JPH1064799A - 荷電ビーム描画装置及び描画方法 - Google Patents

荷電ビーム描画装置及び描画方法

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JPH1064799A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速・高精度なマーク位置検出が可能とな
り、描画スループット及び描画精度の向上をはかる。 【解決手段】 複数の電子ビーム光学系を持つマルチビ
ーム方式の電子ビーム描画装置において、各々の荷電ビ
ーム光学系の反射粒子検出器６にそれぞれコリメータ１
１を設け、複数の電子ビーム光学系で同時にマーク位置
検出を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の荷電ビーム
光学系を持つマルチビーム方式の荷電ビーム描画装置及
び描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子ビーム描画装置は、先端
デバイス開発に広く用いられている。この電子ビーム描
画装置は、電子ビームを電磁的に若しくは静電的に偏向
させ、所望の図形を試料上に描画するものである。しか
しながら、単にビームを偏向した場合には、図２５
（ａ）に示すような偏向歪みが生じる。このため、描画
に先立ち、図２５（ｂ）に示すように、描画位置の調整
を行う必要がある。
【０００３】描画位置の調整は一般的に以下のように行
う。即ち、ビームの偏向距離分だけステージを動かし、
ステージ上に設けたマークを検出し得るように、偏向電
極若しくはコイルに印加する電圧若しくは電流を決定す
る。この際、ビーム調整に用いるマークとしては、マー
クと下地基板の原子番号の違いや凹凸による反射電子率
の違いを利用したものがある。ビーム偏向領域の大きさ
は通常百μｍから数ｍｍであり、偏向領域を越える範囲
に描画を行う場合には、ビーム偏向領域内にステージを
移動して描画を行う。
【０００４】なお、図中の２０１は歪みを持った偏向領
域、２０２は歪みを修正した偏向領域を示している。
【０００５】また、半導体装置の作製においては、同一
基板に形成された下地パターンに対して、重ね合わせ露
光を行うのが一般的である。このような場合、下地基板
上に設けられたマークの位置検出を行う必要がある。位
置検出用マークとしては、上記描画位置の調整と同様
に、マークの凹凸やマークと下地基板の原子番号の違い
による反射電子率の差を利用したものがある。このマー
クに電子ビームを走査し、反射電子信号の強弱を測定す
ることによって、マーク位置の検出を行う。
【０００６】近年、高スループットを目指した電子ビー
ム描画装置の技術開発が行われている。この中でも、複
数の電子ビーム光学系を持つマルチビーム方式は有力で
ある。このマルチビーム方式の電子ビーム描画装置で
は、１本のビームで描画するのではなく、複数のビーム
で描画を行うために、描画スループットが格段に向上す
ると期待される。
【０００７】マルチビーム方式は、各光学系でビームの
調整が必要となるため、個々のビーム調整を順次行った
場合には、莫大な時間がかかる。このため、上記描画位
置の調整や重ね合わせ露光においては、複数のビームに
ついて、同時にマーク検出を行う必要がある。しかしな
がら、複数のビームで同時にマーク検出を行うと、他の
マークから反射電子の影響によって、正確な位置合わせ
ができないという問題があった。
【０００８】即ち、一つの電子光学系は、図２６に示す
ように、電子銃１・ビームブランキング系３，４・ビー
ム偏向系５ａ，５ｂ・ビーム調整用レンズ系２ａ，２
ｂ，２ｃ・反射電子検出器６からなっている。図２７に
ビーム調整用マークの概観を示す。図２７の（ａ）は平
面図、（ｂ）は断面図である。マーク位置検出を行う場
合には、図２８に示すように、各電子ビーム光学系１３
に対応する描画領域１２にマーク１０をそれぞれ設け、
複数のマーク１０上に同時にビーム走査を行い、ビーム
走査位置とそれに対応する反射電子信号から、マーク位
置を検出する。従来の電子ビーム光学系では、図２９に
示すように、複数の電子ビーム７で同時にマークの検出
を行った場合には、本来のマークからの反射電子８と共
に、他のマークからの反射電子９が横方向から検出器６
に侵入してくるため、個々のマーク位置検出は困難であ
る。
【０００９】この対策として、各々の電子ビーム光学系
毎に位置検出のタイミングをずらす方法や、チップ毎に
位置合わせを行わずに複数のチップをまとめて位置合わ
せする方法が提案されている。しかしながら、これらの
方法では、装置構成が複雑になるほか、全ての電子ビー
ム光学系で同時にマーク検出を行う場合に比べて、マー
ク検出に時間がかかるとの問題があった。
【００１０】一方、マルチビーム方式は、光ステッパや
Ｘ線露光のように一括露光ではないため、各鏡筒でビー
ムの調整が必要となる。電子ビーム源を一つしか持たな
い従来の電子ビーム描画装置の場合、描画位置調整用の
マークは一つしか用いていなかった。しかしながら、マ
ルチビーム描画装置においては、多くのビーム調整を行
わねばならないために、一つのマークを共用した場合に
は、ビーム調整に多くの時間を要する。このため、マル
チビーム描画装置では、各電子ビーム光学系に対応した
基準マークを持ち、各鏡筒毎にビーム調整を行う方法を
採用しなければならない。
【００１１】しかしながら、前述の各電子ビーム光学系
に対応した基準マークによって、各鏡筒毎にビーム調整
を行う方法では、以下のような問題が生じる。即ち、チ
ップサイズはデバイスの種類によってまちまちであり、
必ずしも一つのチップに一つの電子ビーム源を対応させ
る訳ではない。図３０のように、電子ビーム光学系２１
１の配置ピッチ（より具体的には、一つの電子ビーム光
学系による描画領域２１２）よりも大きなパターン２１
３を描画する場合は、複数の電子ビーム光学系２１１を
用いて、一つのパターン２１３を描画することになる。
例えば、１０ｍｍピッチで電子ビーム光学系を配置した
場合、チップサイズが２０ｍｍ角を越える場合には４個
以上の電子ビーム光学系を用いて描画することになる。
また、フォトマスクのように、一辺が１５０ｍｍを越え
るような試料を描画する場合には、さらに多くの電子ビ
ームで描画することになる。
【００１２】ここで、各電子ビーム光学系の基準マーク
２１４の位置が図３１（ａ）のように理想的に配置され
ている場合は問題ない。しかしながら、実際は図３１
（ｂ）のように歪んでいるはずであり、この基準マーク
を基に描画されたパターンは図３２のように、歪んだ形
状となってしまう。この場合、一つのチップを複数の電
子ビーム源で描画した場合には、図３３に示すように、
隣接する電子ビーム光学系の描画領域境界でつなぎ精度
が問題となる。なお、２１５が一つの描画領域、２１６
は描画領域境界、２１７は描画パターンである。
【００１３】描画精度上は、この偏向領域のつなぎ精度
が重要となる。これは、幾らビームの最小寸法が小さく
とも、つなぎ精度が悪い場合には設計データ通りの図形
を試料上に描画することができないからである。
【００１４】上述したように、前記したマルチビーム方
式は、ステッパのような一括露光ではないため、各鏡筒
でビームの調整が必要になる。マルチビーム描画装置の
各電子ビーム源は独立した電子光学系を有しているた
め、個々にビーム調整を行っても、異なる電子ビーム源
の間ではつなぎ精度が劣化するという問題があった。そ
の上、チップサイズはデバイスの種類によってまちまち
であり、必ずしも一つのチップに一つの電子ビーム源を
対応させるような方式は合理的でない。１チップを複数
の電子ビーム源で描画する状況となることは必然である
が、このとき電子ビーム源毎のビーム特性の違いからビ
ーム偏向境界領域でのつなぎ精度が劣化するという問題
が生じる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のマ
ルチビーム方式の電子ビーム描画装置では、マーク位置
検出に際して、装置構成が複雑になったり、時間がかか
るとの問題があった。さらに、各電子ビーム光学系の配
置ピッチよりも大きな描画領域を必要とするパターン描
画の際には、描画されたパターンが歪んだり、隣接する
電子ビームの描画領域でのつなぎ精度が悪くなるという
問題があった。
【００１６】なお、これらの問題は電子ビーム描画装置
に限らず、荷電ビームとしてイオンビームを用いたイオ
ンビーム描画装置についても同様に言えることである。
【００１７】本発明は、上記の事情を考慮して成された
