CN102822744B - 光掩模单元及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种适宜于使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的光刻用光掩模，以提供能确实地防止光掩模的平坦度发生恶化的光掩模单元为目的。本发明的光掩模单元1为：防尘薄膜6、在其一个表面粘贴有防尘薄膜6的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架7、光掩模2、其一个表面固定有光掩模2及防尘薄膜组件框架7的台子3，防尘薄膜组件框架7在比固定有光掩模2的台子3的范围还要靠外的侧被固定于台子3上。
Description
技术领域
本发明关于用于生产大规模积体电路及超大规模积体电路等半导体器件或液晶显示器时，做为光掩模和中间光掩模等曝光用原版（本说明书将其总称为“光掩模”）的防尘罩而被使用的光刻用防尘薄膜组件和具有光掩模的光掩模单元的制造方法。更为具体的是，关于使用极短的短波长的光，将感光膜曝光，适于形成微小图案的光掩模单元及光掩模单元的制造方法。
背景技术
当生产大规模积体电路及超大规模集成电路等半导体器件或者液晶显示器时，于半导体晶圆或液晶用原板上所形成的光刻感光膜，通过光掩模，被曝光用的光照射，光掩模的图案被转印，就可形成半导体器件或者液晶显示器的图案。
因此，在这种情况下，如果光掩模上附著尘垢等异物，曝光用的光就会被反射或被吸收，于半导体晶圆或液晶用原板上所形成的感光膜上被转印的图案不仅会发生变形、图案的边缘部分变得不鲜明，而且底板发黑变脏，产品的尺寸、质量、外形等就会受损。半导体晶圆或液晶用原板就不能象所希望的那样转印光掩模的图案，从而导致半导体晶圆或液晶用原板的性能低下、成品率恶化等问题的发生。
为防止有关问题的发生，半导体晶圆或液晶原板上所形成的感光膜的曝光，需在无尘室内进行，但尽管如此，要完全避免光掩模的表面附著异物非常困难。因此，我们通常要在光掩模的表面安装对曝光用的光有高透过率的被称为防尘薄膜组件的防尘罩，以对半导体晶圆或液晶原板进行曝光。
一般来说，防尘薄膜组件的制造如下：防尘薄膜由对曝光用光有高透射率的硝化纤维素、醋酸纤维素等纤维素系树脂和氟化树脂等制成；而防尘薄膜组件框架藉由铝、不锈钢、聚乙烯等形成；防尘薄膜 的张设在防尘薄膜组件框架的一个端面，涂上防尘薄膜材料的良溶媒，风干，将防尘薄膜粘贴，或者用丙烯酸树脂、环氧树脂和氟树脂等粘合剂将防尘薄膜贴上。在防尘薄膜组件框架的另一表面，形成由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯基树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂等的能将光掩模附著于其上的粘着层。而且，在粘着层上设置用以保护粘着层的离型层(分离器)而制成。（例如，参照特开昭和58-219023号公报，美国专利第4861402号说明书，特公昭和63-27707号公报及特开平成7-168345号公报等）。
将如此构成的防尘薄膜组件安装于光掩模的表面，通过光掩模，对在半导体晶圆或液晶原版上所形成的感光膜进行曝光时，尘垢等异物附著于防尘薄膜组件的表面，因未直接附著于光掩模的表面，所以只要使焦点位于光掩模所形成的图案上，照射曝光用的光即可，这样就可以去除尘垢等异物的影响。
图1是将防尘薄膜组件安装于光掩模之上的传统光掩模单元的简单平面图，图2是沿图1的A-A线的简单断面图。
