JPH11219878A

JPH11219878A - 電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、及びパターン形成方法

Info

Publication number: JPH11219878A
Application number: JP10018790A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Kagami; 一郎鏡
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-01-30
Filing date: 1998-01-30
Publication date: 1999-08-10

Abstract

(57)【要約】【課題】各種位置歪みの適正な補正が可能で、これを
スループットを大幅に低減させる必要なく、高精度に実
現でき、描画を行うリアルタイムでの補正も容易に実現
可能な電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、及び
パターン形成方法を提供する。【解決手段】被露光材３００の下層の合わせマークを
あらかじめ検出し、上層のパターンを重ね合わせ露光す
る電子ビーム露光を行う場合に、下層にあらかじめ設け
られた合わせマークまたは下層のパターンをスキャン
し、その反射電子を検出し、マーク位置を確認すること
により重ね合わせ補正描画を行う電子ビーム露光方法、
同装置、及びこれを用いたパターン形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光方
法、電子ビーム露光装置、及びパターン形成方法に関す
る。本発明は、半導体素子等の製造に用いることができ
る露光技術に関するもので、特に、リアルタイムで重ね
合わせ補正描画を行うことを可能ならしめた電子ビーム
露光技術を提供し、また、このような電子ビーム露光技
術を利用した固体素子やフォトマスク製造に適用できる
パターン形成方法を提供するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体装置等の固体素子の微
細化・高集積化が進んでおり、このためこれらを製造す
るために用いるマスクも微細化・高集積化が進んでい
る。このような半導体回路パターン等の微細化に対応す
べく、近年、光露光よりも解像性にすぐれる電子線ビー
ム露光技術が検討されている。しかし電子線ビーム露光
は一般にスループットが低いため、光露光では解像が難
しい微細パターン層のみ電子線ビーム露光で行い、それ
以外の層を光露光で行う、いわゆるミックスアンドマッ
チが行われている。

【０００３】従来より、電子ビーム露光の場合、位置合
わせマークを用いている（電子ビーム露光におけるマー
ク検出については、滝川他編『ＵＬＳＩリソグラフィ技
術の革新』、株式会社サイエンスフォーラム、１９９
４、ｐｐ２８６〜２９１の「電子ビームリソグラフィに
おけるアライメント技術」等参照）。たとえば図９に示
す被露光試料１１が半導体ウエハであり、各チップ１２
のパターン露光を行う場合、一般に、図９に示すように
チップの４つの角部に合わせマークとしてアライメント
マーク１３を付加し、上層描画時にこのアライメントマ
ークを検出することにより、チップ全体のいわゆる線型
成分の補正、すなわち、チップ全体の回転、伸縮、台形
歪み等に伴う補正を行って、アライメント描画を行う。

【０００４】ところが、チップの４角を検出するのみで
は、下層のチップ面内での２次以上の高次歪みが生じた
場合には高精度なアライメントは達成できない。すなわ
ち、光露光装置のレンズディストレーションやマスク面
内の位置精度、スキャン露光時のステージ駆動誤差など
に起因する位置歪みは補正できない。図１０に、下層を
光露光で行った場合のレンズディストレーションの例を
示す。光露光で作製した下層パターン１４は、図のよう
に上層パターン１５に対しチップ内で歪んでおり、チッ
プの４角のアライメントマーク１３では図示のようにこ
の歪みを必ずしも考慮できず、よってこの４角のアライ
メントマーク１３のみで位置検出しても、チップ内では
良好なアライメントができないと言える。