もので、その目的とするところは、高速・高精度なマー
ク位置検出が可能となり、描画スループット及び描画精
度の向上をはかり得るマルチビーム方式の荷電ビーム描
画装置及び描画方法を提供することである。
【００１８】また、本発明の他の目的は、描画領域境界
でのつなぎずれを無くすことができ、描画精度の向上を
はかり得るマルチビーム方式の荷電ビーム描画装置及び
描画方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
（構成）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。
【００２０】（１）複数の荷電ビーム光学系を持つマル
チビーム方式の荷電ビーム描画装置において、各々の荷
電ビーム光学系の反射粒子検出器にコリメータを設けた
こと、さらに複数の荷電ビーム光学系でマーク位置の検
出を同時に行うことを特徴とする。
【００２１】（２）複数の荷電ビーム光学系を持つマル
チビーム方式の荷電ビーム描画装置において、複数の荷
電ビーム光学系のうち一つの荷電ビーム光学系を選択す
る手段と、該手段により選択された以外の荷電ビーム光
学系で順次マーク検出を行う手段と、前記選択された荷
電ビーム光学系における他のマークからの反射粒子の干
渉を測定する手段と、該手段の測定結果に基づき干渉の
ない荷電ビーム光学系同士をグループ化する手段と、該
手段によりグループ化された荷電ビーム光学系で同時に
マーク位置検出を行う手段とを具備してなることを特徴
とする。
【００２２】さらに、複数の荷電ビーム光学系を持つマ
ルチビーム方式の荷電ビーム描画装置の荷電ビーム描画
方法において、複数の荷電ビーム光学系のうち一つの荷
電ビーム光学系を選択し、選択した荷電ビーム光学系を
オフした状態で、他の荷電ビーム光学系で順次マーク検
出を行い、選択した荷電ビーム光学系における他のマー
クからの反射粒子の干渉を測定し、その測定結果から干
渉のない荷電ビーム光学系同士をグループ化し、マーク
位置検出の際には、該グループの荷電ビームで同時にマ
ーク位置検出を行うことを特徴とする。
【００２３】（３）複数の荷電ビーム光学系を持つマル
チビーム方式の荷電ビーム描画装置において、複数の荷
電ビーム光学系に対応して試料台上にそれぞれ設けられ
た基準マーク群と、前記試料台上の移動により基準マー
ク群を移動する手段と、移動した基準マークに荷電ビー
ムを走査し、各基準マークの位置を測定する手段と、測
定された各基準マークの相対的な位置関係を記憶する手
段と、記憶された各基準マークの相対的な位置関係に基
づき各荷電ビームの描画領域の位置を補正する手段と、
補正された描画位置に基づいて描画を行う手段とを具備
してなることを特徴とする。
【００２４】さらに、複数の荷電ビーム光学系を持つマ
ルチビーム方式の荷電ビーム描画装置であって、各々の
荷電ビーム光学系に対応して試料台上にそれぞれ設けら
れた基準マーク群を用いて描画位置の補正を行う荷電ビ
ーム描画方法において、複数の荷電ビーム光学系でマー
ク位置検出を行う工程と、隣接する荷電ビーム光学系の
基準マークを用いてマーク位置検出を行う工程と、基準
マーク群の相対的な位置関係を計算する工程と、該計算
結果に基づき、各荷電ビーム光学系の描画領域の位置を
補正する工程と、該補正された描画位置に描画を行う工
程とを含むことを特徴とする。
【００２５】（４）複数の荷電ビーム源を用いて描画を
行うマルチビーム方式の荷電ビーム描画方法において、
隣接する荷電ビーム源の偏向境界領域が互いに重なりを
持つよう描画することを特徴とする。さらに、重なり領
域の照射量補正をすることを特徴とする。
【００２６】（作用）上記の（１）の構成であれば、各
々の荷電ビーム光学系において、他のマークからの反射
粒子が反射粒子検出器で検出されるのを防止することが
でき、これにより複数の荷電ビーム光学系で同時に位置
合わせを行った場合でも各々の荷電ビーム光学系で独立
にマーク位置検出を行うことができ、描画スループット
及び描画精度の向上をはかることが可能となる。
【００２７】上記の（２）の構成でも同様に、複数の荷
電ビーム光学系で同時に位置合わせを行った場合でも、
他のマークからの反射粒子の侵入を防止することがで
き、描画スループット及び描画精度の向上をはかること
が可能となる。
【００２８】上記の（３）の構成であれば、各々の荷電
ビーム光学系でマーク位置検出を行った後に、隣接する
荷電ビーム光学系の基準マークを用いてマーク位置検出
を行い、これにより隣接する荷電ビーム光学系の描画領
域との相対的な位置関係を測定し、実際の描画では描画
位置を補正して描画を行うことにより、つなぎ精度が改
善し、高精度な描画を行うことが可能となる。
【００２９】上記の（４）の構成であれば、隣接する荷
電ビーム源の偏向領域境界に重なりを持たせ、重なり領
域の照射量を補正することにより、荷電ビーム源毎のビ
ーム特性の違いに起因する描画領域のつなぎずれを解消
し、描画精度の向上をはかることが可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
【００３１】［第１の実施形態］図１は、本発明の第１
の実施形態に係わるマルチビーム方式電子ビーム描画装
置における１つの電子ビーム光学系を示す図である。こ
の電子ビーム光学系は、電子銃１、ビームブランキング
系３，４、ビーム偏向系５ａ，５ｂ、ビーム調整用レン
ズ系２ａ，２ｂ，２ｃ、反射電子検出器６からなってい
る。
【００３２】マーク位置検出を行う場合には、各電子ビ
ームに対応したマーク上にビーム走査を行う。しかしな
がら、従来の電子ビーム光学系では、前記図３１に示す
ように反射電子検出器がむき出しの状態になっている。
このため、複数の電子ビームでマークを検出を行った場
合には、他のマークからの反射電子が横方向から検出器
に侵入してくるため、個々のマーク位置検出は困難にな
る。
【００３３】これに対し本実施形態では、図１に示すよ
うに、反射電子検出器６にコリメータ１１が取り付けて
ある。このため、図２に示すように、複数のビーム７で
同時にマーク１０の位置検出を行った場合でも、対応す
るマーク１０からの反射電子８は従来と同様に検出しな
がら、他のマーク１０からの反射電子９の侵入を防止す
ることができる。偏向歪みの補正のように、ビームを数
ｍｍの範囲で偏向した場合でも、開口角を調整すること
によって、他のマーク１０からの反射電子９のみを除去
することが可能となる。
【００３４】このように本実施形態では、反射電子検出
器６に取り付けられたコリメータ１１により、他のマー
ク１０からの反射電子９を除去することが可能となる。
このため、多数の電子ビーム７により同時に位置合わせ
を行った場合でも、個々の電子ビームで独立にマーク位
置検出を行うことができ、描画時間を大幅に短縮するこ
とが可能となる。
【００３５】次に、第１の実施形態のより具体的な実施
形態について説明する。
【００３６】（実施形態１−１）図３は、本実施形態で
用いたマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の概略構
成を示す図である。図中１３は電子ビーム光学系、図中
１４は試料、１５は試料室、１６はステージ、１７は基
準マーク、１８は制御回路、１９は制御計算機、５０は
ステージ測長系である。
【００３７】本描画装置の加速電圧は１０ｋＶである。
また、描画可能範囲は１５０ｍｍ角であり、１０ｍｍピ
ッチで１５×１５個、計２２５個の電子ビーム光学系が
配置されている。ビーム偏向系１３は静電偏向による主
副・２段構成であり、それぞれの偏向領域の大きさは主
偏向は５００μｍ、副偏向は１００μｍである。各電子
ビーム光学系１３の描画領域は電子銃を中心とした±５
ｍｍであり、この描画領域を４００個の主偏向領域で描
画することになる。
【００３８】ステージ１６上には、前記図２８に示すよ
うにビーム調整用マークが設けられている。このマーク
は各電子ビーム光学系１３と一対を成すように対応して
１５×１５個あり、各電子ビーム光学系１３の描画領域
内に１個設けた。マークの形状は、前記図２７に示すよ
うな十字の形をしており、光露光とプラズマエッチング
によって、Ｓｉ基板を堀りこんで形成した。マークの大
きさは片側１００μｍ、幅は５μｍ、深さは２μｍであ
る。
【００３９】本実施形態においては、各電子ビーム光学
系１３の反射電子検出器６に、図１のようにコリメータ
１１を設けた。このコリメータ１１は、筒状をしてい
る。
【００４０】ここでは、このマルチビーム方式の電子ビ
ーム描画装置の偏向歪み補正について図４を用いて説明
