JP2012119484A - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【課題】試料の温度変化による描画精度の低下を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、マスク基板２を載置するステージ３を内蔵する描画室１と、ステージ３に載置されるマスク基板２に電子ビーム５４を照射するビーム照射手段１０と、マスク基板２の伸縮量を測定するレーザ干渉計と、伸縮量を補正量として電子ビーム５４の照射位置にフィードバックする補正処理部３１ａとを有する。マスク基板２の伸縮量は、そのＸ軸方向およびＹ軸方向の少なくとも一方について、端面のそれぞれを２点ずつ測定することが好ましい。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法に関する。

近年、半導体集積回路の高集積化に伴って、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のパターンは、より微細化および複雑化する傾向にある。このため電子ビームを用いてフォトマスクにパターンを描画する、電子ビームリソグラフィ技術の開発が進められている。

電子ビームリソグラフィ技術は、本質的に優れた解像度を有している。また、焦点深度を大きく確保することができるので、高い段差上でも寸法変動を抑制できるという利点も有している。このため、ＤＲＡＭを代表とする最先端デバイスの開発に適用されている他、一部ＡＳＩＣの生産にも用いられている。さらに、ウェハにＬＳＩパターンを転写する際の原版となるマスクまたはレチクルの製造現場においても、電子ビームリソグラフィ技術が広く一般に使われている。

電子ビーム描画装置は、試料を載置するステージを内蔵する描画室と、ステージに載置した試料に電子ビームを照射するビーム照射手段と、描画室に隣接する位置に配置されたロボット室と、ロボット室に収納された搬送ロボットとを備える。搬送ロボットは、ロボットアームと、ロボットアームの先端に取り付けたエンドエフェクタとを有し、試料をエンドエフェクタに載置した状態でステージに搬送する。また、ロボット室の周囲には、試料に対し位置決めなどの所定の処理を施す処理室が配置されており、搬送ロボットにより処理室に試料を搬入し、処理室での処理後に、搬送ロボットにより試料を処理室から搬出してステージに搬送するようにしている。

ステージに搬送される前の試料の温度と、描画室の温度とが異なる場合、試料の温度は描画室への搬送後に変化する。すると、これに伴って試料が伸縮し、描画精度に影響を及ぼすため、試料の温度が所定温度になった状態で描画を開始する必要がある。描画室の温度は所定温度に維持されており、試料をステージに搬送して載置した後、ある程度時間（ソーキング時間）が経つと、試料の温度は描画室の温度に等しい所定温度になる。しかしながら、試料をステージに搬送してからソーキング時間の経過を待って描画を開始したのでは、スループットが低下する。

そこで、従来、ロボット室および処理室の温度を所定温度に維持する恒温手段を設け、処理室での処理中に試料の温度を所定温度にして、試料をステージに搬送した後、直ちに描画を開始するようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。これによれば、ソーキング時間がロスタイムにならず、スループットが向上するとされる。

特開２００７−１７８６８２号公報

しかしながら、搬送ロボットのエンドエフェクタの温度は、ロボットの駆動源からロボットアームを介して伝わる熱により、ロボット室の温度（所定温度）に比べて若干高くなる。このため、処理室からステージに試料を搬送する際に、エンドエフェクタからの熱伝導で試料の温度が所定温度よりも若干高くなってしまう。ＬＳＩなどの微細パターンの描画では、こうした若干の温度上昇でも描画精度に悪影響を及ぼすことになるが、従来法においては、エンドエフェクタからの伝熱による試料の温度上昇を考慮していないという問題があった。

本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、試料の温度変化による描画精度の低下を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することをその課題としている。

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。

本発明の第１の態様は、試料を載置するステージを内蔵する描画室と、
ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段と、
試料の伸縮量を測定する手段と、
伸縮量を補正量として荷電粒子ビームの照射位置にフィードバックする手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置に関する。

