TWI409581B - 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件 - Google Patents

防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件 Download PDF

Info

Publication number
TWI409581B
TWI409581B TW099133551A TW99133551A TWI409581B TW I409581 B TWI409581 B TW I409581B TW 099133551 A TW099133551 A TW 099133551A TW 99133551 A TW99133551 A TW 99133551A TW I409581 B TWI409581 B TW I409581B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pellicle
frame
flatness
pellicle frame
reticle
Prior art date
Application number
TW099133551A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201113636A (en
Inventor
Junichi Tsukada
Toru Shirasaki
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2009230356A external-priority patent/JP4889778B2/ja
Priority claimed from JP2009250275A external-priority patent/JP4974389B2/ja
Application filed by Shinetsu Chemical Co filed Critical Shinetsu Chemical Co
Publication of TW201113636A publication Critical patent/TW201113636A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI409581B publication Critical patent/TWI409581B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
本發明係關於一種微影用防塵薄膜組件及防塵薄膜組件框架，其為於製造LSI(大型積體電路)、超LSI(超大型積體電路)等半導體裝置或液晶顯示板時被使用作為微影用光罩的防塵構件。本發明尤有關於一種使用於該防塵薄膜組件的防塵薄膜組件框架之製造方法。
於製造LSI、超LSI等半導體裝置或液晶顯示板時，係用光照射在半導體基板或液晶用原板以製作圖案，此時所採用的曝光原版上若附著塵粒，由於此塵粒會吸收光或使光偏轉，而造成轉印的圖案會變形或邊緣粗糙化、基部髒污、或尺寸、品質、外觀等毀損等問題。又，於本發明中所稱「曝光原版」係指微影用光罩(或僅稱「光罩」)及倍縮光罩的總稱。以下，以光罩為例說明之。
此等作業通常是在無塵室進行，但即使在無塵室中亦難使曝光原版經常保持潔淨，故採用在曝光原版的表面貼附目的在防塵而能令曝光用的光順利通過的防塵薄膜組件之方法。
防塵薄膜組件的基本構成係包含防塵薄膜組件框架及張設於此框架的防塵薄膜。防塵薄膜係由能讓曝光用的光(g線、i線、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射等)順利透射的硝化纖維素、醋酸纖維素、含氟聚合物等所構成。在防塵薄膜組件框架的上邊部塗佈防塵薄膜的良好溶媒，再將防塵薄膜風乾後黏接，或以丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂或氟樹脂等黏接劑黏接。進一步，為了將曝光原版裝著於防塵薄膜組件框架的下邊部，而設置由聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯樹脂、丙烯酸酯樹脂、矽酮樹脂所構成之黏附層，及目的在保護黏附層的倍縮光罩黏附劑保護用襯層。
防塵薄膜組件係設置成包圍在形成於曝光原版表面的圖案區域。由於防塵薄膜組件係為了防止曝光原版上附著塵粒而設置，故此圖案區域與防塵薄膜組件外部被隔離以使防塵薄膜組件外部的塵埃不附著於圖案表面。
近年來，LSI的設計規則正朝向0.25微米以下漸趨細微化，伴隨此一趨勢，曝光光源亦趨向短波長化，亦即正從過去為主流之水銀燈所產生的g線(436nm)、i線(365nm)朝向KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等變遷。隨著細微化之趨勢，對於光罩及矽晶圓所要求的平坦性亦漸趨嚴格。
防塵薄膜組件係在製成光罩後，為了圖案之防塵而貼附於光罩上。防塵薄膜組件貼附於光罩上，有時會造成光罩的平坦度改變。光罩的平坦度一旦變差，即如前述可能發生焦點偏離等問題。且平坦度一旦變差，在光罩上所描繪的圖案之形狀會產生變化，而造成光罩疊層對準精確性發生問題的弊病。
因貼付防塵薄膜組件所造成之光罩平坦度的變化之主因有數個，吾人發現其中最重要者為防塵薄膜組件框架的平坦度。
近年來，對於光罩所要求的平坦性，亦由在圖案面的平坦度2μm之要求更趨嚴格，而出現了65nm節點以後為0.5μm以下，較好為0.25μm的要求。
通常，防塵薄膜組件框架之平坦度為20～80μm左右，若將採用平坦度如此低劣的框架之防塵薄膜組件貼付於光罩上，則框架的形狀會轉印到光罩上，光罩會發生變形。防塵薄膜組件於貼付時會以約200～400N(20～40kg重)的巨大作用力推壓於光罩。光罩表面的平坦度較防塵薄膜組件框架為平坦。因此，對於光罩之推壓一旦結束，防塵薄膜組件框架有回復原有形狀的傾向，而使光罩產生變形。
於光罩產生變形時，有時光罩的平坦度會變差，於此情形下，在曝光裝置內會發生失焦(defocus)的問題。另一方面，亦有時會發生光罩變形而平坦度變好的情形，但於此情形下，形成於光罩表面的圖案亦生扭曲，其結果會發生於曝光時轉印至晶圓的圖案影像扭曲的問題。此圖案之扭曲在平坦度變差的情形亦發生，其結果是：在因貼付防塵薄膜組件而造成光罩變形的場合，必然發生圖案影像扭曲的問題。
為了解決此一問題，在過去一直有人在進行對於平坦度良好的防塵薄膜組件框架之開發。但是，防塵薄膜組件框架容易因為製造步驟或光罩貼付步驟所產生之力或熱而發生變形，特別是因溫度變化所造成的影響巨大。因此，對於防塵薄膜組件框架而言，針對熱變形之對策殊為必要。
本發明所欲解決的課題為：鑑於前述情形，而抑制因熱變形所造成的防塵薄膜組件框架之變形，而(1)提供一種防塵薄膜組件框架之製造方法，即使將防塵薄膜組件貼附於曝光原版，亦可將起因於防塵薄膜組件框架之變形所造成的曝光原版之變形盡量減小。(2)提供一種微影用防塵薄膜組件，具有如述之防塵薄膜組件框架。
本案之發明人發現：在形成框架形狀後，藉由對設置於平坦面上的防塵薄膜組件框架，在施加負載的狀態下施以加熱處理的方式，能以高效率且低成本獲得目的之防塵薄膜組件框架。
亦即，本發明的上述課題，可藉由下述方式達成。連同較佳實施形態(2)～(6)一併記載於下。
(1)一種防塵薄膜組件之製造方法，其特徵為包含：對設置於平坦面上的防塵薄膜組件框架進行加熱處理的步驟。
(2)如第(1)項之防塵薄膜組件之製造方法，其中，該平坦面的平坦度為5μm以下。
(3)如第(1)項之防塵薄膜組件之製造方法，其中，該加熱處理的溫度為140～250℃。
(4)如第(1)項之防塵薄膜組件之製造方法，其中，該負載為約4.90～約196N(0.5～20kg重)。
(5)如第(1)至(4)項中任一項之防塵薄膜組件之製造方法，其中，該防塵薄膜組件係採用楊氏係數為1～80GPa的材料所構成的防塵薄膜組件框架。
(6)　如第(1)至(5)項中任一項之防塵薄膜組件之製造方法，其中，該防塵薄膜組件係採用以鋁合金構成的防塵薄膜組件框架。
(7)　如第(1)至(6)項中任一項之防塵薄膜組件之製造方法所製造的微影用防塵薄膜組件，其中，在該防塵薄膜組件之防塵薄膜組件框架的一端面利用防塵薄膜黏接劑張設有防塵薄膜，而在另一端面設有曝光原版黏接劑。
本發明的上述課題更可藉由以下方式達成。
(8)　一種微影用防塵薄膜組件框架，其特徵為：在既定溫度先施行加熱處理，俾實質上避免發生因微影步驟時的溫度變化所造成之框架變形。
(9)　如第(8)項之微影用防塵薄膜組件框架，其中，該因溫度變化所造成之框架變形為平坦度3μm以下。
(10)　如第(8)項之微影用防塵薄膜組件框架，其中，該加熱處理溫度為140～250℃。
(11)　如第(8)至(10)項中任一項之微影用防塵薄膜組件框架，其係以楊氏係數為1～80GPa的材料所構成者。
(12)　如第(8)至(11)項中任一項之微影用防塵薄膜組件框架，其係以鋁合金所構成者。
(13)　一種微影用微影用防塵薄膜組件，其係在第(8)至(12)項中任一項之微影用防塵薄膜組件框架的一端面利用防塵薄膜黏接劑張設防塵薄膜，而在另一端面設置曝光原版用黏接劑層。
依本發明，可將熱致變形降低至平坦度3μm以下，而有效率地獲得平坦度為15μm以下的防塵薄膜組件框架，並能提供可將因防塵薄膜組件框架的變形所造成之曝光原版的變形極度降低之微影用防塵薄膜組件。
以下，参照附圖，對本發明詳細加以說明。
如圖1所示，本發明的微影用防塵薄膜組件，係於防塵薄膜組件框架3的上端面利用防塵薄膜貼付用黏接層2張設防塵薄膜1，用來將微影用防塵薄膜組件6黏附在曝光原版(光罩或倍縮光罩)5的黏接用黏附層4，通常是形成於防塵薄膜組件框架3的下端面，在該黏接用黏附層的下端面以可剝離方式貼附(未圖示之)襯片。另外，亦可在防塵薄膜組件框架設置未圖示之氣壓調整用孔(通氣孔)，更可基於去除微粒之目的而在此通氣孔設置(未圖示之)除塵用過濾器。
於防塵薄膜組件框架亦可設置夾具孔，夾具孔的深度方向之形狀並未限定，只要是未貫穿，亦可為在圓柱狀的前端設有傾斜角的凹部。
設置前述氣壓調整用孔的位置之剖面形狀，較佳的情況是貼付気圧調整用過濾器的外側面為平面。
本發明的防塵薄膜組件雖可依光罩之形狀加以適當設計，但防塵薄膜組件框架的平面形狀通常為環狀或正方形，具有覆蓋著設於光罩的電路圖案部之大小與形狀。矩形(含正方形)的防塵薄膜組件框架的角隅亦可帶有圓角。防塵薄膜組件框架的高度宜為約1～10mm，更好為約2～7mm。防塵薄膜組件框架的上邊及下邊宜為1～5mm，更好為約2mm。
構成防塵薄膜組件框架的材質宜為楊氏係數1～80GPa的材料。恰當之例示為鋁、鎂合金、合成樹脂等，較好為採用鋁。
鋁可使用過去採用的鋁合金材料，較好為使用JIS A7075、JIS A6061、JIS A5052材料等，但只要是具有上述之剖面形狀，並能確保作為防塵薄膜組件框架的強度，並無特別限制。防塵薄膜組件框架表面，在設包覆膜之前較好施以噴砂或化學研磨使其粗面化。於本發明中，關於此一框架表面的粗面化之方法可採用習知之方法。較理想的情況是採用下述方法：利用不銹鋼、碳化矽、玻璃珠等對於鋁合金材料施以表面噴擊處理，進而利用NaoH等施以化學研磨，使表面粗面化。
本發明之防塵薄膜組件框架宜採用楊氏係數為1以上、50GPa以下的材料來構成，以取代過去慣用的鋁合金材料即JIS A7075、JIS A6061、JIS A5052等楊氏係數在69GPa附近的材料。關於楊氏係數在上述範圍內的材料，可舉例者為鎂合金的44GPa、丙烯酸酯樹脂的3GPa、聚碳酸酯樹脂的2.5GPa。
於本發明中，在防塵薄膜組件框架的曝光原版黏接面及/或防塵薄膜黏接面處，曝光原版黏接面及/或防塵薄膜黏接面與防塵薄膜組件框架內外側面所構成的角部，宜施以斜面截角。
平均之防塵薄膜組件框架的平坦度為約20～80μm左右。於本發明中，宜採用防塵薄膜組件框架的平坦度為80μm以下者。
防塵薄膜組件框架的平坦度佳，則在將防塵薄膜組件貼付於光罩時，可減小防塵薄膜組件框架的變形量，其結果可降低防塵薄膜組件框架的變形應力，而將光罩的變形抑制成較小。
又，所謂上述防塵薄膜組件框架的「平坦度」，係為對防塵薄膜組件框架的各角隅4點與四邊的中央4點共計8點處測定其高度，計算出假想平面，由該假想平面到各點的距離中之最高點減去最低點的差所計算得到之值。
防塵薄膜組件框架的平坦度可利用「具有XY軸規畫平台的雷射位移計」加以測定，於本發明中係使用自製之位移計。
於本發明中，為了吸收漫射光，防塵薄膜組件框架較好具有黒色氧化包覆膜及/或黒色聚合物包覆膜。又，在防塵薄膜組件框架為鋁合金製的情形時，特別理想的情況是：該鋁合金製防塵薄膜組件框架具有黒色防蝕鋁包覆膜及/或聚合物的電沈積包覆膜。
關於防塵薄膜組件框架表面的黒色防蝕鋁包覆膜之形成方法，一般係採：在NaoH等鹼性處理浴經數十秒處理後，於稀硫酸水溶液中進行陽極氧化，接著藉由施行黒色染色、密封處理方式，而可在表面設置黒色之氧化包覆膜。
又，聚合物包覆膜雖能以各種方法設置，一般可列舉出者為噴塗包覆、静電包覆、電沈積包覆等，但較佳為藉由電沈積包覆方式設置聚合物包覆膜。
關於電沈積包覆，不論熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂均可使用。又，對於各種硬化型樹脂，不論陰離子電沈積包覆或陽離子電沈積包覆方式均可採用。於本發明中，因為耐紫外線性能也受到要求，故基於包覆之安定性、外觀及強度之考量較宜採用熱硬化型樹脂的陰離子電沈積包覆方式。
本發明之微影用防塵薄膜組件，可依下述方式製造：在上述防塵薄膜組件框架的任一者，於其上邊的一端面藉由防塵薄膜黏接劑張設防塵薄膜，而於其下邊的另一端面設置曝光原版黏接劑。
關於防塵薄膜的種類並無特別限制，例如可採用過去應用於準分子雷射的非晶質氟聚合物等。關於非晶質氟聚合物的例子，可列舉者有CYTOP(旭硝子公司製之商品名)、TEFLON鐵氟龍(註冊之商標)AF(杜邦公司製之商品名)等。此等聚合物在製作該防塵薄膜時亦可依須要溶解於溶媒中使用，例如可適當地溶解於氟系溶媒等之中。
其次，依據圖3說明本發明的防塵薄膜組件框架之製造方法。
如圖3所示，在由石英板構成之底板7上載置防塵薄膜組件框架3使防塵薄膜組件框架3的光罩貼付黏接層側接觸於底板7，防塵薄膜組件框架3的防塵薄膜貼付用黏接層側則隔著例由如石英板構成之推壓板8受到負載9之作用力。而施加本發明特徴之加熱處理。
底板7的平坦面之平坦度雖然越平坦越理想，但在實用上宜為5μm以下。
加熱處理係將防塵薄膜組件框架加熱到既定溫度，例如可將通電加熱体捲繞於防塵薄膜組件框架上或以紅外線照射之，或者亦可將整個系統置於期望之溫度的環境中。
加熱處理的溫度宜為140～250℃。
防塵薄膜組件框架的加熱處理溫度若未達140℃則處理須要長時間；又若超過250℃則框架表面有時會產生龜裂或変色。
推壓板只要是能將推壓力均勻地傳達至防塵薄膜組件框架者即可，沿用過去一直採用者亦無妨。可用來例示者為質量0.3kg的石英板(厚度6mm)。
施加於防塵薄膜組件框架的負載亦可超過約196N(20kg重)，但對於平坦性的改善效果並不太大。又，若未加負載，單憑推壓板雖亦可獲得某一程度的效果，但處理須要較長時間，故於實用上負載宜為約4.90～約196N(0.5～20kg重)。作為負載者，可利用鉛板、砝碼、重塊等適當之物。
[實施例]
以下，依實施例具体說明本發明，但本發明並非僅限定於下列實施例。
製作一防塵薄膜組件框架，其為鋁合金製者，平坦度為約15μm，外部尺寸為149mm×122mm×3.5mm，寬度為2mm。另外，在防塵薄膜組件框架的4個角隅施以斜面截角。
(實施例1)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量2kg的重塊施加負載(圖2)。於此狀態下，在185℃的烤箱中將其静置2小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(實施例2)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量2kg的重塊施加負載。於此状態下，在140℃的烤箱中將其静置2小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(實施例3)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量2kg的重塊施加負載。於此狀態下，在250℃的烤箱中將其静置2小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(實施例4)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量2kg的重塊施加負載。於此状態下，在185℃的烤箱中將其静置20分鐘。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(實施例5)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量2kg的重塊施加負載。於此状態下，在185℃的烤箱中將其静置15小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(實施例6)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量0.5kg的重塊施加負載。於此状態下，在185℃的烤箱中將其静置15小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(實施例7)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量20kg的重塊施加負載。於此状態下，在185℃的烤箱中將其静置2小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(比較例1)
於平坦度3μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量2kg的重塊施加負載，在室溫中將其静置2小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
(比較例2)
於平坦度15μm的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，利用質量2kg的重塊施加負載，在185℃的烤箱中將其静置2小時。測定此一框架的光罩黏附劑塗布面的平坦度。
將以上的測定結果加以整理，得到以下表1所顯示的內容。
【表1】
實施例‧比較例的處理條件與測定結果
(實施例8)
在平坦度為5μm以下的石英板7上載置前述防塵薄膜組件框架3，以該框架3的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板7，更由防塵薄膜組件框架3的上方疊置石英板8以作為推壓板(圖2)。於此状態下，在250℃的烤箱中將其静置2小時，測定其平坦度。然後，在將此防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於250℃的烤箱中將其静置20分鐘，再度測定其平坦度。
(實施例9)
在平坦度為5μm以下的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，更由防塵薄膜組件框架的上方疊置石英板以作為推壓板。於此状態下，在185℃的烤箱中將其静置2小時，測定其平坦度。然後，在將此防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於250℃的烤箱中將其静置20分鐘，再度測定其平坦度。
(實施例10)
在平坦度為5μm以下的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，更由防塵薄膜組件框架的上方疊置石英板以作為推壓板。於此状態下，在185℃的烤箱中將其静置2小時，測定其平坦度。然後，在將此防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於185℃的烤箱中將其静置20分鐘，再度測定其平坦度。
(實施例11)
在平坦度為5μm以下的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，更由防塵薄膜組件框架的上方疊置石英板以作為推壓板。於此壮態下，在140℃的烤箱中將其静置2小時，測定其平坦度。然後，在將此防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於185℃的烤箱中將其静置20分鐘，再度測定其平坦度。
(實施例12)
在平坦度為5μm以下的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的塗布有光罩黏附劑的一側接觸石英板，更由防塵薄膜組件框架的上方疊置石英板以作為推壓板。於此状態下，在140℃的烤箱中將其静置2小時，測定其平坦度。然後，在將此防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於140℃的烤箱中將其静置20分鐘，再度測定其平坦度。
(比較例3)
在將前述防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於250℃的烤箱中將其静置20分鐘，測定其平坦度。
(比較例4)
在將前述防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於185℃的烤箱中將其静置20分鐘，測定其平坦度。
(比較例5)
在將前述防塵薄膜組件框架懸掛於玻璃治具的狀態下，於140℃的烤箱中將其静置20分鐘，測定其平坦度。
將以上的測定結果加以整理，得到以下表2所顯示的內容。
1‧‧‧防塵薄膜
2‧‧‧貼附防塵薄膜用黏接層
3‧‧‧防塵薄膜組件框架
4‧‧‧黏接用黏附層
5‧‧‧曝光原版
6‧‧‧微影用防塵薄膜組件
7‧‧‧底板(石英板)
8‧‧‧推壓板(石英板)
9‧‧‧負載
【圖1】顯示防塵薄膜組件的構成例之概念剖面圖之一例。
【圖2】顯示防塵薄膜組件框架加熱處理時的剖面圖之一例的圖示。
【圖3】顯示防塵薄膜組件框架加熱處理時的剖面圖之另一例的圖示。
1．．．防塵薄膜
2．．．貼附防塵薄膜用黏接層
3．．．防塵薄膜組件框架
4．．．黏接用黏附層
5．．．曝光原版
6．．．微影用防塵薄膜組件

Claims (6)

  1. 一種防塵薄膜組件的製造方法，該防塵薄膜組件具有防塵薄膜組件框架，其特徵在於，該防塵薄膜組件框架包括：第1框架端面，用於黏貼張設防塵薄膜；及第2框架端面，於其上設置黏附層；該防塵薄膜組件框架被一對與第1及第2框架端面相對的平坦面夾住，在施加負載的狀態下，以既定溫度進行加熱處理；又，與該第2框架端面相對的該平坦面的平坦度為5μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之防塵薄膜組件的製造方法，其特徵在於，其中，該平坦面的平坦度為3μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之防塵薄膜組件的製造方法，其特徵在於，其中，該既定溫度為140至250℃。
  4. 如申請專利範圍第1項之防塵薄膜組件的製造方法，其中，該防塵薄膜組件框架是由楊氏係數為1至80GPa的材料所製造。
  5. 如申請專利範圍第4項之防塵薄膜組件的製造方法，其中，該防塵薄膜組件框架是由鋁合金所製造。
  6. 如申請專利範圍第1項之防塵薄膜組件的製造方法，其中，對該防塵薄膜組件框架所施加的負載約為4.90至196N。
TW099133551A 2009-10-02 2010-10-01 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件 TWI409581B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009230356A JP4889778B2 (ja) 2009-10-02 2009-10-02 ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
JP2009250275A JP4974389B2 (ja) 2009-10-30 2009-10-30 リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201113636A TW201113636A (en) 2011-04-16
TWI409581B true TWI409581B (zh) 2013-09-21

Family

ID=43298883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099133551A TWI409581B (zh) 2009-10-02 2010-10-01 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8293433B2 (zh)
EP (1) EP2306240B1 (zh)
KR (1) KR101990345B1 (zh)
CN (1) CN102033421A (zh)
TW (1) TWI409581B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5847474B2 (ja) * 2011-07-22 2016-01-20 キヤノン株式会社 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