【０００５】１９９７年春期応用物理学会予稿集２９ａ
−ｘ−３の「ＥＢ描画におけるＭＩＸ＆ＭＡＴＣＨ
補正方法の検討」には、チップ内の高次歪みを補正する
ために、データの段階で計算により位置補正を加える技
術が提案されているが、この手法では、各レンズに対し
てあらかじめ歪みを測定しておく作業が必要となり、か
つ描画の途上でリアルタイムに適正な補正を行うという
ことは困難である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した事
情に鑑みてなされたもので、レンズディストレーション
やマスク面内の位置精度、スキャン露光時のステージ駆
動誤差などに起因する位置歪みの補正が可能であり、か
つプロセスの影響などによる非線型の歪みも容易に補正
可能であり、これをスループットを大幅に低減させる必
要なく、高精度に実現でき、描画を行うリアルタイムで
の補正をも容易に実現可能にした電子ビーム露光方法、
電子ビーム露光装置、及びパターン形成方法を提供する
ことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子ビーム
露光方法は、下層の合わせマークをあらかじめ検出し、
上層のパターンを重ね合わせ露光する電子ビーム露光方
法において、下層のチップ内に複数の合わせマークを付
加しておき、描画を行いながら上記チップ内の合わせマ
ークをスキャンし、その反射電子を検出し、マーク位置
を確認することにより重ね合わせ補正描画を行うことを
特徴とするものである。

【０００８】また、本発明に係る他の電子ビーム露光方
法は、下層の合わせマークをあらかじめ検出し、上層の
パターンを重ね合わせ露光する電子ビーム露光方法にお
いて、描画途中に下層のパターンをスキャンし、その反
射電子を検出し、下層の位置を確認することにより重ね
合わせ補正描画を行うことを特徴とするものである。

【０００９】本発明に係る電子ビーム露光装置は、下層
の合わせマークをあらかじめ検出し、上層のパターンを
重ね合わせ露光する電子ビーム露光装置において、下層
にあらかじめ設けられた合わせマークまたは下層のパタ
ーンをスキャンし、その反射電子を検出し、マーク位置
を確認することにより重ね合わせ補正描画を行うことを
特徴とするものである。

【００１０】本発明に係るパターン形成方法は、下層の
合わせマークをあらかじめ検出し、上層のパターンを重
ね合わせ露光する電子ビーム露光を行うとともに、該電
子ビーム露光を行う場合に、下層にあらかじめ設けられ
た合わせマークまたは下層のパターンをスキャンし、そ
の反射電子を検出し、マーク位置を確認することにより
重ね合わせ補正描画を行ってパターン形成することを特
徴とするものである。

【００１１】本発明によれば、下層の合わせマークをあ
らかじめ検出し、上層のパターンを重ね合わせ露光する
電子ビーム露光を行う場合に、下層にあらかじめ設けら
れた合わせマークまたは下層のパターンを描画を行って
いる途中でスキャンするので、各種要因の位置の適正な
補正が、リアルタイムで可能であり、かつ、これをスル
ープットを大幅に低減させる必要なく、高精度に実現で
きる。

【００１２】なお、特開平９−１２９５３７号公報に
は、転写位置誤差の情報を記憶して、これにより転写位
置を補正しながら転写を行う技術が提案されており、ま
た、特開平５−８２４２６号公報には、転写位置誤差を
記憶して、近似式により補正を行う技術が提案されてい
るが、本発明によれば、これら従来提案には要せられる
位置誤差の記憶が不要である。すなわち、レンズディス
トレーションなどの下層の様々なひずみについて、これ
をあらかじめ記憶しておく必要なく、適正な補正が行え
る。プロセスの影響などによる非線型の歪みも容易に補
正を行うことができる。また、ビームドリフトの補正も
同時に行えるという利点がある。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態例につい
て説明し、さらに図面を参照して、具体的な好ましい実
施の形態例を説明する。ただし、当然のことではある
が、本発明は、以下の実施の形態例により限定を受ける
ものではない。

【００１４】本発明は、半導体装置等の各種固体素子
や、フォトリソグラフィに用いるマスクの製造について
の電子ビーム露光に適用でき、重ね合わせ露光を要する
各種材料の形成に利用できるもので、たとえば、レベン
ソン型位相シフトマスクのパターン形成などにも適用で
きる。

【００１５】本発明は、半導体デバイスのデバイスチッ
プの露光について、下層のデバイスチップ内に複数の合
わせマークを付加しておき、描画を行いながら上記チッ
プ内の合わせマークをスキャンし、その反射電子を検出
し、マーク位置を確認することにより、リアルタイムに
重ね合わせ補正描画を行う態様で実施できる。

【００１６】また本発明は、描画途中に下層のパターン
（デバイスパターン等）をスキャンし、その反射電子を
検出し、下層の位置を確認することにより、描画を行い
ながら、リアルタイムに重ね合わせ補正描画を行う態様
で実施できる。

