CN108227369A - 表膜构件框架和使用该表膜构件框架的表膜构件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种表现出高的PID(表膜构件变形)抑制效果的表膜构件框架和使用它的表膜构件。本发明的表膜构件框架是多边形框形状的表膜构件框架，其特征在于，在表膜构件框架的角部内部形成有中空部。另外，本发明的表膜构件框架也可以在表膜构件框架的直线部内部形成有中空部，优选形成在表膜构件框架的角部内部的中空部和形成在直线部内部的中空部是连通的。

Description

表膜构件框架和使用该表膜构件框架的表膜构件
技术领域
本发明涉及表膜构件框架和使用该表膜构件框架而构成的光刻用表膜构件。
背景技术
在制造半导体器件、液晶显示器等之际的光刻工序中，对涂敷有抗蚀剂的半导体晶圆、液晶用原板照射光来制作图案，但是如果此时使用的光掩模和中间掩膜(以下称为光掩模)上附着有异物，则除了由于该异物吸收光或使光弯折而导致所转印的图案发生变形或者边缘粗糙以外，还会存在基底污黑或者尺寸、质量、外观等受损的问题。
这些光刻工序通常在无尘室内进行，但是即使如此也难以保证曝光原版总是清洁。因此，一般采用对曝光原版设置被称为表膜构件的除异物构件来进行曝光的方法。
这种表膜构件一般包括：框状的表膜构件框架；张设于表膜构件框架的上端面的表膜；以及形成于表膜构件框架的下端面的气密用衬垫等。其中的表膜包括对曝光用光表现出高的透射率的材料，气密用衬垫采用粘合剂等。
只要对光掩模设置这种表膜构件，异物就不会直接附着于光掩模，而会附着于表膜构件上。并且，在光刻中只要使焦点对准到光掩模的图案上即可，表膜构件上的异物就会与转印无关，能抑制图案的变形等问题。
然而，在这种光刻技术中，作为提高分辨率的手段，已推进曝光用光源的短波长化。目前为止，曝光用光源已从水银灯的g线(436nm)、i线(365nm)转向KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)，而且也在研究主波长为13.5nm的EUV(Extreme UltraViolet：远紫外)光的使用。
当前，在将表膜构件贴附于光掩模时，出现了光掩模中发生变形的问题。在此将该变形称为PID(Pellicle Induced Distortion：表膜构件引起的变形)。该PID会导致在光刻工序中形成的图案的位置精度出现偏离，在半导体器件制造中成为大问题。
作为用于减少这种由表膜构件的贴附带来的光掩模的变形的手段，专利文献1公开了截面积为6mm2以下的表膜构件框架。另外，专利文献2公开了为了在保持表膜构件框架的宽度、高度的状态下使截面积变小而将截面形状设为I形状的表膜构件框架，专利文献3公开了在内部并排设有多个中空部的表膜构件框架。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2009-25562号
专利文献2：特开2011-7934号
专利文献3：国际公开第2016/072149号
发明内容
发明要解决的问题
现有的这些表膜构件框架是考虑到表膜构件框架的变形是PID的一个因素而开发的。即，在将表膜构件框架贴附到比表膜构件框架平坦的光掩模的情况下，表膜构件框架沿着光掩模发生变形，而此时在表膜构件框架中会产生试图返回原有状态的应力(弹力)。因此，当撤去外力时，就会追随表膜构件框架的变形而在光掩模中发生变形，因此为了减小该应力而使表膜构件框架的刚性变小。
然而，在专利文献2的截面形状为I形状的表膜构件框架中，虽然具有PID的抑制效果，但是表膜构件框架的表面积增大，因此存在检查范围变大，作业效率降低的问题。
另外，本发明的发明人根据专利文献3记载的实施方式制作表膜构件框架并测定PID时发现，虽然能得到某种程度的PID抑制效果，但是其抑制效果有限。
因此，本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种表现出高的PID抑制效果的表膜构件框架和使用它的表膜构件。
本发明的发明人为了解决上述问题而进行了深入研究，想到PID与表膜构件框架的绕x轴的(相对于高度方向上的力的)截面二次矩(断面二次モーメント)相关，并且发现若在材料力学上使表膜构件框架的截面二次矩变小则PID也有变小的趋势。
另外，另一方面，在将普通的表膜构件贴附于光掩模的情况下，在表膜构件的角部附近有容易发生大的形状变化的趋势，认为此时会在表膜构件的角部附近产生大的应力，因此，除了使表膜构件框架的截面二次矩变小以外，为了进一步提高其PID的抑制效果，本发明的发明人还对形状、结构进行了进一步研究，发现如果在表膜构件框架的角部内部形成中空部则能得到更高的PID抑制效果，得到了本发明。
用于解决问题的方案
即，本发明的表膜构件框架是多边形框状的表膜构件框架，其特征在于，在表膜构件框架的角部内部形成有中空部。另外，本发明的表膜构件框架也可以在表膜构件框架的直线部内部形成有中空部，优选形成在表膜构件框架的角部内部的中空部与形成在直线部内部的中空部是连通的。而且，在本发明的表膜构件框架中，优选形成在表膜构件框架的角部内部的中空部的截面积大于形成在直线部内部的中空部的截面积。
另外，本发明的表膜构件框架是在内部形成有中空部的形状的表膜构件框架，其特征在于，具有从中空部至表膜构件框架表面的贯通孔。另外，优选该表膜构件框架是将两个多边形框状的构件接合而构成的，该中空部是由设于至少一方构件的接合面的槽形成的，优选两个多边形框状的构件是通过固相接合而接合的。
而且，本发明的表膜构件框架是多边形框状的表膜构件框架，其特征在于，表膜构件框架的角部处的截面二次矩小于直线部处的截面二次矩。并且，优选该表膜构件框架的角部处的截面二次矩相对于直线部处的截面二次矩为85％以上且小于100％的大小。
并且，本发明的表膜构件框架用于制作光刻用表膜构件。
发明效果
根据本发明的表膜构件框架，与现有的表膜构件框架相比，能有效地抑制将使用它而制作的表膜构件贴附于光掩模时的PID。因此，也能有效地用于更微小的图案形成工序中。
附图说明
图1是本发明的表膜构件框架的外观示意图。
图2是本发明的在角部形成有中空部的表膜构件框架的结构示意图。
图3是本发明的在角部和直线部形成有中空部的表膜构件框架的结构示意图。
图4是本发明的将角部的中空部和直线部的中空部连通的表膜构件框架的结构示意图。
图5是示出本发明的表膜构件框架的中空部的截面形状的示意图。
图6是本发明的将角部的中空部和直线部的中空部连通的表膜构件框架的结构示意图。
图7是比较例2的表膜构件框架的结构示意图。
图8是比较例3的表膜构件框架的截面形状的示意图。
附图标记说明
1 表膜构件框架
2 直线部
3 角部
4 通气孔(贯通孔)
5 夹具孔
6 角部内部的中空部
7 直线部内部的中空部。
具体实施方式
以下，详细说明本发明的一个实施方式，但是本发明不限于此。
本发明的表膜构件框架和表膜构件适用于光掩模的变形特别成问题的半导体制造用途，但是其用途没有特别限定。例如，能用作一边为150mm左右的半导体制造用表膜构件、一边为200～300mm的印刷电路基板制造用表膜构件，而且能用作一边为500～2000mm的液晶和有机EL显示器制造用表膜构件。
本发明的表膜构件框架的形状为多边形框状，具有角部。一般为如图1所示的四边形框状。其直线部2交叉的角部3也可以是R形状，也可以设有通气孔4、夹具孔5。
并且，如图2所示，在表膜构件框架的角部3的内部形成有中空部6。由此，在将表膜构件贴附于光掩模时，能有效地减少表膜构件角部附近的大的形状变化，结果是能抑制PID。
另外，本发明的表膜构件框架也可以是将两个多边形框状的构件接合而构成的。在一方多边形框状的构件设有槽，将其与未设有槽的多边形框状的构件接合，由此能将槽的部位设为表膜构件框架的中空部。另外，也可以在两个多边形框状的构件均设有槽，将两个构件接合，由此形成包括两个槽的中空部。
两个多边形框状的构件的接合方法没有特别限定，根据所使用的材料而适当选择即可，特别在将金属、合金等用作表膜构件框架的材料的情况下，优选通过固相接合而进行接合。这是由于，通过使用固相接合，能将两个构件高精度地接合，并且能防止表膜构件框架的强度降低。
此外，固相接合能采用使用聚焦离子束的蒸镀、扩散接合、摩擦扩散接合等。
另外，在本发明的表膜构件框架中，通过在表膜构件框架的内部形成中空部，能使绕x轴的(相对于高度方向上的力的)截面二次矩Ix变小。因此，与现有那样使表膜构件框架的截面形状为I形状而使截面二次矩Ix进一步变小的情况相比，在表膜构件框架的角部3的内部形成中空部6更能使PID减少。
在本发明的表膜构件框架中，如图3所示，优选在表膜构件框架的直线部2的内部形成有中空部7，由此能得到进一步的PID抑制效果。另外，如图4所示，形成在表膜构件框架的角部内部的中空部6和形成在直线部内部的中空部7也可以是连通的。此时，优选除了设有通气孔4和/或夹具孔5的部位的周边以外，在全部的部位形成有中空部。在这种情况下，在离通气孔4和/或夹具孔5的中心10mm以内的位置形成有中空部。
另外，也可以使全部的中空部连通，在表膜构件框架的内部整周上形成有中空部。在这种情况下，也可以使通气孔4和/或夹具孔5从中空部在高度方向上错开设置，也可以使设置通气孔4和/或夹具孔5的部位的中空部局部变小。
该中空部可以从外部空间被封闭，也可以设置从中空部到表膜构件框架表面的贯通孔而向外部空间开放。只要中空部从外部空间被封闭，就能防止异物侵入中空部或从中空部产生异物。
另一方面，如果中空部是封闭的，则对中空部内残留的气体(空气)可能有隐患。即，有可能由于温度变化导致的热膨胀、气压变化，而从中空部向表膜构件框架施加外力，产生变形。特别是在EUV曝光中，表膜构件在真空下使用，估计表膜构件框架也会成为高温，但是通过使中空部向外部空间开放，能避免这种情况。此外，从中空部至表膜构件框架表面的贯通孔也可以具有作为通气孔、夹具孔的功能。
本发明的中空部的大小没有特别限制，但是中空部过小则无法得到PID抑制效果，中空部过大则虽然PID抑制效果高，但是强度会降低而操作变困难。
如上所述，本发明的表膜构件框架在形状、结构上若在表膜构件框架的角部形成中空部则对于PID的抑制是有效的。另外，另一方面，在材料力学上，通过使表膜构件框架的角部和直线部的截面二次矩Ix变小而能抑制PID。在具有如图5所示的中空部的截面结构的表膜构件框架的情况下，其截面二次矩Ix用下式表示。
在此，B为表膜构件框架的宽度，H为表膜构件框架的高度，b为中空部的宽度，h为中空部的高度。
因此，在内部形成有中空部的形状的表膜构件框架的情况下，根据上式，使表膜构件框架的中空部的高度h变大，由此能有效地使截面二次矩Ix变小。并且，具体地说，优选中空部的高度h相对于表膜构件框架的高度H为50～80％的大小。
另外，中空部的宽度b不如高度h那样会对截面二次矩Ix造成影响，并优选对表膜构件框架的宽度方向上的力的弯曲刚性大，因此优选中空部的宽度b设计得比高度h小。具体地说，优选中空部的宽度b相对于表膜构件框架的宽度B为35～50％的大小。
而且，优选中空部的截面积相对于表膜构件框架截面积(截面积也包括中空部)为17.5～40％的大小。中空部的大小可以在全部的部位都一样，也可以在局部改变，特别是优选形成在角部内部的中空部的截面积大于形成在直线部内部的中空部的截面积。这样，能使在将表膜构件贴附于光掩模时产生的应力的大小在表膜构件框架的角部和直线部处相近，因此能最有效地抑制PID。