する。偏向歪み補正は以下の要領で行った。
【００４１】まず、５００μｍの主偏向領域を５０μｍ
のメッシュに分割し、その格子点上に基準マーク２０が
来るようにステージを移動させる。次いで、ビームを偏
向し、マーク２０上に走査する。ビームの偏向量とマー
ク位置から、マーク中心における偏向電圧を計算する。
図中２２に示すように、順次基準マークを移動させ、偏
向量を記憶する。同様の操作を、大きさ１００μｍ角の
副偏向領域についても行った。この時、メッシュのサイ
ズは５μｍとした。
【００４２】上記偏向歪み補正を１５×１５個のビーム
について同時に行った結果、個々の電子ビーム光学系に
ついて、問題なく行うことができた。このとき、ビーム
調整に要した時間は１分であった。１５×１５個のビー
ムについて、１個毎にビーム調整を行った場合は２２５
分（約３時間半）を要した。これに対し、本実施形態で
は１５×１５個のビームについて同時に行った結果、ビ
ーム調整に要する時間を２２５分の１に短縮することが
できた。また、偏向歪みの調整後に、通常の描画を行っ
た結果、高精度の描画を行うことができた。
【００４３】（実施形態１−２）本実施形態において
は、各電子ビーム光学系の反射電子検出器６に、図５の
ようにコリメータ２３を設けた。本実施形態におけるコ
リメータ２３は、実施形態１−１と同様に筒状をしてい
るが、個々の反射電子検出器６にではなく、１つの電子
ビーム光学系を囲むように設けた。ここでは、このマル
チビーム方式の電子ビーム描画装置で、Ｓｉ基板上に形
成された下地パターンに対する位置合わせを行った。
【００４４】図６に示すように、ウェハ２６に複数のチ
ップ２５が配列されている。チップサイズは１０ｍｍ角
であり、各々のチップ２５の四隅に位置合わせマーク２
４が配置されている。これらのマーク２４は、光露光と
プラズマエッチングによってＳｉ基板を堀りこんだ凹型
マークであり、マーク２４の大きさは片側１００μｍ、
幅は５μｍ、深さは２μｍである。描画の際には、各電
子ビーム光学系で１個のチップを同時に描画する。位置
合わせは以下のように行う。
【００４５】チップ２５とは、別の場所に設けられたウ
ェハアライメントマーク２７で、ステージ上のウェハ位
置を確認する。次いで、ウェハ２６上のチップレイアウ
ト情報から、各チップ２５内のマーク位置を算出する。
算出された各チップ２５のマーク位置に基づき、ステー
ジを移動して、マーク位置検出を行う。このようにし
て、チップ２５内の４個のマーク位置を順次検出する。
ここでは、チップを電子ビーム光学系と同ピッチで配置
したため、特別なことをしなくても、１５×１５個のビ
ームで同時にマーク位置検出が可能である。
【００４６】上記位置合わせマーク２４の検出を１５×
１５個のビームについて同時に行った結果、個々の電子
ビーム光学系について、位置合わせを問題なく行うこと
ができた。このとき、１個のビーム調整を要する時間は
１分であり、１チップで計４分の時間を要した。１５×
１５個のビームについて、１個毎にビーム調整を行った
場合は約１２時間を要したのに対し、本実施形態では１
５×１５個のビームについて同時に行った結果、位置合
わせに要する時間を２２５分の１に短縮することができ
た。また、位置合わせ後に、通常の描画を行った結果、
高精度の描画を行うことができた。
【００４７】（実施形態１−３）本実施形態において
は、各電子ビーム光学系の反射電子検出器に、図７に示
すように穴の開いた遮蔽板３１をコリメータとして用い
た。そして、このコリメータ３１を、図８に示すよう
に、試料と電子ビーム光学系の間に設置した。なお、図
７中の２８は電子ビームの通過穴、２９は反射電子検出
器のための開口部、３０は電子ビーム光学系の描画領域
を示している。
【００４８】上記コリメータ３１を用いて、実施形態１
−２と同様に位置合わせ描画を行ったところ、問題なく
位置合わせを行うことができた。また、位置合わせ後
に、通常の描画を行った結果、高精度の描画を行うこと
ができた。
【００４９】なお、本発明はコリメータの形状を限定す
るものではない。実施形態で示した以外にも、他の形状
のコリメータを利用することも可能である。また、本発
明は描画装置や描画方法を限定するものではない。実施
形態に示した以外にも、例えば一つのビームをアパーチ
ャによって、複数に分割するタイプの描画装置にも、応
用可能である。また、本発明はマークの形状や種類を限
定するものではない。実施形態に示した以外にも、例え
ば重金属を用いた凸型マークでも、応用可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して、
利用することができる。
【００５０】［第２の実施形態］次に、本発明の第２の
実施形態について図９のフローチャートを参照して説明
する。ここでは、説明を簡単にするために、図１０，１
１に示すように、電子ビーム源を８×８の計６４個のア
レイとした電子ビーム描画装置について、説明する。
【００５１】まず、本実施形態は、以下の手段を具備し
ていることを特徴とする。
【００５２】(1) 複数の電子ビーム光学系のうち一つの
電子ビーム光学系を選択する（Ｓ１）。
【００５３】(2) 選択した電子ビーム光学系のビームを
オフする（Ｓ２）。
【００５４】(3) 選択された以外の電子ビーム光学系で
順次マーク検出を行う（Ｓ３）。
【００５５】(4) 選択された電子ビーム光学系におけ
る、他のマークからの反射粒子の干渉を測定する（Ｓ
４）。
【００５６】(5) 全ての電子ビーム光学系で上記操作を
繰り返す（Ｓ５，Ｓ６）。
【００５７】(6) 干渉のない電子ビーム光学系同士をグ
ループ化する（Ｓ７）。
【００５８】(7) グループ化された電子ビーム光学系の
一つを選択する（Ｓ８）。
【００５９】(8) 選択された電子ビーム光学系を用い、
複数のマーク位置検出を同時に行う（Ｓ９）。
【００６０】(9) 全てのグループで上記操作を繰り返す
（Ｓ10，Ｓ11）。
【００６１】そして、前記Ｓ４の工程では、他の電子ビ
ームからの反射電子の干渉を測定する。例えば、選択し
た電子ビーム光学系を図中の３５、この電子ビーム光学
系の描画領域を図中の３４とした場合、このビームをブ
ランクする。このとき、図中３６に示す列の電子ビーム
でマーク検出を行うと、例えば隣接する図中３７に該当
する電子ビームの場合には、反射電子が図中３５の電子
ビーム光学系の反射電子検出器に飛び込んでくる（図１
０（ａ））。一方、図中３８に示すそれ以外の電子ビー
ム光学系では、反射電子は検出されないか、検出された
としても、その量はノイズと同じレベルである（図１０
（ｂ））。
【００６２】次いで、図中３９の列の電子ビーム光学系
から順次電子ビーム光学系を選択し、同様に反射電子の
干渉を測定する（図１０（ｃ））。ここでは、例えば隣
接する図中４０の電子ビーム光学系では反射電子が干渉
するが、図中４１に示すそれ以外の電子ビーム光学系で
は反射電子は検出されないものとする（図１１
（ｄ））。このようにすれば、図中４３に示すように、
反射電子が干渉する最小単位で求めることができる。こ
の場合、図中４３に示す領域内では、同時にマーク検出
ができないので、異なるグループ（図中３４，３７，４
０，４２）になるように設定する（図１１（ｅ））。
【００６３】前記Ｓ７の工程では、図１２に示すよう
に、図中４３の最小単位を、全電子ビームアレイに適用
する。この結果、相互に反射電子の干渉のない電子ビー
ム群を、４個のグループにすることができる。
【００６４】Ｓ１〜Ｓ７で求められたグループでは、同
時にマーク位置検出を行っても、反射電子の干渉がな
く、問題なくマーク位置検出を行うことができる。この
場合、全ての電子ビーム光学系でマーク検出を行うの
に、４回で済むことになる。この結果、６４個の全ての
電子ビーム光学系についてマーク検出を行う場合に比
べ、１６分の１にマーク検出に要する時間を低減するこ
とができる。この結果、複数の電子ビーム光学系で同時
にビーム調整や位置合わせを行うことができ、描画時間
を大幅に短縮することが可能となる。なお、ここでは説
明を簡単にするために電子ビーム光学系を８×８個のア
レイとしたが、電子ビーム光学系がもっと大きな１０×
１０個のアレイであっても、同様にマーク検出を行うこ
とができる。
【００６５】次に、第２の実施形態のより具体的な実施
形態について説明する。
【００６６】（実施形態２−１）本実施形態で用いたマ
ルチビーム描画装置の概略構成は前記図３に示す通りで
ある。本装置の加速電圧は１０ｋＶである。また、描画
可能範囲は８０ｍｍ角であり、１０ｍｍピッチで８×８
