JP2000098092A

JP2000098092A - 反射鏡およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000098092A
Application number: JP10265977A
Authority: JP
Inventors: Kuninori Shinada; 邦典品田; Hideo Takino; 日出雄瀧野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-09-21
Filing date: 1998-09-21
Publication date: 2000-04-07

Abstract

(57)【要約】【課題】照射されるエネルギーの吸収による熱変形を充
分小さく抑えることのできる反射鏡とその製造方法を提
供する。【解決手段】基板１と、基板１上に配置された反射膜２
とを有する。基板１は、インバーからなり、反射膜２
は、基板１上に直接配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、軟Ｘ線縮小投影露
光装置等のＸ線光学系に用いられる反射鏡に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を
向上させるために、従来より用いられていた紫外線に代
えて、より波長の短いＸ線を使用する投影リソグラフィ
ー技術が研究されている。

【０００３】この技術に使用されるＸ線投影露光装置
は、現在開発中ではあるが、主としてＸ線源、照明光学
系、マスク、結像光学系、ウェハステージ等により構成
される予定である。

【０００４】Ｘ線源には、放射光光源またはレーザープ
ラズマＸ線源が使用可能である。照明光学系は、斜入射
ミラー、多層膜ミラー、および所定の波長のＸ線のみを
反射または透過させるフィルター等により構成され、マ
スク上を所望の波長のＸ線で照明する。

【０００５】マスクとしては、透過型マスクと反射型マ
スクとが研究されている。透過型マスクは、Ｘ線を良く
透過する物質からなる薄いメンブレンの上に、Ｘ線を吸
収する物質を所定の形状に設けることによってパターン
を形成したものである。一方、反射型マスクは、例えば
Ｘ線を反射する多層膜上に反射率の低い部分を所定の形
状に設けることによってパターンを形成したものであ
る。

【０００６】投影結像光学系は、複数の多層膜ミラーで
構成され、マスクを透過または反射したＸ線を、ウェハ
ステージ上のウェハ上に結像する。ウェハには、レジス
トが塗布されている。これによりレジストに上記マスク
のパターンが転写される。

【０００７】なお、Ｘ線は大気に吸収されて減衰するた
め、Ｘ線投影露光装置のＸ線光路は全て所定の真空度に
維持される構成となる。

【０００８】また、Ｘ線投影露光装置に用いられる軟Ｘ
線の波長域では、透明な物質は存在せず、また物質表面
での反射率も非常に低いため、Ｘ線投影露光装置にはレ
ンズやミラーなどの通常の光学素子が使用できない。そ
のため、反射面に斜め方向から入射したＸ線を全反射を
利用して反射させる斜入射ミラーや、多層膜の各界面で
の反射光の位相を一致させて干渉効果によって高い反射
率を得る多層膜ミラー等を用いることが考えられてい
る。

【０００９】しかしながら、斜入射光学系は収差が大き
いために回折限界の解像力を得ることはできない。一
方、多層膜ミラーはＸ線を垂直に反射することが可能で
あり、回折限界のＸ線光学系を構成することが可能であ
る。このため、現在開発中の軟Ｘ線投影露光装置の結像
光学系は、すべて多層膜ミラーを用いることが考えられ
ている。また、多層膜ミラーの基板には、形状精度が高
くしかも表面粗さの小さい、溶融石英等の組成ＳｉＯ₂
の非晶質のガラス材料を用いることが検討されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなＸ線投影
露光装置では、スループットを向上させて、実用的なス
ループット（例えば、８インチウェハで３０枚／１時間
程度以上）にするためには、露光時間を短縮し、Ｘ線の
照射強度を大きくする必要がある。このため、結像光学
系を構成する多層膜ミラーの表面には、ある程度の強度
のＸ線（例えば、１０ｍＷ／ｃｍ²程度）が照射される
ことになる。