如图1及图2所示，光掩模单元1具有光掩模2、由防尘薄膜6及框架状的防尘薄膜组件框架7所构成的防尘薄膜组件5。将防尘薄膜6侧部近旁区域粘在防尘薄膜组件框架7的一个端面，将防尘薄膜组件框架7的另一个端面用由有机物质形成的粘着剂（图中未表示），如此就可以将防尘薄膜组件固定在光掩模2的表面上。
这样，因光掩模2的表面遮盖有作为防尘罩的防尘薄膜组件5，在对半导体晶圆或液晶原版上所形成的感光膜进行曝光时，尘垢等异物附著于防尘薄膜6的表面，因未直接附著于光掩模2的表面，只要使爆光的光的焦点位于光掩模2所形成的图案上即可。如此,就可以使尘垢等异物的影响得以消除。
另一方面，近年来，半导体器件及液晶显示器的发展越来越高度积体化、细微化。现在，在感光膜上形成45nm左右微小图案的技术也正在被实用化。如果是45nm左右的图案，可以由在半导体晶圆或液晶用原版和投影镜片的间填满超纯水等液体，使用氟化氩(ArF)准分子激光，对感光膜进行曝光的浸液曝光技术及两次曝光等传统使用准分子激光曝光技术的改良就可以对应。
但是，下一代的半导体器件和液晶显示器，要求形成更加细微化 的32nm或其以下的图案。要形成如此细微化的32nm或其以下的图案，以改良传统的使用准分子激光的曝光技术来应对已经是不可能了。做为形成32nm或其以下图案的方法，使用主波长为13.5nm的EUV（极端紫外线）光而形成图案的EUV曝光技术被视为最优选的技术。
使用此EUV曝光技术，于感光膜上形成32nm或其以下的微小图案时，解决使用何种光源、使用何种感光膜、使用何种防尘薄膜组件等技术课题成为必要条件。
其中，随著开发的进展，有关新光源及新的感光膜材料，已有种种建议。但是，左右半导体器件或液晶显示器的成品率的防尘薄膜组件，虽然被建议使用作为对EUV光有高透射率的材料的硅，但是尚残留未解决的问题。此对EUV曝光技术的实用化，成为很大的障碍(例如，参照Shroff et al.“EUV pellicle Development for Mask Defect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151615104-1(2006)及美国专利第6623893号说明书)。
【专利文献1】特开昭和58-219023号公报
【专利文献2】美国专利第4861402号说明书
【专利文献3】特公昭和63-27707号公报
【专利文献4】特开平成7-168345号公报
【专利文献5】美国专利第6623893号说明书
【非专利文献】
Shroff et al.“EUV pellicle Development for Mask Defect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151 615104-1(2006)
发明的概要
【发明欲解决的课题】
在使用传统的i线（波长365nm）的曝光，使用KrF准分子激光光（波长248nm）的曝光，使用氟化氩(ArF)准分子激光光（波长193nm）的曝光中，粘贴有防尘薄膜的防尘薄膜组件框架，通过由有机物质构成的粘着剂，被安装在光掩模上而构成。但是，若使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案时，曝光室内必须保持真空 状态。一旦使用由有机物质构成的粘着剂，因发生外界外界气体，从而导致将防尘薄膜组件框架用由有机物质构成的粘着剂安装在光掩模上，就变得困难了。在光掩模的近旁，有必要极力避免使用由有机物质构成的粘着剂。
另外，采用EUV曝光技术，为在感光膜上形成微小的图案，就要求光掩模具有高平坦度。但是，使用由有机物质构成的粘着剂，将防尘薄膜组件安装在光掩模上时，会出现光掩模的平坦度恶化的问题。
因此，本发明为具有防尘薄膜组件、被防尘薄膜组件遮盖的光掩模的光掩模单元。本发明的目的，是提供一种适宜于使用EUV曝光技术在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案并能确实地防止光掩模的平坦度恶化的光掩膜组件。
此外，本发明的另一目的是提供一种由防尘薄膜组件以及被防尘薄膜组件遮盖的光掩模的光掩模单元的制造方法，其适宜于使用EUV曝光技术在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案并能确实地防止光掩模的平坦度恶化。
【为解决课题所采用的手段】
有关本发明的目的，通过下述达成：
一种光掩模单元，包括
防尘薄膜；
防尘薄膜组件框架，形成框架状，其一个端面上粘附有所述防尘薄膜的侧部近旁区域；
光掩模；
台子，在其一个表面，所述光掩模以及所述防尘薄膜组件框架被固定的；
其特征在于:所述防尘薄膜组件框架在比所述光掩模被固定在所述台子的范围还要靠外侧的地方被固定于所述台子上。
根据本发明，在一个端面粘有防尘薄膜的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架，在固定有光掩模的台子的范围的外侧被固定于台子之上。因防尘薄膜组件框架的台子的安装部与光掩模的曝光图案部相分隔，使用EUV曝光技术，在保持曝光室内的真空的同时，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的时候，即使在从由有机物质形成的粘着剂中发生外界气体的情况下，也可有效地防止对半导体器件或液晶显示 器上所形成的感光膜的曝光所产生的恶劣影响。
并且，根据本发明，防尘薄膜组件框架在光掩模被固定的台子的范围的外侧被固定在台子上，因未象以往那样被固定在光掩模之上，就使确实地防止光掩模的平坦度发生恶化成为可能。
在本发明中，所述防尘薄膜组件框架由金属制成为优选。
本发明的优选的实施方式为，所述防尘薄膜组件框架，以静电卡盘被固定在所述台子的一个表面上。
根据本发明的优选实施方式，因防尘薄膜组件框架以静电卡盘被固定在台子的一个表面上，使用EUV曝光技术，在曝光室内保持真空状态的同时，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的时候，就使确实地防止从防尘薄膜组件框架的台子的安装部发生外界气体成为可能。
本发明的另一个优选实施方式为，所述防尘薄膜组件框架以机械手段被固定在所述台子的一个表面上。
根据本发明的另一个优选实施方式，因防尘薄膜组件框架以扣钉、螺钉等机械手段被固定在台子的一个表面上，使用EUV曝光技术，在曝光室内保持真空的同时，感光膜上形成32nm或其以下的微小图案时，就使确实地防止从防尘薄膜组件框架向台子的安装部发生外界气体成为可能。
在本发明的其他的优选实施方式中，所述防尘薄膜组件框架用粘着剂被固定在所述台子的一个表面上。
本发明的所述目的还通过以下部分达成：
一种光掩模单元的制造方法，所述光掩模单元包括:
防尘薄膜；
防尘薄膜组件框架,呈框架状，其一个端面粘有所述防尘薄膜的侧部近旁区域；
光掩模；
台子，在其一个表面，所述光掩模及所述防尘薄膜组件框架被固定的，其特征在于，在所述台子的一个表面固定所述光掩模，在比固定有所述光掩模的所述台子的范围还要靠外的侧，将所述防尘薄膜组件框架的另一端面固定于所述台子上。
根据本发明，将一个表面粘有防尘薄膜的侧部近旁区域的防尘薄膜 组件框架，在比固定光掩模的台子的范围还要靠外的侧，固定于台子上。因防尘薄膜组件框架的台子的安装部与光掩模的曝光图案部相分隔，使用EUV曝光技术，在保持曝光室内的真空的同时，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案时，即使在从由有机物质形成的粘着剂中发生外界气体的情况下，也使有效防止对半导体器件或液晶显示器上所形成感光膜的曝光所产生的恶劣影响成为可能。
并且，根据本发明，防尘薄膜组件框架在光掩模的外侧被固定于台子上，因其未象传统方法那样被固定在光掩模上，就使确实地防止光掩模的平坦度恶化成为可能。
本发明的优选实施方式为，所述防尘薄膜组件框架以静电卡盘被固定于所述台子的一个表面之上。
根据本发明的优选实施方式，因防尘薄膜组件框架以静电卡盘被固定于台子的一个表面上而构成，使用EUV曝光技术，在曝光室内保持真空的同时，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的时候，使确实地防止从防尘薄膜组件框架的台子的安装部发生外界气体成为可能。
本发明的另外的优选实施方式为，将所述防尘薄膜组件框架以机械手段固定在所述台子的一方表面上。
根据本发明的另外的优选实施方式，因防尘薄膜组件框架以扣钉、螺钉等机械手段被固定在台子的一方表面上而构成，使用EUV曝光技术，在曝光室内保持真空的同时，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的时候，使确实地防止从防尘薄膜组件框架的台子的安装部发生外界气体成为可能。
本发明的另一个优选实施方式为，将所述防尘薄膜组件框架以粘着剂固定在所述台子的一个表面上。
所述本发明的目的及特征，通过附图可以更清楚地说明。
【发明的效果】
根据本发明，由光掩模以及遮盖光掩模的防尘薄膜组件构成的光掩模单元，适用于在使用EUV曝光技术适于在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案，使确实地防止光掩模的平坦度发生变差的光掩模单元成为可能。
此外，根据本发明，提供一种由光掩模以及遮盖光掩模的防尘薄 膜组件构成的光掩模单元的制造方法，其方法适用于使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案，使确实地防止光掩模的平坦度发生恶化能为可能。
附图说明
图1为具有光掩模、与安装于光掩模之上的防尘薄膜组件的传统光掩模单元的简略平面图。
图2为沿图1所显示的光掩模单元的A-A线的简略断面图。
图3为由光掩模以及遮盖光掩模的防尘薄膜组件构成的本发明优选实施方式的光掩模单元的简略透视平面图。
图4为沿图3所显示的光掩模单元的B-B线的简略断面图。
图5为本发明的另一优选实施方式，其为由光掩模以及遮盖光掩模的防尘薄膜组件构成的光掩模单元的简略透视平面图。
图6为沿图5所显示的光掩模单元的C-C线的简略断面图。
具体实施方式
图3为由光掩模以及遮盖光掩模的防尘薄膜组件构成的本发明的优选实施方式的光掩模单元的简略透视平面图。图4为沿图3所显示的光掩模单元的B-B线的简略断面图。
如图3及图4所显示，关于本实施方式的光掩模单元1包括:
光掩模2；
光掩模2被固定在其上的光掩模台子3；
防尘薄膜6；
于一个表面贴有防尘薄膜6的框架状的防尘薄膜组件框架7，防尘薄膜6和防尘薄膜组件框架7构成的防尘薄膜组件5。在本实施方式的中，防尘薄膜组件框架7由铝制成。
如图3及图4所示，防尘薄膜组件框架7的尺寸比光掩模2的尺寸要大。防尘薄膜组件框架7在比固定光掩模2的光掩模台子3的范围还要靠外侧被固定在光掩模台子3之上，光掩模2被收纳在由防尘薄膜6与防尘薄膜组件框架7所形成的密闭空间内。
在本实施方式中，光掩模2以静电卡盘（图未显示）被固定在光掩模台子3之上。
另一方面，在本实施方式中，可将防尘薄膜组件框架7以静电卡盘固定在光掩模台子3上，也可使用扣钉、螺钉等机械手段（图未显示）将防尘薄膜组件框架7很好地固定在光掩模台子3上，并且使用由硅酮粘着剂等有机物质组成的粘着剂也能够将防尘薄膜组件框架7固定在光掩模台子3之上。
这样，制造出来的光掩模单元1，在曝光室内（图未显示）被组装，在半导体晶圆或液晶用原版上所涂的感光膜上，通过光掩模2，被曝光用的光照射，光掩模2的图案被转印，从而形成半导体晶圆或液晶用原版的图案。
根据本实施方式，光掩模2和防尘薄膜组件框架7，以静电卡盘被固定在光掩模台子3上。因防尘薄膜组件框架7的尺寸比光掩模2的尺寸要大，防尘薄膜组件框架7用静电卡盘，在比固定光掩模2的光掩模台子3的范围还要靠外侧，被固定在光掩模台子3之上。因此，在曝光室内保持真空的同时，使用EUV光，将半导体晶圆或液晶用原版（图未显示）的感光膜曝光，也不会发生外界气体。因而，在曝光室内保持真空的同时，在半导体晶圆或液晶用原版上所涂的感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的情况下，亦使提高半导体晶圆或液晶显示器的成品率成为可能。
另外，根据本实施方式，防尘薄膜组件框架7，在比固定光掩模2的光掩模台子3的范围还要靠外的侧，被固定在光掩模台子3之上。因其未象传统作法那样被固定在光掩模2的表面上，就使因安装防尘薄膜组件5而导致的光掩模2的平坦度变差被抑制到最小限度成为可能。
图5为有关本发明的另一优选实施方式，其为由光掩模以及遮盖光掩模的防尘薄膜组件构成的光掩模单元的简略透视平面图，图6为沿图5的光掩模单元的C-C线的简略断面图。
如图5及图6所显示，有关本实施方式的光掩模单元1，与上述实施方式同样，光掩模单元1包括
光掩模2；
固定有光掩模2的光掩模台子3；
防尘薄膜6；
于其一个端面贴有防尘薄膜6的框架状的防尘薄膜组件框架7；
防尘薄膜6和防尘薄膜组件框架7构成的防尘薄膜组件5。在本实施方式中，防尘薄膜组件框架7也可由铝制成。
如图5及图6所示，防尘薄膜组件框架7的尺寸要比光掩模2的尺寸大，防尘薄膜组件框架7在比固定光掩模2的光掩模台子3的范围还要靠外的位置，被固定在光掩模台子3之上。
在本实施方式中，也可将光掩模2用静电卡盘固定在光掩模台子3之上。
如图5及图6所显示，在有关本实施方式的光掩模单元1中，防尘薄膜组件框架7是用机械式扣钉9被固定在光掩模台子3上。
这样，制造出来的光掩模单元1，在曝光室（图未显示）内被组装，在半导体晶圆或液晶用原版上所涂的感光膜上，通过光掩模2，被曝光用的光照射，光掩模2的图案被转印，从而形成半导体晶圆或液晶用原版的图案。
根据本实施方式，防尘薄膜组件框架7的尺寸要比光掩模2的尺寸大，防尘薄膜组件框架7，在比固定光掩模2的光掩模台子3的范围还要靠外的位置，以机械式扣钉9，被固定在光掩模台子3之上。因此，在曝光室内保持真空的同时，使用EUV光，即使半导体晶圆或液晶用原版（图未显示）的感光膜曝光，也没有发生外界气体。因而，在曝光室内保持真空的同时，在半导体晶圆或液晶用原版上所涂的感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的情况下，也使提高半导体晶圆或者液晶显示器的成品率成为可能。
另外，根据本实施方式，防尘薄膜组件框架7，在比固定光掩模2的光掩模台子3的范围还要靠外的侧被固定在光掩模台子3之上。因其未象传统作法那样被固定在光掩模2的表面，就使因安装防尘薄膜组件5而导致光掩模的平坦度变差被抑制到最小限度成为可能。
以下，为了表明本发明的效果，提出实施例及比较例。