本発明の第１の態様において、試料の伸縮量を測定する手段は、レーザ干渉計を用いて構成されることが好ましい。

本発明の第１の態様において、試料の伸縮量を測定する手段は、試料のＸ軸方向およびＹ軸方向の少なくとも一方について、端面のそれぞれを２点ずつ測定するものであることが好ましい。

本発明の第２の態様は、荷電粒子ビームの光路上に配置された偏向器を用いて荷電粒子ビームの照射位置を制御し、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
試料の伸縮量を測定する工程と、
伸縮量に応じた荷電粒子ビームの照射位置の補正量を算出する工程と、
補正量を用いて補正した照射位置に荷電粒子ビームで前記パターンを描画する描画工程とを有することを特徴とするものである。

本発明の第２の態様は、伸縮量を所定の閾値と比較する比較工程をさらに有し、
補正量を算出する工程は、伸縮量が閾値より大きい場合に行われることが好ましい。

本発明によれば、試料の温度変化による描画精度の低下を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法が提供される。

本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。 本実施の形態の電子ビームによる描画方法の説明図である。 ヘテロダイン干渉計の構成を説明する図である。 ステージ近傍の構成を示す図である。

図１は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。

図１において、電子ビーム描画装置の描画室１内には、試料であるマスク基板２が設置されたステージ３が設けられている。ステージ３は、ステージ駆動回路４によりＸ方向とＹ方向に駆動される。ステージ３の移動位置は、レーザ測長計などを用いた位置回路５により測定される。

描画室１の上方には、ビーム照射手段１０が設置されている。ビーム照射手段１０は、電子銃６、各種レンズ７、８、９、１１、１２、ブランキング用偏向器１３、成形偏向器１４、ビーム走査用の主偏向器１５、ビーム走査用の副偏向器１６、および、２個のビーム成形用アパーチャ１７、１８などから構成されている。

図２は、電子ビームによる描画方法の説明図である。この図に示すように、マスク基板２上に描画されるパターン５１は、短冊状のフレーム領域５２に分割されている。電子ビーム５４による描画は、ステージ３が一方向（例えば、Ｘ方向）に連続移動しながら、フレーム領域５２毎に行われる。フレーム領域５２は、さらに副偏向領域５３に分割されており、電子ビーム５４は、副偏向領域５３内の必要な部分のみを描画する。尚、フレーム領域５２は、主偏向器１５の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、副偏向領域５３は、副偏向器１６の偏向幅で決まる単位描画領域である。

副偏向領域５３内での電子ビーム５４の位置決めは、副偏向器１６で行われる。副偏向領域５３の位置制御は、主偏向器１５によってなされる。すなわち、主偏向器１５によって、副偏向領域５３の位置決めがされ、副偏向器１６によって、副偏向領域５３内でのビーム位置が決められる。さらに、成形偏向器１４とビーム成形用アパーチャ１７、１８によって、電子ビーム５４の形状と寸法が決められる。そして、ステージ３を一方向に連続移動させながら、副偏向領域５３内を描画し、１つの副偏向領域５３の描画が終了したら、次の副偏向領域５３を描画する。フレーム領域５２内の全ての副偏向領域５３の描画が終了したら、ステージ３を連続移動させる方向と直交する方向（例えば、Ｙ方向）にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、フレーム領域５２を順次描画して行く。

本実施の形態では、マスク基板２の伸縮量を測定し、その結果を補正量として描画にフィードバックすることを特徴とする。マスク基板２の伸縮量は、レーザ干渉計を用いて測定することができる。

レーザ干渉計は、例えば、ヘテロダイン干渉計とすることができる。図３を用いて、ヘテロダイン干渉計の構成を説明する。

光源３１０には、ゼーマン効果を利用した２周波レーザを用いることができる。ビームスプリッタ３２０、３３０は、所定の偏光成分を通過させて、他の偏光成分を反射する光学素子である。ここでは、ビームスプリッタ３２０を透過した光（ｆ_１、ｆ_２）を測定光とし、ビームスプリッタ３２０で反射した光（ｆ_１−ｆ_２）を参照光として分離している。また、ビームスプリッタ３３０で反射した光（ｆ_１）は、コーナーキューブ３４０によって再びビームスプリッタ３３０に戻される。同様に、ビームスプリッタ３３０を透過した光（ｆ_２）も、コーナーキューブ３５０によってビームスプリッタ３３０に戻される。検出器３６０では、これらの反射光のビート信号が検出される。

