TW201947331A - 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201947331A
TW201947331A TW108114242A TW108114242A TW201947331A TW 201947331 A TW201947331 A TW 201947331A TW 108114242 A TW108114242 A TW 108114242A TW 108114242 A TW108114242 A TW 108114242A TW 201947331 A TW201947331 A TW 201947331A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
drawing object
particle beam
charged particle
temperature distribution
platform
Prior art date
Application number
TW108114242A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI691814B (zh
Inventor
野村春之
上久保貴司
Original Assignee
日商紐富來科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商紐富來科技股份有限公司 filed Critical 日商紐富來科技股份有限公司
Publication of TW201947331A publication Critical patent/TW201947331A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI691814B publication Critical patent/TWI691814B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明之實施形態有關帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。
帶電粒子束描繪裝置，具備：描繪室，收容載置描繪對象物之平台；及射束照射部，對被載置於前述平台的前述描繪對象物照射帶電粒子束；及平台驅動部，使前述平台移動；及溫度分布計算部，基於前述平台的移動履歷資訊，計算前述描繪室內的熱源所造成之前述描繪對象物的溫度分布；及變形量計算部，基於被載置於前述平台的前述描繪對象物的拘束條件、及前述被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量；及位置修正部，基於前述被計算出的變形量，修正對於前述描繪對象物之帶電粒子束的照射位置。前述射束照射部，基於藉由前述位置修正部而被修正的照射位置來照射前述帶電粒子束。

Description

帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法
本發明之實施形態有關帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。
藉由多重圖樣化(multi patterning)來使晶圓曝光時的解析度提升之微影技術係受到矚目。多重圖樣化中，曝光時的對位精度要求嚴格，因此製造出將LSI圖樣轉印至晶圓時的作為原版的光罩之電子線描繪裝置的射束照射位置的精度(也稱為廣域(global)位置精度)係為重要。造成廣域位置精度劣化的因素之一，為描繪中的描繪對象物(底板(blanks))的溫度變形。
就靠近描繪對象物之熱源而言，有對物透鏡區塊的磁透鏡線圈或校準線圈、描繪室的真空排氣泵浦等。雖會採取水冷所致之除熱或熱屏蔽等對策，但無法完全防止它們的熱輻射所造成之對描繪對象物的熱流入。該些熱流入，會引起描繪中的描繪對象物的溫度變形而引起廣域位置精度的劣化。
本發明之實施形態，提供一種可提升對描繪對象物的射束照射位置的精度之帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。
按照本實施形態，提供一種帶電粒子束描繪裝置，具備：描繪室，收容載置描繪對象物之平台；及
射束照射部，對被載置於前述平台的前述描繪對象物照射帶電粒子束；及
平台驅動部，使前述平台移動；及
溫度分布計算部，基於前述平台的移動履歷資訊，計算前述描繪室內的熱源所造成之前述描繪對象物的溫度分布；及
變形量計算部，基於被載置於前述平台的前述描繪對象物的拘束條件、及前述被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量；及
位置修正部，基於前述被計算出的變形量，修正對前述描繪對象物之帶電粒子束的照射位置；
前述射束照射部，基於藉由前述位置修正部而被修正的照射位置來照射前述帶電粒子束。
以下參照圖面說明本揭示之一實施形態。另，本件說明書中添附的圖面中，為便於圖示及容易理解，適當將比例尺及縱橫的尺寸比等自實物變更誇大。

(第1實施形態)
圖1為依第1實施形態之帶電粒子束描繪裝置1的概略構成示意方塊圖。以下，作為帶電粒子束描繪裝置1的一例主要說明使用了電子束之描繪裝置，但描繪所使用的帶電粒子束未必限定於電子束，亦可為X射線或伽瑪射線等的電磁放射線，亦可使用α線、β線、質子線、重離子線等的粒子放射線等來進行描繪。
圖1的帶電粒子束描繪裝置1，具備對描繪對象物6進行描繪之描繪室2、及對描繪室2照射帶電粒子束之鏡筒3、及控制鏡筒3之控制系統4。
在描繪室2，設有於二維方向移動自如的平台5，在平台5上載置有描繪對象物6。描繪對象物6，例如為以石英作為材料之光罩基板，也被稱為光罩底板(blank)。描繪對象物6的表面，覆蓋有藉由電子束而感光之阻劑膜。