【００１１】ところが、多層膜ミラーの反射率は最も高
くても７０％程度であり、残りは多層膜で反射されずに
吸収、透過、散乱される。散乱による損失はわずかであ
り、多層膜を透過したＸ線はミラー基板によりほぼ完全
に吸収される。即ち、多層膜ミラーで反射されなかった
Ｘ線のほとんどは多層膜ミラーに吸収され、そのエネル
ギーは熱に変換される。しかも、この多層膜ミラーは真
空中で使用されるため、ミラーの表面からの放熱はほと
んどなく、多層膜ミラーの温度は上昇し、多層膜ミラー
に熱変形が生じてしまう。

【００１２】一般に、光学系で回折限界の解像力を得る
ためには、使用する光の波長と比較して光学系を構成す
るミラーやレンズの形状誤差を充分小さくする必要があ
る。Ｘ線光学系では、可視光や紫外線の光学系よりも、
波長が短い分だけ形状誤差の許容範囲は狭く、Ｘ線照射
による多層膜ミラーの熱変形は、多層膜ミラーの結像特
性に大きな影響を与え、設計通りの解像力が得られなく
なる恐れがある。

【００１３】現状では、基板の裏面からミラーを冷却す
ることが考えられているが、スループット向上のため
に、強いＸ線を照射すると、熱変形を完全に抑制するだ
けの充分な効果を得ることはむずかしい。そのため、現
在までのところ、実用的なスループットが得られる見通
しは立っていない。

【００１４】また、この光学素子の熱変形の問題は、軟
Ｘ線以外の波長域の光学系についても、程度の差はあれ
生じていた。

【００１５】本発明は、かかる問題点に濫みてなされた
ものであり、照射されるエネルギーの吸収による熱変形
を充分小さく抑えることのできる反射鏡とその製造方法
を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、以下のような反射鏡が提供され
る。

【００１７】すなわち、基板と、前記基板上に配置され
た反射膜とを有し、前記基板は、インバーからなり、前
記反射膜は、前記基板上に直接配置されていることを特
徴とする反射鏡である。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について説
明する。

【００１９】（実施の形態１）本発明の第一の実施の形
態のＸ線反射ミラーは、図１のようにインバーからなる
基板１を用い、直接この上にＸ線反射多層膜２を形成し
た構成である。しかも、基板１を構成するインバーは、
線膨張係数が０．１×１０^-6／Ｋ以下の単一のインバー
ブロックからなる。本実施の形態では、特に、線膨張係
数０．０１×１０^-6／Ｋのインバー材料を用いる。この
ように低熱膨張係数のインバーを用いた場合には、実用
的なスループットを得るために照射Ｘ線が大きくなって
も、基板１の熱変形量が小さいため、反射ミラーの光学
特性をＸ線投影露光装置として必要とされる精度に収め
ることできる。また、基板１の表面は、反射ミラーとし
て極めて平滑な面が要求されるが、本実施の形態では、
基板１の表面を研削加工した後、研磨する工程を加える
ことにより、必要とされる平滑な面を得ることを可能と
した。

【００２０】また、多層膜２は、多層膜２の各界面での
反射光の位相を一致させて干渉効果によって高い反射率
を得る構成となっている。

【００２１】図１のＸ線反射ミラーの製造方法を以下説
明する。まず、インバー製のブロックを研削加工して上
面が凹面で裏面が平面のインバー製基板を作製した。こ
の基板１の上面の凹面を、粒径が微小かつ均一な砥粒を
用いて研磨加工した。これにより、直径５０ｍｍ、中心
厚さ１２．５ｍｍ、凹面の表面粗さが０．５７ｎｍＲＭ
Ｓ以下の鏡面の基板１を得た。ただし、上面の凹面の曲
率半径は、５００ｍｍとした。基板１の表面の凹凸形状
を光学式非接触表面粗さ計で測定したところ、図４のよ
うな結果が得られ、表面粗さが０．５７ｎｍＲＭＳ以下
であることが確認できた。