而且，认为表膜构件框架的弯曲刚性在材料力学上与截面二次矩相关，因此在内部形成有中空部的表膜构件框架的情况下，优选表膜构件框架的角部处的截面二次矩小于直线部处的截面二次矩，优选表膜构件框架的角部处的截面二次矩相对于直线部处的截面二次矩为85％以上且小于100％的大小。这是由于，在小于85％的情况下，将表膜构件贴附于光掩模时产生的应力的大小在表膜构件框架的角部和直线部处大为不同，因此有时会导致PID恶化。
此外，本发明的表膜构件框架的角部在为R形状的情况下是指R的起点到终点的范围，除此以外的部位为直线部。另外，在截面形状、截面积、截面二次矩局部不同的情况下，将它们的平均值设为角部和/或直线部处的大小。
表膜构件框架的材质没有特别限定，能使用公知的材料。例如能举出铝、铝合金、钢铁、不锈钢、黄铜、殷钢、超殷钢等金属、合金、聚乙烯(PE)树脂、聚酰胺(PA)树脂、聚醚醚酮(PEEK)树脂等工程塑料、玻璃纤维增强塑料(GFRP)、碳纤维增强塑料(CFRP)等纤维复合材料等。
优选表膜构件框架的表面被处理成黑色，并且根据需要被实施用于防尘的涂装等表面处理。例如，在使用铝合金的情况下，优选实施阳极化处理、化学转化处理等表面处理，在钢铁、不锈钢等的情况下优选实施镀黑铬等表面处理。
为了捕捉、固定浮游异物，还优选在表膜构件框架的内周面涂敷丙烯酸系粘合剂、有机硅系粘合剂等粘合性物质。另外，为了防尘，优选仅在表膜构件框架的内面或者其整个面上形成丙烯酸系树脂、氟系树脂等非粘合性树脂的覆膜。这些粘合性树脂、非粘合性树脂的覆膜的形成能通过喷涂、浸渍、粉体涂装、电泳涂装等公知的方法进行施工。
另外，为了操纵等用途，也可以在表膜构件框架的外周面设置多处夹具孔、槽。而且，也可以通过机械刻印或者激光打标来设置型号、制造编号、条形码等的显示。
而且，为了在将表膜构件贴附于光掩模时调整包括表膜构件和光掩模的空间的气压，优选设有通气孔。另外，为了防止异物通过该通气孔侵入，优选设置包括聚四氟乙烯(PTFE)等多孔质材料的过滤器。该过滤器能通过利用粘接剂贴附于表膜构件框架的外周面等方法来设置。另外，通气孔和过滤器的形状、位置、个数只要考虑所要求的通气性、操纵的便利性等来决定即可。
能通过对本发明的表膜构件框架设置表膜、粘合剂层等而制作表膜构件。表膜根据所使用的曝光用光源从纤维素系树脂、氟系树脂等材料中选择最佳材料即可。另外，其膜厚也是从透射率、机械强度等观点出发而适当地设计即可，也能根据需要而设置防反射层。特别是，在使用EUV光作为曝光用光源的情况下，能使用膜厚为1μm以下的极薄的硅膜、石墨烯膜。另外，表膜能通过丙烯酸系粘接剂、氟系粘接剂、有机硅系粘接剂等公知的粘接剂张设于表膜构件框架的上端面。
用于将表膜构件安装于光掩模的粘合剂层设于表膜构件框架的下端面。粘合剂层的材质能举出橡胶系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)粘合剂、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯(SEPS)粘合剂、有机硅粘合剂等公知的粘合剂。另外，优选成为起雾的原因的放气(outgas)的发生少的材料。
为了确保将表膜构件安装于光掩模后的稳定性，减少对光掩模造成的影响，优选粘合剂层表面的平面度为30μm以下。另外，截面形状、厚度根据需要选择即可，例如能将截面形状设为半圆型的凸状。
也可以在粘合剂层的表面按厚度为50～300μm的程度设置对PET制膜等的表面赋予剥离性而成的分隔物。它用于保护粘合剂层，也可以通过对表膜构件的容器、表膜构件的支撑单元等动脑筋而省略分隔物。