鏡筒3，作用作為對被載置於平台5上的描繪對象物6照射電子束之射束照射部。在鏡筒3的內部，設有電子槍7、聚光透鏡8、遮沒偏向器9、第1投影透鏡10、S1孔徑11、成形偏向器12、第2投影透鏡13、S2孔徑14、中間透鏡15、副偏向器16、對物透鏡17、及主偏向器18。另，鏡筒3的內部的構造為任意，未必必須和圖1同樣。
電子槍7，放射電子束。聚光透鏡8，使電子槍7的電子束聚光而導向遮沒偏向器9。遮沒偏向器9，當不進行描繪時進行將電子束偏擺之控制。也就是說，遮沒偏向器9，控制照射電子束的擊發時間。
S1孔徑11與S2孔徑14，是為了將電子束的射束形狀做加工而設置。成形偏向器12，將通過了S1孔徑11的電子束進行偏向S2孔徑14之控制。也就是說，成形偏向器12，控制擊發形狀與擊發尺寸。第1投影透鏡10，將藉由遮沒偏向器9而被偏向的電子束導向S1孔徑11。第2投影透鏡13，將藉由成形偏向器12而被偏向的電子束導向S2孔徑14。中間透鏡15，使通過了S2孔徑14的電子束聚光而導向副偏向器16。
副偏向器16，控制後述的子照野(sub-field)內的擊發位置。對物透鏡17，使藉由副偏向器16而被偏向的電子束聚光而導向主偏向器18。主偏向器18，控制子照野的中心位置。
對物透鏡17，在其內部設有線圈，在線圈有電流流通因此成為熱源。此外，在對物透鏡17的鄰近還設有校準線圈，此校準線圈亦成為熱源。在對物透鏡17或校準線圈的周圍，雖設有熱屏蔽構件或冷卻構件，但當相對於要求的位置精度而言冷卻機能不充分的情形下，熱亦會傳遞至平台5上的描繪對象物6而變形而有射束位置精度惡化之虞。
控制系統4，具有描繪資料生成部21、圖樣資料生成部22、遮沒驅動器23、射束成形驅動器24、副偏向器驅動器25、主偏向器驅動器26、偏向控制部27、平台驅動部28、平台位置檢測部29、及主控制部30。
描繪資料生成部21，生成描繪資料。圖樣資料生成部22，生成各擊發中使用的圖樣資料。遮沒驅動器23與射束成形驅動器24，基於來自偏向控制部27的偏向訊號與藉由圖樣資料生成部22而生成的圖樣資料，各自驅動遮沒偏向器9與成形偏向器12。副偏向器驅動器25與主偏向器驅動器26，基於來自偏向控制部27的偏向訊號與藉由描繪資料生成部21而生成的描繪資料，各自驅動副偏向器16與主偏向器18。
平台驅動部28，基於來自主控制部30的指示使平台5於二維方向移動。平台5的位置藉由平台位置檢測部29而被檢測，送至主控制部30。主控制部30，控制圖1的帶電粒子束描繪裝置1內的各部。
本實施形態中，如圖2所示，將描繪對象物6中的描繪區域分割成主偏向器18的Y方向可偏向幅度之長條狀的複數個條紋41，以各條紋41單位進行描繪。各條紋41，朝描繪對象物6的X方向延伸，且於Y方向具有規定的寬幅。圖2中，將各條紋41的長邊方向訂為X方向，短邊方向訂為Y方向。各條紋41，被分割成副偏向器16的可偏向尺寸亦即複數個子照野42。電子束被照射至各子照野42，進行期望的圖樣形狀之描繪。各子照野42的中心位置的控制是藉由主偏向器18進行。各子照野42的描繪稱為擊發(shot)。在各子照野42內的擊發位置的控制是藉由副偏向器16進行。在各子照野42內的擊發形狀及擊發尺寸的控制是藉由成形偏向器12進行。
平台驅動部28，一面使平台5於X方向移動，一面使其朝Y方向移動恰好各條紋41內的Y方向的子照野42的數量份。藉此，便能進行對於各條紋41內的所有子照野42之描繪。一旦針對描繪對象物6內的一個條紋41之描繪結束，便進行針對下一條紋41之描繪。當進行多重描繪的情形下，一旦針對一個條紋41之描繪結束，便例如使其朝Y方向移動恰好條紋寬幅的一半，進行針對新的條紋41之描繪。像這樣，多重描繪中，一面使各條紋41重複一面反覆進行描繪。藉此，對於一個子照野42會進行複數次的描繪，因此能夠提升圖樣位置的精度。
主控制部30，如圖1所示，具有溫度分布計算部31、變形量計算部32、及位置修正部33。溫度分布計算部31，基於平台5的移動履歷資訊，計算描繪室2內的熱源所造成之描繪對象物6的溫度分布。移動履歷資訊，為包括位置履歷資訊與滯留於該些的位置的時間履歷資訊或速度履歷資訊之資訊。變形量計算部32，基於被載置於平台5的描繪對象物6的拘束條件、及被計算出的溫度分布，來計算描繪對象物6的變形量。位置修正部33，基於被計算出的變形量，修正對於描繪對象物6之帶電粒子束的照射位置。更具體而言，位置修正部33，基於被計算出的變形量，修正條紋41內的每一子照野42修正電子束的照射位置。
主控制部30，亦可具有拘束條件設定部34。拘束條件設定部34，係設定拘束條件，該拘束條件是將複數個支撐部當中，與描繪對象物6之接觸面的靜摩擦力比描繪對象物6的變形應力還大之1個以上的支撐部訂為描繪對象物6的拘束點。在此情形下，變形量計算部32，基於藉由拘束條件設定部34而設定的拘束條件、及被計算出的溫度分布，來計算描繪對象物6的變形量。
本實施形態中，是一面使平台5移動一面對每一條紋41進行描繪，因此描繪對象物6內的溫度分布會在描繪途中逐漸變化。描繪對象物6內的溫度分布，即使不藉由放射溫度計等來實測，仍能依計算來相對精度良好地求出。
描繪對象物6內的溫度分布，例如能夠藉由以下的(1)式的熱傳導方程式來求出。(1)式中，K為玻璃的熱擴散率[cm2 ／sec]、β為散熱的時間常數[sec]。

時刻ti 中，當平台5在光罩座標(xi ，yi )滯留Δti 秒的情形下，熱源所造成之t秒後的光罩座標(x，y)之溫度上昇ΔTi(x，y，t)，由以下的(2)式表示。(2)式中，L為描繪對象物6的厚度[cm]，ρ為石英玻璃的密度[g／cm3 ]，Cv的石英玻璃的比熱[J／g／K]，W為每單位時間流入描繪對象物6的總熱量[J／sec]，σ為熱源的分布[cm]而假定為常態性。

任意的時刻t之在任意的座標(x，y)的溫度T(x，y，t)由以下的(3)式表示。i為從描繪開始至時刻t為止之平台5的移動履歷資訊。

圖3A為描繪對象物6的溫度分布的實測結果，圖3B為運用了上述(1)～(3)式之溫度分布的計算結果示意圖。圖3A及圖3B中，作為描繪對象物6使用正方形的光罩基板，以當在該光罩基板的中心位置將熱源配置了1小時的情況下，圖3B的計算結果能夠正確地重現圖3A的實測結果之方式，來決定式(2)中的熱源的熱量W與散熱的時間常數β與熱源的分布σ。
圖4為使用圖3A及圖3B中決定的熱源，使載置光罩基板的平台5隨時間而移動時之，溫度分布與光罩基板的位移量之計算結果示意圖。圖4揭示在光罩基板上不設置拘束點而計算光罩基板的溫度分布與位移量之結果。
圖4中，時刻t=16[min]、110[min]、160[min]中的溫度分布揭示於上段，位移量揭示於下段。位移量，是將在光罩基板的各位置之位移的大小及方向以箭頭線的長度及方向來表示。
圖4的溫度分布的圖中，顏色愈深的區域示意溫度愈高。圖4例子中，隨著時間的經過，使平台5朝圖示的下方移動，因此光罩基板上的溫度高的區域會朝上方移動，伴隨此，位移量大的區域亦朝上方移動。
像這樣，當一面使載置了光罩基板的平台5移動一面進行電子線描繪的情形下，光罩基板的溫度分布與位移量會因平台5的位置而變化。故，理想是將光罩基板的溫度分布與位移量納入考量，來修正照射電子線的位置。
圖5為依第1實施形態之描繪位置修正處理示意流程圖。圖5的流程圖，是將以描繪對象物6的條紋41單位進行描繪訂為前提，而對條紋41內的每一子照野42修正描繪位置。
圖5的流程圖，藉由圖1的主控制部30來執行。首先，因應來自使用者的指示，開始對於描繪對象物6之電子束的描繪(步驟S1)。此時，透過未圖示的輸入部，取得有關描繪對象物6的材料或形狀等之資訊或平台5的移動履歷資訊等。接下來，基於上述的(1)～(3)式，計算描繪對象物6的任意的位置之溫度分布(步驟S2)。此步驟S2中，計算任意的位置(x，y)及任意的時刻t之溫度分布T(x，y，t)。
接下來，設定描繪對象物6的拘束條件(步驟S3)。描繪對象物6一般而言是藉由平台5上的3處以上的支撐部而被支撐。圖6為藉由3處的支撐部40來支撐描繪對象物6的例子示意圖。不必3處以上的支撐部40的全部皆受到拘束。步驟S3中，設定拘束條件，該拘束條件是將該些支撐部40當中靜摩擦力比描繪對象物6的變形應力還大之1個以上的支撐部40設為拘束點。欲將靜摩擦力增為比描繪對象物6的變形應力還大，例如如圖7所示，可設想將支撐部40的先端側的曲率減緩來增寬與描繪對象物6之接觸面積、或將支撐部40的與描繪對象物6之接觸部分的粗糙度增大等。像這樣，以1個以上的支撐部，其與描繪對象物之接觸面的靜摩擦力會變得比描繪對象物的變形應力還大之方式，來調整支撐部的先端側的曲率、及支撐部的與描繪對象物之接觸部分的粗糙度的至少一方亦可。
接下來，基於步驟S3中設定的拘束條件，例如使用有限元素法來計算描繪對象物6的變形量ΔXn ((V，W)T(x，y，t))(步驟S4)。此處，ΔXn 為藉由有限元素法的分割而產生之第n個節點的位移量。(V，W)為拘束點的座標。另，拘束點的數量亦可比1個還多，亦可為支撐部的全部。
接下來，基於描繪對象物6的變形量，對描繪對象物6的條紋41內的每一子照野42修正描繪位置(步驟S5)。若將條紋41內的第k個子照野42的原點座標的修正量訂為(Δxk ，Δyk )、最接近第k個子照野42的節點nk 之位移量訂為(ΔXnk ，ΔYnk )，則以(Δx1 ，Δy1 )=(ΔXn1 ，ΔYn1 )、(Δx2 ，Δy2 )=(ΔXn2 ，Δyn2 )、…、(Δxk ，Δyk )=(ΔXnk ，ΔYnk )之方式做修正。
接下來，一面使平台5於二維方向移動，一面以描繪對象物6的條紋41單位，朝向步驟S5中修正的描繪位置照射電子束來進行描繪(步驟S6)。
針對一個條紋41結束描繪後，判定是否已針對所有的條紋41進行了描繪(步驟S7)。若有應進行描繪之條紋41，則反覆步驟S2以後的處理。另一方面，當已針對所有的條紋41進行了描繪的情形下，結束圖5的處理。
像這樣，第1實施形態中，基於平台5的移動履歷資訊，計算描繪室2內的熱源所造成之描繪對象物6的溫度分布，基於計算出的溫度分布與描繪對象物6的拘束條件，計算描繪對象物6的變形量。藉此，便能夠將平台5的移動履歷資訊所伴隨的熱源所造成之影響與描繪對象物6的拘束條件納入考量來控制電子束的照射位置，能夠使描繪位置精度提升。當將描繪對象物6以條紋41單位來描繪的情形下，平台5會於二維方向頻繁地移動，與此相應地描繪對象物6上的溫度高的場所會變化，但按照本實施形態，是基於平台5的移動履歷資訊來計算描繪對象物6的溫度分布，因此即使描繪對象物6的溫度分布因應時間而變化，仍能精度良好地計算描繪對象物6的變形量。
此外，第1實施形態中，係設定拘束條件，該拘束條件是將支撐描繪對象物6的3個以上的支撐部40當中靜摩擦力比變形應力還大的支撐部40設為拘束點，因此能夠將描繪對象物6的拘束條件納入考量來計算描繪對象物的變形量，能夠提升變形量的計算精度。

(第2實施形態)
第2實施形態，和第1實施形態之拘束條件的決定手法相異。依第2實施形態之帶電粒子束描繪裝置1，具備和圖1同樣的區塊構成。
圖1的主控制部30內的拘束條件設定部34，係設定拘束條件，該拘束條件是以基於第1描繪圖樣而藉由射束照射部進行了對於描繪對象物6之描繪的情形下之描繪位置的位置誤差、及於相對於進行了基於第1描繪圖樣之對於描繪對象物6之描繪的情形而言使描繪對象物6的溫度分布變化之狀態下，基於第2描繪圖樣而藉由射束照射部進行了對於描繪對象物6之描繪的情形下之描繪位置的位置誤差的差分，與於第1描繪圖樣描繪後且於第2描繪圖樣描繪前藉由溫度分布計算部31計算出的描繪對象物6的溫度分布為基礎，來將描繪對象物6上的位移零的位置設為拘束點。
圖8為依第2實施形態之描繪位置修正處理示意流程圖。圖8係進行步驟S11的處理，來取代圖2的步驟S3。步驟S11中，係設定藉由事前描繪結果中的匹配(matching)而決定的拘束條件。事前描繪中，例如如圖9(a)般，在描繪對象物6描繪19×19的網格。各網格，例如如圖9(b)般，包含十字形狀的圖樣、及4個矩形圖樣。
以下，將構成各網格的十字形狀的圖樣稱為1S圖樣43、左上的矩形圖樣稱為2S圖樣44、右上的矩形圖樣稱為3S圖樣45、右下的矩形圖樣稱為4S圖樣46、左下的矩形圖樣稱為5S圖樣47。該些1S～5S圖樣43～47，如後述般，是在個別的時間點被描繪。
另，描繪對象物6內的網格的數量與網格的具體的圖樣為任意。例如，亦可如圖10A般改變圖9(b)的2S～5S圖樣44～47的形狀，亦可如圖10B般自圖10A省略1S圖樣43，亦可如圖10C般自圖9(b)省略1S圖樣43。
圖11為依圖8的事前描繪中的匹配之拘束條件的決定的詳細處理手續示意流程圖。首先，在描繪對象物6的19×19網格描繪1S圖樣43(步驟S12)。進行描繪之描繪對象物6，為不同於進行正式描繪之描繪對象物6而設置之事前描繪用的描繪對象物6。
接下來，於描繪1S圖樣43後，取得平台5的移動履歷資訊(步驟S13)。接下來在描繪對象物6的19×19網格描繪2S圖樣44(步驟S14)。於描繪2S圖樣44前取得平台5的移動履歷資訊之理由在於，在和1S圖樣43相異的溫度分布之下描繪2S圖樣44，來生成位置誤差對映圖。
圖12為圖11的步驟S12～S14的處理手續模型示意圖。圖12例子中，揭示於描繪了1S圖樣43後，使平台5在描繪對象物6的右下隅會成為溫度最高之位置待命，其後描繪2S圖樣44的例子。在此情形下，在1S圖樣43之描繪時與2S圖樣44之描繪時，描繪對象物6的溫度分布相異，因此描繪對象物6的變形量亦相異。故，在1S圖樣43與2S圖樣44會產生相異的位置誤差。
鑑此，如圖13A般，求出1S圖樣43的設計上的描繪位置(設計位置)與1S圖樣43的實際的描繪位置之位置誤差。然後，如圖13B般，生成將各網格的位置誤差予以對映圖化而成之1S對映圖48。同樣地，如圖14A般，求出2S圖樣44的設計上的描繪位置與2S圖樣44的實際的描繪位置之位置誤差。然後，如圖14B般，生成將各網格的位置誤差予以對映圖化而成之2S對映圖49(步驟S15)。
接下來，生成將1S對映圖48與2S對映圖49之差分予以對映圖化而成之2S－1S對映圖(差分對映圖)(步驟S16)。
接下來，基於2S－1S對映圖、與步驟S13中生成的平台5的移動履歷資訊，進行匹配處理，來決定將描繪對象物6上的位移零的位置設為拘束點之拘束條件(步驟S17)。
當欲使拘束點的精度提升的情形下，於2S圖樣44描繪後反覆做平台5的移動履歷資訊之取得→3S圖樣45之描繪→平台5的移動履歷資訊之取得→…→nS圖樣之描繪→平台5的移動履歷資訊之取得這樣的處理。藉此，能夠提升描繪對象物6上的位移零的位置精度，能夠更精度良好地決定拘束條件。
圖8的步驟S11中一旦設定拘束條件，便進行和圖2的步驟S4～S7同樣的處理，將基於平台5的移動履歷資訊之溫度分布、與描繪對象物6的拘束條件納入考量，計算描繪對象物6的變形量，基於計算出的變形量，將電子束的照射位置修正之後進行描繪。
像這樣，第2實施形態中，是在相異的溫度分布之下進行事前描繪來求出各位置誤差的差分對映圖，基於差分對映圖與溫度分布來將描繪對象物6上的位移零的位置決定成為拘束點，因此能夠提升決定拘束條件之精度。此外，藉由增加1次的事前描繪中被描繪的網格圖樣與平台移動履歷資訊之種類來反覆進行差分對映圖之比較，便能使拘束點的精度更加提升，能夠更加精度良好地估算描繪對象物6的變形量。

(第3實施形態)
第3實施形態，和第1及第2實施形態，修正電子束的照射位置以前之處理係相異。
圖15為依第3實施形態之帶電粒子束描繪裝置1的概略構成示意方塊圖。圖15，和圖1相比，主控制部30的內部構成相異，其以外的構成則和圖1相同。圖15的主控制部30，除了如同圖1，具有溫度分布計算部31、變形量計算部32、位置修正部33、拘束條件設定部34外，還具有事前描繪圖樣生成部35、移動履歷資訊計算部36。事前描繪圖樣生成部35，生成包含應在事前描繪用的描繪對象物6描繪的描繪圖樣之佈局資訊。移動履歷資訊計算部36，計算藉由生成的描繪圖樣而得到之平台5的移動履歷資訊。溫度分布計算部31，基於藉由移動履歷資訊計算部36計算出的移動履歷資訊，計算描繪對象物6的溫度分布。變形量計算部32，基於被載置於平台5的描繪對象物6的拘束條件、及基於移動履歷資訊而被計算出的溫度分布，來計算描繪對象物6的變形量。位置修正部33，基於被計算出的變形量，生成用來修正描繪對象物6內的帶電粒子束的照射位置之位置修正對映圖。射束照射部，基於藉由位置修正部33而生成的位置修正對映圖，開始對於描繪對象物6之描繪。
圖16為依第3實施形態之描繪位置修正處理示意流程圖。首先，藉由事前描繪圖樣生成部35生成包含事前描繪用的描繪圖樣之佈局資訊，登錄至未圖示的記憶部(步驟S21)。接下來，基於佈局資訊，藉由移動履歷資訊計算部36計算平台5的移動履歷資訊(步驟S22)。接下來，藉由溫度分布計算部31，計算各時刻之描繪對象物6的溫度分布(步驟S23)。接下來，藉由變形量計算部32，計算各時刻之描繪對象物6的變形量(步驟S24)。接下來，藉由位置修正部33，對描繪對象物6的每一條紋41，算出條紋41內的位置修正對映圖(步驟S25)。
上述的步驟S21～S25，能夠不實際對描繪對象物6進行描繪，而是主控制部30藉由計算處理來進行。
一旦步驟S24的處理結束，則開始實際的對於描繪對象物6之描繪(步驟S26)。也就是說，以描繪對象物6的各條紋41單位，一面使平台5於二維方向移動，一面遵從步驟S25的處理中得到的位置修正對映圖來修正電子束的照射位置而進行描繪(步驟S27)。接下來，判定是否存在尚未進行描繪的條紋41(步驟S28)，若有尚未進行描繪的條紋41存在則反覆進行步驟S27～S28的處理，一旦所有的條紋41之描繪結束，則結束圖16的處理。
像這樣，第3實施形態中，是於進行對於描繪對象物6之實際的描繪前，從佈局資訊藉由計算處理計算溫度分布來計算描繪對象物6的變形量，基於其來算出條紋41內的位置修正對映圖，其後使用此位置修正對映圖來進行對於描繪對象物6之實際的描繪。是故，當實際進行描繪處理時，可利用事前藉由計算處理求出的位置修正對映圖來進行描繪位置的修正，因此能夠將描繪處理高速化。
上述的實施形態中說明之帶電粒子束描繪裝置1的控制系統4的至少一部分(例如主控制部30)，可由硬體來構成，亦可由軟體來構成。當由硬體構成的情形下，硬體包含電子電路。當由軟體構成的情形下，亦可將實現控制系統4的至少一部分功能之程式存放於軟碟或CD-ROM等的記錄媒體，並令電腦讀入以執行。記錄媒體，不限定於磁碟或光碟等可裝卸者，亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄媒體。
此外，亦可將實現控制系統4的至少一部分功能之程式，透過網際網路等通訊線路(亦包含無線通訊)來發佈。又，亦可將同程式加密、或施以調變、或在壓縮的狀態下透過網際網路等有線線路或無線線路，或是存放於記錄媒體來發佈。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些新穎之實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。
1‧‧‧帶電粒子束描繪裝置
2‧‧‧描繪室
3‧‧‧鏡筒
4‧‧‧控制系統
5‧‧‧平台
6‧‧‧描繪對象物
7‧‧‧電子槍
8‧‧‧聚光透鏡
9‧‧‧遮沒偏向器
10‧‧‧第1投影透鏡
11‧‧‧S1孔徑
12‧‧‧成形偏向器
13‧‧‧第2投影透鏡
14‧‧‧S2孔徑
15‧‧‧中間透鏡
16‧‧‧副偏向器
17‧‧‧對物透鏡
18‧‧‧主偏向器
21‧‧‧描繪資料生成部
22‧‧‧圖樣資料生成部
23‧‧‧遮沒驅動器
24‧‧‧射束成形驅動器
25‧‧‧副偏向器驅動器
26‧‧‧主偏向器驅動器
27‧‧‧偏向控制部
28‧‧‧平台驅動部
29‧‧‧平台位置檢測部
30‧‧‧主控制部
31‧‧‧溫度分布計算部
32‧‧‧變形量計算部
33‧‧‧位置修正部
34‧‧‧拘束條件設定部
35‧‧‧事前描繪圖樣生成部
36‧‧‧移動履歷資訊計算部
40‧‧‧支撐部
41‧‧‧條紋
42‧‧‧子照野
43‧‧‧1S圖樣
44‧‧‧2S圖樣
45‧‧‧3S圖樣
46‧‧‧4S圖樣
47‧‧‧5S圖樣
48‧‧‧1S對映圖
49‧‧‧2S對映圖
圖1為依第1實施形態之帶電粒子束描繪裝置1的概略構成示意方塊圖。
圖2為條紋與子照野(sub-field)說明圖。
圖3A為描繪對象物6的溫度分布的實測結果示意圖。
圖3B為運用(1)～(3)式之溫度分布的計算結果示意圖。
圖4為溫度分布與光罩基板的位移量的計算結果示意圖。
圖5為依第1實施形態之描繪位置修正處理示意流程圖。
圖6為藉由3處的支撐部40來支撐描繪對象物6的例子示意圖。
圖7為作為拘束點的支撐部說明圖。
圖8為依第2實施形態之描繪位置修正處理示意流程圖。
圖9(a)為網格示意圖、(b)為構成網格的描繪圖樣示意圖。
圖10A為網格圖樣的一變形例示意圖。
圖10B為網格圖樣的另一變形例示意圖。
圖10C為網格圖樣的另一變形例示意圖。
圖11為圖8的步驟S11的詳細的處理手續示意流程圖。
圖12為圖11的步驟S12～S14的處理手續模型示意圖。
圖13A為1S圖樣的設計位置與1S圖樣的實際位置之位置誤差示意圖。
圖13B為將1S圖樣的位置誤差予以對映圖化之1S對映圖示意圖。
圖14A為2S圖樣的設計位置與1S圖樣的實際位置之位置誤差示意圖。
圖14B為將2S圖樣的位置誤差予以對映圖化之2S對映圖示意圖。
圖15為依第3實施形態之帶電粒子束描繪裝置的概略構成示意方塊圖。
圖16為依第3實施形態之描繪位置修正處理示意流程圖。

Claims (14)

  1. 一種帶電粒子束描繪裝置，具備： 描繪室，收容載置描繪對象物之平台；及 射束照射部，對被載置於前述平台的前述描繪對象物照射帶電粒子束；及 平台驅動部，使前述平台移動；及 溫度分布計算部，基於前述平台的移動履歷資訊，計算前述描繪室內的熱源所造成之前述描繪對象物的溫度分布；及 變形量計算部，基於被載置於前述平台的前述描繪對象物的拘束條件、及前述被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量；及 位置修正部，基於前述被計算出的變形量，修正對於前述描繪對象物之帶電粒子束的照射位置； 前述射束照射部，基於藉由前述位置修正部而被修正的照射位置來照射前述帶電粒子束。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，具備： 複數個支撐部，在前述平台上支撐前述描繪對象物；及 拘束條件設定部，係設定前述拘束條件，該拘束條件是將前述複數個支撐部當中，與前述描繪對象物之接觸面的靜摩擦力比前述描繪對象物的變形應力還大之1個以上的支撐部訂為前述描繪對象物的拘束點； 前述變形量計算部，基於藉由前述拘束條件設定部而設定的前述拘束條件、及前述被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中， 前述1個以上的支撐部，以與前述描繪對象物之接觸面的靜摩擦力會變得比前述描繪對象物的變形應力還大之方式，來調整前述支撐部的先端側的曲率、及前述支撐部的與前述描繪對象物之接觸部分的粗糙度的至少一方。