【００２２】つぎに、基板１の凹面上に、イオンビーム
スパッタリングにより、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコ
ン（Ｓｉ）層を交互に堆積し、積層数５０層のＸ線反射
多層膜２を形成した。なお、この多層膜２の周期長（モ
リブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を１層づつ積
層した厚さ）は、６．７ｎｍとした。

【００２３】これにより、直径５０ｍｍ、曲率半径５０
０ｍｍ、中心厚さ約１２．５ｍｍのＸ線多層膜反射ミラ
ーを完成させた。ここでミラーの直径を５０ｍｍとして
いるのは、Ｘ線投影露光装置において実用的な露光領域
の寸法を確保するために必要な大きさだからである。ま
た、中心部の厚さを１２．５ｍｍにしているのは、ミラ
ーの形状を精度良く維持するために必要とされる直径の
四分の一程度の厚さを満たすためである。

【００２４】つぎに、本実施の形態の図１のＸ線反射ミ
ラーにＸ線が照射された場合の基板１の熱変形の大きさ
を見積もる。なお、比較例として、基板１を溶融石英で
構成したミラーについても基板の熱変形の大きさも見積
もる。

【００２５】なお、実際のミラーの変形は、ミラーの寸
法形状により大きく異なるので、正確にミラー変形を見
積もるためには有限要素法等の計算が必要であるが、こ
こでは以下のように単純化して、変形の概略値を見積も
ることとする。

【００２６】まず、図２（ａ）に示すように、裏面が一
定温度Ｔの熱浴（裏面を冷却して一定温度に保つことに
相当する）に接した基板１（厚さｄ）の表面の一部２０
１に定常的な熱流束Ｑ（照射されたＸ線のうち、反射せ
ずに基板に吸収される分のエネルギー）が投入されたと
きの、投入部分２０１における基板１の厚さ方向（ｘ方
向）の伸び（または縮み）△ｘを考える。ただし、ここ
では、横方向の熱伝導は考えず、またＸ線はすべて基板
１表面で吸収されると単純化とする。このとき基板の内
部には、図２（ｂ）に示すように、ｘ方向に一様な温度
勾配が生じるので、位置ｘにおける温度（熱浴との温度
差）Ｔ（ｘ）は、

【００２７】

【数１】

【００２８】で与えられる。

【００２９】基板内の薄い層（厚さδｘ）の伸び△（δ
ｘ）は、

【００３０】

【数２】

【００３１】で与えられる。ここで、αは基板１の材料
の線膨張係数である。

【００３２】従って、厚さｄの全体の伸び△ｘは、

【００３３】

【数３】

【００３４】となる。

【００３５】この（数３）を用いて、まず比較例の、基
板１を溶融石英から構成したＸ線反射ミラーの熱変形量
を計算する。溶融石英（ＳｉＯ₂）の熱伝導率は１．３
８Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張係数は０．５×１０^-6である。ま
た、基板へ投入される熱流束Ｑは１０ｍＷ／ｃｍ²とす
る。この１０ｍＷ／ｃｍ²という値は、この反射ミラー
を軟Ｘ線投影露光装置に用いた場合に実用的なスループ
ット（例えば、８インチウェハで３０枚／１時間程度以
上）を得る場合に、反射ミラーに照射されるＸ線の照射
強度である。また、ミラーの直径は、図１のＸ線反射ミ
ラーの場合５０ｍｍである。また、ミラーの厚さｄに
は、図１のミラーの中心部の厚さ１２．５ｍｍを用い
る。これにより、ミラーの中心部の熱変形量を見積も
る。

【００３６】これらの数値を上述の（数３）に代入し
て、溶融石英からなる基板の熱変形量を計算すると２．
８３ｎｍとなる。

【００３７】つぎに、本実施の形態のインバー製の基板
１を用いた場合の基板の変形量を見積もる。本実施の形
態のインバーは、熱伝導率は１２．９Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨
張係数は０．０１×１０^-6／Ｋである。これらの数値を
式（３）に代入してインバーの熱変形量を計算すると
０．００６ｎｍとなる。また、線膨張係数０．１×１０
^-6／Ｋ以下のインバーであれば、他の条件が同じ場合、
熱変形量は０．０６ｎｍ以下にすることができる。

