CN115023651A - 防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法 - Google Patents

防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法，所述防护薄膜框架为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于：在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域。本发明可提供一种防止源自框架的散射光、且附着于框架表面的异物检查容易的防护薄膜框架及使用所述防护薄膜框架的防护薄膜组件。

Description

防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及 曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种作为除尘器而装设于光刻(lithography)用光掩模的防护薄膜框架(pellicle frame)、防护薄膜组件(pellicle)、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法。
背景技术
近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向次四分之一微米(sub-quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外(ExtremeUltra Violet，EUV)光的EUV曝光。
在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的光刻用光掩模及标线(reticle)(以下，加以总称而记述为“曝光原版”)附着有尘埃，则所述尘埃会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。
这些作业通常是于洁净室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净。因此，通常采用于在曝光原版表面贴附防护薄膜组件作为除尘器后进行曝光的方法。此情况下，异物不会直接附着于曝光原版的表面，而是附着于防护薄膜组件上，因此，若在光刻时使焦点在曝光原版的图案上对焦，则防护薄膜组件上的异物便与转印无关。
所述防护薄膜组件的基本结构为：在包含铝或钛等的防护薄膜框架的上端面张设相对于曝光中所使用的光而透过率高的防护膜，并且在下端面形成气密用衬垫(gasket)。气密用衬垫通常使用粘合剂层，并贴附有以保护所述粘合剂层为目的的保护片。防护膜包含使曝光中使用的光(基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等)良好地透过的硝基纤维素、乙酸纤维素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用途中，正在研究极薄硅膜或碳膜来作为防护膜。
防护薄膜组件的目的在于保护曝光原版以便异物不会附着于曝光原版，因此，对防护薄膜组件要求非常高的洁净度。因此，在防护薄膜组件制造步骤中，需要在出货前检查防护膜、防护薄膜框架、粘合剂及保护片是否没有附着异物。
通常，对防护薄膜框架的异物检查是在暗室中将聚光照射到框架，并以目视检测来自异物的散射光。或者，使用异物检查装置，对防护薄膜框架照射He-Ne激光或半导体激光，并利用半导体检测器(电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD))等检测来自异物的散射光。
在专利文献1中，提出有通过降低框架内表面处的对于检查光的反射率来提高检查性。然而，即便减低反射率，存在于框架表面的凹部或凸部有时也会产生散射光，从而存在如下问题：难以判断所侦测到的散射光是源自异物还是源自框架。
另外，由于EUV曝光是在高真空下进行，因此EUV用防护薄膜组件暴露在自大气压向真空、以及自真空向大气压的压力变化中。此时，通过设置于防护薄膜框架的通气部而产生空气的移动。在EUV用防护薄膜组件中，由于产生ArF用防护薄膜组件中不存在的防护薄膜组件内部的空气的移动，因此附着于防护薄膜框架表面的异物落下至曝光原版的风险高。因此，在EUV用防护薄膜组件中，需要比ArF用防护薄膜组件更严格的异物检查。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2001-249442号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于所述情况而成，目的在于提供一种可防止源自框架的散射光、确实且容易地检测到附着于框架表面的异物的防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法。
