JP3194366B2 - 電子線露光用マスク及びこれを用いた電子線露光装置 - Google Patents
電子線露光用マスク及びこれを用いた電子線露光装置Info
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いて電
子線露光用マスク上に形成された半導体集積回路等の回
路パターンを半導体基板上に露光する部分一括露光方式
に用いられる、電子線露光用マスク及び電子線露光装置
に関する。
子線露光用マスク上に形成された半導体集積回路等の回
路パターンを半導体基板上に露光する部分一括露光方式
に用いられる、電子線露光用マスク及び電子線露光装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、メモリデバイスに代表される半導
体デバイスはますます高密度化、高性能化、高機能化が
要求され、それに伴い半導体デバイスの製造プロセス、
特に微細パターンを形成するリソグラフィーに対しても
高度な技術が要求されている。これらの要求を満たす技
術として、解像性が高い電子線露光法が用いられてきて
いる。
体デバイスはますます高密度化、高性能化、高機能化が
要求され、それに伴い半導体デバイスの製造プロセス、
特に微細パターンを形成するリソグラフィーに対しても
高度な技術が要求されている。これらの要求を満たす技
術として、解像性が高い電子線露光法が用いられてきて
いる。
【０００３】図６は、従来の電子線露光方法を説明する
ための電子線露光装置と被露光基板の模式図である。電
子銃２０１から発生した電子線２０４はアパチャ２０２
によって矩形に成形され、セル選択偏向器２０３及び成
形偏向器（図示せず）により電子線露光用マスク１０１
上の所望の開口部に照射される。図７に電子線露光用マ
スクの説明図を示す。電子線露光用マスク１０１上に
は、任意寸法の矩形を形成するための可変成形用開口１
０４と、種々のデバイスのパターン開口１０２とが形成
されている。
ための電子線露光装置と被露光基板の模式図である。電
子銃２０１から発生した電子線２０４はアパチャ２０２
によって矩形に成形され、セル選択偏向器２０３及び成
形偏向器（図示せず）により電子線露光用マスク１０１
上の所望の開口部に照射される。図７に電子線露光用マ
スクの説明図を示す。電子線露光用マスク１０１上に
は、任意寸法の矩形を形成するための可変成形用開口１
０４と、種々のデバイスのパターン開口１０２とが形成
されている。
【０００４】ここで、パターン開口１０２には、メモリ
デバイスのメモリセルパターンの一部やアレイパターン
の一部など、デバイスパターン全体の中で繰り返し用い
られているパターンが形成されている。周辺回路パター
ンのような繰り返しのない、あるいは繰り返しの少ない
パターンの露光には、可変成形用開口１０４に照射され
る電子線２０４の位置を変化させることにより、任意寸
法の矩形電子線を形成し一筆書きの如くパターンを一つ
ずつ露光する。このような露光方法は部分一括描画方式
と呼ばれる。
デバイスのメモリセルパターンの一部やアレイパターン
の一部など、デバイスパターン全体の中で繰り返し用い
られているパターンが形成されている。周辺回路パター
ンのような繰り返しのない、あるいは繰り返しの少ない
パターンの露光には、可変成形用開口１０４に照射され
る電子線２０４の位置を変化させることにより、任意寸
法の矩形電子線を形成し一筆書きの如くパターンを一つ
ずつ露光する。このような露光方法は部分一括描画方式
と呼ばれる。
【０００５】従来、電子線露光を行う際のウエハ上の位
置合わせマーク検出は、可変成形ビームを用いて行われ
ている。位置合わせマーク検出は高精度で行われる必要
があるため、マーク検出に用いられる電子線２０４は、
開口選択の際の偏向収差や、成形偏向の誤差すなわちビ
ームサイズの誤差が極力小さい方が望ましい。偏向収差
を少なくするためには、電子線露光用マスク１０１の中
央部に可変成形用開口１０４を配置し、可変成形用開口
１０４選択時の電子線２０４の光軸からの偏向量を少な
くする必要がある。このため、電子線露光用マスク１０
１上で電子線２０４の偏向量の少ない部分、つまり電子
線露光用マスク１０１の中心部を可変成形用開口１０４