個、計６４個の電子ビーム光学系を配置されている。ビ
ーム偏向系は静電偏向による主副・２段構成であり、そ
れぞれの偏向領域の大きさは主偏向は５００μｍ、副偏
向は１００μｍである。各電子ビームの描画領域は電子
銃を中心とした±５ｍｍであり、この描画領域を４００
個の主偏向領域で描画することになる。
【００６７】ステージ上には、前記図３０に示すように
ビーム調整用マークが設けられている。このマークは各
電子ビーム光学系と一対を成すように対応して８×８個
あり、各電子光学系の描画領域内に１個設けた。マーク
の形状及び大きさは、前記図２９で説明したのと同じで
ある。
【００６８】本実施形態においては、マルチビーム方式
の電子ビーム描画装置の偏向歪み補正を行った。まず、
偏向歪み補正に先立ち、電子ビーム光学系のグループ化
を行い。以下に、図１０，１１及び図１２を用いながら
説明する。
【００６９】１）電子ビーム光学系（図中３５）を選択
する。
【００７０】２）この電子ビーム光学系のビームをブラ
ンクする。
【００７１】３）図中３６に示す列の電子ビーム光学系
でマーク検出を行う。
【００７２】４）この結果、隣接する図中３７に該当す
る電子ビーム光学系の場合には、反射電子が図中３５の
電子ビーム光学系の反射電子検出器で検出された。
【００７３】５）一方、図中３８に示すそれ以外の電子
ビーム光学系では、殆ど反射電子は検出されなかった。
【００７４】６）次いで、図中３９の列の電子ビーム光
学系から順次電子ビーム光学系を選択し、同様に反射電
子の干渉を測定した。ここでは、隣接する図中４０の電
子ビームでは反射電子が干渉したが、図中４１に示すそ
れ以外の電子ビーム光学系では反射電子は検出されなか
った。
【００７５】７）上記の結果、図１１（ｄ）図中４３に
示すような４個の電子ビーム描画領域で構成される反射
電子が干渉する最小単位を求めた。
【００７６】８）図中４３に示す領域内を、異なるグル
ープ（図中３４，３７，４０，４２）になるように設定
した。
【００７７】９）８）の最少単位を、図１２に示すよう
に、８×８個のアレイ中に繰り返して配置した。
【００７８】以上の要領で、各グループ内に１６個の電
子ビーム光学系を持つ４個のグループを作成し、その情
報を制御計算機に格納した。
【００７９】次いで、偏向歪み補正は以下の要領で行っ
た。
【００８０】１）前記図４に示すように、５００μｍの
主偏向領域を５０μｍのメッシュに分割し、その格子点
上に基準マークがくるようにステージを移動させる。
【００８１】２）第１グループの１６個のビームを選択
する。
【００８２】３）１６個のビームを同時に偏向し、マー
ク上に走査する。
【００８３】４）ビームの偏向量とマーク位置から、マ
ーク中心における偏向電圧を計算する。
【００８４】５）第２グループから第４グループについ
て、３）〜４）の操作を繰り返し行う。
【００８５】６）図４の２２と同様にして基準マークを
移動させ、２）〜５）の操作を繰り返し行う。
【００８６】７）１）〜７）と同様の操作を、大きさ１
００μｍ角の副偏向領域についても行う。この時、メッ
シュのサイズは５μｍとした。
【００８７】上記操作を、８×８個のビームについて、
まず第１〜４のグループまで各１６個のビームで同時に
行った結果、個々の電子ビーム光学系について、偏向歪
み補正を問題なく行うことができた。この時、１個のビ
ーム調整に要する時間は１分であり、８×８個のビーム
を４個のグループ別の偏向歪み補正を行うに要した時間
は４分であった。８×８個のビームについて、１個毎に
ビーム調整を行った場合は約１時間を要したのに対し、
本実施形態では８×８個のビームについて同時に行った
結果、偏向歪み補正に要する時間を約１６分の１に短縮
することができた。また、偏向歪み補正後に、通常の描
画を行った結果、高精度の描画を行うことができた。
【００８８】（実施形態２−２）本実施形態において
は、マルチビーム方式の電子ビーム描画装置で、Ｓｉ基
板上に形成された下地パターンに対する位置合わせを行
った。
【００８９】チップサイズは１０ｍｍ角であり、前記図
６に示すようにチップの四隅に位置合わせマークが配置
されている。このマークは、光露光とプラズマエッチン
グによって、Ｓｉ基板を堀りこんだ凹型マークであり、
マークの大きさは片側１００μｍ、幅は５μｍ、深さは
２μｍである。描画の際には、各電子ビーム光学系で１
個のチップを同時に描画する。位置合わせは以下のよう
に行う。
【００９０】まず、チップとは別の領域に設けられたウ
ェハアライメントマークを光学的に検出し、ステージ上
のウエハ位置を確認する。次いで、ウェハ上のチップレ
イアウト情報から、各チップ内のマーク位置を算出す
る。算出された各チップのマーク位置に基づき、まず第
１のマーク位置を測定するためにステージを移動させ、
第１から第４までのグループ毎に、各チップのマーク位
置検出を順次行う。続いて、第２から第４のマーク位置
測定を、同様の手順で行った。ここでは、チップを電子
ビーム光学系と同ピッチで配置したため、ステージ移動
はチップ内のマーク位置に合わせて４回行えばよい。
【００９１】上記位置合わせマークの検出を、８×８個
のビームについて、４個のグループ別に同時に行った結
果、個々の電子ビーム光学系について、位置合わせを問
題なく行うことができた。この時、１個のビーム調整を
要する時間は１５秒であり、１チップで計１分の時間を
要した。この結果、８×８個のビームの位置合わせに要
した時間は４分であった。８×８個のビームについて、
１個毎にビーム調整を行った場合は約１時間を要したの
に対し、本実施形態では８×８個のビームについて同時
に行った結果、位置合わせに要する時間を約１６分の１
に短縮することができた。また、位置合わせ後に、通常
の描画を行った結果、高精度の描画を行うことができ
た。
【００９２】（実施形態２−３）本実施形態において
は、電子光学系のグループ化を計算機上のシミュレーシ
ョンによって、行った。実際のデバイス作成において
は、試料としてＧａＡｓ基板や、Ｗなどの重金属が成膜
されたものが考えられる。計算機によって、電子ビーム
光学系のグループ化を行えば、多種多様な基板につい
て、基板が変わる度にグループ化を行う必要がない。
【００９３】まず、計算機のプログラム上で、本実施形
態で用いたマルチビーム方式の電子ビーム描画装置を再
現した。ここでは、図１３に示すように、１次元のみの
計算を行った。
【００９４】まず、１０ｋＶに加速された電子がＳｉ基
板上に入射した場合、図中４６に示す列の電子ビーム光
学系で順次マーク検出を行った場合に、図中４５の電子
ビーム光学系に干渉の度合を計算した。ここでは、最も
隣接するマークからの反射電子９は、図中４５の電子ビ
ーム光学系の反射電子検出器で検出された。一方、最隣
接以外のマークからの反射電子９′は図中４５の電子ビ
ーム光学系の反射電子検出器では殆ど検出されないとの
結果が得られた。この１次元空間での計算結果を、２次
元に拡大した結果、図１２と同様のグループ化を行うこ
とができた。
【００９５】計算機でグループ化を行う場合には、試料
としてＧａＡｓ基板や、Ｗなどの重金属を想定する場合
でも、反射電子の及ぶ範囲は、モンテカルロ計算による
反射電子の量や角度のデータから、求めることができ
る。このため、多種多様な基板について、基板が変わる
度にグループ化を行う必要がなくなった。
【００９６】上記方法にて、電子ビームのグループ化を
行い、実施形態２−２と同様に位置合わせ描画を行った
ところ、問題なく位置合わせを行うことができた。ま
た、位置合わせ後に、通常の描画を行った結果、高精度
の描画を行うことができた。
【００９７】本発明は描画装置や描画方法を限定するも
のではない。実施形態に示した以外にも、例えば一つの
ビームをアパーチャによって、複数に分割するタイプの
描画装置にも、応用可能である。また、本発明はマーク
の形状や種類を限定するものではない。実施形態に示し
た以外にも、例えば重金属を用いた凸型マークでも、応
用可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々変形して、利用することができる。
【００９８】［第３の実施形態］次に、本発明の第３の
実施形態について説明する。ここでは、説明を簡単にす
るために、電子ビーム源を３×３の計９個のアレイとし
た電子ビーム描画装置について説明する。このとき、各
電子ビーム光学系には、図１４に示すように、各電子ビ
ーム光学系に対応した基準マークが設けられている。図
中の７は電子ビーム、１０はマーク、１３は電子光学
系、５２は１個の電子光学系による描画領域である。
