JP6370255B2 - ペリクル用フレーム及びそれを用いたペリクル - Google Patents
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Description
インバー:1×10−6
スーパーインバー:0.1×10−6
ステンレスインバー:0.1×10−6
コバール:5×10−6
石英ガラス:0.5×10−6
ホウケイ酸ガラス:5×10−6
ソーダ石灰ガラス:8×10−6
炭化ケイ素:4×10−6
窒化ケイ素:3×10−6
窒化ホウ素:1×10−6
窒化アルミニウム:5×10−6
酸化アルミニウム:6×10−6
アルミニウム:24×10−6
SUS304:17×10−6
はじめに、外形サイズ149mm×122mm×高さ5.8mm、肉厚2mmで、材質が鉄とニッケルの合金であるインバー(Fe−Ni36、線膨張係数:1×10−6(1/K))製のペリクル用フレームをクリーンルームに搬入し、中性洗剤と純水により、十分に洗浄・乾燥させた。
次に、前記ペリクル用フレームの下端面にマスク粘着剤として、粘着剤X−40−3122[信越化学工業株式会社製:製品名]を塗布し、該粘着剤が流動しなくなるまで風乾させた後、該ペリクル用フレームを130℃まで加熱し、該粘着剤を完全に硬化させた。
また、前記ペリクル用フレームの上端面に単結晶シリコンからなるペリクル膜を接着するための接着剤として、低アウトガス性接着剤であるシリコーン系のKE−101A/B[信越化学工業株式会社製:製品名]を塗布した。そして、単結晶シリコンからなるペリクル膜をペリクル用フレームの前記接着剤塗布端面側に貼り付け、カッターにて外側の不要膜を切除し、ペリクルを完成させた。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、鉄とニッケルとコバルトの合金であるスーパーインバー(Fe−Ni32−Co5、線膨張係数:0.1×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、石英ガラス(SiO2、線膨張係数:0.5×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、酸化アルミニウム(Al2O3、線膨張係数:6×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、Al−Zn−Mg−Cu系のアルミニウム合金(JIS A7075、線膨張係数:23.4×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、ステンレス鋼材(SUS304、線膨張係数:17×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
[ヒートサイクル試験]
前記実施例1〜4及び比較例1、2で作製したペリクルを石英基板に貼り付け、200℃雰囲気のオーブン中に24時間静置した後、室温で24時間静置、というサイクルを5回行い(ヒートサイクル試験)、その後、前記ペリクル(及びペリクル膜)の状態を目視にて確認した。また、該ヒートサイクル試験後の前記石英基板に対する前記ペリクルの平坦度をFLatMaster(エスオーエル株式会社製)にて測定し、以下に示す評価基準にて評価した。結果を表1に示す。
[評価基準]
(ヒートサイクル試験後のペリクルの平坦度)
○:ヒートサイクル試験後のペリクルの平坦度が15μm以下
×:ヒートサイクル試験後のペリクルの平坦度が15μm以上
(総合評価)
○:ヒートサイクル試験後のペリクルの状態が良好で、ペリクルの平坦度が15μm以下
×:ヒートサイクル試験後のペリクルの状態が不良で、ペリクルの平坦度が15μm以上
一方、比較例1、2のペリクル用フレームでは、ヒートサイクル試験後にペリクル膜に割れが観察され、また、ペリクルの平坦度も低下していた。比較例1、2のペリクル用フレームでは、ヒートサイクル試験によるペリクル用フレームの伸縮が大きく、ペリクル膜(割れ)や、ペリクルの平坦度へ悪影響を与えていることが確認された。
したがって、実施例1〜4のペリクル用フレームは、耐ヒートサイクル性に優れており、高温と低温の温度変化が繰り返し負荷されても、ペリクル膜やマスク基板に悪影響を与えないことから、特にEUV露光技術を使用する際のペリクル用フレームとして、総合的に見て最も適していることが確認された。
2 膜接着剤
3 ペリクル用フレーム
4 マスク粘着剤
5 フォトマスク
6 気圧調整用穴
7 防塵用フィルター
10 ペリクル
Claims (6)
- 線膨張係数が10×10−6(1/K)以下の金属からなるペリクル用フレームを用いてなり、かつ、
ペリクル膜の材質が、単結晶シリコン、多結晶シリコン、及び非晶質シリコンから選択されるものである、
フォトレジスト膜に10nm以下の微細パターンを形成する場合のEUVリソグラフィー用のペリクル。 - 前記金属が、Fe−Ni合金、Fe−Ni−Co合金、Fe−Ni−Co−Cr合金、及びFe−Co−Cr合金から選択されるものである請求項1に記載のペリクル。
- 前記金属が、インバー、スーパーインバー、ステンレスインバー、及びコバールから選択されるものである請求項1に記載のペリクル。
- 線膨張係数が10×10−6(1/K)以下のセラミックスからなるペリクル用フレームを用いてなり、かつ、
ペリクル膜の材質が、単結晶シリコン、多結晶シリコン、及び非晶質シリコンから選択されるものである、
フォトレジスト膜に10nm以下の微細パターンを形成する場合のEUVリソグラフィー用のペリクル。 - 前記セラミックスが、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び窒化ホウ素から選択されるものである請求項4に記載のペリクル。
- 前記セラミックスが、窒化ホウ素から選択されるものである請求項5に記載のペリクル。
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JP2002323751A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
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US7014961B2 (en) * | 2002-10-02 | 2006-03-21 | Yazaki Corporation | Photomask assembly incorporating a porous frame |
US6822731B1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-11-23 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for a pellicle frame with heightened bonding surfaces |
JP2005108938A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sony Corp | ステンシルマスクおよびその製造方法、露光装置および露光方法、並びに電子装置の製造方法 |
WO2006113859A2 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Yazaki Corporation | Photomask assembly incorporating a metal/scavenger pellicle frame |
DE102006014380A1 (de) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
JP2008105999A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | アダマンタン誘導体、その製造方法、樹脂組成物およびその硬化物 |
JP2009146912A (ja) * | 2009-03-27 | 2009-07-02 | Jsr Corp | 異方導電性シートならびにそれを用いた電気的検査方法および電気的接続方法 |
JP5489966B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 遮光性硬化性組成物、ウエハレベルレンズ、及び遮光性カラーフィルタ |
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JP5813325B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2015-11-17 | 富士フイルム株式会社 | 黒色重合性組成物、及び、黒色層の作製方法 |
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