实施例
以下，示出实施例和比较例对本发明进行具体说明。
〈实施例1〉
在实施例1中，首先准备用铝合金制造的四边形框状的表膜构件框架。在该表膜构件框架形成有如图4所示的中空部6和中空部7。表膜构件框架的外部尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。
另外，形成有中空部的部位的截面形状为如图5所示的形状，B＝1.95mm，H＝3.15mm，b＝0.70mm，h＝2.30mm。此时的截面二次矩Ix为4.37mm4。
中空部的高度相对于表膜构件框架的高度为73％的大小，中空部的宽度相对于表膜构件框架的宽度为36％的大小。中空部的截面积相对于表膜构件框架截面积(截面积也包括中空部)为26％的大小。另外，表膜构件框架的角部处的截面二次矩相对于直线部处的截面二次矩为100％的大小。
而且，在该表膜构件框架中形成有φ0.5mm的通气孔，并在4个部位形成有φ1.6mm且深度为1.3mm的夹具孔。此外，中空部设于离这些通气孔和夹具孔的中心5mm的位置。另外，该表膜构件框架是将在成为中空部的位置设有槽的两个构件进行固相接合而制作的。
接下来，用纯水对准备好的表膜构件框架进行清洗后，在表膜构件框架的上端面涂敷有机硅粘合剂(信越化学工业(株)制KE-101A/B)，在表膜构件框架的下端面涂敷丙烯酸树脂粘合剂(综研化学(株)制SK达因1495)。
接着，将由多孔部支撑的单晶硅的表膜贴附于表膜构件框架的上端面，除去比表膜构件框架向外侧伸出的表膜，由此完成表膜构件。
将制作好的表膜构件贴附于150mm见方的光掩模基板，进行PID的评价，其结果是PID的值为24nm。
将表膜构件贴附于光掩模的条件为负荷5kgf，负荷时间30秒。另外，PID的评价使用Corning Tropel公司制造的平面度仪(FlatMaster)，将贴附表膜构件前后光掩模基板的正方向和负方向的最大变形量之和作为PID的值(大小)。
〈实施例2〉
在实施例2中，首先，准备用铝合金制造的四边形框状的表膜构件框架。在该表膜构件框架中，仅在4个角部形成有如图2所示的中空部6。表膜构件框架的外部尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。
另外，形成有中空部的部位的截面形状为如图5所示的形状，B＝1.95mm，H＝3.15mm，b＝0.70mm，h＝2.30mm。此时的截面二次矩Ix为4.37mm4。
中空部的高度相对于表膜构件框架的高度为73％的大小，中空部的宽度相对于表膜构件框架的宽度为36％的大小。中空部的截面积相对于表膜构件框架截面积(截面积也包括中空部)为26％的大小。另外，表膜构件框架的角部处的截面二次矩相对于直线部处的截面二次矩为86％的大小。
而且，在该表膜构件框架中形成有φ0.5mm的通气孔，并在4个部位形成有φ1.6mm且深度为1.3mm的夹具孔。此外，中空部设于离这些通气孔和夹具孔的中心5mm的位置。另外，该表膜构件框架是将在成为中空部的位置设有槽的两个构件进行固相接合而制作的。
接下来，用纯水对准备好的表膜构件框架进行清洗后，在表膜构件框架的上端面涂敷有机硅粘合剂(信越化学工业(株)制KE-101A/B)，在表膜构件框架的下端面涂敷丙烯酸树脂粘合剂(综研化学(株)制SK达因1495)。
接着，将由多孔部支撑的单晶硅的表膜贴附于表膜构件框架的上端面，除去比表膜构件框架向外侧伸出的表膜，由此完成表膜构件。
将制作好的表膜构件贴附于150mm见方的光掩模基板，进行PID的评价，其结果是PID的值为27nm。
〈实施例3～6〉
