TW202129404A - 防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法 - Google Patents

防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202129404A
TW202129404A TW109144784A TW109144784A TW202129404A TW 202129404 A TW202129404 A TW 202129404A TW 109144784 A TW109144784 A TW 109144784A TW 109144784 A TW109144784 A TW 109144784A TW 202129404 A TW202129404 A TW 202129404A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pellicle
frame
exposure
protective film
width
Prior art date
Application number
TW109144784A
Other languages
English (en)
Inventor
西村晃範
Original Assignee
日商信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越化學工業股份有限公司 filed Critical 日商信越化學工業股份有限公司
Publication of TW202129404A publication Critical patent/TW202129404A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明的目的在於提供一種防護薄膜框架及使用其的防護薄膜，所述防護薄膜框架可抑制高速掃描運動中容易產生的亂流，緩和曝光時的高速掃描運動時的防護薄膜膜片的振動，抑制覆蓋惡化。本發明的防護薄膜框架為構成光微影用的防護薄膜的防護薄膜框架，所述防護薄膜框架的特徵在於：所述防護薄膜框架的外周側面形成為流線形狀，且該形成為流線形狀的外周部分的寬度為防護薄膜框架的高度的50%以上，並且尤其適宜的是所述流線形狀為圓弧形狀。

Description

防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法
本發明是有關於一種防護薄膜框架（pellicle frame）、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法。
於製造半導體裝置（device）或液晶顯示器等時的光微影步驟中，藉由對塗佈有抗蝕劑的半導體晶圓或液晶用原版照射光來製作圖案，若此時使用的光罩及網線（reticle）（以下，光罩）附著有異物，則該異物會吸收光，或者會使光彎曲，因此所轉印的圖案變形，或者邊緣粗雜，此外，還存在基底被染黑，尺寸、品質、外觀等受損的問題。
該些光微影步驟通常是於無塵室（clean room）內進行，但即便如此，亦難以使曝光原版始終保持潔淨，因此，通常採用於曝光原版設置被稱為防護薄膜的異物去除器而進行曝光的方法。
此種防護薄膜通常包括：框狀的防護薄膜框架、張設於防護薄膜框架的上端面的防護薄膜膜片、以及形成於防護薄膜框架的下端面的氣密用襯墊（gasket）等。其中的防護薄膜膜片包含對於曝光光顯示出高的透過率的材料，且氣密用襯墊使用黏著劑等。
若將此種防護薄膜設置於光罩，則異物不會直接附著於光罩，而是附著於防護薄膜上。而且，若於光微影中使焦點於光罩的圖案上對焦，則防護薄膜上的異物便與轉印無關，可抑制圖案的變形等問題。
且說，於此種光微影技術中，作為提高解析度的手段，正推進曝光光源的短波長化。直至目前為止，曝光光源自基於水銀燈的g射線（436 nm）、i射線（365 nm）轉移為KrF準分子雷射（248 nm），並且，近年來，於需要進行微細的加工時最頻繁地使用ArF準分子雷射（193 nm）。
近年來，為了使用ArF準分子雷射進行更微細的加工，而使用液浸曝光裝置。藉由利用液體將曝光裝置的接物鏡與矽晶圓之間填滿，而實現更高的數值孔徑（numerical aperture，NA），結果，獲得更高的解析度。若如此將曝光裝置設為高NA化，則於透過防護薄膜的光中，在周邊部中斜入射的角度變大。防護薄膜的透過率通常是以對於垂直入射光可獲得極大透過率的方式設定，但可見隨著入射角變大而透過率下降的現象。關於該透過率的減少的程度，可見於防護薄膜膜片的膜厚厚的情況下顯著。因此，為了對於斜入射光亦獲得高的透過率，通常將防護薄膜膜片薄膜化。
但是，若將防護薄膜膜片薄膜化，則存在膜的強度隨之下降的問題。即，曝光時，將防護薄膜貼附於光罩基板而製作的光罩單元進行高速掃描運動，因此，於防護薄膜膜片的強度小的情況下，膜容易因高速掃描運動中的亂流的影響而振動。即，因防護薄膜膜片振動，而曝光光於通過防護薄膜膜片時容易紊亂，有圖案自原本設為目標的位置偏移而圖案的位置精度（覆蓋（overlay））惡化的可能性。
再者，作為與提高覆蓋的製程相關聯的現有技術，可列舉以下的公開公報。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2018-508048號公報 [專利文獻2]國際公開第2012/080008號
[發明所欲解決之課題] 本發明是鑑於所述情況而成，其目的在於提供一種防護薄膜框架及使用其的防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版、曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法，所述防護薄膜框架可抑制高速掃描運動中容易產生的亂流，緩和曝光時的高速掃描運動時的防護薄膜膜片的振動，抑制覆蓋惡化。
[解決課題之手段] 本發明者為了解決所述課題而進行了努力研究，結果獲得了如下見解，從而形成了本發明：藉由將防護薄膜框架的外周側面部設為特定的流線型的形狀，而空氣的剝離變小，可減小空氣阻力，並且，結果可抑制高速掃描運動中的亂流，可抑制曝光後的覆蓋的惡化。
因此，本發明提供以下的防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法。 1. 一種防護薄膜框架，其為構成光微影用的防護薄膜的防護薄膜框架，且其特徵在於：所述防護薄膜框架的外周側面形成為流線形狀，並且形成為所述流線形狀的外周側面部分的寬度為防護薄膜框架的高度的50%以上。 2. 一種防護薄膜框架，其特徵在於：外周側面具有形成為流線形狀的部分，並且形成為所述流線形狀的外周側面部分的寬度為防護薄膜框架的高度的50%以上。 3. 如所述1或2記載的防護薄膜框架，其中流線形狀為圓弧形狀。 4. 如所述1或2記載的防護薄膜框架，其中設置於曝光原版的一側（下端面側）的防護薄膜寬度（w）大於設置防護薄膜膜片的一側（上端面側）的防護薄膜寬度（B）。 5. 如所述1或2記載的防護薄膜框架，其中所述防護薄膜寬度（B）為所述防護薄膜寬度（w）的60%以下。 6. 如所述1或2記載的防護薄膜框架，其中外周側面的寬度是自設置於曝光原版的一側（下端面側）朝向設置防護薄膜膜片的一側（上端面側）逐漸減小。 7. 一種防護薄膜，其特徵在於包括：如所述1或2記載的防護薄膜框架以及防護薄膜膜片。 8. 如所述7記載的防護薄膜，其中所述防護薄膜膜片的膜厚為500 nm以下。 9. 如所述7記載的防護薄膜，其為300 mm/秒以上的掃描速度下的曝光中所使用的防護薄膜。 10. 一種帶防護薄膜的曝光原版，其特徵在於：於曝光原版裝設有如所述7記載的防護薄膜。 11. 一種曝光方法，其特徵在於：藉由如所述10記載的帶防護薄膜的曝光原版來進行基板的曝光。 12. 如所述11記載的曝光方法，其中以300 mm/秒以上的掃描速度對基板進行曝光。 13. 一種半導體的製造方法，其特徵在於包括：使用如所述10記載的帶防護薄膜的曝光原版對基板進行曝光的步驟。 14. 如所述13記載的半導體的製造方法，其中對基板進行曝光的步驟為以300 mm/秒以上的掃描速度進行基板的曝光的步驟。 15. 一種液晶顯示器的製造方法，其特徵在於包括：使用如所述10記載的帶防護薄膜的曝光原版對基板進行曝光的步驟。 16. 如所述15記載的液晶顯示器的製造方法，其中對基板進行曝光的步驟為以300 mm/秒以上的掃描速度進行基板的曝光的步驟。
[發明的效果] 根據本發明的防護薄膜框架，與先前的防護薄膜框架相比，藉由將框架的外側形狀設為流線型，可抑制高速掃描運動中容易產生的亂流，緩和曝光時的高速掃描運動時的防護薄膜膜片的振動，可抑制覆蓋惡化，於微細的圖案形成步驟中有效。因此，使用本發明的防護薄膜框架的防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法於微影技術中有用。
以下，對本發明的一實施形態進行詳細說明，但本發明並不限定於此。
關於本發明的防護薄膜框架，其形狀為多邊形框狀，且具有直線部10a以及角部10b。通常為如圖1所示般的四邊形框狀。圖1的直線部10a相交的角部10b可設為R形狀，雖未特別進行圖示，但亦可設置通氣孔或夾具孔。
本發明的防護薄膜框架藉由將該框架的外側形狀設為流線形狀（流線型），而與先前的防護薄膜框架相比，可抑制高速掃描運動中產生的亂流，可緩和由曝光時的高速掃描運動引起的防護薄膜膜片的振動，可有效地抑制覆蓋惡化。
所述防護薄膜框架的外周側面的全部或一部分被形成為流線形狀。作為該流線形狀，較佳為具有曲線形狀或彎曲形狀的形狀，具體而言，可列舉圓弧狀、橢圓弧狀等形狀。尤其是，防護薄膜框架的外周側面理想的是呈現出寬度自設置於曝光原版的一側（下端面側）朝向設置防護薄膜膜片的一側（上端面側）逐漸減小的形狀。
如圖2所示，所述防護薄膜框架的形成為流線形狀的外周側面部分10c的寬度是指防護薄膜框架的橫剖面的整體寬度（w=B+b）中、形成外周側面部分的最大寬度b，於圖2中是指圓弧狀部20的底寬度b。
所述防護薄膜框架的形成為流線形狀的外周側面部分的寬度b適宜的是防護薄膜框架的高度H的50%以上，更佳為70%以上，進而佳為90%以上，最佳為100%。若所述外周側面部分的寬度b小於50%，則於高速掃描運動中流線型部所承受的空氣阻力變大，膜容易因亂流的影響而振動，存在覆蓋惡化的擔憂。再者，就確保曝光面積的觀點而言，外周側面部分的寬度b的上限為防護薄膜框架的高度H的200%左右。
另外，於圖2中，防護薄膜的整體寬度w、即、設置於曝光原版的一側（下端面側）的防護薄膜寬度w較佳為大於設置防護薄膜膜片的一側（上端面側）的防護薄膜寬度B。該情況下，所述防護薄膜寬度B較佳為所述防護薄膜寬度w的60%以下，更佳為50%以下，進而佳為40%以下。其下限值並無特別限制，就容易設置防護薄膜膜片的方面而言，較佳為30%以上。
關於所述防護薄膜框架的材質，並無特別限定，可使用公知的材料。例如可列舉：鋁、鋁合金、鋼鐵、不鏽鋼、黃銅、因鋼（invar）、超級因鋼（super invar）等金屬或合金，聚乙烯（polyethylene，PE）樹脂、聚醯胺（polyamide，PA）樹脂、聚醚醚酮（polyether-ether-ketone，PEEK）樹脂等工程塑膠，玻璃纖維強化塑膠（Glass Fiber Reinforced Plastics，GFRP）、碳纖維強化塑膠（Carbon Fiber Reinforced Plastics，CFRP）等纖維複合材料等。
較佳為所述防護薄膜框架的表面被處理為黑色，並且視需要實施塗裝等表面處理以防止揚塵。例如，於使用鋁合金的情況下，較佳為實施氧化鋁膜處理（alumite process）或化成處理等表面處理，於鋼鐵、不鏽鋼等的情況下，較佳為實施鍍黑色鉻等表面處理。
為了捕捉或固定浮游異物，可於所述防護薄膜框架的內表面塗佈丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑等黏著性物質。另外，出於防止揚塵的目的，可於防護薄膜框架的僅內表面、或其整面形成丙烯酸系樹脂、氟系樹脂等非黏著性樹脂的被膜。該些黏著性樹脂、非黏著性樹脂的被膜的形成可藉由噴霧、浸漬、粉體塗裝、電沈積塗裝等公知的方法來施工。
另外，於所述防護薄膜框架的外表面，為了用於處理（handling）等，亦可設置多處夾具孔或槽。進而，亦可藉由機械刻印或雷射標示（laser marking）來設置型號、製造編號、條碼（bar code）等標記。
關於本發明的防護薄膜框架，可對其設置防護薄膜膜片、黏著劑層等來製作防護薄膜。
所述防護薄膜膜片是根據使用的曝光光源，自纖維素系樹脂、氟系樹脂等材料中選擇最佳者，就透過率、機械強度等觀點而言，自0.1 μm～10 μm左右的範圍中選擇最佳的膜厚來進行製作，並且視需要可賦予抗反射層。尤其是，於使用極紫外光（Extreme UltraViolet Light，EUV光）作為曝光光源的情況下，可使用膜厚為1 μm以下的極薄的矽膜或石墨烯膜、類鑽碳膜、碳奈米管膜等碳膜等。尤其是，防護薄膜膜片的膜厚較佳為500 nm以下，更佳為300 nm以下。就防護薄膜膜片的強度的方面而言，防護薄膜膜片的膜厚的下限值適宜的是20 nm以上。
所述防護薄膜膜片並不僅限定於薄膜，亦可採用包括對防護薄膜膜片進行支撐的支撐框者。例如，可採用如下方法：於矽晶圓上形成防護薄膜膜片，僅對用作防護薄膜膜片的部位進行背面蝕刻而去除矽晶圓，藉此製作防護薄膜膜片。該情況下，防護薄膜膜片可於由矽框支撐的狀態下獲得。而且，用於在防護薄膜框架的上端面張設防護薄膜膜片的接著劑可使用丙烯酸系接著劑、氟系接著劑、矽酮系接著劑等公知的接著劑。
關於使用有本發明的防護薄膜框架的防護薄膜，亦可設置通氣孔以調整內部的氣壓，亦可於其外側安裝過濾器以防止異物的侵入，所述過濾器包含聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）等多孔質薄膜。此時，關於過濾器的安裝，可設置適當的材質的黏著層等並直接貼附於防護薄膜框架的外表面等。而且，關於該些通氣孔或過濾器的配置位置或個數、其形狀，可考慮到所要求的通氣性或處理的情況等來適宜地決定。
用於將所述防護薄膜裝設於光罩的黏著劑層是設置於防護薄膜框架的下端面。作為黏著劑層的材質，可使用橡膠系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯（styrene-ethylene-butylene-styrene，SEBS）黏著劑、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯（styrene-ethylene-propylene-styrene，SEPS）黏著劑、矽酮黏著劑等公知者。另外，較佳為成為霧度的原因的逸氣的產生少的材質。
為了確保將所述防護薄膜裝設於光罩後的穩定性或減低對光罩造成的影響，黏著劑層表面的平面度較佳為設為30 μm以下。另外，剖面形狀或厚度只要視需要進行選擇即可，例如，可將剖面形狀設為半圓型的凸形狀。
於黏著劑層的表面，可以厚度50 μm～300 μm左右設置對聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）製膜（film）等的表面賦予剝離性的隔離膜（separator）。其是為了保護黏著劑層，且亦可藉由防護薄膜的殼體或防護薄膜的支撐手段等措施來省略。
關於使用有所述防護薄膜框架的防護薄膜，於使將所述防護薄膜貼附於光罩基板而製作的光罩單元進行高速掃描運動的狀態下，進行圖案化，可藉由自目標位置向X方向及Y方向的位置偏移來評價覆蓋精度，向兩方向的偏移越小越理想。對下一代的半導體裝置或液晶顯示器要求形成極其微細化的圖案，覆蓋的位置精度較佳為1 nm以下。關於自圖案化的目標位置向X方向及Y方向的位置偏移的測定，例如可使用阿斯麥（ASML）公司製造的晶圓測定機「耶魯德斯達（YIELDSTAR）T-250D」等進行測定。
使用本發明的防護薄膜框架的防護薄膜於應用於如下用途、即、光罩的歪斜尤其成為問題的用於製造半導體的用途時，效果特別大，但並不限定於該用途。例如，不僅在用於製造一邊為150 mm左右的半導體的用途中，而且在用於製造一邊為200 mm～300 mm的印刷基板的用途以及用於製造一邊接近500 mm～2000 mm的液晶、有機電致發光（electroluminescence，EL）顯示器的用途中，均可應用於因貼附防護薄膜而光罩的變形成為問題般的所有防護薄膜中。
本發明的防護薄膜不僅可作為用於在曝光裝置內抑制異物附著於曝光原版的保護構件，而且亦可作為於曝光原版的保管時或於曝光原版的搬運時用於保護曝光原版的保護構件。將防護薄膜裝設於光罩等曝光原版並製造帶防護薄膜的曝光原版的方法除了存在利用所述光罩用黏著劑進行貼附的方法以外，還存在靜電吸附法、進行機械性固定的方法等。
本發明的實施形態的半導體或液晶顯示器的製造方法包括利用帶防護薄膜的曝光原版對基板（半導體晶圓或液晶用原版）進行曝光的步驟。例如，於作為半導體或液晶顯示器的製造步驟之一的微影步驟中，為了於基板上形成與積體電路等對應的光阻劑圖案，而於步進器設置帶防護薄膜的曝光原版進行曝光。通常，於EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射並被引導至基板的投影光學系統，該些是於減壓或真空下進行。藉此，假設即便於微影步驟中異物附著於防護薄膜上，該些異物亦不會於塗佈有光阻劑的晶圓上成像，因此可防止由異物的像引起的積體電路等的短路或斷線等。因此，藉由使用帶防護薄膜的曝光原版，可提高微影步驟中的良率。
於半導體等的製造中所使用的曝光裝置中，通常使用接觸曝光、近接式曝光、鏡面-投影曝光、步進與重覆型投影曝光裝置、步進與掃描型投影曝光裝置等。此處，於步進與掃描型投影曝光裝置中，例如，一面以細狹縫對曝光原版的圖案進行掃描，一面將電路圖案轉印到晶圓上，因此，曝光原版與晶圓以與投影光學系統的倍率相應的掃描速度同步移動。此時，黏貼於曝光原版的防護薄膜亦同樣地移動。
於本發明中，若將該掃描速度設為300 mm/秒以上，則可使外部氣體與防護薄膜有效地摩擦，可使防護薄膜框架帶電。該掃描速度於慢的情況下並無大的影響，但於變快的情況下，振動等對於防護薄膜、光罩、基板、曝光裝置的構成零件等的影響變大，並不期望的異物的產生頻率變高。因此，關於本發明的防護薄膜，掃描速度越快越有效果，亦可應對550 mm/秒以上的掃描速度、進而700 mm/秒以上的超高速的掃描速度。掃描速度的上限依存於曝光裝置的性能，通常為2000 mm/秒左右。 [實施例]
以下，示出實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明不受下述實施例的限制。
〔實施例1〕 於實施例1中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。另外，於該防護薄膜框架的短邊的中央部，亦設置直徑0.5 mm的過濾器孔。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=3.15 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為100%的長度，b相對於H即寬度比為100%。
其次，利用純水對所準備的防護薄膜框架進行清洗後，於防護薄膜框架的上端面塗佈矽酮黏著劑（信越化學工業（股）製造的KE-101A/B），於下端面塗佈丙烯酸黏著劑（綜研化學（股）製造的SK戴恩（SK-Dyne）1495）。
繼而，於塗佈有矽酮黏著劑的防護薄膜框架的上端面，貼附防護薄膜膜片，所述防護薄膜膜片包含以全氟丁烯基乙烯基醚為主成分的聚合物，並將較防護薄膜框架而言更向外側伸出的防護薄膜膜片去除，藉此完成防護薄膜。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為0.54 nm。再者，將向光罩貼附防護薄膜的條件設為負荷5 kgf、負荷時間30秒。
〔實施例2〕 於實施例2中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=2.835 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為90%的長度，b相對於H即寬度比為90%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為0.55 nm。
〔實施例3〕 於實施例3中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=2.52 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為80%的長度，b相對於H即寬度比為80%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為0.67 nm。
〔實施例4〕 於實施例4中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=2.205 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為70%的長度，b相對於H即寬度比為70%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為0.75 nm。
〔實施例5〕 於實施例5中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=1.89 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為60%的長度，b相對於H即寬度比為60%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為0.88 nm。
〔實施例6〕 於實施例6中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=1.575 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為50%的長度，b相對於H即寬度比為50%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為0.97 nm。
〔比較例1〕 於比較例1中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=1.26 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為40%的長度，b相對於H即寬度比為40%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為1.07 nm。
〔比較例2〕 於比較例2中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=0.945 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為30%的長度，b相對於H即寬度比為30%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為1.15 nm。
〔比較例3〕 於比較例3中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=0.63 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為20%的長度，b相對於H即寬度比為20%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為1.20 nm。
〔比較例4〕 於比較例4中，首先，準備鋁合金製且外周部為流線型的四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。
進而，防護薄膜框架的剖面形狀為如圖2所示般的形狀，且B=1.95 mm、H=3.15 mm、b=0.315 mm。此時的b（圓弧部的底部寬度）相對於H（框架高度）而為10%的長度，b相對於H即寬度比為10%。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為1.24 nm。
〔比較例5〕 於比較例5中，首先，準備鋁合金製四邊形框狀防護薄膜框架。防護薄膜框架的外形尺寸為149 mm×115 mm×3.15 mm，框架寬度為1.95 mm。再者，於該防護薄膜框架的外周部並未形成流線型（未圖示）。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，評價覆蓋精度，結果，覆蓋為1.24 nm。
[表1]
  實施例 比較例
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5
外形 尺寸 寬度B[mm] 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95
高度H[mm] 3.15 3.15 3.15 3.15 3.15 3.15 3.15 3.15 3.15 3.15 3.15
圓弧部 寬度b[mm] 3.15 2.835 2.52 2.205 1.89 1.575 1.26 0.945 0.63 0.315 0
寬度比[%] 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0
覆蓋[nm] 0.54 0.55 0.67 0.75 0.88 0.97 1.07 1.15 1.2 1.24 1.24
根據彙總以上結果的所述表1，由實施例1～實施例6與比較例1～比較例5的比較而確認到：若於框架外周部形成流線型，並增大流線型圓弧部的底部寬度相對於框架高度的比，則存在覆蓋惡化變小的傾向。
10:防護薄膜框架 10a:直線部 10b:角部 10c:外周側面部分 L1:防護薄膜框架的縱向長度 L2:防護薄膜框架的橫向長度 H:防護薄膜框架的高度 w:防護薄膜框架的寬度 b:圓弧部的底部寬度/外周側面部分的寬度 B:防護薄膜寬度
圖1是本發明的防護薄膜框架的平面圖。 圖2是圖1的防護薄膜的沿著X-X方向的剖面圖。
10:防護薄膜框架
10c:外周側面部分
H:防護薄膜框架的高度
w:防護薄膜框架的寬度
b:圓弧部的底部寬度/外周側面部分的寬度
B:防護薄膜寬度

Claims (16)

  1. 一種防護薄膜框架，其為構成光微影用的防護薄膜的防護薄膜框架，且其特徵在於：所述防護薄膜框架的外周側面形成為流線形狀，並且形成為所述流線形狀的外周側面部分的寬度為防護薄膜框架的高度的50%以上。
  2. 一種防護薄膜框架，其特徵在於：外周側面具有形成為流線形狀的部分，並且形成為所述流線形狀的外周側面部分的寬度為防護薄膜框架的高度的50%以上。
  3. 如請求項1或請求項2所述的防護薄膜框架，其中流線形狀為圓弧形狀。
  4. 如請求項1或請求項2所述的防護薄膜框架，其中設置於曝光原版的一側（下端面側）的防護薄膜寬度（w）大於設置防護薄膜膜片的一側（上端面側）的防護薄膜寬度（B）。
  5. 如請求項1或請求項2所述的防護薄膜框架，其中所述防護薄膜寬度（B）為所述防護薄膜寬度（w）的60%以下。
  6. 如請求項1或請求項2所述的防護薄膜框架，其中外周側面的寬度是自設置於曝光原版的一側（下端面側）朝向設置防護薄膜膜片的一側（上端面側）逐漸減小。
  7. 一種防護薄膜，其特徵在於包括：如請求項1或請求項2所述的防護薄膜框架以及防護薄膜膜片。
  8. 如請求項7所述的防護薄膜，其中所述防護薄膜膜片的膜厚為500 nm以下。
  9. 如請求項7所述的防護薄膜，其為300 mm/秒以上的掃描速度下的曝光中所使用的防護薄膜。
  10. 一種帶防護薄膜的曝光原版，其特徵在於：於曝光原版裝設有如請求項7所述的防護薄膜。
  11. 一種曝光方法，其特徵在於：藉由如請求項10所述的帶防護薄膜的曝光原版來進行基板的曝光。
  12. 如請求項11所述的曝光方法，其中以300 mm/秒以上的掃描速度對基板進行曝光。
  13. 一種半導體的製造方法，其特徵在於包括：使用如請求項10所述的帶防護薄膜的曝光原版對基板進行曝光的步驟。
  14. 如請求項13所述的半導體的製造方法，其中對基板進行曝光的步驟為以300 mm/秒以上的掃描速度進行基板的曝光的步驟。
  15. 一種液晶顯示器的製造方法，其特徵在於包括：使用如請求項10所述的帶防護薄膜的曝光原版對基板進行曝光的步驟。
  16. 如請求項15所述的液晶顯示器的製造方法，其中對基板進行曝光的步驟為以300 mm/秒以上的掃描速度進行基板的曝光的步驟。
TW109144784A 2020-01-21 2020-12-17 防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法 TW202129404A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020007569 2020-01-21
JP2020-007569 2020-01-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202129404A true TW202129404A (zh) 2021-08-01

Family

ID=76992271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109144784A TW202129404A (zh) 2020-01-21 2020-12-17 防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示器的製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230061797A1 (zh)
EP (1) EP4095600A4 (zh)
JP (1) JP7331955B2 (zh)
KR (1) KR20220127850A (zh)
CN (1) CN114930248A (zh)
TW (1) TW202129404A (zh)
WO (1) WO2021149615A1 (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4007752B2 (ja) * 1999-07-30 2007-11-14 旭化成エレクトロニクス株式会社 大型ペリクル用枠体及び大型ペリクル
SG118242A1 (en) * 2003-04-30 2006-01-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus device manufacturing methods mask and method of characterising a mask and/or pellicle
JP2005308901A (ja) * 2004-04-19 2005-11-04 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレーム及びそれを用いたフォトリソグラフィー用ペリクル
JP4358683B2 (ja) 2004-05-31 2009-11-04 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びフォトリソグラフィー用ペリクル
WO2009008294A1 (ja) * 2007-07-06 2009-01-15 Asahi Kasei E-Materials Corporation 大型ペリクルの枠体及び該枠体の把持方法
JP2009128477A (ja) 2007-11-21 2009-06-11 Fujitsu Microelectronics Ltd ペリクル、及びペリクル付きフォトマスク
JP2011099946A (ja) * 2009-11-05 2011-05-19 Lasertec Corp ペリクル装着方法
KR101983525B1 (ko) 2010-12-17 2019-05-28 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 포토리소그래피 마스크에 의해 처리된 웨이퍼 상의 오류를 교정하기 위한 방법 및 장치
WO2016144690A1 (en) 2015-03-12 2016-09-15 Rave, Llc Apparatus and method for indirect surface cleaning
JP6632057B2 (ja) 2016-01-07 2020-01-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP6706575B2 (ja) * 2016-12-22 2020-06-10 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びこれを用いたペリクル

Also Published As

Publication number Publication date
US20230061797A1 (en) 2023-03-02
WO2021149615A1 (ja) 2021-07-29
EP4095600A4 (en) 2024-03-13
CN114930248A (zh) 2022-08-19
KR20220127850A (ko) 2022-09-20
JP7331955B2 (ja) 2023-08-23
EP4095600A1 (en) 2022-11-30
JPWO2021149615A1 (zh) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI758378B (zh) 防塵薄膜組件框架及使用該框架之防塵薄膜組件
US11599018B2 (en) Pellicle and method for producing the same
JP5285185B2 (ja) フォトマスクユニット及びその製造方法
KR101762957B1 (ko) 펠리클 및 그 부착 방법, 그리고 펠리클 부착 마스크 및 마스크
TWI815825B (zh) 防護薄膜框架及防護薄膜組件
JP4491382B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびペリクルを有するマスク
JP4007752B2 (ja) 大型ペリクル用枠体及び大型ペリクル
JP7331955B2 (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体又は液晶ディスプレイの製造方法
JP2022010209A (ja) ペリクル
CN215932363U (zh) 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统
JP7125835B2 (ja) ペリクル
CN216118382U (zh) 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统
TWM634756U (zh) 防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光系統、半導體元件的製造系統及液晶顯示器的製造系統