ここで、周波数がわずかに異なる光（ｆ_１、ｆ_２）の電場は、それぞれ次式で表される。但し、α_１とα_２は光の振幅を、φ_１とφ_２は光の位相を表す。

上記２つの光を重ね合わせると、検出される光の強度Ｉは次式のようになる。但し、ｆ（＝ｆ_１−ｆ_２）は光ビート周波数であり、Δ（＝φ_１−φ_２）は２つの光の位相差である。

このように、周波数がわずかに異なる二光波を干渉させて、周波数（ｆ_１−ｆ_２）の光のビート信号を観測する。ここで、ビート信号の位相は、それぞれの光の光路差に比例しており、λ/１０００程度の精度で測定できる。したがって、ヘテロダイン干渉を利用すれば、高精度での長さ測定が可能になる。

図４は、本実施の形態におけるステージ周辺の模式図である。図４において、レーザ１０１は、波長の異なる２種類のレーザ光（Ｌ_１、Ｌ_２）を出射する。

レーザ１０１から出射した光は、第１のビームスプリッタ１０２によって分離され、一方は第２のスプリッタ１０３に入射する。そして、第２のスプリッタ１０３でさらに２方向に分離される。第２のビームスプリッタ１０３を直進した光は、第３のビームスプリッタ１０４でさらに２方向に分離される。

第３のビームスプリッタ１０４で反射された光は、参照光として第１のインターフェロメータ１０５に入射する。第１のインターフェロメータ１０５は、内部に半透鏡を有していて、この半透鏡によって入射した光を異なる２つの経路に分ける。第１のインターフェロメータ１０５によって分離された参照光の一方は、第１のリファレンスミラー１０６に入射する。そして、第１のリファレンスミラー１０６によって反射された光は、第１の再びインターフェロメータ１０５に戻る。

第３のビームスプリッタ１０４を透過した光は、測定光として第２のインターフェロメータ１０７に入射する。そして、第２のインターフェロメータ１０７によって分離された測定光の一方は、マスク基板２に入射する。そして、マスク基板２によって反射された光は、再び第２のインターフェロメータ１０７に戻る。

第２のビームスプリッタ１０３で反射した光は、さらに第１のミラー１０８で進行方向を曲げられて第４のビームスプリッタ１０９に入射する。そして、第４のビームスプリッタ１０９で、参照光と測定光に分けられる。

第４のビームスプリッタ１０９で反射された光は、参照光として第３のインターフェロメータ１１０に入射する。第３のインターフェロメータ１１０によって分離された参照光の一方は、第１のリファレンスミラー１０６に入射する。そして、第１のリファレンスミラー１０６によって反射された光は、再び第３のインターフェロメータ１１０に戻る。

第４のビームスプリッタ１０９を透過した光は、測定光として第４のインターフェロメータ１１１に入射する。そして、第４のインターフェロメータ１１１によって分離された測定光の一方は、マスク基板２に入射する。そして、マスク基板２によって反射された光は、再び第４のインターフェロメータ１１１に戻る。

一方、レーザ１０１から出射し、第１のビームスプリッタ１０２によって反射された光は、さらに第２のミラー１１２によって進行方向を曲げられて第５のビームスプリッタ１１３に入射する。そして、第５のビームスプリッタ１１３で２方向に分離される。第５のビームスプリッタ１１３を直進した光は、第６のビームスプリッタ１１４でさらに２方向に分離される。

