교를 반복하여 행함으로써, 구속점의 정밀도를 보다 향상시킬 수 있어, 묘화 대상물(6)의 변형량을 보다 정밀도 좋게 추측할 수 있다.
(제3 실시 형태)
제3 실시 형태는, 제1 및 제2 실시 형태란, 전자 빔의 조사 위치를 보정할 때까지의 처리가 상이하게 되어 있다.
도 15는, 제3 실시 형태에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 블럭도이다. 도 15는, 도 1에 비하여, 주 제어부(30)의 내부 구성이 상이하게 되어 있으나, 그 외의 구성은 도 1과 같다. 도 15의 주 제어부(30)는, 도 1과 마찬가지로, 온도 분포 계산부(31)와, 변형량 계산부(32)와, 위치 보정부(33)와, 구속 조건 설정부(34)를 가지는 것에 추가로, 사전 묘화 패턴 생성부(35)와, 이동 이력 정보 계산부(36)를 가진다. 사전 묘화 패턴 생성부(35)는, 사전 묘화용의 묘화 대상물(6)에 묘화할 묘화 패턴을 포함한 레이아웃 정보를 생성한다. 이동 이력 정보 계산부(36)는, 생성된 묘화 패턴에서 얻어지는 스테이지(5)의 이동 이력 정보를 계산한다. 온도 분포 계산부(31)는, 이동 이력 정보 계산부(36)에서 계산된 이동 이력 정보에 기초하여, 묘화 대상물(6)의 온도 분포를 계산한다. 변형량 계산부(32)는, 스테이지(5)에 재치된 묘화 대상물(6)의 구속 조건과, 이동 이력 정보에 기초하여 계산된 온도 분포에 기초하여, 묘화 대상물(6)의 변형량을 계산한다. 위치 보정부(33)는, 계산된 변형량에 기초하여, 묘화 대상물(6) 내의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하기 위한 위치 보정 맵을 생성한다. 빔 조사부는, 위치 보정부(33)에서 생성된 위치 보정 맵에 기초하여, 묘화 대상물(6)로의 묘화를 개시한다.
도 16은, 제3 실시 형태에 의한 묘화 위치 보정 처리를 나타내는 플로우차트이다. 우선, 사전 묘화용의 묘화 패턴을 포함한 레이아웃 정보를 사전 묘화 패턴 생성부(35)에서 생성하여, 미도시의 기억부에 등록해 둔다(스텝 S21). 이어서, 레이아웃 정보에 기초하여, 이동 이력 정보 계산부(36)에서 스테이지(5)의 이동 이력 정보를 계산한다(스텝 S22). 이어서, 온도 분포 계산부(31)에서, 각 시각에 있어서의 묘화 대상물(6)의 온도 분포를 계산한다(스텝 S23). 이어서, 변형량 계산부(32)에서, 각 시각에 있어서의 묘화 대상물(6)의 변형량을 계산한다(스텝 S24). 이어서, 위치 보정부(33)에서, 묘화 대상물(6)의 스트라이프(41)마다, 스트라이프(41) 내의 위치 보정 맵을 산출한다(스텝 S25).
상술한 스텝 S21 내지 S25는, 실제로 묘화 대상물(6)에 묘화를 행하는 일 없이, 주 제어부(30)가 계산 처리에 의해 행할 수 있다.
스텝 S24의 처리가 끝나면, 실제의 묘화 대상물(6)로의 묘화를 개시한다(스텝 S26). 즉, 묘화 대상물(6)의 각 스트라이프(41) 단위로, 스테이지(5)를 이차원 방향으로 이동시키면서, 스텝 S25의 처리에서 얻어진 위치 보정 맵에 따라 전자 빔의 조사 위치를 보정하여 묘화를 행한다(스텝 S27). 이어서, 아직 묘화를 행하고 있지 않은 스트라이프(41)가 존재하는지의 여부를 판정하여(스텝 S28), 아직 묘화를 행하고 있지 않은 스트라이프(41)가 존재하면 스텝 S27 내지 S28의 처리를 반복하여 행하고, 모든 스트라이프(41)의 묘화가 종료되면, 도 16의 처리를 종료한다.
이와 같이, 제3 실시 형태에서는, 묘화 대상물(6)로의 실제의 묘화를 행하기 전에, 레이아웃 정보로부터 계산 처리에 의해 온도 분포를 계산하여 묘화 대상물(6)의 변형량을 계산하고, 그에 기초하여 스트라이프(41) 내의 위치 보정 맵을 산출하고, 그 후에는, 이 위치 보정 맵을 이용하여 묘화 대상물(6)로의 실제의 묘화를 행한다. 따라서, 실제로 묘화 처리를 행할 때에는, 사전에 계산 처리에서 구한 위치 보정 맵을 이용하여 묘화 위치의 보정을 행할 수 있으므로, 묘화 처리를 고속화할 수 있다.
상술한 실시 형태에서 설명한 하전 입자 빔 묘화 장치(1)의 제어계(4)의 적어도 일부(예를 들면, 주 제어부(30))는, 하드웨어로 구성해도 되고, 소프트웨어로 구성해도 된다. 하드웨어로 구성하는 경우에는, 하드웨어는 전기 회로를 포함한다. 소프트웨어로 구성하는 경우에는, 제어계(4)의 적어도 일부의 기능을 실현하는 프로그램을 플렉서블 디스크 또는 CD-ROM 등의 기록 매체에 수납하고, 컴퓨터에 읽어들이게 하여 실행시켜도 된다. 기록 매체는, 자기 디스크나 광 디스크 등의 착탈 가능한 것에 한정되지 않고, 하드 디스크 장치나 메모리 등의 고정형의 기록 매체여도 된다.
또한, 제어계(4)의 적어도 일부의 기능을 실현하는 프로그램을, 인터넷 등의 통신 회선(무선 통신도 포함함)을 통해 반포해도 된다. 또한, 동일 프로그램을 암호화하거나 변조를 가하거나, 압축한 상태에서, 인터넷 등의 유선 회선 또는 무선 회선을 통해, 혹은 기록 매체에 수납하여 반포해도 된다.
본 발명의 몇 가지 실시 형태를 설명하였으나, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 동시에, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등 범위에 포함된다.

Claims (14)

  1. 묘화 대상물을 재치하는 스테이지를 수납하는 묘화실과,
    상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물에 하전 입자 빔을 조사하는 빔 조사부와,
    상기 스테이지를 이동시키는 스테이지 구동부와,
    상기 스테이지의 이동 이력 정보에 기초하여, 상기 묘화실 내의 열원에 의한 상기 묘화 대상물의 온도 분포를 계산하는 온도 분포 계산부와,
    상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물의 구속 조건과, 상기 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하는 변형량 계산부와,
    상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 묘화 대상물로의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 위치 보정부를 구비하고,
    상기 빔 조사부는, 상기 위치 보정부에서 보정된 조사 위치에 기초하여 상기 하전 입자 빔을 조사하는, 하전 입자 빔 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지 상에서 상기 묘화 대상물을 지지하는 복수의 지지부와,
    상기 복수의 지지부 중, 상기 묘화 대상물과의 접촉면의 정마찰력이 상기 묘화 대상물의 변형 응력보다 큰 1 이상의 지지부를 상기 묘화 대상물의 구속점으로 하는 상기 구속 조건을 설정하는 구속 조건 설정부를 구비하고,
    상기 변형량 계산부는, 상기 구속 조건 설정부에서 설정된 상기 구속 조건과, 상기 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 1 이상의 지지부는, 상기 묘화 대상물과의 접촉면의 정마찰력이 상기 묘화 대상물의 변형 응력보다 커지도록, 상기 지지부의 선단측의 곡율과, 상기 지지부의 상기 묘화 대상물과의 접촉 부분의 러프니스와의 적어도 일방을 조정하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 묘화 대상물의 온도 분포를 상위시킨 상태에서, 상기 빔 조사부에서 상기 묘화 대상물로의 묘화를 행한 경우의 묘화 위치의 위치 오차의 차분과, 상기 묘화 대상물의 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물 상의 변위 제로의 위치를 구속점으로 하는 상기 구속 조건을 설정하는 구속 조건 설정부를 구비하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 구속 조건 설정부는, 각각 상이한 복수의 사전 묘화 패턴을, 각각 상이한 온도 분포로 상기 빔 조사부에서 상기 묘화 대상물에 묘화를 행한 경우의 묘화 위치의 위치 오차의 차분과, 상기 복수의 사전 묘화 패턴을 묘화하는 때의 상기 묘화 대상물의 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물 상의 변위 제로의 위치를 구속점으로 하는 상기 구속 조건을 설정하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 묘화 대상물에 묘화할 사전 묘화 패턴을 생성하는 사전 묘화 패턴 생성부와,
    상기 생성된 사전 묘화 패턴에 의해 상기 스테이지의 이동 이력 정보를 계산하는 이동 이력 정보 계산부를 구비하고,
    상기 온도 분포 계산부는, 상기 이동 이력 정보에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 온도 분포를 계산하고,
    상기 변형량 계산부는, 상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물의 구속 조건과, 상기 이동 이력 정보에 기초하여 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하고,
    상기 위치 보정부는, 상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 묘화 대상물 내의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하고,
    상기 빔 조사부는, 상기 위치 보정부에서 보정된 조사 위치에 기초하여, 상기 묘화 대상물로의 묘화를 개시하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지 구동부는, 상기 묘화 대상물을, 서로 교차하는 제1 방향 및 제2 방향으로 이동시키고,
    상기 빔 조사부는, 상기 묘화 대상물의 상기 제1 방향으로 연장되고, 또한 상기 제2 방향으로 소정의 폭을 가지는 스트라이프 단위로 상기 묘화 대상물로의 묘화를 행하고,
    상기 스트라이프는, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 복수 개씩 배치되고, 상기 빔 조사부로부터의 하전 입자 빔이 각각 조사되는 복수의 서브 필드를 가지고,
    상기 위치 보정부는, 상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 스트라이프 내의 상기 복수의 서브 필드의 각각마다 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  8. 묘화 대상물을 재치하는 스테이지의 이동 이력 정보에 기초하여, 묘화실 내의 열원에 의한 상기 묘화 대상물의 온도 분포를 계산하고,
    상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물의 구속 조건과, 상기 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하고,
    상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 묘화 대상물로의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하고,
    상기 보정된 조사 위치에 기초하여 상기 하전 입자 빔을 조사하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 스테이지 상에서, 복수의 지지부에서 상기 묘화 대상물을 지지하고,
    상기 복수의 지지부 중, 상기 묘화 대상물과의 접촉면의 정마찰력이 상기 묘화 대상물의 변형 응력보다 큰 1 이상의 지지부를 상기 묘화 대상물의 구속점으로 하는 상기 구속 조건을 설정하고,
    상기 변형량의 계산은, 상기 설정된 상기 구속 조건과, 상기 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 1 이상의 지지부는, 상기 묘화 대상물과의 접촉면의 정마찰력이 상기 묘화 대상물의 변형 응력보다 커지도록, 상기 지지부의 선단측의 곡율과, 상기 지지부의 상기 묘화 대상물과의 접촉 부분의 러프니스의 적어도 일방을 조정하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 묘화 대상물의 온도 분포를 상위시킨 상태에서, 상기 묘화 대상물로의 묘화를 행한 경우의 묘화 위치의 위치 오차의 차분과, 상기 묘화 대상물의 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물 상의 변위 제로의 위치를 구속점으로 하는 상기 구속 조건을 설정하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 구속 조건의 설정은, 각각 상이한 복수의 사전 묘화 패턴을, 각각 상이한 온도 분포로 상기 묘화 대상물에 묘화를 행한 경우의 묘화 위치의 위치 오차의 차분과, 상기 복수의 사전 묘화 패턴을 묘화하는 때의 상기 묘화 대상물의 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물 상의 변위 제로의 위치를 구속점으로 하는 상기 구속 조건을 설정하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 묘화 대상물에 묘화할 사전 묘화 패턴을 생성하고,
    상기 생성된 사전 묘화 패턴에 의해 상기 스테이지의 이동 이력 정보를 계산하고,
    상기 이동 이력 정보에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 온도 분포를 계산하고,
    상기 스테이지에 재치된 상기 묘화 대상물의 구속 조건과, 상기 이동 이력 정보에 기초하여 계산된 온도 분포에 기초하여, 상기 묘화 대상물의 변형량을 계산하고,
    상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 묘화 대상물 내의 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하고,
    상기 보정된 조사 위치에 기초하여, 상기 묘화 대상물로의 묘화를 개시하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 스테이지의 이동은, 상기 묘화 대상물을, 서로 교차하는 제1 방향 및 제2 방향으로 이동시키고,
    상기 묘화 대상물의 상기 제1 방향으로 연장되고, 또한 상기 제2 방향으로 소정의 폭을 가지는 스트라이프 단위로 상기 묘화 대상물로의 묘화를 행하고,
    상기 스트라이프는, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 복수 개씩 배치되고, 상기 하전 입자 빔이 각각 조사되는 복수의 서브 필드를 가지고,
    상기 계산된 변형량에 기초하여, 상기 스트라이프 내의 상기 복수의 서브 필드의 각각마다 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
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