JPH0566552A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPH0566552A JPH0566552A JP35521891A JP35521891A JPH0566552A JP H0566552 A JPH0566552 A JP H0566552A JP 35521891 A JP35521891 A JP 35521891A JP 35521891 A JP35521891 A JP 35521891A JP H0566552 A JPH0566552 A JP H0566552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- reticle
- glass substrate
- shifter
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/28—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof with three or more diverse phases on the same PSM; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多段階位相シフタ形成法と同等の効果を単層
のプロセスで得られるレチクルを提供することを目的と
する。 【構成】 レチクルのガラス基板上に１８０°位相シフ
タ膜を一様に成膜し、エッチングによってシフタパター
ンを形成する際にシフタのエッジをテーパ構造にしたも
のである。これにより１８０°位相シフタとガラス基板
との境界で干渉によって、透過光強度が低下するのを緩
和する。
のプロセスで得られるレチクルを提供することを目的と
する。 【構成】 レチクルのガラス基板上に１８０°位相シフ
タ膜を一様に成膜し、エッチングによってシフタパター
ンを形成する際にシフタのエッジをテーパ構造にしたも
のである。これにより１８０°位相シフタとガラス基板
との境界で干渉によって、透過光強度が低下するのを緩
和する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上にデバ
イスパターンを形成するためのレチクルに関し、特に微
細なパターンが得られる位相シフタを有するレチクルに
関する。
イスパターンを形成するためのレチクルに関し、特に微
細なパターンが得られる位相シフタを有するレチクルに
関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフタ法で
は、レチクルのガラス基板と、１８０°位相シフタの境
界部においてウエハ上の光強度が減少し、不要なパター
ンが形成される。これを防ぐために、応用物理学会’９
０秋期大会予稿集２７Ｐ−ＺＧ−６に記載のように、レ
チクルのガラス基板部と１８０°位相シフタの間に段階
的に位相シフタ量を変化させた多段階位相シフタを配置
したレチクルがある。図３（ａ）は上記のように構成さ
れたレチクル断面構造を示す図である。尚、図３（ａ）
において２はレチクル、７は１８０°位相シフタ、８は
９０°位相シフタである。また、同様の構成を有するレ
チクルが特開昭５７−６２０５２号公報に開示されてい
る。
は、レチクルのガラス基板と、１８０°位相シフタの境
界部においてウエハ上の光強度が減少し、不要なパター
ンが形成される。これを防ぐために、応用物理学会’９
０秋期大会予稿集２７Ｐ−ＺＧ−６に記載のように、レ
チクルのガラス基板部と１８０°位相シフタの間に段階
的に位相シフタ量を変化させた多段階位相シフタを配置
したレチクルがある。図３（ａ）は上記のように構成さ
れたレチクル断面構造を示す図である。尚、図３（ａ）
において２はレチクル、７は１８０°位相シフタ、８は
９０°位相シフタである。また、同様の構成を有するレ
チクルが特開昭５７−６２０５２号公報に開示されてい
る。
【０００３】上記構成のレチクルによれば、図３（ｂ）
に示すように、ガラス基板と１８０°位相シフタの境界
部において露光時にウエハ上の光強度の減少を抑えるこ
とができる。
に示すように、ガラス基板と１８０°位相シフタの境界
部において露光時にウエハ上の光強度の減少を抑えるこ
とができる。
【０００４】しかしながら従来の多段階位相シフタ形成
法は高精度に膜厚制御されたシフタ膜を多層に成膜する
必要があるため、レチクル製造プロセスが非常に複雑に
なるという問題があった。
法は高精度に膜厚制御されたシフタ膜を多層に成膜する
必要があるため、レチクル製造プロセスが非常に複雑に
なるという問題があった。
【０００５】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
のであり、多段階位相シフタ形成法と同等の効果を単層
のプロセスで得ることができるレチクルを提供すること
を目的とする。
のであり、多段階位相シフタ形成法と同等の効果を単層
のプロセスで得ることができるレチクルを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、レチクルのガラス基板上に１８０°位相シ
フタ膜を一様に成膜し、シフタパターンを形成する際に
シフタのエッジをエッチングによってテーパ構造に形成
した。
するために、レチクルのガラス基板上に１８０°位相シ
フタ膜を一様に成膜し、シフタパターンを形成する際に
シフタのエッジをエッチングによってテーパ構造に形成
した。
【０００７】
【作用】本発明は前記の構成によって、レチクルのガラ
ス基板部と１８０°位相シフタの境界部で透過光強度の
低下に伴う不必要なパターンを形成することのないシフ
タパターンを単層プロセスで作製することができる。
ス基板部と１８０°位相シフタの境界部で透過光強度の
低下に伴う不必要なパターンを形成することのないシフ
タパターンを単層プロセスで作製することができる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例であるレチ
クルの断面を示す図である。
て説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例であるレチ
クルの断面を示す図である。
【０００９】レチクルのガラス基板２上の１８０°位相
シフタ１のエッジがテーパ構造になっており、これによ
り１８０°位相シフタ１とガラス基板２との境界で干渉
によって、透過光強度が低下するのを図１（ｂ）に示す
ように緩和する。
シフタ１のエッジがテーパ構造になっており、これによ
り１８０°位相シフタ１とガラス基板２との境界で干渉
によって、透過光強度が低下するのを図１（ｂ）に示す
ように緩和する。
【００１０】図２（ａ）〜図２（ｃ）はシフタエッジの
形成方法を示す図である。レチクルのガラス基板２（合
成石英）上に塗布法によって、１８０°位相シフタとし
てＳＯＧをベーク温度４００°Ｃで成膜する。このとき
ＳＯＧ膜３の屈折率は１．４２であり、露光光がｉ線
（波長：３６５ｎｍ）の場合、１８０°位相シフタとし
て機能するＳＯＧ膜の膜厚は４３５ｎｍである（図２
（ａ））。厚の例を下記の表１に示す。
形成方法を示す図である。レチクルのガラス基板２（合
成石英）上に塗布法によって、１８０°位相シフタとし
てＳＯＧをベーク温度４００°Ｃで成膜する。このとき
ＳＯＧ膜３の屈折率は１．４２であり、露光光がｉ線
（波長：３６５ｎｍ）の場合、１８０°位相シフタとし
て機能するＳＯＧ膜の膜厚は４３５ｎｍである（図２
（ａ））。厚の例を下記の表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】尚、本発明において、上記のように構成さ
れる位相シフタのパターンエッジのテーパ構造のテーパ
角θ（図１（ａ）参照）は５０°〜８０°であるのが好
ましい。
れる位相シフタのパターンエッジのテーパ構造のテーパ
角θ（図１（ａ）参照）は５０°〜８０°であるのが好
ましい。
【００１３】以上説明したように本発明によれば、多段
階シフタ法が非常に高精度に膜厚制御が必要なシフタ膜
を多層に成膜する必要があるのに対し、本発明によれば
単層プロセスによって、シフタパターンが形成できると
いう効果がある。
階シフタ法が非常に高精度に膜厚制御が必要なシフタ膜
を多層に成膜する必要があるのに対し、本発明によれば
単層プロセスによって、シフタパターンが形成できると
いう効果がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
チクルのシフタパターンを単層プロセスで作製すること
ができるので、製造プロセスが単純になり、安価なレチ
クルを提供することができる。
チクルのシフタパターンを単層プロセスで作製すること
ができるので、製造プロセスが単純になり、安価なレチ
クルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】同図（ａ）は本発明の一実施例であるレチクル
の構造を示す断面図、同図（ｂ）はウエハ上での露光光
の強度を示す分布図である。
の構造を示す断面図、同図（ｂ）はウエハ上での露光光
の強度を示す分布図である。
【図２】シフタエッジをテーパ構造にするためのレチク
ル製造方法の一例を示す製造工程毎の断面図である。
ル製造方法の一例を示す製造工程毎の断面図である。
【図３】同図（ａ）は従来の多段階位相シフタ法におけ
るレチクルの構造を示す断面図、同図（ｂ）は従来のレ
チクルを用いたときのウエハ上での露光光の強度を示す
分布図である。
るレチクルの構造を示す断面図、同図（ｂ）は従来のレ
チクルを用いたときのウエハ上での露光光の強度を示す
分布図である。
１ エッジにテーパ構造をもつ１８０度位相シフタ ２ レチクル基板 ７ １８０°位相シフタ ８ ９０°位相シフタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 公明 神奈川県相模原市淵野辺５丁目10番１号 新日本製鐵株式会社エレクトロニクス研究 所内
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板上に設置された位相シフタの
パターンエッジがテーパ構造であることを特徴とするレ
チクル。 - 【請求項２】 前記位相シフタがＳＯＧ，ＣＶＤＳｉＯ
2 またはＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）のいず
れかにより構成してなることを特徴とする請求項１記載
のレチクル。 - 【請求項３】前記テーパ構造のテーパ角θが５０°及至
８０°の範囲にあることを特徴とする請求項１記載のレ
チクル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41600990 | 1990-12-28 | ||
| JP2-416009 | 1990-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566552A true JPH0566552A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=18524264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35521891A Withdrawn JPH0566552A (ja) | 1990-12-28 | 1991-12-20 | レチクル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5356738A (ja) |
| JP (1) | JPH0566552A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0183706B1 (ko) * | 1995-03-13 | 1999-04-01 | 김광호 | 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크 |
| KR980010610A (ko) * | 1996-07-31 | 1998-04-30 | 문정환 | 위상반전마스크의 구조 및 제조방법 |
| US5821013A (en) * | 1996-12-13 | 1998-10-13 | Symbios, Inc. | Variable step height control of lithographic patterning through transmitted light intensity variation |
| US5840447A (en) * | 1997-08-29 | 1998-11-24 | International Business Machines Corporation | Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures |
| US7282306B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-10-16 | Intel Corporation | Continuous sloped phase edge architecture fabrication technique using electron or optical beam blur for single phase shift mask ret |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5762052A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Original plate to be projected for use in transmission |
| FR2590376A1 (fr) * | 1985-11-21 | 1987-05-22 | Dumant Jean Marc | Procede de masquage et masque utilise |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP35521891A patent/JPH0566552A/ja not_active Withdrawn
- 1991-12-24 US US07/813,030 patent/US5356738A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5356738A (en) | 1994-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |