CN110501881A - 带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法 - Google Patents

带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法 Download PDF

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Abstract

本发明的实施方式涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。带电粒子束描绘装置具备：描绘室，容纳载置描绘对象物的台；束照射部，向载置在上述台上的上述描绘对象物照射带电粒子束；台驱动部，使上述台移动；温度分布计算部，基于上述台的移动履历信息，计算由上述描绘室内的热源带来的上述描绘对象物的温度分布；变形量计算部，基于载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；以及位置修正部，基于计算出的上述变形量，将向上述描绘对象物的带电粒子束的照射位置修正。上述束照射部基于由上述位置修正部修正后的照射位置照射上述带电粒子束。

Description

带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法
技术领域
本发明涉及带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。
背景技术
通过多重图案化(multi－patterning)使晶片曝光时的分辨率提高的光刻技术正受到关注。在多重图案化中，由于曝光时的对位精度要求严格，所以制造作为向晶片转印LSI图案时的母版的掩模的电子线描绘装置的束照射位置的精度(也称作全局位置精度)很重要。全局位置精度变差的原因之一，是描绘中的描绘对象物(坯料)的温度变形。
作为距描绘对象物较近的热源，有物镜块(block)的磁透镜线圈及对准线圈、描绘室的真空排气泵等。虽然实施了借助水冷的除热及热屏蔽等的对策，但不能完全防止由这些热辐射带来的向描绘对象物的热流入。这些热流入引起描绘中的描绘对象物的温度变形，引起全局位置精度的变差。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够提高向描绘对象物的束照射位置的精度的带电粒子束描绘装置及带电粒子束描绘方法。
根据本技术方案，提供一种带电粒子束描绘装置，具备：描绘室，容纳载置描绘对象物的台；束照射部，向载置在上述台上的上述描绘对象物照射带电粒子束；台驱动部，使上述台移动；温度分布计算部，基于上述台的移动履历信息，计算由上述描绘室内的热源带来的上述描绘对象物的温度分布；变形量计算部，基于载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；以及位置修正部，基于计算出的上述变形量，将向上述描绘对象物的带电粒子束的照射位置修正；上述束照射部基于由上述位置修正部修正后的照射位置照射上述带电粒子束。
附图说明
图1是表示第1实施方式的带电粒子束描绘装置1的概略结构的框图。
图2是说明条纹和子区域的图。
图3A是表示描绘对象物6的温度分布的实测结果的图。
图3B是表示使用(1)～(3)式的温度分布的计算结果的图。
图4是表示温度分布和掩模基板的位移量的计算结果的图。
图5是表示第1实施方式的描绘位置修正处理的流程图。
图6是表示用3处支承部40支承描绘对象物6的例子的图。
图7是说明作为约束点的支承部的图。
图8是表示第2实施方式的描绘位置修正处理的流程图。
图9(a)是表示栅格的图，图9(b)是表示构成栅格的描绘图案的图。
图10A是表示栅格图案的一变形例的图。
图10B是表示栅格图案的另一变形例的图。
图10C是表示栅格图案的另一变形例的图。
图11是表示图8的步骤S11的详细的处理步骤的流程图。
图12是示意地表示图11的步骤S12～S14的处理步骤的图。
图13A是表示1S图案的设计位置和1S图案的实际位置的位置误差的图。
图13B是表示将1S图案的位置误差进行了图像化的1S图的图。
图14A是表示2S图案的设计位置和1S图案的实际位置的位置误差的图。
图14B是表示将2S图案的位置误差进行了图像化的2S图的图。
图15是表示第3实施方式的带电粒子束描绘装置的概略结构的框图。