解决问题的技术手段
本发明人获得了如下见解：在具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架中，对所述防护薄膜框架进行表面处理，以便在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域，结果，可抑制防护薄膜框架表面的尖锐部，可对所述防护薄膜框架表面的微小的异物进行检查。通常，防护薄膜框架的表面粗糙度是由算术平均粗糙度Ra表示，但单纯地减低Ra，也存在检查性差的情况，本发明人通过着眼于峭度(Rku)来代替所述表面粗糙度的指标，结果，发现可确实且容易地检测到防护薄膜框架表面的异物，从而形成了本发明。
因此，本发明提供以下的防护薄膜框架、防护薄膜组件、带防护薄膜组件的曝光原版及曝光方法、以及半导体装置或液晶显示板的制造方法。
1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于：在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域。
2.根据所述1记载的防护薄膜框架，其中：粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域是防护薄膜框架的内侧面全部的区域或防护薄膜框架的表面全部的区域。
3.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：所述粗糙度曲线的峭度(Rku)为0.1以上。
4.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，平均粗糙度(Ra)为0.001～1.0的范围。
5.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，均方根高度(Rq)为0.001～1.0的范围。
6.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：对于检查光的反射率为20％以下。
7.根据所述6记载的防护薄膜框架，其中：检查光的波长为550nm。
8.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的材料是选自由钛、钛合金、铝及铝合金所组成的群组中。
9.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度小于2.5mm。
10.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度为1.0mm以上。
11.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的表面形成有氧化膜。
12.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的表面被黑色化。
13.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的表面施加有物理性研磨或化学性研磨。
14.根据所述1或2记载的防护薄膜框架，其为用于极紫外光用防护薄膜组件的防护薄膜框架。
15.一种防护薄膜组件，包括：根据所述1记载的防护薄膜框架、以及经由粘合剂或粘接剂而设置于所述防护薄膜框架的一端面的防护膜。
16.根据所述15记载的防护薄膜组件，其中：防护膜是设置于防护薄膜框架的上端面。
17.根据所述15或16记载的防护薄膜组件，其中：防护膜为硅膜或碳膜。
18.根据所述15或16记载的防护薄膜组件，其中：防护薄膜组件的高度为2.5mm以下。
19.根据所述15或16记载的防护薄膜组件，其在真空下或减压下的曝光中使用。
20.根据所述15或16记载的防护薄膜组件，其使用于极紫外光曝光。
21.一种带防护薄膜组件的曝光原版，其特征在于：在曝光原版装设有根据所述15记载的防护薄膜组件。
22.根据所述21记载的带防护薄膜组件的曝光原版，其中：曝光原版为极紫外光用曝光原版。
23.根据所述21记载的带防护薄膜组件的曝光原版，其为用于极紫外光光刻的带防护薄膜组件的曝光原版。
24.一种曝光方法，其特征在于：通过根据所述21记载的带防护薄膜组件的曝光原版进行曝光。
25.根据所述24记载的曝光方法，其中：曝光的光源为发出极紫外光的曝光光源。
26.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：使用根据所述21记载的带防护薄膜组件的曝光原版，在真空下或减压下对基板进行曝光的工序。
27.根据所述26记载的半导体装置的制造方法，其中：曝光的光源为发出极紫外光的曝光光源。
28.一种液晶显示板的制造方法，其特征在于包括：使用根据所述21记载的带防护薄膜组件的曝光原版，在真空下或减压下对基板进行曝光的工序。
29.根据所述28记载的液晶显示板的制造方法，其中：曝光的光源为发出极紫外光的曝光光源。
发明的效果
本发明的防护薄膜框架及防护薄膜组件可防止源自框架的散射光、确实且容易地检测到附着于框架表面的异物，可提供检查性良好的防护薄膜框架及防护薄膜组件。另外，通过使用所述防护薄膜组件，在包括使用带防护薄膜组件的曝光原版对基板进行曝光的工序的半导体装置或液晶显示板的制造方法中非常有用。
附图说明
图1是表示本发明的防护薄膜框架的一例的立体图。
图2是表示将本发明的防护薄膜组件装设于光掩模的形态的概略图。
具体实施方式
以下，对本发明，更详细地进行说明。
本发明的防护薄膜框架为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架。
防护薄膜框架若为框状，则其形状与装设防护薄膜组件的光掩模的形状对应。通常为四边形(长方形或正方形)框状。除了四边形框状以外，还可变更为三角形框状、五边形框状、六边形框状、八边形框状等的多边形框状或圆形框状、椭圆形框状等的光掩模的形状。关于防护薄膜框架的角部(边缘部)的形状，可保持原样而为有角(尖锐)的形状，或者也可实施R倒角或C倒角等倒角而为曲线形状等其他形状。
另外，在防护薄膜框架，存在用于设置防护膜的面(此处设为上端面)、以及装设光掩模时面向光掩模的面(此处设为下端面)。
通常，在防护薄膜框架的上端面，经由粘接剂等而设置防护膜，且在下端面设置用于将防护薄膜组件装设到光掩模的粘合剂等，但并不限于此。
防护薄膜框架的材质并无限制，可使用现有的材质。在EUV用途的防护薄膜框架中，由于有暴露于高温下的可能性，因此优选为热膨胀系数小的材料。例如，可列举Si、SiO2、SiN、石英、因瓦合金(invar)、钛、钛合金、铝、铝合金等。其中，就加工容易性或轻量的方面而言，优选为选自由钛、钛合金、铝及铝合金所组成的群组中。另外，就低热膨胀系数的观点而言，优选为选自钛或钛合金中。
防护薄膜框架的尺寸并无特别限定，在EUV用防护薄膜组件的高度被限制为2.5mm以下的情况下，EUV用途的防护薄膜框架的厚度优选为比其小而小于2.5mm。尤其是，若考量到防护膜或掩模粘合剂等的厚度，则EUV用途的防护薄膜框架的厚度优选为1.5mm以下。另外，所述防护薄膜框架的厚度的下限值优选为1.0mm以上。
在本发明的防护薄膜框架中，例如，实施所述防护薄膜框架的表面处理，以便在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域。关于所述表面处理的方法，并无特别限制，可使用物理性研磨(基于手工作业的金属磨光、抛光研磨、机械化学研磨、喷磨(blast)处理等)或化学性研磨(化学研磨或电解研磨等)，也可将这些研磨方法加以组合。在这些研磨方法中，通过适宜地使研磨材料种类、研磨材料粒径、研磨时间等研磨条件发生变化，可调整Rku的值。另外，在本发明中，粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域只要存在于防护薄膜框架的内侧面的一部分即可。就制造效率的观点而言，可对防护薄膜框架进行表面处理，以便优选为在内侧面的全部、更优选为在框架表面全部(即、框架的上端面、下端面、内侧面及外侧面的全部表面)中将Rku值设为3.0以下。此情况下，防护薄膜框架中也可局部不进行表面处理。
另外，在本发明中，关于所述峭度(Rku)，为3.0以下，优选为2.9以下，更优选为2.8以下，特别优选为2.7以下。下限值并无特别限制，优选为0.1以上，更优选为0.5以上。
峭度(Rku)的测定方法是由日本工业标准(Japanese Industrial Standards，JIS)B 0601：2013规定。峭度(Rku)是指表面锐度的尺度即峰度，表示高度分布的峰态(锐度)。若峭度(Rku)的值为3.0，则表示正态分布，若大于3.0，则是指成为高度分布尖锐的形状，若小于3.0，则是指成为表面凹凸的高度分布圆钝的形状。
峭度(Rku)是根据以下式子来算出。即，峭度(Rku)为通过粗糙度曲线的Rq(均方根粗糙度)的4次方来进行无量纲化而成的基准长度中的Z(x)的4次方的平均值，且强烈受到表面凹凸的突出的峰或谷的影响。
[数式1]
Figure BDA0003771504350000071
(Rq：均方根粗糙度，l：基准长度)
作为所述峭度(Rku)的测定方法，例如可使用市售的三维(three dimensions，3D)测定激光显微镜，并通过由所述测定机获得的测定剖面曲线来测定峭度(Rku)。作为此种测定机，例如可列举制品名“LEST OLS4000”(奥林巴斯(Olympus)公司制造)或制品名“VK-X1000”(基恩士(keyence)公司制造)。
另外，作为所述峭度(Rku)以外的表面粗糙度的指标，可列举平均粗糙度(Ra)及均方根高度(Rq)。在本发明中，并无特别限制，在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，Ra优选为0.001～1.0的范围，另外，Rq优选为0.001～1.0的范围。关于这些Ra及Rq的值，也可根据JIS B 0601：2013的规定进行测定，可利用制品名“LEST OLS4000”(奥林巴斯(Olympus)公司制造)或制品名“VK-X1000”(基恩士(keyence)公司制造)等测定机进行测定。
另外，为了进一步提高检查性，也可对框架进行着色，减低对于检查光的反射率。此情况下，对于检查光的反射率优选为20％以下。着色方法并无限制，由于不需要添加其他物质，因此优选为通过阳极氧化等在表面形成氧化膜，并通过干涉色使其显色。
另外，通常，在防护薄膜框架的侧面，设置有在进行处理(handling)或将防护薄膜组件自光掩模剥离时所使用的夹具孔。夹具孔的大小是指防护薄膜框架的厚度方向上的长度(在为圆形时为直径)，优选为0.5mm～1.0mm。孔的形状并无限制，可为圆形或矩形。
另外，在防护薄膜框架，也可设置通气部，为了防止异物侵入到通气部，可设置过滤器。再者，在防护薄膜框架的表面(即，框架的上端面、下端面、内侧面及外侧面的任意部位)，也可设置无机膜或有机膜。
本发明的防护薄膜组件经由粘合剂或粘接剂而在防护薄膜框架的上端面设置防护膜。粘合剂或粘接剂的材料并无限制，可使用现有的材料。为了强力地保持防护膜，优选为粘接力强的粘合剂或粘接剂。
关于所述防护膜的材质，并无特别限制，优选为曝光光源的波长下的透过率高且耐光性高的材质。例如，针对EUV曝光而使用极薄硅膜或碳膜等。作为这些碳膜，例如可列举：石墨烯、类钻碳、碳纳米管等膜。所述防护膜并不仅限定于薄膜，也可采用包括对防护膜进行支撑的支撑框的膜。例如，可采用如下方法：在硅晶片上形成防护膜，仅对用作防护膜的部位进行背面蚀刻而去除硅晶片，由此制作防护膜。此情况下，防护膜可在由硅框支撑的状态下获得。
进而，在防护薄膜框架的下端面，形成用于装设于光掩模的掩模粘合剂。通常，掩模粘合剂优选为遍及防护薄膜框架的整周来设置。
作为所述掩模粘合剂，可使用现有的粘合剂，可适宜地使用丙烯酸系粘合剂或硅酮系粘合剂。粘合剂也可视需要被加工成任意形状。
在所述掩模粘合剂的下端面，也可贴附用于保护粘合剂的脱模层(隔离膜(separator))。脱模层的材质并无特别限制，例如可使用：聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ethercopolymer，PFA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)、聚丙烯(polypropylene，PP)等。另外，视需要，也可在脱模层的表面涂布硅酮系脱模剂或氟系脱模剂等脱模剂。再者，关于防护薄膜组件向光掩模的装设，除了可利用掩模粘合剂以外，也可利用物理性固定手段进行固定。作为所述固定手段，可列举螺钉、螺栓、螺母、铆钉、键、销等。也可将掩模粘合剂与物理性固定手段加以并用。
此处，图1中示出本发明的防护薄膜框架1的一例，符号11表示防护薄膜框架的内侧面，符号12表示防护薄膜框架的外侧面，符号13表示防护薄膜框架的上端面，符号14表示防护薄膜框架的下端面。再者，通常，在防护薄膜框架的长边侧设置用于将防护薄膜组件自光掩模剥离的夹具孔，但在图1中并未特别地进行图示。
图2是表示防护薄膜组件10的图，利用粘接剂4而在防护薄膜框架1的上端面粘接、张设防护膜2。另外，在防护薄膜框架1的下端面，利用粘合剂5以能够剥离的方式粘接于光掩模3，保护光掩模3上的图案面。
本发明的防护薄膜组件不仅可作为用于在EUV曝光装置内抑制异物附着于曝光原版的保护构件，而且还可作为在曝光原版的保管时或在曝光原版的搬运时用于保护曝光原版的保护构件。将防护薄膜组件装设于光掩模等曝光原版并制造带防护薄膜组件的曝光原版的方法除了存在利用所述掩模粘合剂进行贴附的方法以外，还存在静电吸附法、进行机械性固定的方法等。
本实施方式的半导体装置或液晶显示板的制造方法包括利用所述带防护薄膜组件的曝光原版对基板(半导体晶片或液晶用原板)进行曝光的步骤。例如，在作为半导体装置或液晶显示板的制造步骤之一的光刻步骤中，为了在基板上形成与集成电路等对应的光致抗蚀剂图案，而在步进器设置所述带防护薄膜组件的曝光原版进行曝光。通常，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射并被引导至基板的投影光学系统，这些是在减压或真空下进行。由此，假设即便在光刻步骤中异物附着于防护薄膜组件上，这些异物也不会在涂布有光致抗蚀剂的晶片上成像，因此可防止由异物的像引起的集成电路等的短路或断线等。因此，通过使用带防护薄膜组件的曝光原版，可提高光刻步骤中的良率。
实施例
以下，示出实施例及比较例，具体说明本发明，但本发明不受下述实施例的限制。
[实施例1]
制作钛制防护薄膜框架(外形尺寸150mm×118mm×1.5mm，框架宽度4.0mm)。对于钛制框架表面(框架的上端面、下端面、内侧面及外侧面的全部表面)，利用砂纸(sandpaper)(粒度1,000)去除表面的加工伤痕后，通过手工作业利用金属磨光粉(日本研磨工业(股)制造的皮卡鲁(PIKAL)液)进行研磨。通过利用纯水与中性洗剂的超声波清洗对所述防护薄膜框架进行清洗，在所述框架的上端面，以成为宽度1mm、厚度0.1mm的方式涂布对硅酮粘合剂(信越化学工业(股)制造的X-40-3264)100质量份加入1质量份的硬化剂(信越化学工业(股)制造的PT-56)并进行搅拌而成的材料作为防护膜粘接剂。另外，在框架的下端面，遍及整周，以成为宽度1mm、厚度0.1mm的方式涂布对丙烯酸粘合剂(综研化学(股)制造的SK戴恩(SK-Dyne)1495)100质量份加入0.1质量份的硬化剂(综研化学(股)制造的L-45)并进行搅拌而成的材料来作为掩模粘合剂。其后，将防护薄膜框架在90℃下加热12小时，使上下端面的防护膜粘接剂及掩模粘合剂硬化。继而，使作为防护膜的极薄硅膜压接于形成于框架的上端面的防护膜粘接剂，从而完成防护薄膜组件。
[实施例2]
制作钛制框架后，进行利用喷砂装置进行的喷磨处理来代替利用砂纸进行的表面的加工伤痕的去除，并进行化学研磨处理来代替利用金属磨光粉进行的研磨，除此以外，与实施例1同样地完成防护薄膜组件。此处所使用的喷砂条件及化学研磨处理条件为以下条件。
＜喷砂条件＞
·研磨剂：(股)不二制作所制造的玻璃珠粒(中心粒径≦30μm)
·喷出压力：7kgf/cm2
·时间：30秒
＜化学研磨处理条件＞
·药液：佐佐木化学药品(股)制造的“艾斯库林(S-CLEAN)S-22”
·温度：30℃
·处理时间：10秒
[实施例3]
紧接着化学研磨处理，通过阳极氧化而着色为紫色，除此以外，与实施例2同样地完成防护薄膜组件。
[实施例4]
代替钛制防护薄膜框架而制作铝合金制的防护薄膜框架，进行与实施例2为相同条件的喷磨处理来代替利用砂纸进行的表面的加工伤痕的去除，并进行阳极氧化、黑色染色及封孔处理而在表面形成黑色的氧化被膜来代替利用金属磨光粉进行的研磨，除此以外，与实施例1同样地完成防护薄膜组件。
[比较例1]
进行与实施例2为相同条件的喷磨处理来代替利用砂纸进行的表面的加工伤痕的去除，并通过阳极氧化而着色为紫色来代替利用金属磨光粉进行的研磨，除此以外，与实施例1同样地完成防护薄膜组件。
[比较例2]
进行与实施例2为相同条件的化学研磨处理来代替利用金属磨光粉进行的研磨，除此以外，与实施例1同样地完成防护薄膜组件。
对于实施例1～4以及比较例1及比较例2中所获得的防护薄膜组件，实施目视检查及表面粗糙度测定。另外，使用利用与实施例1～4以及比较例1及比较例2相同的框架的材质、并对所述材质实施表面处理而成的样件(sample piece)，实施各样品的反射率测定。
[反射率测定]
准备3cm×3cm、厚度5mm的样件，实施与实施例1～4以及比较例1及比较例2相同的表面处理，准备样品。使用“分光光度计V-780”(日本分光(股)制造，型号名)测定550nm的反射率。
[表面粗糙度测定]
使用3D测定激光显微镜“LEXT OLS4000”(奥林巴斯(Olympus)(股)制造，型号名)在以下的条件下测定各例的防护薄膜组件的框架各边内侧面的中央部4点(图1的符号P、P、P、P)处的、算术平均粗糙度Ra、均方根高度Rq及峭度(Rku)。
＜LEXT OLS4000测定条件＞
·评价长度：4mm
·截止值：λc 800μm、λs 2.5μm、无λf
·滤波器：高斯滤波器(Gaussian filter)
·分析参数：粗糙度参数
·接物镜：×50
[目视检查]
使20μm的标准粒子附着于所获得的防护薄膜组件的内壁面的一部分，在暗室中一边照射聚光灯，一边根据下述基准评价异物的检查性的好坏。
＜判定基准＞
○：在并未附着粒子的部分未确认到散射光，确认到仅附着粒子的部分的散射光。
×：在并未附着粒子的部分也确认到散射光。
[表1]
Figure BDA0003771504350000121
根据所述表1的结果，考察下述方面。
比较例1及比较例2的防护薄膜框架中，虽然为低反射率或算术平均粗糙度Ra小，但峭度(Rku)超过3，结果，得知基于目视的异物检查性差。
另一方面，关于框架表面的峭度(Rku)为3以下的实施例1～4的防护薄膜框架，得知与反射率或粗糙度曲线的其他高度参数即Ra或Rq的值的大小无关，基于目视的异物检查性良好。
符号的说明
1：防护薄膜框架
2：防护膜
3：光掩模
4：防护膜粘接剂
5：掩模粘合剂
10：防护薄膜组件
P：内侧面的中央部

Claims (29)

1.一种防护薄膜框架，其为具有设置防护膜的上端面以及面向光掩模的下端面的框状的防护薄膜框架，其特征在于：在所述防护薄膜框架的内侧面具有粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域。
2.根据权利要求1所述的防护薄膜框架，其中：粗糙度曲线的峭度(Rku)为3.0以下的区域是防护薄膜框架的内侧面全部的区域或防护薄膜框架的表面全部的区域。
3.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：所述粗糙度曲线的峭度(Rku)为0.1以上。
4.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，平均粗糙度(Ra)为0.001～1.0的范围。
5.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的至少内侧面的一部分，均方根高度(Rq)为0.001～1.0的范围。
6.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：对于检查光的反射率为20％以下。
7.根据权利要求6所述的防护薄膜框架，其中：检查光的波长为550nm。
8.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的材料是选自由钛、钛合金、铝及铝合金所组成的群组中。
9.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度小于2.5mm。
10.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的厚度为1.0mm以上。
11.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：在防护薄膜框架的表面形成有氧化膜。
12.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的表面被黑色化。
13.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中：防护薄膜框架的表面施加有物理性研磨或化学性研磨。
14.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其为用于极紫外光用防护薄膜组件的防护薄膜框架。
15.一种防护薄膜组件，包括：如权利要求1所述的防护薄膜框架、以及经由粘合剂或粘接剂而设置于所述防护薄膜框架的一端面的防护膜。
16.根据权利要求15所述的防护薄膜组件，其中：防护膜是设置于防护薄膜框架的上端面。
17.根据权利要求15或16所述的防护薄膜组件，其中：防护膜为硅膜或碳膜。
18.根据权利要求15或16所述的防护薄膜组件，其中：防护薄膜组件的高度为2.5mm以下。
19.根据权利要求15或16所述的防护薄膜组件，其在真空下或减压下的曝光中使用。
20.根据权利要求15或16所述的防护薄膜组件，其使用于极紫外光曝光。
21.一种带防护薄膜组件的曝光原版，其特征在于：在曝光原版装设有如权利要求15所述的防护薄膜组件。
22.根据权利要求21所述的带防护薄膜组件的曝光原版，其中：曝光原版为极紫外光用曝光原版。
23.根据权利要求21所述的带防护薄膜组件的曝光原版，其为用于极紫外光光刻的带防护薄膜组件的曝光原版。
24.一种曝光方法，其特征在于：通过如权利要求21所述的带防护薄膜组件的曝光原版进行曝光。
25.根据权利要求24所述的曝光方法，其中：曝光的光源为发出极紫外光的曝光光源。
26.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：使用如权利要求21所述的带防护薄膜组件的曝光原版，在真空下或减压下对基板进行曝光的工序。
27.根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，其中：曝光的光源为发出极紫外光的曝光光源。
28.一种液晶显示板的制造方法，其特征在于包括：使用如权利要求21所述的带防护薄膜组件的曝光原版，在真空下或减压下对基板进行曝光的工序。
29.根据权利要求28所述的液晶显示板的制造方法，其中：曝光的光源为发出极紫外光的曝光光源。
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