【００１７】上記のようにして、下層の合わせマークを
あらかじめ検出し、上層のパターンを重ね合わせ露光す
る電子ビーム露光を行う場合に、重ね合わせ補正描画を
行う際、電子ビームの偏向量を補正する態様で実施する
ことができる。また、重ね合わせ補正描画を行う際に、
被露光材を載置するステージの駆動位置を補正する態様
で実施することができる。

【００１８】本発明は、下層のチップ内にあらかじめ設
けられた合わせマークまたは下層のパターンをそのまま
スキャンし、その反射電子を検出し、マーク位置を確認
することにより、描画途中にリアルタイムに重ね合わせ
補正描画を行う電子ビーム露光装置として、実施でき
る。

【００１９】本発明はまた、上記電子ビーム露光方法及
びその装置により、パターンを形成し、これにより、固
体素子やマスク等を製造する態様で、実施できる。

【００２０】以下に本発明の具体的な好ましい実施の形
態例について、図面を参照して説明する。なお当然のこ
とではあるが、本発明は、図示の例に限定されるもので
はない。

【００２１】実施の形態例１この実施の形態例は、半導体デバイスの製造の際に、電
子ビーム露光によりパターン形成を行う場合に本発明を
適用したものである。図１には、この実施の形態例に係
る電子線描画装置の構成を示す。図２には、この実施の
形態例における被露光材である半導体ウエハを示す。

【００２２】図１の電子線描画装置において、カソード
３１から引き出された電子ビーム３２は、電子レンズ群
３３により収束され、試料３００に照射される。制御計
算器３４は、偏向補正回路３５を経由して、ステージ３
８の位置を決める。また、制御計算器３４は、描画手順
制御回路３９を経由して、ブランキング制御回路３１０
にブランキング信号を送る。また、描画データを偏向補
正回路３５に送って電子ビーム３２の描画位置を制御す
る。電子ビームの偏向位置は、偏向板３１３への印加電
圧により決めることができ、印加電圧の制御は偏向制御
回路３１１によって行われる。

【００２３】試料面のデバイスパターンは、偏向フィー
ルド毎に区切られて順次露光される。ビーム偏向フィー
ルド内の所望の露光位置から次の露光位置へ移動する間
は、上記ブランキング信号によりビームを絞り３１２の
外に移動することで、遮断する。ビーム偏向器３１３に
より、ビームを偏向し、アライメントマークをスキャン
し、その反射電子信号を反射電子検出器３１４により検
出し、これを信号処理回路３１５により波形整形し、位
置ずれ抽出回路３１６によりマーク（パターン）位置ず
れをΔｄを算出してメモリ３１７に記憶する。

【００２４】以下、被露光材であるウエハのローディン
グから描画開始までの手順を説明する。本例では、下層
のパターンをステッパーを用いた光露光で行った場合を
説明する。図２に示す被露光材ウエハ４において、符号
４１で示すのは、それぞれ光露光で一括に露光されたチ
ップを示す。一般に、ステージ上に搬送されたウエハ
は、ステージ座標系に対して、原点がずれたり、回転を
起こしていたりする。

【００２５】そこで図２に示すように、被露光材ウエハ
４の両端に比較的大きなマーク４２を配置し、これを検
出することにより、ステージ座標系に対するウエハ全体
の原点ずれ、回転量、伸縮量を認識する。ここではマー
ク４２の大きさは５００μｍ、線幅は３μｍとした。

【００２６】次に上記ウエハの原点、回転量、伸縮の情
報をもとに、図示の１つのチップであるチップＡに含ま
れる４つのマークをビーム偏向中心に移動し、検出する
ことにより、それらの座標を認識する。ここではマーク
Ａ１〜Ａ４の大きさは、５０μｍ、線幅は３μｍとし
た。

【００２７】ここで、チップの原点、回転量、伸縮台形
歪みを計算、補正し、順次チップ内を描画して行く。以
降、チップＢ，Ｃ・・・と同様に描画をおこなって行
く。

【００２８】ここで、電子ビームをスキャンさせて下層
パターン（マーク）の位置を検出する方法について、図
３及び図４を用いて説明する。図３には、下層パターン
の平面図を示す。図４（ａ）には、下層パターンの断面
図及び電子ビームによるスキャンの様子を示す。この例
では下層パターンはアルミニウムパターン５１であり、
これは図示のように層間絶縁膜（ＳｉＯ₂）５５で覆わ
れ、さらに最上層には、電子線レジスト５６が塗布され
た状態を示している。

【００２９】図４（ａ）において、ビーム５４がｘ方向
にスキャンされている状態を示すが、今パターン５１の
中心座標が偏向中心から図示ｄだけずれた位置にステー
ジを移動し、下層パターン５１の位置を検出する場合を
考える。検出は、反射電子の波形を一定強度でスライス
する方法、波形の対称性を利用するなどの既知の各種方
法がある。ここでは、波形の対称性からマークの中心座
標を算出する方法を用いた。図４（ａ）に示す理想的な
場合に対して、実際には下層パターンは光露光装置のレ
ンズディストレーションやマスク面内の位置精度などに
起因する位置歪みにより、図４（ｂ）に示すように、ビ
ーム偏向中心からのずれはｄ′となっている。この差
ｄ′−ｄ＝Δｄは、アライメント誤差として、上記した
ようにパターン位置ずれ抽出回路により計算され、これ
をメモリ３１７に記憶する。

【００３０】次に、本発明に用いるチップ内アライメン
トマークの付加について説明する。図５は、下層と上層
パターンを模式的に示したものである。

【００３１】下層には実際の配線パターン６１，６２，
６３．６４とともに、アライメントマーク６５を付加し
ておく。このアライメントマークの大きさは２μｍ、線
幅は０．２μｍとした。

【００３２】このアライメントマーク６５を配置するた
めに、下層パターンのデータ作成時には、アライメント
マーク６５を配置できる場所を見つけだしてデータに付
加する作業が必要になる。あるいは、アライメントマー
ク６５を付加するために設計データを変更してもよい。
このとき、上層パターンとマークが重ならないようにす
る。上層描画データには、これら新規に入れ込んだアラ
イメントマークの座標情報と、マークスキャン情報を付
加しておく。

【００３３】次に具体的描画手順を説明する。図５にお
いて、描画は、図示６Ａ，６Ｂの順で行ったあと、アラ
イメントマーク６５をスキャンし、上述した図４で説明
した方法によりずれ量ｄ′−ｄ＝Δｄを得る。このΔｄ
は、すでに述べたようにメモリ３１７に記憶される。偏
向補正量算出回路３１８により偏向量が決定され、引続
き、６Ｃ，６Ｄと描画を進めて行く。

【００３４】アライメントマークの検出個数が多くなる
と、スループットが低くなるという問題があるが、本例
では図６に示すアルゴリズムの手順をとることにより、
この問題点を回避する。

【００３５】すなわち、図６のステップ７１で描画を開
始したのち、ステップ７２で第１のマーク座標（Ｘｎ，
Ｙｎ）を認識する。ステップ７３では、Δｄを得る。ス
テップ７４では、場合わけを行う。場合わけは、たとえ
ば次のように行う。もしΔｄ≦２０ｎｍの場合には、ス
テップ７４で、Ｄ＝２０００μｍとする。また、２０ｎ
ｍ＜Δｄ≦４０ｎｍの場合には、Ｄ＝１０００μｍ、４
０ｎｍ＜Δｄの場合には、Ｄ＝５００μｍとする。次に
ステップ７５では、次のマーク位置（Ｘｎ′，Ｙｎ′）
を認識し、次のステップ７６でマーク間距離、すなわち
座標（Ｘｎ，Ｙｎ）と（Ｘｎ′，Ｙｎ′）の距離Ｄ′を
計算する。

【００３６】こののち、もしＤ′＜Ｄの場合にはマーク
検出は行わず、さらに次のマーク位置を認識するまで描
画する。Ｄ′≧Ｄの場合には再びステップ７２に戻る。
すなわち、Ｄ′≧Ｄとなるまでマーク検出を行わないこ
とにより、マーク検出時間を低減できることになり、か
つ、補正量Δｄが大きい領域ほど、マーク検出回数が増
えることになる。以上の手続きは、変更補正量算出回路
によって、制御される。

【００３７】なお上記Ｄの代入条件は、当然のことなが
ら上記に限定されるものではない。要は、補正量が大き
い領域では検出回数を増やすようにできればよい。ま
た、本例ではチップアライメントの場合で説明したが、
グローバルアライメントについても、同様に適用でき
る。

【００３８】実施の形態例２次に、本発明の第２の実施の形態例について説明する。
ウエハロードから、描画開始までの手順は、実施の形態
例１と同様である。すなわち、図２において、被露光ウ
エハ４の両端に比較的大きなマーク４２を配置し、これ
を検出することにより、ステージ座標系に対するウエハ
全体の原点ずれ、回転量、伸縮量を認識する。次にチッ
プＡに含まれる４つのマークをビーム偏向中心に移動
し、検出することにより、それらの座標を認識し、チッ
プの原点、回転量、伸縮台形歪みを計算、補正し、順次
チップ内を描画して行く。以降、チップＢ，Ｃ・・・と
同様に描画をおこなって行く。

【００３９】ここで、本例における、電子ビームをスキ
ャンさせて下層パターンの位置を検出する手法につい
て、図７を用いて説明する。図７には、符号８１〜８５
までで、下層パターンを示す。また、符号８Ａ〜８Ｅは
上層パターンを示す。図中には、Ｘ方向のスキャンとＹ
方向のスキャンデータを、８Ｘ，８Ｙとして示してあ
る。ここで、８ｘ，８ｙのスキャン（描画）データは、
あらかじめ上層パターンと重ならないような領域をデー
タ上で抽出し、設定した。さらには、スキャンしたパタ
ーンが後にデバイス特性上（ないし設計上）問題となら
ない部分を選択した。

【００４０】次に具体的描画手順を説明する。図７にお
いて、描画は、図示８Ａ，８Ｂの順に行ったあと、下層
パターン８３を、図示８Ｘ，８Ｙのごとくスキャンす
る。

【００４１】Ｘ方向へスキャンした場合の反射電子の波
形を、パターン断面とともに図８（ａ）に示す。符号９
２は電子レンズ、９３は偏向器を示す。ここでは下層パ
ターンはアルミニウムパターン９１であり、これは図示
のように層間絶縁膜（ＳｉＯ₂）９５で覆われ、さらに
最上層には、電子線レジスト９６が塗布された状態を示
している。

【００４２】ここで層間絶縁膜９であるＳｉＯ₂部分か
らの反射強度を０％、アルミニウム部（パターン９１）
からの反射を１００％とした場合の、反射電子強度が５
０％となる座標を下層パターンエッジと認識するよう設
定した場合、理想的には偏向中心からの距離はｄと算出
される。ところが下層パターンのエッジがずれている場
合は、図８（ｂ）に示されるように、偏向中心からの距
離がｄ′となり、この差ｄ′−ｄ＝Δｄは、アライメン
ト誤差として、パターン位置ずれ抽出回路３１６により
計算されて、メモリ３１７に記憶される。こののち、引
き続いて、８Ｃ，８Ｄ，８Ｅと描画が進められて行く。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レンズディストレーションやマスク面内の位置精度、ス
キャン露光時のステージ駆動誤差などに起因する位置歪
みの補正が可能であり、かつプロセスの影響などによる
非線型の歪みも容易に補正可能であり、これをスループ
ットを大幅に低減させる必要なく、高精度に実現でき、
描画を行うリアルタイムでの補正をも容易に実現可能に
した電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、及びパ
ターン形成方法を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態例１の電子線描画装置を
示す図である。

【図２】本発明の実施の形態例１の被露光材（被露光
ウエハ）を示す図である。

【図３】本発明の実施の形態例１の被露光材（被露光
ウエハ）の下層パターンを示す平面図である。

【図４】実施の形態例１におけるマーク（パターン）
検出方法を説明する図である。

【図５】実施の形態例１の被露光材（被露光ウエハ）
の下層・上層パターンを示す模式図である。

【図６】実施の形態例１の描画手順のアルゴリズムを
示す図である。

【図７】本発明の実施の形態例２の被露光材（被露光
ウエハ）の下層・上層パターンを示す模式図である。

【図８】実施の形態例２におけるマーク（パターン）
検出方法を説明する図である。

【図９】従来のアライメント技術を説明する図であ
る。

【図１０】従来技術の問題点を示す図である。

【符号の説明】

４，３００・・・被露光材（半導体ウエハ）、４１・・
・チップ、４２，５１，６５・・・アライメントマーク
（または被検出パターン）、３１・・・カソード、３
２，５４，９４・・・電子ビーム、３３，５２，９２・
・・電子レンズ群、３４・・・制御計算器、３５・・・
偏向補正回路、３６・・・ステージ位置制御回路、３７
・・・ステージ駆動機構、３８・・・ステージ、３９・
・・描画手順制御回路、３１０・・・ブランキング回
路、３１１・・・偏向制御回路、３１２・・・絞り、３
１３，５３，９３・・・ビーム偏向器、３１４・・・反
射電子検出器、３１５・・・信号処理回路、３１６・・
・位置ずれ抽出回路、３１７・・・メモリ、３１８・・
・偏向補正量算出回路、５１，６１〜６４，８１〜８
５，９１・・・配線パターン、５５，９５・・・層間絶
縁膜、５６，９６・・・電子線レジスト、６Ａ〜６Ｄ，
８Ａ〜８Ｅ・・・描画パターン、６Ｘ，６Ｙ，８Ｘ，８
Ｙ・・・スキャンデータ。７１・・・描画開始ステッ
プ、７２・・・マーク検出ステップ、７３・・・位置ず
れ量取得ステップ、７４・・・位置ずれ量に応じ場合わ
けを行うステップ、７５・・・次の座標の認識ステッ
プ、７６・・・マーク間距離算出ステップ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下層の合わせマークをあらかじめ検出
し、上層のパターンを重ね合わせ露光する電子ビーム露
光方法において、下層のチップ内に複数の合わせマークを付加しておき、描画を行いながら上記チップ内の合わせマークをスキャ
ンし、その反射電子を検出し、マーク位置を確認するこ
とにより重ね合わせ補正描画を行うことを特徴とする電
子ビーム露光方法。
【請求項２】重ね合わせ補正描画を行う際に、電子ビ
ームの偏向量を補正することを特徴とする請求項１に記
載の電子ビーム露光方法。
【請求項３】重ね合わせ補正描画を行う際に、被露光
材を載置するステージの駆動位置を補正することを特徴
とする請求項１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項４】下層の合わせマークをあらかじめ検出
し、上層のパターンを重ね合わせ露光する電子ビーム露
光方法において、描画途中に下層のパターンをスキャンし、その反射電子
を検出し、下層の位置を確認することにより重ね合わせ
補正描画を行うことを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項５】重ね合わせ補正描画を行う際に、電子ビ
ームの偏向量を補正することを特徴とする請求項４に記
載の電子ビーム露光方法。
【請求項６】重ね合わせ補正描画を行う際に、被露光
材を載置するステージの駆動位置を補正することを特徴
とする請求項４に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項７】下層の合わせマークをあらかじめ検出
し、上層のパターンを重ね合わせ露光する電子ビーム露
光装置において、下層にあらかじめ設けられた合わせマークまたは下層の
パターンをスキャンし、その反射電子を検出し、マーク
位置を確認することにより重ね合わせ補正描画を行うこ
とを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項８】下層の合わせマークをあらかじめ検出
し、上層のパターンを重ね合わせ露光する電子ビーム露
光を行うとともに、該電子ビーム露光を行う場合に、下
層にあらかじめ設けられた合わせマークまたは下層のパ
ターンをスキャンし、その反射電子を検出し、マーク位
置を確認することにより重ね合わせ補正描画を行ってパ
ターン形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】上記パターンが、固体素子のパターンで
あり、固体素子製造に用いることを特徴とする請求項８
に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】上記パターンが、マスクのパターンで
あり、マスク製造に用いることを特徴とする請求項８に
記載のパターン形成方法。