JP4491382B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびペリクルを有するマスク - Google Patents

リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびペリクルを有するマスク Download PDF

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Description

本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板の目標部分上に所望のパターンを投影する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造の際に使用することができる。このような状況において、マスクのようなパターニング装置を、ICの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用することができ、このパターンを放射線感光材料(レジスト)の層を有する基板(例えば、シリコン・ウェハ)上の目標部分(例えば、1つまたは数個のダイの一部を備える)上に画像形成することができる。一般的に、1つの基板は、順次露光される隣接する目標部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、1回で目標部分上の全パターンを露光することにより、各目標部分が照射されるいわゆるステッパ、および所与の方向(「走査」方向)に投影ビームを通してパターンを走査し、一方、この方向に平行にまたは逆平行に同期状態で基板を走査することにより各目標部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。
マスクを使用する大部分のリソグラフィ・プロセスの場合には、例えば、塵の粒子のような汚染からマスクのパターン面を保護するためにペリクル(外被)が使用される。193nmまでの露光波長の場合、従来は、ペリクルはマスクに固定されているフレーム上に引き延ばされた薄いポリマー・フィルムであった。薄いポリマー・ペリクルは、画像形成にほとんど影響しない。しかし、現時点では、例えば、157nmのような193nmより短い露光波長と一緒に使用するための十分丈夫で透明な薄いポリマー・フィルムを作ることはできない。それ故、これらの波長で、数百ミクロン(例えば、300または800μm)の厚さのクォーツ・プレートのような比較的厚いペリクルの使用が提案されている。このように厚いペリクルは、リソグラフィ装置で使用する場合には、平面でない形を使用していて、ある光学倍率を有する周囲の大気の屈折率とは異なる屈折率を有している。同時係属出願EP04252493.4号(出願人参照番号P−1543.020−EP)に、厚いペリクルの画像形成に対する影響を最小限度に少なくし、および/またはその形を最適化するための方法が記載されている。上記出願の全文は、参照により本明細書に援用する。しかし、本発明者は、上記方法によっては修正されない厚いペリクルによる画像形成に対する影響が依然として残っていることを突き止めた。
EP04252493.4号
本発明の1つの目的は、特に厚いペリクル、しかしこれに限定されないペリクルの使用による画像形成に対する影響を改善および/または補償することである。
ある態様によれば、本発明は、
・放射線の投影ビームを供給するための照明システムと、
・投影ビームにあるパターンの断面の形を与える働きをし、フレームによりそれに取り付けられたペリクルを有するマスクを支持するための支持構造と、
・基板を保持するための基板テーブルと、
・基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備え、
マスクの形に対するフレームおよびペリクルの機械的影響が画像形成に最適になるように、上記フレームおよび/またはペリクルの機械的特性を最適化することを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。
本発明者は、厚いペリクルによる投影された画像に対する影響は、平面でないペリクルの光学倍率だけによるものでないことを突き止めた。さらに、ペリクルを使用するとマスクの形が影響を受ける。従来、マスクの形が一次元方向、すなわち、非走査方向だけに湾曲するように、マスク・テーブル内でのマスクの装着は配列されてきた。マスク・テーブル内に装着した場合、マスクが自分自身の重量で下に向かって撓むのは避けることができない。マスクの一次元の形は、画像形成の際に修正することができ、この修正を行うために必要なデータは、装置のセットアップの一部となっている。しかし、校正はペリクルを含んでいない基準マスクを使用して行われ、デバイス製造用に実際に使用されるマスクの形は、ペリクルの存在により影響を受ける。それ故、本発明者は、フレームの機械的特性、特にその質量および剛性をチューニングまたは最適化すると、マスクの形に対する影響を軽減することができ、および/またはマスクの形を必ず最適にすることができることを突き止めた。ペリクルが取り付けられているマスクを使用しての校正は実用的ではない。何故なら、ペリクル毎の変動が非常に大きいからである。校正結果は他のペリクルには適用できない。
本発明のこの好ましい実施形態の場合には、マスクの下方への撓みを増大する傾向があるペリクルおよびフレームの質量、およびマスクの下方への撓みを小さくする傾向があるペリクルおよびフレームの剛性はバランスがとれているので、ペリクルが取り付けられているマスクは、ペリクルが取り付けられていないマスクとほぼ同じ形を使用している。すなわち、ペリクルおよびフレームは機械的には何の影響も及ぼさない。
マスクの形による画像の歪みも、光学的におよび/またはマスク・テーブルの移動により修正することができるが、その場合画像がボケる。本発明は、他の修正と一緒に使用することができ、画像の歪みと画像のボケとの間で妥協点を見いだすことができる。
本発明のある実施形態の場合には、スキャナにおいて2つの平行な第1のマスク縁部に沿ってマスクがマスク・テーブル内に装着される。この場合、上記縁部は走査方向に垂直であり、ペリクル・フレームは、上記第1のマスク縁部に平行な第1の側部部材に沿ってマスクおよびペリクルに固定される。好適には、上記フレームの上記第1の側部部材は、第2の側部部材により接合して長方形のフレームを形成し、上記マスクおよび上記ペリクルは、上記第2の側部部材に柔軟に密封される。ペリクルおよびマスクを第2の側部部材に密封するには、柔軟な接着剤を使用することができる。第2の側部部材の位置、およびフレーム、ペリクルおよびマスク間の柔軟な装着の剛性は、マスク−フレーム−ペリクルの組み合わせが所望の機械的特性を有するように選択することができる。
他の態様によれば、本発明はペリクル・フレームによりそれに取り付けられているペリクルを有するマスクを提供する。この場合、ペリクル・フレームは、相互にほぼ平行な第1の側面、および上記第1の側面にほぼ垂直な第2の側面を含む。上記ペリクルは、上記第1の側面に比較的しっかりと接続していて、上記第2の側面に比較的柔軟に接続している。
本発明のこの態様の実施形態の場合には、第2の側面自身の剛性は第1の側面の剛性よりも低い。第2の側面は、柔軟な接着剤によりマスクおよびペリクルに密封することができる。
他の態様によれば、本発明は、
・基板を供給する段階と、
・照明システムにより放射線の投影ビームを供給する段階と、
・投影ビームにあるパターンの断面の形を与えるために、フレームによりそれに取り付けられているペリクルを有するマスクを使用する段階と、
・基板の目標部分上に放射線のパターン化したビームを投影する段階とを含み、
マスクの形に対するフレームおよびペリクルの機械的影響が、画像形成に対して最適になるように、上記フレームおよび/またはペリクルの機械的特性が最適化されることを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
本明細書において、IC製造の際のリソグラフィ装置の使用について特に言及する場合があるが、本発明のリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内および検出パターン、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造のような他の用途にも使用することができることを理解されたい。当業者であれば、このような別の用途の場合、本明細書で使用する「ウェハ」または「ダイ」という用語は、それぞれもっと一般的な用語である「基板」または「目標部分」と同義語であると見なすことができることを理解することができるだろう。本明細書における基板は、例えば、トラック(通常、基板にレジストの層を塗布し、露光したレジストを現像するツール)または計測または検査ツールのような露光の前後で処理することができる。適用できる場合には、本明細書の開示を、上記および他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板を、例えば、多層ICを形成するために2回以上処理することができる。そのため、本明細書で使用する基板という用語は、多重処理層をすでに含んでいる基板を意味する場合もある。
本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外線(UV)放射線(例えば、365、248、193、157または126nmの波長を有する)を含むすべてのタイプの電磁放射線を含む。