在实施例3～6中，首先准备用铝合金制造的四边形框状的表膜构件框架。在各表膜构件框架中形成有如图6所示的中空部6和中空部7。在此，在直线部和角部处中空部的截面积不同。此外，图6示出了形成在角部内部的中空部的截面积大于形成在直线部内部的中空部的截面积的情况。
另外，表膜构件框架的外部尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。另外，形成有中空部的部位的截面形状为如图5所示的形状，中空部的大小、截面二次矩Ix分别如表1所示那样设计。
而且，在各表膜构件框架中形成有φ0.5mm的通气孔，并在4个部位形成有φ1.6mm且深度为1.3mm的夹具孔。此外，中空部设于离这些通气孔和夹具孔的中心5mm的位置。另外，各表膜构件框架是将在成为中空部的位置设有槽的两个构件进行固相接合而制作的。
接下来，用纯水对准备好的表膜构件框架进行清洗后，在表膜构件框架的上端面涂敷有机硅粘合剂(信越化学工业(株)制KE-101A/B)，在表膜构件框架的下端面涂敷丙烯酸树脂粘合剂(综研化学(株)制SK达因1495)。
接着，将由多孔部支撑的单晶硅的表膜贴附于表膜构件框架的上端面，除去比表膜构件框架向外侧伸出的表膜，由此完成表膜构件。
将制作好的表膜构件贴附于150mm见方的光掩模基板，进行PID的评价，其结果是如表1所示。
[表1]
〈比较例1〉
在比较例1中，首先，准备用铝合金制造的四边形框状的表膜构件框架。表膜构件框架的外部尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。此外，在该表膜构件框架中未形成中空部(未图示)。因此，截面二次矩Ix为5.08mm4。另外，在该表膜构件框架中形成有φ0.5mm的通气孔，并在4个部位形成有φ1.6mm且深度为1.3mm的夹具孔。
接下来，用纯水对准备好的表膜构件框架进行清洗后，在表膜构件框架的上端面涂敷有机硅粘合剂(信越化学工业(株)制KE-101A/B)，在表膜构件框架的下端面涂敷丙烯酸树脂粘合剂(综研化学(株)制SK达因1495)。
接着，将由多孔部支撑的单晶硅的表膜贴附于表膜构件框架的上端面，除去比表膜构件框架向外侧伸出的表膜，由此完成表膜构件。
将制作好的表膜构件贴附于150mm见方的光掩模基板，进行PID的评价，其结果是PID的值为37nm，为比实施例1～6大的数值。
〈比较例2〉
在比较例2中，首先，准备用铝合金制造的四边形框状的表膜构件框架。在该表膜构件框架中形成有如图7所示的中空部7，但是在角部未形成中空部6。表膜构件框架的外部尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。
另外，形成有中空部7的部位的截面形状为如图5所示的形状，B＝1.95mm，H＝3.15mm，b＝0.70mm，h＝2.30mm。此时的截面二次矩Ix为4.37mm4。
中空部7的高度相对于表膜构件框架的高度为73％的大小，中空部7的宽度相对于表膜构件框架的宽度为36％的大小。中空部7的截面积相对于表膜构件框架截面积(截面积也包括中空部)为26％的大小。另外，表膜构件框架的角部处的截面二次矩相对于直线部处的截面二次矩为116％的大小。
而且，在该表膜构件框架中形成有φ0.5mm的通气孔，并在4个部位形成有φ1.6mm且深度为1.3mm的夹具孔。此外，中空部7设于离这些通气孔和夹具孔的中心5mm的位置。另外，该表膜构件框架是将在成为中空部的位置设有槽的两个构件进行固相接合而制作的。
接下来，用纯水对准备好的表膜构件框架进行清洗后，在表膜构件框架的上端面涂敷有机硅粘合剂(信越化学工业(株)制KE-101A/B)，在表膜构件框架的下端面涂敷丙烯酸树脂粘合剂(综研化学(株)制SK达因1495)。
接着，将由多孔部支撑的单晶硅的表膜贴附于表膜构件框架的上端面，除去比表膜构件框架向外侧伸出的表膜，由此完成表膜构件。
将制作好的表膜构件贴附于150mm见方的光掩模基板，进行PID的评价，其结果是PID的值为30nm，为比实施例1～6大的数值。
〈比较例3〉
在比较例3中，首先准备用铝合金制造的四边形框状的表膜构件框架。该表膜构件框架除了形成有通气孔和夹具孔的部位以外，为如图8所示的I形状的截面。另外，表膜构件框架的外部尺寸为149mm×115mm×3.15mm，框架宽度为1.95mm。在此，用与具有中空部的截面结构的表膜构件框架同样的下式来表示具有这种截面结构的表膜构件框架的截面二次矩Ix。
因此，截面二次矩Ix为4.08mm4。
在该表膜构件框架中形成有φ0.5mm的通气孔，并在4个部位形成有φ1.6mm且深度为1.3mm的夹具孔。另外，该表膜构件框架的离这些通气孔和夹具孔的中心5mm的位置的截面形状为I形状。
接下来，用纯水对准备好的表膜构件框架进行清洗后，在表膜构件框架的上端面涂敷有机硅粘合剂(信越化学工业(株)制KE-101A/B)，在表膜构件框架的下端面涂敷丙烯酸树脂粘合剂(综研化学(株)制SK达因1495)。
接着，将由多孔部支撑的单晶硅的表膜贴附于表膜构件框架的上端面，除去比表膜构件框架向外侧伸出的表膜，由此完成表膜构件。
将制作好的表膜构件贴附于150mm见方的光掩模基板，进行PID的评价，其结果是PID的值为26nm。
根据汇总了以上结果的上述表1，通过实施例1～6与比较例1和2的比较，确认了当使表膜构件框架的截面二次矩Ix变小时，PID也有变小的趋势。另外，通过实施例2与比较例1的比较，也确认了当在表膜构件框架的角部形成有中空部时，表膜构件框架的截面二次矩Ix变小而PID被有效地抑制。
而且，通过实施例1、4～6与实施例3的比较，确认了表膜构件框架的角部的截面二次矩小于直线部的截面二次矩对于抑制PID更有效。
另外，另一方面，从实施例1与比较例3的比较来看，在实施例1的截面二次矩Ix大于比较例3的情况下，也能如实施例1那样，通过在表膜构件框架的角部形成中空部而使PID的数值变得更小，因此确认了在角部内部形成有中空部对于抑制PID更有效。

Claims (10)

1.一种表膜构件框架，为多边形框状，其特征在于，
在该表膜构件框架的角部内部形成有中空部。
2.根据权利要求1所述的表膜构件框架，其特征在于，
在上述表膜构件框架的直线部内部形成有中空部。
3.根据权利要求2所述的表膜构件框架，其特征在于，
形成在上述表膜构件框架的角部内部的中空部和形成在直线部内部的中空部是连通的。
4.根据权利要求2或3所述的表膜构件框架，其特征在于，
形成在上述表膜构件框架的角部内部的中空部的截面积大于形成在直线部内部的中空部的截面积。
5.一种表膜构件框架，为在内部形成有中空部的形状，其特征在于，
具有从该中空部至表膜构件框架表面的贯通孔。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的表膜构件框架，其特征在于，
上述表膜构件框架是将两个多边形框状的构件接合而构成的，上述中空部是由设于至少一方上述多边形框状的构件的接合面的槽形成的。
7.根据权利要求6所述的表膜构件框架，其特征在于，
上述两个多边形框状的构件是通过固相接合而接合的。
8.一种表膜构件框架，为多边形框状，其特征在于，
该表膜构件框架的角部处的截面二次矩小于直线部处的截面二次矩。
9.根据权利要求8所述的表膜构件框架，其特征在于，
上述表膜构件框架的角部处的截面二次矩相对于直线部处的截面二次矩为85％以上且小于100％的大小。
10.一种表膜构件，其特征在于，
是使用权利要求1至9中的任意一项所述的表膜构件框架构成的。
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