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中， 具備：拘束條件設定部，係設定前述拘束條件，該拘束條件是以於使前述描繪對象物的溫度分布變化之狀態下，藉由前述射束照射部進行了對於前述描繪對象物之描繪的情形下之描繪位置的位置誤差的差分、與前述描繪對象物的溫度分布為基礎，將前述描繪對象物上的位移零的位置設為拘束點。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中， 前述拘束條件設定部，基於當將各自相異的複數個事前描繪圖樣在各自相異的溫度分布下藉由前述射束照射部對前述描繪對象物進行了描繪的情形下之描繪位置的位置誤差的差分、及描繪前述複數個事前描繪圖樣時之前述描繪對象物的溫度分布，來設定將前述描繪對象物上的位移零的位置設為拘束點之前述拘束條件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，具備： 事前描繪圖樣生成部，生成應在前述描繪對象物描繪之事前描繪圖樣；及 移動履歷資訊計算部，藉由前述被生成的事前描繪圖樣來計算前述平台的移動履歷資訊； 前述溫度分布計算部，基於前述移動履歷資訊，計算前述描繪對象物的溫度分布， 前述變形量計算部，基於被載置於前述平台的前述描繪對象物的拘束條件、及基於前述移動履歷資訊而被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量， 前述位置修正部，基於前述被計算出的變形量，修正前述描繪對象物內的帶電粒子束的照射位置， 前述射束照射部，基於藉由前述位置修正部而被修正的照射位置，開始對於前述描繪對象物之描繪。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中， 前述平台驅動部，使前述描繪對象物於互相交叉的第1方向及第2方向移動， 前述射束照射部，以朝前述描繪對象物的前述第1方向延伸且於前述第2方向具有規定的寬幅之條紋單位來進行對於前述描繪對象物之描繪， 前述條紋，於前述第1方向及前述第2方向各被配置複數個，而具有供來自前述射束照射部的帶電粒子束各自照射之複數個子照野， 前述位置修正部，基於前述被計算出的變形量，在前述條紋內的前述複數個子照野的各自每一者修正帶電粒子束的照射位置。
  8. 一種帶電粒子束描繪方法，係 基於載置描繪對象物的平台的移動履歷資訊，計算描繪室內的熱源所造成之前述描繪對象物的溫度分布， 基於被載置於前述平台的前述描繪對象物的拘束條件、及前述被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量， 基於前述被計算出的變形量，修正對於前述描繪對象物之帶電粒子束的照射位置， 基於前述被修正的照射位置來照射前述帶電粒子束。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之帶電粒子束描繪方法，其中， 在前述平台上，藉由複數個支撐部支撐前述描繪對象物， 設定拘束條件，該拘束條件是將前述複數個支撐部當中，與前述描繪對象物之接觸面的靜摩擦力比前述描繪對象物的變形應力還大之1個以上的支撐部訂為前述描繪對象物的拘束點， 前述變形量之計算，是基於藉由前述被設定的前述拘束條件、及前述被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之帶電粒子束描繪方法，其中， 前述1個以上的支撐部，以與前述描繪對象物之接觸面的靜摩擦力會變得比前述描繪對象物的變形應力還大之方式，來調整前述支撐部的先端側的曲率、及前述支撐部的與前述描繪對象物之接觸部分的粗糙度的至少一方。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之帶電粒子束描繪方法，其中， 係設定前述拘束條件，該拘束條件是以於使前述描繪對象物的溫度分布變化之狀態下，進行了對於前述描繪對象物之描繪的情形下之描繪位置的位置誤差的差分、與前述描繪對象物的溫度分布為基礎，將前述描繪對象物上的位移零的位置設為拘束點。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之帶電粒子束描繪方法，其中， 前述拘束條件之設定，是基於當將各自相異的複數個事前描繪圖樣在各自相異的溫度分布下對前述描繪對象物進行了描繪的情形下之描繪位置的位置誤差的差分、及描繪前述複數個事前描繪圖樣時之前述描繪對象物的溫度分布，來設定將前述描繪對象物上的位移零的位置設為拘束點之前述拘束條件。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之帶電粒子束描繪方法，其中， 生成應在前述描繪對象物描繪之事前描繪圖樣， 藉由前述被生成的事前描繪圖樣來計算前述平台的移動履歷資訊， 基於前述移動履歷資訊，計算前述描繪對象物的溫度分布， 基於被載置於前述平台的前述描繪對象物的拘束條件、及基於前述移動履歷資訊而被計算出的溫度分布，來計算前述描繪對象物的變形量， 基於前述被計算出的變形量，修正前述描繪對象物內的帶電粒子束的照射位置， 基於藉由前述位置修正部而被修正的照射位置，開始對於前述描繪對象物之描繪。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之帶電粒子束描繪方法，其中， 前述平台之移動，是使前述描繪對象物於互相交叉的第1方向及第2方向移動， 以朝前述描繪對象物的前述第1方向延伸且於前述第2方向具有規定的寬幅之條紋單位來進行對於前述描繪對象物之描繪， 前述條紋，於前述第1方向及前述第2方向各被配置複數個，而具有供來自前述射束照射部的帶電粒子束各自照射之複數個子照野， 基於前述被計算出的變形量，在前述條紋內的前述複數個子照野的各自每一者修正帶電粒子束的照射位置。