【００９９】基準マークの位置を前記図３１（ａ）のよ
うに、理想的な配置で作ることは難しい。実際には、図
３１（ｂ）のように歪んでいる。このような基準マーク
を用いた場合、基準マーク位置がずれているために、１
チップを複数の電子ビーム光学系で描画する場合に、各
電子ビーム光学系の描画領域境界でパターン位置ずれが
発生する。
【０１００】本実施形態では、各電子ビーム光学系の対
応する基準マークの位置測定だけではなく、隣接する電
子ビーム光学系の基準マーク位置を測定することによっ
て、各基準マークの相対的な位置ずれを測定している。
例えば、図中１行目，１列目の基準マークを原点とした
時に、前記図３２に示すように各基準マークがずれてい
たとする。なおここでは、説明を簡単にするために、１
００μｍを１として表記する。
【０１０１】まず、各電子ビーム光学系の中心にマーク
を移動し、マーク位置の検出を行う。次いで、図１５に
示すように、電子ビーム光学系のピッチ分だけ、Ｙ方向
にマークを移動させ、隣接する電子ビーム光学系の基準
マークの位置を測定する。さらに、逆方向にステージを
移動し、隣接する電子ビーム光学系の基準マークの位置
を測定する。このようにすれば、各列毎に行間の基準マ
ーク位置のＸＹ方向のずれ量を求めることができる。な
お、図中の４７は固定された電子ビーム配置、４８は移
動したステージ位置を示している。
【０１０２】ここで、１行目の各電子ビーム光学系を基
準（０，０）とすると、列方向の基準マークの位置は以
下のように表すことができる。
【０１０３】 １列目 ２列目 ３列目 １行目（ ０，０） （ ０，０） （０， ０） ２行目（ １，０） （−１，０） （０， ０） ３行目（ ０，１） （ ０，１） （１，−１） （×１００μｍ） 次に、図１６のように、Ｘ方向についてもステージを動
かし、行間と同様に、列間のマーク位置ずれ測定を行
う。ここで、１列目の各電子ビーム光学系を基準とし
て、１行目の基準マークの位置ずれが以下のように表わ
せたとする。
【０１０４】 １列目 ２列目 ３列目 １行目（ ０，０） （ １，０） （０，−１） （×１００μｍ） この値を、１回目の測定結果に足しあわせれば、図中１
行目，１列目の基準マークを原点とした、各基準マーク
の相対的位置を求めることができる。
【０１０５】 １列目 ２列目 ３列目 １行目（ ０，０） （ １，０） （０，−１） ２行目（ １，０） （ ０，０） （０，−１） ３行目（ ０，１） （ １，１） （１，−２） （×１００μｍ） この結果を基に、描画領域の位置補正を行えば、各電子
ビーム光学系の基準マークが異なることによる描画領域
境界でのパターンの位置ずれを低減することができる。
上記の例では、基準マークの相対的な位置ずれが０とな
るようにするには、以下のように描画位置の補正を行え
ばよい。
【０１０６】 １列目 ２列目 ３列目 １行目（ ０， ０） （−１， ０） （ ０，１） ２行目（−１， ０） （ ０， ０） （ ０，１） ３行目（ ０，−１） （−１，−１） （−１，２） （×１００μｍ） この描画位置の補正は、各電子ビーム光学系において、
ビーム偏向量を変えることによって行う。この結果、補
正された描画位置は、図１７中の５６に示すように、隣
接する電子ビーム光学系の描画領域と重なり合うことな
く、調整することができる。なお、図中の５５は補正前
の描画位置、５６は補正後の描画位置である。
【０１０７】このようにすれば、各電子ビーム光学系の
描画領域境界においても、つなぎ精度が改善することが
可能となる。また、各電子ビーム光学系のビーム偏向歪
みの調整や、マーク検出は各電子ビーム光学系毎に行え
ば良いので、マルチビーム描画装置の描画スループット
が向上することが可能となる。なお。ここでは説明を簡
単にするために、電子ビームを３×３個のアレイとした
が、電子ビームがもっと大きな１００×１００個のアレ
イであっても、同様に描画領域の補正を行うことができ
る。
【０１０８】次に、第３の実施形態のより具体的な実施
形態について説明する。
【０１０９】（実施形態３−１）本実施形態で用いたマ
ルチビーム描画装置の概略構成は前記図３に示す通りで
ある。各電子ビーム光学系の構成は前記図２６と同様で
ある。
【０１１０】本描画装置の加速電圧は１０ｋＶである。
また、描画可能範囲は８０ｍｍ角であり、１０ｍｍピッ
チで８×８個、計６４個の電子ビーム光学系が配置され
ている。ビーム偏向系は静電偏向による主副・２段構成
であり、それぞれの偏向領域の大きさは主偏向は５００
μｍ、副偏向は１００μｍである。各電子ビーム光学系
の描画領域は電子銃を中心とした±５ｍｍであり、この
描画領域を４００個の主偏向領域で描画することにな
る。
【０１１１】マーク位置の検出を行うと、その情報は制
御計算機に送られ、記憶される。マーク検出後に、記憶
されたマーク位置情報に基づき、各基準マークの位置ず
れを計算する。その後、各電子ビーム光学系の描画領域
の位置を補正し、制御回路にその補正情報を送る。描画
の際には、制御計算機から、描画データが各電子ビーム
光学系の描画制御回路に送られるが、この時描画領域の
補正データを基に描画位置の補正を行う。
【０１１２】ステージ上には、図１４と同様にビーム調
整用マークが設けられている。図１４は３×３のアレイ
で表現されているが、このマークは各電子ビーム光学系
と一対を成すように対応して８×８個あり、各電子ビー
ム光学系の描画領域内に１個設けた。マークの形状は、
前記図２７に示すような十字の形をしており、光露光と
プラズマエッチングによって、Ｓｉ基板を堀りこんで形
成した。マークの大きさは片側１００μｍ、幅は５μ
ｍ、深さは２μｍである。
【０１１３】本実施形態においては、８０ｍｍ角のフォ
トマスクの描画を行った。まず、各電子ビーム光学系に
おいて、それぞれの基準マークを用いて、主・副偏向領
域の歪み補正を行った。次いで、各電子ビーム光学系の
描画領域の補正は、以下のように行った。
【０１１４】１）まず、各電子ビーム光学系の中心付近
にマークを移動し、マーク位置の検出を行う。
【０１１５】２）次いで、図１８（ａ）に示すように電
子ビーム光学系のピッチ分（１０ｍｍ）だけ、Ｙ方向に
マークを移動させ、隣接する電子ビーム光学系の基準マ
ークの位置を測定する。なお、図中の５１は電子銃、５
２は１つの電子銃による描画領域である。
【０１１６】３）今度は、２）と逆方向に−１０ｍｍス
テージを移動し、隣接する電子ビーム光学系の基準マー
クの位置を測定する。これにより、列毎の基準マーク位
置のＸＹ方向のずれ量を求めることができる。ここで
は、図１８（ｂ）に示すように、図中の５３で示す１行
目の各電子ビーム光学系を基準として、列方向の基準マ
ークの位置を算出した。
【０１１７】４）次に、ステージを元に戻し、Ｘ方向も
Ｙ方向と同様に１０ｍｍだけ、マークを移動させ、隣接
する電子ビーム光学系の基準マークの位置を測定する。
【０１１８】５）３）と同様に、反対方向に１０ｍｍス
テージを移動させ、隣接する電子ビーム光学系の基準マ
ーク位置を測定する。ここでは、１列目の各電子ビーム
光学系を基準として、行方向の基準マークの位置を算出
した。
【０１１９】６）上記１）〜５）の操作によって、各基
準マークの相対的位置を求めることができた。
【０１２０】７）基準マークの相対的な位置ずれを相殺
するように、図１７と同様に、各電子ビーム光学系の描
画領域位置を計算した。
【０１２１】８）上記の計算結果は、各電子ビーム光学
のビーム偏向歪みの測定データをもとに、各電子ビーム
光学のビーム偏向のデータに変換し、制御回路に記憶し
た。
【０１２２】実際の描画では、フォトマスクの描画デー
タは、予め制御計算機内で各電子ビーム光学系の描画領
域にあわせて分割しておく。
【０１２３】主偏向領域毎に各電子ビーム光学系に描画
データを転送すると、制御回路ではステージを移動する
とともに、送られてきた描画データに予め記憶されてい
る描画位置の補正データを加えて、描画を行う。このよ
うにして、主偏向領域毎にステージを動かし、８×８個
の電子光学系で同時に描画を行った。
【０１２４】上記のようにして描画を行った結果、各電
子ビーム光学系の描画領域境界において、つなぎ精度を
改善され、高精度な描画を行うことができた。また、各
電子ビーム光学系のビーム偏向歪みの調整や、マーク検
出は各電子ビーム光学系毎に行えば良いので、マルチビ
ーム描画装置のビーム調整に要する時間を大幅に短縮す
ることができた。
【０１２５】なお、上記実施形態では電子ビームを８×
８個のアレイとしたが、本発明は電子ビームのアレイ数
を限定するものではない。実施形態で示した以外にも、
電子ビームのアレイ数が１００×１００個の電子ビーム
描画装置で利用することも可能である。また、本発明は
描画装置や描画方法を限定するものものではない。上記
実施形態に示した以外にも、例えば一つのビームをアパ
ーチャによって、複数に分割するタイプの描画装置に
も、応用可能である。また、本発明はマークの形状や種
類を限定するものではない。上記実施形態に示した以外
にも、例えば重金属を用いた凸型マークでも、応用可能
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変形して、利用することができる。
【０１２６】［第４の実施形態］次に、本発明の第４の
実施形態について説明する。各々の電子ビーム光学系は
図２４のように、隣合う電子ビーム光学系の描画領域と
重なる範囲を描画領域とする。その際、２領域が重なっ
た部分は２分の１、４領域が重なった部分は４分の１の
照射量で描画するよう照射量補正を行う。これらの工程
により描画精度を向上させることが可能となる。
【０１２７】次に、第４の実施形態のより具体的な実施
形態について説明する。
【０１２８】（実施形態４−１）本実施形態で用いたマ
ルチビーム描画装置の概略構成は前記図３に示す通りで
ある。本描画装置は、各電子ビーム源が各々の描画領域
の左上端にあるときを基準位置とする。
【０１２９】図１９（ａ）に示すように、試料１０１に
はビーム調整用マーク１０３が設けられている。マーク
の形状は、図１９（ｂ）に示すような十字の形をしてお
り、光露光とプラズマエッチングによってＳｉ基板を彫
り込んで形成した。マークの大きさは片側１０μｍ、幅
は１μｍ、深さは２μｍである。
【０１３０】本描画装置における描画可能範囲は、１５
４ｍｍ角であり、５０ｍｍピッチで３×３基、計９基の
電子ビーム源が配置されている。ビームは主副２段偏向
であり、それぞれの偏向領域の大きさは、主偏向が６ｍ
ｍ、副偏向が２ｍｍである。各ビームの描画領域は、荷
電ビーム源を中心に±２７ｍｍである。描画領域を主偏
向領域８１個に分割して描画することになる。
【０１３１】本実施形態では、１５０ｍｍ角のフォトマ
スクを描画した。描画に先立って、１枚のマスクを複数
の電子ビーム源で描画するよう、マスクデータの変換を
行った。副偏向領域単位で多重描画を行うものとし、ま
ずマスクデータを各電子ビーム源のピッチで９個の領域
に分割した。この周囲に図２０のように副偏向領域１つ
分の幅のデータを加え、電子ビーム源１基分の描画デー
タとする。このデータを主偏向領域に分割、さらに副偏
向領域に分割し、ビットデータに変換する。なお、図中
の７１はマスクの大きさ、７２は描画領域、７３は主偏
向領域、７４は副偏向領域である。
【０１３２】データ変換の際、図２１の８１，８２，８
３，８４の部分のように通常の露光量で描画される領域
とは別に、２重に描画される領域（図中８５，８６，８
７，８８，８９）、４重に描画される領域（図中８１
０，８１１）には照射量設定用のデータを持たせた。即
ち、２領域が重なった部分は２分の１、４領域が重なっ
た部分は４分の１の照射量で描画するよう照射量補正を
行う。これにより、多重描画を行った領域においても、
照射量は重なりのない領域と同等となった。
【０１３３】続いて、各荷電ビームの偏向歪み調整を行
った。偏向歪み調整は以下のように行った。
【０１３４】１）図２２に示すように、６ｍｍの主偏向
領域を５００μｍのメッシュに分割し、その格子点上に
基準マークが来るようにステージを移動させる。なお、
図中の１２１は主偏向領域、１２２は基準マークであ
る。
【０１３５】２）９個のビームについて、順次ビームを
偏向し、マーク位置を検出する。
【０１３６】３）基準マークを移動させ、１）〜２）の
操作を繰り返し行う。
【０１３７】４）１）〜３）と同様の操作を、大きさ２
ｍｍ角の副偏向領域についても行う。メッシュのサイズ
は５０μｍとした。
【０１３８】続いて、描画を行った。まず、ステージを
基準位置に移動させ、各荷電ビーム源の第一の主偏向領
域の描画を行った。まず、図２３の図中９１のように主
偏向領域の描画を行い、次いでステージを右方向に６ｍ
ｍ移動させ、同様にして第２の主偏向領域の描画を行っ
た。以下、図中９２に従って、順次描画を行った。
【０１３９】以上実施の結果、各荷電ビーム源の偏向境
界領域においてもつなぎ精度よくパターンを形成するこ
とができた。
【０１４０】なお、本発明は描画装置や描画方法を限定
するものではない。上記実施形態に示した以外にも、例
えば一つのビームをアパーチャによって複数に分割する
タイプの描画装置にも応用可能である。また、本発明は
マークの形状や種類を限定するものではない。上記実施
形態に示した以外にも、例えば重金属を用いた凸型マー
クでも、応用可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々変形して、利用することができる。
【０１４１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、複
数の荷電ビームで同時に位置合わせを行った場合でも、
他のマークからの反射粒子の侵入を防止することができ
る。また、複数の荷電ビームで同時に位置合わせを行う
ことができ、描画時間を大幅に短縮することが可能とな
る。
【０１４２】また本発明によれば、マルチビーム方式の
描画装置において各荷電ビーム光学系の配置ピッチより
も大きな描画領域を必要とするパターン描画の場合で
も、複数の荷電ビーム光学系で描画を行う場合でも、特
に荷電ビームの描画領域境界でのつなぎ精度が改善し、
高精度な描画を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わる電子ビーム描画装置の
光学系を示す図。
【図２】複数のビームでマーク検出を行った場合の効果
を示す図。
【図３】実施形態１−１に係わる電子ビーム描画装置の
概略構成を示す図。
【図４】実施形態１−１におけるビーム調整用マークの
形状を示す図。
【図５】実施形態１−２に係わる電子ビーム描画装置の
概略構成を示す図。
【図６】実施形態１−２におけるチップと位置合わせマ
ークとの関係を示す図。
【図７】実施形態１−３におけるコリメータの構造を示
す図。
【図８】実施形態１−３における電子ビーム光学系とコ
リメータの配置を示す図。
【図９】第２の実施形態による描画方法の手順を示す
図。
【図１０】実施形態２−１における電子ビーム光学系の
グループ化の手順を示す図。
【図１１】実施形態２−１における電子ビーム光学系の
グループ化の手順を示す図。
【図１２】グループ化された電子ビームの様子を示す
図。
【図１３】計算機プログラム上で再現したマルチビーム
描画装置の構成を示す図。
【図１４】第３の実施形態におけるマーク検出の様子を
示す図。
【図１５】基準マークの位置測定方法を示す図。
【図１６】基準マークの位置測定方法を示す図。
【図１７】描画位置補正の効果を説明するための図。
【図１８】実施形態３−１における基準マークの位置測
定方法を示す図。
【図１９】ステージ上のビーム調整マーク及びその位置
を示す図。
【図２０】電子ビーム源弦１基当たりの描画領域を示す
図。
【図２１】各電子ビーム源の描画領域の重なりを示す
図。
【図２２】偏向歪み調整の際の主偏向領域の分割を示す
図。
【図２３】描画領域内での描画の順序を示す図。
【図２４】多重描画の一例を示す図。
【図２５】ビーム偏向歪みを示す図。
【図２６】従来の電子ビーム光学系を示す図。
【図２７】マークの平面形状及び断面形状を示す図。
【図２８】マーク検出の様子を示す図。
【図２９】複数のビームでマーク検出を行った場合の問
題点を示す図。
【図３０】マルチビーム方式の電子ビーム描画装置の描
画方法を示す図。
【図３１】理想的な基準マークの配置と現実に想定され
るマークの位置ずれの様子を示す図。
【図３２】基準マークの位置ずれによる描画領域の位置
ずれの様子を示す図。
【図３３】電子ビーム光学系の描画領域境界における位
置ずれの様子を示す図。
【符号の説明】
１…電子銃 ２ａ，２ｂ，２ｃ…ビーム調整用レンズ系 ３…ブランキング用偏向器 ４…ブランキングアパーチャ ５ａ，５ｂ…ビーム偏向系 ６…反射電子検出器 ７…電子ビーム ８…対応するマークからの反射電子 ９…他のマークからの反射電子 １０…基準マーク １１，２３…コリメータ １３…電子ビーム光学系 １４…試料 １５…試料室 １６…ステージ １７…基準マーク １８…制御回路 １９…制御計算機 ２４…チップアライメントマーク ２５…チップ ２６…ウェハ ２７…ウェハアライメントマーク ２８…電子ビームの通過穴 ２９…反射電子のための開口部 ３０…描画領域 ３１…遮蔽板（コリメータ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｋ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数の荷電ビーム光学系を持つマルチビー
    ム方式の荷電ビーム描画装置において、 各々の荷電ビーム光学系の反射粒子検出器にコリメータ
    を設けたことを特徴とする荷電ビーム描画装置。
  2. 【請求項２】複数の荷電ビーム光学系を持つマルチビー
    ム方式の荷電ビーム描画装置において、 各々の荷電ビーム光学系の反射粒子検出器にコリメータ
    を設けておき、複数の荷電ビーム光学系で同時にマーク
    位置検出を行うことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
  3. 【請求項３】複数の荷電ビーム光学系を持つマルチビー
    ム方式の荷電ビーム描画装置において、 複数の荷電ビーム光学系のうち一つの荷電ビーム光学系
    を選択する手段と、該手段により選択された以外の荷電
    ビーム光学系で順次マーク検出を行う手段と、前記選択
    された荷電ビーム光学系における他のマークからの反射
    粒子の干渉を測定する手段と、該手段の測定結果に基づ
    き干渉のない荷電ビーム光学系同士をグループ化する手
    段と、該手段によりグループ化された荷電ビーム光学系
    で同時にマーク位置検出を行う手段とを具備してなるこ
    とを特徴とする荷電ビーム描画装置。
  4. 【請求項４】複数の荷電ビーム光学系を持つマルチビー
    ム方式の荷電ビーム描画装置において、 複数の荷電ビーム光学系のうち一つの荷電ビーム光学系
    を選択し、選択した荷電ビーム光学系をオフした状態
    で、他の荷電ビーム光学系で順次マーク検出を行い、選
    択した荷電ビーム光学系における他のマークからの反射
    粒子の干渉を測定し、その測定結果から干渉のない荷電
    ビーム光学系同士をグループ化し、マーク位置検出の際
    には、該グループの荷電ビームで同時にマーク位置検出
    を行うことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
  5. 【請求項５】複数の荷電ビーム光学系を持つマルチビー
    ム方式の荷電ビーム描画装置において、 複数の荷電ビーム光学系に対応して試料台上にそれぞれ
    設けられた基準マーク群と、前記試料台上の移動により
    基準マーク群を移動する手段と、移動した基準マークに
    荷電ビームを走査し、各基準マークの位置を測定する手
    段と、測定された各基準マークの相対的な位置関係を記
    憶する手段と、記憶された各基準マークの相対的な位置
    関係に基づき各荷電ビームの描画領域の位置を補正する
    手段と、補正された描画位置に基づいて描画を行う手段
    とを具備してなることを特徴とする荷電ビーム描画装
    置。
  6. 【請求項６】複数の荷電ビーム光学系を持つマルチビー
    ム方式の荷電ビーム描画装置であって、各々の荷電ビー
    ム光学系に対応して試料台上にそれぞれ設けられた基準
    マーク群を用いて描画位置の補正を行う荷電ビーム描画
    方法において、 複数の荷電ビーム光学系でマーク位置検出を行う工程
    と、隣接する荷電ビーム光学系の基準マークを用いてマ
    ーク位置検出を行う工程と、基準マーク群の相対的な位
    置関係を計算する工程と、該計算結果に基づき、各荷電
    ビーム光学系の描画領域の位置を補正する工程と、該補
    正された描画位置に描画を行う工程とを含むことを特徴
    とする荷電ビーム描画方法。
  7. 【請求項７】複数の荷電ビーム源を用いて描画を行うマ
    ルチビーム方式の荷電ビーム描画方法において、 隣接する荷電ビーム源の偏向境界領域が互いに重なりを
    持つよう描画することを特徴とする荷電ビーム描画方
    法。
  8. 【請求項８】前記重なり領域の照射量補正を行うことを
    特徴とする請求項７記載の荷電ビーム描画方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002047131A1 (fr) * 2000-12-06 2002-06-13 Advantest Corporation Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede de detection de position d'irradiation et detecteur d'electrons
JP2003077813A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置
US8927949B2 (en) 2011-07-13 2015-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Measuring apparatus, drawing apparatus, and article manufacturing method
JP2016063149A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2018520495A (ja) * 2015-07-22 2018-07-26 エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. 複数荷電粒子ビームの装置
JP2019211296A (ja) * 2018-06-01 2019-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674086B2 (en) * 1998-03-20 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Electron beam lithography system, electron beam lithography apparatus, and method of lithography
JP2000252207A (ja) * 1998-08-19 2000-09-14 Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh 粒子線マルチビームリソグラフイー
US6975399B2 (en) * 1998-08-28 2005-12-13 Nikon Corporation mark position detecting apparatus
JP3882588B2 (ja) * 2001-11-12 2007-02-21 株式会社ニコン マーク位置検出装置
US6740889B1 (en) * 1998-09-28 2004-05-25 Applied Materials, Inc. Charged particle beam microscope with minicolumn
JP2003077814A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置
DE60127677T2 (de) * 2001-10-05 2007-12-27 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Elektronenstrahlvorrrichtung mit Mehrfachstrahl
JP3940310B2 (ja) 2002-04-04 2007-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法
JP2005116731A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
US7332729B1 (en) * 2004-06-18 2008-02-19 Novelx, Inc. System and method for multiple electron, ion, and photon beam alignment
JP2009182269A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置及び露光方法
JP5143606B2 (ja) * 2008-03-28 2013-02-13 住友重機械工業株式会社 荷電粒子線照射装置
JP6057522B2 (ja) 2012-03-12 2017-01-11 三菱電機株式会社 欠陥検査方法
JP5662393B2 (ja) * 2012-08-30 2015-01-28 株式会社アドバンテスト 電子ビーム検出器、電子ビーム処理装置及び電子ビーム検出器の製造方法
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
EP3358599B1 (en) 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
JP6890373B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-18 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機における結像偏向の補償
US9652082B1 (en) 2014-08-20 2017-05-16 Amazon Technologies, Inc. Space efficient electronic device component configurations
JP6305280B2 (ja) * 2014-08-28 2018-04-04 株式会社日立ハイテクサイエンス 蛍光ｘ線分析装置及びその試料表示方法
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
EP2993684B1 (en) * 2014-09-05 2017-03-08 IMS Nanofabrication AG Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
CN110023961A (zh) * 2016-12-01 2019-07-16 艾利丹尼森零售信息服务公司 不同尺寸元件布局的混合结构方法以优化晶圆的面积使用
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6010730A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Toshiba Corp 半導体ウエハの位置合わせ方法
US4673918A (en) * 1984-11-29 1987-06-16 Zenith Electronics Corporation Light guide having focusing element and internal reflector on same face
JPS62183118A (ja) * 1986-02-06 1987-08-11 Canon Inc アライメント装置及び方法
EP0289278B1 (en) * 1987-04-28 1994-08-17 Canon Kabushiki Kaisha A multi-electron-beam pattern drawing apparatus
JPH0722010B2 (ja) * 1989-09-28 1995-03-08 株式会社日立製作所 電子線描画装置
JP2960746B2 (ja) * 1990-03-15 1999-10-12 株式会社日立製作所 ビーム照射方法および電子ビーム描画方法とビーム照射装置並びに電子ビーム描画装置
US5155355A (en) * 1991-04-25 1992-10-13 Mitutoyo Corporation Photoelectric encoder having a grating substrate with integral light emitting elements
EP0518633B1 (en) * 1991-06-10 1997-11-12 Fujitsu Limited Pattern inspection apparatus and electron beam apparatus
JP2663063B2 (ja) * 1991-06-12 1997-10-15 富士通株式会社 荷電ビーム露光方法
JPH0513037A (ja) * 1991-07-02 1993-01-22 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム装置及びその制御方法
US5122663A (en) * 1991-07-24 1992-06-16 International Business Machine Corporation Compact, integrated electron beam imaging system
JP2864060B2 (ja) * 1991-09-04 1999-03-03 キヤノン株式会社 縮小投影型露光装置及び方法
US5369282A (en) * 1992-08-03 1994-11-29 Fujitsu Limited Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput
US5523576A (en) * 1993-03-15 1996-06-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam drawing apparatus
US5373163A (en) * 1993-05-25 1994-12-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus and method for detecting gamma radiation
JP2746098B2 (ja) * 1994-01-19 1998-04-28 日本電気株式会社 電子ビーム描画用アパーチャおよび電子ビーム描画方法
JPH07263308A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法及び装置
JP3298347B2 (ja) * 1995-01-11 2002-07-02 株式会社日立製作所 電子線描画装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002047131A1 (fr) * 2000-12-06 2002-06-13 Advantest Corporation Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede de detection de position d'irradiation et detecteur d'electrons
JP2003077813A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置
US8927949B2 (en) 2011-07-13 2015-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Measuring apparatus, drawing apparatus, and article manufacturing method
JP2016063149A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2018520495A (ja) * 2015-07-22 2018-07-26 エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. 複数荷電粒子ビームの装置
US10879031B2 (en) 2015-07-22 2020-12-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams
US11587758B2 (en) 2015-07-22 2023-02-21 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams
US11887807B2 (en) 2015-07-22 2024-01-30 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams
JP2019211296A (ja) * 2018-06-01 2019-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法

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