【实施例1】
在所形成的一边长为152mm的正方形的厚为6mm的石英制的光掩模基板的一个表面，进行铬膜蒸镀。将光掩膜基板的另一表面，用静电卡盘，固定于光掩模台子上。
其次，将所形成的内框的一边的长度为160mm，外框一边长为166mm，厚3mm的长方形铝制防尘薄膜组件框架，用静电卡盘，在比 固定光掩模基板的光掩模台子的范围还要靠外的侧，固定在光掩模台子上，由此制成光掩模单元。
接著，在实际的生产线，作为接受高速扫描运动模拟实验，光掩模台子被施加了约5G的加速度，使光掩模台子经历10分钟震动。而尽管防尘薄膜组件框架仅用机械时静电卡盘被固定在光掩模台子上，经观察并未发现防尘薄膜组件框架从初期的位置发生位移。
并且，用波长13.5nm的EUV光对光掩模单元进行断续的合计3分钟的照射，测量了用EUV光照射后的光掩模的反射率。如此测定的光掩模的反射率，与用EUV光照射前的反射率相比较，并未观察到反射率降低。
【实施例2】
在所形成的一边长为152mm的正方形的6mm厚的石英制的光掩模基板的一个表面，进行铬膜蒸镀。将光掩模基板的另一个表面，用静电卡盘，固定于光掩模台子上。
其次，在比固定有光掩模基板的光掩模台子的范围还要靠外的处，将所形成的内框一边长为160mm、外框一边长为166mm的长方形框架的3mm厚的铝制防尘薄膜组件框架，用机械式扣钉，固定在光掩模台子上，由此制成光掩模单元。
然后，在实际的生产线，作为接受高速扫描运动模拟实验的光掩模单元，被施加了约5G的加速度，使光掩模台子经历10分钟震动。而尽管防尘薄膜组件框架仅用机械式扣钉被固定在光掩模台子上，经观察并未发现防尘薄膜组件框架从初期的位置发生位移。
并且，用波长13.5nm的EUV光对光掩模单元进行断续的合计3分钟的照射，测量了用EUV光照射后的光掩模的反射率。如此测定的光掩模的反射率，与用EUV光照射前的反射率相比较，并未观察到反射率降低。
【实施例3】
在所形成的一边长为152mm的正方形的厚6mm的石英制的光掩模基板的一个表面，进行铬膜蒸镀，将光掩模基板的另一表面，用静电卡盘，固定于光掩模台子上。
其次，将所形成的内框一边长为160mm，外框一边长为166mm的长方形厚度3mm厚的铝制防尘薄膜组件框架，用硅酮粘着剂，在比固定光掩模基板的光掩模台子的范围还要靠外的地方，固定在光掩模台子上，由此制成光掩模单元。
然后，在实际的生产线，作为接受高速扫描运动模拟实验的光掩模单元，被施加了约5G的加速度，使光掩模台子经历10分钟震动。而尽管防尘薄膜组件框架仅用硅酮粘着剂被固定在光掩模台子上，经观察并未发现防尘薄膜组件框架从初期的位置发生位移。
并且，用波长13.5nm的EUV光对光掩模单元进行断续的合计3分钟的照射，测量了用EUV光照射后的光掩模的反射率。如此测定的光掩模的反射率，与用EUV光照射前的反射率相比较，并未观察到反射率降低。
【比较例】
在所形成的一边长为152mm的正方形的厚6mm的石英制的光掩模基板的一个表面，进行铬膜蒸镀。将光掩模基板的另一表面，用静电卡盘，固定于光掩模台子上。
其次，将所形成的内框一边长为143mm，外框一边长为149mm的长方形框架的3mm厚的铝制防尘薄膜组件框架，用硅酮粘着剂，固定在光掩模基板上，由此制成光掩模单元。
然后，在实际的生产线，作为接受高速扫描运动模拟实验的光掩模单元，被施加了约5G的加速度，使光掩模台子经历10分钟震动。而尽管防尘薄膜组件框架仅用硅酮粘着剂被固定在光掩模台子上，经观察并未发现防尘薄膜组件框架从初期的位置发生位移。
用波长13.5nm的EUV光对光掩模单元进行断续的合计3分钟的照射，测量了用EUV光照射后的光掩模的反射率。如此测定的光掩模的反射率，与用EUV光照射前的反射率相比较，发现反射率下降了约0.5％。此反射率下降的原因被推测为，在光掩模基板上固定防尘薄膜组件框架时，从所使用的硅酮粘着剂中发生了外界气体。
本发明，并不限定于以上实施方式或实施例，在请求的范围所记载的发明的范围内，可以进行种种变更，毋庸赘言这也包含在本发明的范围的内。
例如，在图3及图4所示的实施方式中，防尘薄膜组件框架7，用静电卡盘被固定于光掩模台子3上。如图5及图6所显示的实施方式中，防尘薄膜组件框架7，用机械式扣钉9被固定在光掩模台子3上。而防尘薄膜组件框架7，并没有必要一定用静电卡盘或机械式扣钉9固定在光掩模台子3上。也可以将防尘薄膜组件框架7，用硅酮粘着剂等有机粘着剂，固定在光掩模台子3上。防尘薄膜组件框架7被用硅酮粘着剂等有机粘着剂固定在光掩模台子3上的情况下，因防尘薄膜组件框架7在光掩模2的外侧被固定在光掩模台子3上，在曝光室内保持真空的同时，使用EUV光对半导体晶圆或液晶用原版(图未显示)的感光膜进行曝光时，就使其发生外界气体的恶劣影响被控制在最小限度成为可能。
另外，如图5及图6所显示的实施方式中，防尘薄膜组件框架7，被用机械式扣钉9固定于光掩模台子3上。而将防尘薄膜组件框架7以机械式手段固定在光掩模台子3上的情况下，防尘薄膜组件框架7亦无必要一定用机械式扣钉9被固定在光掩模台子3上。通过螺钉等其他机械手段，也可将防尘薄膜组件框架7固定在光掩模台子3上。
并且，所述实施方式及所述实施例，使用的是铝制的防尘薄膜组件框架7。而防尘薄膜组件框架7亦无必要一定使用铝制，也能使用以不锈钢等其他金属制成的防尘薄膜组件框架7。防尘薄膜组件框架7亦无必要一定使用金属制，也能使用以聚乙烯等塑料制成的防尘薄膜组件框架7。
另外，在所述实施例中，光掩模基板由正方形的形状形成，防尘薄膜组件框架由长方形的形状形成。而光掩模基板无必要由正方形的形状形成，另外，防尘薄膜组件框架亦无必要由长方形的形状形成。按照其目的，能够采用任意形状的光掩模基板及防尘薄膜组件框架。
【符号的说明】
1光掩模单元
2光掩模
3光掩模台子
5防尘薄膜组件
6防尘薄膜
7防尘薄膜组件框架
9机械式扣钉
Claims (6)
1.一种光掩模单元，包括:
防尘薄膜；
防尘薄膜组件框架，其形成框架状，其一个端面上粘贴所述防尘薄膜的侧部近旁区域；
光掩模；
台子，在其一个表面上固定有所述光掩模及所述防尘薄膜组件框架，
其特征在于所述防尘薄膜组件框架，在比固定所述光掩模的台子的范围还要靠外侧被固定于所述台子上，并且所述光掩模以及防尘薄膜组件框架都是被用静电卡盘固定在所述台子上。
2.根据权利要求1所述的光掩模单元，其特征在于所述防尘薄膜组件框架是金属制。
3.根据权利要求1或2所述的光掩模单元，其特征在于所述防尘薄膜组件框架是用静电卡盘和机械手段被固定在所述台子的一个表面上。
4.一种光掩模单元的制造方法，所述光掩模单元包括
防尘薄膜；
防尘薄膜组件框架，其呈框架状，其一个端面粘贴所述防尘薄膜的侧部近旁区域；
光掩模；
台子，其一个表面固定有所述光掩模及所述防尘薄膜组件框架，其特征在于所述台子的一个表面具有被用静电卡盘固定的光掩模，所述防尘薄膜组件框架的另一端面在比固定所述光掩模的台子的范围还要靠外侧处，被用静电卡盘固定于所述台子上。
5.根据权利要求4所述的光掩模单元的制造方法，其特征在于所述防尘薄膜组件框架是金属制。
6.根据权利要求4或5所述的光掩模单元的制造方法，其特征在于所述防尘薄膜组件框架是用静电卡盘和机械手段被固定在所述台子的一个表面上。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |