TWI758378B

TWI758378B - 防塵薄膜組件框架及使用該框架之防塵薄膜組件

Info

Publication number: TWI758378B
Application number: TW106144554A
Authority: TW
Inventors: 西村晃範
Original assignee: 日商信越化學工業股份有限公司
Priority date: 2016-12-22
Filing date: 2017-12-19
Publication date: 2022-03-21
Also published as: CN108227369A; KR102468171B1; KR20180073482A; TW201837600A; JP6706575B2; JP2018105910A; US10649326B2; US20180180991A1

Abstract

[課題]本發明之目的，係提供一種呈現高PID(防塵薄膜組件歪曲)抑制效果之防塵薄膜組件框架及使用該框架之防塵薄膜組件。　　[解決手段]本發明之防塵薄膜組件框架，係多角形框狀之防塵薄膜組件框架，其特徵係，在防塵薄膜組件框架之角部內部形成中空部。又，本發明之防塵薄膜組件框架，係亦可在防塵薄膜組件框架之直線部內部形成中空部，且被形成於防塵薄膜組件框架之角部內部的中空部與被形成於直線部內部的中空部連通為較佳。

Description

防塵薄膜組件框架及使用該框架之防塵薄膜組件

本發明，係關於防塵薄膜組件框架及使用該框架所構成之微影用防塵薄膜組件。

在製造半導體元件或液晶顯示器等之際的微影工程中，雖係藉由將光照射至塗佈了光阻之半導體晶圓或液晶用原板的方式製作圖案，但當異物附著於此時使用之光罩或初縮遮罩(reticle)(以下，稱為光罩)時，由於該異物會吸光或使光彎曲，因此，存在有如下述之問題：轉印之圖案變形或邊緣變得粗糙、底層變黑髒污而使尺寸、品質、外觀等受損。

該些微影工程，雖係通常在無塵室內進行，但由於即便如此，亦難以使曝光原版經常保持清潔，因此，一般採用在曝光原版設置被稱為防塵薄膜組件之防止異物而進行曝光的方法。

像這樣的防塵薄膜組件，係一般由下述者等所構成：框狀之防塵薄膜組件框架；防塵薄膜，被張設於防塵薄膜組件框架的上端面；及氣密用墊片，被形成於防塵薄膜組件框架的下端面。其中的防塵薄膜，係由相對於曝光用光呈現出高透射率的材料所構成，作為氣密用墊片，係使用黏著劑等。

只要將像這樣的防塵薄膜組件設置於光罩，則異物不會直接附著於光罩而附著於防塵薄膜組件上。而且，在微影中，只要將焦點對準光罩之圖案上，則防塵薄膜組件上的異物與轉印無關係，可抑制圖案之變形等的問題。

然而，在像這樣的微影技術中，作為提高解析度之手段，曝光光源之短波長化不斷進展。到現在為止，曝光光源，係從汞燈所致之g線(436nm)、i線(365nm)轉移至KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)，再者亦檢討主波長13.5nm之EUV(Extreme Ultra Violet)光的使用。

現在，在將防塵薄膜組件貼附於光罩之際，成為光罩產生歪曲的問題。在此，係將該歪曲稱為PID(Pellicle Induced Distortion)。微影工程中形成之圖案的位置精度因該PID而產生偏移，成為半導體元件製造中的一大問題。

作為用以降低像這樣的防塵薄膜組件之貼附所致之光罩的歪曲之手段，在專利文獻1中，係揭示有將剖面積設成為6mm² 以下的防塵薄膜組件框架。又，在專利文獻2中，係揭示有為了保持防塵薄膜組件框架之寬度或高度且減小剖面積，而將剖面形狀設成為I形狀的防塵薄膜組件框架，在專利文獻3中，係揭示有在內部並列設置有複數個中空部的防塵薄膜組件框架。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2009-25562號公報　　[專利文獻2] 日本特開2011-7934號公報　　[專利文獻3] 國際公開第2016/072149號

[本發明所欲解決之課題]

以往的該些防塵薄膜組件框架，係考慮防塵薄膜組件框架之歪曲為PID的原因之一而開發者。亦即，在防塵薄膜組件框架被貼附於比防塵薄膜組件框架平坦之光罩的情況下，防塵薄膜組件框架雖沿光罩而變形，但此時，在防塵薄膜組件框架中會產生欲返回到初始狀態的應力(彈性力)。因此，當外力被去除時，則由於此次光罩會隨著防塵薄膜組件框架的變形而產生歪曲，因此，為了減小該應力，而降低防塵薄膜組件框架之剛性。

然而，專利文獻2之剖面形狀為I形狀的防塵薄膜組件框架，雖係具有PID之抑制效果，但存在有因防塵薄膜組件框架之表面積增大而導致檢查範圍擴大且作業效率下降的問題。

又，本發明者們根據專利文獻3所記載的實施形態來製作防塵薄膜組件框架且測定PID後，雖已知可獲得某種程度的PID抑制效果，但其抑制效果為有限的。

因此，本發明，係有鑑於上述情事而進行研究者，其目的，係可提供呈現高PID抑制效果之防塵薄膜組件框架及使用該框架之防塵薄膜組件。

本發明者，係為了解決上述問題而進行深入研究，結果意識到PID與防塵薄膜組件框架之繞x軸的(相對於高度方向之力)剖面二次力矩相關，並且可獲得當以材料力學的方式減小防塵薄膜組件框架之剖面二次力矩時，PID亦具有變小之傾向的見解。

又，另一方面，本發明者，係發現在將通常的防塵薄膜組件貼附於光罩的情況下，防塵薄膜組件之角部附近具有易產生較大之形狀變化的傾向，此時，由於認為是在防塵薄膜組件之角部附近產生較大的應力，因此，為了使其PID之抑制效果更提升，除了減小防塵薄膜組件框架之剖面二次力矩以外，更對於形狀･構造進行檢討，結果發現只要在防塵薄膜組件框架之角部內部形成中空部，則可獲得更高的PID抑制效果，從而完成本發明。 [用以解決課題之手段]

亦即，本發明之防塵薄膜組件框架，係多角形框狀之防塵薄膜組件框架，其特徵係，在防塵薄膜組件框架之角部內部形成中空部。又，本發明之防塵薄膜組件框架，係亦可在防塵薄膜組件框架之直線部內部形成中空部，且被形成於防塵薄膜組件框架之角部內部的中空部與被形成於直線部內部的中空部連通為較佳。而且，本發明之防塵薄膜組件框架，係被形成於防塵薄膜組件框架之角部內部的中空部之剖面積比被形成於直線部內部的中空部之剖面積大為較佳。

又，本發明之防塵薄膜組件框架，係在內部形成有中空部之形狀的防塵薄膜組件框架，其特徵係，具有從中空部至防塵薄膜組件框架表面的貫通孔。又，該防塵薄膜組件框架，係將二個多角形框狀之構件接合而構成，其中空部，係藉由被設置於至少一方之構件的接合面之溝而形成為較佳，二個多角形框狀之構件，係藉由固態接合而接合為較佳。

而且，本發明之防塵薄膜組件框架，係多角形框狀之防塵薄膜組件框架，其特徵係，防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩比直線部中之剖面二次力矩小。而且，該防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩，係相對於直線部中之剖面二次力矩具有85%以上未滿100%的大小。

而且，本發明之防塵薄膜組件框架，係用以製作微影用防塵薄膜組件者。 [發明之效果]

根據本發明之防塵薄膜組件框架，與以往的防塵薄膜組件框架相比，可有效地抑制「將使用防塵薄膜組件框架而製作的防塵薄膜組件貼附於光罩之際」的PID。因此，即便在更微細的圖案形成工程中，亦可有效地進行使用。

以下，雖詳細地說明本發明之一實施形態，但本發明並非限定於此。

本發明之防塵薄膜組件框架及防塵薄膜組件，雖係適用於光罩之歪曲特別成為問題的半導體製造用途，但其用途並不特別限定。例如，可適用作為一邊為150mm左右的半導體製造用防塵薄膜組件或一邊為200~300mm的印刷基板製造用防塵薄膜組件，再者一邊為500~2000mm之液晶及有機EL顯示器製造用防塵薄膜組件。

本發明之防塵薄膜組件框架，係其形狀為多角形框狀並具有角部。一般而言，係如圖1所示般的四角形框狀。其直線部2交叉之角部3，係亦可設成為R形狀，且亦可設置通氣孔4或夾具孔5。

而且，防塵薄膜組件框架之角部3的內部，係如圖2所示，形成有中空部6。藉此，在將防塵薄膜組件貼附於光罩之際，可有效地降低防塵薄膜組件角部附近之較大的形狀變化，其結果可抑制PID。

又，本發明之防塵薄膜組件框架，係亦可將二個多角形框狀之構件接合而構成。在另一方之多角形框狀的構件設置溝，且與未設置溝之多角形框狀的構件接合，藉此，可將作為溝之部位設成為防塵薄膜組件框架的中空部。又，亦可在雙方之多角形框狀的構件設置溝且將二個構件接合，藉此，設成為由二個溝所構成的中空部。

二個多角形框狀之構件的接合方法雖不特別限定，只要因應使用的材料而進行適當地選擇即可，但特別在使用金屬或合金等作為防塵薄膜組件框架之材料的情況下，係藉由固態接合而接合為較佳。藉由使用固態接合的方式，可精度良好地接合二個構件，並且可防止防塵薄膜組件框架之強度下降。　　另外，作為固態接合，係可利用使用了聚焦離子束之蒸鍍或擴散接合、摩擦擴散接合等。

又，在本發明之防塵薄膜組件框架中，係可藉由在防塵薄膜組件框架之內部形成中空部的方式，減小繞x軸的(相對於高度方向之力)剖面二次力矩I_x 。因此，即便與「如以往般將防塵薄膜組件框架之剖面形狀設成為I形狀且進一步減小剖面二次力矩I_x 者」相比，在防塵薄膜組件框架之角部3的內部形成了中空部6者，係亦可使PID降低。

在本發明之防塵薄膜組件框架中，係如圖3所示，在防塵薄膜組件框架之直線部2的內部形成中空部7為較佳，藉此，可獲得進一步的PID抑制效果。又，如圖4所示，被形成於防塵薄膜組件框架之角部內部的中空部6與被形成於直線部內部的中空部7亦可連通。此時，除了設置通氣孔4及/或夾具孔5之部位的周邊以外，在所有部位形成中空部為較佳。在該情況下，在距通氣孔4及/或夾具孔5之中心10mm以內的位置形成中空部。

又，亦可使所有的中空部連通，且遍及防塵薄膜組件框架之內部全周形成中空部。在該情況下，通氣孔4及/或夾具孔5，係亦可從中空部偏移至高度方向而設置，且亦可局部地縮小設置通氣孔4及/或夾具孔5之部位的中空部。

該中空部，係亦可從外部空間封閉，或亦可設置從中空部至防塵薄膜組件框架表面的貫穿孔而被釋放於外部空間。若從外部空間封閉中空部，則可防止異物侵入中空部或異物從中空部發生。

另一方面，若中空部被封閉，則擔心殘留於中空部內的氣體(空氣)。亦即，因溫度變化所致之熱膨脹或氣壓變化，可能導致外力從中空部施加至防塵薄膜組件框架而產生歪曲。特別是，在EUV曝光中，雖被假定為在真空下使用防塵薄膜組件而防塵薄膜組件框架亦成為高溫，但可藉由使中空部釋放於外部空間的方式來避免像這樣的事態。另外，從中空部至防塵薄膜組件框架表面為止的貫穿孔，係亦可具有作為通氣孔或夾具孔的功能。

本發明之中空部，雖係其大小不特別加以限制，但當中空部過小時，無法獲得PID抑制效果，當過大時，PID抑制效果雖增加，但強度下降而難以進行操作。

本發明之防塵薄膜組件框架，係如上述，就形狀･構造而言，當在防塵薄膜組件框架之角部形成中空部時，則對於PID之抑制有效。又，其另一方面，就材料力學而言，係能以減小防塵薄膜組件框架之角部與直線部之剖面二次力矩I_x 的方式，抑制PID。在具有如圖5所示般之中空部之剖面構造的防塵薄膜組件框架之情況下，其剖面二次力矩I_x ，係由以下的式子來表示。

在此，B為防塵薄膜組件框架之寬度，H為防塵薄膜組件框架之高度，b為中空部之寬度，h為中空部之高度。

因此，在中空部被形成於內部之形狀的防塵薄膜組件框架之情況下，可根據上述式子，增大防塵薄膜組件框架之中空部的高度h，藉此，有效地減小剖面二次力矩I_x 。而且，具體而言，中空部之高度h，係相對於防塵薄膜組件框架之高度H具有50~80%的大小為較佳。

又，由於中空部之寬度b，係比起高度h較不會對剖面二次力矩I_x 造成影響，且相對於防塵薄膜組件框架之寬度方向的力之抗彎剛度，係較大者為較佳，因此，中空部之寬度b，係設計為比高度h小為較佳。具體而言，中空部之寬度b，係相對於防塵薄膜組件框架之寬度B具有35~50%的大小為較佳。

而且，中空部之剖面積，係相對於防塵薄膜組件框架剖面積(中空部亦包含作為剖面積)具有17.5~40%的大小為較佳。中空部之大小，雖係亦可在所有的部位設成為相同，或亦可局部地進行變更，但特別是，被形成於角部內部之中空部的剖面積，係設成為大於被形成直線部內部之中空部的剖面積為較佳。如此般，由於可在防塵薄膜組件框架之角部與直線部，將「防塵薄膜組件貼附於光罩之際而產生之應力的大小」設成為接近者，因此，可最有效地抑制PID。

除此之外，由於防塵薄膜組件框架之抗彎剛度，係就材料力學而言，被認為與剖面二次力矩相關，因此，在中空部被形成於內部之防塵薄膜組件框架的情況下，防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩，係小於直線部中之剖面二次力矩為較佳，且相對於直線部中之剖面二次力矩具有85%以上未滿100%的大小為較佳。在未滿85%的情況下，係由於「防塵薄膜組件貼附於光罩之際而產生之應力的大小」在防塵薄膜組件框架之角部與直線部大幅相異，因此，有導致PID惡化的情形。

另外，本發明中之防塵薄膜組件框架的角部，係在形成為R形狀的情況下，設成為從R之起點至終點的範圍，並將其以外的部位設成為直線部。又，在剖面形狀或剖面積、剖面二次力矩局部不同的情況下，係將該些平均值設成為角部及/直線部中之大小。

防塵薄膜組件框架之材質並不特別限定，可使用習知的材料。可列舉出例如鋁、鋁合金、鋼鐵、不鏽鋼、黃銅、因瓦合金、超級因瓦合金等的金屬或合金、聚乙烯(PE)樹脂、聚醯胺(PA)樹脂、聚醚醚酮(PEEK)樹脂等的工程塑膠、玻璃纖維強化塑膠(GFRP)、碳纖維強化塑膠(CFRP)等的纖維複合材料等。

防塵薄膜組件框架之表面，係被處理成黑色，並且因應所需而施予用以防止揚塵之塗裝等的表面處理為較佳。例如，在使用了鋁合金的情況下，係施予耐酸鋁處理或化成處理等的表面處理為較佳，在鋼鐵、不鏽鋼等的情況下，係施予黑色鍍鉻等的表面處理為較佳。

由於在防塵薄膜組件框架之內周面會捕捉或固定浮游異物，因此，塗佈丙烯酸系黏著劑、矽氧系黏著劑等的黏著性物質亦較佳。又，以防止揚塵為目的，僅在防塵薄膜組件框架之內面或其整面形成丙烯酸系樹脂、氟系樹脂等之非黏著性樹脂的被膜亦較佳。該些黏著性樹脂、非黏著性樹脂之被膜的形成，係藉由噴塗、浸漬、粉體塗裝、電著塗裝等的習知方法來進行施工。

又，為了進行操作等的用途，亦可在防塵薄膜組件框架之外周面設置複數處夾具孔或溝。而且，亦可藉由機械刻印或雷射標記來設置型號、製造編號、條碼等的顯示。

而且，在將防塵薄膜組件貼附於光罩之際，為了調整由防塵薄膜組件與光罩所構成之空間的氣壓，而設置通氣孔為較佳。又，為了防止異物通過該通氣孔侵入，而設置由聚四氟乙烯(PTFE)等之多孔質材料所構成的過濾器為較佳。該過濾器，係能以經由黏著劑貼附於防塵薄膜組件框架之外周面等的方式來進行設置。又，通氣孔及過濾器的形狀、位置、個數，係只要對所要求之通氣性或操作的情況等進行考慮而決定即可。

本發明之防塵薄膜組件框架，係可在其上設置防塵薄膜、黏著劑層等而製作防塵薄膜組件。防塵薄膜，係只要因應使用之曝光光源，從纖維素系樹脂、氟系樹脂等的材料中選擇最適合者即可。又，從透過率、機械強度等的觀點來看，其膜厚亦只要進行適當地設計即可，且亦可因應所需而設置反射防止層。特別是，在使用EUV光作為曝光光源的情況下，係可使用膜厚為1μm以下之極薄的矽膜或石墨烯膜。又，防塵薄膜，係可經由丙烯酸系黏著劑、氟系黏著劑、矽氧系黏著劑等的習知黏著劑而張設於防塵薄膜組件框架之上端面。

用以將防塵薄膜組件裝設於光罩的黏著劑層，係被設置於防塵薄膜組件框架之下端面。作為黏著劑層之材質，係可使用橡膠系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、苯乙烯･乙烯･丁烯･苯乙烯(SEBS)黏著劑、苯乙烯･乙烯･丙烯･苯乙烯(SEPS)黏著劑、矽氧黏著劑等的習知者。又，產生霧狀之原因的排氣較少者為較佳。

為了確保防塵薄膜組件裝設於光罩後的穩定性或降低對光罩帶來的影響，黏著劑層表面之平面度，係設成為30μm以下為較佳。又，剖面形狀或厚度，係只要因應所需進行選擇即可，例如可將剖面形狀設成為半圓型的凸形狀。

在黏著劑層之表面，係亦可安裝對厚度50~300μm左右之PET製薄膜等的表面賦予了剝離性的分離片。此為用以保護黏著劑層者，亦可藉由防塵薄膜組件之殼體或防塵薄膜組件之支撐手段等的改良設計來省略。 [實施例]

以下，示出實施例及比較例而具體地說明本發明。

＜實施例1＞　　在實施例1中，係首先準備了由鋁合金製構成之四角形框狀的防塵薄膜組件框架。在該防塵薄膜組件框架中，係形成有如圖4所示般的中空部6與中空部7。防塵薄膜組件框架之外尺寸為149mm×115mm×3.15mm，框架寬度為1.95mm。

又，形成有中空部之部位的剖面形狀，係如圖5所示般的形狀，B=1.95mm、H=3.15mm、b=0.70mm、h=2.30mm。此時之剖面二次力矩I_x ，係4.37mm⁴ 。

中空部之高度，係相對於防塵薄膜組件框架的高度具有73%的大小，中空部之寬度，係相對於防塵薄膜組件框架之寬度具有36%的大小。中空部之剖面積，係相對於防塵薄膜組件框架剖面積(中空部亦包含作為剖面積)具有26%的大小。又，防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩，係相對於直線部中之剖面二次力矩具有100%的大小。

而且，在該防塵薄膜組件框架中，係形成有4處φ0.5mm的通氣孔與φ1.6mm且深度為1.3mm的夾具孔。另外，中空部，係被設置於距該些通氣孔及夾具孔之中心5mm的位置。又，該防塵薄膜組件框架，係將二個構件固態接合而製作者，該二個構件，係在成為中空部的位置設置了溝。

其次，在以純水洗淨了準備好的防塵薄膜組件框架後，將矽氧黏著劑(信越化學工業(股)製KE-101A/B)塗佈於防塵薄膜組件框架之上端面，並在下端面塗佈了丙烯酸黏著劑(綜研化學(股)製SK-Dyne1495)。

接著，將藉由多孔部所支撐之單晶矽的防塵薄膜貼附於防塵薄膜組件框架之上端面，並將比防塵薄膜組件框架更向外側突出的防塵薄膜去除，藉此，完成防塵薄膜組件。

將所製作之防塵薄膜組件貼附於150mm四方的光罩基板，進行了PID之評估，其結果，係PID的值為24nm。

對光罩貼附防塵薄膜組件之條件，係設成為負荷5kgf、負荷時間30秒。又，PID之評估，係使用Corning Tropel公司製FlatMaster，在防塵薄膜組件貼附前後，將光罩基板之正方向與負方向的最大變形量之和設成為PID的值(大小)。

＜實施例2＞　　在實施例2中，係首先準備了由鋁合金製構成之四角形框狀的防塵薄膜組件框架。在該防塵薄膜組件框架中，係如圖2所示般的中空部6僅被形成於4個角部。防塵薄膜組件框架之外尺寸為149mm×115mm×3.15mm，框架寬度為1.95mm。

中空部之高度，係相對於防塵薄膜組件框架的高度具有73%的大小，中空部之寬度，係相對於防塵薄膜組件框架之寬度具有36%的大小。中空部之剖面積，係相對於防塵薄膜組件框架剖面積(中空部亦包含作為剖面積)具有26%的大小。又，防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩，係相對於直線部中之剖面二次力矩具有86%的大小。

將所製作之防塵薄膜組件貼附於150mm四方的光罩基板，進行了PID之評估，其結果，係PID的值為27nm。

＜實施例3~6＞　　在實施例3~6中，係首先準備了由鋁合金製構成之四角形框狀的防塵薄膜組件框架。在各防塵薄膜組件框架中，係形成有如圖6所示般的中空部6與中空部7。在此，係中空部之剖面積在直線部與角部不同。另外，圖6，係表示被形成於角部內部之中空部的剖面積大於被形成於直線部內部之中空部的剖面積之情形。

又，防塵薄膜組件框架之外尺寸為149mm×115mm×3.15mm，框架寬度為1.95mm。又，形成有中空部之部位的剖面形狀，係如圖5所示般的形狀，中空部之大小或剖面二次力矩I_x ，係分別被設計為如表1所示。

而且，在各防塵薄膜組件框架中，係形成有4處φ0.5mm的通氣孔與φ1.6mm且深度為1.3mm的夾具孔。另外，中空部，係被設置於距該些通氣孔及夾具孔之中心5mm的位置。又，各防塵薄膜組件框架，係將二個構件固態接合而製作者，該二個構件，係在成為中空部的位置設置了溝。

將所製作之防塵薄膜組件貼附於150mm四方的光罩基板，進行了PID之評估，其結果，係如表1所示。

＜比較例1＞　　在比較例1中，係首先準備了由鋁合金製構成之四角形框狀的防塵薄膜組件框架。防塵薄膜組件框架之外尺寸為149mm×115mm×3.15mm，框架寬度為1.95mm。另外，在該防塵薄膜組件框架，係未形成中空部(未圖示)。因此，剖面二次力矩I_x ，係5.08mm⁴ 。又，在該防塵薄膜組件框架中，係形成有4處φ0.5mm的通氣孔與φ1.6mm且深度為1.3mm的夾具孔。

將所製作之防塵薄膜組件貼附於150mm四方的光罩基板，進行了PID之評估，其結果，係PID的值為37nm，相較於實施例1~6具有較大的數值。

＜比較例2＞　　在比較例2中，係首先準備了由鋁合金製構成之四角形框狀的防塵薄膜組件框架。在該防塵薄膜組件框架中，雖係形成有如圖7所示般的中空部7，但在角部並未形成有中空部6。防塵薄膜組件框架之外尺寸為149mm×115mm×3.15mm，框架寬度為1.95mm。

又，形成有中空部7之部位的剖面形狀，係如圖5所示般的形狀，B=1.95mm、H=3.15mm、b=0.70mm、h=2.30mm。此時之剖面二次力矩I_x ，係4.37mm⁴ 。

中空部7之高度，係相對於防塵薄膜組件框架的高度具有73%的大小，中空部7之寬度，係相對於防塵薄膜組件框架之寬度具有36%的大小。中空部7之剖面積，係相對於防塵薄膜組件框架剖面積(中空部亦包含作為剖面積)具有26%的大小。又，防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩，係相對於直線部中之剖面二次力矩具有116%的大小。

而且，在該防塵薄膜組件框架中，係形成有4處φ0.5mm的通氣孔與φ1.6mm且深度為1.3mm的夾具孔。另外，中空部7，係被設置於距該些通氣孔及夾具孔之中心5mm的位置。又，該防塵薄膜組件框架，係將二個構件固態接合而製作者，該二個構件，係在成為中空部的位置設置了溝。

將所製作之防塵薄膜組件貼附於150mm四方的光罩基板，進行了PID之評估，其結果，係PID的值為30nm，相較於實施例1~6具有較大的數值。

＜比較例3＞　　在比較例3中，係首先準備了由鋁合金製構成之四角形框狀的防塵薄膜組件框架。該防塵薄膜組件框架，係除了形成有通氣孔與夾具孔的部位以外，形成為如圖8所示般之I形狀的剖面。又，防塵薄膜組件框架之外尺寸為149mm×115mm×3.15mm，框架寬度為1.95mm。在此，具有像這樣的剖面構造之防塵薄膜組件框架的剖面二次力矩I_x ，係由與具有中空部的剖面構造之防塵薄膜組件框架相同的以下式子來表示。

因此，剖面二次力矩I_x ，係4.08mm⁴ 。

在該防塵薄膜組件框架中，係形成有4處φ0.5mm的通氣孔與φ1.6mm且深度為1.3mm的夾具孔。又，該防塵薄膜組件框架，係距該些通氣孔及夾具孔之中心5mm的位置之剖面形狀形成為I形狀。

將所製作之防塵薄膜組件貼附於150mm四方的光罩基板，進行了PID之評估，其結果，係PID的值為26nm。

彙整以上之結果，根據上述表1，從實施例1~6與比較例1及2的比較確認到：當減小防塵薄膜組件框架之剖面二次力矩I_x 時，則PID亦有變小的傾向。又，從實施例2與比較例1的比較亦確認到：當在防塵薄膜組件框架之角部形成中空部時，則防塵薄膜組件框架之剖面二次力矩I_x 變小而有效地抑制PID。

而且，從實施例1、4~6與實施例3的比較亦確認到：防塵薄膜組件框架之角部的剖面二次力矩小於直線部的剖面二次力矩者，係更有效地抑制PID。

又，另一方面，從實施例1與比較例3的比較確認到：即便為實施例1之剖面二次力矩I_x 大於比較例3的情況下，由於如實施例1般，亦能以在防塵薄膜組件框架之角部形成中空部的方式，更減小PID之數值，因此，在角部內部形成中空部者，係更有效地抑制PID。

1‧‧‧防塵薄膜組件框架2‧‧‧直線部3‧‧‧角部4‧‧‧通氣孔(貫通孔)5‧‧‧夾具孔6‧‧‧角部內部之中空部7‧‧‧直線部內部之中空部

[圖1] 本發明之防塵薄膜組件框架的外觀示意圖。　　[圖2] 在本發明之角部形成了中空部之防塵薄膜組件框架構造的示意圖。　　[圖3] 在本發明之角部與直線部形成了中空部之防塵薄膜組件框架構造的示意圖。　　[圖4] 將本發明之角部的中空部與直線部的中空部連通之防塵薄膜組件框架構造的示意圖。　　[圖5] 本發明之防塵薄膜組件框架之中空部之剖面形狀的示意圖。　　[圖6] 連通了本發明之角部的中空部與直線部的中空部之防塵薄膜組件框架構造的示意圖。　　[圖7] 比較例2之防塵薄膜組件框架構造的示意圖。　　[圖8] 比較例3之防塵薄膜組件框架之剖面形狀的示意圖。

1‧‧‧防塵薄膜組件框架

4‧‧‧通氣孔(貫通孔)

5‧‧‧夾具孔

6‧‧‧角部內部之中空部

7‧‧‧直線部內部之中空部

Claims

一種防塵薄膜組件框架，係多角形框狀，該防塵薄膜組件框架，其特徵係，在該防塵薄膜組件框架之角部內部形成中空部，前述中空部，係具有被其周圍之上端面、下端面、外側面及內側面包圍而不會露出的區域。
如申請專利範圍第1項之防塵薄膜組件框架，其中，在前述防塵薄膜組件框架之直線部內部形成有中空部。
如申請專利範圍第2項之防塵薄膜組件框架，其中，被形成於前述防塵薄膜組件框架之角部內部的中空部與被形成於直線部內部的中空部連通。
如申請專利範圍第2或3項之防塵薄膜組件框架，其中，被形成於前述防塵薄膜組件框架之角部內部的中空部之剖面積比被形成於直線部內部的中空部之剖面積大。
一種防塵薄膜組件框架，係在內部形成有中空部之形狀的防塵薄膜組件框架，其特徵係，具有從該中空部至防塵薄膜組件框架表面的貫通孔，前述中空部，係具有被其周圍之上端面、下端面、外側面及內側面包圍而不會露出的區域。
如申請專利範圍第1、2、3、5中任一項之防塵薄膜組件框架，其中，前述防塵薄膜組件框架，係將二個多角形框狀之構件接合而構成，前述中空部，係藉由被設置於至少一方之前述多角形框狀之構件的接合面之溝而形成。
如申請專利範圍第6項之防塵薄膜組件框架，其中，前述二個多角形框狀之構件，係藉由固態接合而接合。
一種防塵薄膜組件框架，係多角形框狀，該防塵薄膜組件框架，其特徵係，該防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩比直線部中之剖面二次力矩小，前述防塵薄膜組件框架，係在內部形成中空部，該中空部，係具有被其周圍之上端面、下端面、外側面及內側面包圍而不會露出的區域。
如申請專利範圍第8項之防塵薄膜組件框架，其中，前述防塵薄膜組件框架的角部中之剖面二次力矩，係相對於直線部中之剖面二次力矩具有85%以上未滿100%的大小。
一種防塵薄膜組件，其特徵係，使用如申請專利範圍第1~9項中任一項之防塵薄膜組件框架。
一種附有防塵薄膜組件之曝光原版，其特徵係，將如申請專利範圍第10項之防塵薄膜組件設置於曝光原版。
一種半導體元件製造用之曝光方法，其特徵係，使用如申請專利範圍第11項之附有防塵薄膜組件之曝光原版進行曝光。
一種液晶顯示器製造用之曝光方法，其特徵係，使用如申請專利範圍第11項之附有防塵薄膜組件之曝光原版進行曝光。
一種半導體元件之製造方法，其特徵係，具有使用如申請專利範圍第11項之附有防塵薄膜組件之曝光原版進行曝光的工程。
一種液晶顯示器之製造方法，其特徵係，具有使用如申請專利範圍第11項之附有防塵薄膜組件之曝光原版進行曝光的工程。