に用いる。そのため、電子線露光用マスク１０１の中心
付近の電子線２０４の偏向量の少ない部分を、可変成形
ビームを形成するためのスペースとして使用しなければ
ならない。また、可変成形ビームは成形偏向器により任
意の寸法の矩形に成形される。しかし、成形偏向器の精
度、ビームサイズ校正の精度、電子線露光用マスク１０
１の精度等の要因により土０．０２μｍ程度の寸法誤差
がある。
置合わせマーク検出は、可変成形ビームを用いて行われ
ている。位置合わせマーク検出は高精度で行われる必要
があるため、マーク検出に用いられる電子線２０４は、
開口選択の際の偏向収差や、成形偏向の誤差すなわちビ
ームサイズの誤差が極力小さい方が望ましい。偏向収差
を少なくするためには、電子線露光用マスク１０１の中
央部に可変成形用開口１０４を配置し、可変成形用開口
１０４選択時の電子線２０４の光軸からの偏向量を少な
くする必要がある。このため、電子線露光用マスク１０
１上で電子線２０４の偏向量の少ない部分、つまり電子
線露光用マスク１０１の中心部を可変成形用開口１０４
に用いる。そのため、電子線露光用マスク１０１の中心
付近の電子線２０４の偏向量の少ない部分を、可変成形
ビームを形成するためのスペースとして使用しなければ
ならない。また、可変成形ビームは成形偏向器により任
意の寸法の矩形に成形される。しかし、成形偏向器の精
度、ビームサイズ校正の精度、電子線露光用マスク１０
１の精度等の要因により土０．０２μｍ程度の寸法誤差
がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来例では、可変
成形ビームを位置合わせマーク検出に用いるため、ビー
ムサイズの誤差（土０．０２μｍ程度）は避けられず、
位置検出精度が低下する。もう一つの課題として、可変
成形用開口を電子線露光用マスク中心部に配置しなけれ
ばならないため、偏向収差の少ない電子線露光用マスク
中心部付近を、可変成形ビームのためのスペースとして
用いなければならず、電子線露光用マスク上にパターン
開口を有効に配置することができない。
成形ビームを位置合わせマーク検出に用いるため、ビー
ムサイズの誤差（土０．０２μｍ程度）は避けられず、
位置検出精度が低下する。もう一つの課題として、可変
成形用開口を電子線露光用マスク中心部に配置しなけれ
ばならないため、偏向収差の少ない電子線露光用マスク
中心部付近を、可変成形ビームのためのスペースとして
用いなければならず、電子線露光用マスク上にパターン
開口を有効に配置することができない。
【０００７】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は上記の問題点を
解決し、精度良い位置マーク検出を行い、重ね合わせ精
度を向上させることができ、また、電子線露光用マスク
上に精度の必要なパターン開口を有効に配置することが
できる電子線露光用マスク及び電子線露光装置を提供す
ることにある。
解決し、精度良い位置マーク検出を行い、重ね合わせ精
度を向上させることができ、また、電子線露光用マスク
上に精度の必要なパターン開口を有効に配置することが
できる電子線露光用マスク及び電子線露光装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記間題点を解決するた
めに、本発明に係る電子線露光用マスクでは、電子線露
光用マスク中心部に、成形偏向を受けていないマーク検
出電子線専用の開口を設けている。そして、このマーク
検出電子線専用の開口は、矩形である、複数である、電
子線を走査する方向に対して垂直方向を長辺とする長方
形である等の特徴を有する。
めに、本発明に係る電子線露光用マスクでは、電子線露
光用マスク中心部に、成形偏向を受けていないマーク検
出電子線専用の開口を設けている。そして、このマーク
検出電子線専用の開口は、矩形である、複数である、電
子線を走査する方向に対して垂直方向を長辺とする長方
形である等の特徴を有する。
【０００９】また、本発明に係る電子線露光装置では、
部分一括露光方式を用いる電子線露光装置において、本
発明に係る電子線露光用マスクのマーク検出電子線専用
の開口と、成形偏向を受けていないマーク検出電子線と
を用いて、マーク検出を行うことを特徴とする。また、
部分一括露光方式を用いる電子線露光装置において、本
発明に係る電子線露光用マスクのマーク検出電子線専用
の開口と、成形偏向を受けていないマーク検出電子線と
を用いて、マーク検出電子線の走査方向によって任意の
マーク検出電子線用の開口を選択しマーク検出を行うこ
とを特徴とする。
部分一括露光方式を用いる電子線露光装置において、本
発明に係る電子線露光用マスクのマーク検出電子線専用
の開口と、成形偏向を受けていないマーク検出電子線と
を用いて、マーク検出を行うことを特徴とする。また、
部分一括露光方式を用いる電子線露光装置において、本
発明に係る電子線露光用マスクのマーク検出電子線専用
の開口と、成形偏向を受けていないマーク検出電子線と
を用いて、マーク検出電子線の走査方向によって任意の
マーク検出電子線用の開口を選択しマーク検出を行うこ
とを特徴とする。
【００１０】本発明によれば、電子線露光用マスクの中
心部にマーク検出電子線専用の開口を配置し、その開口
を用いて位置合わせマーク検出を行うため、マーク検出
の際開口選択の偏向収差の少ない電子線を用いて高精度
な位置マーク検出を行うことができる。また、可変成形
ビームを用いないため、成形偏向の誤差も無くすことが
できる。さらに、可変成形用開口を電子線露光用マスク
の周辺部に配置することができるため、電子線露光用マ
スクの中心付近の偏向収差の少ない領域に精度が必要な
パターン開口を有効に配置することができる。
心部にマーク検出電子線専用の開口を配置し、その開口
を用いて位置合わせマーク検出を行うため、マーク検出
の際開口選択の偏向収差の少ない電子線を用いて高精度
な位置マーク検出を行うことができる。また、可変成形
ビームを用いないため、成形偏向の誤差も無くすことが
できる。さらに、可変成形用開口を電子線露光用マスク
の周辺部に配置することができるため、電子線露光用マ
スクの中心付近の偏向収差の少ない領域に精度が必要な
パターン開口を有効に配置することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る電子線露光
用マスクの第１実施形態を示す概略平面図である。
用マスクの第１実施形態を示す概略平面図である。
【００１２】電子線露光用マスク１０の中心部にマーク
検出電子線専用の開口１２として、被露光基板上で１〜
１．５μｍ□になるような正方形の開口が設けられてい
る。また、可変成形用開口１０４は、電子線露光用マス
ク１０１の隅（図１において左下）に位置している。
検出電子線専用の開口１２として、被露光基板上で１〜
１．５μｍ□になるような正方形の開口が設けられてい
る。また、可変成形用開口１０４は、電子線露光用マス
ク１０１の隅（図１において左下）に位置している。
【００１３】図２は、図１の電子線露光用マスクを用い
た電子線露光装置を示す概略斜視図である。
た電子線露光装置を示す概略斜視図である。
【００１４】位置合わせマーク検出を行う際、被露光基
板（図示せず）上に前もって形成されている位置合わせ
用マーク２０８が、光軸のほぼ直下に来るようにステー
ジ（図示せず）により被露光基板を移動させる。次に、
電子銃２０１から出た電子線２０４をアパチャ２０２に
よって矩形に成形し、セル選択偏向器２０３によって電
子線露光用マスク１０上の中心に配置されたマーク検出
電子線専用の開口１２に電子線２０４を偏向する。マー
ク検出電子線専用の開口１２を通過し、被露光基板上で
１〜１．５μｍ□の矩形に成形された電子線２０４は、
成形偏向器の誤差による寸法変動もなく、また、開口選
択の時の偏向量も小さいため偏向収差も少ない。この電
子線２０４を用いて、電子線２０４のほぼ光軸直下にあ
る位置合わせ用マーク２０８を走査し、反射電子２０７
の信号を反射電子検出器２０６で検出することにより、
位置合わせ用マーク２０８の座標を決定する。この方法
により、精度の良い位置合わせマーク検出を行うことが
可能となる。
板（図示せず）上に前もって形成されている位置合わせ
用マーク２０８が、光軸のほぼ直下に来るようにステー
ジ（図示せず）により被露光基板を移動させる。次に、
電子銃２０１から出た電子線２０４をアパチャ２０２に