【００３８】つぎに、Ｘ線反射ミラーとして、許容され
る変形量（形状誤差）を見積もる。

【００３９】光学系の波面収差を波長の四分の一以内と
するレイリーの条件を用いると、光学系を構成するミラ
ー一枚あたりの形状精度は、

【００４０】

【数４】

【００４１】以内に抑えなければならない。ここで、ｎ
は光学系を構成するミラーの枚数であり、１／２を掛け
てあるのは反射系であるためである。例えば４枚のミラ
ーによりで構成された光学系を波長１３ｎｍで使用する
場合、１枚のミラーに許容される形状誤差（熱変形量）
は０．８１ｎｍとなる。

【００４２】上述のように、溶融石英を基板に用いた場
合には、上述の条件で熱変形量は、２．８３ｎｍである
ため、許容される形状誤差０．８１ｎｍからかけはなれ
た大きな値になる。このため、溶融石英基板を用いたミ
ラーでは、上述の条件のように実用的なスループットを
得るために必要とされるＸ線照射量では、回折限界の解
像力を得ることはできないことがわかる。一方、本実施
の形態のインバーを用いた図１の反射ミラーの場合、熱
変形量は、０．００６ｎｍであり、許容形状誤差０．８
１ｎｍよりも２桁小さい値となる。また、線膨張係数
０．１×１０^-6／Ｋ以下のインバーであれば、熱変形量
は、０．０６ｎｍ以下であるため、許容形状誤差を十分
満たす。したがって、本実施の形態のインバー基板１を
用いた反射ミラーは、実用的なスループットを得るため
に必要とされるＸ線を照射されても、回折限界の解像力
を得ることが可能である。

【００４３】ところで、Ｘ線用の多層膜反射ミラ一の基
板は、上述してきたように熱による変形量が微小である
ことの他に、表面が極めて平滑な面であることが要求さ
れる。反射ミラーの表面粗さと反射率との関係は、次式
のように表される。

【００４４】

【数５】

【００４５】すなわち、多層膜の構成が同じ反射ミラー
では、λ、θの条件が同じであれば、反射率は、表面粗
さに依存し、反射率の比Ｒ／Ｒ₀と表面粗さとの関係は
図３のようになる（ただし、図３ではλ＝１３ｎｍ、θ
＝９０゜（垂直入射）としている）。また、反射ミラー
の表面粗さは、ほぼ基板の表面粗さに一致する。したが
って、従来より検討されている溶融石英を基板材料とし
たＸ線多層膜反射ミラーと同程度の反射率を得るために
は、インバー基板１の表面粗さを、従来の溶融石英基板
の表面粗さと同程度にする必要がある。従来の溶融石英
基板を用いたＸ線反射ミラーの基板の表面粗さは、０．
５７ｎｍＲＭＳ程度であるため、本実施の形態のインバ
ー基板１も０．５７ｎｍＲＭＳ以下にする必要がある。

【００４６】これまで一般的に、インバー等の金属は微
細な結晶粒界が存在するため、その表面をナノメートル
オーダーの平滑な表面にすることは困難であると思われ
てきた。しかしながら、本実施の形態では、研削加工の
後で、微細で均一な粒径の砥粒を用いて研磨を行うこと
により、インバーからなる基板１の表面を０．５７ｎｍ
ＲＭＳ以下にすることができた（図４）。これにより、
インバー基板１を用いたＸ線反射ミラーでありながら、
従来の溶融石英基板のミラーと同様に、多層膜２を形成
した後の反射率が約７０％の反射ミラーを得ることがで
きた。

【００４７】上述したきたように、第１の実施の形態の
Ｘ線反射ミラーは、線膨張係数が０．１×１０^-6／Ｋ以
下のインバー基板１を用いているため、熱変形が十分小
さい。そのため、Ｘ線投影露光装置に用いた場合に、実
用的なスループットを得るために必要な強いＸ線を照射
することができる。また、基板１の表面を研磨により平
滑にしているため、反射ミラーとして十分実用的な反射
率を得ることができる。したがって、本実施の形態のＸ
線反射鏡をＸ線投影露光装置に用いることにより、高解
像力と高スループットとを両立させたＸ線投影露光装置
を実現することができる。

【００４８】なお、上述の熱変形量の見積もりでは、多
層膜２の熱変形量を無視しているが、その理由は、多層
膜２の厚さは、０．数μｍしかないため、その熱変形量
がごくわずかで無視できる範囲だからである。

【００４９】なお、本実施の形態のＸ線反射ミラーは、
熱変形量が小さいため、Ｘ線投影露光装置に用いた場合
に、Ｘ線反射ミラーを冷却するための機構を備えなくて
も、熱変形量を許容形状誤差以内に抑制できるが、冷却
機構を備えることにより、より熱変形量を抑制すること
ができる。具体的には、反射ミラーが１０ｍＷ／ｃｍ²
のエネルギーを吸収した場合にも、水冷することにより
熱変形量を０．００６ｎｍ以下に抑制することができ
る。

【００５０】また、本実施の形態にかかる反射ミラー
は、Ｘ線投影露光装置以外のＸ線光学系に用いることも
可能である。また、多層膜２の構成を照射する光の波長
に合わせたものにすることにより、Ｘ線以外の波長の光
の反射光学系にも適用可能である。

【００５１】さらに、本実施の形態では、基板１の材料
として線膨張係数が０．１×１０^-6／Ｋ以下のインバー
を用いたが、線膨張係数がこの値を満たす材料であっ
て、表面が滑らかに研磨できる材料であればインバー以
外の材料を用いることも可能である。

【００５２】（実施の形態２）本発明の第２の実施の形
態として、第１の実施の形態のＸ線反射ミラーを用いた
軟Ｘ線投影露光装置について図５を用いて説明する。

【００５３】図５のＸ線投影露光装置は、Ｘ線源１１と
してレーザープラズマ光源を使用する。Ｘ線源１１から
放射された光束は、２枚のＸ線反射ミラー１２，１３か
らなる照明光学系で集光され、マスクステージ１４上に
保持された反射マスク１５を照明する。反射マスク１５
で反射した光束は、４枚のＸ線反射ミラー１６〜１９で
構成される投影光学系を通り、ウェハステージ２０上に
保持されたウェハ２１上に到達する。投影光学系は、反
射マスク１５上に形成されている回路パターンを、１／
４に縮小した像をウェハ２１上に結像する。ウェハ２１
には、レジストが塗布されており、このレジストに反射
マスク１５のパターンが転写される。

【００５４】投影光学系を構成する４枚のミラー１６〜
１９の反射面の形状は、いずれもそれぞれの光軸の周り
に回転対称である。反射ミラー１８には、反射ミラー１
６、１７で収束されたＸ線が照射され、有効径が投影光
学系の絞りとなっている。

【００５５】ここでは、Ｘ線反射ミラー１２、１３、１
６〜１９として、いずれも第１の実施の形態の反射ミラ
ーを用いた。これらの反射ミラー１２、１３、１６〜１
９には、ねじ穴が設けられ、Ｘ線投影露光装置の真空チ
ャンバー（図５では不図示）内にボルトで固定されてい
る。また、これら反射ミラー１２、１３、１６〜１９の
インバー基板１には、水等の媒体を通過させて冷却する
ための冷却溝を設けた。また、冷却溝を設けていない部
分は、基板を空洞を設けて軽量化し、本体に保持される
際の自重変形が少なくなるようにした。

【００５６】反射マスク１５は、モリプデン（Ｍｏ）層
／シリコン（Ｓｉ）層を積層した多層膜を用いて所望の
マスクパターンを形成している。この多層膜は、波長１
３ｎｍ付近の軟Ｘ線を反射する構成となっている。

【００５７】Ｘ線反射ミラー１２、１３、１６〜１９の
反射率は、いずれも７０％程度であり、照射されるＸ線
のうちの３０％はミラーに吸収されて熱になる。また、
反射マスク１５においても一部が吸収される。光源１１
から出射されるＸ線の強度は、シリコンウエハ２１に到
達するＸ線の強度が所望の強度となるように、反射ミラ
ー１２、１３、１６〜１９および反射マスク１５による
吸収を見込んだ強度に設定される。そのため、実用的な
スループットである３０枚／時間を実現するためには、
光源１１に近い反射ミラー１２、１３には、約１００ｍ
Ｗ／ｃｍ²のＸ線が照射されることになり、反射ミラー
１２、１３は、約３０ｍＷ／ｃｍ²を吸収する。また、
投影光学系の反射ミラー１８には、反射ミラー１５、１
７によって収束されたＸ線が入射するために、単位面積
当たりの照射Ｘ線強度は、投影光学系を構成する４枚の
反射ミラー１６〜１９のなかで一番大きくなる。上述の
実用的なスループットを実現する場合には、反射ミラー
１８への入射強度は約３０ｍＷ／ｃｍ²に達し、そのう
ちの３０％の約９ｍＷ／ｃｍ²が吸収される。

【００５８】しかしながら、本実施の形態では、反射ミ
ラー１２、１３、１８が、第１の実施の形態のインバー
基板１を用いた反射ミラーであるため、第１の実施の形
態より、これらの反射ミラー１２、１３、１８の熱変形
量は、吸収された熱流束１０ｍＷ／ｃｍ²当たり０．０
０６ｎｍ（ただし、厚さ１２．５ｍｍのミラー中央部）
に抑制される。したがって、約３０ｍＷ／ｃｍ²を吸収
する反射ミラー１２、１３の場合、熱変形量は、ミラー
の中央部で０．０１８ｎｍである。同様に、約９ｍＷ／
ｃｍ²のエネルギーを吸収する反射ミラー１８の場合、
熱変形量は、ミラーの中央部で０．００５４ｎｍであ
る。第１の実施の形態で述べたように、Ｘ線波長が１３
ｎｍの場合、回折限界を得るための許容形状誤差（許容
熱変形量）は、０．８１ｎｍ（ただし、４枚のミラー光
学系の場合）であるので、反射ミラー１２、１３、１８
の熱変形量は、この値よりも２桁小さく、許容形状誤差
以内であることがわかる。また、反射ミラー１２、１
３、１８の以外の反射ミラー１６、１７、１９に照射さ
れるＸ線強度は、反射ミラー１２、１３、１８よりも小
さいため、熱変形量は、いずれも許容形状誤差以内であ
る。このように、本実施の形態の軟Ｘ線投影露光装置の
光学系を構成する反射ミラー１２等はすべて、熱変形量
が許容形状誤差以内であるため、回折限界の光学系を構
成することができる。

【００５９】しかも、本実施の形態では、反射ミラー１
２、１３、１６〜１９の基板１に冷却溝を設けて、水等
の媒体で冷却する構成であるため、熱になるのは、吸収
したエネルギーの一部のみであり、実際の熱変形量は上
述の値よりもさらに小さくなる。したがって、実際の本
実施の形態の軟Ｘ線投影露光装置は、上述のＸ線強度よ
りもさらに大きなＸ線強度を照射しても、反射ミラー１
２等の熱変形量を許容形状誤差以内に抑制することがで
きる、３０枚／時間を越えるスループットを実現するこ
とができる。

【００６０】このように、本実施の形態のＸ線投影露光
装置では、反射ミラーの熱変形量を十分に小さく抑える
ことができるため、高解像力と高スループットを両立さ
せることができる。

【００６１】なお、上述してきた本実施の形態の軟Ｘ線
投影露光装置は、反射ミラー１２、１３、１６〜１９の
全てを第１の実施の形態のインバー基板１の反射ミラー
にする構成であったが、一部のみを第１の実施の形態の
反射ミラーとする構成にすることも可能である。この場
合、上述のように光源１１に近い反射ミラー１２、１
３、ならびに、収束されたＸ線光束が照射される反射ミ
ラー１８は、吸収するエネルギーが大きいため、れらの
いずれかについては第１の実施の形態の反射ミラーを用
いることが望ましい。

【００６２】また、本実施の形態の軟Ｘ線投影露光装置
の反射マスク１５についても、第１の実施の形態の反射
ミラーと同じように、インバー基板を用いる構成にする
ことができる。この場合、反射マスクの熱変形量を小さ
くすることができるため、Ｘ線の照射強度を大きくして
も、反射マスクのパターンの形状精度を維持したまま、
ウエハ２１に投影することが可能になる。

【００６３】

【発明の効果】上述してきたように、本発明によれば、
照射されるエネルギーの吸収による熱変形を充分小さく
抑えることのできる反射鏡とその製造方法を提供するこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のＸ線反射ミラーの
構成を示す断面図。

【図２】（ａ）図１の反射ミラーの熱変形量Δｘを示す
ための説明図、（ｂ）図１の反射ミラーの厚さ方向の温
度分布を示すグラフ。

【図３】反射ミラーの表面粗さと反射率との関係を示す
グラフ。インバ−の研磨面の表面粗さの測定例を示す図
である。

【図４】図１の反射ミラーの基板の表面粗さを示すグラ
フ。

【図５】本発明の第２の実施の形態の図１の反射ミラー
を用いた軟Ｘ線投影露光装置の構成を示すブロック図。

【符号の説明】

１・・・インバー基板、２・・・多層膜、１１・・・Ｘ
線光源、１２、１３、１６、１７、１８、１９・・・反
射ミラー、１４・・・マスクステージ、１５・・・反射
マスク、２０・・・ウエハステージ、２１・・・ウェ
ハ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H042 AA02 AA25 DA08 DB03 DC02 DC09 DC10 DC11 DD08 2H097 CA15 GB01 5F046 AA08 BA04 CB03 GA03 GB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に配置された反射膜と
を有し、前記基板は、インバーからなり、前記反射膜は、前記基
板上に直接配置されていることを特徴とする反射鏡。
【請求項２】請求項１に記載の反射鏡において、前記基
板は、インバー製の単一のブロックからなることを特徴
とする反射鏡。
【請求項３】請求項１に記載の反射鏡において、前記反
射膜は、Ｘ線を反射するための多層膜であり、前記基板
の線膨張係数は、０．１×１０^-6／Ｋ以下であることを
特徴とする反射鏡。
【請求項４】インバー製のブロックを切り出して基板の
形状にする第１の工程と、前記基板の上面を研磨することにより、表面粗さを滑ら
かにする第２の工程と、前記基板の上面に反射膜を形成する第３の工程とを有す
ることを特徴とする反射鏡の製造方法。
【請求項５】請求項４に記載の反射鏡の製造方法におい
て、前記第２の工程では、前記基板の上面を０．５７ｎ
ｍＲＭＳ以下の粗さまで研磨することを特徴とする反射
鏡の製造方法。
【請求項６】Ｘ線光源と、所望のパターンを有するマス
クを保持するためのマスク保持部と、露光対象を保持す
るための露光対象保持部と、前記Ｘ線光源から出射され
前記マスクで前記パターン形状に成形されたＸ線光束を
前記露光対象まで導くための１以上のＸ線反射鏡とを有
し、前記１以上のＸ線反射鏡のうちの少なくとも１つは、基
板と、前記基板上に配置された反射膜とを備え、前記基板は、インバーからなり、前記反射膜は、前記基
板上に直接配置されていることを特徴とするＸ線投影露
光装置。