图16是表示第3实施方式的描绘位置修正处理的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的一实施方式进行说明。另外，在本说明书所附带的图中，为了图示和理解的容易的方便，适当将比例尺及纵横的尺寸比等从实物变更而夸张表示。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式的带电粒子束描绘装置1的概略结构的框图。以下，作为带电粒子束描绘装置1的一例而主要说明使用电子束的描绘装置，但在描绘中使用的带电粒子束并不限定于电子束，也可以使用X射线或伽马射线等的电磁放射线、α射线、β射线、质子射线、重离子射线等的粒子放射线等进行描绘。
图1的带电粒子束描绘装置1具备对描绘对象物6进行描绘的描绘室2、对描绘室2照射带电粒子束的镜筒3、和对镜筒3进行控制的控制系统4。
在描绘室2中，设置有在二维方向上移动自如的台5，在台5上载置着描绘对象物6。描绘对象物6是例如以石英为材料的掩模基板，也被称作坯料。描绘对象物6的表面被由电子束感光的抗蚀剂膜覆盖。
镜筒3作为向载置在台5上的描绘对象物6照射电子束的束照射部发挥功能。在镜筒3的内部，设置有电子枪7、电容器透镜8、消隐(blanking)偏转器9、第1投影透镜10、S1小孔11、成形偏转器12、第2投影透镜13、S2小孔14、中间透镜15、副偏转器16、物镜17和主偏转器18。另外，镜筒3的内部的构造是任意的，并不一定需要与图1是同样的。
电子枪7放射电子束。电容器透镜8使电子枪7的电子束聚光，向消隐偏转器9引导。消隐偏转器9当不进行描绘时进行将电子束错移的控制。即，消隐偏转器9对照射电子束的射击时间进行控制。
S1小孔11和S2小孔14为了对电子束的束形状进行加工而设置。成形偏转器12进行将穿过S1小孔11后的电子束朝向S2小孔14的控制。即，成形偏转器12对射击形状和射击尺寸进行控制。第1投影透镜10将由消隐偏转器9偏转后的电子束向S1小孔11引导。第2投影透镜13将由成形偏转器12偏转后的电子束向S2小孔14引导。中间透镜15使穿过S2小孔14后的电子束聚光，向副偏转器16引导。
副偏转器16对后述的子区域内的射击位置进行控制。物镜17使由副偏转器16偏转后的电子束聚光并向主偏转器18引导。主偏转器18对子区域的中心位置进行控制。
物镜17在其内部设置有线圈，由于在线圈中流过电流，所以成为热源。此外，在物镜17的附近还设置有对准线圈，该对准线圈也成为热源。在物镜17及对准线圈的周围，设置有热屏蔽部件及冷却部件，但在冷却功能对于要求的位置精度不够的情况下，也有可能热传输给台5上的描绘对象物6而变形、束位置精度恶化。
控制系统4具有描绘数据生成部21、图案数据生成部22、消隐驱动器23、束成形驱动器24、副偏转器驱动器25、主偏转器驱动器26、偏转控制部27、台驱动部28、台位置检测部29和主控制部30。
描绘数据生成部21生成描绘数据。图案数据生成部22生成在各射击中使用的图案数据。消隐驱动器23和束成形驱动器24基于来自偏转控制部27的偏转信号和由图案数据生成部22生成的图案数据，分别将消隐偏转器9和成形偏转器12驱动。副偏转器驱动器25和主偏转器驱动器26基于来自偏转控制部27的偏转信号和由描绘数据生成部21生成的描绘数据，分别对副偏转器16和主偏转器18进行驱动。
台驱动部28基于来自主控制部30的指示，使台5在二维方向上移动。台5的位置由台位置检测部29检测并向主控制部30发送。主控制部30对图1的带电粒子束描绘装置1内的各部进行控制。
在本实施方式中，如图2所示，将描绘对象物6的描绘区域划分为作为主偏转器18的Y方向可偏转宽度的短条状的多个条纹41，以各条纹41为单位进行描绘。各条纹41沿描绘对象物6的X方向延伸，并且在Y方向上具有规定的宽度。在图2中，将各条纹41的较长方向设为X方向，将较短方向设为Y方向。各条纹41被划分为作为副偏转器16的可偏转尺寸的多个子区域(sub field)42。向各子区域42照射电子束，进行希望的图案形状的描绘。各子区域42的中心位置的控制由主偏转器18进行。将各子区域42的描绘称作射击。各子区域42内的射击位置的控制由副偏转器16进行。各子区域42内的射击形状及射击尺寸的控制由成形偏转器12进行。
台驱动部28使台5一边沿X方向移动，一边沿Y方向移动各条纹41内的Y方向的子区域42数的量。由此，能够进行向各条纹41内的全子区域42的描绘。如果对于描绘对象物6内的一个条纹41的描绘结束，则进行对于下个条纹41的描绘。
在进行多重描绘的情况下，一旦对于一个条纹41的描绘结束，就例如沿Y方向移动条纹宽度的一半，进行对于新的条纹41的描绘。这样，在多重描绘中，一边使各条纹41重复一边反复进行描绘。
由此，对于一个子区域42进行多次描绘，所以能够提高图案位置的精度。
主控制部30如图1所示，具有温度分布计算部31、变形量计算部32和位置修正部33。温度分布计算部31基于台5的移动履历信息，计算由描绘室2内的热源带来的描绘对象物6的温度分布。移动履历信息是包括位置履历信息和滞留在这些位置处的时间履历信息或速度履历信息的信息。变形量计算部32基于载置在台5上的描绘对象物6的约束条件和计算出的温度分布，计算描绘对象物6的变形量。位置修正部33基于计算出的变形量，将向描绘对象物6的带电粒子束的照射位置修正。更具体地讲，位置修正部33基于计算出的变形量，按照条纹41内的每个子区域42对电子束的照射位置进行修正。
主控制部30也可以具有约束条件设定部34。约束条件设定部34设定将多个支承部中的与描绘对象物6的接触面的静摩擦力比描绘对象物6的变形应力大的1个以上的支承部设为描绘对象物6的约束点的约束条件。在此情况下，变形量计算部32基于由约束条件设定部34设定的约束条件和计算出的温度分布，计算描绘对象物6的变形量。
在本实施方式中，由于一边使台5移动一边按照每个条纹41进行描绘，所以描绘对象物6内的温度分布在描绘途中发生变化。描绘对象物6内的温度分布即使不用放射温度计等进行实测，也能够以比较好的精度以计算求出。
描绘对象物6内的温度分布例如可以用以下的(1)式的热传导方程式求出。在(1)中，K是玻璃的热扩散率[cm2/sec]，β是散热的时间常数[sec]。
在时刻ti，台5在掩模坐标(xi，yi)处滞留Δti秒的情况下，由热源带来的t秒后的掩模坐标(x，y)处的温度上升ΔTi(x，y，t)用以下的(2)式表示。在(2)中，L是描绘对象物6的厚度[cm]，ρ是石英玻璃的密度[g/cm3]，Cv是石英玻璃的比热[J/g/K]，W是每单位时间向描绘对象物6流入的总热量[J/sec]，σ是热源的分布[cm]，假定为高斯分布。
任意的时刻t的任意的坐标(x，y)处的温度T(x，y，t)由以下的(3)式表示。i是从描绘开始到时刻t的台5的移动履历信息。
T(x,y,t)＝∑iATi(xi,yi,ti,x,y,t)…(3)
图3A是表示描绘对象物6的温度分布的实测结果、图3B是表示使用上述的(1)～(3)式的温度分布的计算结果的图。在图3A及图3B中，当作为描绘对象物6而使用正方形的掩模基板、将热源在该掩模基板的中心位置处配置了1小时的情况下，决定式(2)中的热源的热量W、散热的时间常数β和热源的分布σ，以使图3B的计算结果能够将图3A的实测结果正确地再现。
图4是表示使用由图3A及图3B决定的热源、使载置掩模基板的台5随着时间而移动时的温度分布和掩模基板的位移量的计算结果的图。图4表示在掩模基板上不设置约束点而计算了掩模基板的温度分布和位移量的结果。
在图4中，将时刻t＝16[min]、110[min]、160[min]的温度分布表示在上段，将位移量表示在下段。位移量将掩模基板的各位置处的位移的大小及方向用箭头线的长度及方向表示。
在图4的温度分布的图中，颜色越浓的区域表示温度越高。在图4的例子中，随着时间的经过，使台5向图示的下方移动，所以掩模基板上的温度较高的区域向上方移动，随之，位移量较大的区域也向上方移动。
这样，在一边使载置着掩模基板的台5移动一边进行电子线描绘的情况下，根据台5的位置，掩模基板的温度分布和位移量发生变化。由此，希望将掩模基板的温度分布和位移量考虑在内而对照射电子线的位置进行修正。
图5是表示第1实施方式的描绘位置修正处理的流程图。图5的流程图将以描绘对象物6的条纹41单位进行描绘作为前提，按照条纹41内的每个子区域42对描绘位置进行修正。
图5的流程图由图1的主控制部30执行。首先，根据来自用户的指示，开始向描绘对象物6的电子束的描绘(步骤S1)。此时，经由未图示的输入部，取得关于描绘对象物6的材料及形状等的信息及台5的移动履历信息等。接着，基于上述的(1)～(3)式，计算描绘对象物6的任意的位置处的温度分布(步骤S2)。在该步骤S2中，计算任意的位置(x，y)及任意的时刻t的温度分布T(x，y，t)。
接着，设定描绘对象物6的约束条件(步骤S3)。描绘对象物6通常被台5上的3处以上的支承部支承。图6是表示用3处支承部40支承描绘对象物6的例子的图。不需要3处以上的支承部40的全部被约束。在步骤S3中，设定以这些支承部40中的、静摩擦力比描绘对象物6的变形应力大的1个以上的支承部40为约束点的约束条件。为了使静摩擦力比描绘对象物6的变形应力大，例如如图7所示，可以考虑使支承部40的前端侧的曲率平缓而扩大与描绘对象物6的接触面积、或增大支承部40的与描绘对象物6的接触部分的粗糙度等。这样，1个以上的支承部也可以对支承部的前端侧的曲率和支承部的与描绘对象物的接触部分的粗糙度的至少一方进行调整，以使与描绘对象物的接触面的静摩擦力比描绘对象物的变形应力大。
接着，基于在步骤S3中设定的约束条件，例如使用有限元法计算描绘对象物6的变形量ΔXn((v，w)T(x，y，t))(步骤S4)。这里，ΔXn是通过有限元法的分割而产生的第n个节点的位移量。(v，w)是约束点的坐标。另外，约束点的数量也可以比1个多，也可以是支承部的全部。
接着，基于描绘对象物6的变形量，按照描绘对象物6的条纹41内的每个子区域42对描绘位置进行修正(步骤S5)。如果设条纹41内的第k个子区域42的原点坐标的修正量为(Δxk，Δyk)，设与第k个子区域42最接近的节点nk处的位移量为(ΔXnk，ΔYnk)，则如(Δx1，Δy1)＝(ΔXn1，ΔYn1)，(Δx2，Δy2)＝(ΔXn2，ΔYn2)，…，(Δxk，Δyk)＝(ΔXnk，ΔYnk)那样进行修正。
接着，一边使台5在二维方向上移动，一边以描绘对象物6的条纹41单位，朝向在步骤S5中修正后的描绘位置照射电子束而进行描绘(步骤S6)。
如果对于一个条纹41结束描绘，则判定是否对全部的条纹41进行了描绘(步骤S7)。如果有应进行描绘的条纹41，则反复进行步骤S2以后的处理。另一方面，在对全部的条纹41进行了描绘的情况下，结束图5的处理。
这样，在第1实施方式中，基于台5的移动履历信息，计算由描绘室2内的热源带来的描绘对象物6的温度分布，基于计算出的温度分布和描绘对象物6的约束条件，计算描绘对象物6的变形量。由此，能够将伴随着台5的移动履历信息的由热源带来的影响和描绘对象物6的约束条件放考虑在内而对电子束的照射位置进行控制，能够使描绘位置精度提高。在将描绘对象物6以条纹41单位进行描绘的情况下，台5在二维方向上频繁地移动，与其对应地，描绘对象物6上的温度较高的地方变化，而根据本实施方式，由于基于台5的移动履历信息计算描绘对象物6的温度分布，所以即使描绘对象物6的温度分布对应于时间而变化，也能够精度良好地计算描绘对象物6的变形量。
此外，在第1实施方式中，由于设定将支承描绘对象物6的3个以上的支承部40中的静摩擦力比变形应力大的支承部40作为约束点的约束条件，所以可以在将描绘对象物6的约束条件考虑在内后计算描绘对象物的变形量，能够提高变形量的计算精度。
(第2实施方式)
第2实施方式其约束条件的决定方法与第1实施方式不同。第2实施方式的带电粒子束描绘装置1具备与图1同样的块结构。
图1的主控制部30内的约束条件设定部34，根据基于第1描绘图案由束照射部进行了向描绘对象物6的描绘的情况下的描绘位置的位置误差、与在使描绘对象物6的温度分布与进行了基于第1描绘图案的向描绘对象物6的描绘的情况不同的状态下基于第2描绘图案由束照射部进行了向描绘对象物6的描绘的情况下的描绘位置的位置误差的差、以及在第1描绘图案的描绘后且第2描绘图案的描绘前由温度分布计算部31计算出的描绘对象物6的温度分布，设定以描绘对象物6上的位移零的位置为约束点的约束条件。
图8是表示第2实施方式的描绘位置修正处理的流程图。图8代替图2的步骤S3而进行步骤S11的处理。在步骤S11中，设定通过事前描绘结果中的匹配而决定的约束条件。在事前描绘中，例如如图9(a)那样，在描绘对象物6上描绘19×19的栅格。各栅格例如如图9(b)那样，包括十字形状的图案和4个矩形图案。
以下，将构成各栅格的十字形状的图案称作1S图案43，将左上的矩形图案称作2S图案44，将右上的矩形图案称作3S图案45，将右下的矩形图案称作4S图案46，将左下的矩形图案称作5S图案47。将这些1S～5S图案43～47如后述那样在不同的时刻进行描绘。
另外，描绘对象物6内的栅格的数量和栅格的具体的图案是任意的。例如，既可以如图10A那样改变图9(b)的2S～5S图案44～47的形状，也可以如图10B那样从图10A中省略1S图案43，也可以如图10C那样从图9(b)中省略1S图案43。
图11是表示通过图8的事前描绘中的匹配进行的约束条件的决定的详细的处理步骤的流程图。首先，向描绘对象物6的19×19栅格描绘1S图案43(步骤S12)。进行描绘的描绘对象物6是与进行正式描绘的描绘对象物6分别设置的事前描绘用的描绘对象物6。
接着，在将1S图案43描绘后，取得台5的移动履历信息(步骤S13)。接着，向描绘对象物6的19×19栅格描绘2S图案44(步骤S14)。在描绘2S图案44之前取得台5的移动履历信息的理由，是为了在与1S图案43不同的温度分布下描绘2S图案44，生成位置误差图(map)。
图12是示意地表示图11的步骤S12～S14的处理步骤的图。在图12的例子中，表示了在描绘了1S图案43之后、使台5在描绘对象物6的右下角为温度最高的位置处待机、然后描绘2S图案44的例子。
在此情况下，在1S图案43的描绘时和2S图案44的描绘时，描绘对象物6的温度分布不同，所以描绘对象物6的变形量也不同。由此，在1S图案43和2S图案44中发生不同的位置误差。
所以，如图13A那样，求出1S图案43的设计上的描绘位置(设计位置)与1S图案43的实际的描绘位置的位置误差。接着，如图13B那样，生成对各栅格的位置误差进行了图像化的1S图48。同样，如图14A那样，求出2S图案44的设计上的描绘位置与2S图案44的实际的描绘位置的位置误差。接着，如图14B那样，生成对各栅格的位置误差进行了图像化的2S图49(步骤S15)。
接着，生成对1S图48与2S图49的差进行了图像化的2S－1S图(差图)(步骤S16)。
接着，基于2S－1S图和在步骤S13中生成的台5的移动履历信息，进行匹配处理，决定以描绘对象物6上的位移零的位置为约束点的约束条件(步骤S17)。
在想要使约束点的精度提高的情况下，在2S图案44的描绘后反复进行台5的移动履历信息的取得→3S图案45的描绘→台5的移动履历信息的取得→…→nS图案的描绘→台5的移动履历信息的取得这样的处理。由此，能够提高描绘对象物6上的位移零的位置精度，能够精度更高地决定约束条件。
如果在图8的步骤S11中设定约束条件，则进行与图2的步骤S4～S7同样的处理，将基于台5的移动履历信息的温度分布和描绘对象物6的约束条件考虑在内，计算描绘对象物6的变形量，基于计算出的变形量，在将电子束的照射位置修正后进行描绘。
这样，在第2实施方式中，由于在不同的温度分布下进行事前描绘而求出各位置误差的差图，基于差图和温度分布，将描绘对象物6上的位移零的位置决定为约束点，所以能够提高决定约束条件的精度。此外，通过将由1次的事前描绘所描绘的栅格图案和台移动履历信息的种类而反复进行差图的比较，能够使约束点的精度进一步提高，能够精度更好地估计描绘对象物6的变形量。
(第3实施方式)
第3实施方式与第1及第2实施方式相比，到将电子束的照射位置修正为止的处理不同。
图15是表示第3实施方式的带电粒子束描绘装置1的概略结构的框图。图15与图1相比，主控制部30的内部结构不同，但除此以外的结构与图1相同。图15的主控制部30除了与图1同样具有温度分布计算部31、变形量计算部32、位置修正部33和约束条件设定部34以外，还具有事前描绘图案生成部35和移动履历信息计算部36。事前描绘图案生成部35生成包含应向事前描绘用的描绘对象物6描绘的描绘图案的布局信息。移动履历信息计算部36计算由所生成的描绘图案得到的台5的移动履历信息。温度分布计算部31基于由移动履历信息计算部36计算出的移动履历信息，计算描绘对象物6的温度分布。变形量计算部32根据载置在台5上的描绘对象物6的约束条件、以及基于移动履历信息计算出的温度分布，计算描绘对象物6的变形量。位置修正部33基于计算出的变形量，生成用来将描绘对象物6内的带电粒子束的照射位置修正的位置修正图。束照射部基于由位置修正部33生成的位置修正图，开始向描绘对象物6的描绘。
图16是表示第3实施方式的描绘位置修正处理的流程图。首先，由事前描绘图案生成部35生成包含事前描绘用的描绘图案的布局信息，向未图示的存储部登记(步骤S21)。接着，基于布局信息，由移动履历信息计算部36计算台5的移动履历信息(步骤S22)。接着，由温度分布计算部31计算各时刻的描绘对象物6的温度分布(步骤S23)。接着，由变形量计算部32计算各时刻的描绘对象物6的变形量(步骤S24)。接着，由位置修正部33按照描绘对象物6的每个条纹41计算条纹41内的位置修正图(步骤S25)。
上述的步骤S21～S25可以不实际向描绘对象物6进行描绘，而是主控制部30通过计算处理来进行。
如果步骤S24的处理结束，则开始实际的向描绘对象物6的描绘(步骤S26)。即，一边以描绘对象物6的各条纹41为单位使台5在二维方向上移动，一边按照通过步骤S25的处理得到的位置修正图将电子束的照射位置修正而进行描绘(步骤S27)。接着，判定是否存在还没有进行描绘的条纹41(步骤S28)，如果存在还没有进行描绘的条纹41，则反复进行步骤S27～S28的处理，如果全部的条纹41的描绘结束，则结束图16的处理。
这样，在第3实施方式中，在进行向描绘对象物6的实际的描绘之前，根据布局信息通过计算处理计算温度分布，计算描绘对象物6的变形量，基于此来计算条纹41内的位置修正图，然后使用该位置修正图进行向描绘对象物6的实际的描绘。因而，在实际进行描绘处理时，能够利用事前通过计算处理求出的位置修正图进行描绘位置的修正，所以能够使描绘处理高速化。
在上述的实施方式中说明的带电粒子束描绘装置1的控制系统4的至少一部分(例如，主控制部30)既可以由硬件构成，也可以由软件构成。在由硬件构成的情况下，硬件包括电路。在由软件构成的情况下，也可以将实现控制系统4的至少一部分的功能的程序保存到软盘或CD－ROM等的记录介质中，使计算机将其读入并执行。记录介质并不限定于磁盘或光盘等的可拆装的介质，也可以是硬盘装置或存储器等的固定型的记录介质。
此外，也可以将实现控制系统4的至少一部分的功能的程序经由因特网等的通信线路(也包括无线通信)发布。进而，也可以将该程序以加密或加以调制、或压缩的状态下经由因特网等的有线线路无线线路、或保存到记录介质中而发布。
说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，不是要限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种各样的省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明和其等价的范围中。

Claims (14)

1.一种带电粒子束描绘装置，其特征在于，
具备：
描绘室，容纳载置描绘对象物的台；
束照射部，向载置在上述台上的上述描绘对象物照射带电粒子束；
台驱动部，使上述台移动；
温度分布计算部，基于上述台的移动履历信息，计算由上述描绘室内的热源带来的上述描绘对象物的温度分布；
变形量计算部，基于载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；以及
位置修正部，基于计算出的上述变形量，将带电粒子束向上述描绘对象物的照射位置修正；
上述束照射部基于由上述位置修正部修正后的照射位置照射上述带电粒子束。
2.如权利要求1所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
具备：
多个支承部，在上述台上支承上述描绘对象物；以及
约束条件设定部，设定将上述多个支承部中的、与上述描绘对象物的接触面的静摩擦力比上述描绘对象物的变形应力大的1个以上的支承部作为上述描绘对象物的约束点的上述约束条件；
上述变形量计算部基于由上述约束条件设定部设定的上述约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量。
3.如权利要求2所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
对于上述1个以上的支承部，调整上述支承部的前端侧的曲率、和上述支承部与上述描绘对象物的接触部分的粗糙度中的至少一方，以使其与上述描绘对象物的接触面的静摩擦力比上述描绘对象物的变形应力大。
4.如权利要求1所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
具备约束条件设定部，该约束条件设定部基于在使上述描绘对象物的温度分布不同的状态下由上述束照射部进行了向上述描绘对象物的描绘的情况下的描绘位置的位置误差的差和上述描绘对象物的温度分布，设定以上述描绘对象物上的位移零的位置为约束点的上述约束条件。
5.如权利要求4所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
上述约束条件设定部基于将分别不同的多个事前描绘图案以分别不同的温度分布用上述束照射部对上述描绘对象物进行了描绘的情况下的描绘位置的位置误差的差、和描绘上述多个事前描绘图案时的上述描绘对象物的温度分布，设定以上述描绘对象物上的位移零的位置为约束点的上述约束条件。
6.如权利要求1所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
具备：
事前描绘图案生成部，生成应向上述描绘对象物描绘的事前描绘图案；以及
移动履历信息计算部，根据生成的上述事前描绘图案，计算上述台的移动履历信息；
上述温度分布计算部基于上述移动履历信息，计算上述描绘对象物的温度分布；
上述变形量计算部根据载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和基于上述移动履历信息计算出的温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；
上述位置修正部基于计算出的上述变形量，将上述描绘对象物内的带电粒子束的照射位置修正；
上述束照射部基于由上述位置修正部修正后的照射位置，开始向上述描绘对象物的描绘。
7.如权利要求1所述的带电粒子束描绘装置，其特征在于，
上述台驱动部使上述描绘对象物沿相互交叉的第1方向及第2方向移动；
上述束照射部以沿上述描绘对象物的上述第1方向延伸并在上述第2方向上具有规定的宽度的条纹为单位，进行向上述描绘对象物的描绘；
上述条纹具有在上述第1方向及上述第2方向上各配置有多个、且分别被照射来自上述束照射部的带电粒子束的多个子区域；
上述位置修正部基于计算出的上述变形量，按照上述条纹内的上述多个子区域中的每一个将带电粒子束的照射位置修正。
8.一种带电粒子束描绘方法，其特征在于，
基于载置描绘对象物的台的移动履历信息，计算由描绘室内的热源带来的上述描绘对象物的温度分布；
基于载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；
基于计算出的上述变形量，将带电粒子束向上述描绘对象物的照射位置修正；
基于修正后的上述照射位置，照射上述带电粒子束。
9.如权利要求8所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
在上述台上，用多个支承部支承上述描绘对象物；
设定将上述多个支承部中的、与上述描绘对象物的接触面的静摩擦力比上述描绘对象物的变形应力大的1个以上的支承部作为上述描绘对象物的约束点的上述约束条件；
在上述变形量的计算中，基于所设定的上述约束条件和计算出的上述温度分布，计算上述描绘对象物的变形量。
10.如权利要求9所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
对于上述1个以上的支承部，调整上述支承部的前端侧的曲率、和上述支承部的与上述描绘对象物的接触部分的粗糙度中的至少一方，以使其与上述描绘对象物的接触面的静摩擦力比上述描绘对象物的变形应力大。
11.如权利要求8所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
基于在使上述描绘对象物的温度分布不同的状态下进行了向上述描绘对象物的描绘的情况下的描绘位置的位置误差的差和上述描绘对象物的温度分布，设定以上述描绘对象物上的位移零的位置为约束点的上述约束条件。
12.如权利要求11所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
在上述约束条件的设定中，基于将分别不同的多个事前描绘图案以分别不同的温度分布对上述描绘对象物进行了描绘的情况下的描绘位置的位置误差的差和描绘上述多个事前描绘图案时的上述描绘对象物的温度分布，设定以上述描绘对象物上的位移零的位置为约束点的上述约束条件。
13.如权利要求8所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
生成应向上述描绘对象物描绘的事前描绘图案；
根据生成的上述事前描绘图案，计算上述台的移动履历信息；
基于上述移动履历信息，计算上述描绘对象物的温度分布；
根据载置在上述台上的上述描绘对象物的约束条件和基于上述移动履历信息计算出的温度分布，计算上述描绘对象物的变形量；
基于计算出的上述变形量，将上述描绘对象物内的带电粒子束的照射位置修正；
基于由上述位置修正部修正后的照射位置，开始向上述描绘对象物的描绘。
14.如权利要求8所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
在上述台的移动中，使上述描绘对象物沿相互交叉的第1方向及第2方向移动；
以沿上述描绘对象物的上述第1方向延伸并在上述第2方向上具有规定的宽度的条纹为单位，进行向上述描绘对象物的描绘；
上述条纹具有在上述第1方向及上述第2方向上各配置有多个、且分别被照射来自上述束照射部的带电粒子束的多个子区域；
基于计算出的上述变形量，按照上述条纹内的上述多个子区域中的每一个将带电粒子束的照射位置修正。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040065848A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Takashi Onishi Electron beam lithography system and method therefor
CN1645255A (zh) * 2003-12-23 2005-07-27 Asml荷兰有限公司 光刻过程中晶片热形变的优化校正
CN1746775A (zh) * 2004-08-13 2006-03-15 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN102138201A (zh) * 2008-09-01 2011-07-27 D2S公司 用可变形束光刻的光学邻近校正、设计和制造光刻板方法
CN107039226A (zh) * 2016-02-04 2017-08-11 株式会社爱德万测试 曝光装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0636997A (ja) 1992-07-15 1994-02-10 Hitachi Ltd 電子線描画装置
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
JPH10261565A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
JP3708858B2 (ja) * 2001-09-20 2005-10-19 株式会社東芝 パターン描画方法及び描画装置
JP3569255B2 (ja) * 2001-12-19 2004-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線描画装置および試料位置の補正方法
JP3615198B2 (ja) * 2002-04-18 2005-01-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画装置
JP4760705B2 (ja) * 2004-03-01 2011-08-31 株式会社ニコン 事前計測処理方法、露光システム及び基板処理装置
JP2007019279A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Hitachi High-Technologies Corp 電子線描画装置
US8125613B2 (en) * 2006-04-21 2012-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010267723A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5607907B2 (ja) 2009-09-17 2014-10-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
JP5744601B2 (ja) * 2010-04-20 2015-07-08 キヤノン株式会社 電子線描画装置及びデバイス製造方法
JP2012119484A (ja) 2010-11-30 2012-06-21 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
KR101493013B1 (ko) * 2013-06-14 2015-02-13 에이피시스템 주식회사 빔 패터닝 방향 및 패터닝 위치 보정 방법
JP2015177032A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2018041528A (ja) * 2014-12-10 2018-03-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ ステージ装置およびそれを用いた荷電粒子線装置
TWI597764B (zh) * 2015-09-07 2017-09-01 Nuflare Technology Inc Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method
JP6603108B2 (ja) * 2015-11-18 2019-11-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040065848A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Takashi Onishi Electron beam lithography system and method therefor
CN1645255A (zh) * 2003-12-23 2005-07-27 Asml荷兰有限公司 光刻过程中晶片热形变的优化校正
CN1746775A (zh) * 2004-08-13 2006-03-15 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN102138201A (zh) * 2008-09-01 2011-07-27 D2S公司 用可变形束光刻的光学邻近校正、设计和制造光刻板方法
CN107039226A (zh) * 2016-02-04 2017-08-11 株式会社爱德万测试 曝光装置

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