よって矩形に成形し、セル選択偏向器２０３によって電
子線露光用マスク１０上の中心に配置されたマーク検出
電子線専用の開口１２に電子線２０４を偏向する。マー
ク検出電子線専用の開口１２を通過し、被露光基板上で
１〜１．５μｍ□の矩形に成形された電子線２０４は、
成形偏向器の誤差による寸法変動もなく、また、開口選
択の時の偏向量も小さいため偏向収差も少ない。この電
子線２０４を用いて、電子線２０４のほぼ光軸直下にあ
る位置合わせ用マーク２０８を走査し、反射電子２０７
の信号を反射電子検出器２０６で検出することにより、
位置合わせ用マーク２０８の座標を決定する。この方法
により、精度の良い位置合わせマーク検出を行うことが
可能となる。
【００１５】また、位置合わせマーク検出に可変成形ビ
ームを用いないため、可変成形用開口１０４を電子線露
光用マスク１０の周辺部分に位置させることができる。
通常、部分一括露光法では、セル内などのファインパタ
ーンを部分一括により露光し、周辺回路などの比較的ラ
フなパターンを可変成形で露光を行う。そのため、可変
成形用開口１０４を電子線露光用マスク１０の周辺に位
置させ、精度が必要な部分一括用のパターン開口１０２
を電子線露光用マスク１０の中心付近に有効に位置させ
たほうが高精度な電子線露光を行うことができる。
ームを用いないため、可変成形用開口１０４を電子線露
光用マスク１０の周辺部分に位置させることができる。
通常、部分一括露光法では、セル内などのファインパタ
ーンを部分一括により露光し、周辺回路などの比較的ラ
フなパターンを可変成形で露光を行う。そのため、可変
成形用開口１０４を電子線露光用マスク１０の周辺に位
置させ、精度が必要な部分一括用のパターン開口１０２
を電子線露光用マスク１０の中心付近に有効に位置させ
たほうが高精度な電子線露光を行うことができる。
【００１６】図３は、本発明に係る電子線露光用マスク
の第２実施形態を示す概略平面図である。
の第２実施形態を示す概略平面図である。
【００１７】この電子線露光用マスク２０は、中心部に
電子線の走査方向に対して垂直方向を長辺とする開口２
２を２個配置している。電子線露光におけるマーク検出
は、矩形に成形した電子線によって段差によって形成さ
れたマークを走査し、その反射電子信号をとることによ
り行う。マーク段差のエッジ波形を分解能良く検出する
には、走査する電子線のサイズを小さくする必要がある
が、サイズが小さくなると反射電子強度が弱くなり検出
が困難になる。これを防ぐため、マーク検出に用いる電
子線を、走査方向に対して垂直方向を長辺とする長方形
を用いる方法がある。本実施形態では、マーク検出電子
線用の開口２２として電子線の走査方向に対して垂直方
向を長辺とする長方形の開口を、中心部に配置した電子
線露光用マスク２０を用い、位置合わせマーク検出の際
に、電子線の走査方向に合わせて開口を選択しマーク検
出を行う。開口２２の大きさは、被露光基板上で長辺が
３〜５μｍ、短辺が０．２〜０．４μｍ程度である。
電子線の走査方向に対して垂直方向を長辺とする開口２
２を２個配置している。電子線露光におけるマーク検出
は、矩形に成形した電子線によって段差によって形成さ
れたマークを走査し、その反射電子信号をとることによ
り行う。マーク段差のエッジ波形を分解能良く検出する
には、走査する電子線のサイズを小さくする必要がある
が、サイズが小さくなると反射電子強度が弱くなり検出
が困難になる。これを防ぐため、マーク検出に用いる電
子線を、走査方向に対して垂直方向を長辺とする長方形
を用いる方法がある。本実施形態では、マーク検出電子
線用の開口２２として電子線の走査方向に対して垂直方
向を長辺とする長方形の開口を、中心部に配置した電子
線露光用マスク２０を用い、位置合わせマーク検出の際
に、電子線の走査方向に合わせて開口を選択しマーク検
出を行う。開口２２の大きさは、被露光基板上で長辺が
３〜５μｍ、短辺が０．２〜０．４μｍ程度である。
【００１８】次に、図４を用いてこの電子線露光用マス
クを用いての位置合わせ用マーク検出方法について説明
する。
クを用いての位置合わせ用マーク検出方法について説明
する。
【００１９】まず、被露光基板（図示せず）上に前もっ
て形成されている位置合わせ用マーク２０８が光軸のほ
ぼ直下に位置するようにステージ（図示せず）により被
露光基板を移動させる。次に、電子銃２０１から出た電
子線２０４をアパチャ２０２によって矩形に成形し、セ
ル選択偏向器２０３によって電子線露光用マスク２０上
の中心部に配置されたマーク検出電子線用の開口２２の
うち、Ｙ方向に長辺を持つ開口をセル選択偏向器２０３
により選択する。この開口２２を通過し被露光基板上で
４μｍｘ０．２μｍ程度の矩形に成形された電子線を、
位置決め偏向器２０５により位置合わせ用マーク２０８
上をＸ方向に走査し、反射電子２０７の信号を反射電子
検出器２０６で検出する。得られた反射電子信号より、
位置合わせ用マーク２０８のＸ座標位置を得ることがで
きる。また、同様に開口２２のうちＸ方向に長辺を持つ
開口を用いて、位置合わせ用マーク２０８のＹ座標を求
める。上記方法により、分解能の高い反射電子波形を得
ることができ、精度の良い位置含わせ用マーク検出を行
うことができる。
て形成されている位置合わせ用マーク２０８が光軸のほ
ぼ直下に位置するようにステージ（図示せず）により被
露光基板を移動させる。次に、電子銃２０１から出た電
子線２０４をアパチャ２０２によって矩形に成形し、セ
ル選択偏向器２０３によって電子線露光用マスク２０上
の中心部に配置されたマーク検出電子線用の開口２２の
うち、Ｙ方向に長辺を持つ開口をセル選択偏向器２０３
により選択する。この開口２２を通過し被露光基板上で
４μｍｘ０．２μｍ程度の矩形に成形された電子線を、
位置決め偏向器２０５により位置合わせ用マーク２０８
上をＸ方向に走査し、反射電子２０７の信号を反射電子
検出器２０６で検出する。得られた反射電子信号より、
位置合わせ用マーク２０８のＸ座標位置を得ることがで
きる。また、同様に開口２２のうちＸ方向に長辺を持つ
開口を用いて、位置合わせ用マーク２０８のＹ座標を求
める。上記方法により、分解能の高い反射電子波形を得
ることができ、精度の良い位置含わせ用マーク検出を行
うことができる。
【００２０】次に、本発明の第３実施形態について図５
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２１】部分一括露光法では、ゲート、コンタクト
等の描画を行うレイヤー毎に、電子線露光用マスクの開
口選択できる領域を一つ用いる。図５（ａ）にタングス
テンシリサイド（ＷＳｉx ）上に露光を行う際に用いる
電子線露光用マスク３０ａを示し、図５（ｂ）に酸化膜
上に露光を行う際に用いる電子線露光用マスク３０ｂを
示す。ＷＳｉx 等の重金属を含む化合物は反射電子強度
が強いため、マーク検出の際に用いる電子線のサイズを
小さくする必要がある。そのため、図５（ａ）に示すＷ
Ｓｉx 上で用いられる電子線露光用マスク３０ａ上のマ
ーク検出電子線用の開口３２ａの面積は、図５（ｂ）に
示す酸化膜上で用いられるマーク検出電子線用の開口３
２ｂより小さくなければならない。通常、Ｓｉ上や酸化
膜上などでは、マーク検出に用いる電子線の面積は、加
速電圧５０ｋＶ、電流密度１０Ａ／ｃｍ2 で１．５μｍ
□程度必要であるが、ＷＳｉx 上やＷで形成されたマー
クを検出する際には、加速電圧５０ｋＶ、電流密度１０
Ａ／ｃｍ2 で１μｍ2 以下の面積で十分である。この様
に、描画を行うレイヤーにより、マーク検出電子線用の
開口３２ａ，３２ｂの面積を変化させることにより、よ
り高精度な位置合わせ用マーク検出を行うことができ
る。
等の描画を行うレイヤー毎に、電子線露光用マスクの開
口選択できる領域を一つ用いる。図５（ａ）にタングス
テンシリサイド（ＷＳｉx ）上に露光を行う際に用いる
電子線露光用マスク３０ａを示し、図５（ｂ）に酸化膜
上に露光を行う際に用いる電子線露光用マスク３０ｂを
示す。ＷＳｉx 等の重金属を含む化合物は反射電子強度
が強いため、マーク検出の際に用いる電子線のサイズを
小さくする必要がある。そのため、図５（ａ）に示すＷ
Ｓｉx 上で用いられる電子線露光用マスク３０ａ上のマ
ーク検出電子線用の開口３２ａの面積は、図５（ｂ）に
示す酸化膜上で用いられるマーク検出電子線用の開口３
２ｂより小さくなければならない。通常、Ｓｉ上や酸化
膜上などでは、マーク検出に用いる電子線の面積は、加
速電圧５０ｋＶ、電流密度１０Ａ／ｃｍ2 で１．５μｍ
□程度必要であるが、ＷＳｉx 上やＷで形成されたマー
クを検出する際には、加速電圧５０ｋＶ、電流密度１０
Ａ／ｃｍ2 で１μｍ2 以下の面積で十分である。この様
に、描画を行うレイヤーにより、マーク検出電子線用の
開口３２ａ，３２ｂの面積を変化させることにより、よ
り高精度な位置合わせ用マーク検出を行うことができ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子線露光用マスクの中心部にマーク検出電子線専用の開
口を配置することにより、開口選択の際の偏向収差が少
なく、成形偏向器による誤差もない電子線により位置合
わせ用マーク検出を行うことができ、精度の良い重ね合
わせが得られる。また、可変成形用開口を電子線露光用
マスクの周辺部に配置することができるので、開口選択
の時の偏向量が少ない電子線露光用マスクの中心付近の
領域を、精度が必要なパターン開口として有効に用いる
ことができる。さらに、位置合わせ用マーク検出を行う
ときの電子線の走査方向により、マーク検出電子線用の
開口を任意に選択することにより、分解能の高い反射電
子波形を得ることができ、より高精度な位置合わせ用マ
ーク検出を行うことができる。
子線露光用マスクの中心部にマーク検出電子線専用の開
口を配置することにより、開口選択の際の偏向収差が少
なく、成形偏向器による誤差もない電子線により位置合
わせ用マーク検出を行うことができ、精度の良い重ね合
わせが得られる。また、可変成形用開口を電子線露光用
マスクの周辺部に配置することができるので、開口選択
の時の偏向量が少ない電子線露光用マスクの中心付近の
領域を、精度が必要なパターン開口として有効に用いる
ことができる。さらに、位置合わせ用マーク検出を行う
ときの電子線の走査方向により、マーク検出電子線用の
開口を任意に選択することにより、分解能の高い反射電
子波形を得ることができ、より高精度な位置合わせ用マ
ーク検出を行うことができる。
【図１】本発明に係る電子線露光用マスクの第１実施形
態を示す概略平面図である。
態を示す概略平面図である。
【図２】図１の電子線露光用マスクを用いた電子線露光
装置を示す概略斜視図である。
装置を示す概略斜視図である。
【図３】本発明に係る電子線露光用マスクの第２実施形
態を示す概略平面図である。
態を示す概略平面図である。
【図４】図３の電子線露光用マスクを用いた電子線露光
装置を示す概略斜視図である。
装置を示す概略斜視図である。
【図５】本発明に係る電子線露光用マスクの第３実施形
態を示す概略平面図であり、図５（ａ）はタングステン
シリサイド（ＷＳｉx ）上に露光を行う際に用いる電子
線露光用マスクであり、図５（ｂ）は酸化膜上に露光を
行う際に用いる電子線露光用マスクである。
態を示す概略平面図であり、図５（ａ）はタングステン
シリサイド（ＷＳｉx ）上に露光を行う際に用いる電子
線露光用マスクであり、図５（ｂ）は酸化膜上に露光を
行う際に用いる電子線露光用マスクである。
【図６】従来の電子線露光装置の概略斜視図である。
【図７】従来の電子線露光用マスクの概略平面図であ
る。
る。
１０，２０，３０ａ，３０ｂ 電子線露光用マスク １０２ パターン開口 １０４ 可変成形用開口 ２０１ 電子銃 ２０２ アパチャ ２０３ セル選択偏向器 ２０４ 電子線 ２０５ 位置決め偏向器 ２０６ 反射電子検出器 ２０７ 反射電子 ２０８ 位置合わせ用マーク １２，２２，３２ａ，３２ｂ マーク検出電子線用の開
口（長方形） ６０１ 被露光基板
口（長方形） ６０１ 被露光基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｍ ５４１Ｋ
Claims (8)
- 【請求項１】 電子線露光用マスク中心部に、成形偏向
を受けていないマーク検出電子線専用の開口を有するこ
とを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子線露光用マスクにお
いて、前記マーク検出電子線専用の開口が矩形であるこ
とを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子線露光用マスクにお
いて、前記マーク検出電子線専用の開口を２個以上有す
ることを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項４】 請求項１記載の電子線露光用マスクにお
いて、前記マーク検出電子線専用の開口が、電子線を走
査する方向に対して垂直方向を長辺とする長方形である
ことを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項５】 請求項１記載の電子線露光用マスクにお
いて、被露光基板上の物質によって前記マーク検出電子
線用の開口の面積が異なることを特徴とする電子線露光
用マスク。 - 【請求項６】 部分一括露光方式を用いる電子線露光装
置において、請求項１、２、３、４又は５記載の電子線露光用マスク
の前記開口と、成形偏向を受けていないマーク検出電子
線とを 用いて、マーク検出を行うことを特徴とする電子
線露光装置。 - 【請求項７】 部分一括露光方式を用いる電子線露光装
置において、請求項３記載の電子線露光用マスクの前記複数の開口
と、成形偏向を受けていないマーク検出電子線とを用
い、当該マーク検出 電子線の走査方向によって、当該複
数の開口を任意に選択し、マーク検出を行うことを特徴
とする電子線露光装置。 - 【請求項８】 部分一括露光方式を用いる電子線露光装
置において、 請求項２記載の電子線露光用マスクの前記矩形の開口
と、成形偏向を受けていないマーク検出電子線とを用
い、当該マーク検出電子線の走査方向に当該開口の長辺
が垂直になるようにして、マーク検出を行うことを特徴
とする電子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19403297A JP3194366B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 電子線露光用マスク及びこれを用いた電子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19403297A JP3194366B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 電子線露光用マスク及びこれを用いた電子線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140481A JPH1140481A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3194366B2 true JP3194366B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=16317813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19403297A Expired - Fee Related JP3194366B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 電子線露光用マスク及びこれを用いた電子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194366B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568729B1 (ko) | 2004-12-02 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 마크 형성 영역 보호용 구조물, 이 구조물을갖는 오버레이 마크 및 오버레이 마크의 형성 방법 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP19403297A patent/JP3194366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1140481A (ja) | 1999-02-12 |
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