TW108114242A 2018-05-16 2019-04-24 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 TWI691814B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018094858A JP7034825B2 (ja) 2018-05-16 2018-05-16 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2018-094858 2018-05-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201947331A true TW201947331A (zh) 2019-12-16
TWI691814B TWI691814B (zh) 2020-04-21

Family

ID=68533964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108114242A TWI691814B (zh) 2018-05-16 2019-04-24 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10699877B2 (zh)
JP (1) JP7034825B2 (zh)
KR (1) KR102241070B1 (zh)
CN (1) CN110501881B (zh)
TW (1) TWI691814B (zh)

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0636997A (ja) 1992-07-15 1994-02-10 Hitachi Ltd 電子線描画装置
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
JPH10261565A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
JP3708858B2 (ja) 2001-09-20 2005-10-19 株式会社東芝 パターン描画方法及び描画装置
JP3569255B2 (ja) 2001-12-19 2004-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線描画装置および試料位置の補正方法
JP3615198B2 (ja) 2002-04-18 2005-01-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画装置
JP2004128196A (ja) 2002-10-02 2004-04-22 Hitachi High-Technologies Corp 電子線描画装置と電子線描画方法
US7250237B2 (en) * 2003-12-23 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Optimized correction of wafer thermal deformations in a lithographic process
KR101144683B1 (ko) * 2004-03-01 2012-05-25 가부시키가이샤 니콘 사전 계측 처리 방법, 노광 시스템 및 기판 처리 장치
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007019279A (ja) 2005-07-08 2007-01-25 Hitachi High-Technologies Corp 電子線描画装置
US8125613B2 (en) * 2006-04-21 2012-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP2321840B1 (en) * 2008-09-01 2017-05-03 D2S, Inc. Method for optical proximity correction, design and manufacturing of a reticle using variable shaped beam lithography
JP2010267723A (ja) 2009-05-13 2010-11-25 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5607907B2 (ja) 2009-09-17 2014-10-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
JP5744601B2 (ja) * 2010-04-20 2015-07-08 キヤノン株式会社 電子線描画装置及びデバイス製造方法
JP2012119484A (ja) 2010-11-30 2012-06-21 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
KR101493013B1 (ko) * 2013-06-14 2015-02-13 에이피시스템 주식회사 빔 패터닝 방향 및 패터닝 위치 보정 방법
JP2015177032A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2018041528A (ja) 2014-12-10 2018-03-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ ステージ装置およびそれを用いた荷電粒子線装置
TWI597764B (zh) 2015-09-07 2017-09-01 Nuflare Technology Inc Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method
JP6603108B2 (ja) 2015-11-18 2019-11-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2017139339A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 株式会社アドバンテスト 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190131444A (ko) 2019-11-26
US10699877B2 (en) 2020-06-30
CN110501881B (zh) 2021-12-03
US20190355553A1 (en) 2019-11-21
CN110501881A (zh) 2019-11-26
JP7034825B2 (ja) 2022-03-14
KR102241070B1 (ko) 2021-04-16
JP2019201111A (ja) 2019-11-21
TWI691814B (zh) 2020-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5480555B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8502175B2 (en) Charged particle beam pattern forming apparatus and charged particle beam pattern forming method
US7495243B2 (en) Writing method of charged particle beam, support apparatus of charged particle beam writing apparatus, writing data generating method and program-recorded readable recording medium
JP6259694B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量変調係数の取得方法
JP5871558B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR20070044767A (ko) 빔 조사량 연산 방법, 묘화 방법, 기록 매체 및 묘화 장치
JP5688308B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2010114437A (ja) 粒子ビーム描画方法、粒子ビーム描画装置、及びそのメンテナンス方法
JP5731257B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2016082131A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビームを用いた描画方法、および荷電粒子ビーム描画でのショット補正方法
US10401737B2 (en) Process dose and process bias determination for beam lithography
US20080265174A1 (en) Charged particle beam writing apparatus and method
KR20220101689A (ko) 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치
KR102457113B1 (ko) 하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔 묘화 방법 및 프로그램
TWI691814B (zh) 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法
JP2017055109A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP4383817B2 (ja) 電子ビーム描画における近接効果補正の検証方法
JP6102160B2 (ja) 前方散乱およびビームブラー補正装置、前方散乱およびビームブラー補正方法ならびに前方散乱およびビームブラー補正プログラム
US11742179B2 (en) Proximity effect correcting method, master plate manufacturing method, and drawing apparatus
JP5871557B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012069667A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012109483A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2004079603A (ja) 磁気シールド解析手法、磁気シールド解析プログラム及び荷電粒子線露光装置の設計手法
JP6040046B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、および荷電粒子ビーム描画方法
JP2022153968A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置