第６のビームスプリッタ１１４で反射された光は、参照光として第５のインターフェロメータ１１５に入射する。第５のインターフェロメータ１１５によって分離された参照光の一方は、第２のリファレンスミラー１１６に入射する。そして、第２のリファレンスミラー１１６によって反射された光は、再び第５のインターフェロメータ１１５に戻る。

第６のビームスプリッタ１１４を透過した光は、測定光として第６のインターフェロメータ１１７に入射する。そして、第６のインターフェロメータ１１７によって分離された測定光の一方は、マスク基板２に入射する。そして、マスク基板２によって反射された光は、再び第６のインターフェロメータ１１７に戻る。

第５のビームスプリッタ１１３で反射した光は、さらに第３のミラー１１８で進行方向を曲げられて第７のビームスプリッタ１１９に入射する。そして、第７のビームスプリッタ１１９で、参照光と測定光に分けられる。

第７のビームスプリッタ１１９で反射された光は、参照光として第７のインターフェロメータ１２０に入射する。第７のインターフェロメータ１２０によって分離された参照光の一方は、第２のリファレンスミラー１１６に入射する。そして、第２のリファレンスミラー１１６によって反射された光は、再び第７のインターフェロメータ１２０に戻る。

第７のビームスプリッタ１１９を透過した光は、測定光として第８のインターフェロメータ１２１に入射する。そして、第８のインターフェロメータ１２１によって分離された測定光の一方は、マスク基板２に入射する。そして、マスク基板２によって反射された光は、再び第８のインターフェロメータ１２１に戻る。

第１のインターフェロメータ１０５と第３のインターフェロメータ１１０からの出力値を基準とし、第２のインターフェロメータ１０７と第４のインターフェロメータ１１１からの出力値と比較する。同様に、第５のインターフェロメータ１１５と第７のインターフェロメータ１２０からの出力値を基準とし、第６のインターフェロメータ１１７と第８のインターフェロメータ１２１からの出力値と比較する。これにより、マスク基板２のＸ方向の伸縮量を測定することができる。かかる測定は、所定時間毎に行うことができる。例えば、電子ビームのドリフト量の測定と同時に行うことができる。

また、図４におけるレーザ干渉計を９０度回転させた位置に配置することによって、マスク基板２のＹ方向の伸縮量についても同様に測定することができる。

本実施の形態においては、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の少なくとも一方について、端面のそれぞれを２点ずつ測定することが好ましく、両軸方向について端面のそれぞれを２点ずつ測定することがより好ましい。図４の例のように、マスク基板２のＸ方向について４点、すなわち、Ｘ方向の各端面をそれぞれ２点ずつ測定し、Ｙ方向についても同様に４点測定すれば、上述したマスク基板２の伸縮量に加えて、歪み量や回転量を測定することが可能である。

上記のようにして測定されたマスク基板２の伸縮量は、図１の位置回路５を通じて制御計算機１９に送られる。そして、制御計算機１９において、上記伸縮量の測定結果を補正量として描画にフィードバックするか否かの判定が行われる。具体的には、伸縮量の測定結果を所定の閾値と比較し、閾値以下である場合には測定を続ける。一方、伸縮量の測定結果が所定の閾値より大きくなった場合には、下記で述べるようにして描画にフィードバックする。

マスクパターンの設計データ（ＣＡＤデータ）は、電子ビーム描画装置に入力可能な形式のレイアウトデータに変換された後、さらに描画データに変換される。描画データは、記憶媒体である磁気ディスクに記録された後、入力部２０から制御計算機１９によって読み出され、フレーム領域５２毎にパターンメモリ２１に一時的に格納される。

パターンメモリ２１に格納されたフレーム領域５２毎のパターンデータ、すなわち、描画位置や描画図形データなどで構成されるフレーム情報は、描画データ補正部３１で補正される。

描画データ補正部３１では、補正処理部３１ａにおいて、マスク基板２の伸縮量に応じた照射位置の補正が行われる。

上記補正は、上述した制御計算機１９における判定で伸縮量の測定値が閾値より大きくなった場合に行われる。具体的には、制御計算機１９で伸縮量に応じた補正が必要と判定された場合に、制御計算機１９から補正処理部３１ａに所定の信号が送られて、マスク基板２の伸縮量に応じた位置補正量が算出される。次いで、この補正量に基づき、照射位置取得部３１ｂにおいて照射位置が決定される。

例えば、マスク基板２上での描画指定位置（ｘ、ｙ）に対して、最小自乗法を用いて算出した補正係数を考慮した描画位置を（ｘ′、ｙ′）とすると、ｘ′とｙ′はそれぞれ次式によって表わされる。

尚、マスク基板２の伸縮量に応じた照射位置の補正が必要であるか否かの判定は、制御計算機１９ではなく、描画データ補正部３１、例えば補正処理部３１ａで行うこともできる。

また、補正処理部３１ａでは、公知の方法により、近接効果補正、ローディング効果補正およびかぶり効果補正を考慮した補正量も算出される。次いで、これらの補正量に基づいて、照射量取得部３１ｃで実際の照射位置における電子ビームの照射量が算出される。

描画データ補正部３１で決定された照射位置と照射量のデータは、データ解析部であるパターンデータデコーダ２２と描画データデコーダ２３に送られる。次いで、これらを介して、副偏向領域偏向量算出部２８、ブランキング回路２４、ビーム成形器ドライバ２５、副偏向器ドライバ２６、主偏向器ドライバ２７に送られる。

また、制御計算機１９には、偏向制御部３０が接続している。偏向制御部３０は、セトリング時間決定部２９に接続し、セトリング時間決定部２９は、副偏向領域偏向量算出部２８に接続し、副偏向領域偏向量算出部２８は、パターンデータデコーダ２２に接続している。また、偏向制御部３０は、ブランキング回路２４と、ビーム成形器ドライバ２５と、副偏向器ドライバ２６と、主偏向器ドライバ２７とに接続している。また、偏向制御部３０はステージ３にも接続しており、これによってステージ３の移動速度が制御される。

パターンデータデコーダ２２からの情報は、ブランキング回路２４とビーム成形器ドライバ２５に送られる。具体的には、パターンデータデコーダ２２で描画データに基づいてブランキングデータが作成され、ブランキング回路２４に送られる。また、描画データに基づいて所望とするビーム寸法データも作成されて、副偏向領域偏向量算出部２８とビーム成形器ドライバ２５に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ２５から、ビーム照射手段１０の成形偏向器１４に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４の形状と寸法が制御される。

副偏向領域偏向量算出部２８は、パターンデータデコーダ２２で作成したビーム形状データから、副偏向領域５３における、１ショット毎の電子ビームの偏向量（移動距離）を算出する。算出された情報は、セトリング時間決定部２９に送られ、副偏向による移動距離に対応したセトリング時間が決定される。

セトリング時間決定部２９で決定されたセトリング時間は、偏向制御部３０へ送られた後、パターンの描画のタイミングを計りながら、偏向制御部３０より、ブランキング回路２４、ビーム成形器ドライバ２５、副偏向器ドライバ２６、主偏向器ドライバ２７のいずれかに適宜送られる。

描画データデコーダ２３では、描画データに基づいて副偏向領域５３の位置決めデータが作成され、このデータは、副偏向器ドライバ２６と主偏向器ドライバ２７に送られる。そして、主偏向器ドライバ２７から、ビーム照射手段１０の主偏向器１５に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム５４が所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ２６から、副偏向器１６に所定の副偏向信号が印加されて、副偏向領域５３内での描画が行われる。この描画は、具体的には、設定されたセトリング時間が経過した後、電子ビーム５４を繰り返し照射することによって行われる。

以上述べたように、本実施の形態では、マスク基板の伸縮量を測定し、その測定結果を補正量として描画にフィードバックする。したがって、ステージに搬送される前のマスク基板の温度と、描画室の温度とが異なり、描画室への搬送後にマスク基板の温度が変化してマスク基板が伸縮しても、それによる描画精度への影響を最小限にすることができる。よって、本実施の形態によれば、ソーキング時間の経過を待たずに描画を開始できるので、スループットの向上を図ることができる。

また、本実施の形態によれば、描画中に電子ビームのエネルギーにより、マスク基板の温度が変化しても、それによる描画精度の低下を抑制することもできる。

さらに、本実施の形態によれば、描画室の温度をある程度広いマージンで調整することも可能である。それによりマスク基板の伸縮量が大きくなっても、伸縮量に応じた補正量が描画にフィードバックされるので、描画精度の低下は抑制される。例えば、±０．０１℃の精度で描画室の温度管理が行われている場合、描画精度に対する要求が高まりさらに高精度での温度管理が必要となっても、描画室を所定の温度に維持する恒温手段を変えずに描画精度を高めることが可能である。

尚、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。

１ 描画室
２ マスク基板
３ ステージ
４ ステージ駆動回路
５ 位置回路
６ 電子銃
７、８、９、１１、１２ 各種レンズ
１０ ビーム照射手段
１３ ブランキング用偏向器
１４ 成形偏向器
１５ 主偏向器
１６ 副偏向器
１７ 第１のアパーチャ
１８ 第２のアパーチャ
１９ 制御計算機
２０ 入力部
２１ パターンメモリ
２２ パターンデータデコーダ
２３ 描画データデコーダ
２４ ブランキング回路
２５ ビーム成形器ドライバ
２６ 副偏向器ドライバ
２７ 主偏向器ドライバ
２８ 副偏向領域偏向量算出部
２９ セトリング時間決定部
３０ 偏向制御部
３１ 描画データ補正部
３１ａ 補正処理部
３１ｂ 照射位置取得部
３１ｃ 照射量取得部
５１ 描画されるパターン
５２ フレーム領域
５３ 副偏向領域
５４ 電子ビーム
３１０ 光源
３２０、３３０ ビームスプリッタ
３４０、３５０ コーナーキューブ
３６０ 検出器
１０１ レーザ
１０２ 第１のビームスプリッタ
１０３ 第２のスプリッタ
１０４ 第３のビームスプリッタ
１０５ 第１のインターフェロメータ
１０６ 第１のリファレンスミラー
１０７ 第２のインターフェロメータ
１０８ 第１のミラー
１０９ 第４のビームスプリッタ
１１０ 第３のインターフェロメータ
１１１ 第１のリファレンスミラー
１１２ 第２のミラー
１１３ 第５のビームスプリッタ
１１４ 第６のビームスプリッタ
１１５ 第５のインターフェロメータ
１１６ 第２のリファレンスミラー
１１７ 第６のインターフェロメータ
１１８ 第３のミラー
１１９ 第７のビームスプリッタ
１２０ 第７のインターフェロメータ
１２１ 第８のインターフェロメータ

Claims (5)

1. 試料を載置するステージを内蔵する描画室と、
   前記ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段と、
   前記試料の伸縮量を測定する手段と、
   前記伸縮量を補正量として前記荷電粒子ビームの照射位置にフィードバックする手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記試料の伸縮量を測定する手段は、レーザ干渉計を用いて構成されることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記試料の伸縮量を測定する手段は、前記試料のＸ軸方向およびＹ軸方向の少なくとも一方について、端面のそれぞれを２点ずつ測定するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 荷電粒子ビームの光路上に配置された偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの照射位置を制御し、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
   前記試料の伸縮量を測定する工程と、
   前記伸縮量に応じた前記荷電粒子ビームの照射位置の補正量を算出する工程と、
   前記補正量を用いて補正した照射位置に前記荷電粒子ビームで前記パターンを描画する描画工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
5. 前記伸縮量を所定の閾値と比較する比較工程をさらに有し、
   前記補正量を算出する工程は、前記伸縮量が前記閾値より大きい場合に行われることを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画方法。