KR101688713B1 (ko) * 2012-03-21 2016-12-21 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 펠리클의 제조 방법
JP5749680B2 (ja) * 2012-04-26 2015-07-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
EP2876497B1 (en) 2012-07-17 2017-09-06 Nippon Light Metal Co., Ltd. Method for manufacturing support frame for pellicle, support frame for pellicle, and pellicle
JP6008784B2 (ja) * 2013-04-15 2016-10-19 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びその製作方法とペリクル
JP5950467B2 (ja) * 2013-09-24 2016-07-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
WO2015059783A1 (ja) 2013-10-23 2015-04-30 日本軽金属株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
KR101624078B1 (ko) * 2015-04-24 2016-05-25 한양대학교 에리카산학협력단 펠리클 및 그 제조 방법
CN114872315A (zh) * 2022-06-13 2022-08-09 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 一种应用于胶片保护的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200905378A (en) * 2007-07-19 2009-02-01 Shinetsu Chemical Co Pellicle for lithography

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970005713B1 (en) * 1992-07-31 1997-04-19 Nec Kk Process for correcting warped surface of plastic encapsulated semiconductor device
JP3027073B2 (ja) * 1993-07-28 2000-03-27 信越化学工業株式会社 ペリクル
EP0778804B1 (en) * 1994-09-22 2002-08-28 Micro Lithography, Inc. Optical pellicle membrane to frame adhesion method
JP3775745B2 (ja) * 1994-10-07 2006-05-17 株式会社渡辺商行 レチクル
JPH0922111A (ja) * 1995-07-05 1997-01-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
US5769984A (en) 1997-02-10 1998-06-23 Micro Lithography, Inc. Optical pellicle adhesion system
JP4202554B2 (ja) * 1999-09-24 2008-12-24 信越化学工業株式会社 半導体リソグラフィ用ペリクル
JP2003222990A (ja) 2001-11-21 2003-08-08 Asahi Glass Co Ltd ペリクルのフォトマスクへの装着構造
US7316869B2 (en) * 2003-08-26 2008-01-08 Intel Corporation Mounting a pellicle to a frame
US7355680B2 (en) * 2005-01-05 2008-04-08 International Business Machines Corporation Method for adjusting lithographic mask flatness using thermally induced pellicle stress
JP2007035336A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Hitachi Metals Ltd 蒸着マスク用金属製フレームの製造方法
CN100484704C (zh) * 2006-04-19 2009-05-06 高力热处理工业股份有限公司 无尘室用钢制地板的制造方法
JP2007333910A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JP2008065258A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