本明細書で使用する「パターニング装置」という用語は、基板の目標部分でパターンを形成するためのような投影ビームにあるパターンの断面の形を与えるために使用することができる装置を意味するものとして広義に解釈すべきである。投影ビームに与えられたパターンの形は、基板の目標部分に所望のパターンと正確に対応しない場合があることに留意されたい。一般的に、投影ビームに与えられたパターンの形は、集積回路のような目標部分に形成中のデバイス内の特定の機能層に対応する。
パターニング装置は透過性のものであっても反射性のものであってもよい。パターニング装置の例としては、マスク、プログラマブル・ミラー・アレイおよびプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいては周知のもので、2進、交互位相シフト、および減衰位相シフト、並びに種々のハイブリッド・マスク・タイプのようなマスク・タイプを含む。プログラマブル・ミラー・アレイの一例は、小さなミラーのマトリックス配置を使用する。各ミラーは、異なる方向に入射放射線ビームを反射するように個々に傾斜することができる。それにより、反射ビームはパターン化される。パターニング装置の各例の場合、支持構造は、例えば、必要に応じて固定または移動することができ、また例えば、投影システムに対してパターニング装置を所望の位置に確実に位置させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。本明細書で使用する「レチクル」または「マスク」という用語は、もっと一般的な用語である「パターニング装置」と同義語であると見なすことができる。
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、例えば、使用する露光放射線用に、または浸漬流体の使用または真空の使用のような他の要因のために適している屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含む種々のタイプの投影システムを含むものとして広義に解釈すべきである。本明細書で使用する「レンズ」という用語は、もっと一般的な用語である「投影システム」と同義語であると見なすことができる。
照明システムは、また、放射線の投影ビームをある方向に向けたり、整形したり、または制御するための屈折、反射および反射屈折光学構成要素を含む種々のタイプの光学構成要素を含むことができ、このような構成要素は、また以下に説明するように、集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ぶ場合もある。
リソグラフィ装置は、2つ(二重ステージ)以上の基板テーブル(および/または2つ以上のマスク・テーブル)を有するタイプであってもよい。このような「多重ステージ」機械の場合には、追加のテーブルを並列に使用することができ、または準備工程を、1つまたは複数の他のテーブルを露光に使用しながら、1つまたは複数のテーブル上で実行することができる。
リソグラフィ装置は、また、投影システムの最終素子と基板との間の空間を満たすために、例えば、水のような屈折率が比較的高い液体に基板が浸漬されるタイプのものであってもよい。浸漬液体は、例えば、マスクと投影システムの第1の素子との間のようなリソグラフィ装置内の他の空間にも使用することができる。浸漬技術は、投影システムの開口数を増大するための当業者にとって周知の技術である。
添付の略図を参照しながら、本発明の実施形態について以下に説明するが、これは単に例示としてのものであり、これらの図面内の対応する参照符号は対応する部材を示す。
実施例
図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置の略図である。この装置は、
放射線(例えば、UV放射線またはDUV放射線)の投影ビームPBを供給するための照明システム(照明装置)ILと、
マスクMAを支持し、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするために第1の位置決め機器PMに接続しているマスク・テーブルMTと、
基板(例えば、レジストでコーティングされたウェハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするために第2の位置決め機器PWに接続している基板テーブル(例えば、ウェハ・テーブル)WTと、
基板Wの目標部分C(例えば、1つまたは複数のダイを備える)上にマスクMAにより、投影ビームPBに与えられた形をしているパターンを画像形成するための投影システム(例えば、屈折投影レンズ)PLとを備える。
本明細書で説明するように、この装置は、透過タイプ(例えば、透過性マスクを使用する)のものである。別の方法としては、この装置は、反射タイプ(例えば、上記のタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを使用する)のものであってもよい。
照明装置ILは、放射線源SOから放射線のビームを受光する。この放射線源およびリソグラフィ装置は、例えば、放射線源がエキシマ・レーザの場合のように、別々の構成であってもよい。このような場合、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を形成するものとは見なされず、放射ビームは、例えば、適当な方向づけミラーおよび/またはビーム・エクスパンダを備えるビーム供給システムBDの助けを借りて、放射線源SOから照明装置ILに通過する。他の場合、放射線源は、例えば、放射線源が水銀ランプである場合のように、装置の一部であってもよい。放射線源SOと照明装置ILは、必要な場合には、ビーム供給システムBDと一緒に放射システムと呼ぶ場合もある。
照明装置ILは、ビームの角度輝度分布を調整するための調整装置AMを備えることができる。通常、照明装置の瞳面内の輝度分布の少なくとも外部および/または内部半径範囲(通常、それぞれσアウタおよびσインナと呼ばれる)を調整することができる。さらに、照明装置ILは、通常、インテグレータINおよびコンデンサCOのような種々の他の構成要素を備える。照明装置は、その断面内に所望の均一性と輝度分布を有する投影ビームPBと呼ばれる放射線の調整されたビームを供給する。
投影ビームPBは、マスク・テーブルMT上に保持されているマスクMA上に入射する。マスクMAを横切った後で、投影ビームPBは、レンズPLを通過し、基板Wの目標部分C上にビームの焦点を結ぶ。第2の位置決め機器PWおよび位置センサIF(例えば、干渉計装置)の助けを借りて、例えば、ビームPBの経路内の異なる目標部分Cに位置決めするために、基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1の位置決め機器PMおよび(図1に明示されていない)他の位置センサを、例えば、マスク・ライブラリから機械的検索を行った後で、または走査中、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めするために使用することができる。通常、オブジェクト・テーブルMTおよびWTは、位置決め機器PMおよびPWの一部を形成するロング・ストローク・モジュール(粗位置決め)およびショート・ストローク・モジュール(微細位置決め)の助けを借りて移動することができる。しかし、(スキャナとは反対の)ステッパの場合には、マスク・テーブルMTを、ショート・ストローク・アクチュエータだけに接続することもできるし、または固定することもできる。マスクMAおよび基板Wは、マスク整合マークM1、M2および基板整合マークP1、P2により整合することができる。
図の装置は、下記の好適なモードで使用することができる。
1.ステップ・モードの場合には、マスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTは本質的に固定されていて、一方、投影ビームに与えられた全パターンが、1回(すなわち、1回の静的露光)で目標部分C上に投影される。基板テーブルWTは、次に、Xおよび/またはY方向にシフトされ、そのため異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードの場合には、露光フィールドの最大サイズにより1回の静的露光で画像形成される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードの場合、マスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTは同期状態で走査され、一方、投影ビームに与えられたパターンが、目標部分C上に投影される(すなわち、1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、拡大(縮小)および投影システムPLの画像の逆特性により決まる。走査モードの場合には、露光フィールドの最大サイズにより1回の動的露光の際の目標部分の(走査方向でない方向の)幅が制限され、一方、走査運動の長さにより目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
3.他のモードの場合、マスク・テーブルMTは、プログラマブル・パターニング装置を保持する本質的に固定状態に維持され、基板テーブルWTは、投影ビームに与えられたパターンの形が目標部分C上に投影されている間に移動または走査される。このモードの場合、通常、パルス放射線源が使用され、プログラマブル・パターニング装置が、基板テーブルWTの各運動の後で、または走査中の連続放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記タイプのプログラマブル・ミラー・アレイのようなプログラマブル・パターニング装置を使用し、マスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
上記の使用モードの組み合わせおよび/または変更したもの、または全然異なる使用モードを使用することもできる。
図2に示すように、マスクMAは、通常、パターン化された面PSを下にしてマスク・テーブルMT内に保持され、下方に撓んでいる。そのためパターン面はマスクの凸状面上に位置し、最善の対象物面BO内に位置していない。そのため画像が歪む。何故なら、画像の変位dxがマスクの位置の関数として変化し、dzの焦点もマスク内の位置の変化によりぼける。2つの対向縁部に沿ってしっかりとマスクを装着することにより、撓みはほぼ一次元方向に制御され(スキャナにおいては、通常、縁部は走査方向に平行である)、他の2つの縁部にゆるく沿っているか、または全然沿っていない。これにより、例えば、投影システムおよび/またはマスク・テーブルの運動での光学的修正により、マスクの曲率による影響を修正することができ、行うべき適当な修正を決定するために校正が基準マスクを使用して行われる。使用する基準マスクは、ペリクルまたはそれに取り付けられているペリクル・フレームを有していないが、そうでない場合には、標準材料および寸法のものであってもよい。ペリクルを製造マスクと一緒に使用する場合には、ペリクル・フレームおよびペリクル、特に157nmの露光波長のところで使用するような厚いペリクルは、マスク−ペリクルの組み合わせの機械的特性に影響を与える。この場合、マスクは、マスク・テーブル内で異なる形を採用し、基準マスクを使用する校正による修正はもはや行われない。
図3および図4は、本発明の実施形態によるペリクル・フレーム10およびペリクル20(図4)が取り付けられているマスクMAを示す。図3および図4の場合には、はっきり見えるように、その通常の向きと比較した場合、マスクMAは倒置されていることに留意されたい。ペリクル・フレーム10は基本的には長方形であり、y軸にほぼ平行に延びるy部材11、12、およびx軸にほぼ平行に延びるx部材13、14を備える。ペリクル・フレームは、パターン・エリアを囲んでいるマスクMAのパターン面PS上に装着される。Y部材11は、x部材13、14と比較すると、断面積がより大きく、そのため剛性もより大きい。y部材は、例えば、5mm程度の高さd1を有することができ、2mm程度の厚さd2を有することができ、剛性を有する接着剤でマスクMAに接着することができる。
ペリクル20は、y部材11、12に接着剤でしっかりと固定される。x部材13、14とペリクルおよびマスクとの間のギャップは、例えば、図4に示すように柔軟な接着剤21、22で密封される。x方向のペリクル・フレームの剛性が低い状態に維持することができる限りは、他の密封方法も使用することができる。
このような構造により、マスクの形は、ペリクル・フレームおよびペリクルを追加した後でも一次元の方向を向いたままである。それ故、画像形成に対するマスクの撓みの影響は、依然として修正することができる。また、x方向のマスク−ペリクルの組み合わせの剛性は、x部材の高さd3、マスク面からのその隙間d4、およびマスクおよびペリクルにx部材を密封する際に使用する接着剤21、22の特性を適当に選択することにより調整することができる。以下に説明するように、剛性を制御することにより、マスク・テーブル内に置かれた場合のマスクの形を制御することができる。マスクの形は、基準マスクの形と同じになるように選択することができる。すなわち、マスク−ペリクルの組み合わせは、マスクのみの形と同じ形を採用し、および/または画像形成上に所望の影響を有することができる。
マスクMAの一次元方向への湾曲は、各端部F1、F2のところで支持されていて、それ自身の重量Gを支持しているビーム(梁)の湾曲として近似することができる。それ故、湾曲y(x)は下式により表すことができる。
Figure 0004491382

ここで、
wはビームに加えられる単位長さ当たりの力であり、
Lはビームの長さであり、
Iはビームの慣性モーメントであり、
Eはビームの弾性率であり、
αはビーム装着角度(図2参照)である。
w、Lは、マスク−ペリクル組立体の質量およびマスク−ペリクル組立体の剛性によるIにより決まるので、質量が増大すると撓みが増大する傾向があり、一方、剛性が増大すると撓みが少なくなる。これらの影響のバランスをとることにより、撓みに関する限りペリクルおよびフレームを追加しても影響を打ち消すことができる。除去することができないマスクの形に対するすべての残りの影響は、光学的修正および/またはマスク・テーブルの移動により修正することができる。
ペリクル・フレームのxおよびy部材は中空であっても中空でなくてもよく、例えば、アルミニウムのような任意の適当な材料から作ることができることを理解されたい。パターン面に付着するすべての汚染を防止するためにマスクにペリクルを密封する必要があるが、内部圧を外部圧に等しくすることができるように、内部と外部との間で気体が行き来することができることが望ましい。ペリクル・フレームが中空部材である場合には、フレームの周囲を延びる均圧経路を形成することができ、それにより粒子が内部の保護されている空間に侵入する恐れが最小限度に低減する。
本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は上記以外の方法で実行することができることを理解することができるだろう。上記説明は本発明を制限するものではない。
本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置である。 画像形成に対するマスクの撓みの影響を示す。 ペリクル・フレームは有しているが、ペリクルは取り付けられていないマスクを示す。 ペリクルが取り付けられている図3のマスクを示す。
符号の説明
PB 投影ビーム
IL 照明システム(照明装置)
MA マスク
PL アイテム
PM 第1の位置決め機器
PW 第2の位置決め機器
MT マスク・テーブル
W 基板
WT 基板テーブル
C 目標部分
SO 放射線源
AM 調整機器
IN インテグレータ
CO コンデンサ
IF 位置センサ
M1,M2 マスク整合マーク
P1,P2 基板整合マーク
10 ペリクル・フレーム
20 ペリクル
11,12 y部材
13,14 x部材
21,22 接着剤

Claims (6)

  1. リソグラフィ装置であって、
    ・放射線の投影ビームを供給するための照明システムと、
    ・前記投影ビームにあるパターンの断面の形を与える働きをし、ペリクル・フレームによりそれに取り付けられたペリクルを有するマスクを支持するための支持構造と、
    ・基板を保持するための基板テーブルと、
    ・前記基板の目標部分上に前記パターン化されたビームを投影するための投影システムとを備え、
    前記ペリクル・フレームが、相互にほぼ平行な第1の側面および前記第1の側面にほぼ垂直な第2の側面を備え、前記ペリクルが前記第1の側面に比較的しっかりと接続し、前記第2の側面に比較的柔軟に接続しており、
    前記マスク・テーブル内での前記マスクの装着が、前記マスクの形が一次元方向を向くように行われ、
    使用中のマスクの形に対する前記フレームおよびペリクルの機械的影響が画像形成に最適になるように、前記フレームおよび/またはペリクルの機械的特性を最適化することを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記第2の側面自身の剛性が前記第1の側面の剛性より低い請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1の側面は第1側部部材によって形成され、前記第2の側面は第2側部部材によって形成され、
    前記第2の側部部材の位置およびフレーム、ペリクルおよびマスク間の柔軟な装着の剛性が、前記マスク−フレーム−ペリクルの組み合わせの所望の機械的特性となるように選択されている請求項1または2に記載の装置。
  4. ペリクル・フレームによりそれに取り付けられているペリクルを有するマスクであって、前記ペリクル・フレームが、相互にほぼ平行な第1の側面および前記第1の側面にほぼ垂直な第2の側面を備え、前記ペリクルが前記第1の側面に比較的しっかりと接続し、前記第2の側面に比較的柔軟に接続しているマスク。
  5. 前記第2の側面自身の剛性が前記第1の側面の剛性より低い請求項に記載のマスク。
  6. デバイスの製造方法であって、
    ・基板を供給する段階と、
    ・照明システムにより放射線の投影ビームを供給する段階と、
    ・前記投影ビームにあるパターンの断面の形を与えるためのものであって、相互にほぼ平行な第1の側面および前記第1の側面にほぼ垂直な第2の側面を備えたペリクル・フレームによりそれに取り付けられているペリクルを有するマスクを使用する段階と、
    ・前記基板の目標部分上に放射線の前記パターン化したビームを投影する段階とを含み、マスクの形に対する前記フレームおよびペリクルの機械的影響が、画像形成に対して最適になるように、前記フレームおよび/またはペリクルの機械的特性が最適化され、
    前記マスクを使用する段階では、前記マスク・テーブル内での前記マスクの装着が、前記マスクの形が一次元方向を向くように行われ、かつ、前記ペリクルが前記第1の側面に比較的しっかりと接続され、前記第2の側面に比較的柔軟に接続されることを特徴とする方法。
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