JP2008256925A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JP2009003111A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Kobelco Kaken:Kk ペリクル枠
JP2009025562A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム
JP5134418B2 (ja) * 2008-04-01 2013-01-30 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP5411596B2 (ja) 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP4889778B2 (ja) 2009-10-02 2012-03-07 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200905378A (en) * 2007-07-19 2009-02-01 Shinetsu Chemical Co Pellicle for lithography

Also Published As

Publication number Publication date
KR101990345B1 (ko) 2019-06-18
EP2306240A3 (en) 2014-01-01
KR20110036663A (ko) 2011-04-08
TW201113636A (en) 2011-04-16
EP2306240A2 (en) 2011-04-06
US8293433B2 (en) 2012-10-23
EP2306240B1 (en) 2021-11-03
CN102033421A (zh) 2011-04-27
US20110081604A1 (en) 2011-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
JP5411596B2 (ja) ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5481106B2 (ja) ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP4889778B2 (ja) ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
TWI411874B (zh) 防塵薄膜組件
JP5189614B2 (ja) ペリクル及びその取り付け方法、並びにペリクル付マスク及びマスク
JP5411200B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル
JP5411595B2 (ja) ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
KR102332802B1 (ko) 펠리클의 접착 방법 및 이 방법에 사용하는 접착 장치
JP4974389B2 (ja) リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5134436B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル
JP6308676B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル容器。
JP5822401B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル
JP5999843B2 (ja) リソグラフィ用ペリクルとその製造方法及び管理方法
JP7537494B2 (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法
CN215416267U (zh) 防护薄膜框架及其组件、曝光原版、曝光系统及制造系统
US20230213850A1 (en) Pellicle Frame, Pellicle, Pellicle-Equipped Exposure Original Plate, Exposure Method, Method for Manufacturing Semiconductor, and Method for Manufacturing Liquid Crystal Display Board
WO2022215609A1 (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付きフォトマスク、露光方法、半導体デバイスの製造方法及び液晶ディスプレイの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees